__JSP技术基础习题

第一章JSP技术基础习题

一、选择题

1．当用户请求jsp页面时，JSP引擎就会执行该页面的字节码文件响应客户的请求，执行字节码文件的结果是（C）

A）发送一个JSP源文件到客户端

B）发送一个Java文件到客户端

C）发送一个HTML页面到客户端

D）什么都不做。

2．当多个用户请求同一个JSP页面时，Tomcat服务器为每个客户启动一个（B）A）进程B）线程C）程序D服务。

3．下列动态网页和静态网页的根本区别描述错误的是（D）。

A）静态网页服务器端返回的HTML文件是事先存储好的

B）动态网页服务器端返回的HTML文件是程序生成的。

C）静态网页文件里只有HTML标记，没有程序代码。

D）动态网页中只有程序，不能有HTML代码。

4．不是JSP运行必须的是（D）

A）操作系统

B）JavaJDK

C）支持Jsp的Web服务器

D）数据库

5．URL是Internet中资源的命名机制，URL由三部分构成（A ）。

A）协议、主机DNS名或IP地址和文件名

B）主机、DNS名或IP地址和文件名、协议

C）协议、文件名、主机名

D）协议、文件名、IP地址

6．下列说法哪一项是正确的（C）

A）Apache用于ASP技术所开发网站的服务器

B）IIS用于CGI技术所开发网站的服务器

C）Tomcat用于JSP技术所开发网站的服务器

D）WebLogic用于PHP技术所开发网站的服务器

7．Tomcat服务器的默认端口号是：（B）

A）80 B）8080 C）21 D）2121

二、判断题

1．动态网页和静态网页的根本区别在于服务器端返回的HTML文件是事先存储好的还是由动态网页程序生成的（对）

2．Internet和intranet的含义意义相同。（错）

3．互联网起源于美国国防部高级研究计划管理局建立的ARPA网。（对）4．Web开发技术包括客户端和服务器端的技术。（对）

5．Tomcat和JDK都不是开源的。（错）

三、填空题

1．W3C是指

2．Internet。

3．IP之间。

4

5．Web和_客户端__两个层面。

6

四、思考题

1．为什么要为JDK设置环境变量？

2．Tomcat和JDK是什么关系？

3．什么是Web服务根目录、子目录、相对目录？如何配置虚拟目录？

4．什么是B/S模式？

5．JSP、JavaBeans和JavaServlet之间的关系?

6．集成开发环境能为程序员做什么？

7．使用MyEclipse开发JSP程序，需要做那些配置？

8．MyEclipse和Eclipse的关系？

电子技术基础习题答案

三、选择题:(每小题2分,共20分) 1、单极型半导体器件就是( C )。 A、二极管; B、双极型三极管; C、场效应管; D、稳压管。 2、P型半导体就是在本征半导体中加入微量的( A )元素构成的。 A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态就是( C )。 A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管( C )。 A、已经击穿; B、完好状态; C、内部老化不通; D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时,其正向电流就是( A )而成。 A、多子扩散; B、少子扩散; C、少子漂移; D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2、1V,V B＝2、8V,V C＝4、4V,说明此三极管处在( A )。 A、放大区; B、饱与区; C、截止区; D、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流( C )。 A、较大; B、较小; C、为零; D、无法判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为( C )。 A、矩形方波; B、等腰三角波; C、正弦半波; D、仍为正弦波。 9、三极管超过( C )所示极限参数时,必定被损坏。 A、集电极最大允许电流I CM; B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO; C、集电极最大允许耗散功率P CM; D、管子的电流放大倍数 。 10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件就是( C ) A、发射结正偏、集电结正偏; B、发射结反偏、集电结反偏; C、发射结正偏、集电结反偏; D、发射结反偏、集电结正偏。 三、选择题:(每小题2分,共20分) 1、基本放大电路中,经过晶体管的信号有(C)。 A、直流成分; B、交流成分; C、交直流成分均有。 2、基本放大电路中的主要放大对象就是(B)。 A、直流信号; B、交流信号; C、交直流信号均有。 3、分压式偏置的共发射极放大电路中,若V B点电位过高,电路易出现(B)。 A、截止失真; B、饱与失真; C、晶体管被烧损。 4、共发射极放大电路的反馈元件就是(B)。 A、电阻R B; B、电阻R E; C、电阻R C。 5、功放首先考虑的问题就是(A)。

电子技术基础期末复习题

2014级电气自动化技术专业 《电子技术基础》复习资料 一、填空题。 1、二极管工作在正常状态时，若给其施加正向电压时，二极管导通,若施加反向电压时，则二极管截至，这说明二极管具有单向导电性。 2、晶体管从内部结构可分为 NPN型和PNP型。 3、NPN型硅晶体管处于放大状态时，在三个电极电位中，其电位高低关系为 V C ＞V B ＞V E ，基极和发射极电位之差约等于。 4、在晶体管放大电路中，测得I C=3mA，I E=，则I B= ， = 100。 5、按晶体管在电路中不同的连接方式，可组成共基、共集和共射三种基本放大电路；其中共集电路输出电阻低，带负载能力强；共射电路兼有电压放大和电流放大作用。 6、晶体管在电路中若用于信号的放大应使其工作在放大状态。若用作开关则应工作在饱和和截至状态，并且是一个无触点的控制开关。 7、组合逻辑电路是指任何时刻电路的输出仅由当时的输入状态决定。 8、用二进制表示有关对象的过程称为编码。 9、n个输出端的二进制编码器共有 2n个输入端，对于每一组输入代码，有1个输入端具有有效电平。 10、画晶体管的微变等效电路时，其B、E两端可用一个线性电阻等效代替，其C、E两端可以用一个可控电流源等效代替。 11、1位加法器分为半加器和全加器两种。 12、多级放大器的级间耦合方式有3种，分别是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。 13、多级放大电路的通频带总是比单级放大电路的通频带窄。 14、反馈是把放大器的输出量的一部分或全部返送到输入回路的过程。

15、反馈量与放大器的输入量极性相反，因而使 净输入量 减小的反馈，称为 负反馈 。 为了判别反馈极性，一般采用 瞬时极性法 。 16、三端集成稳压器CW7806的输出电压是 6 V 。 17、施加深度负反馈可使运放进入 线性 区，使运放开环或加正反馈可使运放进入 非线性 区。 18、逻辑功能为“全1出0，见0出1”的逻辑门电路时 与非 门。 19、一个二进制编码器若需要对12个输入信号进行编码，则要采用 4 位二进制代码。 20、电压跟随器的输出电压与输入电压不仅 大小相等，而且 相位 也相同。 二、 选择题。 1、把一个6V 的蓄电池以正向接法直接加到二极管两端，则会出现（ C ）问题。 A 正常 B 被击穿 C 内部断路 2、二极管的正极电位是-10V ，负极电位是，则该二极管处于（ A ）状态。 A 反偏 B 正偏 C 零偏 3、晶体管工作在放大区时，具有如下特点（ A ）. A 发射结反向偏置 B 集电结反向偏置 C 晶体管具有开关作用 D I C 与I B 无关 4、稳压二极管是特殊的二极管，它一般工作在（ C ）状态。 A 正向导通 B 反向截止 C 反向击穿 D 死区 5、测量放大器电路中的晶体管，其各极对地电压分别为，2V ，6V ，则该管（ A ）。 A 为NPN 管 B 为Ge 材料 C 为PNP 管 D 工作在截止区 6、理想集成运算放大器工作在饱和区，当+u >-u 时，则（ A ） A om o U u += B m o U u 0-= C +=u u o D -=u u o 7、测得晶体管,3,404.2,30mA I A I mA I A I C B C B ====时；时μμ 则该晶体管的交流电流放大系数为（ B ）。

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，

陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

电子技术基础习题带答案

【理论测验】 一、单项选择题： 1．不属于对助焊剂的要求的是（C ） A、常温下必须稳定，熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性，较低的表面张力，粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用，焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体，熔化时不产生飞溅或飞沫 2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为（B ） A、1：3 B、3：1 C、任何比例均可 3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头，使用寿命长的烙铁头是（ A ） A、合金头 B、纯铜头 4．焊接一般电容器时，应选用的电烙铁是（ A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式5．150W外热式电烙铁采用的握法是（ B ） A、正握法 B、反握法 C、握笔法 6．印刷电路板的装焊顺序正确的是（C ） A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。 C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。7．在更换元器件时就需要拆焊，属于拆焊用的工具的是（A ） A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1．焊点出现弯曲的尖角是由于（AB ） A、焊接时间过长，烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多，烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是（A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 ３．75W外热式电烙铁（B ） A、一般做成直头，使用时采用握笔法 B、一般做成弯头，使用时采用正握法 C、一般做成弯头，使用时采用反握法 D、一般做成直头，使用时采用正握法４．下列电烙铁适合用反握法的是（ D ） A、20W B、35W C、60W D、150W ５．20W内热式电烙铁主要用于焊接（ D ） A、8W以上电阻 B、大电解电容器 C、集成电路 D、以上答案都不对６．焊点表面粗糙不光滑（ B ） A、电烙铁功率太大或焊接时间过长 B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早 C、焊剂太多造成的 D、焊剂太少造成的 ７．电烙铁“烧死”是指（ C ） A、烙铁头不再发热 B、烙铁头粘锡量很多，温度很高 C、烙铁头氧化发黑，烙铁不再粘锡 D、烙铁头内电热丝烧断，不再发热

模拟电子技术基础期末试题 答案

课程 模拟电子技术基础 班级 学号 姓名 一、填空题：（15分，每空1分） 1. 环境温度变低，放大电路中晶体管的共射电流放大倍数 会变 。 2. 当设计要求输出功率为20W 的乙类推挽功放时，应选取P CM 至少为 W 的功率管。 3. 若将集成运放理想化，则差模输入电阻id r = ，o r = 。 4．在负反馈放大电路中，要达到提高输入电阻、增强带负载能力的目的，应该给放大器接入 反馈。 5. _______比例运算电路的输入电阻大，而_______比例运算电路的输入电阻小。 6. 差分放大电路的主要功能是放大 信号、抑制 信号。 7. 当输入信号的频率等于放大电路的L f 或H f 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。 8. 根据相位平衡条件判断图示电路 （填“能”或“不能”）产生正弦波振荡。 9．负反馈使放大电路增益下降，但它可以 通频带， 非线性失真。

10. 在直流电源中，当变压器副边电压有效值2U =20V 时，单相全波整流电路的输出电压平均值)(AV O U = V ，若负载电阻L R =20Ω，则负载电流平均值)(AV O I = A 。 二、选择题：（20分，每题2分） 1．在本征半导体中加入 元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 2．工作在放大区的某三极管，如果当B I 从12A μ增大到22A μ, C I 从1mA 变为1.9mA ， 那么它的β约为 。 A. 90 B. 83.3 C. 86.4 3．以下基本放大电路中， 电路不具有电压放大能力。 A.共射 B.共集 C.共基 4．用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻e R ，将使电路的 。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 5．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 A ．温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 6．为增大电压放大倍数，集成运放的中间级采用 。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 7．欲得到电流—电压转换电路，应在放大电路中引入 负反馈。 A.电压并联 B.电压串联 C.电流并联 D.电流串联 8．欲将方波转换成尖顶波电压，应选用 运算电路。 A.比例 B.加减 C.积分 D.微分 9．功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可获得的最大 。 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 10. 在RC 桥式正弦波振荡电路中，当信号频率f =O f 时，RC 串并联网络呈 。 A.容性 B.阻性 C.感性 三、（本题10分）判断下图电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈，如果电路引入了交流负反馈，判断引入了哪种阻态。并估算此电路在深度负反馈条件下的源电压放大倍数。

JSP试题及答案

第一章 一．选择题 1.早期的动态网站开发技术主要使用的是（）技术。该技术的基本原理是将浏览器提交至Web服务器的数据通过环境变量传递给其他外部程序，经外部程序处理后，再把处理结果传送给Web服务器，最后由Web服务器把处理结果返回浏览器。 A．JSP B.ASP C.PHP D.CGI 2.JSP页面的代码由两个部分组成，它们是（）和（）。 A.javascript代码 B.vbscript代码 C.HTML代码 D.JSP代码 3.JSP在服务器中进行编译时，将首先被转译成（） A.JA V A语言 B.HTML代码 C.servlet D.以上都是 4.在一个JSP页面代码中一定没有的部分是（） A.javascript代码 B.JSP指令 C.JSP动作 D.HTML代码 二．问答题 1.简述JSP的基本运行原理。 2.列举出JSP具有的一些特点。

参考答案 一．选择题 1. D 2. C D 3. C 4. A 二．问答题 1.答：首先由浏览器向Web服务器提出访问JSP页面的请求（Request），然后由JSP容器负责将JSP转换成Servlet，产生的Servlet经过编译后生成类文件，然后再把类文件加载到内存进行执行。最后由Web服务器将执行结果响应（Response）给客户端浏览器。 2.答：1. 一次编写，随处运行 2. 可重用组件技术 3. 标记化页面开发 4. 对大型复杂Web应用支持良好 第二章习题 三．选择题 1.下列不是JSP开发工具的是（） A．JBuilder B.IBM WebSphere C.MyEclipse D.Firework 2.要建构JSP的开发环境，除了需要安装以上的JSP开发工具外，还必须安装（）和（） A.JDK B.Dreamweaver MX C.Flash MX D.Tomcat 3.JSP隶属Java家族，下列不属于JA V A家族的是（） A.servlet B.javabean C.java D.javascript 4.web应用程序体系结构最多可分为三层，不属于这三层的是（） A.表示层 B.业务层 C.数据访问层 D.网络链接层

“模拟电子技术基础”课程教学大纲

“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。

（3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。

电子技术基础习题答案

第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N 区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错） 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对） 7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错） 8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时，该管必被击穿。（错） 9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。（错） 10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（错） 三、选择题：（每小题2分，共20分） 1、单极型半导体器件是（C）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。

电子技术基础期末复习资料(含答案)

11级电子技术基础期末复习资料 一．概念填空： 1．电路由电源负载中间环节三部分组成。 2．电路中电流数值的正或负与参考方向有关，参考方向设的不同，计算结果也不同。 3．理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关，流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4．由电路中某点“走”至另一点，沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5．相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6．电阻并联分流与分流电阻值成反比，即电阻值大者分得的电流小，且消耗的功率也小。 7．串联电阻具有分压作用，大电阻分得的电压大，小电阻分得的电压小功率也小。 8．实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9．在电路分析中，应用戴维南或诺顿定理求解，其等效是对外电路而言。 11 ．常用的线性元件有电阻、电容、电感，常用的非线性元件有二极管和三极管。 12．二极管正向偏置，是指外接电源正极接二极管的阳（或正）极，外接电源负极接二极管 的阴（或负）极。 13．P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素，其多数载流子是空穴，少数

载流子是 自由电子 。 40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素，其多数载流子是 自由电 子 ，少数载流子是 空穴 。 14．若三极管工作在放大区，其发射结必须 正偏 、集电结必须 反偏 ； 三极管最重要的特性是具有 电流放大 作用。 15.根据换路定则，如果电路在t=0时刻发生换路，则电容的电压u c(0+)= uc(0-) ,电 感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时，有三种可能的工作状态，它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38．3个输入的译码器，最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器，最多可译出 __16___（2×2×2×2）______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同，可将数字电路分为___组合 ______逻辑电路和 时序________逻辑电路两大类。 19.F=A ——(B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20．两个电压值不同的理想电压源并联，在实际电路中将 不允许（或不存在） 。 33．两个电流值不同的理想电流源串联，在实际电路中将 不允许（或不存在） 。 21.基本数字逻辑关系有 与 、 或 、 非 三种。

电子技术基础练习题

一、二极管应用电路分析 1. 在图所示电路中，已知u i =20sinωt V，E=10 V，二极管的正向压降和反向电流可忽略不计，试分析二极管的状态，并画出输出uo的波形。 2. 分析二极管的工作状态，并计算输出电压。 U o 二、放大电路的分析 1. 基本共射放大电路如图所示,已知晶体管的电流放大系数β=50，U BE=0.7V r bb/ =300Ω。 (1) 求静态工作点。 (2) 如换上β为100的管子,放大电路能否正常工作？。 (3) 求电压放大倍数。 （4）求输入电阻和输出电阻。 (5) 信号源内阻R S=500Ω时,试求电源电压放大倍数。

2. 基本共射放大电路如图所示,已知晶体管的电流放大系数β=100, U BE =0.7V r bb / =300Ω. (1) 试画出电路的微变等效电路； (2) 当负载电阻R L =∞时,试求电压放大倍数； (3) 接上负载电阻(R L =2 k Ω)时的电压放大倍数； (4) 试求电路的输入电阻和输出电阻； (5) 设信号源内阻R S =500Ω, R L =2 k Ω时,求源电压放大倍数。 3. 放大电路如图所示,已知晶体管的电流放大系数β=50, U BE =0.6V (1) 试画出电路的微变等效电路； (2)当输入电压有效值Ui=15mV 时,试求输出电压有效值； 4. 电路如图所示,已知β=50,UBE=0.7V ，rbb=100Ω。 (1)求电路的电压放大倍数i O1 u1U U A ? ? ? = 和i O2 u2U U A ? ? ? = (2)求电路的输入电阻Ri 和输出电阻 RO1，RO2

电子技术基础期末复习

第1章检测题 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的部结构是由基区、发射区、集电区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与电场的方向相同，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散运动起削弱作用，对少子的漂移运动起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，则红表棒接触的电极是二极管的阴极；黑表棒接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿损坏；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化不通。 6、单极型晶体管又称为MOS管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（错） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其外电场方向一致。（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错） 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对）

jsp题库及参考答案要点

选择题： 1)下面对Http请求消息使用GET和POST方法陈述正确的是：（单选）(C) A POST方法提交信息可以保存为书签，而GET则不行 B 可以使用GET方法提交敏感数据 C 使用POST提交数据量没有限制 D 使用POST方法提交数据比GET方法快 2)Web应用程序打包后的扩展名是：（单选）(B) A EAR B WAR C JAR D RAR 3)下面关于Servlet的陈述正确的是：（多选）(BC) A 我们在浏览器的地址栏直接输入要请求的Servlet，该Servlet默认会使用doPost 方法处理请求 B Servlet运行在服务器端 C Servlet的生命周期包括：实例化，初始化，服务，破坏，不可以用 D Servlet不能向浏览器发送Html标签 4)在Web应用程序中web.xml配置了Servlet的信息，如果你的项目为 LoginDemo，那么web.xml最可能位于哪个目录下。（单选）(D) A LoginDemo/ B LoginDemo/src/ C LoginDemo/logindemo/WEB-INF/bin/ D LoginDemo/logindemo/WEB-INF/ 5)下面说法错误的是：（多选）(CD) A Http协议是无状态的协议 B 会话跟踪技术有：用户授权，隐藏表单域，URL重写，Cookie等 C 使用request.getSession(false)可以新建会话 D 使用request.addCookie()可以添加Cookie到客户端 6)在login.html中存在如下代码

username:

在login servlet中获得文本框的值正确的是：（单选）(D) A 无法获取，因为代码在Html中 B request.getAttribute（“userName”） C request.getParameter（“myName”） D request.getParameter（“userName”） 7)可以用于发送邮件的协议有：(多选)(BD) A Pop3 B SMTP C FTP D IMAP 8)在使用JavaMailAPI发送邮件时可以使用哪个方法：（单选）(A)

电子技术基础习题答案

第1 章检测题（共100 分，120 分钟） 一、填空题：（每空分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 _五_价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为—自由电子_,少数载流子为—空穴_,不能移动的杂质离子带—正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 _三_价元素组成的。这种半导体内 的多数载流子为—空穴_,少数载流子为—自由电子_,不能移动的杂质离子带_负_电。 2、三极管的内部结构是由—发射—区、_基_区、—集电区—区及—发射—结和—集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是—发射—极、_基_极和—集电—极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 _相反—，有利于—多数载流子—的 _扩散—运动而不利于—少数载流子_的_漂移_; PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向—一致_，有利于_少子—的_漂移_运动而不利于_多子_的_扩散_，这种情况下的电流称为_反向饱和_电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由_巳向_N区进行扩散，N 型半导体中的多数载流子由__^_向—P_区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个—空间电荷区_,其方向由_N区指向_P_区。—空间电荷区—的建立，对多数载流子的—扩散—起削弱作用，对少子的—漂移—起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，_PN结—形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的_R X 1K档位，当检测时表针偏转 度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的_阴_极；与黑表棒相接触的电极是二 极管的_阳_极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被—击穿_;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经_绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MO$管。其导电沟道分有N沟道和―巳沟

数字电子技术基础期末试题及答案

数字电子技术基础期末 试题及答案 Company number：【WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998】

一、填空题：（每空1分，共16分） 1．逻辑函数有四种表示方法，它们分别是（真值表）、（ 逻辑图 ）、（ 逻辑表达式 ）和（ 卡诺图 ）。 2．将2004个“1”异或起来得到的结果是（ 0 ）。 3．目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是（ TTL ）电路和（ CMOS ）电路。 4．施密特触发器有（ 两 ）个稳定状态.，多谐振荡器有（ 0 ）个稳定状态。 5．已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片，它有地址线（ 10 ）条，数据线（ 4 ）条。 6．已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ，则A/D 转换器的采样频率应高于（ 20 ）kHz ；完成一次转换所用的时间应小于（ 50 ）。 7．GAL 器件的全称是（ 通用阵列逻辑 ），与PAL 相比，它的输出电路是通过编程设定其（ 输出逻辑宏单元 ）的工作模式来实现的，而且由于采用了（ E 2CMOS ）的工艺结构，可以重复编程，使用更为方便灵活。 二、根据要求作题：（共16分） 1． 试画出用反相器和集电极开路与非门实现逻辑函数 C B AB Y +=。 解：1． 2、图1、2中电路由TTL 门电路构成，图3由 CMOS 门电路构 成，试分别写出F1、F2、F3的表 达式。 F C F B A F = =+=321; ;解：．2. 三、已知电路及输入波形如图4（a ）（b ）所示，其中FF1是D 锁存器，FF2是维持-阻塞D 触发器，根据CP 和D 的输入波形画出Q1和Q2的输出波形。设触发器的初始状态均为0。 （8分） 解： R ＋

JSP复习题及部分答案

一、判断题 HTML称为超文本元素语言，它是Hypertext Marked Language的缩写。（对） 一个HTML文档必须有和