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第7章答案

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7-1 略

7-2 浓度差会引起扩散,扩散是否总是从高浓度处向低浓度处进行?为什么?

解:扩散是由于梯度差所引起的,而浓度差只是梯度差的一种。当另外一种梯度差,比如应力差的影响大于浓度差,扩散则会从低浓度向高浓度进行。

7-3 欲使Ca2+在CaO中的扩散直至CaO的熔点(2600℃)时都是非本质扩散,要求三价离子有什么样的浓度?试对你在计算中所做的各种特性值的估计作充分说明。已知CaO肖特基缺陷形成能为6eV。

解:掺杂M3+引起V’’Ca的缺陷反应如下:

当CaO在熔点时,肖特基缺陷的浓度为:

所以欲使Ca2+在CaO中的扩散直至CaO的熔点(2600℃)时都是非本质扩散,M3+的浓度为

,即

7-4 试根据图7-32查取:(1)CaO在1145℃和1650℃的扩散系数值;(2)Al2O3在1393℃和1716℃的扩散系数值;并计算CaO和Al2O3中Ca2+和Al3+的扩散活化能和D0值。

解:由图可知CaO在1145℃和1650℃的扩散系数值分别为,Al2O3在1393℃和1716℃的扩散系数值分别为

根据可得到CaO在1145℃和1650℃的扩散系数的比值为:

,将值代入后可得,Al2O3的计算类推。

7-5已知氢和镍在面心立方铁中的扩散数据为

cm2/s和cm2/s,试计算1000℃的扩散系数,并对其差别进行解释。

解:将T=1000℃代入上述方程中可得,同理可知。

原因:与镍原子相比氢原子小得多,更容易在面心立方的铁中通过空隙扩散。

7-6 在制造硅半导体器体中,常使硼扩散到硅单晶中,若在1600K温度下,保持硼在硅单晶表面的浓度恒定(恒定源半无限扩散),要求距表面10-3cm深度处硼的浓度是表面浓度的一半,问需要多长时间(已知D1600℃=8×10-12cm2/s;

当时,)?

解:此模型可以看作是半无限棒的一维扩散问题,可用高斯误差函数求解。

其中=0,,所以有0.5=,即=0.5,把=10-3cm,D1600℃=8×10-12cm2/s代入得

t=s。

7-7 Zn2+在ZnS中扩散时,563℃时的扩散系数为3×10-4cm2/s;450℃时的扩散系数为 1.0×10-4cm2/s,求:(1)扩散活化能和D0;(2)750℃时的扩散系数;

解:(1)参考7-4得=48856J/mol,D0=3×10-15cm2/s;

(2)把T=1023K代入中可得=cm2/s;

7-8 实验测得不同温度下碳在钛中的扩散系数分别为2×10-9cm2/s(736℃)、5×10-9cm2/s(782℃)、1.3×10-8cm2/s

(838℃)。(1)请判断该实验结果是否符合;(2)请计算扩散活化能,并求出在500℃时碳的扩散系数。

解:(1)法一:设=2×10-9cm2/s,=5×10-9cm2/s,=1.3×10-8cm2/s,=1009K,=1055K,=1111K 。将,和,代入并按照7-4所用方法得=2342787 J/mol,/176291?同理代入,

和,得=2342132 J/mol。

/166274?

,可以认为该实验符合;

法二:画出

1

nD-

I

T的曲线,由三点在一条直线上可以判断满足0

n n

Q

I D I D

RT

=-即满足

99.29.49.69.810

x 10-4

-20.5

-20

-19.5

-19

-18.5

-18

(2)由上步可知=2342787 J/mol;(3)将T=773K代入得=cm2/s。

7-9 在某种材料中,某种粒子的晶界扩散系数与体积扩散系数分别为D gb=2.00×10-10exp (-19100/RT)cm2/s和D v=1.00×10-4exp(-38200/RT)cm2/s,试求晶界扩散系数和体积扩散系数分别在什么温度范围内占优势?

解:当晶界扩散系数占优势时有D gb>D v,即>,所以有T<1455.6K;当T>1455.6K时体积扩散系数占优势。

7-10 假定碳在α-Fe(体心立方)和;γ-Fe(面心立方)中的扩散系数分别为:

Dα=0.0079exp[-83600/RT]cm2/s;Dγ=0.21exp[-141284/RT]cm2/s,计算800℃时各自的扩散系数,并解释其差别。

解:将T=1073K代入题中两式分别得Dα1073= cm2/s Dγ1073= cm2/s。

原因:扩散介质结构对扩散有很大影响。α-Fe 为体心立方,而γ-Fe 为面心立方,体心立方较面心立方疏松。结构疏松,扩散阻力小而扩散系数大。

7-11 碳、氮、氢在体心立方铁中的扩散活化能分别为84kJ/mol、75kJ/mol和13kJ/mol,试对此差异进行分析和解释。

解:碳、氮、氢的原子半径依次减小,原子半径越小就越更容易在体心立方的铁中通过空隙扩散,扩散活化能相应也就越低。

7-12 MgO、CaO、FeO均具NaCl结构,在各晶体中它们的阳离子扩散活化能分别为:Na+在NaCl中为41kcal/mol,Mg2+在MgO中为83kcal/mol,Ca2+在CaO中为77kcal/mol,Fe3+在FeO中为23kcal/mol,试解释这种差异的原因。

7-13 试分析离子晶体中,阴离子扩散系数-般都小于阳离子扩散系数的原因。

解:离子晶体一般为阴离子作密堆积,阳离子填充在四面体或八面体空隙中,所以阳离子较易扩散。如果阴离子进行扩散,则要改变晶体堆积方式,拆散离子晶体的结构骨架,阻力就会较大。故离子晶体中,阴离子扩散系数-般都小于阳离子扩散系数。

7-14试从结构和能量的观点解释为什么D表面>D晶面>D晶内。

解:固体表面质点在表面力作用下,导致表面质点的极化、变形、重排并引起原来的晶格畸变,表面结构不同于内部,并使表面处于较高的能量状态。晶体的内部质点排列有周期性,每个质点力场是对称的,质点在表面迁移所需活化能较晶体内部小,则相应的扩散系数大。同理,晶界上质点排列方式不同于内部,排列混乱,存在着空位、位错等缺陷,使之处于应力畸变状态,具有较高能量,质点在晶界迁移所需的活化能较晶内小,扩散系数大。但晶界上质点与晶体内部相比,由于晶界上质点受两个晶粒作用达到平衡态,处于某种过渡的排列方式,其能量较晶体表面质点低,质点迁移阻力较大因而D晶界

7-15 试讨论从室温到熔融温度范围内,氯化锌添加剂对NaCl单晶中所有离子(Zn、Na、Cl)的扩散能力的影

响。

7-16 试推测在贫铁的Fe3O4中氧分压和铁离子扩散的关系;试推测在铁过剩的Fe3O4中氧分压和氧扩散的关系。

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