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电子技术基础知识大全

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1:什么是二极管的正偏?在p节加正电压,而n节加负电压。即为正偏。

正偏是扩散电流大大增加,反偏使漂移电流增加。但是漂移电流是由于少子移动形成的,所以有反向饱和电流!

2:一般低频信号,电阻线的粗细是为了流多少电流,而粗细带来的电阻大小不计,因为铜线本身电阻很小,当然特殊情况例外!

3:mos管是依靠多子电子的一种载流子导电的,与晶体三极管的多子与少子一起参与导电的情况不一样。它是一种自隔离器件,不需要设置晶体三极管中的隔离岛,节省心片面积,适合超大规模电路。

它的特点是压控!即控制端几乎不需要电流,容易集成。

4:如何判断三极管的 cbe 极?

a 直接查资料,

b 用万用表二极管档,p接正,n接负时有数字显示,所以有测量几次,就可以知道是pnp型还是npn型,b端由此可以断定了。然后用万用表的hef档测量放大倍数,如果接对了即能判断结果。

5:共发放大器有倒相作用。

6:直流反馈是为了稳定静态工作点,交流反馈是为了改善放大器的性能。

7:电容和电阻的串并联关系相反。电感应该和电阻相同,不过还有互感的概念,所以还是有所区别的吧?需要求证!8:示波器的很多数字显示只有在屏幕中显示多个周期才显示的,太多也不显示!

9:共基放大器是同相放大器,输出电阻大,电压增益为1,号称续流器。

共集放大器是同相放大器,输入电阻大,电流增益为1,号称电压跟随器。

共发放大器是反相放大器,输入出电阻是上两个之间,电压增益大,电流增益也大。

所以共发,共基放大器,知道共基在后,就知道输出电阻大,将输入电流不衰减的送到输出电阻大的那端。

共集共发,明显是输入电阻大,将输入电阻不衰减的送到输出电阻小的那端

10:正弦电压的输出平均电压在全桥整流电路中是0.9倍的输入电压有效值,所以输出电流的平均值(等同用万用表测量)是输入电压有效值除以负载电阻后的0.9倍。

11:示波器的两个探头是共地的,双踪的时候要注意,这两个地必须连在一起,尤其是高电压的时候!

12:mos管的测量方法,一般是gds排列。用万用表的话,先在gs两端加电,即用万用表点一下gs 然后点ds,就能测量出数字来了。这些都是根据它的本身特征来判断的。注意,gs端的电容很小,u=q/c,如受外界影响,或静电感受,带上小两电荷就可以使u很大,使其烧掉。

13:画pcb时候应该留出检测点。

14:用万用表测量之前必须弄明白测量什么信号,用什么档位。

15:tvs管的响应速度一般很快!

16:对三极管的各项参数以及运放的各项参数需要经常复习,了解!因为十分重要!

17:三极管的几个工作状态需要彻底明白才行!

18:作实验的检查方法总结:首先应该看电路有几部分组成,其中每部分均可以分三部分来看,电源,输入,输出,一一检查过来,必然不会错。另外就是看测量仪器是否设置正确。

19:波形叠加只要掌握 Uac=Uab=Ubc的道理就可以了。

20 :扼流圈的理解:电感是阻交流,通直流信号的,这点基本和电容相反的。

低频扼流圈是抑制交流通肿瘤的

高频俄流圈是抑制高频通低频和直流的。

21:放大电路有直流耦合和交流耦合,区别自知!

22:变压器砸数的基本公式 N=V的4次方/4.44fBmS ,公式推导都在学习资料里。

Bm热轧硅钢片,1.11-1.5t 而冷的1.5-1.7t,应该现在有铁硅铝这种更加好的东西了。具体见学习资料里的东西。

23:三极管b和hef的关系,b是交流放大倍数,hef是直流放大倍数,b和频率相关的。所以两者是有区别的哦24:负载重轻对应与电阻的小大,但对横流源就不一样了,电阻大的话输出功率就大。负载就重点!

25:网络线水晶头的制作。直通线的标准是586B,交叉线的标准是一头586A另一头586B。,其中1236四根线是有用的,其他线为电话线留的。

1 输出数据+,2输出数据- 3输入数据+ 6输入数据- 4578都是电话线用

26:感性负载:即和电源相比当负载电流滞后负载电压一个相位差时负载为感性(如负载为电动机、变压器)。

容性负载:即和电源相比当负载电流超前负载电压一个相位差时负载为容性(如负载为补偿电容)。

阻性负载:即和电源相比当负载电流负载电压没有相位差时负载为阻性(如负载为白帜灯、电炉)。混联电路中容抗比感抗大,电路呈容性反之为感性。

用公式的话,电容电感串联的时候X=j(wL-1/wc)若X>0 既w大于w0(谐振频率)就是感性了,反之容性。并联的时候用导纳来计算Y=j(wc-i/wL),若Y>0,w大于w0 就是X小于0,容性,反之感性。

27:空调线16a 普通10a,1平方毫米4a,一般线为2.5平方。

28:上网猫连到路由器,(一般路由器都带交换机或者hub的功能)再可以连到交换机,或者hub。hub需要使用双网卡才可以共享上网。

29:电源滤波电容充电,根据公式u=q/c,当q满的时候表示充电完成,具体计算要用什么不定积分

首先设电容器极板在t时刻的电荷量为q,极板间的电压为u.,根据回路电压方程可得:U-u=IR(I表示电流),又因为u=q/C,I=dq/dt(这儿的d表示微分哦),代入后得到U-q/C=R*dq/dt,也就是Rdq/(U-q/C)=dt,然后两边求不定积分,并利用初始条件:t=0,q=0就得到q=CU【1-e^ -t/(RC)】这就是电容器极板上的电荷随时间t的变化关系函数。顺便指出,电工学上常把RC称为时间常数。相应地,利用u=q/C,立即得到极板电压随时间变化的函数,u=U【1-e^ -t/(RC)】。从得到的公式看,只有当时间t趋向无穷大时,极板上的电荷和电压才达到稳定,充电才算结束。但在实际问题中,由于1-e ^-t/(RC)很快趋向1,故经过很短的一段时间后,电容器极板间电荷和电压的变化已经微乎其微,即使我们用灵敏度很高的电学仪器也察觉不出来q和u在微小地变化,所以这时可以认为已达到平衡,充电结束。举个实际例子吧,假定U=10伏,C=1皮法,R=100欧,利用我们推导的公式可以算出,经过t=4.6*10^(-10)秒后,极板电压已经达到了9.9伏。

一般当t=rc时,电容放电到0.36u,或者充电到0.64u。

30:78.79系列的管脚排列是132,电压降的次序排列的,2永远是输出。

31:如果要7824稳压,前面需要28v的直流信号,28/1.2=23.3的交流电压,这些是经验。

32:对电源或者放大器的要求,一般输出电阻小,带载能力就好。内阻小!

33:lm3886.gif看电子图里的文件,说明:左上22u电容,是使电路的直流工作状态采用100%的负反馈。即直流增益为1,工作点十分稳定,而且可以跟踪电源电压的变化。直流信号相当于电压跟随器一样跟过去了。

47p电容 18k,电阻,起相位调节作用(pid 比例积分微分控制)。这里信号的频率的改变就改变增益的大小,频率越低,47p电容阻抗就越大,增益仍为18倍,但对高频信号就要有一个计算了,对高频信号有衰减作用。

2.2欧姆,100nf是高频噪声旁路,改善输出。

220p估计为高频信号到2.2欧姆电阻那边去铺一条路。

0.7uh电感对低频信号没什么用,完全可以拿去。输入的隔直电容建议用无极性的。

分析这种运放电路,首先应该明白这是哪中电路类型,是交流同相还是直流反向。

34课题如何做的思路:了解背景;列出技术指标;进行系统分块,预计多少时间,同时列出所要求的仪器,提出难点;做硬件框图;进行软件设计;制作电路板调试,最后进行成品测试。

35:万用表尤其是电流档测量电流是,如果电池不足,会引起波形失真。

36用割线法查pcb的短路问题,逐步缩小范围。

37仪器放大器,测量浮动信号的时候,输入和输出信号之间必须有地是相联系的,如果没有电气联系,共模电压是浮动的,会产生很多干扰,比如直流信号放大会出来一个方波,当然和电源的频率一致。图仪表放大器ad620.jpg。可以看下,同时在21ic上有这个问题的详细讨论过程。如果输入出不电气联系,至少要在2,3脚对运放自己的地加1u左右的电容,来消除两个地之间的电压,也就是解决共模电压带来的影响。一般输入输出的地是相联的,ad620的资料上都是连的。

共模信号的产生是由于变压器初次级之间有分布电容,而这个电容比运放地对信号地的电容大很多,所以两个地是不等电位的,最大会产生220v的交流电压,可以用数字万用表的交流档测量出来,这个图上产生了10v的浮动共模电压。而在2,3脚对地接1uf电容,使运放地对信号输入地的电容大大增加,220v的电压就过不来了,基本上两个地是等电

位的。或许仍有少许偏差吧。

38:protel的部分使用方法:

铺铜上,为了适合99,用ad6.3的时候需要选择mode,为hatched,不可以选择solid

对齐 ega,定坐标eos,测量rm 单位变换vu,dr设计规则,tp在线drc去掉,(优先选项) pt交互线,pl普通线,dl+回车,打开层,99是dr,shift+s是每层单独看,可以用+-号,来改变层,shift+c 在群改的时候经常要用这个来取消选择。否则会不能点到任何东西的。do 设置板子,可视网络0.508 25.4mm,元件网格最小,电气网络0.2mm就可以了,这个比较重要,布线的时候就可以定线的位置了。

PCB里由于封装的原因,SCH图的VALUE值不会自动导到PCB那里去,必须在COMMENT拦打入命令“=value” 即可导过去。挖哈哈多么重要啊特别对生产人员来说。一个非常重要的东西,那就是根据pcb来生成库文件.ad6.3在设计菜单里,选择生成pcb库.在99里也可以实现的.

另外AD6.3有交叉选择模式在工具菜单里,这样方便选择元器件.

39:用到过的芯片学习,atmega128(64)单片机 epm7128stc(100) cpld

ad5231 数字电位器,ad9832 dds芯片 ds1302 实时时钟电路芯片,

max3232c 外接备用芯片,ad654jr,8位v/f转换器, ad736jr,求真有效值电路

lm311电压比较器

40: protel画好之后需要注解日期,以及版本号。

41:普通的电位器,把1,2脚相连顺时针旋转的话可以使1,3脚电阻减少,逆时针电阻增加。

42:用汇编语言编写程序的话,头文件需要自己加进去的吧,如果用c编程的话,再变成的时候头文件是自己写的比如#i nclude ,而汇编比如加文件startup.a51

43 在线仿真器的功能就是代替目标板上的mcu,这样就不需要真完用写到真实的mcu单片机上。明白了吧

44:protel 元件清单导出方法快捷rri 然后导出就可以成为xls文件可以用execl打开了哈哈。

45 液晶显示模块,比如160*128对于16*16汉字点阵来说就是10列8行。

46:万用表直流挡测量的电流是平均值,而交流档测量的是有效值。

47:自激震荡寄生振荡的区别需要弄清!

48:单片机学习经验

使用c语言要用到c编译器,将c程序编译成机器码。

keil51使用方法 new project 命名为 test.uv2

选择单片机 at89c51

新建程序,c为test.c 汇编为.a或.asm

将c程序加到项目中,点source group

编译可以点target生成 hex文件

进入调试模式,按d那个按钮,d带个圆圈的那个东西

运行程序

按停止后,再按那个d,关闭调试模式。

要用c或者汇编对硬件结构必须很了解,尤其是汇编。

89c51的最小系统应该包括,晶振电路,复位电路,led显示。

c语言是区分大小写的

将目标程序代码写到单片机要用到编程器,或者使用仿真器代替mcu使用也可以的。

在51单片机中与外部存储器ram打交道的只可以是A累加器,所以对外部ram 的数据操作都通过A送去,另外,内部ram间可以直接进行数据的交换,而外部不行,如外部0100H的数据送入0200H 单元,必须通过累加器A来实现。且要读或写外部的ram,当然也必须要知道ram的地址。在后两条指令中,地址是被直接放在DPTR中的,使用时应当首先将要读或者写的地址送入DPTR或Ri中,然后再用读写命令。

49:使用过的芯片

atmega128(64)单片机

epm7128st(100)cpld

8050 0p07

ad5231数字电位器

AD9832 dds

ds1302 时钟芯片

max3232c 外接备用芯片

ad654jr 8位v/f转换

ad736jr ture rms-to-dc converter 真有效值计算芯片

attiny12L-4sc(可能是L)

lm311 电压比较器

mbr30h100ct 肖特级整流二极管

tl3843p TL494 脉冲宽度控制器

50: 解剖电路板的方法:一定要先把元件一个个的排列在sch图中,象画pcb那样把线路连接就可以了,然后慢慢分析电路中的各个芯片。

51:过小的信号尽量不要使用开关电源来处理,如10a恒流源通过0.001欧姆电阻。

51:50hz的工频率信号可以用带阻滤波器来解决拉。(效果未必好)

52:开关电源的几个主要指标电流调整率:也叫电压稳定性表示电流从零到最大时,输出电压的相对变化

量。电压调整率:负载不变下,输入电压变化,输出电压相对变化量。也称为输入电压允许变化的范围。纹波电压电源效率温度特性。

53.电磁感应中的磁饱和的现象:绕组中的铁芯的磁通量是有一定数量的,并不随着电流的增长而无限增长,当电流大与一定值时,磁通量就不再变化达到磁饱和,就不能产生自感电压,就失去了反抗外加电压的能力,也就是说没有了感抗,有就是没有了电感量L。基本是趋近于零。

54:三极管的饱和:当Ib增加到一定程度后,且Vce较小的情况下,如0.3v,那么继续增加Ib,Ic的就基本不变了。这就是三极管的饱和工作状态。会饱和是因为有内阻。

55.所谓的精度0.1及就表示0.1%,后面加个%就是了。

56:电容的储能状态是电容开路电压不变,电流为零,能量为1/2(CU*U)

电感的储能状态电感短路,电流不变,电压为零,能量公式为1/2(LI*I)

57:阻抗匹配是指负载阻抗与激励源内部阻抗互相适配,得到最大功率输出的一种工作状态。对于不同特性的电路,匹配条件是不一样的。在纯电阻电路中,当负载电阻等于激励源内阻时,则输出功率为最大,这种工作状态称为匹配,否则称为失配。当激励源内阻抗和负载阻抗含有电抗成份时,为使负载得到最大功率,负载阻抗与内阻必须满足共扼关系,即电阻成份相等,电抗成份只数值相等而符号相反。这种匹配条件称为共扼匹配。

《电子技术基础》正式教案

电 子 技 术 基 础 教 案 §1-1 半导体的基础知识

目的与要求 1. 了解半导体的导电本质, 2. 理解N型半导体和P型半导体的概念 3. 掌握PN结的单向导电性 重点与难点 重点 1.N型半导体和P型半导体 2. PN结的单向导电性 难点 1.半导体的导电本质 2.PN结的形成 教学方法 讲授法,列举法,启发法 教具 二极管,三角尺 小结 半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中,如果载流子浓度分布不均匀,因为浓度差,载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动,这种运动称为扩散运动。 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动 PN结的单向导电性是指PN结外加正向电压时处于导通状态,外加反向电压时处于截止状态。 布置作业 1.什么叫N型半导体和P型半导体 第一章常用半导体器件 §1-1 半导体的基础知识 自然界中的物质,按其导电能力可分为三大类:导体、半导体和绝缘体。 半导体的特点: ①热敏性 ②光敏性 ③掺杂性 导体和绝缘体的导电原理:了解简介。

一、半导体的导电特性 半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质,如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素,原子的最外层轨道上有4个价电子。 1.热激发产生自由电子和空穴 每个原子周围有四个相邻的原子,原子之间通过共价键紧密结合在一起。两个相邻原子共用一对电子。室温下,由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子,同时在共价键中留下一个空位这个空位称为空穴。失去价电子的原子成为正离子,就好象空穴带正电荷一样。 在电子技术中,将空穴看成带正电荷的载流子。 2.空穴的运动(与自由电子的运动不同) 有了空穴,邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个空穴,这样空穴便转移到邻近共价键中。新的空穴又会被邻近的价电子填补。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动,从效果上看,相当于带正电荷的空穴作相反方向的运动。 3.结论 (1)半导体中存在两种载流子,一种是带负电的自由电子,另一种是带正电的空穴,它们都可以运载电荷形成电流。 (2)本征半导体中,自由电子和空穴相伴产生,数目相同。 (3)一定温度下,本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡,电子空穴对的数目相对稳定。 (4)温度升高,激发的电子空穴对数目增加,半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别导体导电的一个主要特征。 二、N型半导体和P型半导体 本征半导体 完全纯净的、结构完整的半导体材料称为本征半导体。 杂质半导体 在本征半导体中加入微量杂质,可使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同,杂质半导体分为两类:电子型(N型)半导体和空穴型(P型)半导体。 1. N型半导体 在硅(或锗)半导体晶体中,掺入微量的五价元素,如磷(P)、砷(As)等,则构成N型半导体。 在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素,由于这类元素的原子最外层有5个价电子,故在构成的共价键结构中,由于存在多余的价电子而产生大量自由电子,这种半导体主要靠自由电子导电,称为电子半导体或N型半导体,其中自由电子为多数载流子,热激发形成的空穴

电子技术基础知识练习题与答案

电子技术基础知识练习题与答案 一、基础知识。 1. 按照调制方式分类,光调制可以分为:强度调制、相位调制、波长调制、频率调制、偏振调制。 2. 半导体激光器发光是由能带之间的电子空穴对复合产生的。 3. 激励过程是使半导体中的载流子过程从平衡态激发到非平衡态。 4. 固体激光器是以固体为工作物质的激光器,也就是以掺杂的离子型绝缘晶体和玻璃为工作物质。 5. 光纤传感器中常用的光电探测器:光电二极管、光电倍增管、光敏电阻。 6. 红外探测器的响应波长范围参数指探测器电压响应率与入射的红外波长之间的关系。 7. 光子探测原理是指利用半导体在入射光的照射下产生光子效应。 8. 利用温差电势制成的红外探测器称为热电偶。 9. 红外辐射在大气中传播时由于大气中水分子、蒸汽等吸收和散射使辐射在传播过程中衰减。 10. 当红外辐射照在热敏电阻上时,使温度上升,内部粒子无规则运动加剧,自由电子数随温度而上升,所以电阻会减小。 11. 辐射出射度:辐射体单位面积向半空间发出的辐射通量。 12. 光电磁是利用光生伏特效应将光能变成电能。

13. 任何物质只要温度高于0K就会向外辐射能量。 14. 红外无损检测是通过测量热流或热量来检测。 15. 内光电探测器可分为光电导、光伏特、光电磁三种探测器。 16. 红外探测器的性能参数:电压响应率、噪声等效功率、时间常数。 17. 光束扫描根据其应用的目的可分为模拟扫描和数字扫描。模拟扫描用于显示,数字扫描用于光存储。 18. 固体摄像器件主要有:CCD、CMOS、CID。 19. 声光相互作用分为:拉曼—纳斯衍射和布喇格衍射。 20. 磁光效应:外加磁场作用引起材料光学各向异性的现象。 21. CCD的基本功能:电荷存储、电荷转移。按结构分为线阵CCD和面阵CCD。 22. 液晶分为溶致液晶和热致液晶两大类。 23. 光辐射照射在半导体表面,材料中电子和空穴由原来的不导电状态转化为导电状态,这种现象称为光电导。 24. 光束调制按其调制的性质可分为调幅、调频、调相及强度调制等。 25. 实现脉冲编码调制,必须进行的三个过程:抽样、量化和编码。 26. 光电二极管是指以光导模式工作的结型光伏型探测器。常见的光电二极管有硅光电二极管、雪崩光电二极管(APD)、PIN光电二极管、肖特基势垒光电二极管。

电子技术基础总结

电子技术基础总结 模拟电子技术基础总结数字电子技术基础知识点总结 电子技术基础总结电子技术基础总结应该怎么拟写呢?大家对此有何了解呢?今天我们就一起来看看相关内容吧! 电子技术基础总结篇一:在这次为期一周的电子电工实训中,我确实是学到了很多知识,同时也深刻地了解到实践的重要性。 通过这一次的电子电工实训,增强了我动手操作的能力,体会到“学以致用”的深切含义。 记得我在读高中的时候,我帮家里安装一个开关控制电路,由于自己的动手能力不够强,结果把电路接成短路,还好因为电路原先装有保险丝,才没有造大的安全事故。 而通过这一次的电子电工实训,我就掌握了日光灯电路的安装,学会了白炽灯的两地的控制方法。 更主要的是,我还学会了电路的接线及检查的方法。 在后面的单管放大电路的实训项目里有用到了一些常用的电子元器件,所以通过了实训,我能够识别相关的电子元器件,如电阻器、电位器、电容器、三极管等常有的电子元器件。 知道了它们的形状、它们的分类、它们的型号规格、它们的用法以及如何检测这些电子元器件的好坏。

这一周的电子电工的实训,也培养了我的胆大、心细、谨慎的工作作风。 由于电路是要通电的,所以就要讲求用电的安全,配线进灯座,开关是灯芯千万不能裸露在外。 也要求操作的时候要心细、谨慎,避免触电及意外的受伤。 在后 面的实训中用到了电烙铁,也学会了电烙钱的正确使用的方法,避免意外的受伤。 这次实习很累,在安装和焊接过程我都遇到了或多或少的困难,理论和实践是有很大区别的,许多事情需要自己去想,只有付出了,才会得到,有思考,才有收获,也就意味着有提高,增强了自己的实践能力和思维能力。 所以在这里我想感谢给我们授课的老师,谢谢您的耐心教导,也感谢学校,给了我这么一个实训实践的机会,使我懂得了许多课本上体会不到的东西。 电子技术基础总结篇二:年 12 月 17 日 xxx 实验室 6101 通过一个星期的电子实习,使学生对电子元件和电子电路(数字万用表)的组装、调试有一定的感性和理性认识,为日后深入学习电子技术的相关课程奠定基础。 同时实习使学生获得了电子电路板与产品的实际生产知识和装配技能,培养了学生理论联系实际的能力,提高

《电子技术基础》教学计划.doc

会东电子科技学校 2015学年秋季学期 教 学 计 划 普坤俊 2015年9月1日

《电子技术基础》教学计划 《电子技术基础与技能》是机电专业的一门主要专业课程。此教材从学生实际情况出发,突出能力培养,着重培养学生接受知识的学习能力、分析问题的思维能力、应用知识解决问题的的能力和动手操作能力,知识系统、详略得当。根据2015级机电、计算机专业学生的特点,特制定本学期教学计划如下: 一、学情分析: 在初中阶段,学生主要学习理论知识为主,而且都是文化课的理论知识,相对来说较简单一些。而来到职中,学生将接触到很多的专业课程,《电子技术基础》是一门专业性很强的课程,学生不再局限于理论知识的学习,更要注重动手能力的培养。因此,学生在学习的过程中,有一个适应过程,有一个观念的转变问题,需要引起足够的重视。 二、教材分析: 从教材看,本学期《电子技术基础》是采用中国劳动社会保障出版社出版的全国中等职业技术学校电工类专业通用教材,人力资源和社会保障部教材办公室组织编写,第五版。 本学期学习第一至第四章的内容,其中第一章为半导体二极管,第二章为半导体三极管及放大电路,第三章为集成运算放大器及其应用,第四章为直流稳压电源。 三、教学目标 1.认识实训室,实验台及使用方法、注意事项; 2.掌握安全用电相关知识技能; 3.掌握模拟电路基础知识; 4.掌握二极管、三极管基本知识; 5.掌握集成运算放大器基本知识; 6.掌握时序逻辑电路基本知识; 7.了解流稳压电源的基本知识。 四、教学措施 1.充分发挥师生在教学中主动性和趣味性。 教师在教学过程中,要与学生形成互动,尽量把知识讲活,而不是死板,这样才能调动学生的积极性。 2.在教学中努力体现实践和理论相结合。 为了加强他们的实践动手能力,教学中要通过实践、举例、讲解、练习来提高他们的

模拟电子技术基础_知识点总结

第一章半导体二极管 1.本征半导体 ?单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。 ?导电能力介于导体和绝缘体之间。 ?特性:光敏、热敏和掺杂特性。 ?本征半导体:纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下,本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发(又称热激发),产生两种带电性质相反的载流子(空穴和自由电子对),温度越高,本征激发越强。 ◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位, 使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。 ◆在一定的温度下,自由电子和空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消失的现象称为 复合。当热激发和复合相等时,称为载流子处于动态平衡状态。 2.杂质半导体 ?在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 ◆P型半导体:在本征半导体中掺入微量的3价元素(多子是空穴,少子是电子)。 ◆N型半导体:在本征半导体中掺入微量的5价元素(多子是电子,少子是空穴)。 ?杂质半导体的特性 ◆载流子的浓度:多子浓度决定于杂质浓度,几乎与温度无关;少子浓度是温度的敏感函数。 ◆体电阻:通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 ◆在半导体中,存在因电场作用产生的载流子漂移电流(与金属导电一致),还才能在因载流子 浓度差而产生的扩散电流。 3.PN结 ?在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近,形成一个特殊的薄层(PN结)。 ?PN结中存在由N区指向P区的内建电场,阻止结外两区的多子的扩散,有利于少子的漂移。 ?PN结具有单向导电性:正偏导通,反偏截止,是构成半导体器件的核心元件。 ◆正偏PN结(P+,N-):具有随电压指数增大的电流,硅材料约为0.6-0.8V,锗材料约为0.2-0.3V。 ◆反偏PN结(P-,N+):在击穿前,只有很小的反向饱和电流Is。 ◆PN结的伏安(曲线)方程: 4.半导体二极管 ?普通的二极管内芯片就是一个PN结,P区引出正电极,N区引出负电极。 ◆单向导电性:正向导通,反向截止。

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的: 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数,掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法;使学生具有一定的实践技能和应用能力;培养学生分析问题和解决问题的能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求: 1.掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2.掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析,熟悉改进放大电路,理解多级放大电路的耦合方式及分析方法,理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法,理解放大电路的频率特性概念及分析。 3.掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法,理解负反馈对放大电路性能的影响,熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算,了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4.了解集成运算放大器的组成和典型电路,理解理想运放的概念,熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路;掌握一般直流电源的组成,理解整流、滤波、稳压的工作原理,了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材: 杨栓科编,《模拟电子技术基础》,高教出版社 主要参考书目: 康华光编,《电子技术基础》(模拟部分)第四版,高教出版社 童诗白编,《模拟电子技术基础》,高等教育出版社, 张凤言编,《电子电路基础》第二版,高教出版社, 谢嘉奎编,《电子线路》(线性部分)第四版,高教出版社,

陈大钦编,《模拟电子技术基础问答、例题、试题》,华中理工大学出版社,唐竞新编,《模拟电子技术基础解题指南》,清华大学出版社, 孙肖子编,《电子线路辅导》,西安电子科技大学出版社, 谢自美编,《电子线路设计、实验、测试》(二),华中理工大学出版社, 绪论 本章的教学目标和要求: 要求学生了解放大电路的基本知识;要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排:(采用多媒体教学) §1-1 电子系统与信号0.5 §1-2 放大电路的基本知识0.5 本章重点: 放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式:课堂讲授 本章课时安排: 1 本章的具体内容: 1节 介绍本课程目的,教学参考书,本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法; 介绍放大电路的基本认识;放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

电子技术基础知识

电子技术基础知识 一、电流 1、电路一般就是有哪几部分组成的? 答:电路一般由电源、开关、导线、负载四部分组成。 2、电流,就是指电荷的定向移动。 3、电流的大小称为电流强度(简称电流,符号为I),就是指单位时间内通过导线某一截面的电荷量,每秒通过1库仑的电量称为1「安培」(A)。 4、电流的方向,就是正电荷定向移动的方向。 5、电流的三大效应:热效应磁效应化学效应 6、换算方法: 1A=1000mA 1mA=1000μA 1μA=1000nA 1nA=1000pA 1KA=1000A 7、电流产生的条件: ①必须具有能够自由移动的电荷(金属中只有负电荷移动,电解液中为正负离子同时移动)。 ②导体两端存在电压差(要使闭合回路中得到持续电流,必须要有电源)。 ③电路必须为通路。 8、电流表与电压表在电路中如何连接?为什么? 答:电流表在电路中应与被测电路串联相接,因为电流表内阻小,串在电路中对电路影响不大;电压表在电路中应与被测电路并联相接,因为电压表内阻大,并联相接分流作用对电路影响较小、 二、电阻 1、电阻表示导体对电流阻碍作用的大小。

2、电阻在电路中通常起分压、分流的作用 3、换算方法:1MΩ=1000KΩ;1KΩ=1000Ω 4、导体的电阻的大小导体的长度、横截面积、材料与温度有关。 5、电阻元件就是对电流呈现阻碍作用的耗能元件,例如灯泡、电热炉等电器。电阻定律:R=ρL/S ρ——制成电阻的材料电阻率,国际单位制为欧姆·米(Ω·m) ; L——绕制成电阻的导线长度,国际单位制为米(m); S——绕制成电阻的导线横截面积,国际单位制为平方米(㎡) ; R ——电阻值,国际单位制为欧姆(Ω)。 6、使用万用表,应先关掉电路板路的电源以免烧坏万用表,若有其她电阻并在被测电阻上,应先断开其她电阻后再测,测时两手不应接触表棒或被测电阻的裸露导电部分,以免引起误差。 7、使用万用表,应先关掉电路板路的电源以免烧坏万用表,若有其她电阻并在被测电阻上,应先断开其她电阻后再测,测时两手不应接触表棒或被测电阻的裸露导电部分,以免引起误差。 8、什么叫电动势?它与电压有什么不同?在电路中,电压与电动势的方向就是如何规定的? 答:电动势就是衡量电源力做功的量,它就是在电源内部把单位正电荷从电源的负极移动到电源的正极;而电压则就是在电源外部将单位正电荷从电源的正极移动到电源的负极。在电路中,电压的方向就是在外电路从电源的正极指向电源的负极;而电动势的方向则就是从在电源内部从电源的负极指向电源的正极。 三、欧姆定律 1、定律:在同一电路中,导体中的电流跟导体两端的电压成正比,跟导体的电阻

模拟电子技术基础考试试题答案知识讲解

一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时, 视为短路, 视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管 。 A :稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大 C :反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管,正确的说法是 。

《电工电子技术基础》的教案.doc

周 授课章节及内容摘要 授课次学时 1 绪论安全用电常识 2 2 15、16 级德育体验周, 17 级军训 2 3 触电急救 2 4 第一章电路的结构和常用基本 2 物理量(电压、电流) 5 国庆、中秋放假 2 6 电路的相关物理量(电位、电动 2 势、电能) 7 电阻串、并联电路的结构与作用 2 8 秋季田径运动会 2 9 电路相关名词及基尔霍夫电压、 2 电流定律 10 第二章磁场及电磁感应 2 11 半期复习与测试 2 12 第三章电容、电感的概念、参数 2 标注及应用 13 第四章单相正弦交流电路的概 2 念、相关物理量 14 正弦交流电的表示法 2 15 纯电感、纯电容电路的结构及功 2 率 16 纯电阻电路的结构及功率、电路 2 教学执行 课外作业及考核 方式情况 思考: 1、冬季穿脱毛衣时,静 讲授电有上千v 的电压,为什么没有 出现电死人的情况? 电教练习急救措施 电教课后习题一、二 讲授课后习题三1、 2、 3、 4 讲授练习册1.3、 1.4 讲授练习册 1.5 一、填空题 电教练习册 2.1、 2.2 测试半期测试题 电教课后习题一、二、 电教练习册 4.1 讲授课后习题一、二、 电教课后习题三、四 讲授练习册 4.2 4.5

的功率因数 17 第五章三相交流电源的产生与应 2 讲授课后题一、二、三 用 18 三相负载的连接 2 电教练习册 5.1 一、 19 三相电功率 2 讲授练习册 5.1 二、三 5.2 一、二、 三 20 期末复习 2 讲授复习试题 第一章审核签字课题 第一节 授课时数 2 课时授课时间第1 周第 1 ~ 2 课时 知识1、了解电路的组成。 与 2、掌握电路中每部分的作用。 技能 教 学过程 目与讲授法与图示法相结合,便于学生回忆巩固。 标 方法 情感 态度 结合生活中常见的电器设备来进行讲解。 与价 值观 新学期开学,学生身心状态还未收回,切寒假后,此前所学知识部分已经遗忘或模糊,学情分析 需要通过复习收心和巩固知识,为新课内容做准备。 教学重点1、电路结构2、各部分的作用 教学难点1、讲电路图形符号和实物结合,识读简单电路图。

《电子技术基础》教案

《电子技术基础》教案 适用学时:前60(54)学时 编写日期:2006年2月1日

§绪言 学时:1学时 教学内容 一、电子技术基础课的性质 电子技术研究怎样通过各种半导体管以及由它们组成的电路将微弱电信号进行放大、变换或重新组合,然后应用到各个领域。 电子技术基础课主要介绍半导体器件的结构、工作原理和功能等,进而说明各种基本电路的应用范围、效率和形式。 二、电子技术基础课程的内容 1、半导体器件 二极管、三极管、场效应管等是最常用的半导体器件,本书重点介绍二极管、三极管、场效应管的结构、工作原理、特性和主要参数,以及它们的简单检测方法。 2、放大和振荡电路 放大电路的放大功能是电子技术的重要理论依据。 3、集成运算放大器 4、直流电源 5、晶闸管电路 6、门电路及组合逻辑电路 7、触发器和时序电路 三、课程目的和学习方法 “电子技术基础”虽然是专业理论基础,但它具有很强的实践性。 §第一章常用半导体器件 第一节半导体的基本知识 学时:1学时 教学要求: 1.了解半导体的一般概念 2.理解半导体的导电机理与导电特性 3.理解掺杂半导体的产生及导电类型 4.了解PN结的概念 5.理解PN结形成的原理及PN结的单向导电性 教学内容 一、半导体的导电特性

(a )硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生 图 1.1硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图 二、N 型和P 型半导体 1、N 型半导体 在本征半导体中参入微量五价元素的杂质形成的半导体,其共价键结构如图1.2所示。常用的三价元素的杂质有磷、砷和锑等。 图1.2 N 2、P 型半导体 在本征半导体中参入微量三价元素的杂质形成的半导体,其共价键结构如图1.3所示。常用的三价元素的杂质有硼、铟等。 图1.3 P 三、PN 结及其单向导电性 1、PN 结的形成 所示。

电子技术基础知识考题

《电子技术》考试试题 一、填空:(每空1分,共30分) 1、半导体的基本特性有_________、_________、___________。 2、PN结的主要特性是_______________性。 3、二极管的主要参数有_________________、________________。 4、三极管的主要功能是_____________________。 5、三极管有_________、_________、__________三种工作状态。 6、三极管工作在放大状态的外部条件是:发射结偏,集电结__ 偏。 7、三极管是_ _____控制器件;场效应管是___ ____控制器件。 8、静态工作点偏高,信号波形容易产生_______失真,偏低容易产生_ ___失真。 9、影响工作点稳定的主要因素是___________。 10、________是放大电路中稳定工作点常用的方法。 11、共射极单管放大电路输出电压与输入电压相位_____。射极输出器输出电压与输入电压相位________。 12、多级放大器常用的耦合方式由___ ____、__ _____、__ ______三种。 13、单相全波整流电路中,输出电压U0 =_____U2 ,URM = ____U2。加电容滤波后U0 =_____U2 。 14、串联型稳压电路由_____、_______、______、_____四部分组成。 二、名词解释:(每小题3分,共15分) 1、静态工作点: 2、零点漂移: 3、交越失真: 4、整流: 5、非线性失真: 三、简答:(每小题4分,共20分) 1、什么是三极管的电流放大作用? 2、放大器为什么要设置合适的静态工作点? 3、差动放大电路对差模信号、共模信号各有什么作用? 4、负反馈对放大器的性能有何影响? 5、什么是稳压管的稳压作用? 四、判断:(每小题3分,共9分) 三极管三个电极的对地电位如图所示,试判断各管处于什么状态? 五、计算、作图及其它 1、(10分)共射极单管放大电路如图。已知三极管电流放大系数 β= 50,Rb = 400KΩ,Rc = 4KΩ,rbe = 1KΩ,电源电压Ucc = 12V,忽略三极管发射结压降,试计算: ⑴放大电路的静态工作点; ⑵空载时的电压放大倍数; ⑶当放大电路输出端接入RL = 6KΩ的负载电阻时的电压放大倍数。 2、画出分压式共射极偏置电路:写出电路对工作点的稳定过程。(7分) 3、试画出与门、或门、非门电路的逻辑符号图,并写出它们相应的逻辑关系表达式。(9分)电子技术 一、填空:

电子技术基础知识讲解学习

1.2电子技术基础知识 一、填空 1、电容器的主要技术指标有Vmax、标称电容值、和允许误差范围四只200μF/50V的电容器串联,等效电容量为50μF。 2、三极管的极限参数有Pcm、Icm、BVceo。(集电极、发射极、击穿电压) 3、有一个稳压二极管稳压电路,焊接后挑食时发现其稳压输出端只有0.7伏的电压,经检查元件是好的,出现这种故障的原因是接反。 4、稳压管工作在反向击穿区,稳压管接入电路时,阴极应接电压的正极,阳极接负极,反映稳压管性能的参数时动态电阻。 6、晶闸管三个电极的名称是阳极、阴极和门极。 7、在晶体管放大电路中,反馈信号取自于输出电压,这种反馈叫做电压反馈。 8、三极管放大电路设置静态工作点的目的是获得最大不失真输出。 9、场效应管是通过改变栅源电压来改变漏极电流的,所以它是一个电压控制器件;根据结构的不同,场效应管可分为结型和绝缘栅型两种类型。 10、把集成运放接成负反馈组态是集成运放线性应用的必要条件。而在开环或正反馈时,集成运放工作在非线性工作状态。 11、已知某深度负反馈电路A Ud=100,F=0.1,则A Uf=9。 12、正弦波振荡电路一般由基本放大电路、反馈电路、选频网络和稳压电路等四个环节组成,而且缺一不可。 13、若采用市电供电,则通过变压、整流、滤波和稳压后可得到稳定的直流电。 14、理想运算放大器的开环放大倍数A od为∞,输入阻抗为∞,输出阻抗R od为0,共模抑制比K CMR为∞,频带宽度BW为∞。 15、串联型稳压电源电路包括调整输出、比较放大、采样和基准电位四个环节。 16、一个10位的DAC,输出电压满量程为10V,则它的分辨率为1/(210-1),能分辨的最小电压值为10/210V。 17、TTL电路多余管脚可以悬空,CMOS电路则不能悬空。 18、三极管放大器有共集、共射和共基三种基本组态。 19、多级放大器的级间耦合方式一般有直接耦合、光电耦合和变压器耦合三种。 20、为了抑制直流放大器中的零点漂移,最常采用的方法是差放、温度孔径和负反馈等措施。 21、集成运放按输入方式的不同可分为反相输入、同相输入和差放输入三种形式。 22、运算放大器是一种高增益的多级放大器,其输入级一般采用差分输入,输出级一般采用跟随。 23、RC电路最主要的应用包括耦合、微分和积分三种。 24、最基本的逻辑关系有与门、非门、或门三种。 25、七段数码显示器通常分为共阳和共阴。

电子技术基础与技能电子教案设计(综合)

《电子技术基础与技能》电子教案 项目一二极管单向导电板的制作 教案编号:01—01—01 一、教学目标 1、了解什么是半导体、P型半导体和N型半导体; 2、了解PN结的形成过程及其特性; 3、掌握二极管的符号、特性及特性曲线等; 4、会用万用表判断二极管的质量。 二、重点难点 重点:二极管的符号及单向导电特性。 难点:PN结的形成过程 三、学情分析 有关半导体、二极管等概念,学生第一次接触到,而且这些容十分抽象难理解,所以学生学起来有一定困难。但学生在初中阶段已经接触到了电阻、导体及绝缘体等相关容,而半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,因此,教师要如此引入过渡,学生是容易接受的。 四、教学方法 讲解法、观察法、图形演示法 五、教具准备 各种不同形状的二极管、幻灯片及幻灯机、实物投影仪等 六、课时安排:2课时 七、教学过程 1、导入新课: 大家在初中学习了电阻,电阻就是导体对电流的阻碍作用。而导体就是能够导电的物质,如铁、铝、铜等金属;不能导电的物质就是绝缘体,如干木头、黑板等。那么世界上有没有导电能力介于导体和绝缘体之间的物质呢?这就是今天我们要学习的容——半导体

2、新授阶段 (1)出示投影(课本图1-1 二极管单向导电电路图) 让生认识电路图,了解图中的各元器件。并强调指出其中的二极管是电路中的关键元件,今天我们就来重点学习这种元件。 (2)先了解半导体、P型半导体和N型半导体以及PN结等。 1)半导体:由自然界的物质按导电性能的分类引出半导体。半导体的最外层有4个价电子。如硅和锗等。半导体有光敏性、热敏性和掺杂性三种特性,特别是其掺杂性是形成半导体元件的重要基础。 2)P型半导体和N型半导体 先介绍本征半导体,然后根据在本征半导体中掺入不同的杂质离子可形成两种半导体,即N型半导体和P型半导体。(可结合投影出示本征半导体的原子排列图以及和掺入两种不同杂质时形成两种半导体的形成过程图)。 3)PN结:出示投影(课本图1-2 PN的结构示意图),简单从电子转移的角度介绍PN结的形成过程。 给生时间理解并自己动手画图记忆 (3)二极管 1)出示投影(课本图1-3 二极管的结构示意图及其符号) 讲解二极管的定义、结构及其符号等 给生时间理解并自己动手画图记忆 2)实物投影展示各种不同形状的二极管外形,之后拿出实物让生观察,增强学生的感性意识。 3)二极管的特性曲线 出示投影(课本图1-5 二极管的伏安特性曲线) 讲解二极管特性曲线的定义、二极管的正向电压和反向电压等概念。 讲述二极管特性曲线的形成规律及其特点。要让学生记住死区电压:对于硅管是0.5V,锗管是0.2V;导通电压:对于硅管是0.7V;对于锗管是0.3V。 给生时间理解并自己动手画图记忆

电子技术基础知识大全

1:什么是二极管的正偏?在p节加正电压,而n节加负电压。即为正偏。 正偏是扩散电流大大增加,反偏使漂移电流增加。但是漂移电流是由于少子移动形成的,所以有反向饱和电流! 2:一般低频信号,电阻线的粗细是为了流多少电流,而粗细带来的电阻大小不计,因为铜线本身电阻很小,当然特殊情况例外! 3:mos管是依靠多子电子的一种载流子导电的,与晶体三极管的多子与少子一起参与导电的情况不一样。它是一种自隔离器件,不需要设置晶体三极管中的隔离岛,节省心片面积,适合超大规模电路。 它的特点是压控!即控制端几乎不需要电流,容易集成。 4:如何判断三极管的 cbe 极? a 直接查资料, b 用万用表二极管档,p接正,n接负时有数字显示,所以有测量几次,就可以知道是pnp型还是npn型,b端由此可以断定了。然后用万用表的hef档测量放大倍数,如果接对了即能判断结果。 5:共发放大器有倒相作用。 6:直流反馈是为了稳定静态工作点,交流反馈是为了改善放大器的性能。 7:电容和电阻的串并联关系相反。电感应该和电阻相同,不过还有互感的概念,所以还是有所区别的吧?需要求证!8:示波器的很多数字显示只有在屏幕中显示多个周期才显示的,太多也不显示! 9:共基放大器是同相放大器,输出电阻大,电压增益为1,号称续流器。 共集放大器是同相放大器,输入电阻大,电流增益为1,号称电压跟随器。 共发放大器是反相放大器,输入出电阻是上两个之间,电压增益大,电流增益也大。 所以共发,共基放大器,知道共基在后,就知道输出电阻大,将输入电流不衰减的送到输出电阻大的那端。 共集共发,明显是输入电阻大,将输入电阻不衰减的送到输出电阻小的那端 10:正弦电压的输出平均电压在全桥整流电路中是0.9倍的输入电压有效值,所以输出电流的平均值(等同用万用表测量)是输入电压有效值除以负载电阻后的0.9倍。 11:示波器的两个探头是共地的,双踪的时候要注意,这两个地必须连在一起,尤其是高电压的时候! 12:mos管的测量方法,一般是gds排列。用万用表的话,先在gs两端加电,即用万用表点一下gs 然后点ds,就能测量出数字来了。这些都是根据它的本身特征来判断的。注意,gs端的电容很小,u=q/c,如受外界影响,或静电感受,带上小两电荷就可以使u很大,使其烧掉。 13:画pcb时候应该留出检测点。 14:用万用表测量之前必须弄明白测量什么信号,用什么档位。 15:tvs管的响应速度一般很快! 16:对三极管的各项参数以及运放的各项参数需要经常复习,了解!因为十分重要! 17:三极管的几个工作状态需要彻底明白才行! 18:作实验的检查方法总结:首先应该看电路有几部分组成,其中每部分均可以分三部分来看,电源,输入,输出,一一检查过来,必然不会错。另外就是看测量仪器是否设置正确。 19:波形叠加只要掌握 Uac=Uab=Ubc的道理就可以了。 20 :扼流圈的理解:电感是阻交流,通直流信号的,这点基本和电容相反的。 低频扼流圈是抑制交流通肿瘤的 高频俄流圈是抑制高频通低频和直流的。 21:放大电路有直流耦合和交流耦合,区别自知! 22:变压器砸数的基本公式 N=V的4次方/4.44fBmS ,公式推导都在学习资料里。 Bm热轧硅钢片,1.11-1.5t 而冷的1.5-1.7t,应该现在有铁硅铝这种更加好的东西了。具体见学习资料里的东西。 23:三极管b和hef的关系,b是交流放大倍数,hef是直流放大倍数,b和频率相关的。所以两者是有区别的哦24:负载重轻对应与电阻的小大,但对横流源就不一样了,电阻大的话输出功率就大。负载就重点! 25:网络线水晶头的制作。直通线的标准是586B,交叉线的标准是一头586A另一头586B。,其中1236四根线是有用的,其他线为电话线留的。

数字电子技术基础知识总结

数字电子技术基础知识总结引导语:数字电子技术基础知识有哪些呢?接下来是小编为你带来收集整理的文章,欢迎阅读! 处理模拟信号的电子电路。“模拟”二字主要指电压(或电流)对于真实信号成比例的再现。 其主要特点是: 1、函数的取值为无限多个; 2、当图像信息和声音信息改变时,信号的波形也改变,即模拟信号待传播的信息包含在它的波形之中(信息变化规律直接反映在模拟信号的幅度、频率和相位的变化上)。 3.初级模拟电路主要解决两个大的方面:1放大、2信号源。 4、模拟信号具有连续性。 用数字信号完成对数字量进行算术运算和逻辑运算的电路称为数字电路,或数字系统。由于它具有逻辑运算和逻辑处理功能,所以又称数字逻辑电路。 其主要特点是: 1、同时具有算术运算和逻辑运算功能 数字电路是以二进制逻辑代数为数学基础,使用二进制数字信号,既能进行算术运算又能方便地进行逻辑运算(与、或、非、判断、比较、处理等),因此极其适合于运算、比较、存储、传输、控制、决策等应用。

2、实现简单,系统可靠 以二进制作为基础的数字逻辑电路,可靠性较强。电源电压的小的波动对其没有影响,温度和工艺偏差对其工作的可靠性影响也比模拟电路小得多。 3、集成度高,功能实现容易 集成度高,体积小,功耗低是数字电路突出的优点之一。电路的设计、维修、维护灵活方便,随着集成电路技术的高速发展,数字逻辑电路的集成度越来越高,集成电路块的功能随着小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路(MSI)、大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)的发展也从元件级、器件级、部件级、板卡级上升到系统级。电路的设计组成只需采用一些标准的集成电路块单元连接而成。对于非标准的特殊电路还可以使用可编程序逻辑阵列电路,通过编程的方法实现任意的逻辑功能。 模拟电路是处理模拟信号的电路;数字电路是处理数字信号的电路。 模拟信号是关于时间的函数,是一个连续变化的量,数字信号则是离散的量。因为所有的电子系统都是要以具体的电子器件,电子线路为载体的,在一个信号处理中,信号的采集,信号的恢复都是模拟信号,只有中间部分信号的处理是数字处理。具体的说模拟电路主要处理模拟信号,不随时间变化,时间域和值域上均连续的信号,如语音信号。而数

(完整版)数字电子技术基础第五版期末知识点总结..

数电课程各章重点 第一、二章 逻辑代数基础知识要点 各种进制间的转换,逻辑函数的化简。 一、二进制、十进制、十六进制数之间的转换;二进制数的原码、反码和补码 .8421码 二、逻辑代数的三种基本运算以及5种复合运算的图形符号、表达式和真值表:与、或、非 三、逻辑代数的基本公式和常用公式、基本规则 逻辑代数的基本公式 逻辑代数常用公式: 吸收律:A AB A =+ 消去律:B A B A A +=+ A B A AB =+ 多余项定律:C A AB BC C A AB +=++ 反演定律:B A AB += B A B A ?=+ B A AB B A B A +=+ 基本规则:反演规则和对偶规则,例1-5 四、逻辑函数的三种表示方法及其互相转换 逻辑函数的三种表示方法为:真值表、函数式、逻辑图 会从这三种中任一种推出其它二种,详见例1-7 五、逻辑函数的最小项表示法:最小项的性质;例1-8 六、逻辑函数的化简:要求按步骤解答 1、 利用公式法对逻辑函数进行化简 2、 利用卡诺图对逻辑函数化简 3、 具有约束条件的逻辑函数化简 例1.1 利用公式法化简 BD C D A B A C B A ABCD F ++++=)( 解:BD C D A B A C B A ABCD F ++++=)( BD C D A B A B A ++++= )(C B A C C B A +=+ BD C D A B +++= )(B B A B A =+

C D A D B +++= )(D B BD B +=+ C D B ++= )(D D A D =+ 例1.2 利用卡诺图化简逻辑函数 ∑=)107653()(、、、、 m ABCD Y 约束条件为 ∑8)4210(、、、、 m 解:函数Y 的卡诺图如下: 00 01 11 1000011110AB CD 111 × 11××××D B A Y += 第三章 门电路知识要点 各种门的符号,逻辑功能。 一、三极管开、关状态 1、饱和、截止条件:截止:T be V V <, 饱和:β CS BS B I I i => 2、反相器饱和、截止判断 二、基本门电路及其逻辑符号 与门、或非门、非门、与非门、OC 门、三态门、异或; 传输门、OC/OD 门及三态门的应用 三、门电路的外特性 1、输入端电阻特性:对TTL 门电路而言,输入端通过电阻接地或低电平时,由于输入电流流过该电阻,会在电阻上产生压降,当电阻大于开门电阻时,相当于逻辑高电平。 习题2-7 5、输出低电平负载电流I OL 6、扇出系数N O 一个门电路驱动同类门的最大数目 第四章 组合逻辑电路知识要点

模拟电子技术基础知识试题汇总附有标准答案

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b 变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. - 7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号 源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

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