文档库

最新最全的文档下载
当前位置:文档库 > 0.1Hz到1MHz 30V方波发生器

0.1Hz到1MHz 30V方波发生器

发信人: longest (长长的思念), 信区: Circuit

为什么?为什么每次我在这儿问的问题都没有人回答??
惨惨惨,哪位神仙或者神仙姐姐来搭救我!
【 在 longest (长长的思念) 的大作中提到: 】
: 采用DAC1208产生频率在0。1Hz~1MHz以上的各种
: 方波或者锯齿波,输出电压要求能达到30V,可是DAC1208
: 采用10V参考源,双极性输出,输出电压幅度只能达到+/-10V,
: 请问大侠们有什么良策?
: 用运放好像也没有能输出30V的,用高频变压器效果如何,
: 不得而知,大侠们若是有好办法,望不吝赐教,愚感激不尽!




发信人: VVV (VVV), 信区: Circuit

放大嘛!

【 在 longest (长长的思念) 的大作中提到: 】
: 为什么?为什么每次我在这儿问的问题都没有人回答??
: 惨惨惨,哪位神仙或者神仙姐姐来搭救我!




发信人: longest (长长的思念), 信区: Circuit

好像一般的运放输出不了30V的电压啊!
【 在 VVV (VVV) 的大作中提到: 】
: 放大嘛!




发信人: xunger (多看书,少聊天), 信区: Circuit


因为你的问题太难了
也许用mos管经过pwm
控制得到30v方波
然后积分到锯齿波可也
?
【 在 longest (长长的思念) 的大作中提到: 】
: 为什么?为什么每次我在这儿问的问题都没有人回答??
: 惨惨惨,哪位神仙或者神仙姐姐来搭救我!




发信人: hopefu1 (归航——————), 信区: Circuit

解决方案:
1。由“市电+变压器(降压)+整流二极管桥式整流+电解电容并吸收电容滤波”
得到30Vdc电压,此电路的功率取决于你需要最后你的0.1Hz~1MHz的信号波的
功率(不低于),据此功率要求可以选定变压器和整流二极管的额定容量;
2。由“1中产生的30Vdc+功率开关管”构成功率开关电路,功率开关管的开关频率
必须可以达到1MHz(现今的一般功率开关管是达不到这个要求的),因此推荐
选用高速MOSFET管或高速GTR管,后者可以很容易达到1MHz以上的开关频率,需要
注意的是前者是压控开关器件,后者是流控开关器件;
3。DAC1208产生的频率0.1Hz~1MHz的方波信号送“功率开关管驱动电路”,该驱动
电路的输出信号(驱动2中的功率开关管)送MOSFET或GTR,注意的是:驱动电路
允许的频率要超过1MHz,例如EXB841驱动芯片的频率上限是40KHz,所以不行,如
果选用MOSFET,推荐驱动芯片选IRF2110,GTR的驱动简单一些;
4。至此,即可得到你所要的信号!
【 在 longest (长长的思念) 的大作中提到: 】
: 采用DAC1208产生频率在0。1Hz~1MHz以上的各种
: 方波或者锯齿波,输出电压要求能达到30V,可是DAC1208
: 采用10V参考

源,双极性输出,输出电压幅度只能达到+/-10V,
: 请问大侠们有什么良策?
: 用运放好像也没有能输出30V的,用高频变压器效果如何,
: 不得而知,大侠们若是有好办法,望不吝赐教,愚感激不尽!




发信人: diskbiskeith (幸福男生), 信区: Circuit

这个方案能实现方波,但是锯齿波怎么办?
我在实验室做的电路相似,但是
要求是方波,输出电压150V。
提醒一句:MOSFET关断时有一个等效电容,
如果负载主要靠电压工作的话,
电容上的电荷来不及泄放,
这样的电路在高频时实际上没有低电平!

【 在 hopefu1 (归航——————) 的大作中提到: 】
: 解决方案:
: 1。由“市电+变压器(降压)+整流二极管桥式整流+电解电容并吸收电容滤波”
: 得到30Vdc电压,此电路的功率取决于你需要最后你的0.1Hz~1MHz的信号波的
: 功率(不低于),据此功率要求可以选定变压器和整流二极管的额定容量;
: 2。由“1中产生的30Vdc+功率开关管”构成功率开关电路,功率开关管的开关频率
: 必须可以达到1MHz(现今的一般功率开关管是达不到这个要求的),因此推荐
: 选用高速MOSFET管或高速GTR管,后者可以很容易达到1MHz以上的开关频率,需要
: 注意的是前者是压控开关器件,后者是流控开关器件;
: 3。DAC1208产生的频率0.1Hz~1MHz的方波信号送“功率开关管驱动电路”,该驱动
: 电路的输出信号(驱动2中的功率开关管)送MOSFET或GTR,注意的是:驱动电路
: 允许的频率要超过1MHz,例如EXB841驱动芯片的频率上限是40KHz,所以不行,如
: ...................



发信人: Goldpen (风筝), 信区: Circuit


问题是信号输出带负载能力要求如何?

如果只是输出30V电压,而输出功率很低,
那么用运放应该也可以啊,LM324这么cheep的,
他的电源电压也可以用30V,就不知道这么高的电源电压,
输出是不是30V才饱和的? 当然,LM324的频率范围也不够

【 在 longest (长长的思念) 的大作中提到: 】
: 为什么?为什么每次我在这儿问的问题都没有人回答??
: 惨惨惨,哪位神仙或者神仙姐姐来搭救我!




发信人: Goldpen (风筝), 信区: Circuit


可不可用功率开关器件+PWM调制?如果要调制出1MHz锯齿波,
开关速度至少要几十MHz,这么高的功率开关器件??!!

【 在 diskbiskeith (幸福男生) 的大作中提到: 】
: 这个方案能实现方波,但是锯齿波怎么办?
: 我在实验室做的电路相似,但是
: 要求是方波,输出电压150V。
: 提醒一句:MOSFET关断时有一个等效电容,
: 如果负载主要靠电压工作的话,
: 电容上的电荷

来不及泄放,
: 这样的电路在高频时实际上没有低电平!




发信人: hopefu1 (归航——————), 信区: Circuit

仅就阁下的re文发表以下或许是不成熟的看法,仅作探讨:
1。“MOSFET在关断时有一个等效电容”,这样的说法,我个人认为有很大商榷的
余地,至今为止,几乎所有的功率开关器件都存在着节间电容,对于MOSFET而言,无论是
Cgd、Cgs还是Cds都是pF数量级的,并且Cds有一个很好的特性:随Vds的增高而迅速降低
,很普通的MOSFET在Vds为30Vdc以上后,Cds就降低到200pF以下,况且一般的MOSFET都是
有反并联二极管的,这一反并联二极管的作用就是:续流和箝位!
2。“负载主要靠电压工作”,这样的说法,我同样感到有些不解,下述我很不成
熟的看法,算作大家互相探讨:任何负载都是靠功率工作的,至于电压和电流,据我个人
有限的认识,只有Power level和Signal level区分(并非严格的区分),而无论Power
level还是Signal level从电路的角度来看都是满足KVL和KCL的。阁下所说的“电容上的
电荷来不及泻放”,从纯理论的角度来分析,也许有道理,但是,实际电路中,二极管的
箝位作用,以及Cds本身速降(缓冲以及本身特性的作用),是不会出现这种情况的。进
一步来看,如果这样的情况真的出现,我个人认为也只会是MOSFET的拖尾电流导致的,
这是MOSFET生产商要很好的解决的问题,属器件级,而不属电路级问题。?
3。至于三角波如何产生,产生了方波后(PWM波),这个无论对Power level还是
Signal level都不再成为困难,不是吗?
4。最后,现今的MOSFET已经可以做到1MHz~100MHz的开关速度,通态电阻可以做
到小数点后3个零的水平,电压水平(Vds)可以做到1000V以上了。
十分不成熟的观点,仅供参考和互相探讨交流,敬请高手指教!
【 在 diskbiskeith (幸福男生) 的大作中提到: 】
: 这个方案能实现方波,但是锯齿波怎么办?
: 我在实验室做的电路相似,但是
: 要求是方波,输出电压150V。
: 提醒一句:MOSFET关断时有一个等效电容,
: 如果负载主要靠电压工作的话,
: 电容上的电荷来不及泄放,
: 这样的电路在高频时实际上没有低电平!




发信人: hopefu1 (归航——————), 信区: Circuit

这个思路值得一试,可采用医用的高速运方试试看看!
【 在 Goldpen (风筝) 的大作中提到: 】
: 问题是信号输出带负载能力要求如何?
: 如果只是输出30V电压,而输出功率很低,
: 那么用运放应该也可以啊,LM324这么cheep的,
: 他的电源电压也可以用30V,就不知道这么高的电源电压,
: 输出是不是30V才饱和的? 当

然,LM324的频率范围也不够




发信人: diskbiskeith (幸福男生), 信区: Circuit

首先,非常感谢Hopeful大侠的热心指教!
从我的用词各位也能看出来:我并不是本专业的。
1,我之所以说“等效电容”是因为我在应用中遇到了这个麻烦。
在我的电路里,负载是一个非常奇怪的部件:它表现得像“开路”。
在高频时,我所观察到的现象是:
在MOSFET管关断期间,Vds以指数规律缓慢变化(负载太轻),
以至于得不到脉冲间隔。
我讨论的是MOSFET由导通状态变截止状态的情形,
或者说DS间截止时的电容,它其实能达到1000pF的数量级;
Hopeful谈到的“Cds有一个很好的特性:随Vds的增高而迅速降低
”应该是指的DS间在导通初期时的等效电容,它确实很小。
MOSFET附带的续流二极管是反接的,对Vds的增加没有帮助。
2,“靠电压工作”这样的说法是过于简单了一点,我不知道该
怎样说准确。举个例子:像MOSFET管这样的器件,它的输入实际
上相当于一个电容。给它足够的电荷就能达到对应的电压,就能
使D、S间导通。说它是“靠电荷控制的”可能更准确吧!现在提高
MOSFET速度的驱动电路就是靠大的瞬时驱动电流实现的。
————
因为我对这些问题的看法也不成熟,我更希望能够解决我的电路中
遇到的麻烦,所以我很希望能跟各位把这些讨论清楚。

【 在 hopefu1 (归航——————) 的大作中提到: 】
: 仅就阁下的re文发表以下或许是不成熟的看法,仅作探讨:
: 1。“MOSFET在关断时有一个等效电容”,这样的说法,我个人认为有很大商榷的
: 余地,至今为止,几乎所有的功率开关器件都存在着节间电容,对于MOSFET而言,无论是
: Cgd、Cgs还是Cds都是pF数量级的,并且Cds有一个很好的特性:随Vds的增高而迅速降低
: ,很普通的MOSFET在Vds为30Vdc以上后,Cds就降低到200pF以下,况且一般的MOSFET都是
: 有反并联二极管的,这一反并联二极管的作用就是:续流和箝位!
: 2。“负载主要靠电压工作”,这样的说法,我同样感到有些不解,下述我很不成
: 熟的看法,算作大家互相探讨:任何负载都是靠功率工作的,至于电压和电流,据我个人
: 有限的认识,只有Power level和Signal level区分(并非严格的区分),而无论Power
: level还是Signal level从电路的角度来看都是满足KVL和KCL的。阁下所说的“电容上的
: 电荷来不及泻放”,从纯理论的角度来分析,也许有道理,但是,实际电路中,二极管的
: ...................



发信人: hopefu1 (归航——————), 信区: Circuit

先不谈理论问题,就你遇到的问题而论,我几乎可以十分肯定的说原因是下

述两个之
一:
1。MOSFET本身的开关速度裕量留的太小;
2。驱动信号能力(功率)and速度稍低;
建议:采用加速电容试试看,加速电容值可取1000pF左右!
【 在 diskbiskeith (幸福男生) 的大作中提到: 】
: 首先,非常感谢Hopeful大侠的热心指教!
: 从我的用词各位也能看出来:我并不是本专业的。
: 1,我之所以说“等效电容”是因为我在应用中遇到了这个麻烦。
: 在我的电路里,负载是一个非常奇怪的部件:它表现得像“开路”。
: 在高频时,我所观察到的现象是:
: 在MOSFET管关断期间,Vds以指数规律缓慢变化(负载太轻),
: 以至于得不到脉冲间隔。
: 我讨论的是MOSFET由导通状态变截止状态的情形,
: 或者说DS间截止时的电容,它其实能达到1000pF的数量级;
: Hopeful谈到的“Cds有一个很好的特性:随Vds的增高而迅速降低
: ”应该是指的DS间在导通初期时的等效电容,它确实很小。
: ...................



发信人: diskbiskeith (幸福男生), 信区: Circuit

我用TPS2811驱动IRF840。
1MHz时,用示波器观察栅极波形正常。
但问题解决不了。
谢谢你的建议。
【 在 hopefu1 (归航——————) 的大作中提到: 】
: 先不谈理论问题,就你遇到的问题而论,我几乎可以十分肯定的说原因是下述两个之
: 一:
: 1。MOSFET本身的开关速度裕量留的太小;
: 2。驱动信号能力(功率)and速度稍低;
: 建议:采用加速电容试试看,加速电容值可取1000pF左右!




发信人: ronaldming (yy), 信区: Circuit


使用功率晶体管BU406即可,轻松上2MHz,输出功率可达30W以上,电压到50V没问题。