文档库 最新最全的文档下载
当前位置:文档库 › CVD金刚石膜生长过程的Raman分析

CVD金刚石膜生长过程的Raman分析

CVD金刚石膜生长过程的Raman分析
CVD金刚石膜生长过程的Raman分析

CV D 金刚石膜生长过程的R aman 分析

Ξ

杨仕娥,李会军,边 超,王小平,马丙现,姚 宁,张兵临

(郑州大学材料物理重点实验室,河南郑州 450052)摘 要:采用激光Raman 散射分析法对CVD 金刚石膜的生长过程进行研究,讨论在金刚石膜生长的不同阶

段,膜内金刚石和非金刚石成分的相对含量及其残余应力的变化情况。

关键词:金刚石膜;Raman 散射;非晶碳

中图分类号:O484.5 文献标识码:A 文章编号:1006-7086(2002)02-0090-03

RAMAN ANALYSIS ON GR OWTH PR OCESS OF CV D DIAMON D FI LMS

YANG Shi -e ,L I H ui -jun ,BIAN Chao ,WANG Xiao -ping ,MA Bing -xian ,YAO Ning ,ZHANG Bing -lin

(Material and Physics R esearch Laboratory of Zhengzhou U niversity ,Zhengzhou 450052,China)

Abstract :Laser Raman analyes was carried out to investigate the growth process of CVD diamond films.By Raman

spectroscopy ,the variation of the relative contents of the diamond and non -diamond carbon phases was discussed ,and the residual stresses in the diamond films at different growth stages were estimated.

K ey w ords :diamond films ;Raman scattering ;amorphous carbon

1 引 言

金刚石膜作为一种新型的功能材料,除了具有极高的硬度外,还具有禁带宽、导热性好、热膨胀系数小及良好的光学透明性等优异性能[1],在高技术领域有着十分广阔的应用前景。目前成功开发的应用有:刀具涂层、热沉、大功率半导体器件、抗辐射半导体器件及红外窗口等。近年来,人们又发现金刚石膜具有负电子亲和势[2],这使得有关金刚石膜冷阴极场致电子发射的研究也成为一个新的研究热点。

近20年来,人们相继开发出各种低压合成金刚石膜的方法,其中发展最快、应用最广的当属化学气相沉积(CVD )法。在实际应用中,CVD 金刚石膜的质量及其在基体上的附着强度是决定薄膜器件工作性能和寿命的关键因素,因此,有关这方面的工作一直是理论和实验研究的重点[3~5]。在金刚石膜的各种不同的研究方法中,Raman 散射反映材料分子的振动谱特征,对短程结构的变化特别敏感[5,6],可准确区分金刚石、石墨和不同结构构型的非晶碳成分。另外,Raman 谱中位于1332.5cm -1附近的金刚石特征散射峰对由应力引起的晶格畸变也极为敏感[7,8]。根据该特征峰的位移情况不仅可判断薄膜内残余应力的类型,还可估算其应力大小。

采用激光Raman 谱对处于不同生长阶段的金刚石膜进行分析,讨论了薄膜内非金刚石碳的相对含量及残余应力的变化情况。

2 实验方法

实验采用YG6硬质合金刀片作基体,在微波等离子体CVD 装置上沉积金刚石膜。基体表面预处理工艺为:先经1∶1的硝酸水溶液化学浸蚀脱Co 15min ,然后用0.5μm 金刚石粉丙酮悬浊液超声研磨2009 真空与低温 第8卷第2期2 Vacuum &Cryogenics 2002年6月Ξ收稿日期:2001-11-26

基金项目:河南省科技发展计划基金资助课题(批准号:991110130)。

作者简介:杨仕娥(1973-),女,河南省新县人,博士研究生,从事薄膜材料的基础和应用研究工作。

min 。金刚石膜沉积工艺为:H 2流量为0.5sccm ,CH 4流量为0.5sccm ,微波功率为1000W ,沉积气压为8.0×103Pa ,基体温度为800℃,沉积时间分别为0.5h 、1.0h 、3.0h 、5.0h 和10.0h (1sccm 约为1.7×10-3Pa ?m 3?s -1)。

Raman 光谱分析是在Renishaw2000型激光Raman 谱仪上进行,激发光波长为514.5nm ,使用功率为5mW ,扫描范围1200~1800cm -1。另外,为了便于比较分析,实验还采用扫描电子显微镜(SEM )对金刚石膜的表面形貌进行了观察。

3 结果与讨论

CVD 金刚石膜的Raman 谱通常可为4部分[6,9]:(1)位于1332.5cm -1附近的金刚石结构的特征散射峰。该峰一般比较尖锐,其半峰宽与薄膜中的晶粒大小及金刚石成分的相对含量有关,而其精确的位置则与金刚石膜中的应力状态有关,压应力使该峰向高频端移动,张应力则使其向低频端移动。(2)位于1580.0cm -1附近的晶态石墨结构成分的散射峰。(3)位于1350.0~1600.0cm -1之间的散射宽带,主要来自薄膜中SP 2相的非晶碳成分。(4)Raman 谱中从低频端到高频端呈上升趋势的荧光背底,主要来源于非晶碳成分的光致发光。值得指出的是,以上4部分的散射强度不仅与金刚石膜中各种成分的相对含量有关,还与激发光的能量有关[10]。能量越低的激发光,对非晶碳结构的成分越敏感,从而使Raman 谱中后两部分的散射强度增强。

图1 不同生长阶段的金刚石膜的Raman 谱图1给出了处于不同生长阶段的金刚石膜的Raman 谱。从图中可

以看出,沉积开始0.5h 后,试样的Raman 谱中在1332.5cm -1处已出现

金刚石特征散射峰。同时,又在1350.0~1600.0cm -1之间有一强度较

大的散射宽带,而且整个Raman 谱存在明显的荧光背底。这一特征说明

此时金刚石已开始在基体表面形核,但试样中SP 2相非晶碳成分的含量

较高。随着沉积时间的延长,试样的Raman 谱特征也不断发生变化,如

金刚石结构的散射峰强度不断增强,而位于1350.0~1600.0cm -1之间

的非晶碳散射带及荧光背底的强度则迅速降低,这表明薄膜中金刚石成

分不断增加,而SP 2相非晶碳则相应减少。考虑到金刚石结构成分的

Raman 散射截面远远小于石墨结构成分的散射截面[11],由图1可知,在

沉积时间大于5.0h 的薄膜中,金刚石成分已占绝对优势,其中,沉积时间为10.0h 的试样的Raman 谱中,来源于SP 2相非晶碳的散射宽带基本消失,只在1332.5cm -1附近有一尖锐的金刚石特征峰,其半峰宽约为10.0cm -1。

图2是不同沉积阶段试样表面形貌的SEM 照片。如图2所示,沉积开始0.5h 后,试样表面的确有许多细小的金刚石晶核出现;1.0h 后,金刚石大量形核,但在金刚石晶核间存在大量的非晶碳成分,随后晶核开始不断长大、合并,5.0h 后即形成完整的金刚石膜。与此同时,由于受到氢原子的选择刻蚀作用,薄膜中的非晶碳成分部分变成气态重返气相区,另一部分则转变为更加稳定的金刚石结构,进而在基体表面形成有明显几何晶面的、高纯度的金刚石膜,如图2(f )所示。

另外,随着沉积时间的延长,试样Raman 谱中金刚石特征峰的位置也发生了变化。如图1所示,在沉积时间不超过3.0h 的Raman 谱中,金刚石结构的特征峰均位于1332.5cm -1处,无明显的位置移动,表明在以上试样内不存在明显的残余应力,这可能是由于此时金刚石尚未完全成膜,见图2(b )~(d )。而沉积时间为5.0h 和10.0h 的试样,Raman 谱中的金刚石特征峰则分别移至1333.4和1334.3cm -1处,表明此时金刚石膜内存在残余压应力。根据文献[8]估算,二者的压应力大小分别为423MPa 和846MPa 。金刚石膜内的残余应力主要来自以下两个方面:一是本征应力,如SP 2相非晶碳成分的存在会在金刚石膜内产生压应力[12];二是热应力,由于金刚石膜与硬质合金基体间热膨胀系数不匹配(两者的线

性热膨胀系数分别为3.1×10-6/℃和4.5×10-6~7.1×10-6/℃

),试样从沉积时的高温冷却到室温的过程中,也会使薄膜内产生一定的残余压应力。19杨仕娥等:CVD 金刚石膜生长过程的Raman 分析

图2 不同沉积阶段金刚石膜的表面形貌

(a )0h ;(b )0.5h ;(c )1.0h ;(d )3.0h ;(e )5.0h ;(f )10.0h 。

4 结 论

采用激光Raman 谱对处于不同生长

阶段的金刚石膜进行研究,分析了薄膜内

金刚石和非金刚石成分的相对含量及其

残余应力的变化情况。结果表明:(1)沉

积开始0.5h 后,金刚石已开始形核,但

晶核间SP 2相非晶碳成分的含量较高。

(2)随着沉积时间的延长,金刚石形核密

度不断增加,随后晶粒也开始长大、合并,

并形成完整的金刚石膜。在此过程中,由

于受到CVD 气氛中大量氢原子的选择刻

蚀作用,薄膜中金刚石结构的成分不断增

加,而SP 2相非晶碳则迅速减少,从而形

成高纯度的金刚石膜。(3)金刚石完全成

膜后,Raman 谱中金刚石特征峰的位置开

始向高频端移动,表明此时薄膜内存在一

定的残余压应力。

参考文献:[1] ROBERT F ,DAV IS.Diamond films and coatings ∶edvelopment ,properties and applications[M ].Park Ridge ,N J Noryes ,

1993.

[2] F GEIS M W ,TWICHELL J C.Electron field emssion from diamond and other carbon material after H 2,O 2and Co treat 2

ment [J ].Appl Phys Lett ,1995,169∶1328~1332.

[3] S ;DERBER G S ,GERENDAS A ,S J ;STRAND M.Factors influencing the adhesion of daimond coatings on cutting tools

[J ].Vacuum ,1990,41∶1317~1321.

[4] L IAO Y ,CHAN G C ,L I C H ,et al .Two -step growth of high quality diamond films[J ].Thin S olid Films ,2000,368∶303

~306.

[5] AHMED W ,REG O C A.CVD diamond :controlling structure and morphology [J ].Vacuum ,2000,56∶153~158.

[6] AMIRHA GHI S ,REEHAL H S.Diamond coatings on tungsten carbide and their erosive wear properties [J ].Surf Coat

Technol ,2001,135∶126~138.

[7] FAN Q H ,GRACIO J ,PEREIRA E.Evaluation of residual stresses in chemical -va por -deposited diamond films[J ].J Ap 2

pl Phys ,2000,87∶2880~2884.

[8] OL SON J M ,DAWES M J.Examination of the material properties and performance of thin -diamond film cutting tool in 2

serts produced by arc -jet and hot filament chemical vapor deposition[J ].J Mater Res ,1996∶1765~1775.

[9] WA GN ER J ,RAMSTEIN ER M ,WILD C ,et al .Resonant Raman scattering of amorphous carbon and polycrystalline dia 2

mond films[J ].Phys Rev B ,1989,40∶1817~1824.

[10] WA GN ER J ,WILD C ,KOIDL P ,et al .Resonance effects in Raman scattering from polycrystalline diamond films[J ].Ap 2

pl Phys Lett ,1991,59∶779~781.

[11] SHRODER R E ,N EMAN ICH R J ,G LASS J T.Analysis of the composite structures in diamond thin films by Raman

spectroscopy[J ].Phys Rev B ,1989,41∶3738~3745.

[12] MECHL ER J ,MERMOUX M ,K AEND ,et al .Residual stress in diamond films :origins and modelling [J ].Thin S olid

Films ,1999,357∶189~201.29

真空与低温 第8卷第2期

生长抑素对上消化道出血的治疗作用机制

综 述 生长抑素对上消化道出血的治疗作用机制 陈建英 (鄱阳县中医院内科,江西鄱阳333100) [中图分类号] R573.2 [文献标识码] A [文章编号] 1672-4208(2010)19-0048-03 1973年B razeau从绵羊下丘脑提取液中分离 了一种环状14肽物质,命名为生长抑素(so m a tostati n,SST),此后有关其生理和药理作用的报道 日益增多[1]。1978年Tyden首先将生长抑素用于 治疗门脉高压症上消化道出血,有作者相继报道证 明生长抑素对于门脉高压症上消化道出血有明显 的止血作用。目前也有相关报道,说明其用于非静 脉曲张性上消化道出血的疗效[2],尤其在急性难 治性上消化道出血的控制中占一席之地[3-4]。生 长抑素及其类似物控制急性出血的疗效已得到明 确的肯定,它能有效控制出血,防止再出血,减少手 术率,并且有良好的安全性及可耐受性,无明显不 良反应。现就其对上消化道出血的治疗作用机制 作一综述。 1生长抑素及其受体 生长抑素是一种广泛分布于中枢神经系统、下 丘脑及肠、胰等内、外分泌系统,也有少量分布于甲 状腺、肾、肾上腺及前列腺等处的环形多肽。其存 在两种活性形式:14肽生长抑素(SST-14)和28 肽生长抑素(SST-28)。其中SST-14是主要生 物活性物质,由8种氨基酸构成,其抑制胰高血糖 素及促胃泌素分泌较SST-28强[5]。生长抑素及 其类似物通过与细胞膜上的生长抑素受体(SSTR) 结合而发挥作用。天然SST作用广泛,选择性差, 人工合成的生长抑素类似物(SSTA)作用单一持 久,为目前常用。现认为[6],生长抑素通过两种作 用方式对生长激素和胃肠激素及多种消化液的分 泌、胃肠运动等发挥抑制性作用:(1)通过减少细 胞内环磷酸腺苷(AM P)水平而影响激素分泌。 (2)通过细胞膜上K+传导,刺激抑制外加电压造 成Ca2+的流通。 自1992年SSTR1和SSTR2被克隆成功至今, 已确认的SSTR按其发现先后顺序可分为5种不 同的分子亚型:SSTR1~SSTR5,其中SSTR2、 SSTR3、SSTR5亚型与人工合成的生长抑素类似物 亲和力比SSTR2、SSTR4强得多。 2生长抑素与上消化道出血 上消化道出血是指自屈氏韧带以上的消化道 出血,其部位包括食管、胃、十二指肠、上段空肠、胰 管及胆道,可因炎症、粘膜撕脱、溃疡、机械性及药 物性损伤、血管源性因素、肿瘤及全身性疾病引起。 大致可分为门脉高压性上消化道出血和非门脉高 压性上消化道出血两类。前者主要系肝硬化所致 门脉高压,主要包括门脉高压引起的食管-胃底静 脉曲张破裂出血(约占上消化道出血的20%)和门 脉高压性胃病(即胃粘膜病变),后者主要指酸相 关性疾病(包括胃、十二指肠溃疡出血,Barrett食管 炎及食管溃疡出血)、急性应激性溃疡出血、消化 道肿瘤及少见的胆道出血、食管裂孔、胃-空肠吻 合术后空肠病变出血等。 2.1SST与静脉曲张性上消化道出血静脉曲张 性上消化道出血主要指由肝硬化所致门脉高压引 起的侧支循环建立和开放致食管-胃底静脉曲张。 曲张静脉变薄,易被粗糙食物所损伤,也可被反流 的胃酸所腐蚀,加之压力增高导致破裂,而发生大 出血。因而,在控制此类出血的关键是控制门脉高 压。肝硬化门脉高压形成的主要因素是门静脉阻 力增加、血流增加[7]。门静脉阻力增加为肝窦毛 细血管化、变形所致,使流出道受阻,致门静脉血管 阻力增加。血流增加可因肝脏对去甲肾上腺素等 物质的清除能力减低、交感兴奋所致心输出量增加 及扩血管物质(胰高血糖素、一氧化氮)增加使血 管对内源性缩血管递质敏感性降低,引起内脏血管 扩张充血,门静脉血流增加所致[8]。大量临床实 践发现,给肝硬化患者静脉注射生长抑素后,能选 择性减少门静脉血流,使肝血流量和引致出血的肝 窦灌注量下降,从而降低门静脉压力,而对中心静 脉压、平均动脉压、心输出量及心率均无明显影 响[7-8]。有人发现在急性胰腺炎中使用生长抑素 类似剂后,有肿瘤坏死因子接到的白介素6(I L- 6)的分泌减少,因此认为生长抑素在急性胰腺炎 中的治疗作用是由于它减少了胰腺的基础分泌,则 SSTA可以通过生长抑素抑制胰高血糖素的分泌而48 社区医学杂志 2010年 第8卷 第19期

发明专利 一种类金刚石涂层褪镀工艺

本发明公开一种类金刚石涂层褪镀工艺,该工艺包括以下步骤:将被褪镀件置于超声波槽中,依次经过除油、漂洗、除蜡、漂洗工序,去除表面的宏观污渍;将清洗后的被褪镀件置于烘箱中烘烤;将被褪镀件置于真空镀膜设备中,利用Ar离子辉光清洗去除表面的微观污渍;在Ar离子辉光清洗之后,直接向真空室充入O2;将被褪镀件再次置于超声波槽中,使用溢流高纯水进行清洗。本发明不使用化学药剂褪镀,在不改变工件表面粗糙度和精度的前提下实现原位褪镀,可以满足类金刚石涂层工业化批量褪镀的要求;褪镀快,依据涂层种类和厚度不同,一般只需要0.5-3小时。 1

1

1、一种类金刚石涂层褪镀工艺,其特征在于:该工艺包括以下步骤: (1)超声波清洗:将被褪镀件置于超声波槽中,依次经过除油、漂洗、除蜡、漂洗工序,去除表面的宏观污渍; (2)烘干:将清洗后的被褪镀件置于烘箱中烘烤; (3)Ar等离子体轰击:将被褪镀件置于真空镀膜设备中,利用Ar离子辉光清洗去除表面的微观污渍; (4)O2等离子体原位褪镀:在Ar离子辉光清洗之后,直接向真空室充入O2,继续褪镀; (5)超声波二次清洗:将被褪镀件再次置于超声波槽中,使用溢流高纯水进行清洗。 2、根据权利要求1所述的一种类金刚石涂层褪镀工艺,其特征在于:步骤(1)中所述的除油工序为:在除油槽中加入质量分数为3~5%的碱性溶液,在温度为50~70℃条件下,清洗2~5分钟;所述的漂洗工序为:使用溢流高纯水室温下操作漂洗,溢流高纯水电阻率>15MΩ.cm;所述的除蜡工序为:使用质量分数为1%的表面活性剂溶液,在温度为50℃条件下,清洗2~5分钟;除蜡后漂洗工序和除油后漂洗一致,漂洗后用高压气枪去除表面水渍。 3、根据权利要求2所述的一种类金刚石涂层褪镀工艺,其特征在于:所述的碱性溶液为NaOH溶液;所述的溢流高纯水电阻率>15MΩ.cm;所述的表面活性剂溶液为Alconox溶液。 4、根据权利要求1所述的一种类金刚石涂层褪镀工艺,其特征在于:步骤(2)中所述的烘箱温度为120℃,烘烤20分钟。 5、根据权利要求1所述的一种类金刚石涂层褪镀工艺,其特征在于:步骤

注射用生长抑素

注射用生长抑素 【药品名称】 通用名称:注射用生长抑素 英文名称:Recombinant Human Interferon α2b Vaginal Effervescent Tablets 【成份】 主要成份为生长抑素,为人工合成的环状十四肽 【适应症】 本品主要用于:严重急性食道静脉曲张出血;严重急性胃或十二指肠溃疡出血,或并发急性糜烂性胃炎或出血性胃炎;胰腺外科手术后并发症的预防和治疗;胰、胆和肠瘘的辅助治疗;糖尿病酮症酸中毒的辅助治疗。 【用法用量】 静脉给药(静脉注射或静脉滴注)。 通过慢速冲击注射(3~5分钟)0.25mg或以每小时0.25mg的速度连续静脉滴注给药(一般是每小时每公斤体重用药量为0.0035mg)。 临使用前,每支冻干剂用1ml生理盐水溶液溶解。 对于连续静脉滴注给药,须用本品3mg配备够使用12小时的药液(溶剂可为生理盐水或5%葡萄糖注射液),输液量调节在每小时0.25mg。 1 严重急性上消化道出血包括食道静脉曲张出血的治疗:首先缓慢静脉推注0.25mg(用1ml生理盐水配制)作为负荷 【不良反应】 少数病例用药后出现恶心、眩晕、面部潮红。当注射速度超过每分钟0.05mg时,病人会发生恶心和呕吐现象。

【禁忌】 对本品过敏者禁用。 【注意事项】 1 由于本品抑制胰岛素及胰高血糖素的分泌,在治疗初期会导致血糖水平短暂的下降; 2 胰岛素依赖型糖尿病患者使用本品后,每隔3-4小时应测试1次血糖浓度,同时给药中,尽可能避免使用葡萄糖。必要的情况下应同时使用胰岛素。 3 在连续给药过程中,应不间断地注入,换药间隔最好不超过3分钟。有可能时,可通过输液泵给药。 4 本品必须在医生指导下使用。 【特殊人群用药】 儿童注意事项: 儿童使用本品的安全性资料尚未建立。 妊娠与哺乳期注意事项: 避免孕妇使用本品,除非无其它安全替代措施。 老人注意事项: 老年患者使用本品的安全性资料尚未建立。 【药物相互作用】 本品可延长环已烯巴比妥导致的睡眠时间,而且加剧戊烯四唑的作用,所以不应与这类药物或产生同样作用的药物同时使用。 由于生长抑素与其他药物的相互作用未建立,所以建议应单独给药。 【药理作用】 生长抑素是人工合成的环状十四氨基酸肽,其与天然生长抑素在化学结构和作用机理上完全

生长抑素

Page 1 of 1通用名称:生长抑素 英文名称:Somatostatin 所属类别:激素及有关药物/脑垂体激素及其有关药物 【药理】 本品是通过内分泌、外分泌、神经性分泌和特别的旁分泌发挥其自身作用的。最终的作用方式是直接提供制造激素的D-细胞和效应细胞之间的细胞间接触,这样确定了生长抑素作用的特异性。抑制胃酸和胃蛋白酶分泌的作用,至少有一部分是直接在边缘细胞和胃内主细胞处发生的。其药理作用如下:①抑制胃酸、胃泌素和胃蛋白酶的分泌。②减少内脏血流。③抑制胰、胆和小肠的分泌。④胰、肝和胃的细胞保护作用。 药动学 本品静注后半减期为1.1~3min,肝病患者静注后半减期为1.2~4.8min,慢性肾功能不全患者静注后半减期为2.6~4.9min。以75μg/h的速率静滴本品,15min内达稳态浓度1250ng/L,代谢清除率约1L/min,半减期约2.7min。本品在肝内迅速代谢,主要经尿排泄(4h后排出40%,24h后排出70%)。 【适应症】 适用于严重的急性胃溃疡出血、糜烂或出血性胃炎所致的严重急性出血、严重的急性食道静脉曲张出血、胰胆和胃肠瘘及急性胰腺炎的治疗以及胰腺术后并发症的预防。 【用法用量】 24h内连续静脉注入6mg生长抑素。注入期限5~120h(出血时)、120~140h(预防)、3~15日(瘘)。 在连续给药过程中,应不间断地注入,换药间断不能超过1min。如间断的时间长,需重新给予250μg的冲击剂量,再继续以250μg/h的注入率给药。有可能时,通过输液泵给予生长抑素,以确保顺利而稳定的输入。本品不适用于动脉出血。治疗急性胰腺炎时应尽早在症状出现后给予治疗。本品贮于2~8℃的低温条件下。 [剂型与规格]注射剂:250μg/支,3mg/支。 [商品名] Stilamin(瑞士)。 【禁用慎用】 本品不适用于动脉出血。 怀孕、产后及哺乳期禁用。 【不良反应】 有短暂的恶心、面红、腹痛、腹泻和血糖轻微变化等。 【相互作用】 在动物实验中,与环乙烯巴比妥和五唑类有相互作用。 【相关商品名】 思他宁(原名:施他宁) 益达生 res://H:\DrugRefer\DrugRefer.exe/Blank.htm 2013-5-19

生长抑素对ODDIS括约肌的影响

wcjd@https://www.wendangku.net/doc/3c9678584.html, 世界华人消化杂志2009年6月18日; 17(17): 1749-1752 ISSN 1009-3079 CN 14-1260/R 文献综述 REVIEW 生长抑素对Oddi括约肌功能的影响周 婷, 陈明锴 周婷, 陈明锴, 武汉大学人民医院消化内科 湖北省武汉市 430060 作者贡献分布: 本文综述由周婷完成, 陈明锴审校. 通讯作者: 陈明锴, 430060, 湖北省武汉市, 武汉大学人民医院消化内科. kaimingchen@https://www.wendangku.net/doc/3c9678584.html, 收稿日期: 2009-03-28 修回日期: 2009-05-08 接受日期: 2009-05-11 在线出版日期: 2009-06-18 Effect of somatostatin on human sphincter of Oddi motility Ting Zhou, Ming-Kai Chen Ting Zhou, Ming-Kai Chen, Department of Gastroenterol-ogy, Renmin Hospital of Wuhan University, Wuhan 430060, Hubei Province, China Correspondence to: Ming-Kai Chen, Department of Gas-troenterology, Renmin Hospital of Wuhan University, Wuhan 430060, Hubei Province, China. kaimingchen@https://www.wendangku.net/doc/3c9678584.html, Received: 2009-03-28 Revised: 2009-05-08 Accepted: 2009-05-11 Published online: 2009-06-18 Abstract Native somatostatin is a gut hormone and neuropeptide, widely distributed in the nervous and gastrointestinal system, and has a broad range of biological actions. In gastrointestinal tract (GIT), somatostatin is mainly produced b y t h e d e l t a c e l l s o f t h e p a n c r e a s a n d gastrointestinal mucosal. The inhibitory effects of somatostatin on gastrointestinal motility and hormone secretion are mediated by a family of G protein-coupled receptors: the somatostatin receptors (SSTR1-5). The sphincter of Oddi (SO) located near the duodenum papillae is an anatomically and functionally distinct organ, SO motility is controlled and regulated by nerve, hormone and interstitial cells of Cajal. The effect of somatostatin on SO motility is still controversial. This article reviewed effect of somatostatin on human sphincter of oddi motility. Key Words: Somatostatin; Somatostatin receptor; Sphincter of Oddi Zhou T, Chen MK. Effect of somatostatin on human sphincter of Oddi motility. Shijie Huaren Xiaohua Zazhi 2009; 17(17): 1749-1752摘要 天然生长抑素(somatostatin, SST)是一种胃肠激素及神经肽, 主要分布于神经和消化系统中, 具有广泛的生物学效应. 消化系SST大多由胰腺和胃肠黏膜中的D细胞分泌, 能抑制胃肠运动及多种激素分泌. SST调节作用由G 蛋白偶联受体, 即生长抑素受体(somatostatin receptor, SSTR)介导. Oddi括约肌(sphincter of Oddi, SO)位于十二指肠乳头周围, 是一结构和功能相对独立的器官, 其运动主要受神经、激素、Cajal间质细胞的调节. SST对SO的作用尚存在争议, 本文就生长抑素对SO功能的影响进行综述. 关键词: 生长抑素; 生长抑素受体; Oddi括约肌 周婷, 陈明锴. 生长抑素对Oddi括约肌功能的影响. 世界华人消化杂志 2009; 17(17): 1749-1752 https://www.wendangku.net/doc/3c9678584.html,/1009-3079/17/1749.asp 0 引言 生长抑素(somatostatin, SST)是一种由神经内分泌细胞、炎症细胞、免疫细胞产生的调节性多肽[1], 具有广泛的生物学效应. 目前, SST对Oddi 括约肌(sphincter of Oddi, SO)的作用尚存在争议, 其中对胰腺炎SO作用研究报道最多, 也日益受到关注. 本文就SST对正常人SO功能的影响进行综述. 1 SO的概述 SO位于胆总管、胰管与十二指肠交界处[2], 十二指肠乳头周围, 由胆总管括约肌、胰管括约肌和壶腹部括约肌构成, 为复杂肌性结构, 富含平滑肌纤维. SO可分为固有肌和十二指肠延续肌纤维2类. 固有肌有内外2层: 内层主要为纵行肌, 外层主要为环行肌, 分别围绕2管周围[3]. 人体SO长约4-6 mm[4], 一般不超过10 mm[5], 个体差异较大. SO基础压明显高于十二指肠内压. 其运动形式有紧张性收缩和自发节律性收缩. 平滑肌细胞去极化是收缩的基础, 其节律性收缩表现为叠加于基础压上的时相性收缩运 https://www.wendangku.net/doc/3c9678584.html, ? ■背景资料 S S T是一种胃肠 激素及神经肽, 主 要分布在神经和 消化系统,具有 广泛的生物学效 应. 存在于胃肠道 的SST, 能通过神 经, 体液等多个途 径影响SO的运动, 但确切机制仍未 完全阐明, 其作用 还存在争议. ■同行评议者 陈积圣, 教授, 中 山大学孙逸仙纪 念医院肝胆外科

薄膜与涂层现代表面技术

材料表面技术分类 材料表面技术:材料表面涂镀技术、材料表面改性技术、材料表面微细加工技术、表面检测分析与质量评估。 材料表面涂镀技术:物理气相沉积PVD、化学气相沉积CVD、电镀及阳极氧化、化学镀、热喷涂喷焊、电刷镀、电泳涂层、涂镀(喷塑油漆)、表面复合处理技术、材料纳米化表面工程技术。 材料表面改性技术:活性气体离子处理、气体扩渗、液体扩渗、固体扩渗、机械强化、激光表面处理、电子束表面改性、离子束表面改性。 材料表面微细加工技术:光刻加工、电子束微细加工、离子束微细加工、激光束微细加工、微细电火花加工、微细喷粉加工、超声波加工、微细电解加工、微电铸加工、LIGA技术加工。 表面检测分析与质量评估:表面分析技术、表面物化特性、表面几何特性、表面力学特性、质量标准与质量评估。 表面工程学 现代材料表面工程学:材料表面工程基础理论、材料表面工程技术、材料表面检测技术、材料表面工程技术设计、材料表面工程应用。 材料表面工程基础理论:腐蚀与防护理论,表面磨擦与磨损理论,表面完整性与界面理论,表面物理化学,表面装饰与美学,表面机、力、热、光、声、电、磁等功能膜层设计理论,表面功能特性间耦合转换、复合性能理论,表面失效理论及其分析理论,低维材料的结构理论。 材料表面工程技术:材料表面改性技术、薄膜技术、涂层技术、材料表面复合处理技术、材料表面纳米化工程技术。 材料表面改性技术:表面形变强化,表面相变强化,表面扩散渗入,化学转化,电化学转化,等离子表面强化,离子束、电子束、激光束表面改性。 薄膜技术:光学薄膜沉积技术,电子学薄膜沉积技术,光电子薄膜沉积技术,集成光学薄膜沉积技术,传感器用薄膜沉积技术,金刚石薄膜(含类金刚石薄膜)沉积技术,防护用(耐蚀、耐磨、抗高温氧化、防潮、高强高硬、装饰等)薄膜沉积技术。 涂层技术:热喷涂技术、电化学沉积技术、有机涂层技术、无机涂层技术、热浸镀技术、防锈技术。 材料表面复合处理技术:镀覆层——热处理,表面热处理——表面化学处理,热处理——表面形变强化,镀膜——注入——扩渗,离子注入——镀膜,激光——气相沉积,电子束——气相沉积,等离子喷涂——激光。 材料表面纳米化工程技术:纳米颗粒复合电刷镀技术,纳米热喷涂技术,纳米涂装技术,纳米减摩自修复添加剂技术,纳米固体润滑干膜技术,纳米粘涂技术,纳米薄膜沉积技术。 材料表面检测技术:表面微观结构分析技术,表面化学分析技术,表面物理性能测试技术,表面力学性能测试技术,表面几何特性测试技术,表面无损检测技术。 材料表面工程技术设计:表面层成分结构设计,表面复合功能层设计,表面选择与应用设计,表面涂镀层制备工艺设计,表面工程施工设计,表面工程设备与工艺流程设计,表面工程车间设计。 材料表面工程应用:表面层特性及其综合利用,表面层原料及加工技术,表面层标准及检验,表面界面维修与再造,表面质量与工艺过程控制,表面工程管理与经济分析。 薄膜功能分类

类金刚石薄膜的性能与应用

学科前沿知识讲座论文

类金刚石薄膜的性能与应用 摘要: 类金刚石膜(Diamond-like Carbon)简称DLC,是一类性质类似于金刚石如具有高硬度、高电阻率、耐腐蚀、良好的光学性能等,同时其又具有自身独特摩擦学特性的非晶碳膜。作为功能薄膜和保护薄膜,其广泛应用于机械、电子、光学、医学、航天等领域中。类金刚石膜制备方法比较简单,易实现工业化,具有广泛的应用前景。 关键词:超硬材料类金刚石薄膜制备气象沉积表面工程技术引言 磨损是工程界材料功能失效的主要形式之一,由此造成的资源、能源的浪费和经济损失可用“巨大”来表示。然而,磨损是发生于机械设备零部件表面的材料流失过程,虽然不可避免,但若采取得力措施,可以提高机件的耐磨性。材料表面工程主要是利用各种表面改性技术,赋予基体材料本身所不具备的特殊的力学、物理或化学性能,如高硬度、低摩擦系数、良好的化学及高温稳定性、理想的综合机械性能及优异的摩擦学性能,从而使零部件表面体系在技术指标、可靠性、寿命和经济性等方面获得最佳效果。硬质薄膜涂层因能减少工件的摩擦和磨损,有效提高表面硬度、韧性、耐磨性和高温稳定性,大幅度提高涂层产品的使用寿命,而广泛应用于机械制造、汽车工业、纺织工业、地质钻探、模具工业、航空航天等领域。

一、超硬薄膜材料 随着材料科学和现代涂层技术的发展,应用超硬材料涂层技术改善零部件表面的机械性能和摩擦学性能是21世纪表面工程领域重要的研究方向之一。超硬薄膜是指维氏硬度在40GPa以上的硬质薄膜。到目前为止,主要有以下几种超硬薄膜: 1 金刚石薄膜 金刚石薄膜的硬度为50~100GPa(与晶体取向有关),从20世纪80年代初开始,一直受到世界各国的广泛重视,并曾于20世纪80年代中叶至90年代末形成了一个全球范围的研究热潮。金刚石膜所具有的最高硬度、最高热导率、极低摩擦系数、很高的机械强度和良好化学稳定性的优异性能组合使其成为最理想的工具和工具涂层材料。金刚石薄膜在摩擦学领域应用的突出问题,就是在载荷条件下薄膜与基体之间的粘附强度以及薄膜本身的粗糙度问题,目前,己经有针对性地开展了大量的研究工作。随着研究工作的不断深入,金刚石薄膜将会为整个人类社会带来巨大的经济效益。 2 立方氮化硼(c-BN)薄膜 立方氮化硼(c-BN)薄膜的硬度为50~80GPa,它具有与金刚石相类似的晶体结构,其物理性能也与金刚石十分相似。与金刚石相比,c-BN的显著优点是具有良好的热稳定性和化学稳定性,适用于作为超硬刀具涂层,特别是用于加工铁基合金的刀具涂层。 3 碳氮膜 碳氮膜是新近开发的超硬薄膜材料,理论预测它具有达到和

类金刚石薄膜制备和应用

类金刚石膜调研 类金刚石薄膜发展史: 金刚石、类金刚石薄膜技术,是指利用各种光学薄膜制作技术制作接近天然金刚石和人造单晶金刚石特性(如在较宽光谱内均具有很高的光透过率--在2~15μm(微米)范围光的吸收率低到1%;具有很高的硬度、良好的导热性、耐腐蚀性以及化学稳定性高--1000℃(摄氏度)以上仍保持其化学稳定性等)的人造多晶金刚石薄膜、类金刚石薄膜(又称为硬碳膜、离子碳膜、或透明碳膜)的一种技术。 光学应用金刚石、类金刚石薄膜主要采用低压化学汽相沉积(CVD)技术制备。低压CVD 技术包括热丝CVD法、等离子体CVD法、离子束蒸镀法、光/激光CVD法附加活性氢激光CVD 法等。 目前,CVD法制作金刚石薄膜已取得丰硕成果,但作为红外光学薄膜应用还需进一步解决金刚石薄膜对红外光学材料的粘着性和光散射的问题。CVD法制作的金刚石薄膜与硅基片的粘着性是不错的,但是与其他材料(如锗、硫化锌等)基片的粘着性就甚差,或是根本就粘着不到一起去。对于光散射的问题,则是要求如何更好地控制金刚石薄膜表面形态和晶粒结构。理想的CVD法制造的红外光学应用的金刚石薄膜或许是一种单晶结构的膜,但是,目前使用CVD法还不能制造单晶结构的金刚石薄膜。此外,大面积薄膜的制作、膜的光洁度等技术课题以及金刚石薄膜的制作成本问题,都有待于继续研究解决。 1.1金刚石、类金刚石薄膜研究进展 自1963年在一次偶然的机会出现了不寻常的硬度和化学性能好的化学汽相沉积(CVD)碳形式的薄膜后,国外有不少研究单位开始研究金刚石薄膜的沉积工艺.1971年,艾森伯格(Aisenberg)和沙博(Chabot)等人,利用离子束蒸镀法,以石墨作薄膜材料,通过氩气弧光放电使石墨分解电离产生碳离子。碳离子经磁场聚焦成束,在比较高的真空条件下,在低压沉积室内的室温下的基片上沉积出了硬碳膜。这种硬碳膜具有近似于金刚石的一些特性-如透明度高、电阻抗大、硬度高等。当时,这种膜被人们称作i形碳。直到1976年,斯潘塞(Spencer)等人对这种应碳膜的结构进行了探讨,结果确认膜中有金刚石等数种碳系结晶,后才被人们称之为类金刚石膜。就在这一年,德贾吉恩(Derjaguin)等人利用化学转变法合成出了金刚石薄膜。从此之后,低压CVD金刚石薄膜工艺引起了人们的注意。70年代中期,前苏联

奥曲肽作用机制——摘录整理

奥曲肽(octreotid)作为一种强效的SST类似物,其作用机制一般认为通过以下两方面发挥作用。 ①直接作用: 与特异性生长抑素受体结合,经以下三个重要的信息传导途径,抑制DNA合成复制。 cAMP途径:cAMP升高会引发肿瘤细胞的增殖活动,SSTR能与腺苷酸环化酶负性结合,降低胞内cAMP 浓度; 磷酸蛋白酶途径:SSTR2与SSTR5被激活后,可上调该酶的活性,使酪氨酸激酶立即发生去磷酸化而失活,从而抑制细胞的DNA合成; Ca 途径:SSTR2与SSTR5可抑制胞外Ca 内流,胞内Ca 浓度降低,抑制细胞的增殖。 此外,最新研究还发现,somatostatin可以抗有丝分裂,导致细胞周期改变。 ②间接作用: 通过抑制肿瘤增殖所需激素、生长因子的分泌,减少其血供以及调节机体免疫活性的方式,间接阻止肿瘤生长。 通过抑制神经胶质瘤细胞分泌VEGFte、表皮生长因子(EGF)、肿瘤自分泌生长因子等多种肿瘤生长刺激因子的基因表达及提高其与相应蛋白的结合率,降低其在循环系统及肿瘤局部的浓度,阻断它们的信号传递,达到抑制肿瘤生长的目的。 肿瘤周围血管有SSTR分布,而且越靠近肿瘤的血管,SSTR表达密度越高,当Octreotide与SSTR特异性结合后,可引起肿瘤周边血管强烈收缩,并能抑制新生血管形成,从而减少肿瘤血供,导致肿瘤局部缺血坏死。 Octreotide还能刺激人体NK细胞和网状内皮细胞系统的活性,提高整个机体的免疫功能,从而抑制肿瘤细胞的生长。 VEGF是一种强烈的血管生成因子,许多肿瘤(如乳腺癌、胃癌、肾癌、结肠癌),VEGF的表达与MVD密切相关。肿瘤的微血管密度(MVD)被认为是能反映肿瘤血管生成的一个指标,它不仅与肿瘤细胞的营养和供氧有关,而且也反映肿瘤的浸润和转移能力。由于肝癌血管结构特殊,血供丰富,抑制肿瘤血管生成对治疗肝癌更具有重要意义。本研究结果表明,Octreotide对裸鼠小瘤的MVD 和VEGF均有明显的抑制作用,从而表现为对肿瘤的明显抑制。抑瘤率高达72.3%。 细胞凋亡在肿瘤的发生和生长过程中具有重要作用,Sharma等研究认为OCT通过选择性结合SSTR3亚型,诱导细胞质的酪氨酸磷酸酶SHP-1移位到胞膜!增加膜的SHP-1活性而发挥信号传递作用,激活Ca2+/Mg2+不依赖的核酸内切酶,引起DNA断裂,并激活促凋亡基因Bax和野生型P53从而诱导细胞 凋亡的发生.本实验通过流式细胞仪分析发现OCT作用72h,SGC7901细胞可发生凋亡,出现明显的 凋亡峰,并经光镜、图像分析观察到凋亡特征性的形态学改变,这均证明了OCT能直接诱导胃癌细胞凋亡。因此我们认为OCT诱导细胞凋亡是其抗肿瘤作用的重要机制之一。 生长抑素及其类似物的抗癌机制,大致可分为两条途径: ①生长抑素受体介导途径; ②非受体介导途径:如抑制促进肿瘤生长的激素及细胞因子,诱导凋亡,抑制肿瘤血管等。 肿瘤血管生成的机制及抗血管生成剂的研究已成为近来肿瘤研究的热点之一。由于肝癌血管结构特殊,血供丰富,抑制肿瘤血管生成对治疗肝癌更具有重要意义。肿瘤的微血管密度(MVD)

生长抑素说明书

【药品名称】 通用名:注射用生长抑素 英文名:Somatostatin for Injection 汉语拼音:Zhusheyong Shenzhangyisu 【成分】 本品主要成分为生长抑素,为人工合成的环状十四肽。 【性状】 本品为白色疏松块状物或粉末。 【药理毒理】 生长抑素是人工合成的环状十四氨基酸肽,其与天然生长抑素在化学结构和作用机理上完全相同。生理性生长抑素主要存在于丘脑下部和胃肠道。通过静脉注射生长抑素可抑制生长激素、甲状腺刺激激素、胰岛素和胰高血糖素的分泌,并抑制胃酸的分泌。它还影响胃肠道的吸收、动力、内脏血流和营养功能。生长抑素可抑制胃泌素和胃酸以及胃蛋白酶的分泌,从而治疗上消化道出血,可以明显减少内脏器官的血流量,而又不引起体循环动脉血压的显著变化,因而在治疗食道静脉曲张出血方面有一定的临床价值。生长抑素可减少胰腺的内分泌和外分泌,用以预防和治疗胰腺外科手术后并发症。生长抑素还可以抑制胰高血糖素的分泌,从而有效地治疗糖尿病酮症酸中毒。 【药代动力学】 健康人内源性生长抑素在血浆中的浓度很低,一般在175ng/L以下。在静脉注射给药后,生长抑素显示出非常短的血浆半衰期,依据放射性免疫测定结果,其半衰期一般大约在1.1分钟至3分钟之间;对于肝脏病人,其半衰期在1.2分钟至4.8分钟之间;对于慢性肾衰病人,其半衰期大约在2.6分钟至4.9分钟之间。以每小时75μg的速度静脉滴注生长抑素之后,在15分钟内浓度达峰为1250ng/L,代谢清除率为每分钟1L,半衰期为2.7分钟左右。静脉注射2μg的125Ⅰ甲状腺素生长抑素之后,4小时后40%经尿排出,24小时后排泄70%。生长抑素在肝脏中通过肽链内切酶和氨基肽酶裂解分子中的N-末端和环化部分,迅速在肝内代谢。 【适应症】 本品主要用于: 1.严重急性食道静脉曲张出血; 2.严重急性胃或十二指肠溃疡出血,或并发急性糜烂性胃炎或出血性胃炎; 3.胰腺外科术后并发症的预防和治疗; 4.胰、胆和肠瘘的辅助治疗; 5.糖尿病酮症酸中毒的辅助治疗。 【用法用量】 静脉给药(静脉注射或静脉滴注)。通过慢速冲击注射(3~5分钟)0.25mg或以每小时0.25mg 的速度连续滴注给药(一般是每小时每公斤体重用药量为0.0035mg)。临使用前,每支冻干剂用1ml生理盐水溶液溶解。对于连续滴注给药,须用本品3mg配备够使用12小时的药液(溶剂既可为生理盐水或5%的葡萄糖溶液),输液量调节在每小时0.25mg。

类金刚石薄膜

类金刚石薄膜 类金刚石薄膜是近来兴起的一种以sp3和sp2键的形式结合生成的亚稳态材料,兼具了金刚石和石墨的优良特性,而具有高硬度.高电阻率.良好光学性能以及优秀的摩擦学特性。 类金刚石薄膜通常又被人们称为DLC薄膜,是英文词汇Diamond Like Carbon的简称,它是一类性质近似于金刚石,具有高硬度.高电阻率.良好光学性能等,同时又具有自身独特摩擦学特性的非晶碳薄膜。碳元素因碳原子和碳原子之间的不同结合方式,从而使其最终产生不同的物质:金刚石(diamond)—碳碳以sp3键的形式结合;石墨(graphite)—碳碳以sp2键的形式结合;而如同绪论里所述类金刚石(DLC)—碳碳则是以sp3和sp2键的形式结合,生成的无定形碳的一种亚稳定形态,它没有严格的定义,可以包括很宽性质范围的非晶碳,因此兼具了金刚石和石墨的优良特性;所以由类金刚石而来的DLC膜同样是一种亚稳态长程无序的非晶材料,碳原子间的键合方式是共价键,主要包含sp2和sp3两种杂化键,而在含氢的DLC膜中还存在一定数量的C-H键。由两个相同或不相同的原子轨道沿轨道对称轴方向相互重叠而形成的共价键,叫做σ键。σ键是原子轨道沿轴方向重叠而形成的,具有较大的重叠程度,因此σ键比较稳定。σ键是能围绕对称轴旋转,而不影响键的强度以及键跟键之间的角度(键角)。根据分子轨道理论,两个原子轨道充分接近后,能通过原子轨道的线性组合,形成两个分子轨道。其中,能量低于原来原子轨道的分子轨道叫成键轨道,能量高于原来原子轨道的分子轨道叫反键轨道。以核间轴为对称轴的成键轨道叫σ轨道,相应的键叫σ键。以核间轴为对称轴的反键轨道叫σ*轨道,相应的键叫σ*键。分子在基态时,构成化学键的电子通常处在成键轨道中,而让反键轨道空着。σ键是共价键的一种。它具有如下特点:第一点,σ键有方向性,两个成键原子必须沿着对称轴方向接近,才能达到最大重叠;第二点,成键电子云沿键轴对称分布,两端的原子可以沿轴自由旋转而不改变电子云密度的分布;第三点,σ键是头碰头的重叠,与其它键相比,重叠程度大,键能大,因此,化学性质稳定。共价单键是σ键,共

金刚石薄膜

金刚石薄膜 类金刚石薄膜是近来兴起的一种以sp3和sp2键的形式结合生成的亚稳态材料,兼具了金刚石和石墨的优良特性,而具有高硬度。高电阻率。良好光学性能以及优秀的摩擦学特性。 结构 类金刚石薄膜通常又被人们称为DLC薄膜,是英文词汇DiamondLikeCarbon的简称,它是一类性质近似于金刚石,具有高硬度.高电阻率.良好光学性能等,同时又具有自身独特摩擦学特性的非晶碳薄膜。碳元素因碳原子和碳原子之间的不同结合方式,从而使其最终产生不同的物质:金刚石(diamond)-碳碳以sp3键的形式结合;石墨(graphite)-碳碳以sp2键的形式结合;而如同绪论里所述类金刚石(DLC)-碳碳则是以sp3和sp2键的形式结合,生成的无定形碳的一种亚稳定形态,它没有严格的定义,可以包括很宽性质范围的非晶碳,因此兼具了金刚石和石墨的优良特性;所以由类金刚石而来的DLC膜同样是一种亚稳态长程无序的非晶材料,碳原子间的键合方式是共价键,主要包含sp2和sp3两种杂化键,而在含氢的DLC膜中还存在一定数量的C-H键。 由两个相同或不相同的原子轨道沿轨道对称轴方向相互

重叠而形成的共价键,叫做σ键。σ键是原子轨道沿轴方向重叠而形成的,具有较大的重叠程度,因此σ键比较稳定。σ键是能围绕对称轴旋转,而不影响键的强度以及键跟键之间的角度(键角)。根据分子轨道理论,两个原子轨道充分接近后,能通过原子轨道的线性组合,形成两个分子轨道。其中,能量低于原来原子轨道的分子轨道叫成键轨道,能量高于原来原子轨道的分子轨道叫反键轨道。以核间轴为对称轴的成键轨道叫σ轨道,相应的键叫σ键。以核间轴为对称轴的反键轨道叫σ*轨道,相应的键叫σ*键。分子在基态时,构成化学键的电子通常处在成键轨道中,而让反键轨道空着。 σ键是共价键的一种。它具有如下特点: 第一点,σ键有方向性,两个成键原子必须沿着对称轴方向接近,才能达到最大重叠;第二点,成键电子云沿键轴对称分布,两端的原子可以沿轴自由旋转而不改变电子云密度的分布;第三点,σ键是头碰头的重叠,与其它键相比,重叠程度大,键能大,因此,化学性质稳定。共价单键是σ键,共价双键有一个σ键,π键,共价三键由一个σ键,两个π键组成。 分类 类金刚石薄膜(DLC)是1种非晶薄膜,可分为无氢类金刚石碳膜(a-C)和氢化类金刚石碳膜(a-C:H)(图2)两类。无氢类金刚石碳膜有a-C膜(主要由sp3和sp2键碳原子相互混杂

金刚石涂层

化学气相沉积法制备金刚石涂层 金刚石是硬度最高的固体物质(HV= 100GPa),性质稳定,耐磨,但却难以加工成各种所需的零件和制品。采用气相沉积法制备金刚石涂层,可以使金刚石性质得以从分利用,同时也节约了成本。下面以金刚石涂层拉拔模具的制备为例,简单介绍化学气相沉积法金刚石涂层的制备方法。 金属线材行业是我国的主要传统产业,而金属线材生产企业重要的易消品就是拉拔模具,其使用方式如图1所示,拉拔模具的性能决定了金属线材的质量、生产效率和生产成本。目前线材行业所用的模具主要为硬质合金模具和聚晶金刚石模具两大类。硬质合金模具寿命短,易粘料,生产效率低;聚晶金刚石模具价格高,制作较大尺寸模具和异形模具非常困难,且韧性较差。本文应用化学气相沉积 (chemicMvaperdepsdition,CVD)金刚 石涂层技术,制成金刚石涂层拉拔模 具,克服了硬质合金拉拔模具不耐磨 和聚晶金刚石拉拔模具韧性较差的缺 点,成为新一代的拉拔模具。 金刚石涂层拉拔模具的制备过 程:金刚石涂层拉丝模具是以YG6 硬质合金模具为基体,经过特殊的表 面处理后,用气相沉积方法,在硬质合金拉丝模具基体工作区域表面沉积10—30p,m的多晶金刚石膜。经修整、抛光、镶套后制作成成品,具体过程如图2所示。 (1)准备工作 选择YG6牌号硬质合金模具,坯料孔型和尺寸与所要制备的成品模具相适应,通过内孔研磨修整工艺将模具坯料修整为合适的形状,预留30u m 左右的尺寸余量,以配合涂层厚度尺寸。将修整完毕的硬质合金模具进行喷砂处理,去除表面的污染物和疏松层,再使用蒸馏水、酒精在超声波清洗机中清洗。最后将模具在配制好的酸、碱液中进行表面腐蚀处理,并采用蒸馏水、酒精超声波清洗,完毕后将试件装入自制的热丝CVD金刚石沉积设备中。 (2)涂层沉积

几种CVD制备金刚石薄膜的方法.

几种CVD制备金刚石薄膜的方法 1.热丝CVD法 此法又称为热解CVD法,Matsumoto等人采用热丝CVD法成功地生长出了金刚石薄膜。该法是把基片(Si、Mo、石英玻璃片等放在石英玻璃管做成的反应室内,把石英管内抽成真空后,把CH4和H2的混合气体输人到装在管中的钨丝附近(两种气体的流量比为0.5%-5%。用直流稳压电源加热钨丝到约2000℃,反应室内温度为700~900℃,基片温度为900℃左右,室内气体压力为1×103-1×105Pa。在这样的反应条件下,CH4和H2混合气中的H2被热解,产生原子态氢,原子态氢与CH4反应生成激发态的甲基,促进了碳化氢的热分解,促使金刚石SP3杂化C-C键的形成,使金刚石在基片上沉积,获得立方金刚石多晶薄膜。沉积速率为8-10μm/h 我国的金曾孙等人也用热丝CVD法生长出质量很好的金刚石薄膜。实验表明,基片温度和甲烷的浓度是薄膜生长最为重要的参数,它们对金刚石薄膜的结构、晶形、膜的质量和生长速率影响甚大。该法的特点是装置结构简单、操作方便、容易沉积出质量较好的金刚石膜。 2.电子加速CVD法 此法是在用热丝CVD法沉积金刚石薄膜过程中,用热电子轰击基片表面,加速金刚石在基片上沉积。与热丝CVD法不同的是,该法把电压正极接在用铝制成的基片架上,经加热的钨丝发射电子,电子在电场作用下轰击阳极的基片。CH4和H2的混合气体被输送到基片表面,由于热反应和热电子轰击的双重作用,使气体发生分解,形成各种具有活性的碳氢基团,促使具有双键和三键的碳离解,加速金刚石的成核和生长。基片可选用Si、SiC、Mo、WC、A12O3等材料。一般的工艺参数是:甲烷为ψ(CH4=0.5%~2.0%;气体流速为5-50cm3/min;基片温度在500~750℃之间;钨丝温度为2000℃;基片支架的电流密度为10mA/cm2,电压150V。用此法沉积出的金刚石薄膜的性质与天然金刚石基本相同,晶形完整,生长速率一般为3~5μm/h。此法的特点是通过电子轰击基片,从而加速了CH4和H2的分解,增加了基片表面上金刚石的

生长抑素

参照说明书整理的,多是理论的东西。 1、分类 根据作用时长,生长抑素及其类似物可分为 (1)生长抑素,代表药物思他宁。静脉注射后半衰期一般在1-3分钟之间,以75μg/h静滴后,半衰期约为2(2)奥曲肽,代表药物善宁。皮下给药清除半衰期为100min,静脉注射后其消除呈双相,半衰期分别为10min (3)兰瑞肽,通常可以每二周给药一次。 (4)奥曲肽微球,代表药物善龙。通常可以每四周给药一次。 根据结构可分为: (1)生长抑素:人工合成14个氨基酸组成的环状活性多肽 (2)奥曲肽,人工合成的8肽生长抑素类似物 2、思他宁与奥曲肽不同点 (1)作用 奥曲肽作用时间相对于生长抑素长,在动物体内,奥曲肽在抑制生长激素、胰高糖素和胰岛素释放方面比生长抑生长激素和胰高糖素选择性更高。与生长抑素相比,奥曲肽对生长激素分泌的抑制比对胰岛素分泌的抑制更强,的反弹性高分泌(例如:肢端肥大症中的生长激素)。 (2)适应症 思他宁适应症为严重急性食道静脉曲张出血;严重急性胃或十二指肠溃疡出血,或并发急性糜烂性胃炎或出血性肠瘘的辅助治疗;胰腺术后并发症的预防和治疗;糖尿病酮症酸中毒的辅助治疗。 善宁适应症为1、肢端肥大症(对手术治疗或放疗失败,或不能、不愿接受手术以及放射治疗尚未生效的间歇期患控制症状并降低生长激素和胰岛素样生长因子1的水平); 2、缓解与功能性胃肠胰内分泌瘤有关的症状和体征。本品对以下肿瘤有效:具有类癌综合征表现的类癌肿瘤;VIP瘤(血管活性肠肽瘤);胰高糖素瘤;胃泌素瘤(通剂或H2受体阻断剂联用);胰岛素瘤(术前预防低血糖症和维持正常血糖);生长激素释放因子瘤3、预防胰腺手内窥镜硬化剂等特殊手段联合用于肝硬化所致的食管-胃静脉曲张出血的紧急治疗。 兰瑞肽适应症为肢端肥大症:外科手术和/或放射治疗之后生长激素分泌异常时;类癌临床症状的治疗:试验性(3)相同适应症时用法用量 治疗静脉曲张出血。思他宁建议负荷剂量250μg而后立即每小时250μg静脉点滴给药,当两次输液给药间隔大重新给予负荷剂量。通常疗程为120小时。 (可是为毛我们医院用的是6mg配成50ml,4.2ml微泵泵入,算下来是500 不对啊) 奥曲肽用法为0.025mg/h,最多治疗5天。 (4)给药方式 思他宁用法用量中只提到了静脉给药,善宁在治疗肢端肥大症和胃肠内分泌肿瘤及预防胰腺手术后并发症予以皮能通过臀部肌肉深部注射给药,而决不能静脉注射。 (5)规格 思他宁规格为250μg,750μg和3mg,善宁规格为1ml:0.1mg,善龙规格为10mg x 1 瓶;20mg x 1 瓶 二、加压素 (1)鞣酸加压素:长效尿崩停 临床应用:1、用于中枢性尿崩症的治疗 药效学:本药对肾脏有直接抗利尿作用,也能收缩周围血管,并引起肠道、胆囊及膀胱的收缩,但几乎无催产作(2)醋酸去氨加压素 药效学:本药与天然激素精氨酸加压素的结构类似。去氨加压素具有较强的抗利尿作用及较弱的加压作用,其抗用比是加压素的2000-3000倍,作用维持时间也较加压素长,此外本药的催产素活性明显减弱,仅为精氨酸加压(3)特利加压素 药效学:特利加压素为加压素的合成类似物,使用赖氨酸替代了内源性加压素肽链中第八位的精氨酸,同时在半三个甘氨酸组成的氨基酸支链。特利加压素进入体内后,其分子中的甘氨酰基被酶催化水解而缓慢转化为赖氨酸

相关文档