数字电路课后答案--第一单元

1.1 检验学习结果

1、什么是本征激发？什么是复合？少数载流子和多数载流子是如何产生的？

答：由于光照、辐射、温度的影响而产生电子—空穴对的现象称为本征激发；同时进行

的价电子定向连续填补空穴的的现象称为复合。掺入三价杂质元素后，由于空穴数量大大增加而称为多子，自由电子就是少子；掺入五价元素后，由于自由电子数量大大增加而称为多子，空穴就是少子。即多数载流子和少数载流子的概念是因掺杂而形成的。

2、半导体的导电机理和金属导体的导电机理有何区别？

答：金属导体中存在大量的自由电子载流子，因此金属导体导电时只有自由电子一种载流子；而半导体内部既有自由电子载流子又有空穴载流子，在外电场作用下，两种载流子总是同时参与导电，这一点是它与金属导体导电机理的区别。

3、什么是本征半导体？什么是N型半导体？什么是P型半导体？

答：原子排列得非常整齐、结构完全对称的晶体称为本征半导体

．．．．．。本征半导体掺入五价元素后形成N型半导体；掺入三价元素后形成P形半导体。

4、由于Ｎ型半导体中多数载流子是电子，因此说这种半导体是带负电的。这种说法正确吗？为什么？

答：这种说法不正确。因为，虽然N型半导体中有多子和少子之分，造成定城的离子带正电，但是整个晶体上的正、负电荷总数在掺杂过程中并没有失去或增加，所以晶体不带电。

5、试述雪崩击穿和齐纳击穿的特点。这两种击穿能否造成PN结的永久损坏？

答：电击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿，前者是一种碰撞的击穿，后者属于场效应的击穿，这两种电击穿一般可逆，不会造成PN结的永久损坏。

6、何谓扩散电流？何谓漂移电流？何谓PN结的正向偏置和反向偏置？说说PＮ结有什么特性？

答：由多子形成的导通电流称扩散电流，由少子形成的电流称为漂移电流；当PN结的阳极P接电源正极，阴极N接电源负极时称为正向偏置，反之为反向偏置；PN结具有“正向导通、反向阻断”的单向导电性。

1.2 检验学习结果

1、何谓死区电压？硅管和锗管死区电压的典型值各为多少？为何会出现死区电压？

答：二极管虽然具有单向导电性，但是当正向电压较小时，由于外加正向电压的电场还不足以克服PN结的内电场对扩散运动的阻挡作用，二极管仍呈现高阻态，所以通过二极管

的正向电流几乎为零，即基本上仍处于截止状态，这段区域通常称为死区

．．。二极管工作在死区时，硅管的死区电压典型值是0.5V，锗管的死区电压典型值是0.1V。

2、为什么二极管的反向电流很小且具有饱和性？当环境温度升高时又会明显增大？

答：由于常温下少数载流子的数量不多，故反向电流很小，而且当外加电压在一定范围内变化时，反向电流几乎不随外加电压的变化而变化，因此反向电流又称为反向饱和电流。当环境温度升高时，受温度影响本征激发和复合运动加剧，因此少子数量增大。

3、把一个1.5V 的干电池直接正向联接到二极管的两端，会出现什么问题？

答：测量二极管类型及好坏时，通常采用1.5V 干电池串一个约1k 的电阻，并使二极管按正向接法与电阻相连接，使二极管正向导通。如果测量时直接把1.5V 的干电池正向连接到二极管的两端，因为没有限流电阻，很有可能使二极管中因电流过大而损坏。

4、二极管的伏安特性曲线上可分为几个区？能否说明二极管工作在各个区时的电压、电流情况？

答：二极管的伏安特性曲线上通常分为死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区。二极管工作在死区时，由于正向电压小于和等于死区电压，因此无法抵消PN 结内电场对正向扩散电流的阻碍作用，电流趋近于零；二极管工作在正向导通区时，管子正向端电压的数值基本保持在小于1V 的情况下不变，而在此电压下管子中通过的电流增长很快；二极管工作在反向截止区时，当温度不变时反向电流基本不变，且不随反向电压的增加而增大，故称为反射饱和电流，若温度变化时，对反向截止区的电流影响较大；二极管工作在击穿区时，特点是电压增加一点即造成电流迅速增大，若不加限制，则二极管有热击穿的危险。

5、半导体二极管工作在击穿区，是否一定被损坏？为什么？

答：半导体二极管工作在击穿区时不一定会损坏。因为，如果是电击穿，一般过程可逆，只要限流措施得当或及时撤掉击穿电压，就不会造成PN 结的永久损坏。但是，电击穿若不加任何限制而持续增强时，由于PN 结上的热量积累就会造成热击穿，热击穿过程不可逆，就会造成二极管的永久损坏。

6、理想二极管电路如图1-16所示。已知输入电压u i ＝10sinωt V ，试画出输出电压u 0的波形。

答： （a ）图：图中二极管若看作理想二极管，当输入正弦波电压低于－5V 时，二极管D 导通，输出电压u O =u i ；当输入正弦波电压高于－5V 时，二极管D 截止，输出电压u O =－5V

（b ）图：图中二极管也看作理想二极管，当输入正弦波电压高于＋5V 时，二极管D 导通，输出电压u O =u

i ；当输入正弦波电压低于＋5V 时，二极管D 截止，输出电压u O =＋5V ，波形如下图所示：

图1-16 检验题6电路图

1.3 检验学习结果

1、利用稳压管或普通二极管的正向压降，是否也可以稳压？

答：不可以。因为，硅二极管或稳压管的正向压降正常工作时只有0.7V，正向电压在正向偏置时管压降只能是0～0.7V，超过此电压过大时，二极管的管压降也不会超过1V，因此它们的正向压降是不能稳压的。

2、现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问：

（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？

（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？

答：（1）将额定电压分别为6V和8V的两个稳压管串联相接：反向串联时稳压值为14V；正向串联时1.4V；一反一正串联时可获得6.7V、8.7V。

（2）将额定电压分别为6V和8V的两个稳压管并联相接：反向并联时稳压值为6V；正向并联时或一反一正并联时只能是0.7V。

3、在图1-20所示电路中，发光二极管导通电压U D＝1.5V，正向电流在5～15mA时才能正常工作。试问图中开关S在什么位置时发光二极管才能发光？R的取值范围又是多少？

答：图中开关S闭合时发光二极管可导通。导通发光时正向5mA电流下1.5÷5=0.3kΩ；正向15mA电流下1.5÷15=0.1kΩ。因此限流电阻R的取值范围：100Ω～300Ω。

1.4 检验学习结果

1、三极管的发射极和集电极是否可以互换使用？为什么？

答：由于三极管的发射区和集电区掺杂质浓度上存在较大差异，且面积也相差不少，因此不能互换使用。如果互换使用，其放大能力将大大下降甚至失去放大能力。

2、三极管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数是否也等于β？

答：三极管工作在饱和区时，电流放大能力下降，电流放大系数β值随之下降。

3、使用三极管时，只要①集电极电流超过I CM值；②耗散功率超过P CM值；③集—射极电压超过U（BR）CEO值，三极管就必然损坏。上述说法哪个是对的？

答：其中只有说法②正确，超过最大耗散功率P CM值时，三极管将由于过热而烧损。

4、用万用表测量某些三极管的管压降得到下列几组数据，说明每个管子是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？它们各工作在什么区域？

①U BE＝0.7V，U CE＝0.3V；

②U BE＝0.7V，U CE＝4V；

③U BE＝0V，U CE＝4V；

④U BE＝－0.2V，U CE＝－0.3V；

⑤U BE＝0V，U CE＝－4V。

答：①NPN硅管，饱和区；②NPN硅管，放大区；③NPN硅管，截止区；④PNP锗管，放大区；⑤PNP锗管，截止区。

1.5 检验学习结果

1、双极型三极管和单极型三极管的导电机理有什么不同？为什么称双极型三极管为电流控制型器件？MOS管为电压控制型器件？

答：双极型三极管有多子和少子两种载流子同时参与导电；单极型三极管只有多子参与导电。由于双极型三极管的输出电流I C受基极电流I B的控制，因此称其为电流控件；MOS 管的输出电流I D受栅源间电压U GS的控制，因之称为电压控制型器件。

2、当U GS为何值时，增强型N沟道MOS管导通？

答：当U GS=U T时，增强型N沟道MOS管开始导通，随着U GS的增加，沟道加宽，I D增大。当U GD＝U GS－U DS

3、在使用MOS管时，为什么其栅极不能悬空？

答：因为单极型三极管的输入电阻很高（二氧化硅层的原因），在外界电压的影响下，

栅极容易产生相当高的感应电压，造成管子击穿，所以，MOS

．．．．．．．．．．．．

．．．管在不使用时应避免栅极悬

空．，务必将各电极短接

．．．．．．．．。

4、双极型三极管和MOS管的输入电阻有何不同？

答：双极型三极管的输入电阻r be一般在几百欧～千欧左右，相对较小；而MOS管绝缘层的输入电阻极高，趋近于无穷大，因此通常认为栅极电流为零。

第1章检测题（共100分，120分钟）

一、填空题：

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。

5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测

二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化不通。

6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。

二、判断正误：

1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错）

2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（错）

3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错）

4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（错）

5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错）

6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对）

7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿损坏。（错）

8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时，该管必被击穿。（错）

9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。（错）

10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（错）

三、选择题：

1、单极型半导体器件是（C）。

A、二极管；

B、双极型三极管；

C、场效应管；

D、稳压管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。

A、三价；

B、四价；

C、五价；

D、六价。

3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。

A、导通状态；

B、截止状态；

C、反向击穿状态；

D、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。

A、已经击穿；

B、完好状态；

C、内部老化不通；

D、无法判断。

5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。

A、多子扩散；

B、少子扩散；

C、少子漂移；

D、多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。

A、放大区；

B、饱和区；

C、截止区；

D、反向击穿区。

7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。

A、较大；

B、较小；

C、为零；

D、无法判断。

8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。

A、矩形方波；

B、等腰三角波；

C、正弦半波；

D、仍为正弦波。

9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。

A、集电极最大允许电流I CM；

B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；

C、集电极最大允许耗散功率P CM；

D、管子的电流放大倍数 。

10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ）

A 、发射结正偏、集电结正偏；

B 、发射结反偏、集电结反偏；

C 、发射结正偏、集电结反偏；

D 、发射结反偏、集电结正偏。

四、简述题：

1、N 型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P 型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N 型半导体带负电，P 型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？

答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N 型半导体或P 型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。

2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V 、管脚②3V 、管脚③3.7V ，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。

答：管脚③和管脚②电压相差0.7V ，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个NPN 型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。

3、图1-33所示电路中，已知E =5V ，t u ωsin 10i =V ，

二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R =0，反向阻断

时电阻R =∞），试画出u 0的波形。

答：分析：根据电路可知，当u i >E 时，二极管导通u 0=u i ，

当u i

示：

4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？

答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。

5、图1-34所示电路中，硅稳压管D Z1的稳定电压为8V ，D Z2的稳定电压为6V ，正向压降均为0.7V ，求各电路的输出电压U 0。

答：（a ）图：两稳压管串联，总稳压值为14V ，所以U 0=14V ；

（b ）图：两稳压管并联，输出电压按小值计，因此U 0=6V ；

（c ）图：两稳压管反向串联，U 0=8.7V ；

（d ）图：两稳压管反向并联，可认为DZ1截止不通，则U 0=0.7V 。

6、半导体二极管由一个PN 结构成，三极管则由两个PN 结构成，那么，能否将两个二图1-33

t

极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？

答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为，两个背靠背的二极管，其基区太厚，不符合构成三极管基区很薄的内部条件，即使是发射区向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向集电区扩散，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。

7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？

答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。

五、计算分析题：

1、图1-35所示三极管的输出特性曲线，试指出各区域名称并根据所给出的参数进行分析计算。（8分）

（1）U CE =3V ，I B =60μA ，I C =？

（2）I C =4mA ，U CE =4V ，I CB =？

（3）U CE =3V ，I B 由40~60μA 时，β=？

解：A 区是饱和区，B 区是放大区，C 区是截止区。

（1）观察图6-25，对应I B =60μA 、U CE =3V 处，集电极电流I C 约为3.5mA ；

（2）观察图6-25，对应I C =4mA 、U CE =4V 处，I B 约小于80μA 和大于70μA ；

（3）对应ΔI B =20μA 、U CE =3V 处，ΔI C ≈1mA ，所以β≈1000/20≈50。

图1-34

I C (m A)

U CE (V)

图1-35

2、已知NPN 型三极管的输入—输出特性曲线如图1-36所示，当

（1）U BE =0.7V ，U CE =6V ，I C =？

（2）I B =50μA ，U CE =5V ，I C =？

（3）U CE =6V ，U BE 从0.7V 变到0.75V 时，求I B 和I C 的变化量，此时的？=β（9分） 解：（1）由（a ）曲线查得U BE =0.7V 时，对应I B =30μA ，由(b)曲线查得I C ≈3.6mA ；

（2）由（b ）曲线可查得此时I C ≈5mA ；

（3）由输入特性曲线可知，U BE 从0.7V 变到0.75V 的过程中，ΔI B ≈30μA ，由输出特性曲线可知，ΔI C ≈2.4mA ，所以β≈2400/30≈80。

图1-36

I C (m A) U CE (V)

（b ）输出特性曲线 （a ）输入特性曲线 I B 12

8

6

0 4

2

0 BE (V)

《数字电路》期末模拟试题及答案

- 1 - 一、填空题 1. PN 结具有单向导电性。正向偏置时，多子以扩散运动为主，形成正向电流；反向 偏置时，少子漂移运动，形成反向饱电流。 2. 双极型晶体三极管输出特性曲线的三个工作区是放大区、截止区、饱和区。 3. 已知三态与非门输出表达式C AB F ?=，则该三态门当控制信号C 为高电平时， 输出为高阻态。 4. 十进制数211转换成二进制数是(11010011)2；十六进制数是(D3)16。 5. 将若干片中规模集成电路计数器串联后，总的计数容量为每片计数容量的乘积。 6. 若用触发器组成某十一进制加法计数器，需要四个触发器，有五个无效状态。 7. 同步RS 触发器的特性方程为n 1n Q R S Q +=+；约束方程为RS=0 。 8. 下图所示电路中，Y 1 ＝B A Y 1=；Y 2 ＝ ；Y 3 ＝AB Y 3= 二、选择题 1. 下列函数中，是最小项表达式形式的是＿＿＿＿ c ＿＿＿＿＿。 A. Y=A+BC B. Y=ABC+ACD C. C B A C B A Y +?= D. BC A C B A Y +?= 2. 要实现n 1n Q Q =+,JK 触发器的J 、K 取值应为＿＿d ＿＿＿。 A ． J=0，K=0 B. J=0，K=1 C. J=1，K=0 D. J=1，K=1 3．数值[375]10与下列哪个数相等＿b ＿＿。 A ． [111011101]2 B. [567]8 C. [11101110]BCD D. [1F5]16 4．属于组合逻辑电路的是＿＿＿＿＿b ＿＿＿＿＿＿ A ． 触发器 B. 全加器 C. 移位寄存器 D. 计数器 5．M 进制计数器状态转换的特点是：设定初态后，每来＿c ＿＿个计数脉冲CP ，计数器重 新 B 2 B V CC Y 1

数字电子技术基础课后答案全解

第3章 逻辑代数及逻辑门 【3-1】 填空 1、与模拟信号相比，数字信号的特点是它的 离散 性。一个数字信号只有两种取值分别表示为0 和1 。 2、布尔代数中有三种最基本运算： 与 、 或 和 非 ，在此基础上又派生出五种基本运算，分别为与非、或非、异或、同或和与或非。 3、与运算的法则可概述为：有“0”出 0 ，全“1”出 1；类似地或运算的法则为 有”1”出”1”，全”0”出”0” 。 4、摩根定理表示为：A B ?=A B + ；A B +=A B ?。 5、函数表达式Y=AB C D ++，则其对偶式为Y '=()A B C D +?。 6、根据反演规则，若Y=AB C D C +++，则Y =()AB C D C ++? 。 7、指出下列各式中哪些是四变量A B C D 的最小项和最大项。在最小项后的（ ）里填入m i ，在最大项后的（ ）里填入M i ，其它填×（i 为最小项或最大项的序号）。 (1) A +B +D (× ); (2) ABCD (m 7 ); (3) ABC ( × ) (4)AB (C +D ) (×); (5) A B C D +++ (M 9 ) ; (6) A+B+CD (× ); 8、函数式F=AB+BC+CD 写成最小项之和的形式结果应为m ∑(3,6,7,11,12,13,14,15), 写成最大项之积的形式结果应为 M (∏ 0,1,2,4,5,8,9,10 ) 9、对逻辑运算判断下述说法是否正确，正确者在其后（ ）内打对号，反之打×。 （1） 若X +Y =X +Z ，则Y=Z ；( × ) （2） 若XY=XZ ，则Y=Z ；( × ) （3） 若X ⊕Y=X ⊕Z ，则Y=Z ；(√ ) 【3-2】用代数法化简下列各式 (1) F 1 =1ABC AB += (2) F 2 =ABCD ABD ACD AD ++= (3)3F AC ABC ACD CD A CD =+++=+ (4) 4()()F A B C A B C A B C A BC =++?++?++=+ 【3-3】 用卡诺图化简下列各式 (1) 1F BC AB ABC AB C =++=+ (2) 2F AB BC BC A B =++=+ (3) 3F AC AC BC BC AB AC BC =+++=++ (4) 4F ABC ABD ACD CD ABC ACD A D =+++++=+

数字电子技术试题及答案(题库)

《数字电子技术》试卷 姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（ ），作为8421BCD 码时，它相当于 十进制数（ ）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（ ）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（ ）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（ ）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F =（ ） 。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（ ）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（ ）V ，其输出高电平为（ ）V ，输出低电平为（ ）V ， CMOS 电路的电源电压为（ ） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（ ）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（ ）根地址线，有（ ）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（ ）位。 11. ）；Y 3 ＝（ ）。

12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（ ）进制计数器。 13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（ ）有效。 二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） （在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（ ）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ ）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（ ）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为( )的计数器。

数字电子技术基础试题及答案 (1)

. 数字电子技术基础期末考试试卷 一、填空题 1. 时序逻辑电路一般由 和 两分组成。 2. 十进制数（56）10转换为二进制数为 和十六进制数为 。 3. 串行进位加法器的缺点是 ，想速度高时应采用 加法器。 4. 多谐振荡器是一种波形 电路，它没有稳态，只有两个 。 5. 用6个D 触发器设计一个计数器，则该计数器的最大模值M= 。 二、化简、证明、分析综合题： 1．写出函数F (A,B,C,D) =A B C D E ++++的反函数。 2．证明逻辑函数式相等：()()BC D D B C AD B B D ++++=+ 3．已知逻辑函数F= ∑（3,5,8,9，10，12）+∑d(0,1,2) （1）化简该函数为最简与或式： （2）画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 4．555定时器构成的多谐振动器图1所示，已知R 1=1K Ω，R 2=8.2K Ω，C=0.1μF 。试求脉冲宽度 T ，振荡频率f 和占空比q 。 ………………………密……………………封…………………………装…………………订………………………线……………………… 系别 专业（班级） 姓名 学号

图1 5．某地址译码电路如图2所示，当输入地址变量A7-A0的状态分别为什么状态 时，1Y 、6Y 分别才为低电平（被译中）。 图2 6．触发器电路就输入信号的波形如图3所示，试分别写出D 触发器的Q 和Q1的表达式，并画出其波形。 图3 ………………封…………………………装…………………订………………………线………………………

D= Q n+1= Q1= 7. 已知电路如图4所示，试写出: ①驱动方程； ②状态方程； ③输出方程； ④状态表； ⑤电路功能。图4 三、设计题：（每10分，共20分） 1．设计一个三变量偶检验逻辑电路。当三变量A、B、C输入组合中的“1”的个数为偶数时F=1，否则F=0。选用8选1数选器或门电路实现该逻辑电路。要求： （1）列出该电路F(A,B,C)的真值表和表达式； （2）画出逻辑电路图。 2．试用74161、3-8译码器和少量门电路，实现图5所示波形VO1、VO2，其中CP为输入波形。要求： （1）列出计数器状态与V01、V02的真值表；

数字电子技术基础期末考试试卷及答案

数字电子技术基础期末考试试卷及答案 Document serial number【KKGB-LBS98YT-BS8CB-BSUT-BST108】

数字电子技术基础试题（一） 一、填空题 : （每空1分，共10分） 1． 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 1 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为 12 条、数据线为 8 条。 二、选择题： (选择一个正确的答案填入括号内，每题3分，共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（C ）图。 2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（ D）。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门

3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（D ）。 A、通过大电阻接地（>Ω） B、悬空 C、通过小电阻接地（<1KΩ） B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的（A ）。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（C ）。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（A ）。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7．某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示，则该电路为（ C）。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8．要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用（C ）。

数字电子技术试卷及答案(免费版)

第1页（共28页） 第2页（共28页） 姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 本试卷共 6 页，满分100 分；考试时间：90 分钟；考试方式：闭卷 题 号 一 二 三 四（1） 四（2） 四（3） 四（4） 总 分 得 分 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（ ），作为8421BCD 码 时，它相当于十进制数（ ）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（ ）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（ ）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（ ）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F =（ ） 。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（ ）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（ ）V ，其输出高电平为（ ）V ，输出低电平为（ ）V ， CMOS 电路的电源电压为（ ） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（ ） 。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（ ）根地址线，有（ ）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（ ）位。 11. 下图所示电路中， Y 1＝（ ）；Y 2 ＝（ ）；Y 3 ＝（ ）。 12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（ ）进制计数器。 13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（ ）有效。 二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） （在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错 选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（ ）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ ）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（ ）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为( )的计数器。 A.N B.2N C.N 2 D.2N 9．某计数器的状态转换图如下， 其计数的容量为( ) A ． 八 B. 五 C. 四 D. 三 A B Y 1 Y 2 Y 3 000 001 010 011 100 101 110 111

《数字电路》期末模拟试题及答案 3

1. 当PN 结外加正向电压时，PN 结中的多子＿＿＿＿＿＿形成较大的正向电流。 2. NPN 型晶体三极管工作在饱和状态时，其发射结和集电结的外加电压分别处于＿＿＿ ＿＿＿偏置和＿＿＿＿＿＿＿偏置。 3. 逻辑变量的异或表达式为：_____________________B A =⊕。 4. 二进制数A=1011010；B=10111，则A -B=＿＿＿＿＿＿＿。 5. 组合电路没有＿＿＿＿＿＿功能，因此，它是由＿＿＿＿＿＿组成。 6. 同步RS 触发器的特性方程为：Q n+1 =＿＿＿＿＿＿,其约束方程为：＿＿＿＿＿＿。 7. 将BCD 码翻译成十个对应输出信号的电路称为＿＿＿＿＿＿＿＿，它有＿＿＿个输入 端，＿＿＿＿输出端。 8. 下图所示电路中，Y 1 Y 3 ＝＿＿＿＿＿＿。 1. 四个触发器组成的环行计数器最多有＿＿＿＿个有效状态。 A.4 B. 6 C. 8 D. 16 2. 逻辑函数D C B A F +=，其对偶函数F * 为＿＿＿＿＿＿＿＿。 A ．()()D C B A ++ B. ()()D C B A ++ C. ()()D C B A ++ 3. 用8421码表示的十进制数65，可以写成＿＿＿＿＿＿。 A ．65 B. [1000001]BCD C. [01100101]BCD D. [1000001]2 4. 用卡诺图化简逻辑函数时，若每个方格群尽可能选大，则在化简后的最简表达式 中 。 A ．与项的个数少 B . 每个与项中含有的变量个数少 C . 化简结果具有唯一性 A 1 A B 3

5. 已知某电路的真值表如下，该电路的逻辑表达式为 。 A ．C Y = B . AB C Y = C ．C AB Y += D ．C C B Y += 化简下列逻辑函数，写出最简与或表达式: 1． 证明等式:AB B A B A B A +?=+ 2． Y 2＝Σm （0，1，2，3，4，5，8，10，11，12） 3． Y 3＝ABC C AB C B A C B A + ++? 分析设计题: 1．双四选一数据选择器如图所示，其功能表达式如下。现要实现八选一数据选择器的功能（地址信号为 A 2A 1A 0，数据输入端信号为 D 7 ~ D 0 ） ，请画出电路连接图。 1A A A A D Y =(2D Y =( ２．TTL

数字电路测试题2答案

数字电路测试题2答案 一、 填空 1、（110110）2 = ( 54 )10 = ( 66 )8 = ( 01010100 )8421BCD 。 2、逻辑代数有 与 、 或 、 非 三种基本运算。 3、逻辑函数有 真值表 、 逻辑表达式 、 逻辑图 、 波形图 、 卡诺图 五种表示方法。 4、逻辑函数D C B B A F ??+=的反函数F =（A+B ）(B +C+D)，对偶函数 F '=(A +B)(B+D C +) 5、用卡若图化简函数，包围圈内相邻项的个数应为n 2。 6、C B AC C B A F ++=的最小项之和式F=A B C +A B C+ABC+A B C 7、常用集成芯片74LS00、74LS76、74LS151的名称分别是:四二输入与非门、双JK 触发器 、 八选一数据选择器。 8、如图1—1所示 ： 图1—1 F 1= AB+BC 、 F 2= 1 、 F 3=A+B 。 9、如图1—2所示，电路的输出： 1）、当 C=0时， F = A+B 2）、当 C=1时， F = 高阻态 F 图1—2 10、JK 触法器是一种功能齐全的触发器，它具有 保持 、 置0 、 置1 、 翻 砖

的逻辑功能。 11、只具有 置0 和 置1 功能的触发器是D 触发器。 12、设计一个同步6进制计数器，需要 3 个触发器。 13、如图1—3所示，Q n+1＝n Q 14、如图1—4所示：同步四位二进制计数器74LS161构成的是 十三 进制计数器。 15、施密特触发器 有两个稳定状态，有两个不同的触发电平，具有回差特性。多谐振荡器没有稳定状态，只有两个暂稳态，利用 电容的充电和放电 作用使电路能够产生自激振荡从而在输出端输出矩形脉冲。 J K J CP K Q CP CO LD CR Q 3 Q 2 Q 1 Q 0 0 0 0 1 CT T CT P CP & 1 1 74LS161 D 3 D 2 D 1 D 0 图1—3 图1—4 图1—5 16、如图1—5所示：由555定时器和电阻R 1、R 2及电容C 构成的电路是 多谐振荡器电路 。 17、A/D 转换是将 模拟信号转换为数字信号 的转换过程，通过 采样 、 保持 、 量化 、 编码 等四个步骤完成。 二、 将下列函数化简成最简与或式 （1）()C B BC BC A ABC A Y D C B A ++++=、、、 （用公式法化简） 解： Y=A+ABC+A BC +BC+B C =A(1+BC+BC )+C(B+B )=A+C （2）()C B A ABC C B A Y D C B A ++⊕=)(、、、 （用公式法化简） 解： Y=(A ⊕B)C+ABC+A B C = A BC+A B C+ABC+A B C =A C(B+B )+AC((B+B )=C

(完整版)数字电路自试题3答案

数字电路自测题3答案 一、填空题：（每空1分，共20分） 1．八进制数 (34.2 ) 8 的等值二进制数为 11100.01 ；十进制数 98 的 8421BCD 码为 10011000 。 2．试写出下列图中各门电路的输出分别是什么状态 （高电平、低电平） ？（其中（A ）（B ）为TTL 门电路，而（C ）为CMOS 门电路） （A ） （B ） （C ） Y 1= 02 Y 2= 1 Y 3= 1 3．一个 JK 触发器有 2 个稳态，它可存储 1 位二进制数。 4． 单稳态触发器 有一个稳定状态和一个暂稳状态。 施密特触发器 有两个稳定状态、有两个不同的触发电平，具有回差特性。 多谐振荡器 没有稳定状态，只有两个暂稳态。以上三种电路均可由 555定时器 外接少量阻容元件构成。 5．常用逻辑门电路的真值表如右图所示，则 F 1 、F 2 、F 3 分别属于何种常用逻辑门。F 1 同或 ，F 2 与非门 ，F 3 或非 。 6．OC 门的输出端可并联使用，实现__线与____功能；三态门的输出状态有______0________、 1 、 高阻 三种状态。 7．时序逻辑电路的输出不仅和____输入 ___有关，而且还与___电路原来状态____有关。 二、选择题： (选择一个正确答案填入括号内，每题2分，共20分 ) 1.在四变量卡诺图中，逻辑上不相邻的一组最小项为：（ D ） A ．m 1 与m 3 B ．m 4 与m 6 C ．m 5 与m 13 D ．m 2 与m 8 2．L=AB+C 的对偶式为：（ B ） A B F 1 F 2 F 3 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1

数字电路的期末试题及标准答案

数字电路的期末试题 一、客观题：请选择正确答案，将其代号填入（）内；（本大题共10小题，每空2分，共20分） ⒈当某种门的输入全部为高电平，而使输出也为高电平者，则这种门将是： A．与非门及或非门； B．与门及或门； C．或门及异或门； D．与门及或非门．（ B ） ⒉在如下所列4种门电路中，与图示非门相等效的电路是：（ B ） ⒊已知，则函数F和H的关系，应是：（ B ） A．恒等； B．反演； C．对偶； D．不确定． ⒋若两个逻辑函数恒等，则它们必然具有唯一的：（A） A．真值表； B．逻辑表达式； C．电路图； D．逻辑图形符号． ⒌一逻辑函数的最小项之和的标准形式，它的特点是：（C） A．项数最少； B．每个乘积项的变量数最少； C．每个乘积项中，每种变量或其反变量只出现一次； D．每个乘积项相应的数值最小，故名最小项． ⒍双向数据总线可以采用（ B ）构成。 A．译码器； B．三态门； C．与非门； D．多路选择器． ⒎在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。 A．译码器； B．编码器； C．全加器； D．寄存器． ⒏八路数据选择器，其地址输入端（选择控制端）有（ C ）个。

A．8个 B．2个 C．3个 D．4个 ⒐为将D触发器转换为T触发器，如图所示电路的虚线框内应是（ D ）。 A．或非门 B．与非门 C．异或门 D．同或门 ⒑为产生周期性矩形波，应当选用（ C ）。 A．施密特触发器 B．单稳态触发器C．多谐振荡器 D．译码器 二、化简下列逻辑函数（每小题5分，共10分） ⒈用公式法化简逻辑函数： ⒉用卡诺图法化简逻辑函数：Y(A,B,C,D)=∑m(2 ,3,7,8,11,14) 给定约束条件为m0+m5+ m10+m15=0 三、非客观题(本题两小题，共20分) ⒈如图所示为三输入变量的或门和与门的逻辑图。根据两种不同的输入波形(见图b)，画出Y1、Y2的波形。（本题共8分,每个Y1、Y2各 2分） 解

数字电子技术课后题答案

第1单元能力训练检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空分，共20分） 1、由二值变量所构成的因果关系称为逻辑关系。能够反映和处理逻辑关系的数学工具称为逻辑代数。 2、在正逻辑的约定下，“1”表示高电平，“0”表示低电平。 3、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是逻辑关系，所以数字电路也称为逻辑电路。在逻辑关系中，最基本的关系是与逻辑、或逻辑和非逻辑。 4、用来表示各种计数制数码个数的数称为基数，同一数码在不同数位所代表的 权不同。十进制计数各位的基数是10，位权是10的幂。 5、8421 BCD码和2421码是有权码；余3码和格雷码是无权码。 6、进位计数制是表示数值大小的各种方法的统称。一般都是按照进位方式来实现计数的，简称为数制。任意进制数转换为十进制数时，均采用按位权展开求和的方法。 7、十进制整数转换成二进制时采用除2取余法；十进制小数转换成二进制时采用 乘2取整法。 8、十进制数转换为八进制和十六进制时，应先转换成二进制，然后再根据转换 的二进数，按照三个数码一组转换成八进制；按四个数码一组转换成十六进制。 9、逻辑代数的基本定律有交换律、结合律、分配律、反演律和非非律。 10、最简与或表达式是指在表达式中与项中的变量最少，且或项也最少。 13、卡诺图是将代表最小项的小方格按相邻原则排列而构成的方块图。卡诺图的画图规则：任意两个几何位置相邻的最小项之间，只允许一位变量的取值不同。 14、在化简的过程中，约束项可以根据需要看作1或0。 二、判断正误题（每小题1分，共10分） 1、奇偶校验码是最基本的检错码，用来使用PCM方法传送讯号时避免出错。（对） 2、异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数。（对） 3、8421BCD码、2421BCD码和余3码都属于有权码。（错） 4、二进制计数中各位的基是2，不同数位的权是2的幂。（对）

数字电子技术试卷及答案五套

数字电子技术试卷 一、选择题： A组： 1.如果采用偶校验方式，下列接收端收到的校验码中，（ A ）是不正确的 A、00100 B、10100 C、11011 D、11110 ２、某一逻辑函数真值表确定后，下面描述该函数功能的方法中，具有唯一性的是（B）A、逻辑函数的最简与或式B、逻辑函数的最小项之和 C、逻辑函数的最简或与式 D、逻辑函数的最大项之和 ３、在下列逻辑电路中，不是组合逻辑电路的是（D） A、译码器 B、编码器 C、全加器 D、寄存器 ４、下列触发器中没有约束条件的是（D） A、基本RS触发器 B、主从RS触发器 C、同步RS触发器 D、边沿D触发器 ５、555定时器不可以组成D。 A.多谐振荡器 B.单稳态触发器 C.施密特触发器 D.J K触发器 ６、编码器（A）优先编码功能，因而（C）多个输入端同时为１。 A、有 B、无 C、允许 D、不允许 ７、（D）触发器可以构成移位寄存器。 A、基本RS触发器 B、主从RS触发器 C、同步RS触发器 D、边沿D触发器 ８、速度最快的A/D转换器是（A）电路 A、并行比较型 B、串行比较型 C、并－串行比较型 D、逐次比较型 9、某触发器的状态转换图如图所示，该触发器应是( C ) A. J-K触发器 B. R-S触发器 C. D触发器 D. T触发器 10.（电子专业作）对于VHDL以下几种说法 错误的是（A ） A VHDL程序中是区分大小写的。 B 一个完整的VHDL程序总是由库说明部分、实体和结构体等三部分构成 C VHDL程序中的实体部分是对元件和外部电路之间的接口进行的描述，可以看成是定义元件的引脚 D 结构体是描述元件内部的结构和逻辑功能 B组： 1、微型计算机和数字电子设备中最常采用的数制是--------------------------------（ A ） A.二进制 B.八进制 C. 十进制 D.十六进制 2、十进制数6在8421BCD码中表示为-------------------------------------------------（ B ） A.0101 B.0110 C. 0111 D. 1000

数字电子技术试卷试题答案汇总(完整版)

数字电子技术基础 试题库及答案汇总 一、 填空题（每空1分，共20分） 1、逻辑代数中3种基本运算是 ， ， 。 2、逻辑代数中三个基本运算规则 ， ， 。 3、逻辑函数的化简有 ， 两种方法。 4、A+B+C= 。 5、TTL 与非门的u I ≤U OFF 时，与非门 ，输出 ，u I ≥U ON 时，与非门 ，输出 。 6、组合逻辑电路没有 功能。 7、竞争冒险的判断方法 ， 。 8、触发器它有 稳态。主从RS 触发器的特性方程 ， 主从JK 触发器的特性方程 ，D 触发器的特性方程 。 二、 选择题（每题1分，共10分） 1、相同为“0”不同为“1”它的逻辑关系是 （ ） A 、或逻辑 B 、与逻辑 C 、异或逻辑 2、Y （A ，B ，C ，）=∑m （0，1，2，3）逻辑函数的化简式 （ ） A 、Y=AB+BC+ABC B 、Y=A+B C 、Y=A 3、 A 、Y=A B B 、Y 处于悬浮状态 C 、Y=B A + 4、下列图中的逻辑关系正确的是 （ ） A.Y=B A + B.Y=B A + C.Y=AB 5、下列说法正确的是 （ ） A 、主从JK 触发器没有空翻现象 B 、JK 之间有约束 C 、主从JK 触发器的特性方程是CP 上升沿有效。 6、下列说法正确的是 （ ） A 、同步触发器没有空翻现象 B 、同步触发器能用于组成计数器、移位寄存器。 C 、同步触发器不能用于组成计数器、移位寄存器。 7、下列说法是正确的是 （ ） A 、异步计数器的计数脉冲只加到部分触发器上 B 、异步计数器的计数脉冲同

时加到所有触发器上 C、异步计数器不需要计数脉冲的控制8、下列说法是正确的是（） A、施密特触发器的回差电压ΔU=U T+-U T- B、施密特触发器的回差电压越大，电 路的抗干扰能力越弱 C、施密特触发器的回差电压越小，电路的抗干扰能力越强 9、下列说法正确的是（） A、多谐振荡器有两个稳态 B、多谐振荡器有一个稳态和一个暂稳态 C、多谐振荡器有两个暂稳态 10、下列说法正确的是（） A、555定时器在工作时清零端应接高电平 B、555定时器在工作时清零端应接低电平 C、555定时器没有清零端 三、判断题（每题1分，共10分） 1、A+AB=A+B （） 2、当输入9个信号时，需要3位的二进制代码输出。（） 3、单稳态触发器它有一个稳态和一个暂稳态。（） 4、施密特触发器有两个稳态。（） 5、多谐振荡器有两个稳态。（） 6、D/A转换器是将模拟量转换成数字量。（） 7、A/D转换器是将数字量转换成模拟量。（） 8、主从JK触发器在CP=1期间，存在一次性变化。（） 9、主从RS触发器在CP=1期间，R、S之间不存在约束。（） 10、所有的触发器都存在空翻现象。（） 四、化简逻辑函数（每题5分，共10分） 1、 2、Y（A，B，C，）=∑m（0，1，2，3，4，6，8，9，10，11，14） 五、画波形图（每题5分，共10分） 1、 2、 六、设计题（每题10分，共20分）

数字电路期末试卷及答案A

系名____________班级____________姓名____________学号____________ 密封线内不答题 2011 —— 2012 学年第 2 学期 课程名称： 数字电子技术基础 使用班级：11级电子、通信、控制本科 一、 填空、单选题（在括号内填入所选序号）（每小题2分、共20分） 1、5F.8 16 ＝（___________） 10 ＝（___________） BCD 8421 2、一个四位二进制递减计数器的初态为1110，经过三个计数脉冲后，该计数器的状态 为_________。 3、要用1K ×4的RAM 构成存储容量为4K ?16位的存储器，需要用 _________片进行扩展。 4、A/D 转换器用以将输入的_________转换成相应_________输出的电路。 5、偏离状态能在计数脉冲作用下自动转入有效状态的特性，称为__________特性。 6、如果F （A,B,C ）＝∑)7,5,4,2,0(m ，那么F (A,B,C)＝M ∏( ) 。 A. 0,2,4,5,7 B . 1,3,6 C . 0,2,3,5,7 D . 1,4,6 7、已知D/A 转换器的最小输出电压为10mv ，最大输出电压为2.5v ，则应选用（ ）位的D/A 转换器。 A . 7 B . 8 C. 9 D . 10 8、存储容量为256×8的RAM 有（ ）根地址输入线。 A . 8 B. 256 C . 10 D . 11 9、TTL 电路中三极管作为开关时工作区域是( )。 A. 饱和区+放大区 B. 饱和区+截止区 C. 放大区+击穿区 D. 击穿区+截止区 10、4位输入的二进制译码器，其输出端有( )位。 A. 16 B. 8 C. 4 D. 2 二、逻辑函数简化及变换 （共15分） 1、用公式法将下面的逻辑函数式化简为最简与—或表达式。（6分）

《数字电子技术基础》课后习题答案

《数字电路与逻辑设计》作业 教材：《数字电子技术基础》 （高等教育出版社，第2版，2012年第7次印刷）第一章： 自测题： 一、 1、小规模集成电路，中规模集成电路，大规模集成电路，超大规模集成电路 5、各位权系数之和，179 9、01100101，01100101，01100110； 11100101，10011010，10011011 二、 1、× 8、√ 10、× 三、 1、A 4、B 练习题： 1.3、解： (1) 十六进制转二进制： 4 5 C 0100 0101 1100 二进制转八进制：010 001 011 100 2 1 3 4 十六进制转十进制：(45C)16=4*162+5*161+12*160=(1116)10 所以：(45C)16=(10001011100)2=(2134)8=(1116)10 (2) 十六进制转二进制： 6 D E . C 8 0110 1101 1110 . 1100 1000 二进制转八进制：011 011 011 110 . 110 010 000 3 3 3 6 . 6 2 十六进制转十进制：(6DE.C8)16=6*162+13*161+14*160+13*16-1+8*16-2=(1758.78125)10 所以：(6DE.C8)16=(011011011110. 11001000)2=(3336.62)8=(1758.78125)10

(3) 十六进制转二进制：8 F E . F D 1000 1111 1110. 1111 1101二进制转八进制：100 011 111 110 . 111 111 010 4 3 7 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (8FE.FD)16=8*162+15*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(2302.98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(100011111110.11111101)2=(437 6.772)8=(2302.98828125)10 (4) 十六进制转二进制：7 9 E . F D 0111 1001 1110 . 1111 1101二进制转八进制：011 110 011 110 . 111 111 010 3 6 3 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (79E.FD)16=7*162+9*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(1950. 98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(011110011110.11111101)2=(3636.772)8=(1950.98828125)10 1.5、解： (74)10 =(0111 0100)8421BCD=(1010 0111)余3BCD (45.36)10 =(0100 0101.0011 0110)8421BCD=(0111 1000.0110 1001 )余3BCD (136.45)10 =(0001 0011 0110.0100 0101)8421BCD=(0100 0110 1001.0111 1000 )余3BCD (374.51)10 =(0011 0111 0100.0101 0001)8421BCD=(0110 1010 0111.1000 0100)余3BCD 1.8、解 （1）(+35)=(0 100011)原= (0 100011)补 （2）(+56 )=(0 111000)原= (0 111000)补 （3）(-26)=(1 11010)原= (1 11101)补 （4）(-67)=(1 1000011)原= (1 1000110)补

数字电子技术基础试题及答案

D C B A D C A B ++《数字电子技术》试卷 姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1.?有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（147），作为8421BCD 码时，它相当于十进制数（93 ）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（高阻）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（高电平或悬空）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（高）电平。 5. 已知某函数?? ? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F = （ ）。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（ 7）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（5 ）V ，其输出高电平为（3.6）V ，输出低电平为（0.35）V ， CMOS 电路的电源电压为（ 3--18） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（ ）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（ 11）根地址线，有（16）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（ 100）位。 11. ＝（AB ）。 12. 13 二、分） 1.?函数 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（ C ）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ C ）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8

数字电路试卷及答案

一．选择题 1十进制数3.625的二进制数和8421BCD 码分别为（D ） A 、11.11和11.001 B 、11.101和11.101 C 、11.01和11.011000100101 D 、11.101和0011.011000100101 2、逻辑函数F1、F2、F3的卡诺图如图所示，他们之间的逻辑关系是（B ） A 、F3=F 1·F2 B 、F3=F1+F2 C 、F2=F1·F3 D 、F2=F1+F3 00 01 11 10 0 1 1 1 1 1 F1 F2 F3 3 、和TTL 电路相比，CMOS 电路最突出的有点在于（C ） A 、可靠性高 B 、抗干扰能力强 C 、功耗低 D 、速度快 4、用1K ×4的DRAM 设计4K ×8位的存储器的系统需要的芯片数和地址线的根数是（C ） A 、16片 10根 B 、8片 10根 C 、8片 12根 D 、16片 12根 5、在图2中用555定时器组成的施密特触发电路中，它的回差电压等于（A ） A 、2V B 、3V C 、 4V D 、5V 图2 图3 6、为将D 触发器转换为T 触发器，图3所示电路的虚线框内应是（D ） A 、或非门 B 、与非门 C 、异或门 D 、同或门 7、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（A ） A ．寄存器 B 、编码器 C 、全加器 D 、译码器 8、某10位D/A 转换器，当输入为D=010*******B 时，输出电压为1.6V 。当输入D=1000010000B 时，输出电压为（B ） A 、3.15V B 、3.30V C 、3.60V D 、都不是 二．填空题 1、逻辑函数F=A ·（B+C ）·1的反函数F =_____0+?+C B A ___________ 2、四选一数据选择器，AB 为地址信号，D 0=D 3=1，D 1=C ，D 2=c ，当AB=10时，输出F=__C__ 3、将模拟信号转化为数字信号，需要采用A/D 转换器。实现A/D 转换一般要经过采样、保持、量化和编码等4个过程。 00 01 11 10 0 1 1 1 1 00 01 11 10 0 1 1 1 1 1 1

数字电子技术基础第四版课后答案

第七章半导体存储器 [题7.1] 存储器和寄存器在电路结构和工作原理上有何不同？ [解] 参见第7.1节。 [题7.2] 动态存储器和静态存储器在电路结构和读/写操作上有何不同？ [解] 参见第7.3.1节和第7.3.2节。 [题7.3] 某台计算机的内存储器设置有32位的地址线，16位并行数据输入/输出端，试计算它的最大存储量是多少？ [解] 最大存储量为232×16=210×210×210×26=1K×1K×1K×26=64G [题7.4] 试用4片2114（1024×4位的RAM）和3线-8线译码器74LS138（见图3.3.8）组成4096×4位的RAM。 [解] 见图A7.4。 [题7.5] 试用16片2114（1024×4位的RAM）和3线-8线译码器74LS138（见图3.3.8）接成一个8K×8位的RAM。 [解] 见图A7.5。

[题7.6] 已知ROM 的数据表如表P7.6所示，若将地址输入A 3A 2A 1A 0作为4个输入逻辑变量，将数据输出D 3D 2D 1D 0作为函数输出，试写出输出与输入间的逻辑函数式。 [ 解] D 3=0123012301230123A A A A A A A A A A A A A A A A +++ D 2=01230123012301230123A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A ++++ +0123A A A A D 1=0123012301230123A A A A A A A A A A A A A A A A +++ D 0=01230123A A A A A A A A + [题7.7] 图P7.7是一个16×4位的ROM ，A 3、、A 2、A 1、A 0为地址输入，D 3、D 2、D 1、D 0是数据输出，若将D 3、D 2、D 1、D 0视为A 3、、A 2、A 1、A 0的逻辑函数，试写出D 3、D 2、D 1、D 0的逻辑函数式。 [解] 01230123012301233A A A A A A A A A A A A A A A A D +++= 0123012301232A A A A A A A A A A A A D ++= 12301230123012301231A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A D ++++= 012301230123012301230A A A A A A A A A A A A A A A A A A A A D ++++= 01230123 A A A A A A A A ++ [题7.8] 用16×4位的ROM 设计一个将两个2位二进制数相乘的乘法器电路，列出ROM 的数据表，画出存储矩阵的点阵图。 地址输入 数据输出 地址输入 数据输出 A 3A 2A 1A 0 D 3D 2D 1D 0 A 3A 2A 1A 0 D 3D 2D 1D 0 0000 000 1 0010 001 1 0100 010 1 0110 011 1 000 1 0010 0010 0100 0010 0100 0100 1000 1000 100 1 1010 101 1 1100 110 1 1110 111 1 0010 0100 0100 1000 0100 1000 1000 000 1