SRAM+FPGA电离辐射效应试验研究

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SRAM FPGA电离辐射效应试验研究

作者：于庆奎， 张大宇， 张海明， 唐民， 文亮， 施蕾， Yu Qingkui， Zhang Dayu， Zhang Haiming， Tang Min， Wen Liang， Shi Lei

作者单位：于庆奎,张大宇,张海明,唐民,Yu Qingkui,Zhang Dayu,Zhang Haiming,Tang Min(中国空间技术研究院,北京,100029)， 文亮,施蕾,Wen Liang,Shi Lei(北京控制工程研究所,北京

,100190)

刊名：

航天器环境工程

英文刊名：SPACECRAFT ENVIRONMENT ENGINEERING

年，卷(期)：2009，26(3)

被引用次数：0次

参考文献(2条)

1.刑克飞.杨俊.王跃科Xilinx SRAM型FPGA抗辐射设计技术研究[期刊论文]-宇航学报 2007(01)

2.Phippe Adell.Greg Allen Assessing and mitigating radiation effects in Xilinx FPGAs

相似文献(2条)

1.期刊论文张小平.雷天民.杨松.陈仁生CMOS集成电路的抗辐射设计-微电子学与计算机2003,20(z1)

随着商业微电子器件抗辐射能力的提高,使得对专用集成电路(ASIC)从设计上进行抗辐射加固成为可能.本文介绍了CMOS器件的抗电离辐射的主要加固设计方法,认为在商业工艺上可以获得低成本的中等复杂程度和耐辐射能力的专用集成电路(ASIC).

2.期刊论文赵金薇.沈鸣杰.程君侠.ZHAO Jin-wei.SHEN Ming-jie.CHENG Jun-xia改进型抗单粒子效应D触发器-半导体技术2007,32(1)

在对抗单粒子效应技术研究的基础上,构造了一种改进型的抗单粒子翻转和单粒子瞬变的主从型边沿D触发器.该D触发器在不影响设计流程的情况下能使得整个芯片都具有抗单粒子效应,并有效改善了以往由于引入抗辐射设计而导致芯片面积大幅度提高的问题.

本文链接：https://www.wendangku.net/doc/3612259218.html,/Periodical_htqhjgc200903007.aspx

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下载时间：2010年7月9日