PMOS

实验一 使用 L-Edit 画 PMOS 布局图

【1】实验名称: 使用 L-Edit 画 PMOS 布局图

【2】目的：掌握Tanner软件的基本设定，L_edit的使用；掌握集成电路工艺与版图的图层关系，正确的绘制出PMOS管的版图，并对它进行DRC检测和T-Spice模拟仿真。

【3】使用设备和工具：微型计算机一台；Tanner软件

【4】实验时间：2011-05-6

【5】设计步骤：

1、取代设定：选择 File—Replace Setup 命令，单击出现的对话框中的 Browser按钮，在

弹出的对话框中选择“D:\Documents and Settings\Administrator\My Documents\Tanner EDA\Tanner Tools v13.0\L-Edit and LVS\SPR\Lights\Layout＼lights．Tdb ”文件，

再单击 OK 按钮，就可将 1ishts．tdb 文件的设定选择性地应用在目前编辑的文件中，包括格点设定、图层设定等。如下图所示。

2、环境设定：绘制布局图，必须要有确实的大小，因此绘图前先要确认或设定坐标与

实际长度的关系。

3、都设置好后开始绘制PMOS管的版图。电路图如下图所示：

（记住每画一个层次都必须检测是否满足要求的设计）

4、选取 Layers 面板下拉列表中的 N Well 选项，使工具被选取，再从 Drawing 工具栏中选择工具，在 Cell0 编辑窗口画出占据横向 24 格纵向 15 格的方形 N Well，如图所示。

5、绘制Active 图层：设计了 N Well 的布局区域之后，接着设计主动区(Active)图层图样，Active 图层在流程上的意义是定义 PMOS 或 NMOS 的范围，Active 以外的地方是厚氧化层区(或称为场氧化层)，故需要设计光罩以限定 Active 的区域，但要注意 PMOS 的Active 图层要绘制在 N Well 图层之内。在Cell0编辑窗口中画出占据横向14格纵向5格

的方形Active于N Well图层中，如图所示。

6、绘制 P Select 图层：设计了 Active 的布局区域之后，并需加上 P Select 或 N Select 图层与 Active 图层重叠。选取 Layers 面板中下拉列表中的 P Select 选项，使工具被选取，再从 Drawing 工具栏中选择工具，于 Cell0 编辑窗口中画出占据横向 18 格，纵向 9 格

的方形于 N Well图层中，绘制 P Select 图层的结果如图所示。

7、绘制 Poly图层：选取 Layers 面板中下拉列表中的 Poly 选项，使工具被选取，再从Drawing 工具栏中选择工具，在 Cell0 编辑窗口画出占据横向 2 格，纵向 7 格的方形于 N

Well图层中，绘制 Poly图层的结果如图所示。

8、绘制 Active Contact 图层：选择 Layers 面板中下拉列表中的Active Contact选项，使按钮被选择，再从 Drawing 工具栏中选择工具，在 Cell0 编辑窗口的Active图层中画出占据横向两格、纵向两格的方形，左右两个扩散区各画一个Active Contact，绘制 Active Contact

图层的结果如图所示。

9、绘制 Metal1 图层：选取 Layers 面板下拉菜单中的 Metal1 选项，使工具被选取，再从Drawing 工具栏中选择工具，在 Cell0编辑窗口的 Active Contact周围画出占据横向4格、纵向4格的方形，左右两个扩散区各画一个 Metal1 区块，绘制 Metal1 图层的结果如图所

示。

10、新增PMOS 基板节点组件：由于 PMOS 的基板也需要接通电源，故需要在 N Well上面建立一个欧姆节点，其方法为在 N Well 上制作一个N型扩散区，再利用 Active Contact 将金属线接至此N型扩散区。N型扩散区必须在 N Well 图层绘制出 Active 图层与 N Select图层，再加上 Active Contact 图层与 Metal1 图层，使金属线与扩散区接触，绘制结果如图所示。其中 N Well宽为 15 个格点、高为 15个格点，Active 宽为5 个格点、高为5 个格点，N Select 宽为9个格点、高为 9 个格点，Active Contact 宽为两个格点、高为两

个格点，Metal1宽为 4 个格点、高为4个格点。

11、标出 Vdd节点：点击插入节点按钮到编辑窗口中用鼠标左键拖曳出一个与上方电源图样重叠的方格后，将出现 Edit Object(s)对话框，如图

12、PMOS管版图如下图所示。

13、整个PMOS管的版图绘制全部完成。

14、将PMOS图成果转化成 T-Spice文件。可选择“Tools”—>“Extract Setup”命令(或单击按钮)，打开“Setup Extract ”对话框，单击其中的按钮，在弹出的对话框中Browser

选择D:\Program Files\Tanner EDA\L-Edit and LVS\SPR\Lights\Layout\lights.ext，再到 Output

选项卡，在Write nodes and devices as选项组中选中 Name 单选按钮，即设定输出节点以名

字出现，并在SPICE include statement 文本框输入“.include F:\pmos\bsim3_sample.md”，

如图所示。选择“Tools”中的“Extract”提取按钮即可。

（注意：“bsim3_sample.md”文件需要你在原文件“D:\Documents and Settings\Administrator\My Documents\Tanner EDA\Tanner Tools v13.0\T-Spice\VerilogA\D:\Documents and Settings\Administrator\My Documents\Tanner

EDA\Tanner Tools v13.0\T-Spice\VerilogA”中找到它，为了方便将其拷贝到“F:\pmos\”目

录下面。）

15、T-Spice模拟：

16、仿真结果如下图所示：

17、整个实验到此结束。