AT89S52芯片简介

主要性能

● 与MCS-51单片机产品兼容

● 8K字节在线系统可编程Flash存储器

● 1000次擦写周期

● 4.0V-5.5V工作电压

● 全静态操作：0Hz～33Hz

● 三级加密程序存储器

● 256*8字节的内部数据存储器

● 32个可编程I/O口线

● 三个16位定时器/计数器

● 八个中断源

● 全双工UART串行通道

● 低功耗空闲和掉电模式

● 掉电后中断可唤醒

● 看门狗定时器

● 双数据指针

● 掉电标识符

● 快速编程周期

● 灵活ISP编程（字节和模式）

● 绿色（-免费）工作包操作

1功能特性描述

AT89S52是一种低功耗、高性能CMOS8位微控制器，具有8K 在线系统可编程Flash 存储器。使用Atmel 公司高密度非易失性存储器技术制造，与工业80C51 产品指令和引脚完全兼容。片上Flash允许程序存储器在系统可编程，亦适于常规编程器。在单芯片上，拥有灵巧的8 位CPU 和在系统可编程Flash，使得AT89S52为众多嵌入式控制应用系统提供高灵活、超有效的解决方案。

AT89S52具有以下标准功能：8k字节Flash，256字节RAM，32 位I/O 口线，看门狗定时器，2 个数据指针，三个16 位定时器/计数器，一个6向量2级中断结构，全双工串行口，片内晶振及时钟电路。另外，AT89S52 可降至0Hz 静态逻辑操作，支持2种软件可选择节电模式。空闲模式下，CPU停止工作，允许RAM、定时器/计数器、串口、中断继续工作。掉电保护方式下，RAM 内容被保存，振荡器被冻结，单片机一切工作停止，直到下一个中断或硬件复位为止。

2. 引脚结构

3. 引脚描述

3．1 VCC : 电源

3．2 GND: 地

3．3 P0 口：P0口是一个8位漏极开路的双向I/O口。作为输出口，每位能驱动8个TTL逻辑电平。对P0端口写“1”时，引脚用作高阻抗输入。当访问外部程序和数据存储器时，P0口也被作为低8位地址/数据复用。在这种模式下，P0具有内部上拉电阻。在flash编程时，P0口也用来接收指令字节；在程序校验时，输出指令字节。程序校验时，需要外部上拉电阻。

3．４P1 口：P1 口是一个具有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口。P1 输出缓冲器能驱动4 个TTL 逻辑电平。对P1 端口写“1”时，内部上拉电阻把端口拉高，此时可以作为输入口使用。作为输入使用时，被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因，将输出电流（I IL）。此外，P1.0和P1.2分别作定时器/计数器2的外部计数输入（P1.0/T2）和时器/计数器2的触发输入（P1.1/T2EX）。在flash编

3.5 P2 口：P2 口是一个具有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口，P2 输出缓冲器能驱动4 个TTL 逻辑电平。对P2 端口写“1”时，内部上拉电阻把端口拉高，此时可以作为输入口使用。作为输入使用时，被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因，将输出电流（I IL）。在访问外部程序存储器或用16位地址读取外部数据存储器（例如执行MOVX @DPTR）时，P2 口送出高八位地址。在这种应用中，P2 口使用很强的内部上拉发送1。在使用8位地址（如MOVX @RI）访问外部数据存储器时，P2口输出P2锁存器的内容。在flash编程和校验时，P2口也接收高8位地址字节和一些控制信号。

3.6 P3 口：P3 口是一个具有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口，p2 输出缓冲器能驱动4 个TTL 逻辑电平。对P3 端口写“1”时，内部上拉电阻把端口拉高，此时可以作为输入口使用。作为输入使用时，被外部拉低的引脚由于内部电阻的原因，将输出电流（I IL）。在flash编程和校验时，P3口也接收一些控制信号。

P3口亦作为AT89S52特殊功能（第二功能）使用，如下表所示。

3.7 RST: 复位输入。晶振工作时，RST脚持续2 个机器周期高电平将使单片机复位。看门狗计时完成后，RST 脚输出96 个晶振周期的高电平。特殊寄存器AUXR(地址8EH)上的DISRTO位可以使此功能无效。DISRTO默认状态下，复位高电平有效。

3.8 ALE/PROG：地址锁存控制信号（ALE）是访问外部程序存储器时，锁存低8 位地址的输出脉冲。在flash编程时，此引脚（PROG）也用作编程输入脉冲。在一般情况下，ALE 以晶振六分之一的固定频率输出脉冲，可用来作为外部定时器或时钟使用。然而，特别强调，在每次访问外部数据存储器时，ALE脉冲将会跳过。如果需要，通过将地址为8EH的SFR的第0位置“1”，ALE 操作将无效。这一位置“1”，

ALE 仅在执行MOVX 或MOVC指令时有效。否则，ALE 将被微弱拉高。这个ALE 使能标志位（地址为8EH的SFR的第0位）的设置对微控制器处于外部执行模式下无效。

3.9 PSEN:外部程序存储器选通信号（PSEN）是外部程序存储器选通信号。当AT89S52从外部程序存储器执行外部代码时，PSEN在每个机器周期被激活两次，而

在访问外部数据存储器时，PSEN将不被激活。

3.10 EA/VPP:访问外部程序存储器控制信号。为使能从0000H 到FFFFH的外部程序存储器读取指令，EA必须接GND。为了执行内部程序指令，EA应该接V CC。

在flash编程期间，EA也接收12伏V PP电压。

3.11 XTAL1:振荡器反相放大器和内部时钟发生电路的输入端。

3.12 XTAL2:振荡器反相放大器的输出端。

4 特殊功能寄存器

特殊功能寄存器(SFR)的地址空间映象如表1所示。并不是所有的地址都被定义了。片上没有定义的地址是不能用的。读这些地址，一般将得到一个随机数据；写入的数据将会无效。用户不应该给这些未定义的地址写入数据“1”。由于这些寄存器在将来可能被赋予新的功能，复位后，这些位都为“0”。

定时器2 寄存器：寄存器T2CON 和T2MOD 包含定时器2 的控制位和状态位（如表2和表3所示），寄存器对RCAP2H和RCAP2L是定时器2的捕捉/自动重载寄存器。

中断寄存器：各中断允许位在IE寄存器中，六个中断源的两个优先级也可在IE中设置。

双数据指针寄存器：为了更有利于访问内部和外部数据存储器，系统提供了两路16位数据指针寄存器：位于SFR中82H~83H的DP0和位于84H～85。特殊寄存器AUXR1

中DPS＝0 选择DP0；DPS=1 选择DP1。用户应该在访问数据指针寄存器前先初始化DPS至合理的值。

掉电标志位：掉电标志位（POF）位于特殊寄存器PCON的第四位（PCON.4）。上电期间POF置“1”。POF可以软件控制使用与否，但不受复位影响。

5 存储器结构

MCS-51器件有单独的程序存储器和数据存储器。外部程序存储器和数据存储器都可以64K寻址。

5.1 程序存储器：如果EA引脚接地，程序读取只从外部存储器开始。对于89S52，如果EA 接V CC，程序读写先从内部存储器（地址为0000H～1FFFH）开始，接着从外部寻址，寻址地址为：

2000H~FFFFH。

5.2 数据存储器：AT89S52 有256 字节片内数据存储器。高128 字节与特殊功能寄存器重叠。也就是说高128字节与特殊功能寄存器有相同的地址，而物理上是分开的。

当一条指令访问高于7FH 的地址时，寻址方式决定CPU 访问高128 字节RAM 还是特殊功能寄存器空间。直接寻址方式访问特殊功能寄存器（SFR）。例如，下面的直接寻址指令访问0A0H（P2口）存储单元MOV 0A0H , #data使用间接寻址方式访问高128 字节RAM。例如，下面的间接寻址方式中，R0 内容为0A0H，访问的是地址0A0H的寄存器，而不是P2口（它的地址也是0A0H）。MOV @R0 , #data堆栈操作也是简介寻址方式。因此，高128字节数据RAM也可用于堆栈空间。

6 看门狗定时器

WDT是一种需要软件控制的复位方式。WDT 由13位计数器和特殊功能寄存器中的看门狗定时器复位存储器（WDTRST）构成。WDT 在默认情况下无法工作；为了激活WDT，户用必须往WDTRST 寄存器（地址：0A6H）中依次写入01EH 和0E1H。当WDT激活后，晶振工作，WDT在每个机器周期都会增加。WDT计时周期依赖于外部时钟频率。除了复位（硬件复位或WDT溢出复位），没有办法停止WDT工作。当WDT溢出，它将驱动RSR引脚一个高个电平输出。

6.1 NWDT的使用

为了激活WDT，用户必须向WDTRST寄存器（地址为0A6H的SFR）依次写入0E1H

和0E1H。当WDT激活后，用户必须向WDTRST写入01EH和0E1H喂狗来避免WDT

溢出。当计数达到8191(1FFFH)时，13 位计数器将会溢出，这将会复位器件。晶振正常工作、WDT激活后，每一个机器周期WDT 都会增加。为了复位WDT，用户必须向WDTRST 写入01EH 和0E1H（WDTRST 是只读寄存器）。WDT 计数器不能读或写。当WDT 计数器溢出时，将给RST 引脚产生一个复位脉冲输出，这个复位脉冲持续96个晶振周期（TOSC），其中TOSC=1/FOSC。为了很好地使用WDT，应该在一定时间内周期性写入那部分代码，以避免WDT复位。

6.2 掉电和空闲方式下的WDT

在掉电模式下，晶振停止工作，这意味这WDT也停止了工作。在这种方式下，用户不必喂狗。有两种方式可以离开掉电模式：硬件复位或通过一个激活的外部中断。通过硬件复位退出掉电模式后，用户就应该给WDT 喂狗，就如同通常AT89S52 复位一样。通过中断退出掉电模式的情形有很大的不同。中断应持续拉低很长一段时间，使得晶振稳定。当中断拉高后，执行中断服务程序。为了防止WDT在中断保持低电平的时候复位器件，WDT 直到中断拉低后才开始工作。这就意味着WDT 应该在中断服务程序中复位。为了确保在离开掉电模式最初的几个状态WDT不被溢出，最好在进入掉电模式前就复位WDT。在进入待机模式前，特殊寄存器AUXR的WDIDLE位用来决定WDT是否继续计数。默认状态下，在待机模式下，WDIDLE＝0，WDT继续计数。为了防止WDT 在待机模式下复位AT89S52，用户应该建立一个定时器，定时离开待机模式，喂狗，再重新进入待机模式。

7 UART

在AT89S52 中，UART 的操作与AT89C51 和AT89C52 一样。为了获得更深入的关于UART 的信息，可参考ATMEL 网站（https://www.wendangku.net/doc/3b14653119.html,）。从这个主页，选择“Products”，然后选择“8051-Architech Flash Microcontroller”，再选择“Product

Overview”即可。

8 定时器0 和定时器1

在AT89S52 中，定时器0 和定时器1 的操作与AT89C51 和AT89C52 一样。为了获得更深入的关于UART 的信息，可参考ATMEL 网站（https://www.wendangku.net/doc/3b14653119.html,）。从这个主页，选择“Products”，然后选择“8051-Architech Flash Microcontroller”，再选择“ProductOverview”即可。

9 定时器2

定时器2是一个16位定时/计数器，它既可以做定时器，又可以做事件计数器。其工作方式由特殊寄存器T2CON中的C/T2位选择（如表2所示）。定时器2有三种工作模式：捕捉方式、自动重载（向下或向上计数）和波特率发生器。如表3 所示，工作模式由T2CON中的相关位选择。定时器2 有2 个8位寄存器：TH2和TL2。在定时工作方式中，每个机器周期，TL2 寄存器都会加1。由于一个机器周期由12 个晶振周期构成，因此，计数频率就是晶振频率的1/12。

在计数工作方式下，寄存器在相关外部输入角T2 发生1 至0 的下降沿时增加1。在这种方式下，每个机器周期的S5P2期间采样外部输入。一个机器周期采样到高电平，而下一个周期采样到低电平，计数器将加1。在检测到跳变的这个周期的S3P1 期间，新的计数值出现在寄存器中。因为识别1－0的跳变需要2个机器周期（24个晶振周期），所以，最大的计数频率不高于晶振频率的1/24。为了确保给定的电平在改变前采样到一次，电平应该至少在一个完整的机器周期内保持不变。9.1捕捉方式

在捕捉模式下，通过T2CON中的EXEN2来选择两种方式。如果EXEN2=0，定时器2

时一个16位定时/计数器，溢出时，对T2CON 的TF2标志置位，TF2引起中断。如果

EXEN2=1，定时器2做相同的操作。除上述功能外，外部输入T2EX引脚（P1.1）1至0的下跳变也会使得TH2和TL2中的值分别捕捉到RCAP2H和RCAP2L中。除此之外，T2EX 的跳变会引起

T2CON 中的EXF2 置位。像TF2 一样，T2EX 也会引起中断。

9.2 自动重载

当定时器2 工作于16 位自动重载模式，可对其编程实现向上计数或向下计数。这一功能可以通过特殊寄存器T2MOD（见表4）中的DCEN（向下计数允许位）来实现。通过复位，DCEN 被置为0，因此，定时器2 默认为向上计数。DCEN 设置后，定时器2就可以取决于T2EX向上、向下计数。DCEN=0 时，定时器2 自动计数。通过T2CON 中的EXEN2 位可以选择两种方式。如果EXEN2=0，定时器2计数，计到0FFFFH后置位TF2溢出标志。计数溢出也使得定时器寄存器重新从RCAP2H 和RCAP2L 中加载16 位值。定时器工作于捕捉模式，RCAP2H和RCAP2L的值可以由软件预设。如果EXEN2=1，计数溢出或在外部T2EX（P1.1）引脚上的1到0的下跳变都会触发16位重载。这个跳变也置位EXF2中断标志位。如图6所示，置位DCEN，允许定时器2向上或向下计数。在这种模式下，T2EX引脚控制着计数的方向。T2EX上的一个逻辑1使得定时器2向上计数。定时器计到0FFFFH 溢出，并置位TF2。定时器的溢出也使得RCAP2H和RCAP2L中的16位值分别加载到定时器存储器TH2和TL2中。T2EX 上的一个逻辑0 使得定时器2 向下计数。当TH2 和TL2 分别等于RCAP2H 和RCAP2L中的值的时候，计数器下溢。计数器下溢，置位TF2，并将0FFFFH加载到定时器存储器中。定时器2上溢或下溢，外部中断标志位EXF2 被锁死。在这种工作模式下，EXF2不能触发中断。

10 波特率发生器

通过设置T2CON（见表2）中的TCLK或RCLK可选择定时器2 作为波特率发生器。

如果定时器2作为发送或接收波特率发生器，定时器1可用作它用，发送和接收的波特率可以不同。如图8 所示，设置RCLK 和（或）TCLK 可以使定时器2 工作于波特率产生模式。波特率产生工作模式与自动重载模式相似，因此，TH2 的翻转使得定时器2 寄存器重载被软件预置16位值的RCAP2H和RCAP2L中的值。模式1和模式3的波特率由定时器2溢出速率决定，具体如下公式：模式1和模式3波特率＝晶振频率32 x [65536-(RCAP2H,RCAP2L)],其中（RCAP2H,RCAP2L）是RCAP2H 和RCAP2L组成的16位无符号整数。

16定时器2溢出率定时器可设置成定时器，也可为计数器。在多数应用情况下，一般配置成定时方式（CP/T2=0）。定时器2 用于定时器操作与波特率发生器有所不同，它在每一机器周期（1/12晶振周期）都会增加；然而，作为波特率发生器，它在每一机器状态（1/2晶振周期）都会增加。定时器2 作为波特率发生器，如图8 所示。图中仅仅在T2CON 中RCLK 或TCLK＝1才有效。特别强调，TH2的翻转并不置位TF2，也不产生中断；EXEN2置位后，T2EX引脚上1～0的下跳变不会使（RCAP2H，RCAP2L）重载到（TH2，TL2）中。因此，定时器2作为波特率发生器，T2EX 也还可以作为一个额外的外部中断。定时器2处于波特率产生模式，TR2=1，定时器2正常工作。TH2或TL2不应该读写。在这种模式下，定时器在每一状态都会增加，读或写就不会准确。寄存器RCAP2可以读，但不能写，因为写可能和重载交迭，造成写和重载错误。在读写定时器2 或RCAP2寄存器时，应该关闭定时器（TR2清0）。

11 可编程时钟输出

如图9 所示，可以通过编程在P1.0 引脚输出一个占空比为50%的时钟信号。这个引脚除了常规的I/O 角外，还有两种可选择功能。它可以通过编程作为定时器/计数器2 的外部时钟输入或占空比为50%的时钟输出。当工作频率为16MHZ时，时钟输出频率范围为61HZ到4HZ。为了把定时器2配置成时钟发生器，位C/T2（T2CON.1）必须清0，位T2OE（T2MOD.1）必须置1。位TR2（T2CON.2）启动、停止定时器。时钟输出频率取决于晶振频率和定时器2捕捉寄存器（RCAP2H，RCAP2L）的重载值，如公式所示：时钟输出频率＝4 [65536－（ 2 , 2 ）]晶振频率 RCAP H RCAP L

在时钟输出模式下，定时器2不会产生中断，这和定时器2用作波特率发生器一样。定时器2也可以同时用作波特率发生器和时钟产生。不过，波特率和输出时钟频率相互并不独立，它们都依赖于RCAP2H和RCAP2L

12 中断

AT89S52 有6个中断源：两个外部中断（INT0 和INT1），三个定时中断（定时器0、1、2）和一个串行中断。每个中断源都可以通过置位或清除特殊寄存器IE 中的相关中断允许控制位分别使得中断源有效或无效。IE还包括一个中断允许总控制位EA，它能一次禁止所有中断。IE.6位是不可用的。对于AT89S52，IE.5位也是不能用的。用户软件不应给这些位写1。它们为AT89系列新产品预留。定时器2可以被寄存器T2CON中的TF2和EXF2的或逻辑触发。程序进入中断服务后，这些标志位都可以由硬件清0。实际上，中断服务程序必须判定是否是TF2 或EXF2激活中断，标志位也必须由软件清0。定时器0和定时器1标志位TF0 和TF1在计数溢出的那个周期的S5P2被置位。它们的值一直到下一个周期被电路捕捉下来。然而，定时器2 的标志位TF2 在计数溢出的那个周期的S2P2被置位，在同一个周期被电路捕捉下来。

13 晶振特性

AT89S52 单片机有一个用于构成内部振荡器的反相放大器，XTAL1 和XTAL2 分别是放大器的输入、输出端。石英晶体和陶瓷谐振器都可以用来一起构成自激振荡器。从外部时钟源驱动器件的话，XTAL2 可以不接，而从XTAL1 接入。由于外部时钟信号经过二分频触发后作为外部时钟电路输入的，所以对外部时钟信号的占空比没有其它要求，最长低电平持续时间和最少高电平持续时间等还是要符合要求的。

14 空闲模式

在空闲工作模式下，CPU 处于睡眠状态，而所有片上外部设备保持激活状态。这种状态可以通过软件产生。在这种状态下，片上RAM和特殊功能寄存器的内容保持不变。空闲模式可以被任一个中断或硬件复位终止。由硬件复位终止空闲模式只需两个机器周期有效复位信号，在这种情况下，

片上硬件禁止访问内部RAM，而可以访问端口引脚。空闲模式被硬件复位终止后，为了防止预想不到的写端口，激活空闲模式的那一条指令的下一条指令不应该是写端口或外部存储器。

15 掉电模式

在掉电模式下，晶振停止工作，激活掉电模式的指令是最后一条执行指令。片上RAM

和特殊功能寄存器保持原值，直到掉电模式终止。掉电模式可以通过硬件复位和外部中断退出。复位重新定义了SFR 的值，但不改变片上RAM 的值。在V CC未恢复到正常工作电压时，硬件复位不能无效，并且应保持足够长的时间以使晶振重新工作和初始化。

16 程序存储器的加密位

AT89S52有三个加密位不可编程（U）和可编程获得下表所示的功能。

加密位1（LB1）编程后，EA 引脚的逻辑值被采样，并在复位期间

加密位1（LB1）编程后，EA 引脚的逻辑值被采样，并在复位期间锁存。如果器件复位，而没有复位，将锁存一个随机值，直到复位为止。为了器件功能正常，锁存到的EA值必须和这个引脚的当前逻辑电平一致。

17 Flash编程―并行模式

AT89S52 带有用作编程的片上Flash 存储器阵列。编程接口需要一个高电压（12V）编程使能信号，并且兼容常规的第三方*（原文：third-party，不知道对不对）Flash或EPROM编程器。AT89S52程序存储阵列采用字节式编程。

AT89S52单片机应用中英文翻译

本科毕业设计（论文）AT89S52单片机应用中英文翻译 专业名称：电气工程及其自动化 年级班级： 学生姓名： 指导老师： 二O一二年六月九日

AT89S52 MCU Applications Function Characteristic Description The AT89S52 is a low-power, high-performance CMOS 8-bit microcontroller with 8K bytes of in-system programmable Flash memory. The device is manufactured using Atmel’s high-density nonvolatile memory technology and is compatible with the indus-try-standard 80C51 instruction set and pinout. The on-chip Flash allows the program memory to be reprogrammed in-system or by a conventional nonvolatile memory pro-grammer. By combining a versatile 8-bit CPU with in-system programmable Flash on a monolithic chip, the Atmel AT89S52 is a powerful microcontroller which provides a highly-flexible and cost-effective solution to many embedded control applications.The AT89S52 provides the following standard features: 8K bytes of Flash, 256 bytes of RAM, 32 I/O lines, Watchdog timer, two data pointers, three 16-bit timer/counters, a six-vector two-level interrupt architecture, a full duplex serial port, on-chip oscillator, and clock circuitry. In addition, the AT89S52 is designed with static logic for operation down to zero frequency and supports two software selectable power saving modes. The Idle Mode stops the CPU while allowing the RAM, timer/counters, serial port, and interrupt system to continue functioning. The Power-down mode saves the RAM con-tents but freezes the oscillator, disabling all other chip functions until the next interrupt or hardware reset. Pin Description VCC ：Supply voltage. GND ：Ground. Port 0：Port 0 is an 8-bit open drain bidirectional I/O port. As an output port, each pin can sink eight TTL inputs. When 1s are written to port 0 pins, the pins can be used as high-impedance inputs. Port 0 can also be configured to be the multiplexed low-order address/data bus during accesses to external program and data memory. In this mode, P0 has internal pull-ups. Port 0 also receives the code bytes during Flash programming and outputs the code bytes dur-ing program verification. External pull-ups are required during program verification. Port 1：Port 1 is an 8-bit bidirectional I/O port with internal pull-ups. The Port 1 output

单片机AT S 介绍

AT89S52简介 AT89S52是一个8位单片机，片内ROM全部采用FLASH ROM技术，与MCS-51系列完全兼容，它能以3V的超低电压工作，晶振时钟最高可达24MHz。AT89S52是标准的40引脚双列直插式集成电路芯片，有4个八位的并行双向I/O端口，分别记作P0、P1、P2、P3。第31引脚需要接高电位使单片机选用内部程序存储器；第9引脚是复位引脚，要接一个上电手动复位电路；第40脚为电源端VCC，接+5V电源，第20引脚为接地端VSS，通常在VCC和VSS引脚之间接0.1μF高频滤波电容。第18、19脚之间接上一个12MHz的晶振为单片机提供时钟信号。 AT89S52单片机说明如下: 此芯片是一种高性能低功耗的采用CMOS工艺制造的8位微控制器，它提供下列标准特征：8K字节的程序存储器，256字节的RAM,32条I/O线，2个16位定时器/计数器, 一个5中断源两个优先级的中断结构，一个双工的串行口, 片上震荡器和时钟电路。 引脚说明： ·V CC：电源电压 ·GND:地 ·P0口：P0口是一组8位漏极开路型双向I/O口，作为输出口用时，每个引脚能驱动8个TTL逻辑门电路。当对0端口写入1时，可以作为高阻抗输入端使用。 当P0口访问外部程序存储器或数据存储器时，它还可设定成地址数据总线复用的形式。在这种模式下，P0口具有内部上拉电阻。 在EPROM编程时，P0口接收指令字节，同时输出指令字节在程序校验时。程序校验时需要外接上拉电阻。 ·P1口：P1口是一带有内部上拉电阻的8位双向I/O口。P1口的输出缓冲能接受或输出4个TTL逻辑门电路。当对P1口写1时，它们被内部的上拉电阻拉升为高电平，此时可以作为输入端使用。当作为输入端使用时，P1口因为内部存在上拉电阻，所以当外部被拉低时会输出一个低电流（I IL）。 ·P2口：P2是一带有内部上拉电阻的8位双向的I/O端口。P2口的输出缓冲能驱动4个TTL逻辑门电路。当向P2口写1时，通过内部上拉电阻把端口拉到高电平，此时可以用作输入口。作为输入口，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出电流（I IL）。 P2口在访问外部程序存储器或16位地址的外部数据存储器（例如MOVX ＠DPTR）时，P2口送出高8位地址数据。在这种情况下，P2口使用强大的内部上拉电阻功能当输出1时。当利用8位地址线访问外部数据存储器时（例MOVX ＠R1）,P2口输出特殊功能寄存器的内容。当EPROM编程或校验时，P2口同时接收高8位地址和一些控制信号。 ·P3口：P3是一带有内部上拉电阻的8位双向的I/O端口。P3口的输出缓冲能驱动4个TTL逻辑门电路。当向P3口写1时，通过内部上拉电阻把端口拉到高电平，此时可以用作输入口。作为输入口，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出电流（I IL）。

AT89S52单片机

AT89S52 是一种低功耗、高性能CMOS8位微控制器，具有 8K 在系统可编程Flash 存储器。使用Atmel 公司高密度非易失性存储器技术制造，与工业80C51 产品指令和引脚完全兼容。片上Flash允许程序存储器在系统可编程，亦适于常规编程器。在单芯片上，拥有灵巧的8 位CPU 和在系统可编程Flash，使得AT89S52为众多嵌入式控制应用系统提供高灵活、超有效的解决方案。AT89S52具有以下标准功能：40个引脚，8k字节Flash，256字节RAM， 32 位I/O 口线，看门狗定时器，2 个数据指针，三个16 位定时器/计数器，一个6向量2级中断结构，全双工串行口，片内晶振及时钟电路。另外，AT89S52 可降至0Hz 静态逻辑操作，支持2种软件可选择节电模式。空闲模式下，CPU 停止工作，允许RAM、定时器/计数器、串口、中断继续工作。掉电保护方式下，RAM内容被保存，振荡器被冻结，单片机一切工作停止，直到下一个中断或硬件复位为止。8 位微控制器 8K 字节在系统可编程 Flash AT89S52。 本次设计是用89S52单片机为核心实现报警控制，所以我们要先对89S52的各个引脚及其功能有一个全面的认识。 89S51单片机的引脚功能介绍 如图2所示为89S52单片机40引脚双列直插形式，各引脚功能如下： 图289S52引脚图 1 电源和晶振： Vcc——AT89S52电源正端输入，接+5V。 Vss——电源地端。

XTAL1——输入到振荡器的反相放大器。 XTAL2——反相放大器的输出，输入到内部时钟发生器。 % 当用外部振荡器时，XTAL2不用，XTAL1接收振荡器信号。 2 控制线，共4根。 （1）输入： RST——复位输入。晶振工作时，RST脚持续2 个机器周期高电平将使单片机复位。 EA/Vpp——访问外部程序存储器控制信号。为使能从0000H 到FFFFH的外部程序存储器读取指令，EA必须接GND。为了执行内部程序指令，EA应该接VCC。在flash编程期间，EA也接收12伏VPP电压。 （2）输入，输出： ALE/PROG——地址锁存控制信号（ALE）是访问外部程序存储器时，锁存低8 位地址的输出脉冲。在flash编程时，此引脚（PROG）也用作编程输入脉冲。在一般情况下，ALE 以晶振六分之一的固定频率输出脉冲，可用来作为外部定时器或时钟使用。然而，特别强调，在每次访问外部数据存储器时，ALE脉冲将会跳过。如果需要，通过将地址为8EH的SFR的第0位置“1”，ALE操作将无效。这一位置“1”，ALE 仅在执行MOVX 或MOVC指令时有效。否则，ALE 将被微弱拉高。这个ALE 使能标志位（地址为8EH的SFR的第0位）的设置对微控制器处于外部执行模式下无效。 （3）输出： PSEN——外部程序存储器选通信号（PSEN）是外部程序存储器选通信号。当AT89S52从外部程序存储器执行外部代码时，PSEN在每个机器周期被激活两次，而在访问外部数据存储器时，PSEN将不被激活。 3 I/O口：4个口，32根 单片机51系列共有四个8位双向并行I/O通道口，分别是P0、P1、P2、P3，各具有特殊的电路结构，每位均有自己的锁存器、输出驱动器和输入缓冲器。这种结构，在数据输出时可锁存，即输出新的数据之前，通道口上原数据一直保持不变，但对输入信息是不锁存的，因此从外部输入的信息必须保持到取数指令执行完为止。在这四个8位双向并行I/O通道口中，我们应该选择哪一个通道口作为输入信号和输出信号的端口呢下面我们先来了解一下四个通道口的结构。 " （1）P0口介绍 P0口是一个8位漏极开路的双向I/O口。作为输出口，每位能驱动8个TTL逻

cc2590 芯片手册

FEATURES APPLICATIONS DESCRIPTION CC2590BLOCK DIAGRAM RF_P RXTX RF_N PAEN EN CC2590 https://www.wendangku.net/doc/3b14653119.html,........................................................................................................................................................................................SWRS080–SEPTEMBER2008 2.4-GHz RF Front End,14-dBm output power ?All2.4-GHz ISM Band Systems ?Seamless Interface to2.4-GHz Low Power RF Devices from Texas Instruments?Wireless Sensor Networks ?Wireless Industrial Systems ?Up to+14-dBm(25mW)Output Power ?IEEE802.15.4and ZigBee Systems ?6-dB Typical Improved Sensitivity on CC24xx ?Wireless Consumer Systems and CC2500,CC2510,and CC2511 ?Wireless Audio Systems ?Few External Components –Integrated Switches –Integrated Matching Network CC2590is a cost-effective and high performance RF –Integrated Balun Front End for low-power and low-voltage 2.4-GHz –Integrated Inductors wireless applications. –Integrated PA CC2590is a range extender for all existing and future –Integrated LNA 2.4-GHz low-power RF transceivers,transmitters and ?Digital Control of LNA Gain by HGM Pin System-on-Chip products from Texas Instruments.?100-nA in Power Down(EN=PAEN=0)CC2590increases the link budget by providing a power amplifier for increased output power,and an ?Low Transmit Current Consumption LNA with low noise figure for improved receiver –22-mA at3-V for+12-dBm,PAE=23% sensitivity. ?Low Receive Current Consumption CC2590provides a small size,high output power RF – 3.4-mA for High Gain Mode design with its4x4-mm QFN-16package. – 1.8-mA for Low Gain Mode CC2590contains PA,LNA,switches,RF-matching,? 4.6-dB LNA Noise Figure,including T/R Switch and balun for simple design of high performance and external antenna match wireless applications. ?RoHS Compliant4×4-mm QFN-16Package ? 2.0-V to3.6-V Operation Please be aware that an important notice concerning availability,standard warranty,and use in critical applications of Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.

芯片手册

74系列 74ls48 BCD—7段译码器-内部上拉输出驱动 1 7473 TTL 带清除负触发双J-K触发器 1 7474 TTL 带置位复位正触发双D触发器 2 7476 TTL 带预置清除双J-K触发器 2 7483 TTL 四位二进制快速进位全加器 3 7485 TTL 四位数字比较器 4 7486 TTL 2输入端四异或门 5 7490 TTL 可二-五分频十进制计数器 5 7495 TTL 四位并行输入-输出移位寄存器7 74107 TTL 带清除主从双J-K触发器8 74109 TTL 带预置清除正触发双J-K触发器8 74122 TTL 可再触发单稳态多谐振荡器9 74126 TTL 三态输出低有效四总线缓冲门9 74138 TTL 3-8线译码器-复工器10 74139 TTL 双2-4线译码器-复工器11 74150 TTL 16选1数据选择-多路开关12 74154 TTL 4线—16线译码器13 74157 TTL 同相输出四2选1数据选择器14 74160 TTL 可预置BCD异步清除计数器15 74165 TTL 八位并行入-串行输出移位寄存器16 74166 TTL 八位并入-串出移位寄存器16 74169 TTL 二进制四位加-减同步计数器17 74173 TTL 三态输出四位D型寄存器18 74174 TTL 带公共时钟和复位六D触发器18 74175 TTL 带公共时钟和复位四D触发器19 74180 TTL 9位奇数-偶数发生器-校验器20 74185 TTL 二进制—BCD代码转换器21 74192 TTL 可预置BCD双时钟可逆计数器22 74194 TTL 四位双向通用移位寄存器22 74197 TTL 二进制可预置锁存器-计数器23 74245 TTL 八同相三态总线收发器23 74247 TTL BCD—7段15V输出译码-驱动器23 74248 TTL BCD—7段译码-升压输出驱动器24 74273 TTL 带公共时钟复位八D触发器24 74299 TTL 三态输出八位通用移位寄存器25 74323 TTL 三态输出八位双向移位-存贮寄存器25 CD系列 4008 CMOS 4位二进制并行进位全加器26 4013 CMOS 带置位-复位的双D触发器28 4014 CMOS 8级同步并入串入-串出移位寄存器29

74HC595中文芯片手册

74HC595 8位移位寄存器与输出锁存器 功能描述 这种高速移位寄存器采用先进的硅栅CMOS技术。该装置具有高的抗干扰性和标准CMOS集成电路的低功率消耗，以及用于驱动15个LS-TTL负载的能力。 此装置包含馈送一个8位D型存储寄存器的8位串行入，并行出移位寄存器。存储寄存器具有8 TRI-STATE e输出。提供了用于两个移位寄存器和存储寄存器独立的时钟。 移位寄存器有直接首要明确，串行输入和串行输出（标准）引脚级联。两个移位寄存器和存储寄存器的使用正边沿触发的时钟。如果两个时钟被连接在一起时，移位寄存器的状态 将总是提前存储寄存器的一个时钟脉冲。 该54HC/74HC逻辑系列就是速度，功能和引脚输出与标准54LS/74LS逻辑系列兼容。所有输入免受损害，由于静电放电由内部二极管钳位到VCC和地面。 产品特点 1低静态电流：80 mA最大值（74HC系列） 2低输入电流为1mA最大 38位串行输入，并行出移位寄存器以存储 4宽工作电压范围：2V ± 6V 5级联 6移位寄存器直接明确 7保证移频率：DC至30兆赫

TL/F/5342-1 Top View Order Number MM54HC5S5 or MM74HC595 DuaHn-Line Package RCK SCK SCLR G Function X X X H Q A thruQH = TRI-STATE X X L L Shift Register cleared Q H -O X T H L Shift Register clocked C)N = Qnd ，Qo = SER T X H L Con tents of Shift Register transferred to output latches Operating Conditions Supply Voltage (V QC ) -0.5 to +7.0V DC Input Voltage (V IM ) -1.5 toV C c+15V DC OutpiX Voltage (V OUT ) -0.5 toVcc+0.5V Clamp Diode Current (I IK . I(X ) ±20 mA DC Output Current, per pin (lour) ±35 mA DC Vcc or GND Current, per pin (Icc) ±70 mA Storage Temperature Range (T STG ) -65"Cto+15(rC Power Dissipation (P Q ) (Note 3) 600 mW S.O. Package only 500 mW Lead Temp. (TO (Sobering 10 seconds) 2?TC Min Max Units Supply Voltage (Vcc) 2 6 V DC Input or Outpu* Voltage 0 Vcc V (Vw. VOUT ) Operating Temp. Range (T A ) MM74HC -40 +85 ?c MM54HC -55 + 125 ?c Input Rise or Fall Times VOC-20V 1000 ns V QC -4.5V 500 ns Vcc-6.0V 400 ns Absolute Maximum Ratings (Notes 1&2) If Military/Aerospace specified devices are required, please contact the National Semiconductor Sales Office/Distributors for availability and specifications ?

单片机原理第2章习题解答

第2章思考题及习题2参考答案 一、填空 1. 在AT89S52单片机中，如果采用6MHz晶振，一个机器周期为。答：2μs 2. AT89S52单片机的机器周期等于个时钟振荡周期。答：12 3. 内部RAM中，位地址为40H、88H的位，该位所在字节的字节地址分别为 和。答：28H，88H 4. 片内字节地址为2AH单元最低位的位地址是；片内字节地址为A8H单元的最低位的位地址为。答：50H，A8H 5. 若A中的内容为63H，那么，P标志位的值为。答：0 6. AT89S52单片机复位后，R4所对应的存储单元的地址为，因上电时PSW= 。这时当前的工作寄存器区是组工作寄存器区。答：04H，00H，0。 7. 内部RAM中，可作为工作寄存器区的单元地址为 H～ H。答：00H，1FH 8. 通过堆栈操作实现子程序调用时，首先要把的内容入栈，以进行断点保护。调用子程序返回指令时，再进行出栈保护，把保护的断点送回到，先弹出的是原来中的内容。答：PC, PC，PCH 9. AT89S52单片机程序存储器的寻址范围是由程序计数器PC的位数所决定的，因为AT89S52单片机的PC是16位的，因此其寻址的范围为 KB。答：64 10. AT89S52单片机复位时，P0~P3口的各引脚为电平。答：高 11. AT89S52单片机使用片外振荡器作为时钟信号时，引脚XTAL1接，引脚XTAL2的接法是。答：片外振荡器的输出信号，悬空 12. AT89S52单片机复位时，堆栈指针SP中的内容为，程序指针PC中的内容为 。答：07H，0000H 二、单选 1. 程序在运行中，当前PC的值是。 A．当前正在执行指令的前一条指令的地址 B．当前正在执行指令的地址。 C．当前正在执行指令的下一条指令的首地址 D．控制器中指令寄存器的地址。 答：C 2. 判断下列哪一种说法是正确的？

S3C2416芯片手册-中文不完整版

微软中国[键入公司地址] [键入电话号码] [键入传真号码] [选取日期]微软中国 [在此处键入文档摘要。摘要通常为文档内容的简短概括。在此处键入文档摘要。摘要通常为文档内容的简短概括。]

目录 1、产品概述 (3) 1、引言 (3) 2、特点 (3) 3、框图 (3) 4、引脚分配 (1) 4.1信号说明 (13) 2系统控制器 (35) 1概述 (35) 2、特点 (35) 3、框图 (36) 4、功能说明 (36) 4.1复位管理及类型 (36) 4.2硬件复位 (37) 4.3看门狗复位 (38) 4.4软件复位 (38) 4.5唤醒复位 (38) 5时钟管理 (39) 5.1时钟发生器概述 (39) 5.2时钟源选择 (39) 5.3PLL（锁相回路） (40) 5.4在正常操作下，改变PLL设置 (41) 5.5系统时钟控制 (41) 5.6ARM和总线时钟分频比 (42) 5.7配置时钟寄存器以产生AMBA时钟特定的频率 (42) 5.8ESYSCLK控制 (43) 6、电源管理 (43) 6.1功率模式状态图 (43) 6.2节能模式 (44) 6.3唤醒事件 (47) 6.4输出端口状态，以及停止和睡眠模式 (47) 6.5省电模式进入/退出条件 (48) 7寄存器说明 (48) 7.1地址映射 (48) 8独立的寄存器说明 (49) 8.1时钟源控制寄存器（LOCKCON0，LOCKCON1，OSCSET，MPLLCON，与 EPLLCON） (49) 8.2时钟控制寄存器（CLKSRC，CLKDIV，HCLKCON，PCLKCON，与SCLKCON） (51) 8.3电源管理寄存器（PWRMODE与PWRCFG） (54) 8.4复位控制寄存器（SWRST和RSTCON） (56) 8.5在普通模式和从休眠模式唤醒下，（I/O）保持位控制。 (56) 8.6系统控制器状态寄存器（WKUPSTAT与RSTSTAT） (57)

AT89S52 基本性能介绍

主要性能 ● 与MCS-51单片机产品兼容 ● 8K字节在线系统可编程Flash存储器 ● 1000次擦写周期 ● 4.0V-5.5V工作电压 ● 全静态操作：0Hz～33Hz ● 三级加密程序存储器 ● 256*8字节的内部数据存储器 ● 32个可编程I/O口线 ● 三个16位定时器/计数器 ● 八个中断源 ● 全双工UART串行通道 ● 低功耗空闲和掉电模式 ● 掉电后中断可唤醒 ● 看门狗定时器 ● 双数据指针 ● 掉电标识符 ● 快速编程周期 ● 灵活ISP编程（字节和模式） ● 绿色（-免费）工作包操作 1功能特性描述 AT89S52是一种低功耗、高性能CMOS8位微控制器，具有8K 在线系统可编程Flash 存储器。使用Atmel 公司高密度非易失性存储器技术制造，与工业80C51 产品指令和引脚完全兼容。片上Flash允许程序存储器在系统可编程，亦适于常规编程器。在单芯片上，拥有灵巧的8 位CPU 和在系统可编程Flash，使得AT89S52为众多嵌入式控制应用系统提供高灵活、超有效的解决方案。 AT89S52具有以下标准功能：8k字节Flash，256字节RAM，32 位I/O 口线，看门狗定时器，2 个数据指针，三个16 位定时器/计数器，一个6向量2级中断结构，全双工串行口，片内晶振及时钟电路。另外，AT89S52 可降至0Hz 静态逻辑操作，支持2种软件可选择节电模式。空闲模式下，CPU停止工作，允许RAM、定时器/计数器、串口、中断继续工作。掉电保护方式下，RAM内容被保存，振荡器被冻结，单片机一切工作停止，直到下一个中断或硬件复位为止。 2. 引脚结构 3. 引脚描述 3．1 VCC : 电源 3．2 GND: 地

CY7C1051DV33芯片手册

PRELIMINARY 8-Mbit (512K x 16) Static RAM CY7C1051DV33 Features ?High speed —t AA = 10 ns ?Low active power —I CC = 110 mA @ 10 ns ?Low CMOS standby power —I SB2 = 20 mA ?2.0V data retention ?Automatic power-down when deselected ?TTL-compatible inputs and outputs ?Easy memory expansion with CE and OE features ? Available in lead-free 48-ball FBGA and 44-pin TSOP II packages Functional Description [1] The CY7C1051DV33 is a high-performance CMOS Static RAM organized as 512K words by 16 bits. Write to the device by taking Chip Enable (CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. If Byte LOW Enable (BLE) is LOW,then data from IO pins (IO 0–IO 7), is written into the location specified on the address pins (A 0–A 18). If Byte HIGH Enable (BHE) is LOW, then data from IO pins (IO 8–IO 15) is written into the location specified on the address pins (A 0–A 18). Read from the device by taking Chip Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing the Write Enable (WE) HIGH.If Byte LOW Enable (BLE) is LOW, then data from the memory location specified by the address pins will appear on IO 0–IO 7.If Byte HIGH Enable (BHE) is LOW, then data from memory will appear on IO 8 to IO 15. See the “Truth Table” on page 8 for a complete description of Read and Write modes. The input/output pins (IO 0–IO 15) are placed in a high-impedance state when the device is deselected (CE HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), the BHE and BLE are disabled (BHE, BLE HIGH), or a Write operation (CE LOW,and WE LOW) is in progress. The CY7C1051DV33 is available in a 44-pin TSOP II package with center power and ground (revolutionary) pinout, as well as a 48-ball fine-pitch ball grid array (FBGA) package. Note 1.For guidelines on SRAM system design, please refer to the “System Design Guidelines” Cypress application note, available on the internet at https://www.wendangku.net/doc/3b14653119.html, . 1415Logic Block Diagram A 1A 2A 3A 4A 5A 6A 7A 8 COLUMN DECODER R O W D E C O D E R S E N S E A M P S INPUT BUFFER 512K × 16ARRAY A 0A 11A 13A 12A A A 16A 17A 18 A 9A 10IO 0–IO 7OE IO 8–IO 15 CE WE BLE BHE

外文资料翻译 --AT89S52单片机简介

外文文献及翻译 A brief introduction of AT89S52 2.Pin Description 2.1 VCC: Supply voltage. 2.2 GND: Ground. 2.3 Port 0: Port 0 is an 8-bit open drain bidirectional I/O port. As an output port, each pin can sink eight TTL inputs. When 1s are written to port 0 pins, the pins can be used as high-impedance inputs. Port 0 can also be configured to be the multiplexed low-order address/data bus during accesses to external program and data memory. In this mode, P0 has internal pull-ups. Port 0 also receives the code bytes during Flash programming and outputs the code bytes during program verification. External pull-ups are required during program verification. 2.4 Port 1: Port 1 is an 8-bit bidirectional I/O port with internal pull-ups. The Port 1 output buffers can sink/source four TTL inputs. When 1s are written to Port 1 pins, they are pulled high by the internal pulled-ups and can be used as inputs. As inputs, Port 1 pins that are externally being pulled low will source current (IIL) because of the internal pull-ups. In addition, P1.0 and P1.1 can be configured to be the timer/counter 2 external count input (P1.0/T2) and the timer/counter 2 trigger input (P1.1/T2EX), respectively, as shown in the following table. Port 1 also receives the low-order address bytes during Flash programming and output buffers can sink/source four TTL inputs. When 1s are written to Port 2 pins, they are pulled high by the internal pull-ups and can be used as inputs. As inputs, Port 2 pins that are externally being pulled low will source current (I IL) Because of the internal pull-ups. Port 2 emits the high-order address byte during fetches from external program memory and during accesses to external data memory that use 16-bit addresses (MOBX@DPTR). In this application, Port 2 uses strong internal pull-ups when emitting 1s. During accesses to external data memory that use 8-bit addresses (MOVX@RI),Port 2 emits the contents of the P2 Special Function Register. Port 2 also receives the high-order address bits and some control signals during Flash programming and verification. 2.6 Port 3: Port 3 is an 8-bit bidirectional I/O port with internal pull-ups. The Port 3 output buffers can sink/source four TTL inputs. When 1s are written to Port 3 pins, they are pulled high by the internal pull-ups and can be used as inputs. As inputs, Port

AT89C52单片机简介

AT89C52是51系列单片机的一个型号，它是ATMEL公司生产的。 AT89C52是一个低电压，高性能CMOS 8位单片机，片内含8k bytes的可反复擦写的Flash只读程序存储器和256 bytes的随机存取数据存储器（RAM），器件采用ATME L公司的高密度、非易失性存储技术生产，兼容标准MCS-51指令系统，片内置通用8位中央处理器和Flash存储单元，功能强大的AT89C52单片机可为您提供许多较复杂系统控制应用场合。 AT89C52有40个引脚，32个外部双向输入/输出（I/O）端口，同时内含2个外中断口，3个16位可编程定时计数器,2个全双工串行通信口，2个读写口线，AT89C52可以按照常规方法进行编程,但不可以在线编程(S系列的才支持在线编程)。其将通用的微处理器和Flash存储器结合在一起，特别是可反复擦写的Flash存储器可有效地降低开发成本。 兼容MCS51指令系统· 8k可反复擦写(>1000次）Flash ROM · 32个双向I/O口· 256x8bit内部RAM · 3个16位可编程定时/计数器中断· 时钟频率0-24MHz · 2个串行中断· 可编程UART串行通道 · 2个外部中断源· 共6个中断源 · 2个读写中断口线· 3级加密位 — · 低功耗空闲和掉电模式· 软件设置睡眠和唤醒功能 AT89C52P为40 脚双列直插封装的8 位通用微处理器，采用工业标准的C51内核，在内部功能及管脚排布上与通用的8xc52 相同，其主要用于会聚调整时的功能控制。功能包括对会聚主IC 内部寄存器、数据RAM及外部接口等功能部件的初始化，会聚调整控制，会聚测试图控制，红外遥控信号IR的接收解码及与主板CPU通信等。主要管脚有：XTAL1（19 脚）和XTAL2（18 脚）为振荡器输入输出端口，外接12MHz 晶振。RST/Vpd（9 脚）为复位输入端口，外接电阻电容组成的复位电路。VCC（40 脚）和VSS（20 脚）为供电端口，分别接+5V电源的正负端。P0~P3 为可编程通用I /O 脚，其功能用途由软件定义，在本设计中，P0 端口（32~39 脚）被定义为N1 功能控制端口，分别与N1的相应功能管脚相连接，13 脚定义为IR输入端，10 脚和1

ARM芯片手册知识点

1，norflash与nandflash的区别 【什么是OneNand Flash】NandFlash和NorFlash OneNand是针对消费类电子和下一代移动手机市场而设计的，一种高可靠性嵌入式存储设备。 随着过去几十年的Nand技术的发展，一些公司，基于原先的NAND的架构， 设计出一种理想的单存储芯片，其集成了SRAM的缓存和逻辑接口。 OneNand既实现NOR Flash的高速读取速度，又保留了Nand Flash的大容量数据存储的优点。与OneNand对应的是之前早就出现的Nand Flash和Nor Flash。 【OneNand Flash的用途】 基于OneNAND的芯片组的主要目标将是3G电话。写速度为17MB/s的这种存储器能保证对超过HSDPA规定的连续数据流无线下载。除多媒体手机设计外，OneNAND肯定是混合硬盘用非易失性缓冲器一个有价值的选择。目前，采用60nm工艺技术的芯片可提供高达2 Gb 的存储容量，并且在今年晚些时候，将可能出现采用50nm工艺技术容量达4Gb的芯片。 NandFlash和NorFlash都是Flash的一种，都是散存，都是磁盘存储介子，但是NandFlash一般比较大，而NorFlash都比较小，并且NorFlash比较贵，并且NorFlash写的速度比较慢，但读的速度比较快，而NandFlash读的速度比较慢，写的速度比较快 SRAM是静态随机存储器，DRAM是动态随机存储器。SRAM的速度更快，但比较贵。DRAM 便宜一点，但速度就慢一点了。 2.内存地址的计算方法 内存地址的计算方法 内存是按字节编址的，所以单位是字节，1字节可是等于8位的。因为计算的范围一般比较小，所以就记住两个就够了。记住几个常用的2的10次方为1024即1KB 2的20次方=（2的10次方）的平方，即1MB就行了 如果要求更大的，那就再记住2的40次方=（2的10次方）的4次方=1GB，一般就够用了。 题一： DFFFF-A0000 = 3FFFF 一眼看不出来大小滴，或许你要用笔算，不过用这个方法两眼就能看出来： 3FFFF展开为2进制就是2的18次方，是吧，即 2的10次方乘以2的8次方=1K*256即256KB