各类内存条DDR2和DDR3的区别

各类内存条DDR2和DDR3的区别

电脑内存条的作用、类型以及内存插槽。

内存条的作用

内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如WindowsXP系统、打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上。其是连接CPU 和其他设备的通道，起到缓冲和数据交换作用。当CPU在工作时，需要从硬盘等外部存储器上读取数据，但由于硬盘这个“仓库”太大，加上离CPU也很“远”，运输“原料”数据的速度就比较慢，导致CPU 的生产效率大打折扣！为了解决这个问题，人们便在CPU与外部存储器之间，建了一个“小仓库”—内存。

内存条类型和接口

一、DIMM（双inline记忆模块，双列直插内存模块）SDRAM接口；SDRAM dimm 为168Pin DIMM结构，如下图。金手指没面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入接口时，错误将内存反方向插入导致烧毁。

不可否认的是，SDRAM 内存由早期的66MHz，发展后来的100MHz、133MHz，尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题，但此时CPU超

频已经成为DIY用户永恒的话题，所以不少用户将品牌好的

PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功，值得一提的是，为了方便一些超频用户需求，市场上出现了一些

PC150、PC166规范的内存。

尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S，加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划，所以SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求，此时，Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存（称为RDRAM内存）。与SDRAM不同的是，其采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机)理论，这个理论可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。

二、DDR内存，DIMM DDRAM内存接口采用184pin DIMM结构，金手指每面有92pin，如下图所示（DDR内存金手指上只有一个卡口）

有184针的DDR内存（DDR SDRAM）

SDRAM 内存条

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芯片和模块

标准名称 I/O 总线时脉周期内存时脉数据速率传输方式

模组名称极限传输率

DDR-200 100 MHz 10 ns 100 MHz 200 Million 并列传输 PC-1600

1600 MB/s

DDR-266 133 MHz 7.5 ns 133 MHz 266 Million 并列传输 PC-2100 2100 MB/s

DDR-333 166 MHz 6 ns 166 MHz 333 Million 并列传输 PC-2700 2700 MB/s

DDR-400 200 MHz 5 ns 200 MHz 400 Million 并列传输 PC-3200 3200 MB/s

利用下列公式，就可以计算出DDR SDRAM时脉。

DDR I/II内存运作时脉：实际时脉*2。（由于两笔资料同时传输，200MHz内存的时脉会以400MHz运作。）

内存带宽=内存速度*8 Byte?

标准公式：内存除频系数=时脉／200→*速算法：外频*（除频频率／同步频率）（使用此公式将会导致4%的误差）

三、DDR2内存，DDR2接口为240pin DIMM结构

，如下图。金手指每面有120pin，与DDR DIMM一样金手指上也只有一个卡口。但是卡口的位置与DDR内存不同，因此DDR内存条是插不进DDR2内存条的插槽里面的。因此不用担心插错的问题。

一款装有散热片的DDR2 1G内存条

DDR内存插槽

DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少

400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上，从而进一

步降低发热量，以便提高频率。此外，DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令，提升内存带宽的利用率。从JEDEC 组织者阐述的DDR2标准来看，针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB。

各类DDR2内存条的技术参数

标准名称 I/O 总线时钟频率周期存储器时钟频率数据速率

传输方式模块名称极限传输率位宽

DDR2-400 100 MHz 10ns 200 MHz 400 MT/s 并行传输 PC2-3200 3200MB/s 64位

DDR2-533 133 MHz 7.5 ns 266 MHz 533 MT/s 并行传输 PC2-4200 PC2-4300 4266 MB/s 64 位

DDR2-667 166 MHz 6 ns 333 MHz 667 MT/s 并行传输 PC2-5300 PC2-5400 5333 MB/s 64 位

DDR2-800 200 MHz 5 ns 400 MHz 800 MT/s 并行传输 PC2-6400 6400 MB/s 64 位

DDR2-1066 266 MHz 3.75 ns 533 MHz 1066 MT/s 并行传输

PC2-8500

PC2-8600 8533 MB/s 64 位

现时有售的DDR2-SDRAM已能达到DDR2-1200，但必须在高电压下运作，以维持其稳定性。

四、DDR3内存条

第三代双倍资料率同步动态随机存取内存（Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般称为DDR3 SDRAM），是一种电脑内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍资料率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品。

DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。

A-DATA出品的DDR3内存条（DDR SDRAM）

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各类DDR2内存条的技术参数

标准名称 I/O 总线时脉周期内存时脉数据速率传输方式

模组名称极限传输率位元宽

DDR3-800 400 MHz 10 ns 400 MHz 800 MT/s 并列传输 PC3-6400 6.4 GiB/s 64 位元

DDR3-1066 533 MHz 712 ns 533 MHz 1066 MT/s 并列传输

PC3-8500 8.5 GiB/s 64 位元

DDR3-1333 667 MHz 6 ns 667 MHz 1333 MT/s 并列传输 PC3-10 600 10.6 GiB/s 64 位元

DDR3-1600 667 MHz 5 ns 800 MHz 1600 MT/s 并列传输 PC3-12800 12.8 GiB/s 64 位元

DDR3-1866 800 MHz 42/7 933 MHz 1800 MT/s 并列传输

PC3-14900 14.4 GiB/s 64 位元

DDR3-2133 1066 MHz 33/4 1066 MHz 2133 MT/s 并列传输

PC3-17000 64 位元

DDR2和DDR3的区别

逻辑Bank数量，DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2GB

容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

封装（Packages），DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方

面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。

突发长度（BL，Burst Length），由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了

一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可透过A12位址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。寻址时序（Timing），就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提升。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL 有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数──写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。

新增功能──重置（Reset），重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset 期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程式装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

新增功能──ZQ校准，ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接

有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚透过一个命令集，经由片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与终结电阻器（ODT，On-Die Termination）的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相对应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

ddr3和ddr4的区别

DDR3和DDR4内存有什么区别？ 与上一代DDR3内存相比，新一代DDR4内存的性能有了很大的提高，功耗也大大降低了。令所有人兴奋的是，它的价格目前与DDR3几乎相同。这将不可避免地使新安装的用户感到兴奋。 ddr3和ddr4可以一起使用吗，并且可以形成双通道吗？ 不幸的是，由于DDR4内存的接口已更改，因此新一代DDR4内存不再与旧主板兼容。目前，仅与Intel第六代CPU对应的100系列主板与DDR4兼容。至于AMD主板，只有在今年推出新的AM4接口之后才能添加对DDR4内存的支持。当前，市场上的所有AMD 平台都不支持DDR4内存。 由于接口的更改，DDR4内存中有284个金手指触点，每个触点之间的距离仅为0.85 mm（DDR 3内存中有240个金手指触点，距离为1mm）。由于这种变化，DDR4存储器的金手指部分还设计为在边缘的中部和边缘略显突出，在中心的高点和两端的低点之间具有平滑的曲线过渡。因此，DDR4具有弯曲作用，并且DDR4防呆端口的位置比DDR3更靠近中间。 DDR3和DDR4插座不同 由于兼容主板不同，因此无法普遍使用DDR4和DDR3内存，更不用说DDR3 + DDR4构成双通道了。ddr3和ddr4内存有什么区别？

1. DDR4内存芯片的外观变化明显，金手指弯曲 2. DDR4内存频率明显提高，达到4266MHz 3. DDR4内存容量显着增加，达到128GB 4. DDR4的功耗大大降低，电压达到1.2V甚至更低 ddr4和ddr3之间是否存在较大的性能差距？ 独立主机几乎没有改善，游戏性能最多可以提高10％。但是，与1600的ddr3相比，APU和集贤的游戏性能最多可以提高40％。总之，DDR4和DDR3内存不是通用的，并且不兼容。但是，目前市场上有DDR4和DDR3内存支持的100系列主板，对此类非主流主板的需求相对较小，因此不推荐使用。由于匹配了最新的平台，因此新平台的意义将在DDR3内存上失去。此外，旧的组装计算机用户不应该一时冲动购买DDR4内存，因为DDR4需要新一代100系列或200系列主板的支持，因此完全不能使用旧主板。如果您真的想体验DDR4内存的作用，则必须组装一台新计算机。

DDR3必读内容介绍DDR3

1．DDR的发展： 2003年秋季Intel公布了DDR2内存的发展计划。而随着当时CPU 前端总线带宽的提高和高速局部总线的出现，内存带宽成为系统越来越大的瓶颈。处于主流DDR技术已经发展到极至，因此DDR2脱颖而出。 DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准 DDR内存的4bit预读取能力。下图为DDR和DDR2预读取能力的对比。 DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下（由2.5V降为1.8V），DDR2 可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在 200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是 DDR的核心频率很难突破 275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的 TSOP 封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 2007年中Intel表示支持DDR3的发展，随后DDR3慢慢走上了历史的舞台，根据由JEDEC协会所制定的规格来看，由技术面来切入DDR3与DDR2的异同点，DDR3拥有高频率低电压的优点，DDR3可以比DDR2运作时省下约30%的电力，速

度方面DDR3从800Mbps起跳最高可以至1600Mbps，几乎是DDR2的二倍速度，正因为高传输率的关系，DDR3可以在一个时序(Clock)之中传出8bit的数据，比起DDR2的4bit也是二倍的数据传输量，低电压更是DDR3的优势之一，1.5V 的电压比DDR2的1.8V降低了17%。 下面的图表总结了DDR，DDR2，以及DDR3的一些重要的区别： 2、认识内存相关工作流程与参数 首先，我们先了解一下内存的大体结构工作流程，这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用。这部分的讲述运用DDR3的简化时序图。 DDR3的内部是一个存储阵列，将数据“填”进去，你可以它想象成一张表格。和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格（存储阵列）就是逻辑Bank （Logical Bank，下面简称Bank）。

内存条ddr3和ddr4的区别

DDR3和DDR4的区别 近两年是DDR4内存大行其道的时间，海量的DDR4产品流入市场，并迅速占领市场份额，但DDR3仍然占领者市场的半壁江山，许多用户在选购内存时都不知道该如何选择，毕竟同样容量的两者价格相差也不大。那么两者究竟有哪些区别呢？ 1.外观 在外观上两者差别不大，一般只能通过标签上的信息和卡槽位置不同来辨别。 在卡槽方面，DDR4相比较于DDR3，卡槽的缺口位置更靠近中央，台式机内存金手指的触点数量上从240个增加到284个，触点之间的间距从1mm缩小到0.85mm，毕竟在总长度不变的情况下（133.35±0.15mm），数量增加间距就变小了。笔记本专用

的内存条金手指触点数量从204个增加到256个，间距从0.6mm缩小到0.5mm。高度方面都有略微的增加，不过并不是影响使用的参数，一般不做考虑。 另外一个非常显著的特点就是，台式机4代内存的金手指水平方向上进行了更改，不再是一条平直的线，而是略带弯曲，即中间略长、两头略短，这样的设计主要是为了更加方便内存条的插拔。但笔记本的内存金手指并没有做这样的设计，毕竟笔记本的内存很少存在插拔的情况。

2.容量 在容量上面，ddr3和ddr4代的常规规格分别是4G和8G、8G和16G。 DS技术（3-Dimensional Stack，三维堆叠）是DDR4内存中最关键的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量，从理论上讲单条最大128G，不过并没有在消费级产品中实现，况且容量越大，其对应的价格也就越高昂，普通消费者难以承受，并且随着系统和应用对内存容量需求越来越大，目前市面上主要流通的就是8GB和16GB这两个容量规格，4G容量的ddr3内存都在逐渐退出市场。 3.频率 频率一直是内存产品的重要参数之一，几乎大部分用户在选购内存时，第一看容量，第二就会看频率，毕竟频率是关系到性能的重要展现。ddr3的频率在过去的时间里被我们所熟悉，看到这些数字第一时间都会联想到是内存频率，从早期的800、1066到中期的1333、1600再到后期的1866、2133、2400，ddr3内存可以说陪伴我们近10年之久，不过一般2133和2400存在于超频领域比较多。 而对于ddr4内存而言，其频率是2133起跳，目前常见的频率是2133、2400、2666、2800、3000、3200这几个，主流消费级的频率集中在2133和2400这两个频率，3000+基本存在于超频领域，日常需求根本用不到这么高的频率。 4.电压 在电压方面，内存产品的电压是在一路走低，常见工作电压见下表

DDR与DDR的区别分析

D D R与D D R的区别分析 IMB standardization office【IMB 5AB- IMBK 08- IMB 2C】

D D R4时代将来临D D R4与D D R3区别解析 令人期盼已久的DDR4时代终于来临了！那么相比DDR3，都有了哪些比较重要的改进呢？星宏伟业跟大家一起来看一下： 内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状 内存频率提升明显，可达4266MHz 内存容量提升明显，可达128GB 功耗明显降低，电压达到、甚至更低 很多电脑用户可能对于内存的内在改进不会有太多的关注，而外在的变化更容易被人发现，一直一来，内存的金手指都是直线型的，而在DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了，其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。 其次，DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到，笔记本电脑内存上使用的SO-DIMMDDR4内存有256个触点，SO-DIMMDDR3有204个触点，间距从毫米缩减到了毫米。 第三，标准尺寸的DDR4内存在PCB、长度和高度上，也做出了一定调整。由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB层数相比DDR3更多，而整体尺寸也有了不同的变化，如上图。 频率和带宽提升巨大 DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是s，比之DDR3-1866高出了超过

DDR DDR2 DDR3 DDR4 DDR5

DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机处理器 严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。 与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。 从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。 DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。 什么是DDR1? 有时候大家将老的存储技术DDR 称为DDR1 ，使之与DDR2 加以区分。尽管一般是使用“DDR” ，但DDR1 与DDR 的含义相同。 DDR1规格 DDR-200: DDR-SDRAM 记忆芯片在100 MHz下运行DDR-266: DDR-SDRAM 记忆芯片在133 MHz下运行DDR-333: DDR-SDRAM 记忆芯片在166 MHz下运行DDR-400: DDR-SDRAM 记忆芯片在200 MHz下运行（JEDEC制定的DDR最高规格）DDR-500: DDR-SDRAM 记忆芯片在250 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR 规格）DDR-600: DDR-SDRAM 记忆芯片在300 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格）DDR-700: DDR-SDRAM 记忆芯片在350 MHz下运行（非JEDEC制定的DDR规格） [1][2][3]什么是DDR2?

DDR3基本知识

DDR3基本知识 一、DDR3简介 DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random access memory）是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。DDR3在DDR2的基础上继承发展而来，其数据传输速度为DDR2的两倍。同时，DDR3标准可以使单颗内存芯片的容量更为扩大，达到512Mb至8Gb，从而使采用DDR3芯片的内存条容量扩大到最高16GB。此外，DDR3的工作电压降低为1.5V，比采用1.8V的DDR2省电30%左右。说到底，这些指标上的提升在技术上最大的支撑来自于芯片制造工艺的提升，90nm甚至更先进的45nm制造工艺使得同样功能的MOS管可以制造的更小，从而带来更快、更密、更省电的技术提升。 DDR3的发展实在不能说是顺利，虽然在2005年就已经有最初的标准发布并于2007年应用于Intel P35 “Bearlake”芯片组上，但并没有像业界预想的那样很快替代DDR2，这中间还经历了对SDRAM业界影响深远的金融危机，不但使DDR3占领市场的速度更加减慢，还使DDR3在技术上一度走在世界领先地位的内存大厂奇梦达倒闭，实在是让人惋惜。虽然如此，DDR3现今是并行SDRAM家族中速度最快的成熟标准，JEDEC标准规定的DDR3最高速度可达1600MT/s（注，1MT/s即为每秒钟一百万次传输）。不仅如此，内存厂商还可以生产速度高于JEDEC标准的DDR3产品，如速度为2000MT/s的DDR3产品，甚至有报道称其最高速度可高达2500MT/s。 二、DDR存储器特性 1) 时钟的上升和下降沿同时传输数据 DDR存储器的主要优势就是能够同时在时钟循环的上升和下降沿提取 数据，从而把给定时钟频率的数据速率提高1倍。例如，在DDR200器件中，数据传输频率为200 MHz，而总线速度则为100 MHz。 2) 工作电压低 DDR1、DDR2和DDR3存储器的电压分别为2.5、1.8和1.5V，因此与采用3.3V的正常SDRAM芯片组相比，它们在电源管理中产生的热量更少，效率更高。 3) 延时小 延时性是DDR存储器的另一特性。存储器延时性可通过一系列数字体现，如用于DDR1的2-3-2-6-T1、3-4-4-8或2-2-2-5。这些数字表明存储器进行某一操作所需的时钟脉冲数，数字越小，存储越快。 这些数字代表的操作如下：CL- tRCD – tRP – tRAS – CMD。要理解它们，您必须牢记存储器被内部组织为一个矩阵，数据保存在行和列的交叉点。 ?CL：列地址选通脉冲（CAS）延迟，是从处理器发出数据内存请求到存储

DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别

DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别 转贴 DDR2与DDR的区别 （1）DDR的定义： 严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR 内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系。 SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。 与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。 与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR 内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。 然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR 内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。 DDR2的定义： DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。 此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II 封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。 要注意的是：DDR2不兼容DDR，除非主板标明同时支持。 DDR2与DDR的区别： 在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。 1、延迟问题：

各类内存条DDR2和DDR3的区别

各类内存条DDR2和DDR3的区别 电脑内存条的作用、类型以及内存插槽。 内存条的作用 内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如WindowsXP系统、打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上。其是连接CPU 和其他设备的通道，起到缓冲和数据交换作用。当CPU在工作时，需要从硬盘等外部存储器上读取数据，但由于硬盘这个“仓库”太大，加上离CPU也很“远”，运输“原料”数据的速度就比较慢，导致CPU 的生产效率大打折扣！为了解决这个问题，人们便在CPU与外部存储器之间，建了一个“小仓库”—内存。 内存条类型和接口 一、DIMM（双inline记忆模块，双列直插内存模块）SDRAM接口；SDRAM dimm 为168Pin DIMM结构，如下图。金手指没面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入接口时，错误将内存反方向插入导致烧毁。 不可否认的是，SDRAM 内存由早期的66MHz，发展后来的100MHz、133MHz，尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题，但此时CPU超

频已经成为DIY用户永恒的话题，所以不少用户将品牌好的 PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功，值得一提的是，为了方便一些超频用户需求，市场上出现了一些 PC150、PC166规范的内存。 尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S，加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划，所以SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求，此时，Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存（称为RDRAM内存）。与SDRAM不同的是，其采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机)理论，这个理论可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。 二、DDR内存，DIMM DDRAM内存接口采用184pin DIMM结构，金手指每面有92pin，如下图所示（DDR内存金手指上只有一个卡口） 有184针的DDR内存（DDR SDRAM） SDRAM 内存条 [/caption] 芯片和模块 标准名称 I/O 总线时脉周期内存时脉数据速率传输方式 模组名称极限传输率 DDR-200 100 MHz 10 ns 100 MHz 200 Million 并列传输 PC-1600

DDR3详解

DDR3详解（以Micron MT41J128M8 1Gb DDR3 SDRAM为例）二 原文地址：* DDR3详解（以Micron MT41J128M8 1Gb DDR3 SDRAM为例）二作者：andyhzw 1．结构框图： 2．管脚功能描述

3．状态图： Power on: 上电 Reset Procedure: 复位过程 Initialization: 初始化 ZQCL: 上电初始化后，用完成校准ZQ电阻。ZQCL会触发DRAM内部的校准引擎，一旦校准完成，校准后的值会传递到DRAM的IO管脚上，并反映为输出驱动和ODT阻值。

ZQCS: 周期性的校准，能够跟随电压和温度的变化而变化。校准需要更短的时间窗口，一次校准，可以有效的纠正最小0.5%的RON和RTT电阻。 Al：Additive latency.是用来在总线上保持命令或者数据的有效时间。在ddr3允许直接操作读和写的操作过程中，AL是总线上的数据出现到进入器件内部的时间。 下图为DDR3标准所支持的时间操作。 Write Leveling:为了得到更好的信号完整性，DDR3存储模块采取了FLY_BY 的拓扑结构，来处理命令、地址、控制信号和时钟。FLY_BY的拓扑结构可以有效的减少stub的数量和他们的长度，但是却会导致时钟和strobe信号在每个芯片上的flight time skew,这使得控制器（FPGA或者CPU）很难以保持Tdqss ,tdss和tdsh这些时序。这样，ddr3支持write leveling这样一个特性，来允许控制器来补偿倾斜（flight time skew）。存储器控制器能够用该特性和从DDR3反馈的数据调整DQS和CK之间的关系。在这种调整中，存储器控制器可以对DQS信号可调整的延时，来与时钟信号的上升边沿对齐。控制器不停对DQS进行延时，直到发现从0到1之间的跳变出现，然后DQS的延时通过这样的方式被建立起来了，由此可以保证tDQSS。 MRS: MODE Register Set, 模式寄存器设置。为了应用的灵活性，不同的功能、特征和模式等在四个在DDR3芯片上的Mode Register中，通过编程来实现。模式寄存器MR没有缺省值，因此模式寄存器MR必须在上电或者复位后被完

带图对比详解DDR3,DDR2,DDR内存条的区别

带图对比详解DDR3,DDR2,DDR内存条的区别【武汉电 脑维修培训】 课前热身 图1就是三代内存的全家照，从上到下分别是DDR3、DDR2、DDR。大家牢牢记住它们的样子，因为后面的内容会提到这幅图。 (图1)DDR3,DDR2,DDR外观区别 防呆缺口：位置不同防插错 图1红圈圈起来的就是我们说的防呆缺口，目的是让我们安装内存时以免插错。我们从图1可以看见三代内存上都只有一个防呆缺口，大家注意一下这三个卡口的左右两边的金属片，就可以发现缺口左右两边的金属片数量是不同的。 比如DDR 内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，缺口右边为40个针脚；DDR2 内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。 芯片封装：浓缩是精华 在不同的内存条上，都分布了不同数量的块状颗粒，它就是我们所说的内存颗粒。同时我们也注意到，不同规格的内存，内存颗粒的外形和体积不太一样，这是因为内存颗粒“包装”技术的不同导致的。一般来说，DDR内存采用了TSOP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封装）封装技术，又长又大。而DDR2和DDR3内存均采用FBGA（底部球形引脚封装）封装技术，与TSOP相比，内存颗粒就小巧很多，FBGA封装形式在抗干扰、散热等方面优势明显。

TSOP是内存颗粒通过引脚（图2黄色框）焊接在内存PCB上的，引脚由颗粒向四周引出，所以肉眼可以看到颗粒与内存PCB接口处有很多金属柱状触点，并且颗粒封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，但焊点和PCB的接触面积较小，使得DDR内存的传导效果较差，容易受干扰，散热也不够理想。 (图2)一颗DDR现代内存芯片焊接细节-黄色部分为焊接引脚 FBGA封装把DDR2和DDR3内存的颗粒做成了正方形（图3），而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，内存PCB上也看不到DDR内存芯片上的柱状金属触点，因为其柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，所有的触点就被“包裹”起来了，外面自然看不到。其优点是有效地缩短了信号的传导距离。 (图3)DDR2和DDR3的方形内存颗粒-这是DDR2/DDR3与DDR一大显著差别 速度与容量：成倍提升 前面我们教大家如何计算内存带宽大小，其实我们在选择内存和CPU搭配的时候就是看内存带宽是否大于或者等于CPU的带宽，这样才可以满足CPU的数据传输要求。

DDR3问题详细描述

标题：Spartan6 FPGA 读写DDR3出现有规律的错误？ 问题描述： 1、我在调试DDR3时，用了一片MT41JM16JT-15E的DDR3，此片FLASH与SP605开发板相比MT41JM16JT-187E（本来想定此款的，但是此款没有工业级的）。遇到了如下几个问题： ●用了MIG生成之后DDR3控制器之后，参考ug388和ug416，按照步骤发现数据 全部正确的，灯也正常。 ●在XPS中修改原有基于SP605的设计，其结果如下： BEGIN mpmc PARAMETER INSTANCE = MCB_DDR3 PARAMETER C_NUM_PORTS = 1 PARAMETER C_PORT_CONFIG = 1 PARAMETER C_MCB_LOC = MEMC3 PARAMETER C_MEM_CALIBRA TION_SOFT_IP = TRUE PARAMETER C_MEM_SKIP_IN_TERM_CAL = 0 PARAMETER C_MEM_SKIP_DYNAMIC_CAL = 0 PARAMETER C_MCB_RZQ_LOC = K7 PARAMETER C_MCB_ZIO_LOC = M7 PARAMETER C_MEM_TYPE = DDR3 PARAMETER C_MEM_PARTNO = CUSTOM PARAMETER C_MEM_ODT_TYPE = 1 PARAMETER C_MEM_DATA_WIDTH = 16 PARAMETER C_PIM0_BASETYPE = 2 PARAMETER HW_VER = 6.03.a PARAMETER C_MPMC_BASEADDR = 0x88000000 PARAMETER C_MPMC_HIGHADDR = 0x8FFFFFFF PARAMETER C_MEM_PART_DATA_DEPTH = 64 PARAMETER C_MEM_PART_DATA_WIDTH = 16 PARAMETER C_MEM_PART_NUM_BANK_BITS = 3 PARAMETER C_MEM_PART_NUM_ROW_BITS = 13 PARAMETER C_MEM_PART_NUM_COL_BITS = 10 PARAMETER C_MEM_PART_CAS_A_FMAX = 333 PARAMETER C_MEM_PART_CAS_A = 5 PARAMETER C_MEM_PART_TRRD = 7500 PARAMETER C_MEM_PART_TRCD = 13500 PARAMETER C_MEM_PART_TCCD = 4 PARAMETER C_MEM_PART_TWR = 15000 PARAMETER C_MEM_PART_TWTR = 7500 PARAMETER C_MEM_PART_TREFI = 7800000 PARAMETER C_MEM_PART_TRFC = 110000 PARAMETER C_MEM_PART_TRP = 13500 PARAMETER C_MEM_PART_TRC = 49500 PARAMETER C_MEM_PART_TRASMAX = 70200000 PARAMETER C_MEM_PART_TRAS = 36000

DDR4与DDR3有什么区别

DDR4与DDR3有什么区别?DDR4比DDR3好在哪里? 虽然DDR4内存标准规范的正式公布是2012年9月底，不过DDR4内存规格原计划是在2011年制定完成，2012年开始投入生产并上市的。所以在之前的很长一段时间，三星、SK海力士、美光等多家DRAM厂商都已经完成了DDR4内存芯片的开发，并计划进行量产，奈何DDR4内存标准一直未见公布，他们也不敢轻举妄动。所以可以说DDR4内存的出现已经是酝酿已久了。 如今DDR4已经欲势待发，只是在等待相应的主板与CPU上市了，那么相比DDR3，都有了哪些比较重要的改进呢？下面就和小编一起来看看吧！ 1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状 2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz 3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB 4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低 很多电脑用户可能对于内存的内在改进不会有太多的关注，而外在的变化更容易被人发现，一直一来，内存的金手指都是直线型的，而在DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了，其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。

其次，DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm，笔记本电脑内存上使用的SO-DIMM DDR4内存有256个触点，SO-DIMM DDR3有204个触点，间距从0.6毫米缩减到了0.5毫米。 第三，标准尺寸的DDR4内存在PCB、长度和高度上，也做出了一定调整。由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB层数相比DDR3更多，而整体尺寸也有了不同的变化，如上图。 频率和带宽提升巨大 DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供 2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。

最新DDR4与DDR3的区别分析

DDR4时代将来临DDR4与DDR3区别解析 令人期盼已久的DDR4时代终于来临了！那么相比DDR3，都有了哪些比较重要的改进呢？星宏伟业跟大家一起来看一下： 1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状 2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz 3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB 4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低 很多电脑用户可能对于内存的内在改进不会有太多的关注，而外在的变化更容易被人发现，一直一来，内存的金手指都是直线型的，而在DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了，其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。 其次，DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm，笔记本电脑内存上使用的

SO-DIMM DDR4内存有256个触点，SO-DIMM DDR3有204个触点，间距从0.6毫米缩减到了0.5毫米。 第三，标准尺寸的DDR4内存在PCB、长度和高度上，也做出了一定调整。由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB层数相比DDR3更多，而整体尺寸也有了不同的变化，如上图。 频率和带宽提升巨大 DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供 2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank Group的设计。 Bank Group架构又是怎样的情况？具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组，包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组，这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作，从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group，相当于每次操作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank Group，则变相的预取值提高到了32n。 容量剧增最高可达128GB、更低功耗更低电压也是DDR4特有的产品噱头。更低的电压：这是每一代DDR进化的必备要素，DDR4已经降至1.2V！威刚早些时候正式宣布了他们

内存条的分类和区别

内存条的分类和区别 内存条之间的种类的区别，本质上是速度不同，越新的内存种类速度越快。然后，为了保证不插错，物理插槽也有不同。 下图是DDR三代内存的外观上的不同的对比。 1、DDR1代，最高到533。 2、DDR2代，最高到1066。 3、DDR3代，最高到2400左右。 4、DDR4代，从2400开始起步。 内存主要看主频1代DDR266，DDR333,DDR400. 2代DDR533, DDR667,DDR800。 3代DDR1033,DDR1066,DDR1333等 内存条种类之间的区别 DDR2与DDR的区别与DDR相比，D DR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提

供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。然而，尽管DDR2内存采用的D RAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DD R内存的2.5V不同。 DDR2的定义： DDR2（Double Data R ate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，

内存条ddr3和ddr4的区别

内存条ddr3和ddr4的区别 比起原来购买品牌台式电脑，现在的用户更喜欢购买整机或者自己DIY组装电脑。内存则是必不可少的存在，它对计算机的性能影响非常的大。它是与处理器进行沟通传输的桥梁，大家在选择内存的时候会遇到DDR3和DDR4这两种规格的内存，那么DDR3和DDR4 有什么分别呢? 大家经常会看到DDR3 1600这样命名的内存，后面的数字就是频率的意思。DDR4频率和性能比DDR3要高，一般买DDR3的玩家都是注重性价比，都会自己超频。 其次呢，DDR4比DDR3功耗更低，发热也更小，DDR4更受笔记本的青睐。还有就是平台选择的问题，这两个内存插槽有所不一样，主板要选对。 电子产品买新不买旧，选择内存的时候还是要选择DDR4更省事，不要觉得觉得便宜就去买DDR3，同时选择内存条的时候，要记得选金士顿、海盗船这样的大品牌。 1.外观改变 DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状，这意味着，DDR4内存不再兼容DDR3，老平台电脑无法升级DDR4内存，除非将CPU和主板都更换为新平台。

2.DDR4内存频率与带宽提升明显 频率方面，DDR3内存起始频率为800，最高频率达到了2133。DDR4内存起始频率就达到了2133，量产产品最高频率达到了3000，从内存频率来看，DDR4相比DDR3提升很大。 带宽方面，DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/S)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70%。 综合来看，DDR4内存性能最大幅度可比DDR3提升高达70%，甚至更高。 3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB 上一代DDR3内存，最大单挑容量为64GB，实际能买到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4内存，单条容量最大可以达到128GB，媲美SSD了。 4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低 上一代DDR3内存，采用1.5V标准电压，而DDR4内存则降低为1.2V，甚至可以做到更低，功耗下降了，更省电，并且可以减少内存的发热。

DDR和DDR2,DDR3从外观上的区别

DDR和DDR2，DDR3从外观上的区别 1、防呆缺口DDR内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，制品右边为40个针脚；DDR2内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。 2、DDR内存的颗粒为长方形，DDR2和DDR3内存的颗粒为正方形，而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一。 3、使用电压不同DDR2的电压1.8VDDR3的电压1.5V. 4 DDR1内存全是采用引角焊接技术，DDR2内存都是BGA焊接技术。 所谓的BGA焊接技术就是看不见引角有点象芯片用胶粘在PCB板上的 5 内存上有型号和编号可以知道PC4200 以上包括PC4200 都是DDR2的 DDR

DDR2 DDR3 关于DDR与DDR2的整理，ddr1与ddr2的区别 什么是 DDR？ DDR 内存是双倍数据传输速率同步动态随机存储器的简称，全称 :Double Data Rate,DDR 内存是 SDRAM 向前发展的产品，本质上与 SDRAM 完全相同。 什么是 DDR2？ DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达 667MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 什么是 DDR1？ 有时候大家将老的存储技术 DDR 称为 DDR1 ，使之与 DDR2 加以区分。尽管一般是使用“DDR” ，但 DDR1 与 DDR 的含义相同。 区别分析: DDR2 不能向下兼容 DDR, DDR2 内存芯片与内存模组与 DDR 有很大差异。例如，DDR2 的工作电压为 1.8 伏，低于 DDR 的 2.5 伏。

内存条ddr3和ddr4的区别

内存条ddr3和ddr4的区别 ddr又称双倍速率同步动态随机储蓄器，它是在SDRAM内存基础上发展而来的，ddr3 ddr4都是内存规格，但ddr4比ddr3提升了不少性能，那么ddr3和ddr4到底有哪些区别? 1、规格不同：DDR3内存的起始频率仅有800MHz，最高频率可达2133MHz。而DDR4内 的起始频率就有2133MHz，最高频率可达3000MHz。更高频率的DDR4内存在各个方面的表和DDR3内存相比有着显著的提升，DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps的带宽，那么DDR4-3200就是51.2GB/s，比DDR3-1866的带宽提升了70%。 2、功耗不同：通常情况下，DDR3的内存的工作电压为1.5V，耗电较多，而且内存条容 热降频，影响性能。而DDR4内存的工作电压多为1.2V甚至更低，功耗的下降带来的是更少电量和更小的发热，提升了内存条的稳定性，基本不会出现发热引起的降频现象。 3、内存容量不同：DDR4内存容量明显提升，可达128GB。上一代DDR3内存，最大容量 64GB，市场上实际能买到的是16GB/32GB，而新一代DDR4内存，单条容量最大可以达到128GB，媲美SSD了。 4、外观不同：所有记忆的金手指一直是直的。直到DDR4内存，金手指的设计在中间略出，且边缘缩短了。这种设计有利于确保DDR4内存金手指接触内存插槽。该设计具有足够接触面以确保稳定信号传输，并且还解决了难以移除和插入存储器的问题。DDR4内存金手

中间的凹口(防呆口)比DDR3更靠近中间。这意味着，DDR4内存不再兼容DDR3，老平台电法升级DDR4内存，除非将CPU和主板都更换为新平台。