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直流调速系统及电力电子技术试题

直流调速系统及电力电子技术试题
直流调速系统及电力电子技术试题

1.电压负反馈调速系统中,电流正反馈是补偿环节,一般实行()

A欠补偿B全补偿C过补偿D温度补偿

2.直流调速装置通电前硬件检查内容有:电源电路检查,信号线、控制线检查,设备接线检查,PLC接地检查。通电前一定要认真进行(),以防止通电后引起设备损坏。

A电源电路检查 B信号线、控制线检查 C设备接线检查 D PLC接地检查

3.直流调速装置安装的现场调试主要有硬件检查和程序(软件)调试两大内容,调试前准备工作有:收集有关资料,熟悉并阅读有关资料和说明书,主设备调试用仪表的准备。其中要(B),这是日后正确使用设备的基础。

A程序(软件)调试B熟悉并阅读有关资料和说明书

C设备接线检查D硬件检查

4.直流调速装置调试的原则一般是(A)。

A先检查,后调试B先调试,后检查

C先系统调试,后单机调试D边检查边调试

5.恒转矩负载变频调速的主要问题是调速范围能否满足要求,典型的恒转矩负载有(C)。 A起重机、车床B带式输送机、车床

C带式输送机、起重机D薄膜卷取机、车床

6.调节直流电动机电枢电压可获得(B)性能。

A恒功率调速B恒转矩调速C若磁通调速D强磁通调速

7.三相可控整流触发电路调试时,首先要检查三相同步电压波形,再检查(B),最后检查输出双脉冲的波形

A晶闸管两端的电压波形B三相锯齿波波形

C同步变压器的输出波形 D整流变压器的输出波形

8.同开环控制系统相比,闭环控制的优点之一是(A)

A它具有抑制干扰的能力B系统稳定性提高

C减小了系统的复杂性D对元件特定变化更敏感

9.调节器输出限幅电路的作用是,保证运放的(A),并保护调速系统各部件正常工作。 A线性特性B非线性特征C输出电压适当衰减D

10.若理想微分环节的输入为单位阶跃,则其输出的单位阶跃响应是一个(A)。

A脉冲函数B一次函数C正弦函数D常数

11.(C)是直流调速系统的主要调速方案。

A 改变电枢回路电阻R

B 增强励磁磁通 C调节电枢电压D减弱励磁磁通

12.锯齿波触发电路由(D)、脉冲形成与放大、强触发与输出、双窄脉冲产生等四个环节组成.

A三角波产生与移相B尖脉冲产生与移相

C矩形波产生与移相D锯齿波产生与相位控制

13.锯齿波触发电路中调节恒流源对电容器的充电电流,可以调节()。

A锯齿波的周期 B锯齿波的斜率 C锯齿波的幅值 D锯齿波的相位。

14、锯齿波触发电路中的锯齿波是由(D)对电容器充电以及快速放电产生的。

A、矩形波电源

B、正弦波电源

C、恒压源

D、恒流源

15.锯齿波触发电路中的锯齿波是由恒流源对()充电以及快速放电产生的。

A 电抗器

B 电容器

C 蓄电池 D电阻器

16.在突如输入信号之初,PI调节器相当于一个()

A延时环节B惯性环节 C I调节器 D P调节器

17.实际的PI调节器电路中常有锁零电路,其作用是(D)。

A停车时使PI调节器输出饱和B停车时发出制动信号

C提车时发出报警信号D停车时防止电动机爬动

18.若要使PI调节器输出量下降。必须输入(C)的信号。

A与原输入量不相同B与原输入量大小相同

C与原输入量极性相反D与原输入量极性相同

19.在带PI调节器的无静差直流调速系统中,可以用(B)来抑制突加给定电压的电流冲击,以保证系统有较大的比例系数来满足稳态性能指标要求。

A电流截止正反馈B电流截止负反馈C电流正反馈补偿D电流负反馈

20对采用PI调节器的无静差调速系统,若要提高系统快速响应能力,应()。

A整定P参数,加大比例系数B整定I参数,加大积分系数

C整定I参数,减小积分系数D整定P参数,减小比例系数

21.有比例调节器组成的闭环控制系统是(D)。积分调节器是无静差系统

A顺序控制系统B离散控制系统C无静差系统D有静差系统

22.闭环控制系统具有反馈环节,它能依靠(A)进行自动调节,以补偿扰动对系统产生的影响.

A负反馈环节B正反馈环节C校正装置D补偿环节

23.微分环节和积分环节的传递函数()

A不相关B线性关系C互为约数D互为倒数

24、晶闸管触发电路所产生的触发脉冲信号必须要(D)。

A、有一定的电位

B、有一定的电抗

C、有一定的频率

D、有一定的功率

25、晶闸管触发电路发出触发脉冲的时刻是由(B)来定位的,由偏移电压调整初始相位,由控制电压来实现移相。

A、脉冲电压

B、触发电压

C、异步电压

D、同步电压

26.晶闸管触发电路的同步主要是解决两个问题,一是如何保证各晶闸管的(B)一致,二是如何同步电压相位的相适应。

A同步角B控制角C功率角D偏置角

27.当系统的机械特性硬度一定时,如要求的静差率S越小,则调速范围D(A)。

A越大B越小C可大可小D不变

28.稳态时,无静差调速系统中积分调节器的()。

A给定电压等于零 B 反馈电压等于零

C输入端电压不为零D输入端电压一定为零

29.无静差调速系统中必定有(D)。

A比例调节器B比例微分调节器C微分调节器D积分调节器

30.转速负反馈调速系统对检测反馈元件和给定电压造成的转速扰动()补偿能力。

A 对前者有补偿能力,对后者无

B 没有

C对前者无补偿能力,对后者有 D有

31.转速、电流双闭环调速系统中不加电流截止负反馈,是因为其主电路电流的限流(B)

A由速度调节器的限幅保证B有电流环控制C由转速环控制D由比例积分调节器保证32.带转速微分负反馈的直流双闭环调速系统对其动态转速降大大降低,RC值越大,()。 A动态转速降越低,恢复时间越短B静态转速降越低,恢复时间越短C动态转速降越低,恢复时间越长D静态转速降越低,恢复时间越长

33.在转速负反馈系统中,闭环系统的静态转速降低为开环系统静态转速降的()倍

A 1/K

B 1+2K

C 1/(1+K)

D 1+K

34.在晶闸管可逆调速系统中,为防止逆变失败,应设置(B)的保护环节。

A βmin和αmin任意限制其中一个

B 限制βmin和αmin

C 限制αmin

D 限制βmin

35.在转速电流双闭环调速系统中,电机转速可调,转速不高且波动较大,此故障的可能原因是()。

A PI调节器限幅值电路故障B电动机励磁电路故障

C晶闸管或触发电路故障D反馈电路故障

36.双闭环直流调速系统启动时,速度给定电位器应从零开始缓加电压,主要目的是(C)。

A防止速度调节器ASR启动时饱和B保护晶闸管防止过电压

C保护晶闸管和电动机D防止电流调节器ACR启动时限幅

37.调速系统开机时电流调节器ACR立刻限幅,电动机速度达到最大值,或电动机忽转忽停出现振荡,可能的原因是(C)。

A系统受到严重干扰B励磁电路故障

C限幅电路没整定好D反馈极性错误

38.软启动器接通主电源后,虽处于待机状态,但电机有嗡嗡响,此故障不可能的原因是(C)。

A晶闸管短路故障B旁路接触器有触电粘连

C触发电路故障D启动线路接线错误

39.双闭环直流调速系统包括电流环和速度环,其中两环之间关系是()。

A电流环为外环,速度环为内环 B电流环为内环,速度环为外环

C电流环与速度环并联 D两环无所谓内外均可

40.速度、电流双闭环调速系统,在突加给定电压启动过程中最初阶段,速度调节器处于()状态。

A调节B零C截止D饱和

41.双闭环调速系统中转速调节器一般采用PI调节器,P参数的调节主要影响系统的()

A 稳态性能 B动态性能 C静差率D调节时间

42.双闭环调速系统中转速调节器一般采用PI调节器,I参数的调节主要影响系统的() A调节时间 B 静差率 C 动态性能D稳态性能

43.直流双闭环调速系统引入转速()后,能有效地抑制转速超调。

A滤波电容 B微分补偿 C微分正反馈 D微分负反馈

44.直流双闭环调速系统引入转速微分负反馈后,可使突加给定电压启动时转速调节器提早退出饱和,从而有效地(A)。

A抑制调速超调B抑制电枢电压超调

C抑制电枢电流超调D抵消突加给定电压突变

45.在交流调压调速系统中,目前广泛采用的(D)来调节交流电压。

A晶闸管周波控制B定子回路串饱和电抗器

C定子回路加自耦变压器D晶闸管相位控制

46.交流调压调速系统对(A)较适宜。

A风机类负载 B恒转矩负载 C长期运行于低速的负载D龙门刨床

47.西门子6RA70直流调速器首次使用时。必须输入一些现场参数,首先输入()

A电动机铭牌数据B优化运行参数

C基本工艺功能参数D电动机过载监控保护参数

48.西门子6RA70全数字直流调速器使用时,若要恢复工厂设置参数,下列设置()可实现该功能

A P051=25

B P051=26

C P051=21

D P051=296.

49.KC04集成触发电路由锯齿波形成、移相控制、脉冲形成及(D)等环节组成

A三角波输出B正弦波输出C偏置角输出D整形放大输出

50.KC04集成触发电路中11脚和12脚上所接的R8、C2决定输出脉冲的(A)

A宽度 B高度 C斜率 D频率

51.KC04集成触发电路一个周期内可以从1脚和15脚分别输出相位差( D )的两个窄脉冲。

A、60°

B、90°

C、120°

D、180

52.KC04集成触发器中11脚和12脚上所接的R8、C2决定输出脉冲(A)

A宽度B高度C斜率D频率

53.欧陆514调速器组成的电压电流双闭环系统运行中出现负载加重转速升高现象,可能的原因是(A)

A、电流正反馈欠补偿

B、电流正反馈过补偿

C、电流正反馈全补偿

D、电流正反馈没补偿

54.欧陆514直流调速装置是(A)直流可逆调速系统。

A逻辑无环流B可控环流C逻辑选触无环流Dα=β配合控制有环流55.在自控系统中不仅要求异步测速发电机输出电压与减速成正比,而且也要求输出电压与励磁电源同相位,误差可在(B),也可在输出绕组电路补偿

A励磁回路中并电容进行补偿B励磁回路中串电容进行补偿

C输出回路中并电感进行补偿D输出回路中串电感进行补偿

56.从自控系统的基本组成环节来看开环控制系统与闭环控制系统的区别在于:()

A有无测量装置 B有无被控对象 C有无反馈环节 D控制顺序

57.当初始信号为零时,在阶跃输入信号作用下,积分调节器()与输入量成正比

A积分电容两端电压 B输出量的大小

C 积分电容两端的电压偏差 D输出量的变化率

58.单相半波可控整流电路电阻性负载一个周期内输出电压波形的最大导通角是()。

A 90°

B 120°

C 180°

D 240°

59.单相桥式可控整流电路电阻性负载的输出电压波形中一个周期内会出现(D)个波峰

A 4

B 1

C 3

D 2

60、单相桥式可控整流电路电阻型负载的输出波形中一个周期内出现(A)个波峰。

A、2

B、1

C、4

D、3

61、单相桥式可控整流电路大电感负载无续流管的输出电流波形(B)

A、只有正弦波的正半周部分

B、正电流部分大于负电流部分

C、会出现负电流部分

D、是一条近似水平线

62.单相桥式整流电路的变压器二次侧电压为20V,每个整流二极管所承受的最大方向电压为()。

A 20V

B 28.28V

C 40V

D 56.56V

63.单相桥式可控整流电路电阻性负载的输出电流波形()。

A、只有正弦波的正半周部分

B、正电流部分大于负电流部分

C、会出现负电流部分

D、是一条近似水平线

64.三相半波桥式整流电路电感性负载无续流管,输出电压平均值的计算公式是(D)。

A、Ud=0.45U2cosα (0≤α≤ 90 o)

B、Ud=0.9U2cosα (0≤α≤ 90 o)

C、Ud=2.34U2cosα (0≤α≤ 90 o)

D、Ud=1.17U2cosα (0≤α≤ 90 o)

65.三相半控桥式整流电路电感性负载有续流二极管时,若控制角α为(D),则晶闸管电流平均值等于续流二极管电流平均值

A 60°

B 30°

C 120°

D 90°

66、三相半波可控整流电路电阻性负载的输出电压波形在控制角(A)的范围内连续。

A、0<α< 30 o

B、0<α< 45 o

C、0<α< 60 o

D、0<α< 90 o

67、三相半波可控整流电路电感性负载的输出电流波形(A)

A、控制角α>30 o时出现断续

B、正电流部分大于负电流部分

C、与输出电压波形相似

D、是一条近似水平线

68.三相半波可控整流电路电阻性负载的输出电流波形在控制角α>()时出现断续。

A 30度

B 15度

C 45度

D 90度

69.三相半控桥式整流电路电阻性负载每个晶闸管电流平均值是输出电流平均值的(D)

A 1/6

B 1/4

C 1/2

D 1/3

70.三相半控桥式整流电路电感性负载每个二极管电流平均值是输出电流平均值的(A)

A 1/3

B 1/2

C 1/4

D 1/6

71.三相半波可控整流电路大电感负载无续流管,每个晶闸管电流平均值是输出电流平均值的()。

A 1/3

B 1/2

C 1/4

D 1/6

72、三相半波可控整流电路由(A)只晶闸管组成。

A、3

B、5

C、4

D、2

73、三相半波可控整流电路电阻负载的控制角α移相范围是(D)。

A、0~90o

B、0~100o

C、0~120o

D、0~150o

74、三相半控式整流电路由(C)晶闸管和三只功率二极管组成。

A、一只

B、二只

C、三只

D、四只

75.三相半波可控整流电路电感性负载无续流管,晶闸管电源有效值是输出电流平均值的()倍。

A 0.333

B 0.577

C 0.707

D 0.9

76.三相半控桥式整流电路由三只(A)晶闸管和三只共阳极功率二极管组成。

A 共阴极

B 共阳极

C 共基极D共门级

77.三相半控桥式整流电路电感性负载时,控制角α的移相范围是(A)度。

A 0-180°

B 0-120°

C 0-150°

D 0-90°

78、三相可控整流触发电路调试时,首先要检查三相同步电压波形,再检查三相锯齿波波形,最后检查(B)。

A、同步变压器的输出波形

B、整流变压器的输出波形

C、晶闸管两端的电压波形

D、输出双脉冲的波形

79.三相桥式可控整流电路电阻性负载的输出电源波形,在控制角α<(D)度时连续

A 80

B 70

C 90

D 60

80、三相桥式可控整流电路电阻性负载的输出电压波形在控制角α<(A)时连续。

A、60 o

B、70 o

C、80 o

D、90 o

81、三相桥式可控整流电路电感性负载,控制角α增大时,输出电流波形(D)。

A、降低

B、升高

C、变宽

D、变窄

82.三相全控桥式整流电路电感性负载,控制角α增大,输出电压(B)。

A增大B减小C不变D不定

83.三相全控桥式整流电路由三只共阴极晶闸管与三只共阳极(D)组成

A二极管B三极管C场效应管D晶闸管

84.三相全控桥式整流电路电阻负载,每个晶闸管的最大导通角θ是(B)

A 150°

B 120°

C 90°

D 60°

85、三相全控桥式整流电路电阻负载,控制角α增大,输出电压(A)。

A、减小

B、增大

C、不变

D、不定

86、三相全控桥式整流电路电感性负载无续流管,输出电压平均值的计算公式是(C)。

A、Ud=2.34U2cosα (0≤α≤ 30 o)

B、Ud=2.34U2cosα (0≤α≤ 60 o)

C、Ud=2.34U2cosα (0≤α≤ 90 o)

D、Ud=2.34U2cosα (0≤α≤ 120 o)

87.三相全控桥式整流电路电感性负载无续流管,控制角α的移相范围是(C)。

A 0-30°

B 0-60°

C 0-90°

D 0-120°

88.三相全控桥式整流电路电感性负载无续流管,控制角α大于()时,输出出现负电压

A 90度

B 60度

C 45度

D 30度

89.三相全控桥式整流电路电阻性电感性负载无续流管,控制角α的移相范围是()。

A 0-90度

B 0-60度

C 0-120度

D 0-30度

90.三相全控桥式整流电路电阻负载,电流连续与断续的分界点是控制角α=()度

A 60

B 90

C 30

D 120

91.三相全控桥式整流电路电感性负载有续流管,控制角α的移相范围是(C)。

A 0-30°

B 0-60°

C 0-90°

D 0-120°

92.自动调速系统应归类在()。

A过程控制系统B采样控制系统

C恒值控制系统D智能控制系统

93.反馈控制系统主要由()、比较器和控制器构成,利用输入与反馈两信号比较后的偏差作为控制信号纠正输出量与期望值之间的误差,是一种精确控制系统。

A给定环节B补偿环节C放大器D检测环节

94.软启动器进行启动操作后,电动机运转,但长时间达不到额定值,此故障原因不可能是()。

A启动参数不合适B启动线路接线错误

C启动控制方式不当D晶闸管模块故障

96.欧陆514调速器组成的电压电流双闭环系统在系统过载或堵转时,ASR调节器处于()。 A截止状态B调节状态C不确定D饱和状态

97.直流调速装置可运用于不同的环境中,并且使用的电气元件在抗干扰性能与干扰辐射强度存在较大差别,安装应以实际情况为基础,遵守()规则。

A安全 B 3C认证 C EMC D企业规范

98.在带电流截止负反馈的调速系统中,为安全起见还安装快速熔断器、过电流继电器等,在整定电流时,()。

A熔体额定电流>堵转电流>过电流继电器动作电流

B熔体额定电流>过电流继电器动作电流>堵转电流

C堵转电流>熔体额定电流>过电流继电器动作电流

D过电流继电器动作电流>熔体额定电流>堵转电流

99.工业控制领域中应用的直流调速系统主要采用()。

A用静止可控整流器调压B电枢回路串电阻调压

C旋转变流机组调压D直流斩波器调压

100.从自控系统的基本组成环节来看开环控制系统与闭环控制系统的区别在于(C)。

A、有无测量装置

B、有无被控对象

C、有无反馈环节

D、控制顺序

101.(A)就是在原有的系统中,有目的增添一些装置(或部件),人为地改变系统的结构和参数,使系统的性能获得改善,以满足所要求的稳定性指标。

A、系统校正

B、反馈校正

C、顺馈补偿

D、串联校正

102.自动调速系统中的(B)可看成是比例环节。

A、补偿环节

B、放大器

C、测速放电机

D、校正电路

103.带比例调节器的单闭环直流调速系统中,放大器的Kp越大,系统的(C)。

A、静态、动态特性越好

B、动态特性越好

C、静态特性越好

D、静态特性越坏

104.当初始信号为零时,在阶跃输入信号作用下,积分调节器(A)与输入量成正比。

A、输出量的变化率

B、输出量的大小

C、积分电容两端电压

D、积分电容两端的电压偏差

105.微分环节和积分环节的传递函数(A)。

A、互为倒数

B、互为约数

C、线性关系

D、不相关

106.工程设计中的调速精度指标要求在所有调速特性上都能满足,故应是调速系统(D)特性的静差率。

A、最高转速B额定转速C、平均转速D、最低转速

107.晶闸管整流装置的调速顺序应为()。

A、定初始相位、测相序、空升电压、空载特性测试

B、测相序、定初始相位、空升电压、空载特性测试

C、测相序、空升电压、定初始相位、空载特性测试

D、测相序、空升电压、空载特性测试、定初始相位

108.电压负反馈调速系统对()有补偿能力。

A励磁电流的扰动B电刷接触电阻扰动

C检测反馈元件扰动D电网电压扰动

109.直流V-M调速系统较PWM调速系统的主要优点是()。

A自动化程度高B控制性能好C动态响应快D大功率时性价比高

110.三相桥式可控整流电路电感性负载,控制角α减小时,输出电流波形()。

A降低B升高C变宽D变窄

111.三相半波可控整流电路的三相整流变压器二次侧接成()。

A Y接法

B Δ接法C桥式接法D半控接法

112.速度检测与反馈电路的精度,对调速系统的影响是()。

A只影响系统动态性能B不影响,系统可自我调节

C只决定速度反馈系数D决定系统稳态精度

113.自动调速系统中积分环节的特点是()。

A具有瞬时响应能力B具有超前响应能力

C响应具有滞后作用D具有纯延时响应

114.调速系统中调节器输入端的T型输入滤波电路在动态时,相当于一个()。

A线性环节B微分环节C阻尼环节D惯性环节

115.三相可控整流触发电路调试时,要使每相输出的两个窄脉冲(双脉冲)之间相差()。

A 120°

B 60°

C 90°

D 180°

116.在带PI调节器无静差直流调速系统中,电流截止负反馈在电动机()作用。

A堵转时起限流保护B堵转时不起

C正常运行时起限流保护D正常运行时起电流截止

117.目前三相交流调压调速系统中广泛采用()来调节交流电压。

A再加个周波控制B晶闸管PWM控制C晶闸管相位控制 D GTO相位控制118.由于比例调节器是依靠输入误差来进行调节的,因此比例调节系统中必定()。

A不确定B动态无静差C无静差D有静差

119.闭环负反馈直流调速系统中,电动机励磁电路的电压纹波对系统性能的影响,若采用()自我调节。

A电压负反馈加电流正反馈补偿调速时能B转速负反馈调速时能C转速负反馈调速时不能D电压负反馈调速时能

120.为减小剩余电压误差,其办法有()。

A提高励磁电源频率、在输出绕组电路补偿

B降低励磁电源频率、提高制造精度和加工精度

C提高制造精度和加工精度、在输入绕组电路补偿

D提高制造精度和加工精度、在输出绕组电路补偿

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系, 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属 于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为___,续流二极管承受的最大反向电压为___(设U2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _, 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-2_。

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第二章电力电子器件 一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是157A,则其额定电流为100A。若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV,则其额定电压应为60V。(不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。) 2、功率开关管的损耗包括两方面,一方面是导通损耗;另一方是开关损耗。 3、在电力电子电路中,常设置缓冲电路,其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt,减小器件的开关损耗。 4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。 5、电力开关管由于承受过电流,过电压的能力太差。所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。 二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。(√) 2、某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压为700V,则该晶闸管的额定电压是700V。(×) 3、晶闸管导通后,流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。(×) 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。(√) 5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后,去掉门极触发信号,晶闸管级能维护导通。(×) 6、在GTR 的驱动电路设计中,为了使GTR 快速导通,应尽可能使其基极极驱动电流大些。(×) 7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管;而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。(√) 8、IGBT 相比MOSFET,其通态电阻较大,因而导通损耗也较大。(×) 9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。(×) 10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。(√) 三、选择题 1、下列元器件中,( BH )属于不控型,( DEFIJKLM)属于全控型,( ACG )属于半控型。 A、普通晶闸管 B、整流二极管 C、逆导晶闸管 D、大功率晶体管 E、绝缘栅场效应晶体管 F、达林顿复合管 G、双向晶闸管 H、肖特基二极管 I、可关断晶闸管 J、绝缘栅极双极型晶体管 K、MOS 控制晶闸管 L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管 2、下列器件中,( c )最适合用在小功率,高开关频率的变换器中。 A、GTR B、IGBT C、MOSFET D、GTO 3、开关管的驱动电路采用的隔离技术有( ad ) A、磁隔离 B、电容隔离 C、电感隔离 D、光耦隔离 四、问答题 1、使晶闸管导通的条件是什么? 答:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流或脉冲(uak>0且ugk>0)。

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电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力 MOSFET)、绝缘 栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力 MOSFET,属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
;电力晶体管的图形符号是

第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ,其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __,续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _(设 U2 为相电压有效值)。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α 角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ;
带阻感负载时,α 角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电
流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_,使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时, 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压;这种电路
角的移相范围是_0-120o _,ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当
从 0°~90°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_,

从 90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 , 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 , 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ , 欲 实 现 有 源 逆 变 , 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ; 对 于 单 相 全 波 电 路 , 当 控制 角
0<
<
时,电路工作在__整流_状态;
时,电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,
其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O,使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM)_、_频率调制_和_(ton 和 T 都可调,改变占空比)混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能
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电力电子技术期末考试试题及答案修订稿

电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力

电力电子技术试题及答案(1)

《电力电子技术》试卷 一.填空(共15分,1分/空) 1.电力电子技术通常可分为()技术和()技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为()型器件和()型器件两类,晶闸管属于其中的()型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时(变压器二次侧电压有效值为U ,忽略主电路 2 各部分的电感),与电阻负载时相比,晶闸管提前了电角度δ停止导电,δ称为()角,数量关系为δ=()。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有()触发和()触发两种,常用的是()触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为()组和()组两种。 6.在特定场合下,同一套整流电路即可工作在()状态,又可工作在()状态,故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为()。 二.单选(共10分,2分/题) 1.采用()是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2.晶闸管属于()。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3.单相全控桥式整流电路,带阻感负载(L足够大)时的移相范围是()。 A.180O B.90O C.120O 4.对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说,正常工作时触发脉冲相位应依次差()度。 A.60 B. 180 C. 120 5.把交流电变成直流电的是()。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路 三.多选(共10分,2分/题) 1.电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计,工作时一般还需接散热器 2.下列电路中,不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3.使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4.逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5.变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口 四.判断(共5分,1分/题) 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。() 2.晶闸管是一种四层三端器件。()

《电力电子技术》题库含答案

一、填空题(每空1分,共50分) 1、对同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。 2、功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是________________________________。 3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为,U DSM ________ U BO。 4、电阻负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____,设U2为相电压有效值。 5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。 6、对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使用输出电压平均值_______________________。 7、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。 8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。 9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。 10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路,其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。 11、改变SPWM逆变器中的调制比,可以改变_____________________________________________的幅值。 12、为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是___________________________________________。 13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。 14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管,以便与功率晶体管的开关时间相配合。 15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号,能维持通态所需要的最小阳极电流,称为:___________________________________________________________________________________________。 16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较________________的规化值。 17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定,双向晶闸管的额定电流用___________________标定。 18、晶闸管的导通条件是:晶闸管_________________和阴极间施加正向电压,并在______________和阴极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。 19、温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而__________,正反向漏电流随温度升高而__________,维持电流I H会____________________,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而_________________。 导通后流过晶闸管的电流由_____________________决定,负载上电压由______________________决定。 20、晶闸管的派生器件有: ____________ 、 ____________ 、 ____________ 、 ____________等。 21、功率场效应管在应用中的注意事项有: (1)_________________________________________,(2)______________________________________,(3)_________________________________________,(4)_____________________________________。22、整流就是把交流电能转换成直流电能,而将直流转换为交流电能称为__________________________,它是对应于整流的逆向过程。 23、____________________________________________与开关的频率和变换电路的形态性能等因素有关。

电力电子技术试题(二)

电力电子技术 试题(A ) 注:卷面 85分,平时成绩15分 一、 回答下列问题 1、下列器件的分类表中,将符合每一类别的全部选项添入表中。(8分) 选项:(根据选项填空时,只需写选项的代号,如:A,B,….) A. SCR B.GTO C.GTR D.P-MOSFET E.IGBT F.电力二极管 G.MCT 。 2、判断下列各题的正确性,正确的打“√”,不正确的打“×” 。(6分) (1) 某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V ,反向重复峰值电压700V ,则该晶 闸管的额定电压是700V 。( ) 第 1 页 (共 8 页) 试 题:电力电子技术 班号: 姓名:

(2) 对于输入接整流变压器的可控整流电路,变压器存在直流磁化的有三相半波 整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。( ) (3)单相全控桥式变流电路,“阻感——反电势” 负载,已知60β=o ,2100U V =, 50E V =,电路处于可逆变状态。 ( ) 3、画出全控型器件RCD 关断缓冲电路,并分析缓冲电路中各元件作用。(6分) 第 2 页 (共 8 页) 试 题: 电力电子技术 班号: 姓名:

二、对于三相全控桥式变流电路,在不同的负载形式和控制要求下, 回答下列问题。 1、 画出该电路带“阻感——反电势” 负载,并工作于整流方式时的电路图 (要标明反电势极性)。(5分) 3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态,V U 1002=,负载中E=47V , Ω=5R ,当60α=o 时,试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流 平均值dVT I 。(5分) 第 3 页 (共 8 页) 试 题:电力电子技术 班号: 姓名: u u u 2、当该电路工作于整流状态时,设触发角60α=o 且负载电流连 续,请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在 一个周期内的波形。(5分) i VT10

(完整版)电力电子技术期末考试试题及答案

电 力 电 子 复 习 姓名:杨少航

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可

电力电子技术试题及答案(B)

电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力? 答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区,也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断, 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解:a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时,相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解:额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35, I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答:GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构,由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益 1α和2α, 由普通晶阐管的分析可得, 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21>αα+两个等效晶体管过饱和而导通;

电力电子技术试题20套及答案

考试试卷( 1 )卷 一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分) 1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属 于前者。 2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时, _________损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为 _________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。 4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果 基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是__MOSFET_,单管输出功率最大 的是__GTO_,应用最为广泛的是__IGBT___。 6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大 反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。 7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。 8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1) 0~t1时间段内,电流的通路为___VD1_____;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为___V1____; (3) t2~t3时间段内,电流的通路为__VD2_____;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为__V2_____;(5) t4~t5 时间段内,电流的通路为___VD1____;

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号是 ; 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为_22U __,续流二极管承受的最大反向电压为__22U _(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ; 带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _;带反电动势负载时,欲使电阻上的 电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为_有源逆变_,欲实现有源逆变,只能采用__全控_电路;对于单相全波电路,当控制角 0< α < π /2 时,电路工作在__整流_状态; π /2< α < π 时,电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ,使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM )_、_频率调制_和_(t on 和T 都可调,改变占空比)混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合;

电力电子技术试题

1. 什么是电力电子技术? 答:应用于电力领域的、使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。是一门与电子、控制和电力紧密相关的边缘学科。 2. 说“电力电子技术的核心技术是变流技术”对吗? 答:对。 3. 模拟电子技术和数字电子技术也是电力电子技术吗? 答:不是。 4. 举几例日常生活中应用电力电子技术的装置。 答:电动自行车的充电器,手机充电器,电警棍等。 5. 简答“开关电源”和“线性电源”的主要优缺点。 答: 开关电源: 优点:体积小、重量轻、效率高、自身抗干扰性强、输入和输出的电压范围宽、可模块化。 缺点:由于开关工作模式和高频工作状态,对周围设备有一定的干扰。需要良好的屏蔽及接地。 线性电源: 优点:电源技术很成熟,可以达到很高的稳定度,波纹也很小,而且没有开关电源具有的噪声干扰。 缺点:是需要庞大而笨重的变压器,所需的滤波电容的体积和重量也相当大,效率低。 将逐步被开关电源所取代。 6. 解释:不可控器件(说明导通和关断的条件)、半控型器件、全控型器件,并举出代表 性器件的名称。 答: 不可控器件:不用控制信号来控制其通、断。导通和关断取决于其在主电路中承受电压的方向和大小。典型器件:电力二极管 导通条件:正向偏置,即承受正向电压,且正向电压>阀值电压。 关断条件:反向偏置,即承受反向电压。 半控型器件:用控制信号来控制其导通,一旦导通门极就失去控制作用。关断取决于其

在主电路中承受的电压、电流的方向和大小。典型器件:晶闸管 全控型器件:导通和关断均由电路的触发控制信号驱动(驱动状态需保持)。 典型器件:GTR、IGBT、POWER MOSFET。 7. 如图示的二极管伏安特性曲线,示意性地在坐标曲线上标注二极管的参数“反向击穿 电压UB”、“门槛电压UTO”、“正向导通电流IF”及其对应的“正向压降UF”、“反向 漏电流”。 答:

电力电子技术复习试题与答案

电力电子技术复习2011 一、选择题(每小题10分,共20分) 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°, B、60°, c、360°, D、120° 2、α为C度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。 A,0度, B,60度, C,30度, D,120度, 3、晶闸管触发电路中,若改变 B 的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。 A、同步电压, B、控制电压, C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为A。 A、三相半波可控整流电路, B、三相半控桥整流桥电路, C、单相全控桥接续流二极管电路, D、单相半控桥整流电路。 5、在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种围合理A。 A、30o-35o, B、10o-15o, C、0o-10o, D、0o。 6、在下面几种电路中,不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流桥电 路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 7、在有源逆变电路中,逆变角的移相围应选B为最好。 A、=90o∽180o, B、=35o∽90o, C、 =0o∽90o, 8、晶闸管整流装置在换相时刻(例如:从U相换到V相时)的输出电压等于C。

A、U相换相时刻电压u U , B、V相换相时刻电 压u V , C、等于u U +u V 的一半即: 9、三相全控整流桥电路,如采用双窄脉冲触发晶闸管时,下图中哪一种双窄脉 冲间距相隔角度符合要求。请选择B。 10、晶闸管触发电路中,若使控制电压U C =0,改变C的大小,可使 直流电动机负载电压U d =0,使触发角α=90o。达到调定移相控制围,实现整流、逆变的控制要求。 B、同步电压, B、控制电压, C、偏移 调正电压。 11、下面哪种功能不属于变流的功能(C) A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点; B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处; C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°; D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V, 则该晶闸管的额定电压应为(B) A、700V B、750V C、800V D、850V 14、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相围是( D )

最新电力电子技术试题及答案(1)

德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题 《电力电子技术》试卷 一、选择(每题1.5分,共60分) 1、 晶闸管内部有( )个PN 结。 A 、1 B 、2 C 、3 D 、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压( )越好。 A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定 3、晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的( )来表示的。 A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有( )个电极。 A 、一个 B 、两个 C 、三个 D 、四个 5、下列电力半导体器件电路符号中,表示IGBT 器件电路符号的是( ) 6、比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 7、比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 8、比较而言,下列半导体器件中性能最好的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 9、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的的是( ) A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO 10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是( ) A 、IPM B 、MOSFET C 、IGBT D 、GTO 11、逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用( ) A 、晶闸管 B 、单结晶体管 C 、电力晶体管 D 、绝缘栅双极型晶体管 12、电力场效应管MOSFET 适于在( )条件下工作 A 、直流 B 、低频 C 、中频 D 、高频 13、要使绝缘栅双极型晶体管导通,应( ) A 、在栅极加正电压 B 、在集电极加正电压 C 、在栅极加负电压 D 、

电力电子技术试题库

电力电子技术作业题 一、选择题(每题20分) 1.()晶闸管额定电压一般取正常工作时晶闸管所承受峰电压的( B )。 A. 1~2倍 B. 2~3倍 C. 3~4倍 D. 4~5倍 2.()选用晶闸管的额定电流时,根据实际最大电流计算后至少还要乘以( A )。 A. 1.5~2倍 B. 2~2.5倍 C. 2.5~3倍 D. 3~3.5倍 3.()晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持通态所需要的最小电流是( B )。 A. 维持电流IH B. 擎住电流IL C. 浪涌电流ITSM D. 最小工作电流IMIN 4.()对同一只晶闸管,擎住电流IL约为维持电流IH的( B )。 A. 1~2倍 B. 2~4倍 C. 3~5倍 D. 6~8倍 5.( )普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定,而双向晶闸管通常用在交流电路中,因此其额定电流用( D )标定。 A. 平均值 B. 最大值 C. 最小值 D. 有效值 6.( C )晶闸管属于 A. 全控型器件 B.场效应器件 C.半控型器件 D.不可控器件 7.( )晶闸管可通过门极( C )。 A. 既可控制开通,又可控制关断 B.不能控制开通,只能控制关断 C.只能控制开通,不能控制关断 D.开通和关断都不能控制 8.()使导通的晶闸管关断只能是( C )。 A. 外加反向电压 B.撤除触发电流 C. 使流过晶闸管的电流降到接近于零 D. 在门极加反向触发 9.()在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是( A )。 A. 阴极K B. 阳极A C. 门极K D. 发射极E 10. ()晶闸管导通的条件是( A )。 A. 阳极加正向电压,门极有正向脉冲 B. 阳极加正向电压,门极有负向脉冲 C. 阳极加反向电压,门极有正向脉冲 D. 阳极加反向电压,门极有负向脉冲 11. ( )可关断晶闸管(GTO)是一种( A )结构的半导体器件。 A.四层三端 B.五层三端 C.三层二端 D.三层三端 12 . ()晶闸管的三个引出电极分别是(A)。 A.阳极、阴极、门极 B.阳极、阴极、栅极 C.栅极、漏极、源极 D.发射极、基极、集电极 13. ()已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流( A )。 A.减小至维持电流I H以下 B.减小至擎住电流I L以下 C.减小至门极触发电流I G以下 D.减小至5A以下 14. ( )单相半波可控整流电路,阻性负载,控制角α的最大移相范围是( B )。 A.0~90° B. 0~120°C. 0~150°D. 0~180° 15. ( )单相半波可控整流电路,阻性负载,当α=( D )时,U d = 0。 A.90° B. 120°C. 150°D. 180° 16. ( )单相半波可控整流电路,阻性负载,当α=( D )时,U d=0.45 U2。 A.0° B. 90°C. 150°D. 180° 17.( )单相半波可控整流电路,阻性负载,晶闸管承受的最大正反向电压均为( C )。 A.U2 B. 2 C. 2 D. 2U2 18.()单相半波可控整流电路,带电阻性负载R,设变压器二次侧相电压有效值为U2,

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