2DP.2.4 R&D progress of next-generation of very thin HIT solar cells
R&D PROGRESS OF NEXT-GENERATION
VERY THIN HIT TM SOLAR CELLS
H. Sakata, Y. Tsunomura, H. Inoue, S. Taira, T. Baba,
H. Kanno, T. Kinoshita, M. Taguchi, and E. Maruyama
Advanced Energy Research Center, SANYO Electric Co., Ltd., Japan
e-mail: hitoshi.sakata@https://www.wendangku.net/doc/46721683.html, tel: +81-50-3116-3764, fax: +81-78-993-1096 ABSTRACT: In order to reduce the power-generating cost of crystalline silicon-based solar cells, it is necessary to achieve a high conversion efficiency with thinner crystalline silicon wafers.The Voc of a very thin HIT solar cell reached 747 mV by improving the passivation capability of the a-Si/c-Si interface. The Hall mobility of a transparent conductive oxide increased 1.3 times. With these technical improvements, the conversion efficiency of the HIT solar cell rose to 23.0%. In order to suppress the production cost, we also applied these improvements to thin HIT solar cells. We successfully obtained a conversion efficiency of 22.8% for a 98-μm-thick HIT solar cell. Because of its excellent conversion efficiency, the HIT solar cell has received much attention, and many researchers have been studying amorphous–silicon/crystalline-silicon heterojunction solar cells.
Keywords: c-Si, Heterojunction, Silicon Solar Cell
1 INTRODUCTION
As long as it is exposed to sunlight, the solar cell will continuously generate electricity without consuming fossil fuels. Despite such a preferable and clean feature, it has not spread as a valid power source until recently. The reason why the solar cell has not been commonly used is its low power output due to the low energy density of sunlight, and the fact that it is costly. However, in the 20th century, our consumption of fossil fuels, environmental destruction and global warming have become crucial problems. Under such circumstances, solar energy was noted as an effective measure against carbon dioxide emission and global warming. In order to introduce solar electricity, policies such as a feed-in-tariff are being promoted. As a result, clean but expensive solar cells are now widespread, and the solar cell industry is growing larger in scale. The total production capacity is dramatically increasing. The total production capacity of the PV industry was 10.7GW in 2009, which is more than a 51% increase over the 7.06GW of 2008. With the expanding market size, there is a growing need for improving the efficiency and suppressing the cost of solar cells.
SANYO has been providing HIT solar modules to the market since 1997. The HIT solar module consists of original SANYO high-efficiency solar cells known as HIT solar cells. To meet the market demand for high-efficiency low-cost solar cells, we have made great efforts not only to raise the conversion efficiency of HIT solar modules, but also to supply them at low prices. In order to reduce the cost of solar modules, the use of a thinner silicon wafer is an important approach because the silicon wafer accounts for a large part of the module cost. Therefore, without compromising efficiency, we are also conducting research on cell thinning. We have recently raised the highest conversion efficiency in a practical sized solar cell to 23.0% [1]. In addition, we have successfully applied our high-efficiency processes to thin silicon solar cells of less than 100 μm in thickness and achieved a conversion efficiency of 22.8% [2]. In this paper, we describe our recent efforts to raise the conversion efficiency and reduce the production cost of the HIT solar cell. In addition, we briefly introduce other research efforts related to the HIT structure. 2 STRUCTURE OF THE HIT SOLAR CELL
Figure 1 shows the structure of a HIT solar cell. The HIT solar cell is an original SANYO structure in which an intrinsic (i-type) amorphous silicon (a-Si) layer and a p-type a-Si layer are deposited on a randomly textured n-type CZ crystalline silicon (c-Si) wafer, so that a p/n heterojunction is formed. On the opposite side of the c-Si wafer, i-type and n-type a-Si layers are deposited to obtain a Back Surface Field (BSF) structure. On both sides of the doped a-Si layers, Transparent Conductive Oxide (TCO) layers and metal grid electrodes are formed. All of the processes described above are done at low temperature (<200?C), so that any thermal damage to the components of the cell can be avoided.
Figure 1. The structure of a HIT solar cell.
By inserting the high-quality intrinsic a-Si layer between the c-Si wafer and the doped a-Si layer using a low-damage process, the surface dangling bonds of c-Si can be well passivated. This is based on our technologies for forming high-quality i-type a-Si. This effective passivation allows us to obtain a HIT solar cell with a high V oc compared to a general c-Si based solar cell fabricated by the thermal diffusion of ~900?C. Its high V oc leads to not only a high conversion efficiency but also an excellent temperature coefficient. This good temperature coefficient of HIT solar cells can bring higher benefits to consumers because the annual amount of output power that the HIT solar cells produce is more than that of a conventional type. In addition, as shown in Fig. 1, the HIT solar cell has a symmetrical structure that provides two features. One is the applicability of the cell to a so-called bifacial module which can generate more electricity than an ordinary module, and the other is a
TCO i-type a-Si
~ 0.01 μm
stress-free structure, which is very important for thinner wafer processing [3].
3 EFFORTS TO IMPROVE THE EFFICIENCY OF THE HIT SOLAR CELL
Although there are various losses restricting the efficiency of the HIT solar cell, we have been focusing mainly on the following techniques for obtaining higher conversion efficiency.
A ） Improving the passivation capability of a-Si/c-Si
heterointerfaces to reduce the surface recombination loss for a higher open circuit voltage (Voc).
B ） Reducing the optical absorption loss of the TCO
and amorphous layers for a higher short circuit current (Isc).
C ） Improving the definition and electrical
conduction of the grid electrode to suppress shadow and resistance losses for a higher Isc and fill factor (F.F.).
In this paper we will be discussing A) and B) above.
A) Improving the passivation capability of a-Si/c-Si heterointerfaces
As previously mentioned, the high performance of the HIT solar cell is characterized by the excellent passivation capability of the a-Si/c-Si heterointerface with intrinsic a-Si interlayer. In order to improve the properties of the a-Si/c-Si heterointerface, we have been focusing on the following techniques:
? Cleaning the c-Si surface using low-cost wet
cleaning processes before a-Si deposition
? Depositing a high-quality intrinsic a-Si layer by
plasma enhanced chemical vapor deposition
? Maintaining low plasma and thermal damage to the
c-Si surface and heterojunction while fabricating the a-Si, TCO layers and grid electrodes.
Minority carrier lifetime (μsec)
V o c (V )
Figure 2. Voc of HIT solar cells as a function of minority carrier lifetime.
Improvements in the above techniques have diminished localized states in the intrinsic a-Si layer and heterointerface, which results in a longer minority carrier lifetime (LT) in a HIT solar cell. Figure 2 shows the relationship between the Voc and LT of HIT solar cells. In the early stage of HIT solar cell development, the Voc and LT were improved by refining the c-Si surface cleaning process, as shown in the lower left portion of the figure. Subsequently, the development of
a process with low plasma and thermal damage further improved the Voc and LT, as shown in the upper part of the figure. Furthermore, the Voc increases with decreases in the cell thickness for recently fabricated HIT solar cells. The Voc for a 58-μm-thick HIT solar cell has reached 747 mV [4]. This Voc dependency on thickness means that the surface recombination velocity (SRV) in the HIT solar cell is low enough. In order to evaluate the SRV of the HIT solar cell, we calculated the Voc at various SRVs and cell thicknesses. Figure 3 shows the experimental and calculation results of the Voc deviation dependency of cell thickness. This result indicates that the SRV of recent HIT solar cells can be estimated to be between 1 cm/s and 10 cm/s [5]. This value proves the excellent passivation capability of the a-Si/c-Si heterojunction in the HIT solar cell.
-20
-10
10
20
20
40
60
80100
CELL THICKNESS (μm)
V o c D E V I A T I O N (m V )
Figure 3. Experimental and calculation results of the Voc deviation dependency of cell thickness. The solid lines indicate the calculation results for various SRV. The points with dashed lines indicate experimental results.
B) Reducing the optical absorption loss of the TCO and amorphous layers
The absorption losses of the TCO and a-Si layers are specific issues of the HIT solar cell. Absorption loss in a-Si layers occurs at wavelengths shorter than that equivalent to the bandgap energy of a-Si layers.
0.80.91.01.11.21.31.41.50.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
Carrier concentration (arb. units)
H a l l m o b i l i t y (a r b . u n i t s )
Figure 4. Relationship between the relative carrier concentration and relative Hall mobility of TCO layers. The Hall mobility values for improved and previous TCO layers are indicated by the open circles and closed circles, respectively.
Substituting wider-gap a-Si related materials for normal a-Si and thinning the a-Si layers are effective for suppressing optical absorption loss in a-Si layers. On the other hand, absorption loss in a TCO is mainly caused by free carrier absorption affecting mainly the near infrared region of the spectrum. In order to reduce free carrier absorption, the carrier concentration must be diminished. But, a low carrier concentration also results in high resistivity. We successfully improved the electrical conductivity and optical transmittance of the TCO layers at the same time. Figure 4 shows the relationship between carrier concentration and Hall mobility of our TCO layers. As shown in the figure, the Hall mobility of the improved TCO layers is about 1.3 times higher than that of previous TCO layers. Figure 5 shows the internal quantum efficiency (IQE) spectra of HIT solar cells with an improved low-carrier concentration TCO and those with our previous TCO [4].
Figure 5. IQE spectra of HIT solar cells, with improved TCO (solid line) and previous TCO (dashed line).
These TCO films were deposited on HIT solar cells fabricated with the same thickness. As shown in the figure, the new TCO seems to exhibit better sensitivity in the near infrared region (>1,000 nm) of the IQE spectra.
4 PROGRESS IN THE CONVERSION EFFICIENCY
OF HIT CELLS. AND OTHER INSTITUTIONS’ HETEROJUNCTION SOLAR CELLS RESULTS
Figure 6 shows the progress in conversion efficiency records for HIT solar cells and other institutions’ results
C o n v e r s i o n e f f i c i e n c y (%)
Year
Figure 6. Progress in conversion efficiency of HIT and other institutions’ results for heterojunction solar cells.
4.1 Other institutions’ Results
Recently, the HIT solar cell has received much attention for its excellent conversion efficiency, and has already been mass-produced. Many researchers began studying a-Si/c-Si heterojunction solar cells, and some excellent properties approaching our preceding results have been reported.
As for activities concerning high conversion efficiency, Schmidt et al. reported a conversion efficiency of 19.8% for a double-heterojunction cell with an n-type Si substrate, and Angermann et al. reported 18.4% for a single-heterojunction cell with a p-type Si substrate [6, 7]. As for new trials, some attempts to fabricate back-contact type heterojunction cells have been reported. Tucci et al. reported conversion efficiency values of 15% [8].
Many other studies on the basic characteristics of the a-Si/c-Si heterojunction and various types of heterojunction solar cells have been publicized. The integration of this fundamental research is expected to bring dramatic performance improvements to heterojunction solar cells.
4.2 Sanyo’s Results
We have made great efforts to raise the conversion efficiency of HIT solar cells because the conversion efficiency has a great impact on the cost of a solar power system. We have been constructing and developing a prototype HIT solar cell, whose structure and fabrication procedure are essentially compatible with our mass production technologies, to incorporate technical progress into future products. With the approaches mentioned above, we have recently raised the highest conversion efficiency in a practical sized (>100 cm 2) solar cell to 23.0% [1].
Figure 7. I-V characteristics of the 23.0% efficiency HIT solar cell.
In addition, we have successfully applied our high-efficiency processes to thin silicon solar cells of less than 100 μm and achieved a conversion efficiency and Voc of 22.8% and 743 mV, respectively [2]. These results were evaluated by the National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST). The I-V characteristics of these results are shown in Figs. 7 and 8.
Figure 8. I-V characteristics of the 22.8% efficiency HIT solar cell with 98-μm thickness.
Since we achieved a 22.8% conversion efficiency with a 98-μm silicon substrate, we have been continuously trying to fabricate HIT solar cells with much thinner silicon substrates [4, 5]. As for mechanical strength, no solar cell warping has yet been seen down to a 58-μm substrate. Figure 9 shows the behavior of the normalized Isc and Voc of HIT solar cells over substrate thickness. As we predicted with a simulation, the Voc of the HIT solar cell increases at least down to a 58-μm-thick silicon substrate. We actually achieved a very high Voc of 747 mV with a 58-μm substrate. On the other hand, the Isc decreases more rapidly than the Voc increases. To recover this transmission loss of Jsc with a thinner silicon substrate, the design of a strong optical confinement structure is urgently required.
Figure 9. Behavior of parameters for HIT solar cells with a silicon substrate thinner than 100 μm. Values are normalized by that of a solar cell with a 96-μm-thick substrate.
5 SUMMARY
In this paper, we described Sanyo’s recent activities for improving the power generating performance and reducing the production cost of HIT solar cells. We have continuously been developing the passivation capability of a-Si/c-Si heterointerfaces, the transparency of the TCO and so on to raise the conversion efficiency. As a result, we achieved a conversion efficiency record of 23.0% with a cell area of 100.4 cm2. In addition, utilizing the benefits of a highly symmetrical structure and low SRV, we demonstrated a conversion efficiency of 22.8% with a cell thickness and area of 98 μm and 100.3 cm2, respectively.
We also briefly mentioned other institutions' results on heterojunction solar cells. A number of institutions have been studying the fundamental characteristics of the a-Si/c-Si heterojunction. The integration of Sanyo and other institutions’ studies is expected to bring fruitful improvements to a-Si/c-Si heterojunction solar cells.
6 REFERENCES
[1] Sanyo Electric Co., Ltd., News Release, May 22,
2009.
(HIT is a trademark of SANYO Electric Co., Ltd.) [2] M. Taguchi, Y. Tsunomura, H. Inoue, S. Taira, T.
Nakashima, T. Baba, H. Sakata, and E. Maruyama, Proc. 24th EUPVSEC, 21-25 September 2009, Hamburg Germany, pp. 1690-1693.
[3] H. Sakata, T. Nakai, T. Baba, M. Taguchi, S. Tsuge,
K. Uchihashi, and S. Kiyama, 28th IEEE PVSC(2000). pp. 7-12.
[4] D. Fujishima, H. Inoue, Y. Tsunomura, T. Asaumi, S.
Taira, T. Kinoshita, M. Taguchi, H. Sakata, and E.
Maruyama, 35th IEEE PVSC, 20-25 June 2010, Honolulu, Hawaii (to be published).
[5] H. Inoue, Y. Tsunomura, D. Fujishima, A. Yano, S.
Taira, Y. Ishikawa, T. Nishiwaki, T. Nakashima, T.
Asaumi, M. Taguchi, H. Sakata, and E. Maruyama, Proc. 2009 MRS Fall Meeting (to be published).
[6] M. Schmidt, L. Korte, A. Laades, R. Stangl, Ch.
Schubert, H. Angermann, E. Conrad, and K.v.
Maydell, Thin Solid Films 515 (2007), pp. 7475–
7480.
[7] H. Angermann, L. Korte, J. Rappich, E. Conrad, I.
Sieber, M. Schmidt, K. Hübener, and J. Hauschild,
Thin Solid Films 516 (2008), pp. 6775–6781.
[8] Mario Tucci, Luca Serenelli, Enrico Salza1, Luisa
Pirozzi, Giampiero de Cesare, Domenico Caputo, Matteo Ceccarelli, Pierino Martufi, Simona De Iuliis, Lambert J. Geerligs,23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference, 1-5 September 2008, Valencia, Spain
神通数据库参数配置工具手册
神通数据库 参数配置工具手册 版本6.0 天津神舟通用技术有限公司 2010年1月
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ORACLE数据库管理初始化参数
管理初始化参数 管理初始化参数（调优的一个重要知识点，凭什么可以对数据库进行调优呢？是因为它可以对数据库的一些参数进行修改修正） 初始化参数用于设置实例或是数据库的特征。oracle9i提供了200多个初始化参数，并且每个初始化参数都有默认值。 显示初始化参数(1) show parameter命令 如何修改参数需要说明的如果你希望修改这些初始化的参数，可以到文件D:\oracle\admin\myoral\pfile\init.ora文件中去修改比如要修改实例的名字数据库（表）的逻辑备份与恢复 逻辑备份是指使用工具export将数据对象的结构和数据导出到文件的过程，逻辑恢复是指当数据库对象被误操作而损坏后使用工具import利用备份的文件把数据对象导入到数据库的过程。 物理备份即可在数据库open的状态下进行也可在关闭数据库后进行，但是逻辑备份和恢复只能在open的状态下进行。 导出导出具体的分为：导出表，导出方案，导出数据库三种方式。 导出使用exp命令来完成的，该命令常用的选项有： userid：用于指定执行导出操作的用户名，口令，连接字符串 tables：用于指定执行导出操作的表 owner：用于指定执行导出操作的方案 full=y：用于指定执行导出操作的数据库 inctype：用于指定执行导出操作的增量类型 rows：用于指定执行导出操作是否要导出表中的数据 file：用于指定导出文件名 导出表 1.导出自己的表exp userid=scott/tiger@myoral tables=(emp,dept) file=d:\e1.dmp 2.导出其它方案的表如果用户要导出其它方案的表，则需要dba的权限或是exp_full_database的权限，比如system就可以导出scott的表E:\oracle\ora92\bin>exp userid=system/manager@myoral tables=(scott.emp) file=d:\e2.emp 特别说明：在导入和导出的时候，要到oracle目录的bin目录下。 3. 导出表的结构exp userid=scott/tiger@accp tables=(emp) file=d:\e3.dmp rows=n 4. 使用直接导出方式exp userid=scott/tiger@accp tables=(emp) file=d:\e4.dmp direct=y 这种方式比默认的常规方式速度要快，当数据量大时，可以考虑使用这样的方法。 这时需要数据库的字符集要与客户端字符集完全一致，否则会报错... 导出数据库导出数据库是指利用export导出所有数据库中的对象及数据，要求该用户具有dba的权限或者是exp_full_database权限 增量备份（好处是第一次备份后，第二次备份就快很多了） exp userid=system/manager@myorcl full=y inctype=complete file=d:\all.dmp
用友NC数据库服务器参数配置说明
数据库服务器参数配置说明目录 DB2的参数配置说明 数据库环境变量配置 2CPU，2G内存配置建议 4CPU，4G内存配置建议 8CPU，8G内存配置建议 ORACLE的参数配置说明 公共参数（适用于所有硬件配置） 2CPU，2G内存配置建议 4CPU，4G内存，32位数据库配置建议 4CPU，4G内存，64位数据库配置建议 8CPU，8G内存配置建议 SQL Server数据库配置建议 DB2的参数配置说明 下面参数是针对NC应用建议性调整，具体需要根据应用规模和特点再调整 数据库环境变量设置 db2set DB2_SKIPINSERTED=YES db2set DB2_INLIST_TO_NLJN=YES db2set DB2_MINIMIZE_LISTPREFETCH=YES db2set DB2_ANTIJOIN=EXTEND 2CPU，2G内存配置建议 系统大约支持用户并发数：30左右
数据库管理器配置参数 --1.应用程序支持层堆大小(aslheapsz) (4K) update dbm cfg using aslheapsz 256; --2.排序堆阈值(sheapthres) (4K) update dbm cfg using sheapthres 20000 ; --3.代理程序的最大数目(maxagents) update dbm cfg using maxagents 100; --4.代理程序池大小(NUM_POOLAGENTS) update dbm cfg using NUM_POOLAGENTS 30; 数据库配置参数 假设NC数据库名称为“ncdata00” --1.数据库堆(DBHEAP)(4K) update database configuration for ncdata00 using DBHEAP 4096 automatic; --2.日志缓冲区大小(logbufsz) (4K) update database configuration for ncdata00 using logbufsz 512 automatic; --3.编目高速缓存大小(CATALOGCACHE_SZ) (4K) update database configuration for ncdata00 using CATALOGCACHE_SZ 1024 automatic; --4.用于锁定列表的最大内存(locklist) (4K) update database configuration for ncdata00 using locklist 4096 automatic; --5.最大应用程序控制堆大小(app_ctl_heap_sz) (4K) -- update database configuration for ncdata00 using app_ctl_heap_sz 2048; update database configuration for ncdata00 using appl_memory automatic; --6.排序堆大小(sortheap)(4K) update database configuration for ncdata00 using sortheap 2048 automatic; --7.语句堆大小(stmtheap) (4K) update database configuration for ncdata00 using stmtheap 2048 automatic; --8.应用程序堆大小(applheapsz)(4K) update database configuration for ncdata00 using applheapsz 1024 automatic;
数据库调优参数配置以及参数说明
数据库参数配置 参数说明 1．maxagents －最大代理程序数配置参数 从版本9.5 起，就不推荐使用此参数。数据库管理器将忽略对此配置参数指定的任何值。 此参数指示可在任何给定时间接受应用程序请求的数据库管理器代理程序（无论是协调代理程序还是子代理程序）的最大数目。 配置类型 数据库管理器 适用于 ?带有本地和远程客户机的数据库服务器 ?带有本地客户机的数据库服务器 ?带有本地和远程客户机的分区数据库服务器
参数类型 可配置 缺省值[范围] 200 [1 - 64 000] 在带有本地和远程客户机的分区数据库服务器上为400? [1 - 64 000] 计量单位 计数器 如果您想限制协调代理程序数，请使用max_coordagents参数。 此参数可在内存受约束的环境中来限制数据库管理器使用的内存总量，因为每个附加 代理程序都需要附加内存。 建议：maxagents的值至少应为每个数据库中允许同时访问的maxappls的值之和。 如果数据库数大于numdb参数，那么最安全的过程是使用具有maxappls的最大值 的numdb产品。 每个附加代理程序都需要一些在数据库管理器启动时分配的资源开销。 如果在尝试连接至数据库时遇到内存错误，请尝试进行下列配置调整： ?在未启用查询内并行性的非分区数据库环境中，增大maxagents数据库配置参数的值。 ?在分区数据库环境或启用了查询内并行性的环境中，增大maxagents或 max_coordagents中较大者的值。 2. num_poolagents －代理程序池大小配置参数 此参数设置空闲代理程序池的最大大小。 配置类型 数据库管理器 适用于 ?带有本地和远程客户机的数据库服务器 ?带有本地客户机的数据库服务器 ?带有本地和远程客户机的分区数据库服务器 参数类型 可联机配置 缺省值
PostgreSQL数据库配置参数详解
十章数据库参数 PostgresSQL提供了许多数据库配置参数，本章将介绍每个参数的作用和如何配置每一个参数。 10.1 如何设置数据库参数 所有的参数的名称都是不区分大小写的。每个参数的取值是布尔型、整型、浮点型和字符串型这四种类型中的一个，分别用boolean、integer、floating point和string表示。布尔型的值可以写成ON、OFF、TRUE、FALSE、YES、NO、1和0，而且不区分大小写。 有些参数用来配置内存大小和时间值。内存大小的单位可以是KB、MB和GB。时间的单位可以是毫秒、秒、分钟、小时和天。用ms表示毫秒，用s表示秒，用min表示分钟，用h表示小时，用d表示天。表示内存大小和时间值的参数参数都有一个默认的单位，如果用户在设置参数的值时没有指定单位，则以参数默认的单位为准。例如，参数shared_buffers 表示数据缓冲区的大小，它的默认单位是数据块的个数，如果把它的值设成8，因为每个数据块的大小是8KB，则数据缓冲区的大小是8*8=64KB，如果将它的值设成128MB，则数据缓冲区的大小是128MB。参数vacuum_cost_delay 的默认单位是毫秒，如果把它的值设成10，则它的值是10毫秒，如果把它的值设成100s，则它的值是100秒。 所有的参数都放在文件postgresql.conf中，下面是一个文件实例: #这是注释 log_connections = yes log_destination = 'syslog' search_path = '"$user", public' 每一行只能指定一个参数，空格和空白行都会被忽略。“ #”表示注释，注释信息不用单独占一行，可以出现在配置文件的任何地方。如果参数的值不是简单的标识符和数字，应该用单引号引起来。如果参数的值中有单引号，应该写两个单引号，或者在单引号前面加一个反斜杠。 一个配置文件也可以包含其它配置文件，使用include指令能够达到这个目的，例如，假设postgresql.conf文件中有下面一行： include ‘my.confg’
数据库的建库基本知识
数据库培训之建库基本知识 一.数据库创建初期应该注意的知识 1.如何创建表空间 create tablespace OEM_REPOSITORY datafile'D:\Oracle\oracleR2\zhtd\OEM_REPOSITORY_01.dbf' size50m autoextend on next10m extent management local online; ?指明路径（需要注意所向的磁盘空间是否足够）； ?定义初始化大小，以及自动增长率； ?指定其有本地表空间（本地表空间的好处是能自己分配空闲表空间到业务繁忙的表空间，降低由于Delete引起的表空间碎片产生的影响）； ?指定其为在线状态，如果是offline的话，ORACLE 是无法访问其内容的； ?通常情况下，按以上方法指定的表空间，是不必要给太大的初始化值的，因为已经指定了该表空间自动增长。 2.如何创建用户 create user GZPWMIS identified by "bcc" default tablespace TS_PWSC temporary tablespace TEMP profile DEFAULT; grant connect to GZPWMIS; grant dba to GZPWMIS; grant resource to GZPWMIS; grant unlimited tablespace to GZPWMIS; ?在定义时就给用户设置密码； ?指定该用户所在的表空间和临时表空间； ?给用户赋权 ?指定用户可能使用到表空间的大小（本例是无限） 3.如何创建表 create table CORE_ROLE ( rolecode NUMBER not null, orgcode VARCHAR2(50), rolename VARCHAR2(50) ) tablespace TS_PWSC pctfree10 initrans1 maxtrans255 storage
数据库常见错误及参数设置
话单工具数据库常见错误及参数设置 错误1. 解决方法：话单文件中的DownLinkVolume_B字段类型和数据库中的该字段类型不匹配，导致导入错误，在我们的新话单工具中对这种错误是把该话单文件作为错误话单，抛弃整个话单文件，放入badCDR文件中。 错误2： 解决方法：也是话单文件中的数据类型不正确导致入库错误，在新话单导入工具中是默认选
择 1.stop ，保证在后台不会出现大量的select an option.和县招聘https://www.wendangku.net/doc/46721683.html,/post/job/ 错误3： 解决方法：连接数据库错误，查看话单工具中的配置文件，服务器所在网络的通畅，数据库是否开启。 错误4： /19 11:06:20. 0000000003 [20152]: You have run out of IQ STORE dbspace in database /home/sybase/yrg/yrg.db. In another session, please issue a CREATE DBSPACE ... IQ STORE command and add a dbspace of at least 8 MB. 解决方法：数据库的临时表空间不足，导致报错，我们要加大临时表空间的大小，执行以下语句 CREATE DBSPACE new_temp AS '/home/sybase/yrg/newiq.iqtmp' IQ TEMPORARY STORE size 1000 reserve 500; 上面的路径，增加空间大小和保留空间大小可以按照现场数据库和需要来定义。 错误5： 解决方法：数据库参数query_temp_space_limit设置不合理，解决该问题，要执行以下命令Set option query_temp_space_limit=0; Commit; 问题6： 在新建数据库中，要配置数据库按照目录下的.Cfg文件中的两个参数，如下：
数据库内容技术参数基本情况
数据库内容、技术参数基本情况 1.银符考试模拟题库 银符考试数据库：主要购买其中计算机类、法律类、公务员类、经济类、工程类、综合类、研究生类各种等级考试历年真题及模拟题。此数据库主要针对学生考试所需。 2.畅想之星光盘数据库 畅想之星非书资源管理平台，是针对图书馆的非书资料管理的平台，主要是针对随书光盘进行高效地管理和利用。数据库主要针对教师、学生对图书馆随书光盘利用所购。 3.爱迪科森网上报告厅 系统平台：
4.读秀学术搜索 包括：整合馆藏纸书、电子资源数据库；深度检索（全文检索、目录检索等）；图书原文显示，检索结果中图书可以显示17页原文（封面页、前言页、目次页、版权页、正文17页等），全文检索可显示检索点起的10页原文，文献传递服务；免费文献传递服务，参考咨询服务中心提供的局部使用，提供图书单次不超过50页、单篇文章（6页）的文献传递，同本文献一周累计咨询量不超过整本的20% ，所有文献咨询有效期为1个月；整合外文数据库，实现中外文的统一检索；一千万篇报纸、500万篇文档。 5.国道外文数据库 购买 6 个专题库赠送 2个专题库数据库：外文国外生物技术专题数据库；外文国外建筑工程专题数据库；外文国外化学专题数据库；外文国外环境专题数据库（赠送）；外文国外能源专题数据库；外文国外材料专题数据库；外文国外测绘科学专题数据库；外文国外交通运输工程专题数据库（赠送） 6.新东方多媒体数据库 技术参数：
7.妙思图书馆管理系统 软件升级售后服务费 8.ASCE美国土木工程协会数据库 美国土木工程师学会是全球最大的土木工程全文文献资料库。它收录了ASCE所有专业期刊（回溯至1983年）和会议录（回溯至2000年），总计超过73,000篇全文、650,000页资料；每年新增约4,000篇文献。ASCE出版的期刊大部分被SCI收录，其中，有11本期刊在2009年JCR收录106本土木工程类期刊中，总引用量排名前40名。ASCE每年有5万多页的出版物。土木工程是我校的招牌专业，此数据库为教学科研所需。 9.超星移动图书馆
数据库job的启用及参数设置
数据库job的启用及参数设置 2010-07-06 20:20:36| 分类：oracle | 标签： |举报 |字号大中小订阅 众所周知，一般操作系统会提供定时执行任务的方法，例如：Unix平台上提供了让系统定时执行任务的命令Crontab。但是，对于某些需求，例如：一些对数据库表的操作，最为典型的是证券交易所每日收盘后的结算，它涉及大量的数据库表操作，如果仍然利用操作系统去定时执行，不仅需要大量的编程工作，而且还会出现用户不一致等运行错误，甚至导致程序无法执行。 一、分析问题 事实上，对于以上需求，我们可以利用数据库本身拥有的功能Job Queue（任务队列管理器）去实现。任务队列管理器允许用户提前调度和安排某一任务，使其能在指定的时间点或时间段内自动执行一次或多次，由于任务在数据库中被执行，所以执行效率很高。 任务队列管理器允许我们定制任务的执行时间，并提供了灵活的处理方式，还可以通过配置，安排任务在系统用户访问量少的时段内执行，极大地提高了工作效率。例如，对于数据库日常的备份、更新、删除和复制等耗时长、重复性强的工作，我们就可以利用任务队列管理器去自动执行以减少工作量。 目前，拥有此项功能的数据库有许多，最有代表性的是SQL Server 7.0、Oracle 8.0.5等。但是，要让任务队列管理器工作，还需要我们加以配置才能实现。SQL Server的功能配置是在一个图形化界面（GUI）中实现的，非常简单。利用OEM客户端管理工具，Oracle的配置也可以在一个图形界面中完成。然而大多数的用户更习惯于命令行的方式去操纵数据库。本文介绍如何通过命令行实现这种配置。 二、实现步骤 1．确保Oracle的工作模式允许启动任务队列管理器 Oracle定时执行“Job Queue”的后台程序是SNP进程，而要启动SNP进程，首先要确保整个系统的模式是可以启动SNP进程的，这需要以DBA的身份去执行如下命令： svrmgrl> alter system enable restricted session; 或sql> alter system disenable restricted session; 利用如上命令更改系统的会话方式为disenable restricted，为SNP的启动创造条件。 2．确保Oracle的系统已经配置了任务队列管理器的启动参数 SNP的启动参数位于Oracle的初始化文件中，该文件放在＄ORACLE_HOME/dbs路径下，如果Oracle的SID是myora8的话，则初始化文件就是initmyora8.ora，在文件中对SNP启动参数的描述部分如下： job_queue_process=n job_queue_interval=N 第一行定义SNP进程的启动个数为n。系统缺省值为0，正常定义范围为0～36，根据任务的多少，可以配置不同的数值。 第二行定义系统每隔N秒唤醒该进程一次。系统缺省值为60秒，正常范围为1～3600秒。事实上，该进程执行完当前任务后，就进入睡眠状态，睡眠一段时间后，由系统的总控负责将其唤醒。 如果该文件中没有上面两行，请按照如上配置添加。配置完成后，需要重新启动数据库，使其生效。注意：如果任务要求执行的间隔很短的话，N的配置也要相应地小一点。 3．将任务加入到数据库的任务队列中 调用Oracle的dbms_job包中的存储过程，将任务加入到任务队列中： dbms_job.submit( job out binary_integer, what in archar2, next_date in date， interval in varchar2, no_parse in boolean) 其中： ●job：输出变量，是此任务在任务队列中的编号； ●what：执行的任务的名称及其输入参数； ●next_date：任务执行的时间；
SQL动态参数操作数据库及报表设计
第八次实验：SQL动态参数操作数据库及报表设计 一、实验目的： 1. 熟练掌握数据库组件AdoQuery的连接操作； 2. 熟悉Delphi制作完成数据库SQL中Select命令完成查找操作的应用程序； 3. 熟悉数据库的SQL中：修改、添加、删除； 4. 掌握动态参数操作数据库； 5. 掌握制作数据报表。 二、实验内容： 1. 完成Delphi制作的学生的宿舍信息应用程序中的Select查找； 2. 完成Insert、Update、Delete的SQL命令操作； 3. 完成动态参数的设制并制作主/明细表的应用操作程序； 4. 学习应用QuickRep组件完成数据库报表。 三、实验步骤 1.连接数据库MicroSoft表到Delphi的程序中， 1）. 分析学生宿舍信息包含的结构内容： 2）. 建立关系数据库结构： 3）. 利用MicroSoft Access 建立该表 4）.连接数据库： 1〉adoQuery 2〉DataSource 3〉DBgrid 4）. 查询男生信息 AdoQuery1. close；
Adoquery1.SQL . clear； AdoQuery1. SQL . Add（‘Select * from XX表 Where 性别= ’+edit1.text{‘男’}）Adoquery1.SQL.open； 2. 完成数据库的修改，添加，删除操作： 1）. 将工程文件打开（可以使用以往的程序架构）； 2）. 添加组件： Panel 面板一个；MainMenu菜单一个；文本显示框多个；AdoTable，Datasource，DBgrid，DBtext连接组建多个； 按钮组建多个。 3）. 修改属性： 4）. 添加功能代码 a> 修改： …………………… AdoQuery1. SQL . Add（‘Update XX表 Set xx字段=值 Where 性别= ’+edit1.text{‘男’}） …………………… b> 添加： …………………… AdoQuery1. SQL . Add（‘Insert Into XX表（xx字段……） Valuse（xx字段的值……）） …………………… c> 删除： …………………… AdoQuery1. SQL . Add（‘Delete From XX表 Where 性别= ’+edit1.text{‘男’}）…………………… 3.学习应用AdoQuery组件操作Select命令完成数据库动态查询的主明细表操作。 制作一张宿舍结构表、班级信息表； 1）. 将工程文件打开（可以使用以往的程序架构）；
数据库企业版-招标参数
数据库企业版 1、授权具有永久使用权 2、支持各个主流厂商的硬件及操作系统平台，Unix, Linux, Windows。转换平台时，应用程序不用修改。 3、支持主流的网络协议，（如：TCP/IP、IPX/SPX、NETbios 及混合协议）。 4、支持多CPU SMP平台，支持基于共享存储的并行集群。 5、支持存储关系型数据和对象型数据。 6、具有支持并行操作所需的技术，包括多CPU并行和多服务器并行、事务处理的完整性控制技术等，支持并行查询/DML、备份/恢复、导入/导出、索引创建。 7、DML操作只能有行级锁，任何情况下不允许有锁定过多资源的锁升级，以降低死锁的可能性，若出现死锁，能自动解锁。 8、多个用户操作同一条记录时，任何情况下读、写互不影响，并且不能有读取其他用户未提交数据的脏读。 9、支持同构、异构数据源的访问，包括文件数据源；能和异构数据库互相复制。 10、支持存储过程、触发器。触发器支持语句执行前、执行后和可替换型三种方式。支持行级触发器。触发器的触发操作和事件包括DML、DDL、数据库启停、错误信息、登录/注销。 11、支持B1级安全标准，内嵌行级安全功能，支持基于行业标准的数据库存储加密、传输加密及完整性校验。支持增强的密码安全性，支持区分大小写、多字节密码和强壮的密码散列算法，例如安全散列算法 (SHA-1)。 12、支持在一台机器的浏览器界面中统一管理不同平台的多个数据库。 13、能够将原有异种数据库向本数据库无损失移植。 14、支持中文国标字符集等多字节字符集，支持Unicode 3.2以上版本。 15、应具有强的容错能力、错误恢复能力、错误记录及预警能力，能在不影响数据库运行的条件下快速恢复已提交的修改，可以把整个数据库、指定表或指定的记录恢复到指定时间点。 16、数据库、表大小等参数可在线设置，支持在线重建索引。 17、内嵌对多媒体、医学成像及地理信息数据的支持。支持新的Java高级图像(JAI)标准。
怎么查看数据库参数配置信息上岗前准备
怎么查看数据库参数配置信息-上岗前准备 正式上岗前的准备：怎么查看数据库参数配置信息 个人分类：oracle 做性能测试实际上是一个不短调优和测试的过程，而不是一次测试结束就完成了那么简单，中间分析调优的过程至关重要，接触oracle 也有很长时间了，我们开发使用的数据库都是使用oracle的，也一直没有对oracle做总结，这里写这篇文章也算是自己学习和总结吧。下面就开始吧，不对之处还望指正，有些是摘自学习从书上拿来，有些查到的资料收集，也有一些自己的心的。 1、安装时注意：选择企业数据库中的一般用途 2、专用服务器与共享服务器的区别：在专用连接中，连接所需要的资源全部在PGA中分配。该内存区为指定连接私有，其它进：程不能访问。专用连接采用一对一的连接方式，能很快的响应用户的请求，
但是，如果连接用户太多时，由于要对每一个连接分配资源，因此，连接数受硬件限制比较大。为了克服这种情况，Oracle提出了共享连接的连接方法，即用一个服务器的进程响应多个用户连接，与专用连接不同有连接时才创建PGA不同，共享连接在实例一启动，就分配指定数量的服务器进程，所用户的连接，以排队的方式，由分配器指定给服务器进程，其它的进程排队等待。只要用户的请求一执行完，就会马上断开连接，分配器会把空闲的服务器进程分配给其它排除的进程。 长事务的共享连接会造成shared server进程的严重排队，造成性能的严重下降，长事务采用专用模式 在短事务多用户并发的情况下，多用Oracle的共享模式提高数据库性能，提高访问速度。web服务都是采用这样的服务模式来提高系统的并发性能，如果你的是j2ee或者.net的web服务都是需要采用这样的服务模式，具体配置过程你可以查手册。。。 3、配置成功验证方法： 查看共享配置成功的方式：
各种数据库JDBC参数配置
各种数据库JDBC参数配置 博客分类： 数据库 各种数据库JDBC参数配置 MySQL： String Driver="com.mysql.jdbc.Driver" ; //驱动程序 String URL="jdbc:mysql://localhost:3306/db_name" ; //连接的URL,db_name为数据库名 String Username="username" ; //用户名 String Password="password" ; //密码 Class.forName(Driver).new Instance(); Connection con=DriverManager.getConnection(URL,Username,Password); Microsoft SQL Server 2.0 驱动( 3 个jar的那个): String Driver="com.microsoft.jdbc.sqlserver.SQLServerDriver" ; //连接SQL数据库的方法String URL="jdbc:microsoft:sqlserver://localhost:1433;DatabaseName=db_name" ; //db_name为数据库名 String Username="username" ; //用户名 String Password="password" ; //密码 Class.forName(Driver).new Instance(); //加载数据可驱动 Connection con=DriverManager.getConnection(URL,UserName,Password); // Microsoft SQL Server 3.0 驱动( 1 个jar的那个): // 老紫竹完善 String Driver="com.microsoft.sqlserver.jdbc.SQLServerDriver" ; //连接SQL数据库的方法String URL="jdbc:microsoft:sqlserver://localhost:1433;DatabaseName=db_name" ; //db_name为数据库名 String Username="username" ; //用户名 String Password="password" ; //密码 Class.forName(Driver).new Instance(); //加载数据可驱动 Connection con=DriverManager.getConnection(URL,UserName,Password); //