7 0狂暴战神器测试 连续斩杀能叠层可叠99层
7.0狂暴战神器测试连续斩杀能叠层可叠99层
先说这个神器一开始就白送的技能奥丁之怒，你要在技能书的通用页里把它找出来。
奥丁之怒：45秒冷却，无消耗，1GCD。
对周围20码范围内的所有目标造成x火焰伤害，并且在4秒内额外造成xx火焰伤害。
范围很大。也吃激怒加成。DoT伤害吃即时加成不吃快照。
无坚不摧：暴怒的伤害提高3/6/10%
战斗渴望：嗜血的伤害提高3/6/10%
奥丁之火：使用旋风斩触发一个持续1分钟的隐藏Buff，这时使用怒击会触发x点额外的火焰伤害。
说明写的是对面前所有敌人都造成火焰伤害，反正最近的两个木桩瞄准了也只能打到一发额外伤害，我觉得就是个单体。
1分钟内所有怒击都有额外伤害，不止一次哦。
渴求鲜血：当生命值低于20%时，嗜血多恢复1/2/3%最大生命值。
战痕累累：激怒状态下最大生命值提高3/10/15%。
由于LEG提升最大生命值时会保持血量百分比不变，触发后还是满血的，不会像以前加了耐力一样血量空出一块来。
失控狂怒：冲锋额外产生5/10/15怒气
烈怒狂战士：激怒下造成的伤害提高3/6/10%
直接合并到精通的效果里。
无比巨力：战斗怒吼使暴击伤害提高10/20/30%
原始伤害1，暴击了打2，战斗怒吼下暴击了打2.6。
是一个独立Buff，所以应当影响所有暴击伤害，不止是特殊攻击的。
死亡直觉：斩杀有15%几率使你下一次斩杀不消耗怒气。
Buff持续12秒。
混沌专注：激怒状态下自动攻击一定命中。
赫尔娅之怒：战斗怒吼的冷却时间减少10秒
奥丁的勇士：这技能现在会触发，但是没效果。
说好的奥丁会粗线宣告我为勇士的呢？奥丁根本没来啊。
战斗记录里有触发奥丁的勇士的记录，但是这个Buff是隐藏的，而且并没有说好的降低冷却什么乱七八糟的效果。
怒上加怒：怒击的伤害提高3/6/10%
亡贾(tw翻译勿吐槽)：斩杀爆击率提高3/6/10%
势不可挡：每次斩杀使斩杀伤害提高5%，持续15秒，连续斩杀能叠层最多叠到99
重点资讯
常用工具魔兽电影职业套装职业变化恶魔猎手神器系统新5人副本新团队副本PVP系统
7.0神器模拟器
7.0天赋模拟器
7.0PVP天赋模拟器
3D幻化试衣间天赋模拟器飞行解锁查询器电影《魔兽》专题重逢系列海报
8分钟看懂魔兽电影
专访电影《魔兽》主创
电影《魔兽》4K超清截图
电影《魔兽》预告片分析
电影《魔兽》背景解密电影《魔兽》海报电影《魔兽》拍摄历程
专访吴彦祖战士7.0职业套
装预览萨满7.0职业套装预览
死骑7.0职业套装预览
恶魔猎手7.0职业套装预览
圣骑7.0职业套装预览
牧师7.0职业套装预览
潜行者7.0职业套装预览
术士7.0职业套装预览
猎人7.0职业套装预览
德鲁伊7.0职业套装预览
武僧7.0职业套装预览
盗贼预览圣
骑士预览法师预览
德鲁伊预览
恶魔猎手预览牧师预览
死亡骑士预览
武僧预览术士预览萨满祭司预览
战士预览猎人预览恶魔猎手专题
恶魔猎手新改动
浩劫神器入手攻略
恶魔猎手天赋技能预览
恶魔猎手职业坐骑及语音恶魔猎手新手村任务攻略战士神器天赋预览术士
神器天赋预览牧师神器天赋预览法师神
器天赋预览猎人神器天赋预览萨满神器
天赋预览盗贼神器天赋预览圣骑士神器
天赋预览德鲁伊神器天赋预览死亡骑士
神器天赋预览恶魔猎手神器天赋预览武僧神器天赋预览黑心森林预览
英灵殿预览
艾萨拉之眼预览黑鸦堡垒预览
苏拉玛墓穴预览
奈萨里奥的巢穴预览
噬魂之喉预览
紫罗兰监狱预览
守望者地窖预览
翡翠梦魇预览苏拉玛
宫殿预览PVP系统预览全职业PVP
天赋汇总PVP系统详细介绍
叠层型片式磁珠的特性及其应用
1前言 各种电子线路中，电磁干扰源产生的电磁干扰杂波，通过传导和辐射途经对线路其它部分或其它电子线路产生电磁干扰。这一过程中导线起了重要作用，一英寸长的导线在100MHz频率下的电感量约为20nh，其感抗约为12．6Ω，这是不可忽视的。为了消除电磁干扰，方法之一就是在有源和无源电子元器件的引线上套上一些很小的管形或环形的软磁铁氧体磁芯，利用铁氧体材料的电磁损耗机理有效地消除传导和辐射的电磁干扰噪声。这种抗电磁干扰的方法既简便又有效，而且成本很低，所以获得了十分广泛的应用。由于串在引线上用于抗电磁干扰的铁氧体小管或小环有些像一串珍珠，所以它们得到了一个很形象化的名称—磁珠（Bead）。 近年来表面贴装技术（SMT）迅速崛起，传统的插装电路逐步被SMT电路替代，绝大部分带引线的电子元器件均已片式化，变成了无引线或短引线的片式电子元器件。这样一来，上述的传统磁珠（铁氧体小管或小环）已无法在SMT电路中应用。为了解决这一困难，国外一些著名的电子元器件公司，如美国的AEM公司、Coilcraft公司、日本TDK、村田、太阳诱电、Tokin等公司，先后开发了片式磁珠（ChipBead）和片式电感器（ChipInductor），以满足SMT电路的需求。 实质上，磁珠就是一个填充磁芯的电感器，利用它的阻抗|Z|在高频下迅速增加的特性和磁性材料的电磁损耗机理来抑制和吸收高频噪声，从而达到抗电磁干扰的目的。片式磁珠/电感器按结构可分为两大类，即叠层型片式磁珠／电感器（MultilayerChipBead/Inductor，简称MLCB/MLCI）和绕线型片式磁珠/电感器（WoundChipBead/Inductor）。叠层型片式磁珠／电感器是近年来发展起来的一种高新技术产品，其结构如图1所示。由图1可以看出，导体线圈完全被磁性铁氧体介质包围，形成一种独石结构。当电流通过时，激励的磁力线几乎完全被屏蔽在其内部，而不会干扰邻近的其它电子元器件。两端的端头是端电极，与内部的导体线圈连通。端电极由三层金属导体构成，里层是银，中间层是镍，外层是焊锡，也称为三层镀端电极，既适用于波峰焊，也适用于再流焊。此外，这种独石结构具有体积小、紧凑、可靠性高等优点，外形尺寸符合标准化、系列化的要求（与片式电容器和片式电阻器完全相同），并且规格齐全、价格低廉，所以获得了广泛的应用。绕线型片式磁珠/电感器的最大缺点是磁路不屏蔽，当电流通过时激励的磁力线“外溢”，可能干扰邻近的电子元器件，而且其纤细的绕线结构的可靠性较差。本文着重介绍叠层型片式磁珠的特性及其应用。 图1 叠层型片式磁珠/电感器的结构
片式多层陶瓷电容器MLCC
片式多层陶瓷电容器MLCC 多层陶瓷电容器MLCC是英文字母Multi-Layer Ceramic Capacitor的首写字母。在英文表达中又有Chip Monolithic Ceramic Capacitor。两种表达都是以此类电容器外形和内部结构特点进行，也就是内部多层、整体独石(单独细小的石头)的结构，独石电容包括多层陶瓷电容器、圆片陶瓷电容器等，由于元件小型化、贴片化的飞速发展，常规圆片陶瓷电容器逐步被多层陶瓷电容器取代，人们把多层陶瓷电容器简称为独石电容或贴片电容。 片式多层陶瓷电容器(Multi-layer Ceramic Capacitor 简称MLCC)是电子整机中主要的被动贴片元件之一，它诞生于上世纪60年代，最先由美国公司研制成功，后来在日本公司(如村田Murata、TDK、太阳诱电等)迅速发展及产业化，至今依然在全球MLCC领域保持优势，主要表现为生产出MLCC具有高可靠、高精度、高集成、高频率、智能化、低功耗、大容量、小型化和低成本等特点。 (片式多层陶瓷电容器，独石电容，片式电容，贴片电容) MLCC —简称片式电容器，是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。 MLCC除有电容器“隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。?随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以惊人的速度向前发展，?每年以10%～15%的速度递增。目前，世界片式电容的需求量在2000亿支以上，70%出自日本（如MLCC大厂村田muRata），其次是欧美和东南亚（含中国）。随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，?广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。 简单的平行板电容器的基本结构是由一个绝缘的中间介质层加外两个导电的金属电极，基本结构如下： 下图-(片式多层陶瓷电容器，独石电容，片式电容，贴片电容) MLCC实物结构图
叠层片式功率电感
Multilayer Chip Power Inductor – MPL Series Operating Temp. : -40℃~+85℃ FEATURES APPLICATIONS PRODUCT IDENTIFICATION MPL 2012 S 2R2 M H T ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ SHAPE AND DIMENSIONS ● High DC bias current due to developed material ● Low DC resistance ● Low profile and thin thickness ● Monolithic structure for high reliability ● Excellent solderability and high heat resistance ● No cross coupling due to magnetic shield ● DC-DC converter circuits for mobile phones, DSCs, DVCs, HDDs, PDAs, etc. ② External Dimensions (L×W) (mm) 1608 [0603] 1.6×0.8 2012 [0805] 2.0×1.25 2016 [0806] 2.0×1.6 2520 [1008] 2.5×2.0 ① Type MPL Chip Power Inductor ③ Feature Type S L C (Internal Code ） ④ Nominal Inductance Example Nominal Value R47 0.47μH 4R7 4.7μH ⑤ Inductance Tolerance M ±20% N ±30% ⑥ Thickness D 0.5mm H 0.9mm W 1.1mm Y 1.25mm ⑦ Packing T Tape & Reel Unit: mm [inch] Type L W T a 0.5±0.1 [.020±.004] 1608 [0603] 1.6±0.15 [.063±.006] 0.8±0.15 [.031±.006] 0.8±0.15 [.031±.006] 0.3±0.2 [.012±.008]0.5±0.1 [.020±.004] 0.9±0.1 [.035±.004] 2012 [0805] 2.0 (+0.3, -0.1) [.079 (+.012, -.004)] 1.25±0.2 [.049±.008] 1.25±0.2 [.049±.008] 0.5±0.3 [.020±.012]2016 [0806] 2.0 (+0.3, -0.1) [.079 (+.012, -.004)] 1.6±0.2 [.063±.008] 0.9±0.1 [.035±.004] 0.5±0.3 [.020±.012]0.9±0.1 [.035±.004] 2520 [1008] 2.5±0.2 [.098±.008] 2.0 (+0.3, -0.1) [.079 (+.012, -.004)] 1.1±0.1 [.043±.004] 0.5±0.3 [.020±.012]
片式叠层陶瓷电容的容量计算公式
片式叠层陶瓷电容的容量计算公式 片式叠层陶瓷电容器（MLCC），简称片式叠层电容器（或进一步简称为CBB大电容贴片电容器），是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器，片式叠层陶瓷电容器是一个多层叠合的结构，其实质是由多个简单平行板电容器的并联体。因此，该电容器的电容量计算公式为：C=NKA／t 式中，C为电容量；N为电极层数；K为介电常数（俗称K值）；A为相对电极覆盖面积；t为电极间距（介质厚度）。 由此式可见，为了实现片式叠层陶瓷电容器大容量和小体积的要求。只要增大N （增加层数）便可增大电容量。当然采用高K值材料（降低稳定性能）、增加A（增大体积）和减小t（降低电压耐受能力）也是可以采取的办法。 这里特别说一说介电常数K值，它取决于电容器中填充介质的陶瓷材料。电容器使用的环境温度、工作电压和频率、以及工作的时间（长期工作的稳定性）等对不同的介质会有不同的影响，通常介电常数（K值）越大，稳定性、可靠性和耐用性能越差。 常用的陶瓷介质的主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。其特点是介质系数较大、介质损耗低、温度系数小、环境温度适用范围广和高频特性好，用在要求较高的场合（I类瓷介电容器）中。
另一类是低频高介材料称为强介铁电陶瓷，常用作Ⅱ类瓷介电容器的介质，一般以BaTiO3为主体的铁电陶瓷，其特点是介电系数特别高，达到数千，甚至上万；但是介电系数随温度呈非线性变化，介电常数随施加的外电场也有非线性关系。 贴片电容器 目前最常用的多层陶瓷电容器介质有三个类型：COG或NPO是超稳定材料，K值为10～100；X7R是较稳定的材料，K值为2000～4000；Y5V或Z5U为一般用途的材料，K值为5000～25000。在我国的标准里则分为I类陶瓷（CC4和CC41）及Ⅱ类陶瓷（CT4和CT41）两种。上述材料中，COG和NPO为超稳定材料，在-55℃～+125℃范围内电容器的容量变化不超过±30ppm。
多层片式瓷介电容器((MLCC)
什么是多层片式瓷介电容器((MLCC) 多层瓷介电容器(MLCC)---简称片式电容器,是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石 的结构体，故也叫独石电容器。 片式电容器除有电容器“隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。?随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以惊人的速度向前发展，?每年以10%～15%的速度递增。目前，世界片式电容的需求量在2000亿支以上，70%出自日本，其次是欧美和东南亚（含中国）。随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，?广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通 信等。 片式电容器的基本结构 简单的平行板电容器的基本结构是由一个绝缘的中间介质层加外两个导电的金属电极，基本结构如下： 因此，多层片式陶瓷电容器的结构主要包括三大部分：陶瓷介质，金属内电极，金属外电极。而多层片式陶瓷电容器它是一个多层叠合的结构，简单地说它是由多个简单平行板电容器的并联体。
图3-实物结构图 片式电容的发展趋势 为了满足电子整机不断向小型化、大容量化、?高可靠性和低成本的方向发展。多层片式电容器也随之迅速向前发展：种类不断增加，?体积不断缩小，性能不断提高，技术不断进步，材料不断更新，?轻薄短小系列产品已趋向于标准化和通用化。?其应用逐步由消费类设备向投资类设备渗透和发展。移动通信设 备更是大量采用片式元件。 片式电容具有容量大，体积小，容易片式化等特点，?是当今通讯器材、计算机板卡及家电遥控器及中使用最多的元件之一。随着SMT的迅速发展，其用量越来越大，仅每部流动电话中的用量就达200个之多。 因此，片式多层瓷介电容器2002年全球量达4000亿只，最小尺寸为?0402 ，甚至0201。 随着世界电子信息产业的迅速发展，?片式电容的发展方向呈现多元化。(1)为了适应便携式通信工具的需求，片式多层电容器也正在向低压大容量、超小超薄的方向发展。(2)为了适应某些电子整机和电子设备向大功率高耐压的方向发展（军用通信设备居多），?高耐压大电流、大功率、超高Q值低ESR型的中高压片式电容器也是目前的一个重要的发展方向。(3)为了适应线路高度集成化的要求，多功能复合片式电 容器（LTCC）正成为技术研究热点。
贴片叠层瓷介电容器(SMD贴片电容)详细介绍
北京芯联科泰电子有限公司https://www.wendangku.net/doc/4d2289524.html, 贴片叠层瓷介电容器（SMD贴片电容）详细介绍： 贴片电容全称：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。 英文缩写：MLCC。 基本概述 贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册 尺寸 贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，是英寸表示法， 04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02 英寸，其他类同型号尺寸（mm）英制尺寸公制尺寸长度及公差宽度及公差厚度及公差 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.20 1206 3216 3.00±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.20
1210 3225 3.00±0.30 2.54±0.30 1.25±0.30 1.50±0.30 1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00 1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50 2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50 3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00 命名 贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、要求的精度、电压的要求、容量值、以及要求的品牌即可。例风华系列的贴片电容的命名： 0805CG102J500NT 0805：是指该贴片电容的尺寸套小，是用英寸来表示的08 表示长度是0.08 英寸、05 表示宽度为 0.05 英寸 CG ：是表示做这种电容要求用的材质，这个材质一般适合于做小于10000PF以下的电容，102 ：是指电容容量，前面两位是有效数字、后面的2 表示有多少个零102=10×102 也就是= 1000PF J：是要求电容的容量值达到的误差精度为5%，介质材料和误差精度是配对的 500：是要求电容承受的耐压为50V 同样500 前面两位是有效数字，后面是指有多少个零。 N：是指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极（银/铜层）、镍、锡 T：是指包装方式，T 表示编带包装，B 表示塑料盒散包装贴片电容的颜色，常规见得多的就是比纸板箱浅一点的黄，和青灰色，这在具体的生产过程中会有产生不同差异贴片电容上面没有印字，这是和他的制作工艺有关（贴片电容是经过高温烧结面成，所以没办法在它的表面印字），而贴片电阻是丝印而成（可以印刷标记）。贴片电容有中高压贴片电容和普通贴片电容，系列电压有6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、2000V、3000V、 4000V 贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容系列的型号有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225 等。贴片电容的材料常规分为三种，NPO,X7R,Y5V NPO
叠层片式天线应用指南
叠层片式天线应用指南 MULTILAYER CHIP ANTENNA APPLICATION GUIDE 1.介绍 片式天线系列可用于ISM 频段2.4GHz 如蓝牙、家庭网络无线射频，及CMMB 等。它们具有结构紧密、重量轻、嵌入式应用、合适的增益及带宽、全方位和低损耗等特点。同时，它们可以进行通用的SMT 贴装。 众所周知，小尺寸的片式天线对于应用环境非常敏感，如K 值、FR4板的厚度等。因此它们需要合适的由电感和电容组成的匹配电路，从而保证在一个良好的状态下工作。这就意味着需要在最终产品方案上进行天线的匹配以获得最好的性能。产品规格书上的性能(如下表)是在我司的测试板上测量的。 调整后，天线的中心频率会下降到2.45GHz 或CMMB 频段。我们可以提供不同种类的天线，它们具有不同的尺寸及中心频率，因此客户可以根据自己产品基板的情况选择最合适的一款。 2.匹配电路和元件 片式天线可以与成品的环境进行匹配，通常这个步骤需要用到以下的电容和电感。 *串联：用串联方式接入天线和反馈线间； *并联：用并联方式接入天线和反馈线间。 客户需要在放置天线前设置好π型电路，然后可以灵活地选择以下的电路类型。 型号 尺寸 (mm) 谐振频率 (GHz) 带宽 (MHz) 平均增益 (dBi) 增益 (dBi) SLDA31 3.2×1.6×1.0 2.80 100 -0.5 0.5 SLDA52 5.0×2.0×1.0 2.54 200 0.5 2.5 SLDA62 6.0×2.0×1.0 2.64 200 0.7 2.7 SLDA72 7.2×2.0×1.0 2.47 250 0.8 2.7 SLDA81 8.0×1.0×1.0 3.01 200 0.5 2.0 SLDA92 9.0×2.0×1.0 2.66 300 1.0 3.0 SLDA35050 35.0×5.0×1.0 0.65 50 - -2.0 dBi@710 MHz -7.0 dBi@474 MHz 元件 描述 数值 *Series C 0.5 ~ 10 pF Capacitor *Shunt C 0.5 ~ 10 pF Series L 1.0 ~ 10 nH Inductor Shunt L 1.0 ~ 10 nH