dmv1500m

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July 2001-Ed:6A DAMPER + MODULATION DIODE FOR VIDEO

Symbol Parameter

Value Unit MODUL DAMPER V RRM Repetitive peak reverse voltage 6001500V I FSM Surge non repetitive forward current tp =10ms sinusoidal

35

75

A T stg Storage temperature range

-40to +150

°C

T j

Maximum operating junction temperature

150

ABSOLUTE RATINGS (limiting values,per diode)

s s Very fast recovery diode

s Specified turn on switching characteristics s

Low static and peak forward voltage drop for low dissipation

s

Insulated version:

Insulated voltage =2500V RMS Capacitance =7pF

s

Planar technology allowing high quality and best electrical characteristics

s

Outstanding performance of well proven DTV as damper and new faster Turbo 2600V technology as modulation

High voltage semiconductor especially designed for horizontal deflection stage in standard and high resolution video display with E/W correction.

The insulated TO-220AB package includes both the DAMPER diode and the MODULATION diode.Assembled on automated line,it offers excellent insulating and dissipating characteristics,thanks to the internal ceramic insulation layer.

DESCRIPTION

?

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ORDERING INFORMATION

110

100

C(pF)Fig.11:Junction capacitance versus reverse voltage applied (typical values)(damper &modulation di-odes).

平衡混频器设计

应用ADS 设计混频器 1． 概述 图1为一微带平衡混频器，其功率混合电路采用3dB 分支线定向耦合器，在各端口匹配的条件下，1、2为隔离臂，1到3、4端口以及从2到3、4端口都是功率平分而相位差90°。 图1 设射频信号和本振分别从隔离臂1、2端口加入时，初相位都是0°，考虑到传输相同的路径不影响相对相位关系。通过定向耦合器，加到D1，D2上的信号和本振电压分别为： D1上电压 ) 2cos(1π ω- =t V v s s s 1-1 )cos(1πω-=t V v L L L 1-2 D2上电压 )cos(2t V v s s s ω= 1-3 )2cos(2π ω+ =t V v L L L 1-4 可见，信号和本振都分别以2 π 相位差分配到两只二极管上，故这类混频器称为 2 π 型平衡混频器。由一般混频电流的计算公式，并考虑到射频电压和本振电压的相位差，可以得到D1中混频电流为：

∑∑ ∞-∞ =∞ -+- = m n L s m n t jn t jm I t i ,,1)]()2 (exp[)(πωπ ω 同样，D2式中的混频器的电流为： ∑∑∞ -∞ =∞ + += m n L s m n t jn t jm I t i ,,2)]2 ()(exp[)(π ωω 当1,1±=±=n m 时，利用1,11,1-++-=I I 的关系，可以求出中频电流为： ]2 )cos[(41,1π ωω+ -=+-t I i L s IF 主要的技术指标有： 1、噪音系数和等效相位噪音(单边带噪音系数、双边带噪音系数)； 2、变频增益，中频输出和射频输入的比较； 3、动态范围，这是指混频器正常工作时的微波输入功率范围； 4、双频三阶交调与线性度； 5、工作频率； 6、隔离度； 7、本振功率与工作点。 设计目标：射频：3.6 GHz ，本振：3.8 GHz ，噪音：<15。 2.具体设计过程 2.1创建一个新项目 ◇ 启动ADS ◇ 选择Main windows ◇ 菜单－File －New Project ，然后按照提示选择项目保存的路径和输入文件名 ◇ 点击“ok ”这样就创建了一个新项目。 ◇ 点击 ，新建一个电路原理图窗口，开始设计混频器。

二极管的知识点总结

半导体二极管 基本结构 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。电路符号： 伏安特性

主要参数（直流，主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。） 1.最大整流电流I F 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2.反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3.反向电流IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 主要参数（交流） 1.微变电阻 r D r D 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之 比： D D D i v r ??=

2.二极管的极间电容 势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 PN结高频小信号时的等效电路 晶体二极管模型

二极管分类按结构材料分: (1)锗二极管 (2)硅二极管 按制作工艺分：

(1)点接触型二极管：pn结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (2)面接触型二极管：结面积大，用于工频大电流整流电路。 (3)平面型二极管：往往用于集成电路制造工艺中。pn结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 按功能用途分： (1)硅整流二极管：硅整流二极管除主要应用于电源电路做整流元件外，还可用作限幅、保护、钳位等。(常用整流二极管主要是1n、2cz 系列) (2)检波二极管：检波二极管的结点容小、工作频率高、正向压降小，但允许流过的最大正向电流小、内阻大。多用于小信号、高频率的电路，用作检波、鉴频、限幅。(常用检波二极管主要是2ap系列) (3)稳压二极管：利用稳压二极管的反向击穿特性，用作稳压基准电压、保护、限幅、电平转换等。其中2dw230~2dw232稳压管内部具有温度补偿，电压温度系数低，可用于精密稳压电路。(常用稳压二极管主要是1n、2cw、2dw系列) (4)光敏二极管：利用光敏二极管在光的照射下，反向电流与光照成正比的特性，应用于光电转换及光控、测光等自动控制电路中。（常用硅光敏二极管主要是2cu、2du系列） (5)变容二极管：变容二极管的结电容可以随外加偏压的不同而变化，主要应用于lc调谐、自动频率控制稳频等场合。（常用变容二极管主要是2cc、1n系列）

各种常用电子元件符号及其名称全

各种常用电子元件符号 二极管变容二极管 表示符号:D 表示符号:D 双向触发二极管稳压二极管 表示符号:D 表示符号:ZD,D 稳压二极管桥式整流二极管表示符号:ZD,D 表示符号:D

肖特基二极管隧道二极管 隧道二极管光敏二极管或光电接收二极管 发光二极管双色发光二极管 表示符号：LED 表示符号：LED 光敏三极管或光电接收三极管单结晶体管（双基极二极管）表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT

复合三极管 NPN型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT PNP型三极管 PNP型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT NPN型三极管带阻尼二极管NPN型三极管表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管及电阻 NPN型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT

带阻尼二极管IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT 电子元器件符号图形 接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS

电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电位器可调电阻 表示符号:VR，RP,W 表示符号:VR，RP,W 电位器可调电阻 表示符号:VR，RP,W 表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻二脚消磁电阻 表示符号：RT 表示符号：RT 压敏电阻表示符号：RZ,VAR 热敏电阻表示符号：RT

光敏电阻电容（有极性电容）CDS 表示符号： 电容（有极性电容）可调电容 表示符号：C 表示符号：C 电容（无极性电容）四端光电光电耦合器 表示符号：C 表示符号：IC，N 六端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 电子元器件符号图形

BT33单结晶体管(双基极二极管)原理复习进程

B T33单结晶体管(双基极二极管)原理

单结晶体管（双基极二极管）原理 体管又叫双基极二极管，它的符号和外形见附图 判断单结晶体管发射极E的方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。 单结晶体管B1和B2的判断方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是B1极。 应当说明的是，上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的E--B1间的正向电阻值较小。不过准确地判断哪极是B1，哪极是 B2在实际使用中并不特别重要。即使B1、B2用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲的幅度（单结晶体管多作脉冲发生器使用），当发现输出的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的B1、B2对调过来就可以了。

单结晶体管工作原理-双基极二极管伏安特性曲线-单结管 双基极二极管(单结晶体管)的结构 双基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示。在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2。而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射极E。两个基极之间的电阻为R BB，一般在2~15kW之间，R BB一般可分为两段，R BB =R B1+ R B2，R B1是第一基极B1至PN结的电阻；R B2是第一基极B2至PN结的电阻。双基极二极管的符号见图1的右侧。 图1 双基极二极管的结构与符号等效电路 双基极二极管的工作原理 将双基极二极管按图2(a)接于电路之中，观察其特性。首先在两个基极之间加电压U BB，再在发射极E和第一基极B1之间加上电压U E，U E可以用电位器R P进行调节。这样该电路可以改画成图2(b)的形式，双基极二极管可以用一个PN结和二个电阻R B1、R B2组成的等效电路替代。

实验三 二极管双平衡混频器

实验十二变容二极管调频实验 一、实验目的 1、掌握变容二极管调频电路的原理。 2、了解调频调制特性及测量方法。 3、观察寄生调幅现象，了解其产生及消除的方法。 二、实验内容 1、测试变容二极管的静态调制特性。 2、观察调频波波形。 3、观察调制信号振幅时对频偏的影响。 4、观察寄生调幅现象。 三、实验仪器 1、信号源模块1块 2、频率计模块1块 3、 3 号板1块 4、双踪示波器1台 5、万用表1块 6、频偏仪（选用）1台 四、实验原理及电路 1、变容二极管工作原理 调频即为载波的瞬时频率受调制信号的控制。其频率的变化量与调制信号成线性关系。常用变容二极管实现调频。 变容二极管调频电路如图12-1所示。从P3处加入调制信号，使变容二极管的瞬时反向偏置电压在静态反向偏置电压的基础上按调制信号的规律变化，从而使振荡频率也随调制电压的规律变化，此时从P2处输出为调频波（FM）。C15为变容二级管的高频通路，L2为音频信号提供低频通路，L2可阻止外部的高频信号进入振荡回路。本电路中使用的是飞利浦

公司的BB910型变容二极管，其电压-容值特性曲线见图12-4，从图中可以看出，在1到10V 的区间内，变容二极管的容值可由35P到8P左右的变化。电压和容值成反比，也就是TP6的电平越高，振荡频率越高。 图12-1 变容二极管调频 图12-4 BB910型变容二极管容值与电压特性曲线 图12-2示出了当变容二极管在低频简谐波调制信号作用情况下，电容和振荡频率的变化示意图。在（a）中，U0是加到二极管的直流电压，当u＝U0时，电容值为C0。uΩ是调制电压，当uΩ为正半周时，变容二极管负极电位升高，即反向偏压增大；变容二极管的电容减小；当uΩ为负半周时，变容二极管负极电位降低，即反向偏压减小，变容二极管的电容增大。在图（b）中，对应于静止状态，变容二极管的电容为C0，此时振荡频率为f0。

半导体二极管分类

半导体二极管 整流管：整流管因为其正向工作电流较大，工艺上多采用面结型结构，结电容大，因此整流二极管工作频率一般小于3KHZ . 例：2CZ31 反向工作电压： 50-800V 正向电流：>1A 正向压降：<0.8V 反向电流：<5 UA 瞬时电流：> 20A 最高温度：>150C 例：2CZ56 反向工作电压： 100-2000V 正向电流：3A 正向压降：<0.8V 反向电流：<20 UA 瞬时电流：>65A 最高温度：>140C 注：桥式整流器以此此类推。 彩电用高频高压硅整流堆： 例：2DGL20 反向工作电压：>20KV正向电流：> 5MA 正向压降：<40V 反向电流：<2 UA 反向恢复时间：<1.2us 检波二极管： 一般检波二极管采用锗材料点接触型结构，要求正向压降小，检波效率高，结电容小，频率特性好，其外形一般采用玻璃封装EA结构。 例：2AP9 反向工作电压：> 10V 正向电流：>8MA 反向峰值击穿电压：>20V 最大整流电流：>5MA 截止频率：〉100MHZ 零偏压电容：《1PF 检波效率：》65% 反向电流：《200 UA 例：2AP30C 反向工作电压：〉10V 正向电流：〉2M A 反向峰值击穿电压：〉20V 最大整流电流：〉5MA 截止频率：〉400MHZ 零偏压电容：《0.6PF 反向电流：》50 UA 开关二极管： 二极管从截止到导通称为开通时间，从开通到截止称为反向恢复时间，两者之和称为开关时间。开通时间较短，一般可以忽略，反向恢复时间较长，他反应了二极管的特性好坏，trr 定义为从加反向偏压开始到反向电流下降到初始值的1/10所用的时间。 2AK系列为点接触锗金键开关二极管，适于中速开关电路，2CK系列为平面硅二极管，适于高速开关电路。 例：2CK70E(IN4148) 反向工作电压：> 60V 反向击穿电压：>90V正向电流：>10MA 正向压降：<0.8V 零偏压电容：《4PF 反向恢复时间：〈3ns 额定功率：30mw FR151-158常用于高频整流，升压，有些厂阻尼二极管： 主要应用于电视机行扫描中做阻尼和升压整流用，要求其承受较高的反向工作电压和峰值电流，且要求正向压降越小越好，因此他是一种特殊的高频高压整流二极管，也可看作是高反压开关二极管的一种。 2CN2最高反向工作电压：400-800V正向电流：>2A 正向压降：<1V反向恢复时间：〈2ns 浪涌电流：5 0A 最高结温：175C 反向电流：5 ua FR100-107最高反向工作电压：25-1000V正向电流：> 1A 正向压降：<1.3V反向恢复时间：〈0.85ns 浪涌电流：50A

二极管双平衡混频器

高频电子实验报告 实验名称： 二极管双平衡混频器 实验目的： 1、掌握二极管双平衡混频器频率变换的物理过程。 2、掌握晶体管混频器频率变换的物理过程和本振电压V0和工作电流Ie对中频转出电压大小的影响。 3、掌握集成模拟乘法器实现的平衡混频器频率变换的物理过程。 4、比较上述三种混频器对输入信号幅度与本振电压幅度的要求。 实验仪器： 1、 1号板 1块 2、 6号板 1块 3、 3 号板 1块 4、 7 号板 1块 5、双踪示波器 1台 实验原理： 1. 二极管双平衡混频原理

图3-1 二极管双平衡混频器 二极管双平衡混频器的电路图示见图3-1。图中V为输入信号电压，V为本机振荡电压。在负载R上产生差频和合频，还夹杂有一些其它频率的无用产物，再接上一个滤波器（图中未画出） 二极管双平衡混频器的最大特点是工作频率极高，可达微波波段，由于二极管双平衡混频器工作于很高的频段。图3-1 中的变压器一般为传输线变压器。 二极管双平衡混频器的基本工作原理是利用二极管伏安特性的非线性。众所周知，二极管的伏安特性为指数律，用幂级数展开为 当加到二极管两端的电压v 为输入信号V和本振电压V之和时，V项产生差频与和频。其它项产生不需要的频率分量。由于上式中u 的阶次越高，系数越小。因此，对差频与和频构成干扰最严重的是v 的一次方项（因其系数比v项大一倍）产生的输入信号频率分量和本振频率分量。 用两个二极管构成双平衡混频器和用单个二极管实现混频相比，前者能有效的抑制无用产物。双平衡混频器的输出仅包含（pω±ω）（p 为奇数）的组合频率分量，而抵消了ω、ω以及p 为偶数（pω±ω）众多组合频率分量。 下面我们直观的从物理方面简要说明双平衡混频器的工作原理及其对频率为ω及ω 的抑制作用。

各类型二极管英汉

diode [5daiEud] n. 二极管 diode [5daIEJd] n. 〈电〉二级管 diode AHD:[do“?d”] D.J.:[6dai7oud] K.K.:[6da!7od] n. An electronic device that restricts current flow chiefly to one direction. 二极管将电流主要限制于一个方向的电子设备， An electron tube having a cathode and an anode. 电子二极管有一个阳极和一个阴极的电子管 A two-terminal semiconductor device used chiefly as a rectifier. 半导体二极管主要作为整流器使用的一个有两端的半导体设备 diode [5daiEud] n. 【电子】二极管 abrupt junction diode 突变结二极管 absorber diode 吸收二极管 alkali ion diode 碱离子二极管 alloy junction diode 合金结二极管 alloyed diode 合金(型)二极管 antilog diode 反对数二极管 back-to-back diode 背对背二极管 backward diode 反向二极管 band switching diode

波段转换开关二极管 barrier injection transit-time diode 势越二极管 base-collector diode 基极集电极二极管 biased diode 偏压二极管 bilateral diode 双向二极管 bonded NR diode 键合负阻二极管 booster diode 升压二极管 bootstrap diode 阴极负载二极管 breakdown diode 雪崩二极管, 击穿二极管 bulk diode 体效应二极管 by-pass diode 旁通二极管 catching diode 箝位二极管 centering diode 定心二极管 channelling diode 沟道(效应)二极管 charge storage diode 电荷存储二极管 charging diode 充电二极管 clamping diode 钳位二极管 clipper diode 削峰二极管 cold-cathode gas diode 冷阴极充气二极管 collector-base diode 集电极-基极二极管 commutation diode 整流二极管, 换向二极管 compound diode 复合二极管 constant voltage diode

二极管双平衡混频器实验报告

二极管双平衡混频器 一、实验目的 1、掌握二极管双平衡混频器频率变换的物理过程。 2、掌握晶体管混频器频率变换的物理过程和本振电压V0和工作电流Ie对中频转出电压大小的影响。 3、掌握集成模拟乘法器实现的平衡混频器频率变换的物理过程。 4、比较上述三种混频器对输入信号幅度与本振电压幅度的要求。 二、实验内容 1、研究二极管双平衡混频器频率变换过程和此种混频器的优缺点。 2、研究这种混频器输出频谱与本振电压大小的关系。 三、实验仪器 1、1号板1块 2、6号板1块 3、3 号板1块 4、7 号板1块 5、双踪示波器1台

四、实验原理与电路 i. 二极管双平衡混频原理 图3-1 二极管双平衡混频器 二极管双平衡混频器的电路图示见图3-1。图中VS为输入信号电压，VL为本机振荡电压。在负载RL上产生差频和合频，还夹杂有一些其它频率的无用产物，再接上一个滤波器（图中未画出） 二极管双平衡混频器的最大特点是工作频率极高，可达微波波段，由于二极管双平衡混频器工作于很高的频段。图3-1中的变压器一般 为传输线变压器。 二极管双平衡混频器的基本工作原理是利用二极管伏安特性的非 线性。众所周知，二极管的伏安特性为指数律，用幂级数展开为 当加到二极管两端的电压v 为输入信号VS和本振电压VL之和时， V2项产生差频与和频。其它项产生不需要的频率分量。由于上式中u

的阶次越高，系数越小。因此，对差频与和频构成干扰最严重的是v 的一次方项（因其系数比v2项大一倍）产生的输入信号频率分量和本振频率分量。 用两个二极管构成双平衡混频器和用单个二极管实现混频相比，前者能有效的抑制无用产物。双平衡混频器的输出仅包含（pωL±ωS）（p为奇数）的组合频率分量，而抵消了ωL、ωC 以及p为偶数（pωL±ωS）众多组合频率分量。 下面我们直观的从物理方面简要说明双平衡混频器的工作原理及其对频率为ω L 及ω S 的抑制作用。 (a)

双基极二极管(精)

双基极二极管 双基极二极管又称单结晶体管，具有两个基极，一个发射极的三端负阻器件，它具有频率易调、温度稳定性好等特点，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中。 双基极二极管又称单结晶体管，他有两个基极和一个发射极，如图(a)所示。两个基极分别由Bl和B2表示，发射极用E表示。图的(b)为双基极二极管的图形符号。 双基极二极管的参数中基极间电阻ＲBB是指发射极开路状态下，两个基极的电阻。而分压比是指发射极E到基极由之间电压和基极B2到Bl之间的电压之比。以上两个参数是双基极二极管的主要参数。谷点电压Ｕv是表示双基极二极管由负阻区进人饱和区的分界点时，与其对应的发射区电压。即双基极二极管赴于导通状态的最小电压值，如发射极电压ＵE低于谷点电压Ｕv，双基极二极管就进大了截止状态。 双基极二极管的主要参数 （1）基极间电阻Rbb：发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻，一般为2--10千欧，其数值随温度上升而增大。 （2）分压比η：由管子内部结构决定的常数，一般为0.3--0.85。 （3）eb1间反向电压Vcb1：b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。 （4）反向电流Ieo：b1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。 （5）发射极饱和压降Veo：在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。 （6）峰点电流Ip：单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流。

双基极二极管(单结晶体管)的结构 双基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示。在一片高电阻率的 N型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别称为第一基极B 1和第二基极B 2 。而在 硅片是另一侧较靠近B 2 处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射极E。两个基极之间的电阻为R BB，一般在2~15k 之间，R BB一般可分为两段，R BB = R B1+ R B2，R B1是第一基极B1至PN结的电阻；R B2是第一基极B2至PN结的电阻。双基极二极管的符号见图1的右侧。 单结晶体管的伏安特性曲线 1．调节R P，使U E从零逐渐增加。当U E比较小时（U E＜U BB＋U D），单结晶体管内的PN结处于反向偏置，E与B1之间不能导通，呈现很大电阻。当U E很小时，有一个很小的反向漏电流。随着U E的增高，这个电流逐渐变成一个大约几微安的正向漏电流。这一段在图3所示的曲线中称为截止区，即单结晶体管尚未导通的一段。 双基极二极管的工作原理 将双基极二极管按图2(a)接于电路之中，观察其特性。首先在两个基极之间加电压U BB，再在发射极E和第一基极B1之间加上电压U E，U E可以用电位器R P 进行调节。这样该电路可以改画成图2(b)的形式，双基极二极管可以用一个PN 结和二个电阻R B1、R B2组成的等效电路替代。

二极管环形混频实验

实验五混频原理和电路分析实验 一、实验目的 1、掌握二极管环形混频器的工作原理； 2、了解二极管环形混频器组合频率的测试方法。 3、观察三极管混频器输出信号的频谱。 二、实验仪器 1、示波器一台 2、数字万用表一块 3、调试工具一套 4、频谱分析仪一台 三、实验原理 1、混频器原理及相关知识 混频就是要对某信号进行频率变换，将其载频变换到某一固定的频率上，而保持原信号的调制规律不变。混频是一种频谱搬移电路，混频前后，信号的频谱结构并不发生变化，混频器的电路组成如图5-1所示。 o i 图5-1 混频器的组成及作用 混频原理：当两个不同频率的正弦电压，同时作用到一个非线性元件上时，就会在它的输出电流中，产生许多组合频率分量，选用适当的滤波器取出所需的频率分量，此时就完成了混频。 混频器的电路分为叠加型混频器，乘积型混频器两种类型。如图5-2所示。 v o (t) L (a )叠加型混频器实现模型(b) 乘积型混频器实现模型 图5-2 混频器电路

叠加型混频器的类型： (1) 晶体三极管混频器，它有一定的混频增益； (2) 场效应管混频器，其交调、互调干扰少； (3) 二极管平衡混频器和环形混频器，其动态范围大、组合频率干扰少。 混频器的主要质量指标： （1）变频增益 混频后的输出电压振幅和输入信号电压振幅之比，称为变频电压增益或变频放大系数。 （2）失真和干扰 失真包括频率失真和非线性失真。混频中有可能出现组合频率、交叉调制、互相调制等特有干扰。要求混频器件最好工作在其特性曲线的平方项区域，使之既能完成频率变换，又能防止失真，抑制干扰。 （3）噪声系数 即输入端高频信号噪声功率比和输出端信号噪声功率比之比。 （4）选择性 2、晶体三极管混频器 晶体管混频电路有多种形式，但无论本振电压注入方式如何，都是利用晶体管的发射结非线性实现混频。如图5-3所示： i c 图5-3 晶体三极管混频器 在晶体管混频器的分析中，输入信号电压V s 很小，经常将晶体管视为一个跨导随本振信号变化的线性参变元件。如图5-4所示：

各种常用电子元件符号及其名称全

各种常用电子元件符号及 其名称全 The Standardization Office was revised on the afternoon of December 13, 2020

各种常用电子元件符号 二极管变容二极管 表示符号:D 表示符号:D 双向触发二极管稳压二极管 表示符号:D 表示符号:ZD,D 稳压二极管桥式整流二极管 表示符号:ZD,D 表示符号:D

肖特基二极管隧道二极管 隧道二极管光敏二极管或光电接收二极管 发光二极管双色发光二极管 表示符号：LED 表示符号：LED 光敏三极管或光电接收三极管单结晶体管（双基极二极管）表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT

复合三极管 NPN型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT PNP型三极管 PNP型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT NPN型三极管带阻尼二极管NPN型三极管表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管及电阻 NPN型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT

带阻尼二极管IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT 电子元器件符号图形 接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS

电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电位器可调电阻 表示符号:VR，RP,W 表示符号:VR，RP,W 电位器可调电阻 表示符号:VR，RP,W 表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻二脚消磁电阻 表示符号：RT 表示符号：RT 压敏电阻表示符号：RZ,VAR 热敏电阻表示符号：RT

二极管三极管光耦.

二极管、三极管、光耦 本文主要介绍、二极管三极管和光耦的一些基本特性，及一些使用情况介绍。 1 二极管 1.1二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 二极管的符号如图： 1.2 二极管的主要参数 ●正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 ●正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 ●最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的 平均值。 ●反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 ●正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VB 的三分之二或略小一些。 ●反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。 ●结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定 数值。 ●最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。 1.3 二极管的特性 二极管最主要的特性是单向导电性。其他如下： ●正向特性 当正向电压低于某一数值时，正向电流很小，只有当正向电压高于某一值时，二极管才有明显的正向电流，这个电压被称为导通电压，我们又称它为门限电压或死区电压，一般用

双平衡二极管混频器的分析与设计【文献综述】

文献综述 电子信息工程 双平衡二极管混频器的分析与设计 混频器应用于移动通信和微波通信以及各种高精度的微波测量系统中的前端电路，是射频系统中的一个关键部分，其性能的好坏直接影响到整个系统的性能。本文打算采用ADS软件设计了一个双平衡二极管混频器。最后通过仿真得到了二极管双平衡混频器的三阶交调等参数。介绍了混频器的发展状况、混频二极管以及利用它们来实现混频的优缺点。给出了混频器相关的概念和指标，还有各种不同结构的混频器电路及其指标的差异。探讨了二极管环形混频电路的工作原理，通过分析和计算，得出最终输出电流的组合频率分量。按采用的非线性器件不同，常用的混频器有三极管混频器、二极管混频器和集成模拟乘法器构成的混频器，此外，还有采用变容二极管等非线性元器件构成的混频器。其中，二极管混频器主要应用于工作频率较高的无线电超外差式接收机(如米波段及微波接收机)或仪器中。其优点是电路结构简单，噪声低，工作频段宽，组合频率少。它的电路形式有单管式、平衡式及环形式(也称为双平衡式)等。 混频器已被广泛应用于移动通信，微波通信，以及各种高精密微波前端电路测试系统，射频系统是其性能的关键部分，直接影响到整个系统的性能。通信工程和无线电技术，被广泛用于调制系统中，输入基带信号，通过转换进入高频率的调制信号。在解调过程中，收到的信号调制高频频率也将受到相应的中频信号转换。特别是在超外差接收器，混频器被广泛使用，如AM广播接收器将有一个535KHz调幅信号，可用1000Hz的本振将其变频为465KHz的中频信号。在为了提高发射机的发射频率，多级发射器的稳定性。以较低的频率作为主振荡器晶体振荡器，产生一个非常稳定的高频主振信号，然后通过加，减，乘，除法运算转化成无线电频率，所以必须使用混频器电路，如转让发送和接收频道的电视转换，卫星通信上行，下行频率转换等，必须使用混频器。因此，混频器电路是电子技术和无线电专业应用必须掌握的关键电路。双平衡混

BT33型调光台灯电路的制作

BT33型调光台灯电路的制作 一、电路工作原理 下图为调光台灯电路，可使灯泡两端交流电压在几十伏至二百伏范围内变化，调光作用显著。 图一、家用调光台灯电路 图二、单结晶体管符号 1．单结晶体管和单向晶闸管 （1）单结晶体管 单结晶体管有两个基极，仅有一个PN结，故称双基极二极管或单结晶体管。图二所示是单结晶体管的图形符号，发射极箭头倾斜指向b1，表示经PN结的电流只流向bl极。国产单结晶体管有BT31、BT32、BT33、BT35等型号。 单结晶体管在一定条件下具有负阻特性，即当发射极电流I增加时，发射极电压Ve反而减小。利用单结晶体管的负阻特性和RC充放电电路，可制作脉冲振荡器。

单结晶体管的主要参数有基极直流电阻Rbb和分压比。Rbb是射极开路时b1、b 2间的直流电阻，约2～10kW，Rbb阻值过大或过小均不宜使用。另外一个是b 1、b2间的分压比，其大小由管内工艺结构决定，一般为0.3～0.8。 （2）单向晶闸管 晶体闸流管又名可控硅，简称晶闸管。广泛应用于无触点开关电路及可控整流设备。晶闸管有三个电极：阳极A、阴极K和控制极G。图三（a）、（b）所示是其电路符号和内部结构。 单向晶闸管有以下三个工作特点：①晶闸管导通必须具备两个条件：一是晶闸管阳极A与阴极K间必须接正向电压。二是控制极与阴极之间也要接正向电压； ②晶闸管一旦导通后，降低或去掉控制极电压，晶闸管仍然导通；③晶闸管导通后要关断时，必须减小其阳极电流使其小于晶闸管的导通维持电流。 晶闸管的控制电压Vc和电流Ic都较小，电压仅几伏，电流只有几十至几百毫安，但被控制的电压或电流却可以很大，可达数千伏、几百安培。可见晶闸管是一种可控单向导电开关，常用于弱电控制强电的各类电路。 图三、晶闸管符号和内部结构 2．电路调光原理 图一中，VT、R2、R3、R4、RP、C组成单结晶体管张弛振荡器。接通电源前，电容C上电压为零。接通电源后，电容经由R4、RP充电，电容的电压V逐渐升高。当达到峰点电压时，e—b1间导通，电容上电压经e—b1向电阻R3放电。当电容上的电压降到谷点电压时，单结晶体管恢复阻断状态。此后，电容又重新充

高频课程设计 二极管双平衡混频器

河北科技师范学院课程设计说明书课程名称：高频电子线路 设计题目：混频器工作原理 姓名：高金龙、郭强、姚明月 院系：机电工程学院 专业班级：电子0701、0702 学号：0414070107 0414070210 0414070227（姓名顺序排列）指导教师：杜殿会 日期：2009年12月8至12日

目录 1、设计任务与要求 (1) 2、方案与论证 (1) 3、原理 (1) 4、参数计算 (3) 5、总原理图与仿真结果 (6) 6、元件清单 (8) 7、结论与心得 (9) 8、参考文献 (9)

二极管双平衡混频器 1、设计任务与要求 变频（混频）是指将高频已调波经过频率变换，变为固定中频已调波,同时必须保持其调制规律不变。具有这种功能的电路称为混频电路或变频电路，亦称为混频器或变频器。 2、方案与论证 方案一：三极管混频器的电路组态 电路（c）和（d）都是共基级混频器，分为同级注入式和分级注入式。 电路（b），共发分级注入式 电路（a），共发同级注入式 方案二：二极管混频器 图1二极管双平衡混频器的电路图示见图。图中VS为输入信号电压，VL 为本机振荡电压。在负载RL上产生差频和合频，还夹杂有一些其它频率的无用产物，再接上一个滤波器（图中未画出） 二极管双平衡混频器的最大特点是工作频率极高，可达微波波段，由于二极管双平衡混频器工作于很高的频段。图中的变压器一般为传输线变压器。 3、原理 二极管双平衡混频器的最大特点是工作频率极高，可达微波波段，由于二极管双平衡混频器工作于很高的频段。图1中的变压器一般为传输线变压器。

二极管双平衡混频器的基本工作原理是利用二极管伏安特性的非线性。众所周知，二极管的伏安特性为指数律，用幂级数展开为 ])(1)(21[ )1(2?+?++=-=n T T T S S V v n V v V v I e I i T V v ！！ 当加到二极管两端的电压v 为输入信号VS 和本振电压VL 之和时，V2项产生差频与和频。其它项产生不需要的频率分量。由于上式中u 的阶次越高，系数越小。因此，对差频与和频构成干扰最严重的是v 的一次方项（因其系数比v2项大一倍）产生的输入信号频率分量和本振频率分量。 用两个二极管构成双平衡混频器和用单个二极管实现混频相比，前者能有效的抑制无用产物。双平衡混频器的输出仅包含（p ωL ±ωS ）（p 为奇数）的组合频率分量，而抵消了ωL 、ωC 以及p 为偶数（p ωL ±ωS ）众多组合频率分量。 下面我们直观的从物理方面简要说明双平衡混频器的工作原理及其对频率为ωL 及ωS 的抑制作用。 （a ）

稳压管参数含义

稳压管参数含义 (1) Vz-- 稳定电压 指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。例如，2CW51型稳压管的Vzmin为3.0V, Vzmax则为3.6V。 (2) Iz- 稳定电流。 指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时，稳压管虽并非不能稳压，但稳压效果会变差;高于此值时，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好一些，但要多消耗电能。最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即Pzmax =Vz*Izmax 。而Izmin对应Vzmin。 (3) Rz- 动态电阻。 指稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变，一般是工作电流愈大，动态电阻则愈小。例如，2CW7C稳压管的工作电流为 5mA时，Rz为18Ω;工作电流为1OmA时，Rz为8Ω;为20mA时，Rz为2Ω。Rz =DVz /DIz， Rz愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 (4) Pz- 额定功耗。 由芯片允许温升决定，其数值为稳定电压Vz和允许最大电流Izm的乘积。例如2CW51稳压管的Vz为3V，Izm为20mA，则该管的Pz为60mW. (5) Ctv- 电压温度系数。 是说明稳定电压值受温度影响的参数。例如2CW58稳压管的Ctv是 +0.07%/°C，即温度每升高1°C，其稳压值将升高0.07%。 (6) I R- 反向漏电流。 指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。例如2CW58稳压管的 V R=1V时，I R=O.1uA;在V R=6V时，I R=10uA。 补充: T--时间； Z--电压； K--膝点。

混频器的作用和混频器原理分别是什么

混频器的作用和混频器原理分别是什么? 当然也可以直接放大后就进行检波,这就是所谓的直接放大式接收机,这样的接收机,不适合作成多波段,灵敏度也不能做的很高. 经过混频变成固定的中频后,可以对中频进行较高增益的放大,因为中频是固定的,所以中频放大器是稳定的,在检波前可以得到足够的放大,使接收机的灵敏度得 到了很大的提高. 混频器原理 工作频率 混频器是多频工作器件，除指明射频信号工作频率外，还应注意本振和中频频率应用范围。 噪声系数 混频器的噪声定义为：NF=Pno/Pso Pno是当输入端口噪声温度在所有频率上都是标准温度即T0=290K时，传输到输出端口的总噪声资用功率。Pno 主要包括信号源热噪声，内部损耗电阻热噪声，混频器件电流散弹噪声及本振相位噪声。Pso为仅有有用信号输入在输出端产生的噪声资用功率。 变频损耗 混频器的变频损耗定义为混频器射频输入端口的微波信号功率与中频输出端信号功率之比。主要由电路失配损耗，二极管的固有结损耗及非线性电导净变 频损耗等引起。 1dB压缩点 在正常工作情况下，射频输入电平远低于本振电平，此时中频输出将随射频输入线性变化，当射频电平增加到一定程度时，中频输出随射频输入增加的速度减慢，混频器出现饱和。当中频输出偏离线性1dB时的射频输入功率为混频器的1dB压缩点。对于结构相同的混频器，1dB压缩点取决于本振功率大小和 二极管特性，一般比本振功率低6dB。 动态范围 动态范围是指混频器正常工作时的微波输入功率范围。其下限因混频器的应用环境不同而异，其上限受射频输入功率饱和所限，通常对应混频器的1dB压 缩点。 双音三阶交调 如果有两个频率相近的微波信号fs1和fs2和本振fLO一起输入到混频器，由于混频器的非线性作用，将产生交调，其中三阶交调可能出现在输出中频附近的地方，落入中频通带以内，造成干扰，通常用三阶交调抑制比来描述，即有用信号功率与三阶交调信号功率比值，常表示为dBc。因中频功率随输入功率 成正比，当微波输入信号减小1dB时，三阶交调信号抑制比增加2dB。 隔离度 混频器隔离度是指各频率端口间的相互隔离，包括本振与射频，本振与中频，及射频与中频之间的隔离。隔离度定义为本振或射频信号泄漏到其它端口的 功率与输入功率之比，单位dB。 本振功率

4.2.1 单结晶管触发电路[共4页]

零起步轻松学电工常用电子电路（第2版） 148 电工技术系列 4.2.1 单结晶管触发电路 1．单结晶管 （1）符号、结构和等效图 单结晶管又称双基极二极管，它除了有一个发射极E 外，还有两个基极B 1、B 2。单结 晶管的电路符号和结构如图4-10（a ） 、（b ）所示。 图4-10 单结晶管的电路符号、结构和等效图 单结晶管的制作过程：在一块高阻率的N 型半导体基片的两端各引出一个铝电极，分别称为第一基极B 1和第二基极B 2，然后在N 型半导体基片一侧埋入P 型半导体，在两种半导体的结合部位就形成了一个PN 结，再在P 型半导体端引出一个电极，称为发射极E 。 单结晶管的等效图如图4-10（c ）所示。单结晶管B 1、B 2极之间为高阻率的N 型半导体，故两极之间的电阻R BB 的阻值较大（为4～12k Ω）。以PN 结为中心，将N 型半导体分为两部分，PN 结与B 1极之间的电阻用R B1表示，PN 结与B 2极之间的电阻用R B2表示，R BB = R B1+R B2，E 极与N 型半导体之间的PN 结可等效为一个二极管，用VD 表示。 （2）工作原理 为了分析单结晶管的工作原理，在发射极E 和第一基极B 1之间加电压U E ，在第二基极B 2和第一基极B 1之间加电压U BB ，具体如图4-11所示。下面分几种情况来分析单结晶管的工作原理。 ① 当U E = 0时，单结晶管内部的PN 结截止。由于B 2、B 1之间加有电压U BB ，有电流I B 流过R B2和R B1，这两个等效电阻上都有电压，分别是U RB2和U RB1。从图4-11中不难看出，U RB1与U BB 之比等于R B1与（R B1+R B2）之比，即 RB1B1BB B1B2U R U R R =+

二极管的分类、主要功能、用途、特性、技术参数表

最大平均整流电流I FM 反向击穿电压V R 反向漏电流I R 最高工作频率f M 反向恢复时间trr 最高反向工作电压V RM 稳压电压Uz 稳压电流I Z 反向漏电流IR 最大允许功耗P M 稳定电压温度系数C TV 动态电阻R Z 反向击穿电压VR 最高反向工作电压V RM 正向电流I F 反向恢复时间trr 工作电压V CC 正向电流IF 反向漏电流Is 闪烁频率f 占空比D(%) 发光峰值波长A P 发光强度（mcd） 结电容C j 最高反向电压U RM 结电容变化范围 最大平均整流电流I FM 反向击穿电压V R 最高反向工作电压VRM 最高工作频率f M 正向转折电压V BO 反向转折电压V BR 正向转折电流I BO 最高工作电压Vmax 暗电流I D 光电流I L 二极管资料 是一种利用PN结电容（势垒 电容)与其反向偏置电压Vr 的依 赖关系及原理制成的 二极管。反偏电压愈大，则 结电容愈小。 其结电容低，工作频率高 （可达400MHz）处理信号幅 度较弱和反向电流小等特点 。 具有对称性的二端半导体器 件，可等效于基极开路、发 射极与集电极对称的 NPN 晶体管；结构简单，价格低 廉。 无光照时,有很小的饱和反 向漏电流,即暗电流，此时 光敏二极管截止。当受到光 照时,饱和反向漏电流大大 增加，形成光电流,它随入 射光强度的变化而变化。 规格型号 检波（也称解调）二极管的作用是利用其单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号取出来，广泛应用于半导体收音机、收录机、电视机及通信等设备的小信号电路中。 用于触发双向晶闸管及构成过压保护电路、定时器、移相电路等。一般用于光控开关电路，光耦及路灯开关中等。主要技术参数特点 利用二极管单向导电性，可 以把方向交替变化的交流电 变换成单一方向的脉动直流 电 稳压二极管是利用反向击穿 特性实现稳压，工作在击穿 电压区的特殊二极管。 在电路中起到控制电流通过 或关断的作用，成为一个理 想的电子开关。开关二极管 的正向电阻很小，反向电阻 很大，开关速度很快. 工作电压很低（有的仅一点 几伏）；工作电流很小（有 的仅零点几毫安即可发 光）；抗冲击和抗震性能 好，可靠性高，寿命长；通 过调制通过的电流强弱可以 方便地调制发光的强弱。 检波二极管双向触发二极管 光敏二极管应用场合及主要功能 用于交流转换直流电路中用于整流，一般整流管用于低频电路中，高频场合一般用快恢复及肖特基管，广泛应用于各种电子产品中。用于浪涌保护电路、过压保护电路、电弧抑制电路、串联型稳压电路，广泛应用于各种电子产品中。 小功率开关二极管主要使用于电视机、收录机及其他电子设备的开关电路、检波电路高频高速脉冲整流电路等。大功率开关二极管主要用于各类大功率电源作续流、高频整流、桥式整流及其它开关电路。 发光二极管用于电视机等产品中作电源指示灯、LCD中作背光源灯、LED显示屏、家用照明等，用途广泛。 用作自动频率控制、调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路。 名称 整流二极管稳压二极管开关二极管发光二极管变容二极管