镀锡铜线生产工艺流程及质量控制要点

镀锡铜线生产工艺流程及质量控制要点

热镀锡细铜线的生产流程为: 放线→退火机→酸洗→镀锡炉→

冷却→牵引→加导轴油（减少锡灰）--收排线等八个流程, 以下按这流程分别陈述工艺要点以及注意事项。

1)放线。放线是生产中的关键。镀制用的铜线表面应尽量光滑圆整, 符合国家标准的要求。刚拉出的细铜线由于表面有润滑液, 铜线表面极易氧化,应尽快镀锡。建议收线的使用φ300线盘(可装铜线 50 kg ), 并要求铜线排线均匀, 松紧要适中, 盘沿要光滑。放线宜采用越端式 (不加放线器) ,这是因为线径比较细, 放线速度快, 生产过程中极易断线。经过反复试验, 我们采用在盘上加放线毛毡来挡线, 很好地避免了线碰盘沿。同时又增加了放线盘与放线导轮之间的高度, 提高了放线的可靠性, 减少了

断线机率。

2) 退火。铜线的退火温度是影响成品线伸长率的关键因素。由于还要进锡炉二次加热, 因而退火温度不要太高 (略低于正常

退火温度) 。对于直径为0. 2 mm以下的细线来说, 宜控制在400～550 °C,在这里要强调一点现在很多设备公司生产的镀

锡退火机退火炉长度不一样，保温控温也不一样，有的是电热管，有的是电炉丝，可根据设备调节温度。使其伸长率达到国家标准。

3 )酸洗。铜线进入锡炉前, 一定要用适当的酸洗液进行清洗, 以保证锡层和铜线有良好的附着性。酸洗液采用镀锡助焊剂,其比例为1∶3。为保证清洗干净, 应采用毛毡压线方式, 毛毡宽度为 20 cm, 定期用酸洗液浇注毛毡特强调：请按线径越大浓度越高的原则使用，用工业软水配比效果较好。请将配好的助焊助焊剂倒入助焊槽内放入毛毡让其慢慢稀释，不可将助焊剂直接浇入毛毡上面，在生产过程中，开机速度过快，应该多放一些趟水布，经常更换，防止水槽的水过多带到铜线上，影响助焊剂浓度，造成其它问题出现，水带的越少，锡渣就越少，也不造成炸锡。

4 )锡炉。锡炉设备和锡炉温度对产品的质量起着关键作用。目前锡炉有3种，一是整个锡炉材料由两个铸铁锅形成的且锅底成三角行由电热管控温，生产大规格容易扁线，锡渣多不容易操作，二是整体为不锈钢锅体，控温为电炉丝，锡锅大好操作，控温均匀，锡渣少三是日本不锈钢锡锅由三段控温，使用效果更佳更科学，锡炉温偏低, 镀锡铜线表面毛糙、线表面容易产生锡瘤; 炉温偏高, 则镀锡铜线易发黄。容易断线，经过反复试验, 锡的熔点为231°C，锡炉的温度以250--260 °C为宜 (根据生产规格适当调节锡炉温度)生产出的成品线表面镀层光滑、连续, 伸长率也达到国家标准。

锡炉中的锡在加热时, 表面氧化很快, 会造成浪费。为防止这一点, 可在熔化的锡液表面覆盖一层云母、木炭粉等, 但管理不上

会造成脏乱，以隔绝空气与锡液表面的接触。最好不要经常刮动锡液表面

锡与铜线结合的好坏, 除了铜线表面需酸洗外,锡液本身的纯度

也是重要因素。因此锡液的成分应每1.2月检测一次, 其中铜含量不得超过 1%, 如超过1%应进行再生处理或换锡。

5 ) 挡锡模。目前很多公司没有使用建议还是在镀锡机收线部分安装挡锡模装置。使用挡锡模主要防止锡粒和操作不当带到铜线上影响下道工序生产，一般有拉丝模和陶瓷模。采用拉丝挡锡模, 镀锡铜线表面质量好, 但价格高。一般采用废拉丝模具使用，生产中要注意对模架角度的调整, 以保证锡炉中的压线支点、刮锡模中心点及导轮上的支撑点在一条直线上。避免线表面刮伤

镀锡模的孔径也是影响镀锡铜线质量的一个关键因素。孔径偏小, 则断线频繁。孔径偏大, 锡层则偏厚, 影响涂层的质量, 且耗锡量增加, 成本提高。经过生产试验及对产品性能的测试, 镀锡模的孔径应比铜线外径大0. 05 mm 为好。

6 ) 冷却方式。对于线径小于 0. 2 mm的镀锡铜线, 宜采用空冷, 生产中要控制好牵引和镀锡铜线出炉之间的距离即可。对于线径为0. 2～ 0. 6 mm的镀锡铜线, 采用风冷方式比较好, 它

可以有效避免镀锡铜线因冷却不够在收线后产生线间粘锡现象, 保证镀锡铜线的表面质量。

7 )加导轴油，应该是一个比较重要的工序，镀锡铜线或多或少都有锡灰产生，在电子线生产绞线过程中如7/0.127，7/0.16。11/0.16，11/0.127，17/0.178，41/0.16，41/0.15对绞距严格，镀锡线有锡灰会造成整股断线，应该加加导轴油防止锡灰产生。

8 ) 收线、牵引速度。收线、牵引速度应依据线径大小而定, 同时也考虑退火(及铜线在锡炉中的时间牵引速度过快, 会导致

退火不充分而影响伸长率, 同时也增加了断线机率; 速度太慢

则铜线在退火炉中时间太长, 线会发硬。

半导体工艺流程

1清洗 集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由 于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水; 且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。 在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即米用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1-6所示。 图1-6硅片清洗工艺示意图 工具的清洗基本米用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化 热氧化是在800~1250C高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为： Si + O2 T SiO2

3、扩散 扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B2H6）作为N —源和磷烷（PH3）作为P+源。工艺生产过程中通常 分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH3 —2P+3H2 4、离子注入 离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶 和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上 形成了沟槽。 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀 通过光刻显影后，光刻胶下面的材料要被选择性地去除，使用的方法就

关键部位和关键工序的质量保证措施

目录 （一）保证测量精度与准确的措施 （二）钢筋工程质量控制措施 （三）模板质量控制措施 （四）砼质量控制措施 （五）预留埋施工措施 （六）保证砖砌体施工质量的措施 （七）防治粉刷及地面起壳的措施 （八）防治楼地面起砂的措施 （九）防止外墙面砖脱落措施 （十）防治屋面漏水的措施 （十一）防治外墙涌水措施 （十二）防治楼地面、阳台地面、落水口和立管洞处渗水的措施（十三）防治管道漏水的措施 （十四）防治装饰粗糙的措施

（一）保证测量精度与准确的措施 1、本工程测量人员是具有丰富施工检验，又有扎实的理论基础的专业人员，曾在多个大型工程施工中任专业测量。因此能胜任本工程的测量工作。 2、我公司在本工程中使用目前先进的测量仪器，如自动安平水平仪，铅垂直仪均为进口仪器，设备先进，精度高。 3、施工前编制详细的施工方案，经研究同意后实施。 4、坚持技术复核制度，对于工程主轴线、标高基准点在放线完成后，由项目技术负责人复核，对于一般轴线，标高由技术负责人指定专人负责复核。确保无误后，放可继续施工。 （二）钢筋工程质量控制措施 1、质量管理点的设置：包括钢筋品种和质量；钢筋规格、形状、尺寸、数量、间距；钢筋的锚固长度、搭接长度、接头位置、弯钩朝向；焊接质量；预留洞孔及预埋件规格、数量、尺寸、位置；钢筋位移；钢筋保护层厚度及绑扎质量。 2、预控措施：应检查出厂质量证书及试验报告，必须保证材料指标的稳定；加强对施工人员的技术培训，使其熟悉施工规范要求和基本常识；认真执行工艺标准，严格按技术交底要求施工；严格按照图纸和配料单下料和施工，弯钩朝向应正确；施工前应预先弹线，检查基层的上道工序质量，加强工序的自检和交接检查；对使用工具经常检测和调整，并检查焊接人员有无上岗证；正式施焊前须按规定进行焊接工艺试验，同时检查焊条、焊剂的质量，焊剂的质量。焊剂必须烘干；对倾斜过大的钢筋端头要切除，焊后夹具不宜过早放松，根据钢筋直径选择合适的焊接电流和通电时间；每批钢筋焊完后，按规定取

半导体的生产工艺流程

半导体的生产工艺流程 微机电制作技术，尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术 (silicon-basedmicromachining)，原本就肇源于半导体组件的制程技术，所以必须先介绍清楚这类制程，以免沦于夏虫语冰的窘态。 一、洁净室 一般的机械加工是不需要洁净室(cleanroom)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁净室的来由。洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以class10为例，意谓在单位立方英呎的洁净室空间内，平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小，洁净度越佳，当然其造价也越昂贵。为营造洁净室的环境，有专业的建造厂家，及其相关的技术与使用管理办法如下： 1、内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。所以需要大型 鼓风机，将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。 2、为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统 中。换言之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。 3、所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆 放调配，使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。 4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。 5、所有人事物进出，都必须经过空气吹浴(airshower)的程序，将表面粉尘 先行去除。 6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人 员穿戴无尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触(在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员一样。)当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。 7、除了空气外，水的使用也只能限用去离子水(DIwater,de-ionizedwater)。 一则防止水中粉粒污染晶圆，二则防止水中重金属离子，如钾、钠离子污染金氧半(MOS)晶体管结构之带电载子信道(carrierchannel)，影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻率(resistivity)来定义好坏，一般要求至 17.5MΩ-cm以上才算合格；为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与 UV紫外线杀菌等重重关卡，才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂，其在半导体工业之使用量极为惊人！ 8、洁净室所有用得到的气源，包括吹干晶圆及机台空压所需要的，都得使 用氮气(98%)，吹干晶圆的氮气甚至要求99.8%以上的高纯氮！以上八点说明是最基本的要求，另还有污水处理、废气排放的环保问题，再再需要大笔

半导体制造工艺流程

半导体制造工艺流程 N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结： 半导体元件制造过程可分为 前段（FrontEnd）制程 晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）、 晶圆针测制程（WaferProbe）； 後段（BackEnd） 构装（Packaging）、 测试制程（InitialTestandFinalTest） 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。 二、晶圆针测制程 经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒 三、IC构装制程 IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。 半导体制造工艺分类 半导体制造工艺分类 一双极型IC的基本制造工艺： A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离）ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离 I2L（饱和型） 半导体制造工艺分类 二MOSIC的基本制造工艺： 根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程0001

盛年不重来，一日难再晨。及时宜自勉，岁月不待人 盛年不重来，一日难再晨。及时宜自勉，岁月不待人 A.晶圆封装测试工序 一、IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electro n Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dime nsioi n Measureme nt) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、IC封装 1. 构装(Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic )及塑胶(plastic )两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割( die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bon d)、圭寸胶(mold )、剪切/ 成形(trim / form )、印字(mark )、电镀(plating )及检验(inspection )等。 (1) 晶片切割(die saw ) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die )切割分离。举例来说：以 0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之 晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶(die mou nt / die bo nd ) 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线 架则经由传输设备送至弹匣( magazi ne )内，以送至下一制程进行焊线。 ⑶焊线(wire bond ) IC构装制程(Packaging )则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路( Integrated Circuit ;简称IC)，此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械

关键工序质量控制点管理制度

文件编号：xx/G007-2013 受控状态： xxxx电线电缆有限公司管理体系文件 关键工序质量控制点管理制度 编制： 审核： 批准： 2013年8月26日编制2013年8月26日实施xxxx电线电缆有限公司发布

关键工序质量控制点管理制度 1.目的 对产品实现过程中的影响产品质量的关键工序设立质量控制点，实施重点管理，进行测量和监控，以确保满足顾客的要求。 2.适用范围 适用于对产品实现过程持续满足其预定目的的能力进行确认。 3.职责 3.1技术质量部负责编制和提供各工序的技术标准和检验规程。 3.2技术质量部负责生产过程的半成品的检验和试验。 3.3生产车间配合做好过程检验和试验工作。 4.程序 4.1未通过的过程检验和试验的产品不能转序。 4.2过程测量和监控应按该产品有关标准和检验规范作为依据。 4.3过程测量和监控所用的检验器具应在有效检定周期内，使用前应进行校准。 4.4过程检验和试验 4.4.1过程产品的检验和试验，分为操作工的自检和检验员的首检及巡检。 4.4.2每班开机后，操作工生产的产品，按相关的过程产品检验和试验规程进行 自检，若产品质量不符合规定要求，操作工应立即调整工艺参数或模具，使产品质量符合规定要求。自检合格后，检验员应及时到生产车间进行首检，首检合格后方可进行正常生产，首检主要是检产品的结构、表面质量，重要的性能试验由检验员抽样回试验室进行抽样检验和试验。 4.4.3进入正常生产后，检验员应按有关文件规定的检验频次进行巡检，并按文 件的规定做好巡检记录，记录要真实、完整、结论明确，检验记录应由检验人员签名盖章。不合格品按《不合格品控制程序》执行。 4.5例外转序的控制 在所需要的检验和试验完成或必须的报告收到前不得将产品放行，如因生产

施工质量工程 关键点质量控制措施

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关键点质量控制措施 一、本工程关键点的范围： 1、地基与基础 1）轴线定位、标高 2）边坡支护 3）基础砼浇筑 4）基础回填土方 5）密实度检测 2、主体工程 1）柱、梁、板、墙、楼梯砼工程 2）配合比试配送检3）楼层标高轴线 4）现场砂浆搅拌计量及试块制作5）承重墙砌体与砼结合部位的尺寸、标高 6）商品砼坍落度抽查及试块制作 7）钢材复试取样 8）砼钢筋保护层 3、建筑装修 1）楼地面砼配合比 2）楼地面砼 3）施工安全防护4）饰面工程承重结构节点 5）厨卫间地面防水 6）厨卫间堵洞 4、建筑屋面 1）出水管堵洞 2）屋面找平层 3）屋面防水施工工艺 4）泛水高度 5）淋（闭）水试验 5、给排水、采暖及消防

1）给水管消毒冲洗 2）系统试压 3）下水管连接、坡度 4）下水管通球试验 5）暖气系统试压 6）阀门严密性试验 7）室外下水管道安装 8）灌水试验 6、建筑电气 1）预埋管砼浇筑 2）接地装置施工 3）等电位施工 4）配电箱、变配电设备安装调试 5）材料检查 6）桥架、母线安装、电缆敷设 二、关键点质量控制方法及措施 1、关键点质量控制的方法 在进行工程质量控制时必须坚持一条原则、二项重点、三个阶段、四种手段。 1）一条原则： 工程质量控制是整个监理工作的核心，与进度和投资相互制约，出现矛盾时，必须坚持质量第一的原则；监理机构监督施工单位履行施工合同和国务院的《建设工程质量管理条例》；按建设部《工程建设标准强制性条文》、技术规范和设计文件要求施工。2）二项重点： 重要的、关键的分部工程、分项工程，如地基工程、主体结构和装饰工程；重要的分项工程，如独立基础、钢筋、混凝土、屋面防水、设备基础及预埋、避雷针及接地装置、设备试运转等。关键部位：梁柱节点、箍筋加密区、钢筋焊接、搭接、独立柱混凝土浇筑等。

试谈半导体铜线工艺流程图

? ? 半导体铜线工艺流程 时间:2010-09-03 剩余:0天浏览: 37 次收藏该信息 一、铜线键合工艺

A、铜线工艺对框架的特殊要求-------铜线对框架的的要求主要有以下几点： 1、框架表面光滑，镀层良好； 2、管脚共面性良好，不允许有扭曲、翘曲等不良现象 管脚粗糙和共面性差的框架拉力无法保证且容易出现翘丝和切线造成的烧球不良，压焊过程中容易断丝及出现tail too short ； B、保护气体----安装的时候保证E-torch上表面和right nozzle 的下表面在同一个平面上．才能保证烧球的时候，氧化保护良好．同时气嘴在可能的情况下尽量靠近劈刀，以 保证气体最大围的保护 C、劈刀的选用——同金线相比较，铜线选用劈刀差别不是很大，但还是有一定的差异： 1、铜线劈刀T 太小2nd容易切断，造成拉力不够或不均匀 2、铜线劈刀CD不能太大，也不能太小，不然容易出现不粘等现象 3、铜线劈刀H与金线劈刀无太大区别（H比铜丝直径大8µm即可，太小容易从颈部拉断） 4、铜线劈刀CA太小线弧颈部容易拉断，太大易造成线弧不均匀； 5、铜线劈刀FA选用一般要求8度以下（4-8度） 6、铜线劈刀OR选用小异 D压焊夹具的选用 铜线产品对压焊夹具的选用要求非常严格，首先夹具制作材料要选用得当，同时夹具表面要光滑，要保证载体和管脚无松动要，否则将直接影响产品键合过程中烧球不良、断线、翘丝等一系列焊线问题。 二、铜线的特性及要求 切实可行的金焊线替代产品。 细铜焊线（<1.3mil） 铜焊线，机械、电气性质优异，适用于多种高端、微间距器件，引线数量更高、焊垫尺寸更小。 铜焊线（1.3-4mil） 铜焊线，不仅具有铜焊线显著的成本优势，而且降低了铜焊点中的金属间生长速度，这样就为大功率分立封装带来了超一流的可靠性。 铜焊线的成本优势 由于铜的成本相对较低，因此人们更愿意以铜作为替代连接材料。对于1mil焊线，成本最高可降低75%*，2mil可达90%*，具体则取决于市场状况。 铜焊线的优异性能 铜线的导热导电性能显著优于金线和铝线，因此能够以更细的焊线直径达到更好的散热性能及更高的额定功率。与金相比，铜的机械性质更强，这样在模压和封闭过程中可以得到优异的球颈强度和较高的弧线稳 铜焊线的优点（与金焊线相比） 材料成本低 • 降低单位封装成本，提高

关键工序质量控制点管理程序讲课教案

关键工序质量控制点 管理程序

关键工序质量控制点管理程序 1目的 规范本公司的关键工序质量控制点的管理，以确保产品符合规范的要求，满足顾客的需求和期望。 2职责 2.1 技术科负责组织关键工序质量控制点的管理和实施； 2.2 生产科、检验科、办公室参与关键工序质量控制点的管理工作； 3 程序要求 3.1 关键工序质量控制点的设置原则 3.1.1产品质量特性特别重要，对产品质量产生重大影响的过程、项目、工序，一般为产品质量特性分级表的A类项目； 3.1.2工艺上有特殊要求或对下道工序有较大影响的工序。 3.1.3质量信息馈中发现的不合格品或不良品较多的项目或部位。 3.1.4加工周期长，原材料贵重，一旦出现问题经济损失大的工序。 3.1.5 关键工序质量控制点的设立，应考虑工序质量的重要性、迫切性，根据企业的生产特点，抓住重点设置1-3个； 3.1.6关键工序质量控制点应该是不断更新的，设立质量控制点经过一定时间的质量控制，工序质量得到提高并稳定的工序可以撤消关键工序质量控制点，另外选择设立关键工序质量控制点。 3.2 产品质量特性的分级 3.2.1 根据本公司机床产品的特点，产品质量特性分为A、B、C三级；

3.2.2 A级是指对产品安全、卫生产生影响，对产品的功能、性能等产品质量产生重大影响，不能满足法律法规和顾客要求的过程、项目和工序，如机床的安全、卫生项目，主要件的关键项目等； 3.2.3 B级是指对产品的功能、性能等产品质量有一定的影响，基本能满足法律法规和顾客要求，但会影响产品的等级，产品档次的过程、项目和工序，如机床的精度，外观，零件的主要项目； 3.2.3 C级是指零部件的一般项目 3.2.5 技术科负责按照产品的特点设计编制产品质量特性分级表，经主管副总经理审核后发放各部门。 3.3 质量控制点的设置 3.3.1 技术科汇同生产科、检验科，根据产品质量特性的分级和产品质量的稳定情况，确定关键工序质量控制点，在一定的周期内质量控制点一般设置1-3个； 3.3.2 每年技术科汇同生产科、检验科评审质量控制点的运行情况和运行效果，及时进行更新和增减； 3.3.3 由技术科形成质量控制点明细表，下达各部门执行 3.3 质量控制点的管理 3.3.1 质量控制点文件要求 3.3.1.1质量控制点的技术文件包括图纸、作业指导书，技术文件由技术科编制并发放； 3.3.1.2质量控制点的文件应规范，审批手续应齐全。 3.3.2 质量控制点的操作人员 3.3.2.1必须持有质控点岗位证才能上岗操作。

半导体的生产工艺流程(精)

半导体的生产工艺流程 微机电制作技术,尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术(silicon- based micromachining,原本就肇源于半导体组件的制程技术,所以必须先介绍清楚这类制程,以免沦于夏虫语冰的窘态。 一、洁净室 一般的机械加工是不需要洁净室(clean room的,因为加工分辨率在数十微米以上,远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界,空间单位都是以微米计算,因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上,便有可能影响到其上精密导线布局的样式,造成电性短路或断路的严重后果。 为此,所有半导体制程设备,都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中,这就是洁净室的来由。洁净室的洁净等级,有一公认的标准,以class 10为例,意谓在单位立方英呎的洁净室空间内,平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小,洁净度越佳,当然其造价也越昂贵(参见图2-1。 为营造洁净室的环境,有专业的建造厂家,及其相关的技术与使用管理办法如下: 1、内部要保持大于一大气压的环境,以确保粉尘只出不进。所以需要大型鼓风机,将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。 2、为保持温度与湿度的恒定,大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言之,鼓风机加压多久,冷气空调也开多久。 3、所有气流方向均由上往下为主,尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配,使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。 4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。 5、所有人事物进出,都必须经过空气吹浴 (air shower 的程序,将表面粉尘先行去除。

6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源,为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣,除了眼睛部位外,均需与外界隔绝接触 (在次微米制程技术的工厂内,工作人员几乎穿戴得像航天员一样。当然,化妆是在禁绝之内,铅笔等也禁止使用。 7、除了空气外,水的使用也只能限用去离子水 (DI water, de-ionized water。一则防止水中粉粒污染晶圆,二则防止水中重金属离子,如钾、钠离子污染金氧半(MOS 晶体管结构之带电载子信道 (carrier channel,影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻 率 (resistivity 来定义好坏,一般要求至17.5MΩ-cm以上才算合格;为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与UV紫外线杀菌等重重关卡,才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂,其在半导体工业之使用量极为惊人! 8、洁净室所有用得到的气源,包括吹干晶圆及机台空压所需要的,都得使用氮气(98%,吹干晶圆的氮气甚至要求99.8%以上的高纯氮!以上八点说明是最基本的要求,另还有污水处理、废气排放的环保问题,再再需要大笔大笔的建造与维护费用! 二、晶圆制作 硅晶圆 (silicon wafer 是一切集成电路芯片的制作母材。既然说到晶体,显然是经过纯炼与结晶的程序。目前晶体化的制程,大多是采「柴可拉斯基」(Czycrasky 拉晶法 (CZ法。拉晶时,将特定晶向 (orientation 的晶种 (seed,浸入过饱和的纯硅熔汤 (Melt 中,并同时旋转拉出,硅原子便依照晶种晶向,乖乖地一层层成长上去,而得出所谓的晶棒 (ingot。晶棒的阻值如果太低,代表其中导电杂质 (impurity dopant 太多,还需经过FZ 法 (floating-zone 的再结晶 (re-crystallization,将杂质逐出,提高纯度与阻值。 辅拉出的晶棒,外缘像椰子树干般,外径不甚一致,需予以机械加工修边,然后以X 光绕射法,定出主切面 (primary flat 的所在,磨出该平面;再以内刃环锯,削下一片片的硅晶圆。最后经过粗磨 (lapping、化学蚀平 (chemical etching 与拋光 (polishing 等程序,得出具表面粗糙度在0.3微米以下拋光面之晶圆。(至于晶圆厚度,与其外径有

半导体工艺流程

集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水；且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。 在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即采用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1－6所示。 图1－6硅片清洗工艺示意图 工具的清洗基本采用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化 热氧化是在800~1250℃高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为： Si + O2→SiO2

扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B 2H 6）作为N －源和磷烷（PH 3）作为P +源。工艺生产过程中通常分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH 3 → 2P + 3H 2 4、离子注入 离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上形成了沟槽。 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀 通过光刻显影后，光刻胶下面的材料要被选择性地去除，使用的基片 涂胶后基片 光刻胶 阻挡层

关键工序质量控制措施

崇启长江公路大桥（江苏段）跨江大桥工程 施工项目CQ-A1标关键工序质量控制措施 编制单位：中交第三航务工程局崇启CQ-A1标项目经理部 主编人：韩振飞（工程师） 参编人员：王华南（助理工程师） 林烁（助理工程师） 陆宁海（技师） 审核人：汤涛（高级工程师） 编报日期：2009年3月10日

1 结构耐久性的施工控制 本工程结构的耐久性保证是一项系统工程，设计作充分的耐久性设计和施工控制严格达到设计耐久性要求是工程耐久性保证的两个支柱。 本工程耐久性设计包括钢筋砼结构和钢管桩等2种结构，钢筋砼结构包括混凝土性能和混凝土保护层等2点，钢管桩采取了涂层防腐和阴极保护相结合的方案。以往施工实践表明，施工过程对工程耐久性影响主要是施工预埋件的处理。 钢筋砼结构耐久性施工保证 （1）混凝土工程 本标段混凝土耐久性性能要求为： 同时承台和标高10m以下的墩身混凝土添加适量钢筋阻锈剂。 对于混凝土工程我们采取以下措施保证耐久性： ○1混凝土正式拌和前，必须先进行试拌，保证混凝土的设计强度不小于结构设计强度，并至少高于耐久性要求的最低强度一个等级；抗氯离子渗透的性能Cl-扩散系数不大于耐久性最低要求的80%。对于承台砼和墩身10m标高以下砼，掺加钢筋阻锈剂进行试拌，在结构混凝土中掺加阻锈剂。 ○2混凝土拌和时保证原材料的质量满足招标规范要求和我局企业的规范要求，拌和物的和易性满足施工要求。 ○3每次混凝土浇注完成，除留出常规抗压强度试块外，还留置抗氯离子渗透试验的试块，及时对混凝土的抗氯离子渗透性能进行检测。 （2）混凝土保护层控制

本工程各结构净保护层厚度为： 保证保护层厚度的施工措施如下： ○1垫块全部采用高强砂浆定制保护层垫块，垫块高于相应部位保护层厚度2~3mm。高强砂浆垫块在我局有限公司所属崇明航环预制厂采用定制模具进行生产。该预制厂近年一直在研究垫块预制工艺，已形成系列商品，商品预制垫块形状合理、稳定，强度高，得到上海市港口工程质量监督站的高度评价和广泛推荐，在海洋工程中应用广泛。 ○2钢筋制作和绑扎时，所有结构钢筋、架立钢筋都必须保证保护层的厚度，底层架立钢筋下必须垫止水垫块。 ○3钢筋绑扎时，扎丝一律向内侧弯进，禁止扎丝伸入保护层。 钢管桩的防腐和施工保护 钢管桩的防腐设计为涂层防腐和阴极保护相结合。钢管桩外表面伸入承台内的距桩顶0.8m范围不需进行防腐涂装，在距桩顶~30m范围内，涂敷加强型双层环氧粉末涂层，厚度不小于800μm桩身其余部位涂敷普通单层环氧粉末涂层，厚度不小于300μm。钢管桩内表面在制作、运输、安装阶段进行临时防腐。 钢管桩的阴极保护方案委托专业单位进行详细设计实施。 （1）钢管桩涂层施工与保护 ○1钢管桩涂层施工在工厂内进行，以保证涂层施工质量。钢管桩在节段卷制后，内侧涂刷环氧油漆进行临时防腐。 ○2钢管桩落驳前、吊桩前、沉桩后、结构施工前要反复对钢管桩的防腐结构进行检查，如发现破损，要及时修复。 ○3钢管桩的起吊采用高强尼龙吊绳，不得使用钢丝绳，以避免对钢管桩的涂层造成破坏。 ○4钢管桩在起吊过程中要轻起轻放，禁止与其他钢管桩及结构碰撞，造成防腐涂层破坏。钢管桩在驳船上运输时，采用软方木垫桩，按照设计的垫桩点摆放软方木，桩与桩之间采用软木隔开，防止破坏涂层。

工程施工质量控制关键环节点

江阴双威广昊名豪城项目 工程质量控制关键环节控制点 编制单位：上海祥生建筑安装工程有限公司 江阴双威广昊名豪城项目部编制人： 审核人：

A结构工程质量控制点 A.1土方开挖工程 1.【控制点】 (1)基底超挖。 (2)基底未保护。 (3)施工开挖顺序不合理。 (4)开挖尺寸不足，边坡过陡，无工作面。 (5)根据地质勘察报告，认真分析地质情况，组织合理、经济的基坑围护方案。 2.【预防措施】 (1)根据结构基础图绘制基坑开挖基底标高图，经审核无误方可使用。 土方开挖过程中，特别是临近基底时，派专业测量人员控制开挖标高。 (2)基坑开挖后尽量减少对基土的扰动，如基础不能及时施工时，应预留30cm土层不挖，待基础施工时再开挖。 (3)开挖时应严格按施工方案规定的顺序进行，先从低处开挖，分层分段，依次进行，形成一定坡度，以利排水。 (4)基底的开挖宽度和坡度，除考虑结构尺寸外，应根据施工实际要求增加工作面宽度。 A.2地下防水 1.【控制点】 (1)防水材料选择，确保选择防水材料技术参数必须符合设计要求。 (2)空鼓。 (3)渗漏。 2.【预防措施】 (1)多方案、多材料的比较，选择一种价格合理，最适合现场实际情况使用的防水材料。 (2)施工时要严格控制基层含水率；卷材铺贴时，要将空气排除彻底，接缝处应认真操作，使其粘结牢固。 对阴阳角、管根等特殊部位，在防水施工前，应做增强处理，可根据具体部位采取有效措施。

(3)卷材末端的收头处理，必须用嵌缝膏或其他密封材料封闭； 防水层施工完成后，要做好成品保护，并及时按设计要求做保护层。 A.3回填土工程 1.【控制点】 (1)未按要求测定土的干密度，回填土的压实系数必须满足设计要求，回填土的选择必须满足设计及施工规的要求。 (2)回填土下沉。 (3)回填土夯压不密实。 (4)管道下部夯填不实。 (5)注意回填分层压实系数及分层厚度。 2.【预防措施】 (1)回填土每层都应测定夯实后的干土密度，检验其密实度，符合设计要求才能铺上层土；未达到设计要求的部位应有处理方法和复验结果。 (2)因虚铺土超过规定厚度或冬期施工时有较大的冻土块，或压实遍数不够，甚至漏压，坑(槽)底有机物或落土等杂物清理不彻底等因素造成回填土下沉，施工中要认真执行规规定，检查发现后及时纠正。 (3)回填时，应在夯压前对于土适当洒水湿润，对土太湿造成的“橡皮土”要挖出换土重填。 (4)回填管沟时，为防止管道中心线位移或损坏管道，应用人工先在管子周围填土夯实，并应从管道两边同时进行，直至管顶0.5m以上，在不损坏管道的情况下，可采用机械回填和压实。 A.4大体积混凝土施工 1.【控制点】 (1)控制裂缝的产生。 (2)混凝土的强度等级及技术参数必须符合设计要求。 (3)混凝土中外加剂必须符合设计及施工验收规要求。 (4)混凝土塔诺度必须满足设计及施工规要求。 (5)注意控制混凝土的浇筑顺序。

关键工序及关键质量控制点

1.1.1 关键工序及关键质量控制点 各子系统工程均列出“关键工序”、“关键质量控制点”，并报工程监理确认，在工程实施中及时跟踪检验，对影响工程质量的进行严格控制。 1.2 施工质量保证措施 我公司获得ISO9000:2000质量管理体系认证，拥有完整《质量手册》和质量管理要求与措施。 本工程的质量目标，按照国家施工规范执行，保证工程达到国家合格验收标准，为达到上述的目标，具体的工程质量确保措施如下： 1.2.1 施工图的设计评审查 施工图是保证工程顺利如期完成和保证工程质量的重要因素，我们建议由业主组织，我方和相关设计单位先对智能化系统图纸深化设计并和其它相关专业进行设计审查和协调。 参加人员：设计单位和施工单位各有关专业技术人员、项目经理、现场项目负责人、主要施工安装人员、设计单位甲方代表、监理单位。 评审内容：图纸技术文件完整性，设计选型器材是否合理，性价比是否最优，是否便于施工，是否能保证工程质量，能否保证施工安全，自身的装备及技术能力是否适合设计要求。 会审结论：确定是否修改设计或制定修改方案，办理设计变更手续。 审查施工图纸应有详细记录，发现问题及建议解决办法。 1.2.2 技术交底 参加工程的施工安装人员及管理人员，应在施工前对该工程的技术要求，施工方法进行技术交底。 各专业技术人员对分部、分项工程向参加施工管理的人员进行技术交底。 技术交底的内容应包括： ?工程概况、工程特点、施工特点、进度计划的原则安排； ?施工程序及工序穿插的安排； ?主要施工方法及技术要求； ?执行的技术规范、标准； ?保证质量的主要措施；

主要的安全措施及要求。 1.2.3 工程质量自检和互检 为保证自检、互检的有效工作，应做好以下基础工作： 做好技术交底工作，使施工安装人员明确设计，施工技术要求和质量标准； 组织有关人员学习有关验收规范和质量检验评定标准； 对施工安装人员进行检查量测方法等有关基础知识培训； 对施工安装人员进行质量意识、质量要求的教育。 自检和互检应做到的质量保证： 施工安装人员应根据质量检验计划，按时按确定项目内容进行检查； 自检和互检是施工过程中的质量记录之一，施工安装人员应认真填写相应的自检记录，记录人和项目经理应分别在记录上签字； 专业检查人员应定期复核自检互检记录。 1.2.4 专业质量检查 专业质量检查是本项目的项目经理和各专业的工程督导对工程建设全过程中各环节内容的操作所进行必要的监督和检查。 专业质量检查应按定期检查和巡回检查形式进行： 定期检查：本项目的项目经理和各专业的工程督导根据质量检验或确定的重点，进行固定式核查确认和把关。 巡回检查：本项目的项目经理和各专业的工程督导不定时，不定点根据工序稳定状况采取有目标的机动检查。巡回检查的重点为： 从质量信息分析表面质量不稳定的工序。 工程的重要部位关键环节或容易发生质量问题的工序。 技术操作不熟练的新工人或质量不稳定，质量问题较多的施工安装人员所在的工序。 外界环境因素发生变化对工程质量有明显作用的工序。 专业质量检查的质量保证要求： 专检人员应提前熟悉检查对象的设计要求，判定合格的标准及检查程度； 对自检记录进行检查，检查后提出判定意见，对符合要求应予以签字确认； 对工序质量出现异常时，可作出暂停施工的决定，必要时可填写不合格报告；

关键工序质量控制点管理程序.doc

关键工序质量控制点管理程序1 关键工序质量控制点管理程序 1目的 规范本公司的关键工序质量控制点的管理，以确保产品符合规范的要求，满足顾客的需求和期望。 2职责 2.1 技术科负责组织关键工序质量控制点的管理和实施； 2.2 生产科、检验科、办公室参与关键工序质量控制点的管理工作； 3 程序要求 3.1 关键工序质量控制点的设置原则 3.1.1产品质量特性特别重要，对产品质量产生重大影响的过程、项目、工序，一般为产品质量特性分级表的A类项目； 3.1.2工艺上有特殊要求或对下道工序有较大影响的工序。 3.1.3质量信息馈中发现的不合格品或不良品较多的项目或部位。 3.1.4加工周期长，原材料贵重，一旦出现问题经济损失大的工序。 3.1.5 关键工序质量控制点的设立，应考虑工序质量的重要性、迫切性，根据企业的生产特点，抓住重点设置1-3个； 3.1.6关键工序质量控制点应该是不断更新的，设立质量控制点经过一定时

间的质量控制，工序质量得到提高并稳定的工序可以撤消关键工序质量控制点，另外选择设立关键工序质量控制点。 3.2 产品质量特性的分级 3.2.1 根据本公司机床产品的特点，产品质量特性分为A、B、C三级； 3.2.2 A级是指对产品安全、卫生产生影响，对产品的功能、性能等产品质量产生重大影响，不能满足法律法规和顾客要求的过程、项目和工序，如机床的安全、卫生项目，主要件的关键项目等； 3.2.3 B级是指对产品的功能、性能等产品质量有一定的影响，基本能满足法律法规和顾客要求，但会影响产品的等级，产品档次的过程、项目和工序，如机床的精度，外观，零件的主要项目； 3.2.3 C级是指零部件的一般项目 3.2.5 技术科负责按照产品的特点设计编制产品质量特性分级表，经主管副总经理审核后发放各部门。 3.3 质量控制点的设置 3.3.1 技术科汇同生产科、检验科，根据产品质量特性的分级和产品质量的稳定情况，确定关键工序质量控制点，在一定的周期内质量控制点一般设置1-3个； 3.3.2 每年技术科汇同生产科、检验科评审质量控制点的运行情况和运行效果，及时进行更新和增减； 3.3.3 由技术科形成质量控制点明细表，下达各部门执行

半导体集成电路工艺流程

集成电路制造工艺流程 晶体的生长 晶体切片成wafer 晶圆制作 功能设计à模块设计à电路设计à版图设计à制作光罩 工艺流程 1) 表面清洗 晶圆表面附着一层大约 2um 的 Al2O3 和甘油混合液保护之 , 在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 2) 初次氧化 有热氧化法生成 SiO2 缓冲层，用来减小后续中 Si3N4 对晶圆的应力 氧化技术 干法氧化Si( 固 ) + O2 ＝ SiO2( 固 ) 湿法氧化Si( 固 ) +2H2O ＝SiO2( 固 ) + 2H2 干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当 SiO2 膜较薄时，膜厚与时间成正比。 SiO2 膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚的 SiO2 膜，需要较长的氧化时间。 SiO2 膜形成的速度取决于经扩散穿过 SiO2 膜到达硅表面的 O2 及 OH 基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于 OH 基在 SiO2 膜中的扩散系数比 O2 的大。氧化反应， Si 表面向深层移动，距离为 SiO2 膜厚的 0.44 倍。因此，不同厚度的 SiO2 膜，去除后的 Si 表面的深度也不同。 SiO2 膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为 200nm ，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出 (d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2) 。 SiO2 膜很薄时，看不到干涉色，但可利用 Si 的疏水性和 SiO2 的亲水性来判断 SiO2 膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。 SiO2 和 Si 界面能级密度和固定电荷密度可由 MOS 二极管的电容特性求得。 (100) 面的 Si 的界面能级密度最低，约为 10E+10 -- 10E+11/cm – 2 .e V -1 数量级。 (100) 面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。 3) CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4(Hot CVD 或 LPCVD) 。

关键工序的施工工艺及质量控制措施资料

关键工序的施工工艺及质量控制措施 第一节隧道工程施工质量保证措施 集中专家编制科学、合理的实施性施工组织设计，以切实可行的施工技术措施及一系列先进手段、先进工艺，保证隧道工程质量优良。 （一）认真操作，保证测量准确 采用电脑全站仪、精密水准仪、激光准直仪、激光断面仪和收敛仪等精测仪器，确保围岩监控测量信息准确、及时地反馈用以指导施工；确保隧道中线、标高和结构尺寸正确。 （二）采用光面爆破技术，保证开挖质量 1、根据地质条件、开挖断面、开挖方法、掘进循环进尺、钻眼机具和爆破器材进行钻爆设计，审定批准后，据此严格施工。并根据爆破效果，及时调整有关参数。采用微震光面爆破，非电起爆技术，使硬岩、中硬岩、软岩残眼率分别达到90%、80%、60%以上，比规范分别提高十个百分点。越是软岩地段，越是要搞好光面爆破。 2、采用断面仪快速、准确测量洞室开挖轮廓线，数据及时反馈到施工中，提高开挖质量。 3、实行定人、定位、定责的岗位责任制，确保隧道开挖轮廓线平顺，线性超挖控制在10cm以内，无欠挖现象。 （三）一丝不苟，保证施工支护质量 本合同段的隧道工程施工支护设计采用素喷、网喷、钢筋网和系统锚杆，并视围岩情况相应采用了超前锚杆、超前小导管超前预支护

辅助措施和钢架加强支护。无论哪种支护方式，施工时：一是初期支护严格按设计要求的施工顺序紧随开挖，及时施作，以充分发挥围岩自承能力；二要喷射砼与围岩、钢件之间密实无隙，融为一体，消灭空洞现象；三要保证支护的厚度且大面平整，这对复合衬砌结构消灭初期支护与岩面之间、与防水板之间不密贴的质量通病打下基础，也是实施新奥法的必然要求。同时，对于二次衬砌，除不良地质地段要紧跟外，对于较好的围岩，开挖面与二衬间的距离不得超过200m。 1、超前预支护是保证隧道软弱围岩地段施工质量、安全的关键之一，必须严格按照设计及规范进行施工。同时，要注意以下几点：⑴环向布置间距、孔位偏差不得大于5cm；⑵纵向搭接长度不得小于设计要求；⑶严格控制外插角范围，可根据地质情况科学进行调整，必须报请批准方可进行；⑷注浆施工应有效止浆，防止漏浆。超前灌浆锚杆采用孔口止浆塞止浆，超前小导管注浆施工用喷砼封闭岩面； ⑸注浆采用注浆压力控制，注浆压力控制采用逐级升压法；⑹必须在注浆效果达到预期目的后，方准进入下步工序施工。 2、系统锚杆的材质、密度、长度必须符合设计要求，浆液饱满。锚杆钻孔保持直线，并与所在部位的岩层主要结构面垂直；锚杆安装前，除去油污锈蚀并将钻孔吹洗干净；所有锚杆必须安装垫板，当锚杆不垂直岩面时可用垫片调整，使垫板与岩面密贴。锚杆安装后外露长度不得超过10cm。每根锚杆的锚固力不得低于设计要求，每300根抽样一组进行抗拔试验，每组不少于3根。 3、钢筋网不得扎制成片，必须单根现场绑扎或焊接，起伏铺设