CS6583
CS6583
○R
非隔离降压型LED恒流驱动电路
本资料适用范围：CS6583BBO/CS6583BO/CS6583CBO/CS6583DBO/CS65L83BP 1 概述
CS6583是一款单电感非隔离降压型LED恒流驱动电路，工作在电感电流临界连续模式下。适用于85Vac~265Vac全电压输入范围。电路的工作电流极低，只需要很少的外围元件。在较大的范围内，系统的输出电流与电感量无关。电路具有优异的线性调整率和负载调整率，降低系统成本。
CS6583的主要应用于LED蜡烛灯、LED球泡灯及其它LED照明领域。
其特点如下：
●单电感非隔离降压结构
●超低工作电流
●宽输入电压
●内部集成500V高压功率MOSFET
●±5% LED输出电流精度
● LED开路/短路保护
● CS短路保护
●过温保护功能
●封装形式：SOP8（CS6583BBO、CS6583BO、CS6583CBO、CS6583DBO）；
DIP7（CS65L83BP）
2 功能框图与引脚说明
2. 1 功能框图
图1 功能框图
2. 2 功能描述
CS6583是LED 恒流驱动芯片，集成500V 高压功率管，无需光耦等次级反馈环路，具有高精度的LED 恒流输出，极大的节约了成本。电路逐周期检测电感的峰值电流，CS 外接采样电阻Rcs ，内部与400mV 阈值比较器连接。当功率MOS 管导通时，CS 端的电压随着电感电流的上升而上升。当CS 端电压超过400mV 时，MOS 管关断，电感开始放电，电感电流逐渐下降。当电路检测到电感电流降为0时，内部逻辑控制MOS 管重新打开。
2.2.1 启动和VDD 欠压保护
系统上电后，VDD 电压开始上升。当VDD 电压上升到UVLO 开启电压后，系统开始工作，系统正常工作后，VDD 电压需要降低到UVLO 关断电压以下，系统才会停止工作，实现UVLO 保护功能。 2.2.2 恒流控制
CS6583采用BUCK 架构，工作在临界导通模式。LED 输出电流计算公式如下：
CS
REF
R V Io ×=
2
其中，V REF 为CS 采样阈值电压（典型值为400mV ） R CS 为电感电流采样电阻 2.2.3 前沿消隐
由于存在寄生电容，MOSFET 在导通瞬间，会产生一个脉冲电流。CS6583内部集成有前沿消隐功能，在MOSFET 导通的瞬间，设计有350ns 的前沿消隐时间，在这段时间内，电流比较器停止工作，避免脉冲电流让电流比较器发生误翻转，如下图所示：
图2 前沿消隐
2.2.4 可调阈值LED 过压保护
CS6583集成有LED 过压保护功能，可以通过设置VOL 引脚电阻来设置LED 开路保护电压，VOL 引脚电压是0.5V 。由于开路电压越高，消磁时间越小，因此可根据需要设定的开路保护电压由以下公式计算消磁时间：
CS
O CS
R V V L T ××=
L VOL
其中，V CS 是峰值电流检测阈值（400mV ）。 V OL 是要设定的过压保护点。
然后根据消磁时间T VOL 来计算VOL 电阻，公式如下：
6VOL 1016??≈T R (k ?)
2.2.5 过温保护
为了避免温度过高而损坏器件，CS6583内置过温调节功能。当温度过高时，逐渐减小输出电流，从而控制输出功率和温升，当温度高于150℃时，将关断芯片并锁定，直到VDD 降到欠压保护关断电压，系统重启。系统会不断检测芯片温度，当温度降到125℃以下，系统重启后才能正常工作。
图3 最小关断时间
2.2.6 CS 采样电阻异常保护电路
CS6583集成CS 采样电阻异常保护，当LED 短路或者CS 采样电阻开路/短路发生时，芯片会立即检查到错误信号，关断功率MOSFET ，并重启系统。
2. 3 引脚排列图
2. 4 引脚说明与结构原理图
3 电特性
3. 1极限参数
除非特别说明，T amb= 25℃
参数名称符号额定值单位
V 电源电压 VDD
-0.3~21 功率管漏端V DRAIN-0.3~500 V
低压模拟端口（CS，ZCD）-0.3~7 V
0.45（SOP8） W
功耗P DMAX
0.9（DIP7） W
145（SOP8）℃/W
热阻θJA
80（DIP7）℃/W
工作温度T OP-40~105 ℃
工作结温T J-45~150 ℃
储存温度T STG-65~150 ℃
ESD（HBM模型） 4 kV
3. 2 电特性
除非特别说明，T amb = 25℃
符 号 参 数 条 件 最小典型 最大 单位电源部分
VDD _CLAMP VDD 钳位电压
1mA 17 V VDD _ON VDD 启动电压 VDD 上升
14 V VDD _UVLO 电路欠压保护阈值VDD 下降
9 V I ST 电路启动电流
V DD =VDD _ST -1V 115 180 μA I OP 静态工作电流
F OP =70kHz 95 150 μA 电流采样部分
V CS_TH 电流检测阈值
388400 412 mV T LEB 前沿消隐时间
350 ns T DELAY 电路关断延迟
220 ns 内部时间控制
T OFF_MIN 最小退磁时间 4.5 μs T OFF_MAX 最大退磁时间 250 μs T ON_MAX 最大导通时间 45 μs V OL VOL 引脚电压
0.5 V 过温保护
T SD 热关断温度 150 ℃ T SD_HYS 过热保护迟滞 25 ℃
功率MOS 管
V BV 功率管击穿电压 Vgs =0，I DS =250uA
500 V I DISS 功率管漏电流 Vgs =0，V DS =500V 1 μA
I D =0.4A CS6583BBO 14 18 ? I D =0.5A CS6583BO 10 14 ?
I D =0.5A CS6583CBO 8.5 12.5 ?
I D =1A CS6583DBO 5 9 ? R ON 导通电阻
（V GS =10V ）
I D =1A CS65L83BP
5 9 ?
4 典型应用线路图
5 封装尺寸与外形图（单位：mm）
5. 1 CS6583BBO/BO/CBO/DBO
Symbol Min. Max. Symbol Min. Max.
A 4.95 5.15 C3 0.10 0.20
A1 0.37 0.47 C4 0.20TYP
A2 1.27TYP D 1.05TYP
A3 0.41TYP D1 0.50TYP
B 5.80 6.20 R1 0.07TYP
B1 3.80 4.00 R2 0.07TYP
B2 5.0TYP θ1 17°TYP
C 1.30 1.50 θ2 13°TYP
C1 0.55 0.65 θ3 4°TYP
C2 0.55 0.65 θ4 12°TYP
5. 2 CS65L83BP
Symbol Min. Typ. Max. Symbol Min. Typ. Max.
A1 6.28 6.33 6.38 E 0.43 0.45 0.47 A2 6.33 6.38 6.43 F 2.54
A3 7.52 7.62 7.72 G 0.25
A4 7.80 8.40 9.00 H 1.54 1.59 1.64 B1 9.15 9.20 9.25 I 3.22 3.27 3.32 B2 9.20 9.25 9.30 R 0.20
C 5.57 M1 9° 10° 11°
D 1.52 M2 11° 12° 13°
产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
有毒有害物质或元素
部件名称 铅
（Pb） 汞（Hg） 镉（Cd）
六价铬
（Cr+6）
多溴联苯
（PBB）
多溴联苯醚
（PBDE）
引线框 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 塑封树脂 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 芯片 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 装片胶 ○ ○ ○ ○ ○ ○
说明 ○：表示该有毒有害物质的含量在SJ/T11363-2006标准的限量要求以下。×：表示该有毒有害物质的含量超出SJ/T11363-2006标准的限量要求。
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