PT200 整体流程简要介绍

PT200学习报告

PIST (一) PT200的功能介绍

先了解PT200是对于Pansonic 设备中CM401、CM402、DT401所开发的程序制作及管理软件，功能是编辑及仿真生产程序并将生产信息传回server端提供分析用，也就是(1)准备生产坐标(2)机台以及联机监控(3)可以利用虚拟线仿真生产状况。

(二) Pt200的安装及移除

接下来学习PT200 的软件安装，首先他的软件是安装在Windows 2000 英文版上为标准，如果要安装在XP上必须加安装上BDE软件。另外PT200 需安装在一个多重开机的状况下，启动时需建立一个新的使用者create，此为administrator 权限。

除了安装外对于PT200的移除也得小心，需将档案彻底移除才可以。利用uninstall的方式，再到regedit里面去找Kme的数据夹作删除。

(三)Pt 200的环境设定

环境设定及介绍方面我们在PT200的setup部分来操作，共介绍了Line Config、Virtual Line Config、Machine Config 三部分，程序在一开始制作时要先到这地方去作机台的设定，以下为这三部分大概功能:

Line Config : 可以create真实线并设定ip等一些信息

Virtual Line Config: 设定虚拟线还有决定机台的种类及数目

Machine Config : 设定机器的各个stage的参数信息，包括CM402 A type 要改成C type也是在这边更改它的nozzle header参数，还有是否使

用报废料架也是在这设定ngcnv参数..诸如此类等等

(四)PT200工具的使用及程序制作

之后就是TOOL部分共分为Filer、LineConverter、PartsLibrary Editor、Nozzle Feeder Editor、Line Monitor，其中前面三项是程序在制作时所要常常操作

的，以下是程序制作时候的大致流程图以及文字说明:

(四之一): 整理CAD表及BOM表

先将客户的CAD表中有用信息(X坐标，Y坐标，旋转角度，料表等等)以及BOM表中(parts name，料表)整理区隔出来，建议转换成csv檔，点的坐标内容要在第一象限。ps:有些厂商的生产坐标可以在其它象限，所以必须注意。

制作程序时，我们先要到LineConverter去把生产机版的CAD表跟BOM表数据作结合，就是import的动作，结合后程序所需要的零件数据就会load到零件数据库里面，再到零件数据库去把零件信息建立起来。接下来去设定机版的一些特性，包括机版大小、Board recognition的位置、还有offset大小等等。机版信息建立完成后就作数据确定功能、如果通过便可以去作生产仿真的工作，有错误化程序会将一些错误讯息告知，将错误修正后便可以进行下一步simulation的动作，在simulation过程中必须要去对程序作优化，对于料架的安放以及吸嘴的位置等等都需纳入考虑。

(五)零件数据库的建立

PartsLibrary :

包括Chip information，Feeder information ，Machine Information

可以对零件作数据的编辑，包括零件的种类还有大小厚度，以及REF编号及选

择feeder的种类及宽度，料卷大小，在机器里的吸取角度，使用哪种吸嘴对此零件吸取，还可以仿真吸取画面。

(六) 程序优化

在优化时尽可能注意到一些原则:

?料架的摆放尽量靠近辨识相机，也就是中间位置

?还有吸嘴最好将相同的都摆放在附近

?尽量让泛用型头组去打大及异型零件

?泛用机跟DT的Cycle Time要比高速机要少，在这前提下去降低高速机的cycle time

(七)程序转换及储存

另外档案部分可以储存LinConveter 的程序，再转到实际在线去生产，程序在实际生产时有些基本功能需要更改话也直接由机台或是回到Filer作更改，在download到机台去作更改。

做完优化后要会存盘，可以将档案从LineConveter中转出到自己指定路径去储存或是到Filer去准备生产。但是只有实际线可以将档案从LineConveter转到Filer，虚拟线只能转到其它位置，另外在LineConveter转出的程序文件名都会有@符号，Filer中储存的档案则不会。

(八)分析程序及计算

计算单点秒数CP还有CPH以及单位时间output 多少PCB版数以及架动率等等相关生产数据。

(九)程序练习

我们练习了一个程序的实际制作，共有278个点，机版大小为长100mm，

宽140 mm，高0.8mm，底下为此程序的仿真结果

高速机的cycle time 为17.9 秒单机CP = 0.11 CPH=32727

泛用机的cycle time 为18.9 秒单机CP = 0.18 CPH=20000

DT401的cycle time 为17.1秒单机CP = 1. 2 CPH= 300

T.CPH= 53027

190 PCB/小时; 4571 PCB/天; 137142 PCB/月

(十)感想

进松下大概一个月左右了，从一开始的CM402 spec开始接触SMT这产业，懵懵懂懂，经过了大家热心的教导让我觉得这一个月过的非常充实，不会有非常慌张的感觉，在此要先感谢蔡经理的安排，虽然经理没有直接常与我们接触但是对于我们的进度却时常关心，接下来就是安排我们教育训练的坤山大哥，我们的训练课程都是由他帮我们安排的，在专业训练方面，胜雄、赐郎对于SMT这产业的介绍还有柏钧对于CM402的简介以及启碁工厂的实习，还有韦羽指导PT200程序制作，在实际没看过各种零件时要看着零件图片去想象零件的实际状况作零件数据的编辑，以及生产程序的仿真，感到相当困难，幸好有韦羽热心的教导，除了在技术部份的PT200外，在公司生活上的一些事情他也给我们很多建议，使我们能够早点进入状况。最后很高兴能够进入松下这个团队，我会努力使自己能够赶快进入轨道与大家一起努力。

生产工艺流程图及说明

（1）电解 本项目电解铝生产采用熔盐电解法：其主要生产设备为预焙阳极电解槽,项目设计采用大面六点进电SY350型预焙阳极电解槽。铝电解生产所需的主要原材料为氧化铝、氟化铝和冰晶石，原料按工艺配料比例加入350KA 预焙阳极电解槽中，通入强大的直流电，在945－955℃温度下，将一定量砂状氧化铝及吸附了电解烟气中氟化物的载氟氧化铝原料溶解于电解质中，通过炭素材料电极导入直流电，使熔融状态的电解质中呈离子状态的冰晶石和氧化铝在两极上发生电化学反应，氧化铝不断分解还原出金属铝——在阴极(电解槽的底部)析出液态的金属铝。 电解槽中发生的电化学反应式如下： 2323497094032CO Al C O Al +?-+℃ ℃直流电 在阴极(电解槽的底部)析出液态的金属铝定期用真空抬包抽出送往铸造车间经混合炉除渣后由铸造机浇铸成铝锭。电解过程中析出的O 2同阳极炭素发生反应生成以CO 2为主的阳极气体，这些阳极气体与氟化盐水解产生的含氟废气、粉尘等含氟烟气经电解槽顶部的密闭集气罩收集后送到以Al 2O 3为吸附剂的干法净化系统处理，净化后烟气排入大气。被消耗的阳极定期进行更换，并将残极运回生产厂家进行回收处置。吸附了含氟气体的截氟氧化铝返回电解槽进行电解。 电解槽是在高温、强磁场条件下连续生产作业，项目设计采用大面六点进电SY350型预焙阳极电解槽，是目前我国较先进的生产设备。电解槽为6点下料，交叉工作，整个工艺过程均自动控制。电解槽阳极作业均由电解多功能机组完成。多功能机组的主要功能为更换阳极、吊运出铝抬包出铝、定期提升阳极母线、打壳加覆盖料等其它作业。 （2）氧化铝及氟化盐贮运供料系统 氧化铝及氟化盐贮运系统的主要任务是贮存由外购到厂的氧化铝和氟化盐 ，并按需要及时将其送到电解车间的电解槽上料箱内。

光刻工艺流程

光刻工艺流程 Lithography Process 摘要：光刻技术（lithography technology)是指集成电路制造中利用光学—化学反应原理和化学，物理刻蚀法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。光刻是集成电路工艺中的关键性技术，其构想源自于印刷技术中的照相制版技术。光刻技术的发展使得图形线宽不断缩小，集成度不断提高，从而使得器件不断缩小，性能也不断提利用高。还有大面积的均匀曝光，提高了产量，质量，降低了成本。我们所知的光刻工艺的流程为：涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。 Abstract:Lithography technology is the manufacture of integrated circuits using optical - chemical reaction principle and chemical, physical etching method, the circuit pattern is transferred to the single crystal surface or the dielectric layer to form an effective graphics window or function graphics technology.Lithography is the key technology in integrated circuit technology, the idea originated in printing technology in the photo lithographic process. Development of lithography technology makes graphics width shrinking, integration continues to improve, so that the devices continue to shrink, the performance is also rising.There are even a large area of exposure, improve the yield, quality and reduce costs. We know lithography process flow is: Photoresist Coating → Soft bake → exposure → development →hard bake → etching → Strip Photoresist. 关键词：光刻，涂胶，前烘，曝光，显影，坚膜，刻蚀，去胶。 Key Words:lithography,Photoresist Coating,Soft bake,exposure,development,hard bake ,etching, Strip Photoresist. 引言： 光刻有三要素：光刻机；光刻版（掩模版）；光刻胶。光刻机是IC晶圆中最昂贵的设备，也决定了集成电路最小的特征尺寸。光刻机的种类有接触式光刻机、接近式光刻机、投影式光刻机和步进式光刻机。接触式光刻机设备简单，70年代中期前使用，分辨率只有微

光刻工艺简要流程介绍

光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。 光刻机是生产线上最贵的机台，5～15百万美元/台。主要是贵在成像系统（由15～20个直径为200～300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于10nm）。其折旧速度非常快，大约3～9万人民币/天，所以也称之为印钞机。光刻部分的主要机台包括两部分：轨道机（Tracker），用于涂胶显影；扫描曝光机（Scanning)光刻工艺的要求：光刻工具具有高的分辨率；光刻胶具有高的光学敏感性；准确地对准；大尺寸硅片的制造；低的缺陷密度。 光刻工艺过程 一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。 1、硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking） 方法：湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板150～2500C,1～2分钟，氮 气保护） 目的：a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；b、除去水蒸气，是基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是 HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。 2、涂底（Priming) 方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸汽淀积，200～2500C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS 用量大。

目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。 3、旋转涂胶（Spin-on PR Coating） 方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）； b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速 旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。 决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄； 影响光刻胶厚度均运性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时 间点有关。 一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不 同的光刻胶种类和分辨率）： I-line最厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～ 0.5μm。 4、软烘（Soft Baking） 方法：真空热板，85～120℃,30～60秒； 目的：除去溶剂（4～7%）；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶 玷污设备； 边缘光刻胶的去除（EBR，Edge Bead Removal）。光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。所以需要去除。

尿素的工业发展过程

尿素的工业发展过程 化学工程 2008级工程硕士 摘要对尿素工业发展历史进行介绍，简述了尿素工业化过程、体系结构与发展趋势 1、尿素简介 尿素，H2NCONH2学名碳酰二胺化学名称为脲，或者碳酰胺，以氨和二氧化碳合成的一种主要的氮肥。因人及哺乳动物的尿液中含有这种物质而得名，白色针状或柱状结晶，熔点132.7℃，常压下温度超过熔点即分解。现在是一 种常见而普通的化工产品，但是它的发现特别是人工合成、工业化一系列过程 却非常有意义，即体现近代工业发展的情况，更是对人类哲学、宗教理念的一 次冲击。当然现在尿素不仅作为肥料给我们带来的是农作物的高产，同时也广 泛应用与工业作为高聚合材料、多种添加剂、医药、试剂等方面。 2、尿素的发展史 尿素最先在动物的排泄物中发现。第一次得到尿素结晶是1773年，化学 家鲁埃勒（Rouelle）蒸干人尿而得。第一次得到纯尿素是1798年富克拉伊（Rourcray）等人从尿素硝酸盐中制的。 人类历史上，第一次用人工的方法从无机物中制的尿素，是在1824年，德国化学家武勒(Friedrich Wohler)使用氰酸与氨反应，产生了白色的尿素，而且证明其与从尿液中提取的尿素一样。打破了当时生命力论的理论，即有机体 内的含碳化合物是由奇妙的“生命力”造成，无法用人力取得，只能由有机物 产生有机物。这次实验的成功，成为现代有机化学兴起的标志。同时在哲学上 也是一场革命。 在这之后，又出现了50多种制备尿素的方法。但是这些方法或者原料难取、或者有毒、或者难以控制、或者不经济，最终都未工业化。1868年俄国化学家巴扎罗夫找到工业化的基础反应办法，即将氨基甲酸铵和碳酸铵长期加热 而达到尿素。 现代工业都是以氨与二氧化碳为原料生产尿素。世界上第一座这样的工厂是德国的法本公司于1922年在Oppau建成投产的，采用热混合气压缩循环。

尿素工艺流程简述(副本)

尿素工艺流程简述 1、尿素的合成 CO压缩机五段出口CO气体压力约20.69MPa（绝），温度约125C，进入尿素 合成塔的量决定系统生产负荷。 从一吸塔来的氨基甲酸铵溶液温度约90 C左右，经一甲泵加压至约20.69MPa （绝）进入尿素合成塔，一般维持进料"O/CO （摩尔比）0.65?0.70。从氨泵来的液氨经预热器预热至40?70C进入尿素合成塔，液氨用量根据生产负荷决定，塔顶温度控制在186?190C，进料NH/CC2分子比控制3.8?4.2。 尿塔压力由塔顶减压阀PIC204 （自调阀）自动控制，一般维持19.6MPa（表）物料在塔内停留时间为40分钟，CO转化率》65% 为防止尿塔停车时管路堵塞，设置高压冲洗泵，将蒸汽冷凝液加压到19.6?25.0MPa送到合成塔进出口物料管线进行冲洗置换。 2、中压分解 出合成塔气液混合物减压至1.77MPa（绝）进入预分离器，合成液中的氨大部分被分离闪蒸出来，通过气相管道进入一吸外冷却器，液相进入预蒸馏塔上部，在此分离出闪蒸气后溶液自流至中部蒸馏段，与一分加热器来的热气逆流接触，进 行传质、传热，使液相中的部分甲铵与过剩氨分解、蒸出进入气相，同时，气相中的水蒸汽部分冷凝降低了出塔气相带水量。 出预蒸馏塔中部的液体进入一分加热器，经饱和蒸汽加热后，出一分加热器温度控制在155?160C，保证氨基甲酸铵的分解率达到88%总氨蒸出率达到90% 加热后物料进入预蒸馏塔下部的分离段进行气液分离，分离段液位由LICA302 摇控控制，物料减压后送至二分塔。 在一分加热器液相入口用空压机补加空气，防止一段分解系统设备管道的腐蚀, 加入空气量由流量计指示（约2m i/TUr）通过旁路放空阀调节流量。 3、二段分解（低压分解） 出预蒸馏塔的液体经LRC302减压至0.29?0.39MPa （绝），进入二分塔上部进行闪蒸，液体在填料精馏段与塔下分离段来的气体进行传质、传热，以降低出塔气体温度和提高进二分塔加热器的液体温度。 出二分塔加热物料温度为135?145C，该温度由TRC303自动控制，物料被加热后进入二分塔分离段进行气液分离，二分塔液位由LIC303自动控制。 4、闪蒸

尿素生产工艺流程简介

经蒸发、造粒后包装销售。粗甲醇经精馏得到精甲醇销售。 二氧化碳经净化和压缩后，与氨一起送入尿素合成塔，在适当的温度和压力下，合成尿素，的氮氢混合气压缩到高压，并在高温、有催化剂存在的情况下合成为氨。脱碳解吸出来的换、二次脱硫、脱碳、精脱硫、甲醇、烃化等工艺将气体净化，除去各种杂质后，将纯净 原料煤利用蒸汽和空气为气化剂，在煤气发生炉内产生半水煤气，经一次脱硫、变生产流程说明 一分厂生产流程 一分厂生产流程及说明 1、造气工段 工艺流程说明： 采用间歇式固定常压气化法，即在煤气发生炉内，以无烟块煤或焦炭为原料，并保持一定的炭层，在高温下，交替地吹入空气和蒸汽，使煤气化，以制取合格的半水煤气。经除尘、热量回用降温后送入气柜。自上一次开始送风至下一次开始送风为止，称为一个工作循环，每个循环分吹风、上吹、下吹、二次上吹和吹净五个部分。 各工段流程 2、一脱工段除去焦油等杂质后送往压缩一入。目前使用的脱硫方法为栲胶脱硫法。 S，然后进入冷却清洗塔上段降温后，经静电除焦2后进入脱硫塔,脱除部分H 油等杂质并降低一定温度后由萝茨风机加压送到冷却清洗塔下段降温、除尘 来自造气的半水煤气，经半水煤气气柜出口冷洗塔除去部分粉尘，煤焦

3、变换工段 流程说明： 半水煤气经除油器除去气体挟带的油等杂质后，一氧化碳与水蒸汽借助于催化 剂的作用，在一定的温度下变换成二氧化碳和氢气。通过变换既除去了一氧化碳， 又得到了制合成氨的原料气氢和制尿素所需的原料气二氧化碳,使热量得到有效回 收。本工段采用全低变工艺进行变换。 4.二次脱硫 流程说明： 变换气经过气液分离器后进入脱硫塔脱除变换气中的H2S后送往压缩三入。并经溶液再生，提取单质硫。采用栲胶脱硫法脱硫。 利用二氧化碳气体在碳丙液中溶解度大的特点，除去变换气中的二氧化碳，净 化气经精脱硫脱除微量硫后送往压缩四段。二氧化碳气体经净化、压缩，送至尿素 合成塔。碳丙液对CO2的吸收在低压下符合亨利定律，因此采用加压吸收，减压再生。

工艺流程及优势介绍

云南意构 建筑装饰工程有限公司 企 业 简 介 2012年12月

第一部分、企业简介 云南意构建筑装饰工程有限公司成立于2005年7月，注册资金1000万元整，持有铝合金门窗施工壹级、装饰装修施工壹级、幕墙施工贰级、钢结构施工贰级资质。公司拥有两条意大利进口飞幕设备、两条国产金皇宇设备，年产铝合金门窗40万平米，为承接各类大型工程奠定了坚实的基础。 随着产业的发展，公司积极学习国内优秀同行业的工艺流程，通过几年的学习积累，我们已熟练掌握了优质门窗的加工工艺。 近年来已承接了南亚风情第壹城、星耀水乡、中航云玺大宅、汇都中心二期、长丰星云园等大型铝合金门窗工程，并在施工过程中及售后维修过程中得到了业主方一致好评。

第二部分、施工工艺 我公司常年从事铝合金门窗工程施工，对铝合金门窗严格执行以下施工工艺流程， 一、加工工艺流程 基体表面清理→放样→开料→下料→钻铣→组件拼装→成品检验→包装→出厂 二、安装工艺流程 放线→铝合金外框安装→框底填充发泡剂→固定玻璃安装→窗扇的定位及安装→五金件安装→拆除保护膜→框与墙体的防水处理→调试→清洁卫生→交验 三、铝合金门窗制作的关键工艺部分 1、下料：我公司拥有目前行业内最先进的意大利飞幕下料设备，保证了铝合金型材下料尺寸的精度。 2、组角：我公司在组角工艺上采用平整钢片，这样做的好处能让45度对角处理的平整。组角前打胶防渗漏，三元乙丙胶条采用四角无缝烫接。 3、打胶：我公司有固定的人员负责打胶，长时间从事单一工作，确保了打胶的品质。 4、密封处理：因铝合金门窗是由杆件组装而成，有接缝就存在渗漏隐患，我公司专人负责质量，严格把关杜绝了隐患发生。确保工程质量。在胶条的街头处我公司采取烫接，确保了铝合金门窗的密封。 5、现场安装的横平竖直：公司培养了大批专业从事铝合金门窗安装

尿素生产工艺流程简介

一分厂生产流程及说明 一分厂生产流程 生产流程说明 原料煤利用蒸汽和空气为气化剂，在煤气发生炉内产生半水煤气，经一次脱硫、变换、二次脱硫、脱碳、精脱硫、甲醇、烃化等工艺将气体净化，除去各种杂质后，将纯净的氮氢混合气压 缩到高压，并在高温、有催化剂存在的情况下合成为氨。脱碳解吸岀来的二氧化碳经净化和压缩 后，与氨一起送入尿素合成塔，在适当的温度和压力下，合成尿素, 经蒸发、造粒后包装销售。 粗甲醇经精馏得到精甲醇销售。 各工段流程 1造气工段 工艺流程说明： 采用间歇式固定常压气化法，即在煤气发生炉内，以无烟块煤或焦炭为原料，并保持一定的炭层，在高温下，交替地吹入空气和蒸汽，使煤气化，以制取合格的半水煤气。经除尘、热量回用降温后送入气柜。自上一次开始送风至下一次开始送风为止，称为一个工作循环，每个循环分吹风、上吹、下吹、二次2、一脱工段 上吹和吹净五个部分。 来自造气的半水煤气，经半水煤气气柜出口冷洗塔除去部分粉尘，煤焦油等杂质并降低一定温度后由萝茨风机加压送到冷却清洗塔下段降温、除尘后进入脱硫塔，脱除部分H 2S,然后进入冷却清洗塔上段降温后，经静电除焦除去焦油等杂质后送往压缩一入。目前使用的脱硫方法为栲胶脱硫法。

3、变换工段 流程说明： 半水煤气经除油器除去气体挟带的油等杂质后，一氧化碳与水蒸汽借助于催化剂的作用，在一定的温度下变换成二氧化碳和氢气。通过变换既除去了一氧化碳，又得到了制合成氨的原料气氢和制尿素所需的原料气二氧化碳，使热量得到有效回收。本工段采用全低变工艺进行变换。 4.二次脱硫 流程说明： 变换气经过气液分离器后进入脱硫塔脱除变换气中的H 2S 后送往压缩三入。并经溶液再生，提取单质硫。米用栲胶脱硫法脱硫。 利用二氧化碳气体在碳丙液中溶解度大的特点，除去变换气中的二氧化碳，净化气经精脱硫脱除微量硫后送往压缩四段。二氧化碳气体经净化、压缩，送至尿素合成塔。碳丙液对CO的吸收在低压下符合亨利定律，因此采用加压吸收，减压再生

工艺流程及其描述

xx 有限公司沙棘籽油软胶囊生产工艺流程图及其说明 生产工艺流程图 注：※号为CCP 点 表示洁净区 表示普通工序 表示洁净加工工序

生产工艺流程描述 2.1原料的采购 采购计划初步拟定：由销售部根据市场需要和产品库存制定生产计划，并确认原辅料库存，若原辅料库存数量不能满足生产需要时，应及时通知采购人员进行采购。 2.2原料验收： 库管员及时通知质量部取样，质量部依据《原辅料检验标准》进行检测，库管员凭质量部出具的检验报告单，办理入库手续，不合格则通知采购员作退货处理。 2.3组织生产： 2.3.1由销售部向质量部下达《生产、包装指令》，质量部根据产品工艺配方向生产部下达《生产指令》，由生产工艺员再次确认工艺配方，然后向生产各工序下达分解指令。 2.3.2混料：工序接到生产指令后，根据指令领取物料，在进入洁净区前进行脱包灭菌（用紫外灯或臭氧发生器进行灭菌），称量放入乳化罐混匀，乳化好后用200目的筛网过滤，将其中可能存在的杂质过滤清除，混好料液贮存于料液罐中置于药液区存放待生产。 2.3.3溶胶：溶胶工序操作人员接到指令领取明胶、甘油等，首先在进入洁净区前进行脱包灭菌，灭菌后按工艺要求将明胶、甘油、纯化水按比例称量入罐溶胶，溶好的胶液抽真空后对其黏度检测（2-4OE）放胶。放胶时要用120目的筛网过滤将其中可能存在的杂质滤除，在溶胶过程中因溶胶温度在76℃-80℃，此温度足可以杀死原料中可能存在的细菌。将溶好的胶液放置在胶罐中保温静置待用。 2.3.4压丸：压丸工序根据指令选择模具，安装调试后，把混好的料液和备好的胶液进行上机操作，上机时要注意胶皮的厚度、内容物的装量等，同时要随时监视胶丸的丸形、装量，防止胶丸漏夜。 2.3.5 定型干燥：胶囊压丸后进入转笼内经过一定时间风吹干燥，失去部分水分，使胶丸定形，定形时间：≥3小时，转笼转速：40-50r/min。 2.3.6排盘干燥：将在干燥笼中初步干燥后的软胶囊，放在一定尺寸的干燥盘上使其分布均匀，再在风室中通过一定的温度、湿度，进行干燥，使软胶囊的水分达到要求（胶皮水分≤14%）。风室温度：20-27℃、相对湿度：≤50% 2.3.7选丸：干燥后的软胶囊对其外观进行挑选，将有缺陷的胶囊剔除，同时将其表面可能存在的杂质去除。 2.3.8抛光：擦去胶丸表面的油脂，使胶丸表面光滑有光泽。 2.3.9上工序处理好的软胶囊质量部对其进行取样检测，若合格交下工序包装；不合格交上工序处理。（微生物不合格由上工序用酒精清洗，清洗后由质量部重

第九章_基本光刻工艺流程-显影到最终检验

第九章基本光刻工艺流程-曝光到最终检验概述 在本章，将解释从光刻胶的显影到最终检验所使用的基本方法。本章末尾将涉及膜版工艺的使用和定位错误的讨论。 目的 完成本章后您将能够： 1.划出晶圆在显影之前及之后的剖面图。 2.列出显影的方法。 3.解释硬烘焙的方法和作用。 4.列出晶圆在显影检验时被拒绝的至少五个原因。 5.划出显影-检验-重做工作过程的示意图。 6.解释湿法刻蚀和干法刻蚀的方法和优缺点。 7.列出从氧化膜和金属膜上去除光刻胶的机器 8.解释最终检验的方法和作用。 显影 晶圆完成定位和曝光后，器件或电路的图案被以曝光和未曝光区域的形式记录在光刻胶上（图9.1）。通过对未聚合光刻胶的化学分解来使图案显影。显影技术被设计成使之把完全一样的膜版上图案复制到光刻胶上。不良的显影工艺造成的问题是不完全显影，它会导致开孔的不正确尺寸，或使开孔的侧面内凹。在某些情况下，显影不够深而在开孔内留下一层光刻胶。第三个问题是过显影它会过多地从图形边缘或表面上去除光刻胶。要在保证开孔的直径一致和由于清洗深孔时液体不易进入而造成的清洗困难的情况下保持具有良好形状的开孔是一个特殊的挑战。 负和正的光刻胶有不同的显影性质并要求不同的化学品和工艺。 负光刻胶显影 在光刻胶上成功地使图案显影要依靠光刻胶的曝光机理。负光刻胶暴露在光时会有一个聚合的过程它会导致光刻胶聚合在显影液中分解。在两个区域间有足够高的分解率以使聚合的区域只失去很小部分光刻胶。对于大多数的负光刻胶显影二甲苯是受欢迎的化学品。它也在作负光刻胶中作溶液使用。显影完成前还要进行冲洗。对于负光刻胶，通常使用n-丁基醋酸盐作为冲洗化学品，因为它既不会使光刻胶

氮肥行业工艺流程

煤/天然气化工(化肥)工艺流程 概述 整个生产过程可以分为造气、脱硫、压缩、变换、脱碳、合成、甲醇、尿素等主要单元（工段）。上述各单元（工段）的操作在工艺上密切联系，但在地域上分散、在控制上相对独立。 1、造气 造气一般是以块煤为原料，采用间歇式固定层常压气化法，在高温和程控机油传动控制下，交替与空气和过热蒸汽反应。反应方程式： 吹风 C+O2→CO2+Q CO2+C→2CO-Q 上、下吹 C+H2O(g) →CO+H2-Q A、吹风阶段 吹风阶段的主要作用是产生热量，提高燃料温度。 B、上吹（加氮）阶段 上吹阶段的主要作用是置换炉底空气，吸收热量、制造半水煤气，同时加入部分氮气。 C、下吹阶段 下吹阶段作用是制取半水煤气，吸收热量，使上吹后上移的气化层下移。 D、二上吹阶段 二上吹的主要作用是将炉底及进风管道中煤气吹净并回收，确保生产安全。 E、吹净阶段 吹净的主要作用是回收造气炉上层空间的煤气及补充适量的氮气，以满足合成氨生产对氮氢比的要求。 2、变换 工艺简介 经过压缩有一定压力的半水煤气先经过油水分离器，除去煤气中的油物。然后进入饱和塔的下部与热水进行交换后升至一定温度，经过气水分离器分离出煤气中的水份。去除水分的煤气进入预热交换器，与中变炉出口的高温煤气进行两次热交换后，进入中变炉，在触媒的催化作用下，煤气中的一氧化碳发生反应，生成二氧化碳，中变炉的炉体内有三层反应区，在正常的工艺状况下，第一层的反应温度控制在450℃左右，第二层反应温度控制在400℃左右，第三层的反应温度控制在380℃左右。反应后出中变炉的变换气进入与入口水煤气进行热交换的两级热交换器后，再进入低变炉使变换气中的一氧化碳进一步变换，经过两次变换的水煤气成为合格的变换气后，经热水塔，冷却塔之后送入下一工段进行后续处理。 3、脱碳 工艺简介

光刻工艺流程及未来发展方向

集成电路制造工艺 光刻工艺流程 作者：张少军 陕西国防工业职业技术学院电子信息学院电子****班 24 号 710300 摘要：摘要：光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去 的工艺，在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去的部分可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分。 关键词：光刻胶；曝光；烘焙；显影；前景 Abstract: photoetching lithography (is) through a series of steps will produce wafer surface film of certain parts of the process, remove after this, wafer surface will stay with the film structure. The part can be eliminated within the aperture shape is thin film or residual island. Keywords: the photoresist, Exposure; Bake; Enhancement; prospects 基本光刻工艺流程— 1 基本光刻工艺流程—从表面准备到曝光 1.1 光刻十步法 表面准备—涂光刻胶—软烘焙—对准和曝光—显影—硬烘焙—显影目测—刻蚀—光刻胶去除—最终目检。 1.2 基本的光刻胶化学物理属性 1.2.1 组成聚合物+溶剂+感光剂+添加剂,普通应用的光刻胶被设计成与紫外线和激光反应，它们称为光学光刻胶（optical resist），还

尿素生产工艺设计

第一章 尿素生产概述 1.1尿素生产的原理 尿素的合成原料是氨和二氧化碳，这两种原料均来自合成氨装置。尿素合成的条件为： 188℃，15.6MPa ，进料氨与二氧化碳的物质的量比是3.6，水与二氧化碳的物质的量比是 0.67[2]。 一般认为在合成塔尿素的反应分以下两部进行 第一步，氨基甲酸铵的生成。反应式为： 324212()()()NH l CO g NH COONH l Q ++? 第二步，氨基甲酸铵脱水。反应式为： 422222()()()()NH COONH l CO NH l H O l Q +-? 1.2尿素生产的方法 由于这两个反应都是可逆反应，因此氨与二氧化碳不可能全部转化为尿素。在工业生 产条件下，二氧化碳转化率仅在50%-70%之间[3]。为了分离和回收未反应的氨和二氧化碳， 可将合成熔融物加热分解，使气体逸出。但要将逸出的氨与二氧化碳全部或部分返回合成 塔重新合成尿素，这就出现了各种不同的流程。有循环法，半循环法和全循环法。 全循环法又可以分为热气全循环法、矿物油全循环法、气体分离全循环法、水溶液全 循环法及汽提全循环法。 气提全循环法又可以分为二氧化碳汽提法、氨汽提法和双汽提法。

第二章 斯那姆氨汽提工艺 2.1工艺基本原理 汽提是使尿液中的甲铵按下述反应分解为3NH 和2CO 的过程： 4232()2()()NH COONH l NH g CO g Q +-? 这是一个可逆体积增大的反应[4]。我们只要能够供给热量，降低压力或降低气相中3NH 和 2CO 某一组分的分压都可使反应向右方进行，以达到分解甲铵的目的。汽提法是在保持压 力与合成塔相同的条件下，在给热量的同时采用降低气相中3NH 和2CO 某一组分的过程。 当温度为T ℃时，纯态甲铵的离解压力与各组分（3NH 和2CO ）的分压的关系按以上化学 方程式可作如下表示：设总压力为P s 则从反应式中可以看到氨分压为2/3P s 二氧化碳分压 为1/3P s 如反应式在温度为t ℃时的平衡常数为K t ，则: 23(2/3)(1/3)4/27t s s s K P P P == 假如氨和二氧化碳之比不是按2：1状态存在，在温度仍为t ℃时，它的总压力为P ，其各 组分的分压为：3NH 的分压 33NH NH P X =??总压氨的分子数=P 2CO 的分压 232CO NH P X =??总压二氧化碳的分子数P 3NH X 和2CO X 分别为气体中氨，二氧化碳的分子分数这样反应式在温度为t ℃时平衡常 数应为： 323 2232()()NH CO NH CO Kt P X P X P X X =???=?? 温度相同，平衡常数应相等，所以当温度为t ℃ 3 23334/27NH CO Ps P X X =?? ?23 s P = 但纯甲胺在某一固定温度下离解力为不变的常数C ，所以

光刻工艺介绍

光刻工艺介绍 一、定义与简介 光刻是所有四个基本工艺中最关键的，也就是被称为大家熟知的photo，lithography，photomasking, masking, 或microlithography。在晶圆的制造过程中，晶体三极管、二极管、电容、电阻和金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成，这些部件是预先做在一块或者数块光罩上，并且结合生成薄膜，通过光刻工艺过程，去除特定部分，最终在晶圆上保留特征图形的部分。 光刻其实就是高科技版本的照相术，只不过是在难以置信的微小尺寸下完成，现在先进的硅12英寸生产线已经做到22nm，我们这条线的目标6英寸砷化镓片上做到0.11um。光刻生产的目标是根据电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，并且在晶圆表面的位置正确且与其它部件的关联正确。

二、光刻工艺流程介绍 光刻与照相类似，其工艺流程也类似： 实际上，普通光刻工艺流程包括下面的流程：

1)Substrate Pretreatment 即预处理，目的是改变晶圆表面的性质， 使其能和光刻胶（PR）粘连牢固。主要方法就是涂HMDS，在密闭腔体内晶圆下面加热到120℃，上面用喷入氮气加压的雾状HMDS，使得HMDS和晶圆表面的-OH健发生反应已除去水汽和亲水健结构，反应充分后在23℃冷板上降温。该方法效果远比传统的热板加热除湿好。 2)Spin coat即旋转涂光刻胶，用旋转涂布法能提高光刻胶薄膜的 均匀性与稳定性。光刻胶中主要物质有树脂、溶剂、感光剂和其它添加剂，感光剂在光照下会迅速反应。一般设备的稳定工作最高转速不超过4000rpm，而最好的工作转速在2000～3000rpm。 3)Soft Bake(Pre-bake)即软烘，目的是除去光刻胶中溶剂。一般是 在90℃的热板中完成。 4)Exposure即曝光，这也是光刻工艺中最为重要的一步，就是用 紫外线把光罩上的图形成像到晶圆表面，从而把光罩上面的图形转移到晶圆表面上的光刻胶中。这一步曝光的能量(Dose)和成像焦点偏移(Focus offset)尤为重要. 5)Post Exposure Bake(PEB)即后烘，这是非常重要的一步。在 I-line光刻机中，这一步的目的是消除光阻层侧壁的驻波效应，

项目介绍及工艺流程

项目介绍及生产工艺流程 1电站简介 本电站规划总量50MWp，一次建成，共设置50个光伏发电单元，每个光伏发电单元产生直流电源通过一组逆变器（2台）及一台箱式变压器逆变升压至一回35kV集电线路，50个光伏发电单元通过5回35kV集电线路汇集到1回35kV母线上，经主变压器（1台）升压至110kV，再以一回110kV线路并网。 （1）项目名称：中电投沧州渤海新区50兆瓦光伏电站项目。 （2）项目性质：该工程属光伏发电新建项目。 （3）建设规模：光伏发电，装机容量50MWp。 2生产工艺系统 2.1光伏发电工艺简介 太阳能通过光伏组件转化为直流电能，再通过并网型逆变器将直流电能转化为与电网同频率、同相位的正弦波交流电，经箱式变压器升压至35kV后经集电线路汇入变电站35kV母线，再经主变升压至110kV后,由1回110kV线路T接至徐郭Ⅲ线（徐庄站-郭庄站）。 光伏发电工艺流程示意图如下：

2.2光伏发电单元 光伏发电单元包括太阳能电池组件至箱式变压器之间的所有电气设备，其中主要由太阳能电池组件、直流汇流箱、（直、交流）电缆、逆变器、升压变压器及相应的配电监控单元等组成。 每1MW为一个光伏发电单元，每个光伏发电单元由4280块245W多晶硅组件构成，容量1048.6kWp，整个光伏电站有50个上述单元组成。 2.2.1光伏组件 该工程选用多晶硅太阳能电池组件。技术参数见下表所示。 表2-1 光伏组件技术性能一览表

2.2.2光伏阵列的设置 本工程光伏阵列采用固定式安装方式，基础采用 250mmx250mm预制钢筋混凝土方桩，固定式支架朝正南方向放置，光伏组件的倾角为33°。 （1）光伏电池组件阵列间距 本工程每个光伏阵列由40块组件构成，每个阵列长20180mm，宽2684mm。阵列东西向间距为220mm，每2个阵列间设置820mm 宽通道，阵列南北向间距5.2m。一个完整的光伏发电单元由107个上述阵列组成。 （2）太阳能光伏电池组件串、并联 每个光伏发电单元由214串组串（每20块组件组成1个光伏组串组成），容量为1048.6kWp；每个光伏发电单元配备14个汇流箱

尿素生产工艺流程简介

一分厂生产流程及说明 1造气工段 工艺流程说明： 采用间歇式固定常压气化法，即在煤气发生炉内，以无烟块煤或焦炭为原料，并保持一定的炭层，在高温下，交替地吹入空气和蒸汽，使煤气化，以制取合格的半水煤气。经除尘、热量回用降温后送入气柜。自上一次开始送风至下一次开始送风为止，称为一个工作循环，每个循环分吹风、上吹、下吹、二次 上吹和吹净五个部分。 来自造气的半水煤气，经半水煤气气柜出口冷洗塔除去部分粉尘，煤焦油等杂质并降低一定温度后由萝茨风机加压送到冷却清洗塔下段降温、除尘后进入脱硫塔，脱除部分H 2S,然后进入冷却清洗塔上段降温后，经静电除焦除去焦油等杂质 一分厂生产流程 生产流程说明 原料煤利用蒸汽和空气为气化剂，在煤气发生炉内产生半水煤气，经一次脱硫、变换、二次脱硫、脱碳、精脱硫、甲醇、烃化等工艺将气体净化，除去各种杂质后，将纯净的氮氢混合气压 缩到高压，并在高温、有催化剂存在的情况下合成为氨。脱碳解吸岀来的二氧化碳经净化和压缩 后，与氨一起送入尿素合成塔，在适当的温度和压力下，合成尿素, 经蒸发、造粒后包装销售。 粗甲醇经精馏得到精甲醇销售。 各工段流程 2、一脱工段

后送往压缩一入。目前使用的脱硫方法为栲胶脱硫法。

3、变换工段 流程说明： 半水煤气经除油器除去气体挟带的油等杂质后，一氧化碳与水蒸汽借助于催化剂的作用，在一定的温度下变换成二氧化碳和氢气。通过变换既除去了一氧化碳，又得到了制合成氨的原料气氢和制尿素所需的原料气二氧化碳，使热量得到有效回收。本工段采用全低变工艺进行变换。 4.二次脱硫 流程说明： 变换气经过气液分离器后进入脱硫塔脱除变换气中的H 2S 后送往压缩三入。并经溶液再生，提取单质硫。米用栲胶脱硫法脱硫。 利用二氧化碳气体在碳丙液中溶解度大的特点，除去变换气中的二氧化碳，净化气经精脱硫脱除微量硫后送往压缩四段。二氧化碳气体经净化、压缩，送至尿素合成塔。碳丙液对CO的吸收在低压下符合亨利定律，因此采用加压吸收，减压再生

尿素生产原理、工艺流程及工艺指标

尿素生产原理、工艺流程及工艺指标 1.生产原理 尿素是通过液氨和气体二氧化碳的合成来完成的,在合成塔D201中，氨和二氧化碳反应生成氨基甲酸铵，氨基甲酸铵脱水生成尿素和水,这个过程分两步进行。 第一步：2NＨ３+CO2NH2COOＮH4＋Q 第二步:NH４ＣOOＮH2 CO（NH2)２＋H2O-Q 第一步是放热的快速反应，第二步是微吸热反应，反应速度较慢,它是合成尿素过程中的控制反应。 １、2工艺流程： 尿素装置工艺主要包括:CＯ2压缩和脱氢、液氨升压、合成和气提、循环、蒸发、解吸和水解以及大颗粒造粒等工序。 1、2、1 二氧化碳压缩和脱氢 从合成氨装置来的CO2气体，经过CO2液滴分离器与来自空压站的工艺空气混合（空气量为二氧化碳体积4％),进入二氧化碳压缩机。二氧化碳出压缩机三段进脱硫、脱氢反应器,脱氢反应器内装铂系催化剂,操作温度：入口≥15０℃，出口≤200℃。脱氢的目的是防止高压洗涤器可燃气体积聚发生爆炸。在脱氢反应器中H2被氧化为H２O,脱氢后二氧化碳含氢及其它可燃气体小于50ppm，经脱硫、脱氢后,进入压缩机四段、五段压缩，最终压缩到14.7ＭPａ（绝）进入汽提塔。 二氧化碳压缩机设有中间冷凝器和分离器，二氧化碳压缩机压缩气体设有三个回路，以适应尿素生产负荷的变化,多余的二氧化碳由放空管放空。 1、2、２液氨升压 液氨来自合成氨装置氨库,压力为2．3MPa(绝),温度为20℃,进入液氨过滤器,经过滤后进入高压氨泵的入口,液氨流量在一定的范围内可以自调,并设有副线以备开停车及倒泵用.主管上装有流量计．液氨经高压氨泵加压到１8.34MPa(绝)，高压液氨泵是电动往复式柱塞泵，并带变频调速器，可在20—1１0％的范围内变化,在总控室有流量记录，从这个记录来判断进入系统的氨量，以维持正常生产时的原料Ｎ/C（摩尔比)为2.0５:1。高压液氨送到高压喷射器,作为喷射物料,将高压洗涤器来的甲铵带入高压冷凝器,高压液氨泵前后管线均设有安全阀,以保证装置设备安全。 1、2、3 合成和汽提 生产原理:合成塔、气提塔、高压甲铵冷凝器和高压洗涤器四个设备组成高压圈,这是本工艺的核心部分,这四个设备的操作条件是统一考虑的,以期达到尿素的最大产率和最大限度的热量回收。 从高压冷凝器底部导出的液体甲铵和少量的未冷凝的氨和二氧化碳,分别用两条管线送入合成塔底,液相加气相物料N／Ｃ(摩尔比)为２．９—3.2,温度为１65--172℃。 合成塔内设有11块塔板,形成类似几个串联的反应器，塔板的作用是防止物料在塔内返混。物料从塔底至塔顶,设计停留时间１小时,二氧化碳转化率可达５８%,相当于平衡转化率90%以上。 尿素合成反应液从塔内上升到正常液位,温度上升到18０--185℃,经过溢流管从塔下出口排出，经过合成塔出液阀(HPV２2０1）汽提塔上部，再经塔内液体分配器均匀地分配到每根气提管中,沿管壁成液膜下降,分配器液位高低,起着自动调节各管内流量的作用,尿液在气提管均匀分配并在内壁形成液膜下降，内壁液膜是非常重要的,否则气提管将遭到腐蚀,由塔下部导入的二氧化碳气体,在管内与合成反应液逆流相遇，气提管外以蒸汽加热，合成反应液中过剩氨及未转化的甲铵将被气提气蒸出和分解，从塔顶排出,尿液及少量未分解的甲铵从塔底排出，气提塔出液温度控制在1６5--１74℃之间。塔底液位控制在４0--８0%左右，以

光刻工艺问答

光刻工艺问答

PHOTO 流程? 答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測 何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？ 答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。 何为正光阻? 答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。 何为负光阻? 答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。 什幺是曝光？什幺是显影？ 答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。 何谓 Photo? 答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。Photo主要流程为何? 答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake 等。 何谓PHOTO区之前处理? 答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。 何谓上光阻? 答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。

机械加工工艺流程描述

机械加工工艺流程描述

机械加工工艺流程详解 1.机械加工工艺流程 机械加工工艺规程是规定零件机械加工工艺过程和操作方法等的工艺文件之一，它是在具体的生产条件下，把较为合理的工艺过程和操作方法，按照规定的形式书写成工艺文件，经审批后用来指导生产。机械加工工艺规程一般包括以下内容：工件加工的工艺路线、各工序的具体内容及所用的设备和工艺装备、工件的检验项目及检验方法、切削用量、时间定额等。 1.1 机械加工艺规程的作用 (1)是指导生产的重要技术文件 工艺规程是依据工艺学原理和工艺试验，经过生产验证而确定的，是科学技术和生产经验的结晶。所以，它是获得合格产品的技术保证，是指导企业生产活动的重要文件。正因为这样，在生产中必须遵守工艺规程，否则常常会引起产品质量的严重下降，生产率显著降低，甚至造成废品。但是，工艺规程也不是固定不变的，工艺人员应总结工人的革新创造，可以根据生产实际情况，及时地汲取国内外的先进工艺技术，对现行

工艺不断地进行改进和完善，但必须要有严格的审批手续。 (2)是生产组织和生产准备工作的依据 生产计划的制订，产品投产前原材料和毛坯的供应、工艺装备的设计、制造与采购、机床负荷的调整、作业计划的编排、劳动力的组织、工时定额的制订以及成本的核算等，都是以工艺规程作为基本依据的。 (3)是新建和扩建工厂（车间）的技术依据 在新建和扩建工厂（车间）时，生产所需要的机床和其它设备的种类、数量和规格，车间的面积、机床的布置、生产工人的工种、技术等级及数量、辅助部门的安排等都是以工艺规程为基础，根据生产类型来确定。除此以外，先进的工艺规程也起着推广和交流先进经验的作用，典型工艺规程可指导同类产品的生产。 1.2 机械加工工艺规程制订的原则 工艺规程制订的原则是优质、高产和低成本，即在保证产品质量的前提下，争取最好的经济效益。在具体制定时，还应注意下列问题： 1)技术上的先进性在制订工艺规程时，要了解国内外本行业工艺技术的发展，通过必要的工艺

化肥厂生产过程及工艺流程

化肥厂生产过程及工艺流程 煤制合成氨、尿素 C+ 0.5 O2 →CO C+ O2 →CO2 CO + H2O→CO2+ H2 H2+N2→NH3 CO2 + 2NH3 →CO (NH2)2 1 过程工艺描述 （1）水煤浆气化制合成气装置 由水煤浆制备工序来的水煤浆送入煤浆槽储存待用。浓度约为63％的水煤浆通过煤浆给料泵加压输送到气化炉顶部工艺烧嘴，并与空分装置来的纯氧分别进入气化炉在6.5MPa(G)，约1400℃工艺条件下，水煤浆与纯氧进行部分氧化反应，生成粗合成气。 反应后的粗合成气和溶渣进入气化炉下部的激冷室。在激冷室中，粗合成气经冷却、洗涤，将粗合成气中的大部分碳黑洗去，并和粗渣分开。出激冷室的粗合成气直接进入文丘里洗涤器和碳洗塔进一步洗涤，除去粗合成气中残留的碳黑，然后将水蒸汽／干气比约1.3～1.5的合成气送至变换工序。 溶渣被激冷室底部通过破渣机进入锁斗，定期排入渣池，渣池设有捞渣机将粗渣捞出，装车运往园区免烧砖项目。 渣池中含细渣的灰水通过渣池泵送至真空闪蒸器。 碳洗塔的液位通过控制进入塔内的灰水量来维持，碳洗塔内的黑水分两股排出，一股黑水去高压闪蒸器；另一股由灰水循环泵送至气化炉也进入高压闪蒸器，黑水经减压，闪蒸出黑水中溶解的气体并通过变换冷凝液加热器回收闪蒸汽的热量，通过高压闪蒸分离器，闪蒸出的气体至变换或火炬，水送入脱氧水槽。 （2）净化装置 a. 变换 变换工序主要反应式为： COS+H2O——CO2+H2S+Q CO+H2O——CO2+H2+Q

由气化送来粗煤气经煤气水分离器分离掉少量的冷凝液及灰尘后，经中温换热器温度升高至250℃，进第一中温变换炉。第一中温变换炉分上、下两段，炉内装有两段三层耐硫变换触媒，层间配有煤气激冷管线调温，出第一中温变换炉变换气CO含量为24％(干)，温度为420℃左右。变换气经中温换热器降温后进淬冷器，用本工段产生的高温冷凝液淬冷至240℃，然后进入第二中温变换炉，炉内装有两段耐硫变换触媒，出口变换气CO浓度为4.0％(干)，温度为358℃左右，进入中变废热锅炉，产生1.0MPa(G)的低压蒸汽，使变换气温度降温进入低温变换炉，低温变换炉装两段耐硫变换触媒，出口变换气CO浓度为1.0％(干)，温度升至为222℃左右，进入低变废热锅炉，产生0.4MPa(G)的低压蒸汽，变换气温度降至163℃；经第一水分离器分离出冷凝液后的变换气进入锅炉给水加热器，温度降至140℃，然后进入脱盐水加热器温度降至70℃、进变换气水冷器温度降至为40℃，进水洗塔，在塔底进行气液分离后，气体经塔顶40℃洗涤水洗涤除去NH 3 后送至甲醇洗工段。 第一水分离器的冷凝液经冷凝液泵Ⅰ，升压后送至淬冷器作为淬冷用冷凝液，多余部分送至气化工段。水洗塔塔底出来的冷凝液与煤气水分离器出来的冷凝液一起进入冷凝液气提塔上部，气化来的高闪气进冷凝液气提塔中部。用低压蒸汽气提除氨后的变换冷凝液经冷凝液泵Ⅱ，送气化工段，塔顶气经塔顶冷凝器降温、冷凝、分离后，不凝气送至硫回收处理。 脱盐水站来的脱盐水进入脱盐水加热器与变换气换热温度升至95℃，一部分送锅炉房，另一部分进入除氧器脱氧。除氧器用本工段产生的低压蒸汽吹入脱氧，脱氧后的锅炉给水一部分经中压锅炉给水泵升压至 2.1 MPa(A)分别送至中压废热锅炉、脱硫工段和气化工段；另一部分经低压锅炉给水泵升压到0.8MPa(A)，送至低压废热锅炉；第三部分经气化补水泵升压至 5.5MPa(G)后分为三股，第一股经洗涤水冷却器冷至40℃后作为水洗塔用洗涤水，第二股作为气化补水送至气化，第三股送至氨合成工段。 b. 低温甲醇洗 本工段采用低温甲醇洗工艺，主要脱除合成气中CO 2、H 2 S和H 2 O。 为了防止低温时气体所带的水份冻结、堵塞缠绕式换热器的管道，在变换气冷却前注入少量甲醇，气体被冷却至约-7℃后先送入吸收塔，用来自CO 2 吸收塔 的富甲醇液洗涤，除去变换气中的大部分H 2S、COS和CO 2 。 洗涤后的变换气进入CO 2 吸收塔下部，用来自热再生塔的贫甲醇液洗涤，进