电子元器件发展史
电子元器件发展史
电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术，二十世纪发展最迅速，应用最广泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志。第一代电子产品以电子管为核心。四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管，它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点，很快地被各国应用起来，在很大范围内取代了电子管。五十年代末期，世界上出现了第一块集成电路，它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上，使电子产品向更小型化发展。集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超
大规模集成电路，从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。由于，电子计算机发展经历的四个阶段恰好能够充分说明电子技术
发展的四个阶段的特性，所以下面就从电子计算机发展的四个时代来说明电子技术发展的四个阶段的特点。
在20世纪出现并得到飞速发展的电子元器件工业使整个世界和人们的工
作、生活习惯发生了翻天覆地的变化。电子元器件的发展历史实际上就是电子工业的发展历史。190年6 ，李·德福雷斯特发明了真空三极管，用来放大电话的声
音电流。此后，人们强烈地期待着能够诞生一种固体器件，用来作为质量轻、价廉和寿命长的放大器和电子开关。194年7 ，点接触型锗晶体管的诞生，在电子
器件的发展史上翻开了新的一页。但是，这种点接触型晶体管在构造上存在着接
触点不稳定的致命弱点。在点接触型晶体管开发成功的同时，结型晶体管论就已
经提出，但是直至人们能够制备超高纯度的单晶以及能够任意控制晶体的导电类型以后，结型晶体管材真正得以出现。195年0 ，具有使用价值的最早的锗合金
型晶体管诞生。195年4 ，结型硅晶体管诞生。此后，人们提出了场效应晶体管
的构想。随着无缺陷结晶和缺陷控制等材料技术、晶体外诞生长技术和扩散掺杂技术、耐压氧化膜的制备技术、腐蚀和光刻技术的出现和发展，各种性能优良的电子器件相继出现，电子元器件逐步从真空管时代进入晶体管时代和大规模、超大规模集成电路时代。主播形成作为高技术产业代表的半导体工业。
由于社会发展的需要，电子装置变的越来越复杂，这就要求了电子装
置必须具有可靠性、速度快、消耗功率小以及质量轻、小型化、成本低等特点。自20
世纪50年代提出集成电路的设想后，由于材料技术、器件技术和电路设计
合技术的进步，在20世纪60年代研制成功了第一代集成电路。在半导体发展
上。集成电路的出现具有划时代的意义：它的诞生和发展推动了铜芯技术和计算机的进步，使科学研究的各个领域以及工业社会的结构发生了历史性变革。凭借卓越的科学技术所发明的集成电路使研究者有了更先进的工具，进而产生了许多更为先进的技术。这些先进的技术有进一步促使更高性能、更廉价的集成电路的
出现。对电子器件来说，体积越小，集成度越高；响应时间越短，计算处理的速
度就越快；传送频率就越高，传送的信息量就越大。半导体工业和半导体技术被称为现代工业的基础，同时也已经发展称为一个相对独立的高科技产业。
第一节、电阻器
1.1电阻器的含义:在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电阻.
1.2电阻器的英文缩写：R（Resis）tor 及排阻RN
1.3电阻器在电路符号：R 或WWW
1.4电阻器的常见单位:千欧姆（KΩ） , 兆欧姆（MΩ）
1.5电阻器的单位换算: 1兆欧=10千3 欧=10欧6
1.6电阻器的特性：电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过
这段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律：I=U/。R
表
1.7电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配
等。
1.8电阻器在电路中用“R”加数字表示，如：R15表示编号为15的电阻器。
1.9电阻器的在电路中的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。
a、直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上,其允许偏差则用百分数表示,未标偏差值的即为± 20%.
b、数码标示法主要用于贴片等小体积的电路，在三为数码中,从左至右第一,二位数表示有效数字,第三位表示10的倍幂或者用R表示（R表示0.如）：472表示47 ×10Ω2（即4.7KΩ）； 104则表示100ΩK 、;R2表2 示0.2Ω2 、
122=12Ω00=1.2ΩK 、1402=14Ω00=014ΩK 、http://www.fulinme、
nst.cRo2m2/=0Ω.22、50C=324*100=Ω32、.41K7R8=1Ω7.、8 000=Ω0 、0=Ω0 .
c、色环标注法使用最多，普通的色环电阻器用4环表示,精密电阻器用5环表示, 紧靠电阻体一端头的色环为第一环,露着电阻体本色较多的另一端头为末环.现举例如下：
如果色环电阻器用四环表示,前面两位数字是有效数字,第三位是10的倍幂, 第四
环是色环电阻器的误差范围（见图一）
四色环电阻器（普通电阻）
标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字
标称值有效数字后0的个数（10 的倍幂）
允许误差
+50%
金
10
-1 ±5% 银
10
-2 ±10% 无色
±20%
效数字 ,第四位是 10的 倍幂 . 第 五环是色环电阻器的误差范围 .（见图二 ） 五色环电阻器（精密电阻）
标称值第一位有效数字
标称值第二位有效数字
标称值第三位有效数字 标称值有效数字后 0 的
个数 （10
d 、SMT 精 密电阻的表示法，通常也是用 3位 标示。一般是 2位 数字和 1位 字母 表示，两个数字是有效数字，字母表示 10的 倍幂 ,但是要根据实际情况到精密电 阻查询代码 阻值 代码 阻值 代码
阻值 代码 阻值 代码 阻值
code r esiscanec od e resis ancce o resi s
canc o de de resisca ncceo de resiscanc e
1 100
2 1 16 2 41 261 61 422 81 68 1
2
102 2 2 16 5 42 267 62 432 82 69 8
的倍幂）
颜色 第一位有效值
第二位有效 值
第三位 有效值 倍率
允许偏差
黑 0
0 0 1 00
棕 1 1 1 1
1 ± 1%
红 2
2 2 1
02
± 2%橙
3 3
3 03 黄
4 4 4 104
绿 5
5
5 1
05
±
0.5% 蓝 6 6 6 1 06 ± 0.25 紫 7
7 7 1
07
± 0.1%灰
8 8
8 0
8
白 9
9
9 1
09
-2 0%～+50%
金
10
-1
±5%银
10-2 ±10%
允许误
图 1-2 三位有效数字阻值的色环表
3
105 23 169 43 274 63 442 83 71 5
4 107 2 4 1 4 44 280 64 453 84 73 2
5 110 2 5 1 8 45 287 65 464 85 75 0
6 113 2 6 1246 294 66 475 86 76 8
7 115 2 7 1 7 47 301 67 487 87 78 7
8 118 2 8 1 1 48 309 68 499 88 80 6
9 121 2 9 0196 49 316 69 511 89 82 5
10 124 3 020 50 324 70 523 90 84 5
11 127 3 1305 51 332 71 536 91 86
6
12 130 3 220 52 340 72 549 92 88 7
13 133 3 325 53 348 73 562 93 90 9
14 137 3 421 54 357 74 576 94 93 1
15 140 3 526 55 365 75 590 94 98 1
16 143 3 622 56 374 76 604 95 95 3
17 147 3 727 57 383/ 3887 7 19 96 976
18 150 38 23 58 392 78 634 96 97 6
19 154 39 29 59 402 79 649 153 40 255
60 41 2 80 665
symbol A B C D E F G H X Y Z
multiplier0 102 03 4 106 107 -1 -2
1.10 SMT电阻的尺寸表示：用长和宽表示（如020，1 060，3 080，5 120等6 ，
R=R1+R2 R=1/R1+1/R2
1.12多个电阻的串并联的计算方法：
串联：R总串=R1+R2+?R3?+Rn并. 联：1/R 总并=1/R+2/R?+3?/R1/Rn
1.13电阻器好坏的检测:
a、用指针万用表判定电阻的好坏:首先选择测量档位,再将倍率档旋钮置于适当的档位,一般100欧姆以下电阻器可选RX1档,100欧姆-1K欧姆的电阻器可选RX10档,1K欧姆-10K欧姆电阻器可选RX10档0 ,10K-10欧0K姆的电阻器可选RX1K 档,100欧K 姆以上的电阻器可选RX10档K .
b、测量档位选择确定后,对万用表电阻档为进行校0, 校0的方法是:将万用表两表笔金属棒短接,观察指针有无到0 的位置,如果不在0位置,调整调零旋钮表针指向电阻刻度的0 位置.
c、接着将万用表的两表笔分别和电阻器的两端相接,表针应指在相应的阻值刻度上,如果表针不动和指示不稳定或指示值与电阻器上的标示值相差很大,则说明
具体如02表示长为0.02英寸宽为
该电阻器已损坏.
d、用数字万用表判定电阻的好坏;首先将万用表的档位旋钮调到欧姆档的适当档位,一般200欧姆以下电阻器可选200档,200-2欧K 姆电阻器可选2K档,2K-20K
欧姆可选20K档,20K-20欧0K姆的电阻器可选200K档,200K-20欧0M姆的电阻器选择2M欧姆档.2M-20欧M姆的电阻器选择20M档,20M欧姆以上的电阻器选择200M档.
第二节电容器
2.1电容器的含义:衡量导体储存电荷能力的物理量.
2.2电容器的英文缩写:C （capacitor）
2.3电容器在电路中的表示符号: C 或CN排（容）
2.4电容器常见的单位: 毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）
2.5电容器的单位换算: 1法拉=10毫3 法=10微6 法=10纳9 法=101皮2 法; ;1pf=10-3nf=10-6uf=10-9mf=10-12f;
2.6电容的作用:隔直流,旁路,耦合,滤波,补偿,充放电,储能等
2.7电容器的特性: 电容器容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。。电容的特性主要是隔直流通交流,通低频阻高频
2.8电容器在电路中一般用“C”加数字表示.如C25表示编号为25的电容. 2.9电容器的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3 种。
a; 直标法是将电容的标称值用数字和单位在电容的本体上表示出来：如：220MF 表示220U；F.01U表F 示0.01U；FR56U表F 示0.56UF;6表n示8 6800PF.
b; 不标单位的数码表示法.其中用一位到四位数表示有效数字,一般为PF而, 电解电容其容量则为UF如. :3表示3PF;22表00示2200PF;0表.05示6 0.056UF;
c; 数字表示法:一般用三为数字表示容量的大小,前两位表示有效数字,第三位表
示10的倍幂.如102表示10*102=1000P表F示;22242 *104=0.2UF
d: 用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。
电容器偏差标志符号：+100%-0、--+H100%-10、%-+-R50%-10%、--T
+30%-10%、--+Q50%-20%、-+-S80%-20%。--Z
2.10电容的分类:根据极性可分为有极性电容和无极性电容.我们常见到的电解电容就是有极性的,是有正负极之分.
2.11电容器的主要性能指标是: 电容器的容量（即储存电荷的容量）,耐压值（指在额定温度范围内电容能长时间可靠工作的最大直流电压或最大交流电压的有效值）耐温值（表示电容所能承受的最高工作温度。）.
2.12电容器的品牌有: 主板电容主要分为台系和日系两种,日系品牌有：NICHICO，NRUBICO，NRUBYC（ON红宝石）、KZG、SANY（O三洋）、PANASON（IC松下）、NIPPO、NFUJITS（U富士通）等；台系品牌有：TAICO、N G-LUXC、ONTEAP、OCAPXO、NOS、T GSC、RLS等。
电容器的计算：
C1c2
1/C=1/C1+1/C2 2.13 多个电容的串联和并联计算公式 :
C 串 :1/C=1/C1+1/C2+1/C3+.并 +1/CN C C=C1+C2+?C ?3++CN
2.14电 容器的好坏测量 a; 脱离线路时检测
采用万用表Ｒ ×１ｋ挡，在检测前， 先将电解电容的两根引脚相
碰， 便放掉电容内残余的电荷 .当表笔刚接通时，表针向右偏转一个角度，然后表针
缓慢地向左回转， 最后表针停下。表针停下来所指示的阻值为该电容的漏电电阻， 此阻值愈大愈好，最好应接近无穷大处。 如果漏电电阻只有几十千欧， 说明这一 电解电容漏电严重。表针向右摆动的角度越大（表针还应该向左回摆） ，说明这 一电解电容的电容量也越大，反之说明容量越小。
b.线路上直接检测 主要是检测电容器是否已开路或已击穿这两种明显故障， 而对漏电故障由于受外 电路的影响一般是测不准的。用万用表Ｒ ×１挡，电路断开后，先放掉残存在电 容器内的电荷。 测量时若表针向右偏转， 说明电解电容内部断路。 如果表针向右 偏转后所指示的阻值很小（接近短
路） ，说明电容器严重漏电或已击穿。如果表 针向右偏后无回转， 但所指示的阻值不很小，说明电容器开路的可能很大，应脱 开电路后进一步检测。 c ．线路上通电状态时检测 ,若怀疑电解电容只在通电状态下才存在击穿故障，可 以给电路通电，然后用万用表直流挡测量该电容器两端的直流电压， 如果电压很 低或为０Ｖ，则是该电容器已击穿。 对于电解电容的正、负极标志不清楚的， 必须先判别出它的正、负极。对换万用表笔测两次，以漏电大（电阻值小）的一 次为准，黑表笔所接一脚为负极，另一脚为正极。 第三节 电感器
3.1电 感器的英文缩写： L （Inductance ） 电路符号：
3.2 电感器的国际标准单位是 : H 亨（ 利）,mH 毫（亨）,uH （微亨） ,nH （纳亨）； 3.3 电感器的单位换算是 : 1H=103＝m 1H06u ＝ H109n ； H1n H ＝10-3u H=10-6m H=10 -9H
3.4 电感器的特性：通直流隔交流；通低频阻高频。 3.5 电感器的作用：滤波，陷波，振荡，储存磁能等。 3.6 电感器的分类 :空芯电感和磁芯电感 .磁芯电感又可称为铁芯电感和铜芯 电感等 .主机板中常见的是铜芯绕线电感 .
3.7 电感在电路中常用 “L ”加数字表示，如： L6表 示编号为 6 的电感。电感 线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈， 直 流 电阻就是导线本身的电阻， 压降很小； 当交流信号通过线圈时， 线圈两端将会产 生自感电动势， 自感电动势的方向与外加电压的方
串连： c
1
c2
并联： C=C1+C2
向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金表示1uH（误差5%）的电感。
3.8电感的好坏测量:电感的质量检测包括外观和阻值测量.首先检测电感的外表有无完好,磁性有无缺损,裂缝,金属部分有无腐蚀氧化,标志有无完整清晰,接线有无断裂和拆伤等.用万用表对电感作初步检测,测线圈的直流电阻,并与原已知的正常电阻值进行比较.如果检测值比正常值显著增大,或指针不动,可能是电感器本体断路.若比正常值小许多,可判断电感器本体严重短路,线圈的局部短路需用专用仪器进行检测.
第四节半导体二极管
4.1英文缩写：D （Diode）电路符号是
4.2半导体二极管的分类
分类：a 按材质分：硅二极管和锗二极管；
b 按用途分：整流二极管，检波二极管，稳压二极管，发光二极管，光电二极管，变容二极管。
稳压二极管发光二极管光电二极管变容二极管
4.3半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的半导体二极管。
4.4半导体二极管的导通电压是: a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8之V间.
B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3之V间.
4.5半导体二极管主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
4.6半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。
4.7半导体二极管的识别方法：a;目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极.
b;用万用表（指针表）判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档（R ﹡100或R﹡1K）然, 后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小（一般几十欧姆至几千欧姆之间）,这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大（一般为几百至几千欧姆）,这时黑表笔接的是二极管的负极,红表笔接的是二极管的正极.
c;测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
4.8变容二极管是根据普通二极管内部“PN结”的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上，并
发射出去。在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。
变容二极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差：（1）发生漏电现象时，高频调制电路将不工作或调制性能变差。（2）变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二极管。
4.9稳压二极管的基本知识a、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。
b、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3 种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2 种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。
c、常用稳压二极管的型号及稳压值如下表：
型号1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744
1N4750 1N4751 1N4761
稳压值3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V
4.10半导体二极管的伏安特性：二极管的基本特性是单向导电性（注：硅管的导通电压为0.6－0.8V；锗管的导通电压为0.2－0.3V），而工程分析时通常采
用的是0.7V.
4.11 半导体二极管的伏安特性曲线：（通过二极管的电流Ｉ与其两端电压Ｕ的
关系曲线为二极管的伏安特性曲线。）见图
三.
图三硅和锗管的伏安特性曲线
4.12 半导体二极管的好坏判别:用万用表（指针表）R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小,越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零, 表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。
第五节 半导体三极管
5.1 半导体三极管英文缩写： Q/T
5.2 半导体三极管在电路中常用 “Q ”加数字表示，如： Q17表 示编号为 17的 三 极管。
5.3半 导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有 2 个 PN 结 ， 并 且具有放大能力的特殊器件。它分 NPN 型 和 PNP 型 两种类型，这两种类型的 三 极管从工作特性上可互相弥补， 所谓 OTL 电 路中的对管就是由 PNP 型 和 NPN
型配对使用 PNP 型 三
极管
5.4 半导体三极管放大的条件 :要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压， 即管子发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压 ,这也是三极管的放大 必须具备的外部条件。
5.5半 导体三极管的主要参数
a; 电流放大系数：对于三极管的电流分配规律 Ie=Ib+由Ic,于基极电流 Ib 的 变 化 ，使集电极电流 Ic 发 生更大的变化，即基极电流 Ib 的 微小变化控制了集电极 电流较大，这就是三极管的电流放大原理。即
β=ΔIcΔ/ Ib 。 b;极间反向电流，集电极与基极的反向饱和电流。 c;极限参数：反向击穿电压，集电极最大允许电流、集电极最大允许功率损耗。 5.6半 导体三极管具有三种工作状态，放大、饱和、截止，在模拟电路中一般使 用放大作用。饱和和截止状态一般合用在数字电路中。 a 半; 导体三极管的三种基本的放大电路。
按材料来分 可分硅和锗管，我国目前生产的硅管多为 NPN 型 ，锗管多为 PNP 型。
`E 发
（ 射
极 ） C
B （基
NPN 型 三
直
流
通
道
静
态
I
工
作
I 点
交
流
通
道
=U E
CC
R
=
&
CE
R
b
I βB
b)R R+
b e bI
B
=U
U U
B
CC
(1+ I
C
+R
e
)
e
CCeC
U
CE
=&
CC
R
c
R+
R
b1
b2
U-
=I E=U B-0.7
B
R
e
=U -I
CC C
微
变
等
效
电
路
&A
u
β
R￠
r
be
(1+b)R￠
L
r +(1+b)R￠
be L
β
R￠
L
r
be
r
i
Rb//rb
e
R b//(r be+(1+b
)R L￠)
R
//
e
r
be
1+
βr
o
+R￠
r￠= be
S R R
//R
RC
Re
//
b
RC
b;三极管三种放大电路的区别及判断可以从放大电路中通过交流信号的传输路
径来判断，没有交流信号通过的极，就叫此极为公共极。 注：交流信号从基 极输入，集电极输出，那发射极就叫公共极。
交流信号从基极输入，发射极输出，那集电极就叫公共极。 交流信号从发射极输入，集电极输出，那基极就叫公共极。 5.7用 万用表判断半导体三极管的极性和类型 （用指针式万用表 ）. a 先; 选量程： R ﹡100或 R ﹡1K 档 位 .
b;判别半导体三极管基极： 用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极，红表笔分别接半导体三极管另外两各 电极，观察指针偏转， 若两次的测量阻值都大或是都小，则改脚所接就是基极 （两 次阻值都小的为 NPN 型 管，两次阻值都大的为 PNP 型 管），若两次测量阻值 大一小，则用黑笔重新固定半导体三极管一个引脚极继续测量，直到找到基极。 c;判. 别半导体三极管的 c 极和 e 极 ： 确定基极后， 对于 NPN 管 ，用万用表两表笔接三极管另外两极，交替测量两次，
1+
用 多 级放大电路的中
间 途级
输入、输出级或缓冲级 高频电路或恒流源电
路
若两次测量的结果不相等，则其中测得阻值较小得一次黑笔接的是e极，红笔接
得是c 极（若是PNP型管则黑红表笔所接得电极相反）。
d; 判别半导体三极管的类型.
如果已知某个半导体三极管的基极,可以用红表笔接基极,黑表笔分别测量其另外两个电极引脚,如果测得的电阻值很大,则该三极管是NPN型半导体三极管,如果测量的电阻值都很小,则该三极管是PNP型半导体三极管.
5.8 现在常见的三极管大部分是塑封的，如何准确判断三极管的三只引脚哪个是b、c、e？三极管的b极很容易测出来，但怎么断定哪个是c 哪个是e？a; 这里推荐三种方法：第一种方法：对于有测三极管hFE插孔的指针表，先测出b 极后，将三极管随意插到插孔中去（当然b极是可以插准确的），测一下hFE 值，b;然后再将管子倒过来再测一遍，测得hFE值比较大的一次，各管脚插入的位置是正确的。第二种方法：对无hFE测量插孔的表，或管子太大不方便插入插孔的,可以用这种方法：对NPN管，先测出b极（管子是NPN还是PNP以及其b 脚都很容易测出，是吧？），将表置于R×1kΩ 档，将红表笔接假设的e极（注意拿红表笔的手不要碰到表笔尖或管脚），黑表笔接假设的c 极，同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，将管子拿起来，用你的舌尖舔一下b 极，看表头指针应有一定的偏转，如果你各表笔接得正确，指针偏转会大些，如果接得不对，指针偏转会小些，差别是很明显的。由此就可判定管子的c、e 极。对PNP管，要将黑表笔接假设的e极（手不要碰到笔尖或管
脚），红表笔接假设的c 极，同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，然后用舌尖舔一下b极，如果各表笔接得正确，表头指针会偏转得比较大。当然测量时表笔要交换一下测两次，比较读数后才能最后判定。这个方法适用于所有外形的三极管，方便实用。根据表针的偏转幅度，还可以估计出管子的放大能力，当然这是凭经验的。
c;第三种方法：先判定管子的NPN或PNP类型及其b 极后，将表置于
R×10k Ω 档，对NPN管，黑表笔接e极，红表笔接c 极时，表针可能会有一定偏转，对PNP管，黑表笔接c 极，红表笔接e极时，表针可能会有一定的偏转，反过来都不会有偏转。由此也可以判定三极管的c、e 极。不过对于高耐压的管子，这个方法就不适用了。
对于常见的进口型号的大功率塑封管，其c极基本都是在中间（我还没见过b在中间的）。中、小功率管有的b极可能在中间。比如常用的901三4 极管及其系列的其它型号三极管、2SC18、152N54、012N555等1三极管，其b极有的在就中间。当然它们也有c极在中间的。所以在维修更换三极管时，尤其是这些小功率三极管，不可拿来就按原样直接安上，一定要先测一下。
电子工程师的述职报告
电子工程师的述职报告 电子工程师岗位辞职报告范文 原创优秀范文值得下载 尊敬的领导： 您好！ 首先，感谢您在百忙之中抽出时间阅读我的辞职信。俗话说：天 下无不散之筵席。由于个人职业规划和一些现实因素（简单阐述离职电子工程师岗位的原因，比如父母年迈、夫妻分居），经过深思熟虑，我决定辞去所担任的电子工程师岗位的工作。 我很遗憾自己在这个时候向您正式提出辞职，给×××（改成自 己电子工程师岗位所在的单位名称）管理所带来不便，深表歉意！此时我选择离开电子工程师岗位，离开朝夕相处同事和无微不至的领导，并不是一时的心血来潮，而是我经过长时间考虑之后才做出的艰难决定。相信在我目前的电子工程师岗位上，×××（改成自己电子工程师岗位所在的单位名称）有很多同事可以做得更好，也相信您在看完我的辞职报告之后一定会批准我的申请。转眼之间，在×××（改 成自己电子工程师岗位所在的单位名称）工作已经×年，回首电子工
程师岗位工作和生活的点点滴滴，感慨颇多，有过期待，也有过迷茫，有过欢笑，也有过悲伤。 ×××（改成自己电子工程师岗位所在的单位名称）电子工程师岗位工作是我职业生涯中珍贵而十分有意义的开端。在领导、同事的关怀指导和帮助下，使我成为一名具有一定实际工作能力和处理日常事务能力的合格的电子工程师岗位工作者。我十分感激帮助和见证我篇二：电子工程师年终 电子工程师年终工作总结 xx年的脚步刚刚离去，来到mcuzone已经半年多了，回首过去的这段工作经历我感触颇深。我的角色真正意义上从一名大学毕业生转变成一名电子工程师，刚开始进入工作岗位，有对未来的憧憬也有对前途的担忧。电子工程师是个技术岗位，没有太多的交际，唯有用技术说明一切。初出茅庐对于这些应接不暇的高新技术充满无限好奇，但是落实到自己身上却显得捉襟见肘。在学校学的是电子信息工程，虽说专业对口，但是到了实际应用就有种“书到用时方恨少”的感觉。这也许就是大多数企业不愿意接纳应届毕业生的原因吧。 在这里待遇不算好，但是我个人认为比较适合毕业生的发展。总结这半年多就是“累但很充实”，白天工作晚上回去还要继续“充电”，
电子元器件分销的发展
第一部分元器件销售模式的发展 了解元器件销售模式的发展，首先需要了解基本器件的发展、基本器件应用的发展和商务平台的发展，因为当一种产品只有规模足够大到成为一个产业并在原有模式上前进缓慢的时候，才会形成分工。 基本器件的发展经历了两个阶段。 ●分立元件阶段（1905～1959）真空电子管、半导体晶体管 第一代电子产品以电子管为核心。四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管，它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点，很快地被各国应用起来，在很大范围内取代了电子管。五十年代末期，世界上出现了第一块集成电路，它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上，使电子产品向更小型化发展。 集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路，从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。 电子管时代（1905～1947的主要大事记： 1905年爱因斯坦阐述相对论——E＝mc2 1906年亚历山德森研制成高频交流发电机 德福雷斯特在弗菜明二极管上加栅极，制威第一只三极管 1912年阿诺德和兰米尔研制出高真空电子管 1917年坎贝尔研制成滤波器 1922年弗里斯研制成第一台超外差无线电收音机 1934年劳伦斯研制成回旋加速器 1940年帕全森和洛弗尔研制成电子模拟计算机 1947年肖克莱、巴丁和布拉顿发明晶体管；香农奠定信息论的基础 晶体管时代（1948～1959）的主要大事记： 1947年贝尔实验室的巴丁、布拉顿和肖克莱研制成第一个点接触型晶体管1948年贝尔实验室的香农发表信息论的论文 英国采用EDSAG计算机，这是最早的一种存储程序数字计算机 1949年诺伊曼提出自动传输机的概念 1950年麻省理工学院的福雷斯特研制成磁心存储器 1952年美国爆炸第一颗氢弹 1954年贝尔实验室研制太阳能电池和单晶硅 1957年苏联发射第一颗人造地球卫星 1958年美国得克萨斯仪器公司和仙童公司宣布研制成第一个集成电路 基本的分立器件 电容器电阻器晶体管电池线圈 ●集成电路阶段（1959～）SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI 自1958年第一块集成元件问世以来，集成电路已经跨越了小、中、大、超大、特大、巨大规模几个台阶，集成度平均每2年提高近3倍。随着集成度的提高，器件尺寸不断减小。 1985年，1兆位ULSI的集成度达到200万个元件，器件条宽仅为1微米；1992年，16兆位的芯片集成度达到了3200万个元件，条宽减到0.5微米，而后的64兆位芯片，其条宽仅为0.3微米。 发展图表如下。 基本器件应用的发展, 电子元器件的应用代表产品为计算机，计算机的发展推动了电子元器件产业的发展。伴随着电子技术 的发展而飞速发展起来的电子计算机经历了四个阶段。 ●第一代（1946～1957）电子管计算机
电子元器件的发展历程及未来趋势
电子元器件的发展历程及未来趋势 每种事物都有其自身的发展历史和发展规律，电子元器件也不例外，它历经了经典电子元器件、小型化电子元器件、一般微电子元器件、智能微电子元器件时代，未来正在迈向量子电子元器件时代。 电子元器件的发展离不开电子信息技术和整机的发展，二者是相互促进，相互牵制的关系。 微电子元器件包括集成电路、混合集成电路、片式和扁平式元件和机电组件、片式半导体分立器件等。微电子指采用微细工艺的集成电路，随集成电路集成度和复杂度的大幅度提高、线宽越来越细和采用铜导线，其基频和处理速度也大幅度提高，在电子线路中其周边的其他元器件必然要有相应速率的处理速度，才能完成所承担的功能。因此，需要通过整个设备及系统来分析元器件的发展。 表1电子元器件的发展阶段及特点
上述电子元器件的发展阶段的划分是2001年提出来的，但近年来电子技术和电子产业的发展很快，新技术，新产品不断涌现，尤其是智能化产品和系统越来越普及，智能化已经到来，同时，量子技术有了突破，信息技术有可能进入“量子化时代”。 智能化已经到来观察一下我们周围，可以发现，智能化家用电子及电器，如智能电视机、电灶具、电热水器等；智能化终端如手机、手表式终端等，智能化汽车电子及智能化公交系统等，其发展的总趋势是以智能化为核心的信息化，系统化和网络化。 这些变化也可以从智能化设备和系统框图构成来分析对电子元器件的新要求： 1）指挥控制系统--嵌入式处理器芯片，高速，大容量的集成电路，计算芯片已经渗入到各种系统和产品中。整机采用双核、四核，八核以至更多的芯片并行，以加速运算速率的智能化处理。 2）信息采集系统--以传感器为代表将各种信息转化为电信号，并进行处理。传感器技术是一项当今世界令人瞩目的迅猛发展起来的高新技术之一，也是当代科学技术发展的一个重要标志，它与通信技术、计算机技术构成信息产业的三大支柱。 如果说计算机是人类大脑的扩展，那么传感器就是人类五官的延伸，当集成电路、计算机技术飞速发展时，人们才逐步认识信息摄取装置--传感器没有跟上信息技术的发展而惊呼“大脑发达、五官不灵”. 但是目前传感器的发展已成为一个瓶颈，对其品质、稳定性、一致性与可靠性等程度要求越来越高。还出现如数字话筒、智能传感器模块等一些数字化器件。 3）传输系统--信号荷载信息，经过不同的频率交换、调制或编码，变成适当的形式，以便适合于各种不同媒介质的传输。传输系统需要高速大容量网络，包括无线、有线传输，常由两者结合传输。 a）传输系统为有更高的传输速率和带宽，对元器件品质要求如；高频、带宽、阻抗匹配、电磁干扰、稳定性与耗损等等特性有更加严格的要求，这将导致这些符合条件的元器件发展更快。 b）光网络，光电结合更加普及，如光纤到户（FTTH），光纤到桌（FTTD），许多终端都有光接口。光电结合和转化的元器件如光器件，光电转化元器件等不断出现和高速发展。 网络传输速率越来越快，如3G通信，国际电联“IMT-2000”（国际移动电话2000）标准规定，移动终端以车速移动时，其传转数据速率为144kbps,室外静止或步行时速率为384kbps,而室内为2Mbps.4G是集3G与WLAN于一体，并能够传输高质量视频图像，它的图像传输质量与高清晰度电视不相上下。4G系统能够以100Mbps的速度下载，上传的速度也能达到20Mbps. 4）执行系统--如控制元件（继电器，包括固体继电器）、微特电机及功能性电子元器件发展更快。功能性电子元器件是具有某些独特功能的元器件，如频率、时频及显示器件
电子维修工作总结报告
电子维修工作总结报告 篇一：电路板维修工作总结 电路板维修资料总结 电路板是电子产品的控制中心。它由各种集成电路,元器件和联接口并由多层布线相互连接所组成。这些不论那里出了问题, 电路板将起不到控制作用,那么设备就不能正常工作了。 设备维修,均离不开电路板的修理。这里我总结了一些不引起注意,然而是较为重要的经验。有些电路板一直找不到故障点,可能就与以下所述有关。 一、带程序的芯片 1、EPROM芯片一般不宜损坏。因这种芯片需要紫外光,才能擦除掉程序,故在测试中不会损坏程序。但有资料介绍:因制作芯片的材料所致,随着时间的推移,即便不用也有可能损坏，所以要尽可能给以备份。 2、EEPROM,SPROM等以及带电池的RAM芯片,均极易破坏程序。这类芯片是否在使用测试仪进行VI曲线扫描后,是否就破坏了程序,还未有定论。尽管如此,同仁们在遇到这种情况时,还是小心为妙。笔者曾经做过多次试验,可能大的原因是: 检修工具的外壳漏电所致。 3、对于电路板上带有电池的芯片不要轻易将其从板上
拆下来。二。复位电路 1、待修电路板上有大规模集成电路时,应注意复位问题。 2、在测试前最好装回设备上,反复开、关机器试一试，以及多按几次复位键。 三、功能与参数测试 1、测试仪对器件的检测, 仅能反应出截止区,放大区和饱和区。但不能测出工作频率的高低和速度的快慢等具体数值等。 2、同理对TTL数字芯片而言, 也只能知道有高低电平的输出变化。而无法查出它的上升与下降沿的速度。四。晶体振荡器 1、对于晶振的检测, 通常仅能用示波器或频率计实现。万用表或其它测试仪等是无法量的。如果没有条件或没有办法判断其好坏时, 那只能采用代换法了,这也是行之有效的。 2、晶振常见的故障有: 内部漏电; 内部开路; 变质频偏; 与其相连的外围电容漏电。 从这些故障看,使用万用表的高阻档和测试仪的VI曲线功能应能检查出 ,项的故障。但这将取决于它的损坏程度。 3、有时电路板上的晶振可采用这两种方法来判断。
电子元件与电子线路实习报告
电子元件与电子线路实习报告 (1)学习识别简单的电子元件与电子线路; (2)学习并掌握收音机的工作原理; (3)按照图纸焊接元件，组装一台收音机，并掌握其调试方法。 (1)电烙铁：由于焊接的元件多，所以使用的是外热式电烙铁，功率为30w，烙铁头是铜制。 (2)螺丝刀、镊子等必备工具。 (3)松香和锡，由于锡它的熔点低，焊接时，焊锡能迅速散步在金属表面焊接牢固，焊点光亮美观。 (4)两节5号电池。 1.熟悉手工焊锡的常用工具的使用及其维护与修理。 2.基本掌握手工电烙铁的焊接技术，能够独立的完成简单电子产品的安装与焊接。熟悉电子产品的安装工艺的生产流程。 3.熟悉印制电路板设计的步骤和方法，熟悉手工制作印制电板的工艺流程，能够根据电路原理图，元器件实物设计并制作印制电路板。
4.熟悉常用电子器件的类别、型号、规格、性能及其使用范围，能查阅有关的电子器件图书。 5.能够正确识别和选用常用的电子器件，并且能够熟练使用普通万用表和数字万用表。 6.了解电子产品的焊接、调试与维修方法。 zx-921型收音机是由8个三极管和2个二极管组成的，其中bg1为变频三极管，bg2、bg3为中频放大三极管，bg4为检波三极管，bg5、bg6组成阻容耦合式前置低频放大器，bg7、bg8组成变压器耦合推挽低频功率放大器。该机的主要技术指标为： 频率范围：中波530～1605khz 中频：465khz 灵敏度：小于lmv/m 选择性：大于16db 输出功率：56mw～140mw 电源：×2v(干电池二节) zx-921型收音机电路原理图 (一)调谐、变频电路
l1(线圈)从磁性天线(磁棒)上感应出的电台信号，经由l1和cl-a(双联电容)组成的输入调谐回路选择后，只剩下需要的电台信号，该信号耦合给l2(线圈)，并由l2送bg1的基极和发射极。由于调谐回路阻抗高，约为100kω，三极管输入阻抗低，约为1～2kω。要使它们的阻抗匹配，使信号输出最大，就必须适当选择l1与l2的圈数比，一般取l1为60～80圈，l2取l1的十分之一左右。以改变输人回路的高端谐振频率，使之始终低于本机振荡频率465khz。所以微调电容c主要用于调整波段高端的接收灵敏度。相反，微调电容c对波段低端接收灵敏度的影响极小，这是因为在波段低端双连可变电容器cl-a几乎全部旋进，这时cl-a的电容量很大，约为200多微微法，微调电容器c的电容量的变化对它来说便可忽略不计。来自l2经输入调谐回路选择的信号电压一端接bg1的基极，另一端经c2旁路到地，再由地经本振回路b2次级下半绕组，然后由c3耦合送bg1的发射极。与此同时，来自本机振荡回路的本机振荡信号由本振线圈次级抽头b2输出，经电容c3耦合后注入bg1的发射极;本机振荡信号的另一端，即本振线圈次级另一端，经地由c2耦合到l2的一端，并经l2送bg1的基极。由于l2线圈只有几匝，电感量很少，它对本机振荡信号的感抗可忽略不计。 因此，可认为由c2耦合的本振信号是直送bg1基极，这样在bg1三极管的发射结同时加有两个信号，它们的频率
电子元器件的发展历程及未来趋势
电子元器件的发展历程及未来趋势
电子元器件的发展历程及未来趋势 每种事物都有其自身的发展历史和发展规 律，电子元器件也不例外，它历经了经典电子元器件、小型化电子元器件、一般微电子元器件、 智能微电子元器件时代，未来正在迈向量子电子元器件时代。 电子元器件的发展离不开电子信息技术和 整机的发展，二者是相互促进，相互牵制的关系。 微电子元器件包括集成电路、混合集成电路、片式和扁平式元件和机电组件、片式半导体分立器件等。微电子指采用微细工艺的集成电路，随集成电路集成度和复杂度的大幅度提高、线宽越来越细和采用铜导线，其基频和处理速度也大幅度提高，在电子线路中其周边的其他元器件必然要有相应速率的处理速度，才能完成所承担的功能。因此，需要通过整个设备及系统来分析元器件的发展。
年提出来的，但近年来电子技术和电子产业的发展很快，新技术，新产品不断涌现，尤其是智能化产品和系统越来越普及，智能化已经到来，同时，量子技术有了突破，信息技术有可能进入“量子化时代”。 智能化已经到来观察一下我们周围，可以发 现，智能化家用电子及电器，如智能电视机、电
灶具、电热水器等；智能化终端如手机、手表式终端等，智能化汽车电子及智能化公交系统等，其发展的总趋势是以智能化为核心的信息化，系统化和网络化。 这些变化也可以从智能化设备和系统框图构成来分析对电子元器件的新要求： 1）指挥控制系统--嵌入式处理器芯片，高速，大容量的集成电路，计算芯片已经渗入到各种系统和产品中。整机采用双核、四核，八核以至更多的芯片并行，以加速运算速率的智能化处理。 2）信息采集系统--以传感器为代表将各种信息转化为电信号，并进行处理。传感器技术是一项当今世界令人瞩目的迅猛发展起来的高新技术之一，也是当代科学技术发展的一个重要标志，它与通信技术、计算机技术构成信息产业的三大支柱。 如果说计算机是人类大脑的扩展，那么传感器就是人类五官的延伸，当集成电路、计算机技术飞速发展时，人们才逐步认识信息摄取装置--传感器没有跟上信息技术的发展而惊呼“大脑发达、五官不灵”. 但是目前传感器的发展已成为一个瓶颈，对其品质、稳定性、一致性与可靠性等程度要求越来越高。还出现如数字话筒、智能传感器模块等一些数字化器件。 3）传输系统--信号荷载信息，经过不同的频率交换、调制或编码，变成适当的形式，以便适合于各种不同媒介质的传输。传输系统需要高速大容量网络，包括无线、有线传输，常由两者结合传输。 a）传输系统为有更高的传输速率和带宽，对元器件品质要求如；高频、带宽、阻抗匹配、电磁干扰、稳定性与耗损等等特性有更加严格的
电子产品实习工作总结
电子产品实习工作总结 实习总结，就是把一个时间段的实习情况进行一次全面系统的总检查、总分析、总研究，分析成绩、不足、经验等。下面是小编整理的关于电子产品实习工作总结，欢迎大家学习阅读。 实习内容及目的：收音机的安装、焊接及调试,让学生了解电子产品的装配过程;掌握电子元器件的识别及质量检验;学习整机的装配工艺;培养动手能力及严谨的工作作风。 辨认测量：①学会了怎样利用色环来读电阻，然后用万用表来验证读数和实际情况是否一致，再将电阻别在纸上，标上数据，以提高下一步的焊接速度;②学会了怎样测量二极管及怎样辨认二极管的+，极，③学会了怎样利用万用表测量三极管的放大倍数，怎样辨认三极管的b,e,c的三个管脚;④学会了电容的辨认及读数，╫表示元片电容，不分+、极;┥┣+表示电解电容( 注意：电解电容的长脚为+，短脚为)。 焊接体会：在电焊的收音机的时候，学会电焊应该是我最大的收获，下面简单介绍以下焊接的体会，焊接最需要注意的是焊接的温度和时间，焊接时要使电烙铁的温度高于焊锡，但是不能太高，以烙铁接头的松香刚刚冒烟为好，焊接的时间不能太短，因为那样焊点的温度太低，焊点融化不充分，焊点粗糙容易造成虚焊，而焊接时间长，焊锡容易流淌，使元件过热，容易损坏，还容易将印刷电路板烫坏，或者造成焊接短路现象。
焊接顺序：①焊接中周，为了使印刷电路板保持平衡，我们需要先焊两个对角的中周，在焊接之前一定要辨认好中周的颜色，以免焊错，千万不要一下子将四个中周全部焊在上面，这样以后的小元件就不好安装②焊接电阻，前面我们已经将电阻别在纸上，我们要按r1r13的顺序焊接，以免漏掉电阻，焊接完电阻之后我们需要用万用表检验一下各电阻是否还和以前的值是一样(检验是否有虚焊)③焊接电容，先焊接元片电容，要注意上面的读数(要知道223型元片电阻103型元片电阻的区别,元片电容的读数方法前两数字表示电容的值，后面的数字表示零的个数)，紧接着就是焊电解电容了，特别要注意长脚是+极，短脚是极④焊接二极管，红端为+，黑端为⑤焊接三极管，一定要认清e,b,c三管脚(注意：和按放大倍数从大到小的顺序焊接)⑥剩下的中周和变压器及开关都可以焊了⑦最需要细心的就是焊接天线线圈了，用四根线一定要按照电路图准确无误的焊接好⑧焊接印刷电路板上状的间断部分，我们需要用焊锡把它们连接起来⑨焊接喇叭和电池座。 调试与检测：调试是一个非常艰难而又需要耐心的任务，但是它的目的和意义是十分重大的。我们要通过对收音机的检测与调试，了解一般电子产品的生产调试过程，初步学习调试电子产品的方法，培养检测能力及一丝不苟的科学作风。首先我们要检查焊接的地方是否使印刷电路板损坏，检查个电阻是否同图纸相同，各个二极管、三极管是否有极性焊错、位置装错以及是否有电路板线条断线或短路，焊接
电子元器件采购年终工作总结
电子元器件采购年终工作总结 电子元器件采购年终工作总结时光飞逝，转眼间我在公司工作已经一年了，在这一年的时间里，我在公司学到了很多也懂得了很多更多阅读请查看本站工作总结频道。 时间总是在悄无声息中流逝，2019年即将画上一个圆满句号。真的很感谢呈达公司给我提供磨练自己的机会，更感谢公司长久以来对我的信任和栽培。 回顾2019年我们大家一起共同经历了风风雨雨，酸甜苦辣，我发现我真的发现我长大了成熟了。在经理和副总的指导下，做事不在像以前那么自嫩比以前稳重了很多，能和公司一起成长，我感到很自豪！ 一转眼发现我已经来公司1.5年了，从商务助理到采购助理，现在兼行政专员。刚刚接手行政上面的事，有好多事都很生疏，所以大概的说下行政专员职责素养：职业素养包含职业道德、职业技能、职业行为、职业作风和职业意识等方面。 行政专员：主要是沟通，沟通是处理人际关系的必要方式，对于行政工作，尤其重要。如果沟通不及时、不准确，会严重影响工作的效率甚至出现南辕北辙的错误。建立良好的人际关系是沟通的金钥匙，平时注重同事间的友好关系，力所能及地帮助身边需要帮助的同仁，相互支持工作，有助于大家积极、有效地推动工作进度。工作如果是一成不变的，就会没有生机，久而久之更会影响工作情绪，间接
地为高效工作筑起一道无形的城墙。在日常工作中，通过对细节的观察，努力找寻改进的可能，使工作生动、充满乐趣，也在潜移默化中提升了自己的创新思维能力。在社会群体中，没有人能独自生存，在公司也一样，没有多少工作是可以不需要任何人帮助就可以独立完成的。不仅仅针对自己，同样适用于任何人。在平日里，积极参与、配合同事的工作，提供必要的协助，创建良好的工作氛围，使之良性循环下去，是本人一直遵循的不二法则。我们公司虽不是很大，但我喜欢这样的工作环境，喜欢和公司一起成长，希望能够通过我们大家一起努力看着公司一天天壮大，我感到很荣幸和自豪！ 一、在2019年采购助理工作总结： 1.工作中，尊敬领导，团结同事，能正确处理好与领导同事之间的关系，保持良好的沟通。充分发挥岗位职能，不断改进工作方法，提高工作效率，较好地完成了各项工作任务，保证货如期出货,满足客户要求，协助销售工作。 2.与各供应商建立良好关系，顺利将货物如期跟崔到位，保证工程顺畅生产。 3.以最低的价格购买的产品，并根据市场行情降低单价减少成本。 4.由于资金周转问题，尽力与厂商协调月结。 5.下单跟单正确率达99％。 二、不足方面 上半年由于太忙出现下单漏订率 0.1％，但未构成订单延误。；
电子元器件总结
总结 2016.3.1一．常用电子器件 1、元件类：主要有电阻器、电容器、电感器、晶振、陶瓷滤波器、机械开关、接插件、简单的传感器（如热敏电阻）等。 2、器件类：主要有二极管、三极管、晶闸管、集成电路、简单的传感器（如光敏二极管、三极管）等。 3、组合件：主要有各种模块、复杂的传感器等。
图1 4环电阻 图2 电容 图3 电感 图4 发光二极管（LED） 图5 三极管 二．电平匹配方法 (1) 晶体管+上拉电阻法 就是一个双极型三极管或MOSFET，C/D极接一个上拉电阻到正电源，输入电平很灵活，输出电平大致就是正电源电平。 (2) OC/OD 器件+上拉电阻法 跟1)类似。适用于器件输出刚好为 OC/OD 的场合。 (3) 74xHCT系列芯片升压(3.3V→5V)
凡是输入与 5V TTL 电平兼容的 5V CMOS 器件都可以用作3.3V→5V 电平转换。 ——这是由于 3.3V CMOS 的电平刚好和5V TTL电平兼容（巧合），而CMOS 的输出电平总是接近电源电平的。廉价的选择如 74xHCT(HCT/AHCT/VHCT/AHCT1G/VHCT1G/...) 系列 (那个字母 T 就表示 TTL 兼容)。 (4) 超限输入降压法(5V→3.3V, 3.3V→1.8V, ...) 凡是允许输入电平超过电源的逻辑器件，都可以用作降低电平。这里的"超限"是指超过电源，许多较古老的器件都不允许输入电压超过电源，但越来越多的新器件取消了这个限制(改变了输入级保护电路)。例如，74AHC/VHC 系列芯片，其datasheets 明确注明"输入电压范围为0~5.5V"，如果采用3.3V 供电，就可以实现5V→3.3V 电平转换。 (5) 专用电平转换芯片 最著名的就是 164245，不仅可以用作升压/降压，而且允许两边电源不同步。这是最通用的电平转换方案，但是也是很昂贵的因此若非必要，最好用前两个方案。 (6) 电阻分压法 最简单的降低电平的方法。5V电平，经1.6k+3.3k电阻分压，就是3.3V。 (7) 限流电阻法 如果嫌上面的两个电阻太多，有时还可以只串联一个限流电阻。某些芯片 虽然原则上不允许输入电平超过电源，但只要串联一个限流电阻，保证输入保护电流 不超过极限(如74HC系列为20mA)，仍然是安全的。 (8) 无为而无不为法 只要掌握了电平兼容的规律。某些场合，根本就不需要特别的转换。例如，电路中用 到了某种5V 逻辑器件，其输入是 3.3V 电平，只要在选择器件时选择输入为TTL 兼容的，就不需要任何转换，这相当于隐含适用了方3)。 补充： （一）．TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管－晶体管逻辑门（transistor-transistor logic gate），TTL大部分都采用5V电源。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V，Uil≤0.8V （二）．CMOS CMOS电路是电压控制器件，输入电阻极大，对于干扰信号十分敏感，因此不用的输 入端不应开路，接到地或者电源上。 CMOS电路的优点是噪声容限较宽，静态功耗很小。
电子技术发展史概述-首次
电子技术发展史概述电子技术是十九世纪末、二十世纪初发展起来的新兴技术。由于物理学的重大突破，电子技术在二十世纪发展最为迅速，应用最为广泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志。 从20世纪60年代开始，电子器件出现了飞速的发展，而且随着微电子和半导体制造工艺的进步，集成度不断提高。CPLD／FPGA、ARM、DSP、A／D、D／A、RAM和ROM等器件之间的物理和功能界限正日趋模糊，嵌入式系统和片上系统(SOC)得已实现。以大规模可编程集成电路为物质基础的EDA技术打破了软硬件之间的设计界限，使硬件系统软件化。这已成为现代电子设计的发展趋势。 现在，人们已经掌握了大量的电子技术方面的知识，而且电子技术还在不断的发展着。这些知识是人们长期劳动的结晶。 我国很早就已经发现电和磁的现象，在古籍中曾有“磁石召铁”和“琥珀拾芥”的记载。磁石首先应用于指示方向和校正时间，在《韩非子》和东汉王充着《论衡》两书中提到的“司南”就是指此。以后由于航海事业发展的需要，我国在十一世纪就发明了指南针。在宋代沈括所着的《梦溪笔谈》中有“方家以磁石磨针锋，则能指南，然常微偏东，不全南也”的记载。这不仅说明了指南针的制造，而且已经发现了磁偏角。直到十二世纪，指南针才由阿拉伯人传入欧洲。 在十八世纪末和十九世纪初的这个时期，由于生产发展的需要，在电磁现象方面的研究工作发展的很快。库仑在1785年首先从实验室确定了电荷间的相互作用力，电荷的概念开始有了定量的意义。1820年，奥斯特从实验时发现了电流对磁针有力的作用，揭开了电学理论的新的一页。同年，安培确定了通有电流的线圈的作用与磁铁相似，这就指出了此现象的本质问题。有名的欧姆定律是欧姆在1826年通过实验而得出的。法拉第对电磁现象的研究有特殊贡献，他在1831年发现的电磁感应现
电子元器件生产项目工作总结报告
电子元器件生产项目工作总结报告 规划设计 / 投资分析
第一章项目总体情况说明 一、产业发展分析 （一）产业政策分析 （1）《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》 将新型元器件、智能手机、手持平板电脑、可穿戴终端设备、其 他通信终端设备等做为培育和发展的战略性新兴产业重点领域。鼓励 发展新型膜材料。 （2）《轻工业发展规划（2016-2020年）》 工业和信息化部2016年发布的《工业和信息化部关于印发轻工业 发展规划（2016-2020年）的通知》提出：重点发展光学膜、新型柔性/液晶显示屏、高阻隔多层复合共挤薄膜等功能性膜材料及产品。 （3）《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》 用高新技术改造和提升制造业。大力推进制造业信息化，积极发 展基础原材料，大幅度提高产品档次，优先发展新一代信息功能材料 及器件。 （4）《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南（2011年度）》
国家发改委、工业和信息化部、科技部等2011年发布的《当前优 先发展的高技术产业化重点领域指南（2011年度）》将信息功能材料 与器件作为当前优先发展的高技术产业化重点领域之一。 （5）《产业技术创新能力发展规划（2016-2020年）》 工业和信息化部、国家发展改革委2016年发布的《产业技术创新 能力发展规划（2016-2020年）》提出：针对新一代电子整机发展需求，大力推动电子元件产品向片式化、小型化、集成化、模块化、无线化 发展。 （6）《电子基础材料和关键元器件十二五规划》 工业和信息化部2012年发布的《电子基础材料和关键元器件十二 五规划》提出：紧紧围绕节能环保、新一代信息技术、生物、高端装 配制造、新能源、新材料和新能源汽车等战略新兴产业发展需求，发 展相关配套元器件及电子材料。 （7）《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》 国务院2016年发布的《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》指出：加快发展新型智能手机、信息安全产品的创新与应用。提升新 型片式元件、光通信器件、专用电子材料供给保障能力。
电力电子器件的发展历程
电力电子器件的发展历程 电力电子器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性的作用，因此，电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。 ● 1904年出现了电子管（Vacuum tube)，能在真空中对电子流进行控制，并应 用于通信和无线电，从而开了电子技术之先河 ● 20年代末出现了水银整流器（Mercury Rectifier），其性能和晶闸管 （Thyristor）很相似。在30年代到50年代，是水银整流器发展迅速并大量应用的时期。它广泛用于电化学工业、电气铁道直流变电所、轧钢用直流电动机的传动，甚至用于直流输电 ● 1947年美国贝尔实验室发明晶体管(Transistor)，引发了电子技术的一场革 命 ● 1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管（Thyristor） ● 1960年我国研究成功硅整流管（Silicon Rectifying Tube/Rectifier Diode） ● 1962年我国研究成功晶闸管（Thyristor） ● 70年代出现电力晶体管（Giant Transistor－GTR）、电力场效应管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor－MOSFET） ● 80年代后期开始：复合型器件。 以绝缘栅极双极型晶体管（Insulated －Gate Bipolar Transistor－IGBT）为代表,IGBT是电力场效应管（MOSFET）和双极结型晶体管（ Bipolar ● 90年代主要有： 功率模块（Power Module）：为了使电力电子装置的结构紧凑、体积减小，常常把若干个电力电子器件及必要的辅助元件做成模块的形式，这给应 用带来了很大的方便。 功率集成电路（Power Integrated Circuit－PIC）：把驱动、控制、保 护电路和功率器件集成在一起，构成功率集成电路（PIC）。目前其功率 都还较小，但代表了电力电子技术发展的一个重要方向。 智能功率模块（Intelligent Power Module－IPM）则专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成，也称智能IGBT（Intelligent IGBT）。 高压集成电路（High Voltage Integrated Circuit－HVIC）：一般指横 向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 智能功率集成电路（Smart Power Integrated Circuit－SPIC）：一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 一个弗莱明发明了二极管，另一个弗莱明发明了盘尼西林
电子工程师工作总结2019
电子工程师工作总结2019 各位读友大家好，此文档由网络收集而来，欢迎您下载，谢谢 我们总是希望自己能够把工作做得更好一些，所以我们总是总结之前的经验，然后改进之后的工作。以下是由XX 为大家整理的“电子工程师工作总结2019”，仅供参考，欢迎大家阅读。 电子工程师工作总结2019（一） 本人于2019年x月从电力学院电力系统及其自动化专业毕业，在2019年x 月进入xx县供电公司参加工作至今。 我先后在电力公司的xx供电所、xx 供电所、xx办从事生产一线工作。在各位领导和同事的支持和帮助下，自己的思想、工作、学习等各方面都取得了一定的成绩，个人综合素质也得到了一定的提高，下面就从专业技术角度对我这段时间来的工作做一次全面总结： 一、学习生产运行专业知识，提高
岗位劳动技能 从2019年x月参加工作，领导为了让我尽快转变角色，熟悉工作环境，适应生产要求，我先后被分配至供电公司下属的草市供电所和霞流供电所从事线路架设和检修、抄表核收等工作。 工作伊始，我发现学校里学到的专业知识同生产实际有很大的不同和差距。为此我努力学习生产运行专业知识，努力提高自己的岗位劳动技能，在短短的一年内，我主动吸收老师傅们的工作经验，虚心向他们请教工作中的技术问题，并通过自己的努力，迅速掌握了配电线路的设计规范和施工验收规范等。 在xx镇街道城网改造和xx镇xx村农网改造中，承担了勘测设计和现场施工管理工作。期间多次代表xx县电力局参加比赛并取得佳绩：在2019年x月代表xx县电力局在xx电业局举办的农村电工岗位知识及技能竞赛中获得个人笔试第x名，团体第x名；x月代表xx县电力局在xx电业局举办的安全生产知识
电子元器件失效模式总结
元器件的失效模式总结 Beverly Chen 2016-2-4 一、失效分析的意义 失效分析（Failure Analysis）的意义在于通过对已失效器件进行事后检查，确定失效模式，找出失效机理，确定失效的原因或相互关系，在产品设计或生产工艺等方面进行纠正以消除失效的再次发生。 一般的失效原因如下： 二、失效分析的步骤 失效分析的步骤要遵循先无损，后有损的方法来一步步验证。比如先进行外观检查，再进行相关仪器的内部探查，然后再进行电气测试，最后才可以进行破坏性拆解分析。这样可以避免破坏性的拆解破坏证据。拿到失效样品，首先从外观检查开始。 1. 外观检查：收到失效样品后，首先拍照，记录器件表面Marking信息，观察器件颜色外观等有何异常。 2.根据器件类型开始分析：
2.1贴片电阻，电流采样电阻 A: 外观检查，顶面覆盖保护层有针状圆形鼓起或黑色击穿孔->内部电阻层烧坏可能->万用表测量阻值：测得开路或者阻抗偏大->内部电阻层烧毁可能->可能原因：过电压或过电流烧毁—>检查改电阻的稳态功率/电压或者瞬时功率/电压是否已超出spec要求。 Coating 鼓起并开裂黑色击穿点 ●可失效样品寄给供应商做开盖分析，查看供应商失效报告：如发现烧毁位置位于激光切 割线下端，可确定是过电压导致失效。需要考虑调整应用电路，降低电压应力，或者换成能承受更大应力的电阻。 激光切割线 去除coating保护层后，可以看到烧毁位置位于激光切割线旁边，该位置电应力最集中。 B: 外观检查，顶面底面均无异常->万用表测量阻值：测得开路或者阻抗偏大->内部电阻层烧毁或者电极因硫化断开或阻抗增大->检查改电阻的稳态功率或者瞬时功率是否已超出spec要求，如有可能是过电压或过功率烧毁；应力分析在范围内，考虑硫化->失效样品寄给供应商分析。查看供应商失效报告： ●如发现烧毁位置位于激光切割线下端，可确定是过电压导致失效。需要考虑降低应用电 路中的电压应力，或者换成能承受更大应力的电阻。 ●如果测试发现保护层附近电极硫元素含量高且电极沿保护层边缘发生断裂情况，可确认 是应用中硫化物污染导致银电极被硫化生成AgS而断开需确认应用环境是否硫含量比较高。如果有必要，更换为抗硫化电阻。
电子技术发展历程
电子技术发展历程 Prepared on 22 November 2020
电子技术发展历程术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术，二十世纪发展最迅速，应用最广泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志。 一代电子产品以电子管为核心。四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管，它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点，很快地被各国应用起来，在很大范围内取代了电子管。五十年代末期，世界上出现了第一块集成电路，它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上，使电子产品向更小型化发展。集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路，从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。 由于，电子计算机发展经历的四个阶段恰好能够充分说明电子技术发展的四个阶段的特性，所以下面就从电子计算机发展的四个时代来说明电子技术发展的四个阶段的特点。 世界上第一台电子计算机于1946年在美国研制成功，取名ENIAC （Electronic Numerical Integrator and Calculator）。这台计算机使用了18800个电子管，占地170平方米，重达30吨，耗电140千瓦，价格40多万美元，是一个昂贵耗电的"庞然大物"。由于它采用了电子线路来执行算术运算、逻辑运算和存储信息，从而就大大提高了运算速度。ENIAC每秒可进行5000次加法和减法运算，把计算一条弹道的时间短为30秒。它最初被专门用于弹道运算，后来经过多次改进而成为能进行各种科学计算的通用电子计算机。从1946年2月交付使用，到1955年10月最后切断电源，ENIAC服役长达9年。尽管ENIAC还有许多弱点，但是在人类计算工具发展史上，它仍然是一座不朽的里程碑。它的成功，开辟了提高运算速度的极其广阔的可能性。
电子元器件发展史
电子元器件发展史 电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术，二十世纪发展最迅速，应用最广泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志。第一代电子产品以电子管为核心。四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管，它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点，很快地被各国应用起来，在很大范围内取代了电子管。五十年代末期，世界上出现了第一块集成电路，它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上，使电子产品向更小型化发展。集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超 大规模集成电路，从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。由于，电子计算机发展经历的四个阶段恰好能够充分说明电子技术 发展的四个阶段的特性，所以下面就从电子计算机发展的四个时代来说明电子技术发展的四个阶段的特点。 在20世纪出现并得到飞速发展的电子元器件工业使整个世界和人们的工 作、生活习惯发生了翻天覆地的变化。电子元器件的发展历史实际上就是电子工业的发展历史。190年6 ，李·德福雷斯特发明了真空三极管，用来放大电话的声 音电流。此后，人们强烈地期待着能够诞生一种固体器件，用来作为质量轻、价廉和寿命长的放大器和电子开关。194年7 ，点接触型锗晶体管的诞生，在电子 器件的发展史上翻开了新的一页。但是，这种点接触型晶体管在构造上存在着接 触点不稳定的致命弱点。在点接触型晶体管开发成功的同时，结型晶体管论就已 经提出，但是直至人们能够制备超高纯度的单晶以及能够任意控制晶体的导电类型以后，结型晶体管材真正得以出现。195年0 ，具有使用价值的最早的锗合金 型晶体管诞生。195年4 ，结型硅晶体管诞生。此后，人们提出了场效应晶体管 的构想。随着无缺陷结晶和缺陷控制等材料技术、晶体外诞生长技术和扩散掺杂技术、耐压氧化膜的制备技术、腐蚀和光刻技术的出现和发展，各种性能优良的电子器件相继出现，电子元器件逐步从真空管时代进入晶体管时代和大规模、超大规模集成电路时代。主播形成作为高技术产业代表的半导体工业。 由于社会发展的需要，电子装置变的越来越复杂，这就要求了电子装
电子元件生产项目工作总结报告
电子元件生产项目工作总结报告 规划设计 / 投资分析
第一章项目总体情况说明 一、产业发展分析 （一）产业政策分析 （1）《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》 将新型元器件、智能手机、手持平板电脑、可穿戴终端设备、其 他通信终端设备等做为培育和发展的战略性新兴产业重点领域。鼓励 发展新型膜材料。 （2）《轻工业发展规划（2016-2020年）》 工业和信息化部2016年发布的《工业和信息化部关于印发轻工业 发展规划（2016-2020年）的通知》提出：重点发展光学膜、新型柔性/液晶显示屏、高阻隔多层复合共挤薄膜等功能性膜材料及产品。 （3）《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》 用高新技术改造和提升制造业。大力推进制造业信息化，积极发 展基础原材料，大幅度提高产品档次，优先发展新一代信息功能材料 及器件。 （4）《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南（2011年度）》
国家发改委、工业和信息化部、科技部等2011年发布的《当前优 先发展的高技术产业化重点领域指南（2011年度）》将信息功能材料 与器件作为当前优先发展的高技术产业化重点领域之一。 （5）《产业技术创新能力发展规划（2016-2020年）》 工业和信息化部、国家发展改革委2016年发布的《产业技术创新 能力发展规划（2016-2020年）》提出：针对新一代电子整机发展需求，大力推动电子元件产品向片式化、小型化、集成化、模块化、无线化 发展。 （6）《电子基础材料和关键元器件十二五规划》 工业和信息化部2012年发布的《电子基础材料和关键元器件十二 五规划》提出：紧紧围绕节能环保、新一代信息技术、生物、高端装 配制造、新能源、新材料和新能源汽车等战略新兴产业发展需求，发 展相关配套元器件及电子材料。 （7）《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》 国务院2016年发布的《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》指出：加快发展新型智能手机、信息安全产品的创新与应用。提升新 型片式元件、光通信器件、专用电子材料供给保障能力。
电子工程师个人工作总结3篇
电子工程师个人工作总结3篇 篇一 本人20xx年7月毕业于内蒙古工业大学计算机及应用专业，同年进入金峰热力有限责任公司综合科工作，负责全厂计算机管理与维护，2008年元月被聘为助理工程师。20xx年公司与集团公司组建OA平台，成立信息科，负责OA 平台的管理与维护。在参加工作的这段时间里，在领导的指导、关心培养下，在同事的支持帮助、密切配合下，使我在自身技术积累、工作经验、问题分析与解决能力方面都有提高，但是还有很多需要继续积累和学习的地方。现将任职以来的专业技术工作总结如下： 一、思想政治方面。 工作中有强烈的事业心和责任感、使命感，热爱自己的本职工作。多年来，我始终把学习放在重要位置，努力在提高自身综合素质上下功夫，虚心学习专业技能，圆满履行了岗位职责的各项要求，始终以一名优秀基层技术人员的身份要求自己，规范自己，遵守国家的法律法规，从不做违法乱纪的事，做到了一个合格公民应做的事。 二、专业技术方面。 在担任助理工程师期间，负责对厂区办公网络进行维护、改造等，并同时负责其与生产网络的数据通讯、与集团公司OA平台整合的日常维护。 在这三大网络互连进行通讯时，难点就是布线与通讯安全问题。第一，独立完成解决布线问题。通过查阅资料与其他相关技术人员交流，引入了综合布线这一方案。最早的以太网使用总线结构来进
行构建，虽然构建方法简单但是一旦网络在出现问题的话会造成排查，以及网络升级改造十分困难。因为任何一个节点出现的问题和变动都可能影响整个网络的运行。在这种情况下通过论证，引入了综合布线的概念，将整个网络分为六个子系统结合公司实际情况对综合布线系统的六个子系统解析如下：工作区子系统：它是一个独立的需要放置终端的区域，即一个工作区，工作区系统由水平布线系统的信息插座延伸到工作站终端设备处的连接电缆及适配器组成。通俗讲，即一个公办室为一个工作区，终端采用IBDN压接式超五类模块与面板，便于语音与数据交换使用。水平子系统：该子系统由工作区用的信息插座、配线设备至信息插座的配线电缆、楼层配线设备和跳线等组成。在公司楼层内分装智能箱，保证语音、数据分离，在其智能箱内进行内外连接传通过数据端口进行联网传输。 干线(垂直)子系统：该子系统应由设备间的配线设备和跳线以及设备之间至各楼层配线间的连接电缆组成。通过光纤从集团公司引入信号，再通过光纤收发器与光纤引到机房，并与接入网连接实现与Internet连网。 设备间子系统：是设置设备进行网络管理以及管理人员值班的场所。设置公司中心机房(信息科)为设备间子系统。 管理子系统：设置在每层配线设备的房间内，由交接间的配线设备、输入/输出设备等组成。 建筑群子系统：公司电气主控室(信号输入)，公司办公大楼(信号输出)。 根据分工，每个系统的变化都不会影响其他子系统。并且对于网络问题的排查会相对容易。因此综合布线最重要的作用就是利于管理。 第二，通讯安全问题。最根本要解决的是数据过滤问题，安装防病毒软件及