模拟电路期末复习题选择题
1．半导体中的少数载流子产生的原因是（）。
A ．外电场
B ．内电场
C ．掺杂
D ．热激发
2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ ）。
A ．正、反向电阻相等
B ．正向电阻大，反向电阻小
C ．反向电阻比正向电阻大很多倍
D ．正、反向电阻都等于无穷大
3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（）。(X 轴为电压)
A ．右移
B ．左移
C ．上移
D ．下移
4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（）。
A ．增大
B ．减小
C ．不变
D ．不确定
5．三极管β值是反映（ ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源）
A ．电压控制电压
B ．电流控制电流
C ．电压控制电流
D ．电流控制
电压
6．温度升高时，三极管的β值将（）。
A ．增大
B ．减少
C ．不变
D ．不能确
定
7．下列选项中，不属三极管的参数是（）。
A ．电流放大系数
B ．最大整流电流
C ．集电极最大允许电流
D ．集电极最大允许耗散功率
8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，
V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ ） 。
A ．e, b, c
B ．b, e, c
C ．b, c, e
D ．c,
b, e
9．晶体三极管的反向电流是由（ ）运动形成的。
A ．多数载流子
B ．少数载流子
C ．扩散
D ．少数载流子和多数载流子共同
10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ，则此三
极管是（）。（发正偏集反偏）
A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN 型硅管
1．在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将（）。
A．增大B．减少C．不变D．不能确定
2．在基本共射放大电路中，信号源内阻减小时，输入电阻将（）。
A．增大B．减少C．不变D．不能确定
3．在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是（）。
A．共射放大电路B．共基放大电路
C．共集放大电路D．不能确定
4．在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是（）。
A．共射放大电路B．共基放大电路
C．共集放大电路D．不能确定
5．在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降UCE近似等于电源电压UCC时（无电流），则该管工作状态为（）。
A．饱和B．截止C．放大D．不能确定6．晶体管能够放大的外部条件是（）。
A．发射结正偏，集电结正偏B．发射结正偏，集电结反偏
C．发射结反偏，集电结正偏D．发射结反偏，集电结反偏
7．组合放大电路的输出级采用射极输出（共集）方式是为了使（）。
A．电压放大倍数高B．输出电流小
C．输出电阻增大D．带负载能力强
14．在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是（）。A．共发射极电路的u A最大、i r最小、o r最小
B．共集电极电路的u A最小、i r最大、o r最小
C．共基极电路的u A最小、i r最小、o r最大
D．共发射极电路的u A最小、i r最大、o r最大
1．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（）。
A．电阻阻值有误差B．晶体管参数的分散性
C．晶体管参数受温度影响D．受输入信号变化的影响
2．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使（）。
A．电压放大倍数高B．输出电流小
C．输出电阻增大D．带负载能力强
1．放大电路产生零点漂移的主要原因是（）。
A．放大倍数太大B．采用了直接耦合方式C．晶体管的噪声太大D．环境温度变化引起参数变化．为更好的抑制零漂，集成运放的输入级大多采用（）。
A．直接耦合电路B．阻容耦合电路
C．差动放大电路D．反馈放大电路
3．差动放大电路的主要特点是（）。
A．有效放大差模信号，有力抑制共模信号B．既放大差模信号，又放大共模信号
C．有效放大共模信号，有力抑制差模信号D．既抑制差模信号，又抑制共模信号
4．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是（），而提高共模抑制比。
A．抑制共模信号B．抑制差模信号
C．放大共模信号D．既抑制共模信号又抑制差模信号5．差动放大电路用恒流源代替E R是为了（）。
A．提高差模电压放大倍数B．提高共模电压放大倍数C．提高共模抑制比D．提高差模输出电阻
6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。
A．可获得较高增益B．可使温漂变小
C．在集成工艺中难于制造大电容D．可以增大输入电阻
3４．放大电路引入交流负反馈后将（）。
A．提高输入电阻B．减小输出电阻
C．提高放大倍数D．提高放大倍数的稳定性
３５以下说法正确的是（）
Ａ．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。
Ｂ．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。Ｃ．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。Ｄ．只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
３６下面说法正确的是（）
Ａ通常，晶体管在发射极和集电极互换使用时仍有较大的电流放大作用
Ｂ晶体管工作在放大状态时，集电极电位最高，发射极电位最低
Ｃ晶体管工作在饱和状态时，发射结反偏
Ｄ任何放大电路都能放大功率
1．与甲类功率放大方式比较，乙类推挽方式的主要优点是（）。
A．不用输出变压器B．不用输出端大电容
C．无交越失真D．效率高
2．乙类放大电路是指放大管的导通角等于（）。
A．360度B．180度C．90度D．小于90度
3．功率放大电路通常采用的分析方法是（）。
A．利用三极管特性进行图解分析B．采用h参数等效电路C．采用简化的h参数等效电路D．采用π型等效电路
4．功率放大三极管工作在（）
A．高电压、小电流状态B．低电压、小电流状态
C．低电压、大电流状态D．高电压、大电流状态16．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三
极管是（）。
A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管17．在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将（）。
A．增大B．减少C．不变D．不能确定18．晶体管能够放大的外部条件是（）。
A．发射结正偏，集电结正偏B．发射结正偏，集电结反偏
C．发射结反偏，集电结正偏D．发射结反偏，集电结反偏
19．射极输出器的特点是（。
A．输入电阻高、输出电阻低B．输入电阻高、输出电阻高
C．输入电阻低、输出电阻低D．输入电阻低、输出电阻高
以下对稳压管稳压电路叙述不正确的是（）
A一般电路中会存在一个限流电阻 B 正常工作时，稳压管最大稳定电流和稳定电流之差应大于负载电流的变化范围
C稳压管动态电阻越大，稳压性能越好D一般负载电阻与稳压管并联
两个晶体管组成复合管后总的电流放大倍数为（）。
（A）两个晶体管的电流放大倍数之和（B）两个晶体管的电流放大倍数之积
（C）与两个晶体管的类型有关（D）不一定
以下哪个电路中引入的反馈类型是与其他3个不同。（）
（A）（B）（C）（D）差分放大电路的共模信号是两个输入信号的。（）
（A）差（B）和（C）平均值（D）乘积
功率放大电路的转换效率是。）
（A）输出功率与晶体管所消耗的功率之比（B）最大输出功率与电源提供的平均功率之比
（C）晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比（D）输出功率与电源提供的平均功率之比
集成运放的输入级多选用差分放大电路的主要原因是（）
（A）可以克服温漂（B）提高输入电阻（C）稳定放大倍数（D）差分放大电路的结构对称
从外部看，集成运放可等效为高性能的（）
（A）双端输入双端输出的差分放大电路
（B）双端输入单端输出的差分放大电路
（C）单端输入双端输出的差分放大电路
（D）单端输入单端输出的差分放大电路
稳压管的稳压区是其工作在状态。（）
（A）正向导通（B）反向截至（C）反向击穿
（D）截止
4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、增大
E、减小
5、差分放大电路是为了（）而设置的。
A、稳定Au
B、放大信号
C、抑制零点漂移
7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（）倍。
A、1
B、2
C、3
8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。
A、电压
B、电流
C、串联
9、分析运放的两个依据是（A）、（ B ）。
A、U-≈U+
B、I-≈I+≈0
C、U0=Ui
D、Au=1
3．放大电路引入交流负反馈后将（）。
A．提高输入电阻B．减小输出电阻
C．提高放大倍数D．提高放大倍数的稳定性
4．放大电路引入直流负反馈后将（）。
A．改变输入、输出电阻B．展宽频带
C．减小放大倍数D．稳定静态工作点
0401 5．引入电压并联负反馈后，基本放大器的输入、输出电阻的变化是（C ）。
A．输入电阻增大，输出电阻增大B．输出电阻增大，输入电阻减小C．输入电阻减小，输出电阻减小D．输入电阻减小，输出电阻增大6．反相比例运算电路引入了（）。
A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈
C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈
7．为使放大电路的输出电压稳定、输入电阻增大，需引入的交流负反馈是（）。
A．电压串联B．电压并联C．电流串联D．电流并联
1.8．某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选用（）。
A．电压串联负反馈B．.电压并联负反馈
C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈
15. 电路如下图所示，已知晶体管的
Ω=Ω=Ω==k R k R k r c b be 3,510;1,100β,1,3Ω=Ω=k R k R s L
其中Rs 为信号源内阻，图中未画；静态时
mV U uA I V U i BQ BEQ 20,22,7.0===
则电路的放大倍数为 （A ）-300 （B ）-8.57 （C ）-150
（D ）0
16．电路图及参数同15题，电路的输入电阻是
（A ）1k （B ）35k （C ）2k （D ）10k
17．电路图及参数同15题，电路的输出电阻是
（A ）1.5k （B ）3k （C ）1k （D ）100k
18．电路图及参数同15题，信号源的电压有效值是
（A ）20mV （B ）40mV （C ）30mV （D ）1mV
19．电路图及参数同15题，电源电压Vcc 是
（A ）12V （B ）10V （C ）11V （D ）5V
20．电路图及参数同15题，静态时，UCEQ 是
（A ）5.4V （B ）5.2V （C ）6V （D ）12V 第15题电路图
模拟电子线路期末试题及其答案(两套)
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区
3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、
模拟电子技术基础期末复习详细总结
模拟电子技术期末复习详细总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空： （1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为 （2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为； （3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。 A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中， （1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。 （2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电 模拟电路测验试题10套 1 / 34 ————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期： 2 / 34 试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。 6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（）。 1 / 34 《模拟电子技术基础（1）》期末试题 （A 卷）参考答案及评分标准 一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏、集电结反偏。 2. 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合; 阻容 耦合;变压器 耦合; 在集成电路中通常采用 直接耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 _________ ，要消除此失真，应改 用甲乙类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式,h 接成 共基 组 态，T 2接成 共集 组态,R i 和R 2的作用是 为T1管提供基极偏置 。 I ------------ 1 ------------------------------ 曲叫 前卜L 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值 增大。 7. 共射一共基组合电路中，由于共射电路的上限频率 小干 共基电路的上 限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是T （j ?） = -1，相应的振幅条件是T （j ） =1， 图1 相位条件是T 匸：吆 二、简答(共3小题，每小题5分，共15分) 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图 2所示 (1) 判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出 答：见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1 分, 共3 分) (2)估算(b)图晶体管的1和〉值 p 0.985 （各1分，共2分） 1 e , b ，c 极; I C 6 'LOT 60， 图2 《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型 + + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示： 试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极 模拟电路试题B卷 一.（24分） 1）射极输出器的特性归纳为：电压增益，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。 2）电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3）在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性 或相位相反的两个输入信号称为信号。 4）在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导 体导电的重要特征。 5）PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。 6）晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏， 结必须反偏。 7）晶体三极管有型和型两种类型。 8）画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短;. 路。 二.（1.9分，2.9分，3.6分，共24分） 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可 采取什么措施? 得分 ;. 2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ，R g2=100kΩ，R g3=2MΩ，R d=10kΩ，R2=10kΩ，+V DD=+20V，场效应 管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路； (2)求电压增益A v； (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示 试问： a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;. 电子技术基础－模拟部分复习 第一章绪论 1.1 电子电路的基本概念 1.1.1 电子电路及其框图 理想电子电路：R i?∞, R o?0 1 两个电压放大倍数相同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A的输出电压较大，这说明A的? 2 两个电压放大倍数相同的放大电路A和B，分别由晶体管和场效应管构成，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A、B两电路哪个输出电压大？ 3 两个放大电路负载开路时电压放大倍数为10dB，若将他们级联后构成两级放大器的总电压放大倍数是？ 1.1.2 模拟信号与数字信号 模拟信号：是一种随时间连续变化的信号。正弦波信号就是一种常见的模拟信号，其幅值、频率或相位都是随时间连续变化的。 数字信号：是一种离散信号。矩型波信号就是一种常见的数字信号，其幅值、频率或相位都是离散的，它们通常用数字形式表示。 处理模拟信号的电路称为模拟电路，常用的模拟电路有放大电路、滤波电路和波形转换电路等。 处理数字信号的电路称为数字电路,常用的有编码电路、译码电路和记忆电路等。 1.2 电子电路的电路模型 1.2.1 电子电路的模型 工程(去精取粗)模型：就是常说的电路原理图，简称电路图。它着重表明了电子电路的工作原理，对与工作原理关系不大的细节通常不与表示。 物理(实际)模型：是分析电子电路或电子系统的分析模型，最终建立电子电路各变量和元件参数之间的数学表达式——数学模型。 第二章二极管与基本放大电路 二极管的物理模型: 死区电压：0.5V; 导通压降：0.6～0.8V 二极管理想模型：正向导通时压降为零， 反向截止时电流为零。 理想模型、管压降理想模型、考虑r be模型、小信号实际模型分别如下图： 《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N 型半导体中，多数载流子是 ；在P 型半导体中，多数载流子是 。 2、场效应管从结构上分为结型和 两大类，它属于 控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入 （共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的 电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由 ， ， 和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（ ）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。 A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型 D N 沟道耗尽型MOS 型 E N 沟道结型 F P 沟道结型 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 ++ + - ---D1 D2R Rb Rc Rb Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V 50K 2.5K B=50 Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1 Uo2Uo4 + +1A1 A2 A4 图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5++ + + + --- --D1D2R Rb Rc Rb Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V 50K 2.5K B=50Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1Uo2 Uo4++1A1 A2A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5 模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100 V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的 2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1 《模拟电子技术基础》基本概念复习题 一、判断题 1、 凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。× 2、 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。√ 3、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N = v P 。× 4、 当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。× 5、 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。× 6、 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。√ 7、 温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 √ 8、 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。× 9、 因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。× 10、 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。√ 11、 稳压管工作在截止区时，管子两端电压的变化很小。× 12、 BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。× 13、 放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。√ 14、 放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。× 15、 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。× 16、 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。× 17、 共集电极电路没有电压和电流放大作用。√ 18、 共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。√ 19、 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。× 20、 放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。× 21、 射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。× 22、 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。× 23、 放大器的输入电阻是从输入端看进去的直流等效电阻。× 24、 输出电阻越大，放大电路带负载的能力越弱。√ 1 画出BJT管输出特性曲线，简述各个区域的特点及偏置条件 截止区：ic几乎为0，电路不工作。发射结电压小于开启电压；集电结反偏；放大区：ic=βib，ic几乎只与ib有关，与uCE无关，表现出ib对ic的控制作用。 发射结电压大于开启电压；集电结反偏。 饱和区：ic不仅与ib有关，还随uCE增大而明显增大，ic＜βib。 发射结和集电结正偏。 BJT输出特性曲线表现的是IB为常数时ic与管压降UCE的关系。 2为什么BJT称为双极性晶体管，而FET称为单极晶体管，他们各自是哪种控制型器件。 BJT管工作时两种载流子都参与导电；FET管仅有多数载流子参与导电；BJT管是电流控制器件；FET管是电压控制器件。 3 BJT管输出电压产生截止失真（饱和失真）的原因是什么，如何减小。 产生失真的原因是静态工作点Q设置不合理或者外加信号过大。 输出电压产生截止失真的原因是Q点过低，负半周期时IB过小导致BJT管进入截止区；适当减小RB以增大IB即可； 输出电压产生饱和失真的原因是Q点过高，正半周期时IC饱和导致BJT管进入饱和区；适当增大RB以减小IB即可 Q点位置适中的时候如果外加输入信号过大，产生双向失真。通过输入端接分压电路或者适当增大直流偏置电压。 4 直流电源在放大电路的作用是什么 ①为晶体管正常工作提供偏置电压； ②为电路提供能源 5 为什么要稳定静态工作点，有哪些方法 静态工作点不但决定电路是否会产生失真，还会影响到电压放大倍数、输入电阻等动态参数。 引入直流负反馈或者使用温度补偿（靠温度敏感器件直接对IB产生影响）。 6 BJT管稳定静态工作点电路引入了哪种反馈，简述稳Q过程。 见6 7 有哪些耦合方式，各有什么特点？ 直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合。 直接耦合：可放大直流信号、低频特性好、利于集成；静态工作点相互影响，存在零点漂移现象。 阻容耦合：各级静态工作点相互独立；只能放大交流信号、低频特性差、耦合过程有损耗，不利于集成。 变压器耦合：同阻容耦合，可实现阻抗变换。 光电耦合：实现电气隔离，抑制电干扰。 8 什么是零点漂移，为什么差分放大电路可以抑制零点漂移。 零点漂移：输入信号为零时，由于温度变化、电源电压不稳、元件参数变值等因素（其中最重要的是温度因素）造成静态工作点产生微小变化，经逐级放大和传输后使得输出端电压偏离原固定值上下漂移的现象。 （直接耦合时第一级的微小变化会导致输出级的较大变化） 差分放大电路主要是抑制温度变化造成的零点漂移现象。 一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题： 1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。 皖西学院07–08学年度第2学期期末考试试卷（A 卷） 计算机系计算机科学技术专业本06级电路与模拟电子技术课程 参考答案 一．填空题：本大题共12小题，每小题2分，共24分。 1、换路定律主要针对储能元件而言，电场储能不能突变，对电感而言，是指电感两端的 电流 不能突变，用数学表达式表示为 i(0+)=i(0-) 。 2、在对称三相交流电路中，各相之间的相位差为 120度或2/3π ，线电压与相电压的关系为 U L =1.73U P 。 3、稳压二极管配以合适的电阻在电路中起稳压作用，稳压二极管正向接入电路时，其元件上的压降为 0.5——0. 7V 。 4、微分电路中，对电容的取值有要求，设输入交流信号的周期T ，负载等效电阻为R L ，则R L ·C 与T 之间的关系应满足 R L C <<0.2MIN{t p ,T-t p } 。 5 、正弦交流量的三要素是指 振幅 、 周期 、 相位（初相） 。 6、光电二极管的电路符号为 。 7、NPN 型三极管的电路符号为 。 8、晶体三极管是 电流 型控制元件，场效应管是 电压 型控制元件。 9、运算放大器为了减小零点漂移，输入级采用 差动 放大电路。 10、运算放大器的电压放大倍数主要在 中间 级（输入、中间、输出）， 为 直接耦合放大 。 11、有一8位T 形电阻网络D/A 转换器，已知U R =+8V,R F =3R 当D 7~D 0为10000000，时的输出电压U 0= -4V 。 二． 绘图题：本大题共3小题， 共10分。 1、 1、图形正确3分，计算出3.7得1分 2、本电路是正反馈电路（3分）。 3、本电路是负反馈电路（3分）。 三．应用题：本大题共8小题，共66分。 1、解：各点的电位 d 点为参考点，Ud ＝0V Ub ＝Ubd ＝I 3R 3＝2A ×5Ω＝10V Ua ＝Uad ＝E 1＝40V Uc ＝Ucd ＝E 2＝5V 电压 Uab = Ua － Ub = 40V －10V = 30V Ubc = Ub － Uc = 10V －5V = 5V 2、解： 电路等效如图所示： Ω 6 ab R ＝Ω=+++??++?46106 36 36 )10636 3( 第一章 本征半导体：完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。 其特点： 在外部能量激励下产生本征激发，成对产生电子和空穴； 电子和空穴均为载流子，空穴是一种带正电的粒子； 温度越高，电子和空穴对的数目越多。 两种掺杂半导体： N型半导体：电子是多子，空穴是少子；还有不能自由移动的正离子。 P型半导体：空穴是多子，电子是少子；还有不能自由移动的负离子。 二极管 PN结及其单向导电性（正反接法，特点） 二极管的伏安特性（画伏安特性曲线） 二极管主要参数 稳压管 三极管 类型：NPN型、PNP型；硅管、锗管。 三种工作状态：（特例NPN型） 放大状态：发射结正向偏置，集电结反向偏置；（U BE>0,U BC<0,） 饱和状态：发射结和集电结均正向偏置；（U BE>0,U BC>0,） 截止状态：发射和集电结均反向偏置；(U BE<0,U BC<0), 三个工作区： 放大区：晶体管于放大状态，i c= i b有放大作用； 饱和区：晶体管工作于饱和状态，i c主要受的影响u ce，无放大作用； 截止区：晶体管工作于截止状态，i c≈0,无放大作用。 基本放大电路的组成原则： 直流偏置：发射结正向偏置，集电极反向偏置； 信号的输入和输出：信号源及负载接入放大电路时，就不影响晶体管原有的直流偏置，仍应保持发射结正偏，集电结反偏。要求隔“直”，又能使信号顺利通过。 放大电路的主要性能指标有：电压放大倍数AU、输入电阻Ri，输出电阻Ro，频带宽度fbw，全谐波失真度D及动态范围Uop-p等。 三种基本分析方法： 估算法：也称近似计算法，用于静态工作点的计算。分析过程为：画直流通路，由直流通路列出输入回路的直流负载方程，并设UBEQ值（硅管（NPN）为0.6V或0.7V，锗管（PNP）为0.2V，0.3V），代入方程，求出静态工作点。 图解法： 《模拟电子期末练习题》 填空题： 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷 大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极）、（共基极）、（共集电极）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流） 负反馈。 9、负反馈放大电路的放大倍数A F=（A/（1+AF）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=（1/F）。 10、P型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极 性相反的两个信号，称为（差模）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。 13、反向电流是由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 14、共集电极电路电压放大倍数（小于近似等于1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输 出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、晶体三极管具有放大作用时，发射结（正偏），集电结（反偏）。 17、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（直流）负反馈，为了减小输出电阻采用（电压）负反 馈。 18、共模信号是大小（相等），极性（相同）的两个信号。 19、乙类互补功放存在（交越）失真，可以利用（甲乙）类互补功放来克服。 20、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（正反馈）网络。 21、杂质半导体有（N）型和（P）型之分。 22、PN结最重要的特性是（单向导电性），它是一切半导体器件的基础。 23、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了（反向）电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN结 加的是（正向）电压。 24、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是（为发射结提供正向偏置，同时提供一个静态基极电流I B）。 ——调节基极偏流I B 25、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位（相同），有奇数级组成的多级放 大电路中，输入和输出电压的相位（相反）。 26、电压负反馈稳定的输出量是（电压），使输出电阻（减小），电流负反馈稳定的输出量是（电流）， 使输出电阻（增大）。 27、稳压二极管是利用二极管的（反向击穿）特性工作的。 28、甲类功放的最大缺点是（效率较低）； 29、多级放大电路的耦合方式有（直接耦合）、（阻容耦合）、（变压器耦合）。 30、如果想要改善电路的性能，使电路的输出电压稳定而且对信号源的影响减小，应该在电路中引入（电 压串联负）反馈。 31、有源滤波器的功能是（用于小信号处理），按电路的幅频特性可分为低通滤波、高通滤波、（带通滤波）、模拟电子基础复习题与答案
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