ICT测试程式标准
．目录．
文件修订履历表 (2)
1.目的 (3)
2.适用范围 (3)
3.权责 (3)
4.相关参考文件 (3)
5.名词定义 (3)
6．标准 (3)
文件修订履历表
1.目的
1.1为使本公司ICT测试程式标准化，统一化，特订定本标准。
2.适用范围
2.1凡使用于本公司ICT测试程式均适用之。
3.权责
3.1制作单位：ICT治具厂商
3.2维护单位：ICT工程师
3.3使用单位：ICT测试员
4.相关参考文件
无
5.名词定义
无
6.标准
6.1测试参数
6.1.1程序命名方式板号+小管号.
6.1.2自动存盘功能设定10片.
6.1.3重测次数设为3次.
6.1.4First pin为1,Last pin设定为SWB(256)的整数倍并大
于下针盘的最后一针点数.
6.1.5OPS档设定原则为2(15 55 85),“短路Raw Test-1”字段
打勾,但可视情况调整.
6.1.6测试不良报表打印最大行数设为20,打印方式为按F12打
印
6.2 Open/Short Learning
6.2.1若GND与VCC为同一个Short Group时,在MDA程序加阻抗
测试,期望阻值依机板阻值而订,误差范围-1%,-10%;一
般使用MODE 2, GND pin一般置于Hi-pin,VCC pin一般
置于Low-pin.
6.3 测试数据编辑
6.3.1程序需对照BOM表确认是否有漏(错)KEY或SKIP错误之
现象
6.3.2确认不良零件区块(横行/纵行)之设定是否与点图相符.
6.3.3Board View显示零件面并调整与M/B 方向一致
6.3.4零件SKIP时,需注明原因,/NC;/NP;/C;/R;/Q;/BP;/M;
等
6.3.5所有零件按照J→R→C→X→L→F→D→Q→U排序
6.3.6零件位置上已lay out短路线,若BOM无零件,则不外加
测试(零件名称前不加J)
6.3.7 电阻
A.按照零件值排序(零件名称前不加J)
B.电阻值0Ω~10Ω(不包含10Ω)使用Jump方式测试
C.电阻在10Ω~1KΩ(不包含1KΩ)误差范围+40%,-40%
D.排阻的阻抗低于1KΩ(不包含1KΩ)误差范围+40%,-20%
E.电阻值≧1KΩ误差范围+10%,-10%
F.当电阻并联D,Q,IC时,必须使用MODE 1或MODE 2
G.电阻值≧1MΩ时,一般使用MODE2误差范围+40% -60%
H.热敏电阻，一般使用MODE 1，误差范围+40% -90%
I.蜂鸣器(BUZZER)以阻抗方式测试,期望值42Ω, 误差范围
+40%,-40%
6.3.8电容
A.按照零件值排序
B.电容值<33P时,全部SKIP,并注明/BP(example:C315/BP)
C.容值≦2000P时,需将此VCC或GND至于Hi-Pin,且需用
MODE2,不加隔离点
D.40uF(含)以上之电解电容,一般使用MODE 8测试
E.电容1uF与0.1uF误差范围+80% -60%
F.电容1uF与0.1uF有并联情况时,误差范围 +80% -60%
G.电容2.2uF & 0.01uF之间的其它电容,误差范围+80% -60%
H.电解电容(CE)若有并联(CE),误差范围+30% -10% ,开启一
个STEP即可
I.电解电容(CE)若无并联(CE),误差范围+30% -30%
J.其它电容误差范围+80% -60%
K.小电容并联大电容时,小电容之测试STEP要Skip
L.当SMT电容与DIP电容有并联时,合理优化下限以提高程序对零件缺件的可卡性.
6.3.9 震荡器
A. 震荡器使用电容方式测试
6.3.10电感
A.电感使用Jump方式测试,MODE 0 ,Delay 30
6.3.11二极管
A.二极管,误差范围+30% -30% ,一般使用MODE 1, 当量测值
小于0.3V时须加Delay 30
B.二极管需加测一反向STEP,标准值及实际值设1.5V,误差
范围–1 –50% ,MODE 1
C.ZD加测反向崩溃电压(约3.9V以上),误差范围+50%
-30%,MODE 1,Delay30
D.LED参数为Act/Std=2.3V, 误差范围+30% -30%, Mode=1,
Delay=30
6.3.12晶体管
A.一般晶体管(NPN型),使用电压测试Step1(B→C)
Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=Q
MODE=1
B.一般晶体管(NPN型),使用电压测试Step2(B→E)
Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=Q
MODE=1
C.一般晶体管(NPN型),使用电压测试Step3(C→E→B)
Act=5V,Std=0.3V,误差范围+30% -1%,隔离点=B,MODE=4
D.一般晶体管(PNP型),使用电压测试Step1(C→B)
Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=Q
MODE=1
E.一般晶体管(PNP型),使用电压测试Step2(E→B)
Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=Q
MODE=1
F.一般晶体管(PNP型),使用电压测试Step3(E→C→B)
Act=5V,Std=0.3V,误差范围+30% -1%,隔离点=B,MODE=3
G.N MOS-FET电压测试Step1(S→D) Act/Std=0.7V, 误差范围
+30% -30% MODE=1
H.N MOS-FET电压测试Step2(S→D→G) Act=5V,Std=0.3V, 误
差范围+30% -1% Delay=50 MODE=4 隔离点=G
I.N MOS-FET电压测试Step2(S→D→G)若并联Diode时,误差
改为+15% -1%
J.P MOS-FET电压测试Step1(D→S) Act/Std=0.7V, 误差范围+30% -30% MODE=1
K.P MOS-FET电压测试Step2(D→S→G) Act=5V,Std=0.3V, 误差范围+30% -1% Delay=50 MODE=3 隔离点=G
L.P MOS-FET电压测试Step2(D→S)若并联Diode时,误差改为+15% -1%
M.A LL MOS-FET于STEP后加入N型or P型<
Example:Q12-2-3(N)
大(中)型MOSFET加测一个电容STEP G-S脚(1-2) or
G-D 脚(1-3),标准值设定值为3000PF,用MODE 2测试, 误
差范围 -1 –30%, Repeat D(Hi low pin不可change)
6.3.12 IC Clamping Diode
A.IC Clamping Diode MODE=2,误差范围+30% -30%,需
Learning VCC or GND
B.IC测试之电压脚位优先选择顺序为+3V→+5V→+12V