最新纯中文版英飞凌DAP miniWiggler的使用开发宝典

最新纯中文版英飞凌DAP miniWiggler的使用开发宝典

单片机开发除了必要程序编写外同样也离不开下载器与仿真器。miniWiggler是目前英飞凌单片机最流行的仿真器。

英飞凌miniwiggler使用步骤

1、安装最新版本的DAS，从供应商或从以下链接下载

（https://www.wendangku.net/doc/477975117.html,\miniwiggler）

2、把miniwiggler连接到电脑上的任意一个USB接口。电脑会自动

适别这个新设备并自动安装相庆的驱动程序。

3、把下载线连接到目标板上

4、启动您的调试工具选择DAS的服务器udas或以上的USB芯片的

JTAG。

DAS的服务器的使用1、启动调试工具选择DAS

2、

3、

4、最后出现XC166-Family表示安装成功

Keil C166与miniwiggler的使用

工程的详细设置

首先点击Project窗口中的Target1 Project->Option for Target1 “Debug”即出现对工程设置的对话框.

选择”Infineon DAS Client for XC166”

选择片内的FLASH.

仿真与下载

以上即完成了工程的相关设置，接下来可以进行编译，连接。选择菜

单Project

Build target或单击图标对当前工程进行连接。编译过程中的信息将出现在输出窗口中的Build页，如果源程序中有语法错误，会有错误报告出现，单击该行会有相应的错误报告出现。编译成功后提示获得*.hex文件，该文件可被编译器读入并写入芯片中，同时还产生了一些其他相关文件可用于Keil的仿真与调试。

在对工程成功编译，连接后，按F5或点击菜单Debug Start/Stop

Debug Session或单击图

即可进入调试状态。

DAP miniWiggler

经济划算的高性能调试工具

miniWiggler是英飞凌面向未来的经济划算的高性能调试工具。在主机侧，它具备一个USB接口。每台计算机都具备USB接口。在器件侧，则可通过英飞凌10-针DAP或16-针OCDSL1接口，进行通信。miniWiggler经专门设计，可配合英飞凌调试访问软件（DAS）使用。最新版本的DAS可在https://www.wendangku.net/doc/477975117.html,/das 下载。

应用:

- 调试,

- Flash烧录.

特性:

- 兼容英飞凌DAP和SPD

- 兼容JTAG/IEEE 1149.1

- 时钟速率最高达30 MHz（可编程）

- 所有信号均为5.5V，可下调至1.65V

- USB 2.0（高速）

- 经认证的驱动程序，适用于微软Windows 2000、XP和VISTA操作系统

- USB、JTAG和DAP/SPD热插拔和拔下

- DAP1/SPD引脚上提供UART功能，以支持BSL和BMI烧录

- 3个板上状态LED指示灯

- 支持OCDS1 16-针和DAP 10-针连接器

可支持的器件:

- 英飞凌8、16和32位衍生产品.

可支持的工具:

- ALTIUM/编译器

- DAVE? Bench

- HiTOP HITEX

- KEIL uVision

DAP M i n i W i g g l e r L o w C o s t D e b u g S o l u t i o n f r o m I n f i n e o n

新一代大众型CoolMOS

新一代大众型CoolMOS? C6上市及应用 英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS? C6系列。有了600V CoolMOS? C6系列器件，诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品 的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低 单位面积导通电阻（例如采用TO-220封装，电阻仅为99毫欧）在内的补偿器件的优势，同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。 ?C6系列是英飞凌推出的新一代CoolMOS?金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。英飞凌在CoolMOS? C3和CoolMOS? CP等前代系列产品的基础上，进一步提高了开关速度并降低了导通电阻。CoolMOS? C3是一个应用非常广泛的产品系列，而CP系列可满足需要最高开关速度和最低导通电阻的各种专门应用的需求。 ?最新推出的600V CoolMOS? C6器件，融合了CoolMOS? C3和CoolMOS? CP两个产品系列的优势。例如，电源厂商可受益于超结CP系列的优势——包括极低电容损耗和极低单位面积导通电阻等，设计出更高效、更紧凑、更轻更凉的电源产品。与此同时，开关控制性能和抗电路板寄生电感和电容特性性能也得到大幅提升。相对于CP系列的设计而言，CoolMOS? C6简化了PCB系统布局。具体而言，这意味着在CoolMOS? C6系列内，栅极电荷、电压/电流斜率和内部栅极电阻达到了优化和谐状 态，即使低至零欧姆的栅极电阻，也不会产生过高的电压或电流斜率。此外，C6器件具备出色的体二极管硬换流抗受能力，因此可避免使用昂贵的快速体二极管组件。

英飞凌推出最新EconoPACK

英飞凌推出最新EconoPACK? + D家族 在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会(5月17日至19日)上，英飞凌科技展出了最新EconoPACK™ + D家族额定电流最高为450A的最新一代1200V和1700V系列功率半导体模块。以业界享有盛誉的EconoPACK™+平台为蓝本，英飞凌开发了新的EconoPACK ™ + D 系列，以满足诸如可再生能源系统、商用电动车辆、电梯、工业驱动装置或电源等应用不断提高的要求。得益于诸如超声波焊接功率端子、优化基板结构或可靠的创新PressFIT压接式管脚技术等不计其数的改进和创新，英飞凌新推出的这些模块，能够让客户设计出坚固高效、外形小巧的功率转换器。 更长使用寿命、更高功率密度，以及允许使用新一代芯片的坚固的模块封装这些正是开发新的功率模块所面临的主要挑战。新的应用领域提出了苛刻的电气和机械要求，例如城市公交车和货车等商用车辆的电动或混合动力驱动装置。这些车辆及所使用的器件，包括功率模块，必须承受很高的电应力和沉重的机械负荷(如撞击或震动)，以及运行过程中温度的频繁变化。 英飞凌科技副总裁兼工业电源部总经理Martin Hierholzer表示：英飞凌最新推出的EconoPACK™ + D，是一个引领潮流的功率模块家族。这是因为，只有这种采用了适当的电和结构的连接技术的模块封装，才能让新一代芯片充分发挥其潜力。以可再生能源系统和电动商用车辆为代表的新型应用，提出了越来越高的要求，因此，我们的创新封装概念专门针对系统集成实现了优化，为高效坚固、外形小巧的变频器设计铺平了道路。 这个额定电流为225A至450A、额定电压为1200V和1700V的模块家族，为开发高效的紧凑式变频器创造了条件。EconoPACKTM + D的螺丝型电源端子可以实现极好的电气连接，PressFIT控制管脚则可实现变频器的无焊连

英飞凌新一代CoolMOSCFD2超结器件随着功率密度不断提高半桥

英飞凌新一代CoolMOS CFD2超结器件 随着功率密度不断提高，半桥(例如HID半桥或LLC)和全桥(例如ZVS全桥)等软开关拓扑成为理想的解决方案。由于改善了功率器件上di/dt和dv/dt的动态性能，采用这些拓扑可降低系统的开关损耗，提高可靠性。这种情况主要出现在轻载条件下。事实证明，CoolMOS这样的超结器件可以克服这个问题，由于其内部优化了反向恢复过程电荷载流子去除功能，并且消除内部寄生NPN双极晶体管的栓锁问题。通过增强注入载流子的结合率可大幅降低反向恢复电荷，而且增强结合率可降低关断过程中的反向恢复峰值电流，并使反向恢复电荷大幅降低至约为原来的十分之一。对于优化体二极管(图1)性能在硬开关条件下应用而言，反向恢复波形的形状和印刷电路板的设计尤其重要。新一代CoolMOS 650V CFD2改进了体二极管反向恢复性能，而且给击穿电压留有更大的安全裕量。 图1 CoolMOS高压功率MOSFET及其内部体二极管的横截面示意图。 反向恢复行为 新一代CoolMOS 650V CFD的反向恢复特性如图2所示。与标准器件相比，新一代CoolMOS 650V CFD器件具备极低的反向恢复电荷Qrr、极短的反向恢复时间trr和极小的反向恢复电流最大值Irrm。

图2是在di/dt=100A/μs、25°C和Vr=400V等条件下测量的反向恢复波形。相对于标准器件，新一代CFD器件具备极低的Qrr、trr和Irrm。 与此同时，尽管Qrr、trr和Irrm大幅降低，但这种新器件的波形仍然显示出软特性。这种特性十分适用于硬换流，旨在避免电压过冲和确保器件可靠运行。 换流耐用性

英飞凌各代IGBT模块技术详解

英飞凌各代IGBT模块技术详解 IGBT 是绝缘门极双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的英文缩写。它是八十年代末，九十年代初迅速发展起来的新型复合器件。由于它将 MOSFET 和 GTR 的 优点集于一身，既有输入阻抗高，速度快，热稳定性好，电压驱动（MOSFET 的优点， 克服 GTR 缺点）；又具有通态压降低，可以向高电压、大电流方向发展（GTR 的优点，克服 MOSFET 的缺点）等综合优点，因此 IGBT 发展很快，在开关频率大于 1KHz，功 率大于 5KW 的应用场合具有优势。随着以 MOSFET、IGBT 为代表的电压控制型器件的 出现，电力电子技术便从低频迅速迈入了高频电力电子阶段，并使电力电子技术发展得更加丰富，同时为高效节能、省材、新能源、自动化及智能化提供了新的机遇。 英飞凌／EUPEC IGBT 芯片发展经历了三代，下面将具体介绍。 一、IGBT1－平面栅穿通（PT）型 IGBT （1988 1995） 西门子第一代 IGBT 芯片也是采用平面栅、PT 型 IGBT 工艺，这是最初的 IGBT 概念 原型产品。生产时间是 1990 年－ 1995 年。西门子第一代 IGBT 以后缀为“DN1” 来区分。如 BSM150GB120DN1。 图 1.1 PT-IGBT 结构图 PT 型 IGBT 是在厚度约为 300－500μm 的硅衬底上外延生长有源层，在外延层上制作IGBT 元胞。PT-IGBT 具有类 GTR 特性，在向 1200V 以上高压方向发展时，遇到了高阻、

厚外延难度大、成本高、可靠性较低的障碍。因此，PT-IGBT 适合生产低压器件，600V 系列 IGBT 有优势。 二、IGBT2－第二代平面栅 NPT-IGBT 西门子公司经过了潜心研究，于 1989 年在 IEEE 功率电子专家会议（PESC）上率先提出了 NPT－IGBT 概念。由于随着 IGBT 耐压的提高，如电压VCE≥1200V，要求 IGBT 承受耐压的基区厚度dB>100μm，在硅衬底上外延生长高阻厚外延的做法，不仅成本高，而且外延层的掺杂浓度和外延层的均匀性都难以保证。1995 年，西门子率先不用外延工艺， 采用区熔单晶硅批量生产 NPT－IGBT 产品。西门子的 NPT-IGBT 在全电流工作区范围内具有饱和压降正温度系数，具有类 MOSFET 的输出特性。 图 1.2 NPT-IGBT 结构图 西门子／EUPEC IGBT2 最典型的代表是后缀为“DN2”系列。如 BSM200GB120DN2。“DN2”系列最佳适用频率为 15KHz－20KHz，饱和压降 VCE(sat)=2.5V。“DN2”系列几乎 适用于所有的应用领域。西门子在“DN2”系列的基础上通过优化工艺，开发出“DLC”系列。“ DLC ” 系列是低饱和压降，（ VCE(sat)=2.1V ），最佳开关频率范围为 1KHz － 8KHz 。“DLC”系列是适用于变频器等频率较低的应用场合。后来 Infineon／EUPEC 又推出短拖尾电流、高频“KS4”系列。“KS4”系列是在“DN2”的基础上，开关频率 得到进一步提高，最佳使用开关频率为 15KHz－30KHz。最适合于逆变焊机，UPS，通 信电源，开关电源，感应加热等开关频率比较高（fK≥20KHz）的应用场合。在这些应用 领域，将逐步取代“DN2”系列。EUPEC 用“KS4”芯片开发出H—桥（四单元）IGBT 模块，其特征是内部封装电感低，成本低，可直接焊在 PCB 版上（注：这种结构在变频器应用 中早已成熟，并大量使用）。总之，EUPEC IGBT 模块中“DN2”、“DLC”、“KS4”采用 NPT 工艺，平面栅结构，是第二代 NPT-IGBT。

英飞凌推出OptiMOS

英飞凌推出OptiMOS? 5 25V和30V产品家族 英飞凌推出OptiMOS? 5 25V和30V产品家族，其能效高达95%以上，可为稳压器解决方案提供最高功率密度 ?2015年3月24日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V产品家族，它们是采用标准分立式封装的新一代功率MOSFET。同时，英飞凌还发布了名为Power Block的新型功率模组和集成式功率模组DrMOS 5x5。加上驱动器和数字控制器产品，英飞凌为服务器、电脑、数据通信和电信设备等提供了完备的系统解决方案。 ?在云计算、物联网和社交媒体等大趋势的推动下，现代社会对数据处理能力的需求与日俱增。伴随而来的，是能耗大幅增加，这继而要求提高功率转换系统的能效。新近推出的OptiMOS 25V和30V产品重新定义了业内解决方案的性能标杆，在整个负载范围内，其能效比上一代产品提高了1%左右，在典型的服务器电源设计中，其峰值效率高达95%以上。这样的性能提升得益于诸多因素，如开关损耗(Qswitch)比上一代的OptiMOS技术降低了50%。举例来说，对于一颗全年不间断工作的130W服务器CPU而言，采用新的OptiMOS 25V，可节约用电26.3度。按一个大型机房平均拥有5万台服务器计算，每年总共可以节约用电两百六十万度。 ?全新封装技术 ?在发布OptiMOS 25V和30V产品家族的同时，英飞凌还推出了能进一步节省板上空间的全新封装技术。Power Block产品家族和集成式功率模组DrMOS 5x5均采用了这种新型封装技术，它的低边MOSFET采用了源极朝下的焊接方式(跟传统相反)，可极大改善散热性能，对比SuperSO8等标准封