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内存储器

1.内存储器主要分为哪两类?它们的主要区别是什么?

内存储器分为随机存取存储器RAM(Radom Access Memory)和只读存储器ROM(Read Only Memory)两类。

RAM中信息可以按地址读出,也可以按地址写入。RAM具有易失性,掉电后原来存储的信息全部丢失,不能恢复。

ROM 中的信息可以按地址读出,但是在普通状态下不能写入,它的内容一般不能被改变。ROM具有“非易失性”,电源关闭后,其中的信息仍然保持。

2.说明SRAM、DRAM、MROM、PROM和EPROM的特点和用途。

SRAM:静态RAM,读写速度快,但是集成度低,容量小,主要用作Cache或小系统的内存储器。

DRAM:动态RAM,读写速度慢于静态RAM,但是它的集成度高,单片容量大,现代微型计算机的“主存”均由DRAM构成。

MROM:掩膜ROM,由芯片制作商在生产、制作时写入其中数据,成本低,适合于批量较大、程序和数据已经成熟、不需要修改的场合。

PROM:可编程ROM,允许用户自行写入芯片内容。芯片出厂时,所有位均处于全“0”或全“1”状态,数据写入后不能恢复。因此,PROM只能写入一次。

EPROM:可擦除可编程只读存储器,可根据用户的需求,多次写入和擦除,重复使用。用于系统开发,需要反复修改的场合。

3.已知一个SRAM芯片的容量为8K×8,该芯片有一个片选信号引脚和一个读/写控制

引脚,问该芯片至少有多少个引脚?地址线多少条?数据线多少条?还有什么信号线?

根据存储芯片地址线数量计算公式,k=log2(1024*8)= log2(213)=13,即总计有13根地址线。另有8根数据线、2根电源线。所以该芯片至少有25(=13+8+1+1+2)根引脚。

4.巳知一个DRAM芯片外部引脚信号中有4根数据线,7根地址线,计算它的容量。

根据存储容量计算公式S=2k×I,可得该芯片的存储容量为:214*4=16K×4bit(位),也可表示为64Kb=8KB(字节)。

5.32M×8的DRAM芯片,其外部数据线和地址线为多少条?

根据存储芯片地址线数量计算公式,k=log2(1024*1024*32)= log2(225)=25,即需要25根地址线。但是,由于DRAM芯片的地址采用分时输入的方法,所以实际需要的地址线只有理论值的一半,此处为13根。数据线8根。

6.DRAM为什么需要定时刷新?

DRAM靠MOS管极间电容存储电荷的有无决定所存信息是0还是1,由于漏电流的存在,它存储的信息不能长时间保存,需要定时重新写入,称为“刷新”。

7.74LS138译码器的接线如图2.28所示,写出0Y、2Y、4Y、6Y所决定的内存地址范

围。

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从图看出,该存储系统的片内地址线有13根

(A12-A0),是一个由8KB存储芯片组成的存储系

图 2.28 译码

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