1-10 半导体封装--构造,生产流程评价法(TEG测试单元)

构造，生产流程评价法

（TEG芯片）

日立超LSI系统股份有限公司

堀内整针对半导体器件的开发，应用了TEG（Test Element Group，测试元件组）芯片来评估半导体的结构及组装流程，随着半导体器件日趋高功能化，对其构成材料、组装设备等的开发，使用TEG芯片评价方法显得很重要。在这里将针对封装器件的开发，对有效的TEG 芯片及其评价方法作一说明。

TEG芯片

随着半导体芯片的多引脚、窄小凸点间距化，以及封装件的多引脚、高功能化，所要求的封装技术水平也在提高，从表面贴装向立体SiP（System in Package，系统级封装）极速地发展进化。另一方面，产品的生命周期在缩短，就迫切要求缩短产品的开发时间，对于封装开发，能否平稳地从产品试做开发向产品生产过渡，是左右产品成败的重要因素。

对于这种状况，与封装技术相关的各种材料、设备、装置、封装器件厂商等，进行产品性能的预前评估、谋求缩短开发周期是很有必要的，以产品为模型作为评价用芯片就是使用的TEG芯片。TEG芯片的种类大致分为，（1）金（属）线键合，能与倒装芯片连接，是可以用来测试电气连接（Daisy Chain，菊花图形）的芯片，（2）压电电阻，含有发热电阻等器件，可以用来测试组装后的应力、热电阻的芯片。用这类TEG芯片可以对金（属）线键合、倒装芯片连接等的连

接部位的观察、连接部位可靠性评价、封装件构造进行评估。

各种TEG芯片的说明

（1）金属线键合，钉头凸点（评价）用TEG芯片

通用性高的半导体制品，主要是通过键合（工艺）实现芯片与中间载体相连，为达成多引脚化、芯片小型化的要求，微小间距的键合（工艺）是不可欠缺的。为应对微小间距技术的提升，如图1所所示，

使用了TEG芯片来评价键合状况。另外，现存的芯片必须加工形成供金线键合技术应用的钉头凸点才可实现倒装芯片封装，因为通用芯片是主流，故必须考虑芯片尺寸和凸点间距等多种多样的产品品种，对金/铝合金层等连接部位的金属间化合物、来自组成材料的污染等的解析和评价是非常重要的。图2是钉头凸点TEG例子。

（2）倒装芯片连接评价用TEG芯片

现在，先进产品的高密度封装制程的主流是倒装芯片连接工艺，

这里将对焊锡凸点连接TEG以及镀金凸点评价TEG加以说明。

①焊锡凸点连接

以MPU（微处理单元）等为中心的多I/O（输入/输出）、高频特性、大型芯片制成的高端半导体制品，可以实现多引脚连接、高频对应、高放热特性，其倒装芯片的连接技术是以焊锡凸点为主流，与积层基板等有机基板的连接搭载方式现在都是以焊锡凸点为主流。175um凸点间距的产品目前已量产化，150um间距的制品正处于开发阶段。

凸点的形成方法包括焊锡膏印刷方式、镀焊锡、植焊锡球的方法等，凸点的搭载方式要关注芯片内凸点形状的稳定性和凸点内部气泡的减少。通过凸点搭载方式可实现150um稳定凸点间距的制品。图3和图4是焊锡凸点评价TEG的一个范例。

使用焊锡凸点的产品是与刚性基板以倒装芯片的方式连接，故一

般情况下，有必要用到搭载评价用基板。各种刚性基板的标准评价单元件已制定发布。特别是近期，对大型、多引脚的评价要求众多，对应的要求是芯片尺寸15—20mm，凸点间距在150—175um之间。而且为应对芯片搭载方式的多样化要求，基板上凸点连接部位的焊垫形状，除了有镀金外，也存在应对焊锡预覆的基板供应。图5、图6是

基板的外观照片。

②镀金凸点连接评价TEG

随着薄型电视、显示器、移动终端等的液晶面板对低成本、高精细化的要求，LCD驱动芯片必须朝小芯片化、多引脚化发展。LCD 驱动芯片通常使用的是镀金凸点连接，现在量产的镀金凸点间距水平在30um，微小间距化非常明显。对于芯片的形状，因输入/输出端排列配置在芯片的一侧，故长边方向非常长。对于评价镀金凸点的TEG 芯片，目前间距在20um以上的评价用TEG已对外制定颁布（图7，图8）。再者，LCD驱动芯片的装配方式是使用挠性胶片或称作挠性基板上的芯片搭载（COF：Chip On Film，膜上芯片，图9）,还有将LCD驱动芯片完全直接搭载到LCD面板上的方式（COG: Chip On Glass 玻璃面板上芯片），需要所有这类评价用挠性胶片（COF）和玻璃基板（COG）的评价TEG来应对。使用这类TEG芯片和基板来测试菊花图形的接续电阻，对金/锡接合等的连接状态进行接续评价。（3）应力，热解析用TEG芯片

封装器件是由多种膨胀系数不同的材料构成，特别是近年来SiP 向芯片薄型化、积层化发展，封装件在封装时的残留应力和放热性已成为重要的课题。芯片内应力的测试都是采用压电电阻的应力测试方

法。当硅结晶遇到外来压力时，晶格将发生倾斜，结晶体内部的空穴密度和空穴移动度将发生改变，该方法就是利用了这种扩散层的电气电阻发生变化的现象来测试芯片内应力的，发热芯片内的温度测试方法一般是利用二极管的I-V特性。含有这类附加功能的应力、热电阻评价用TEG的概略图由图10所示，芯片的式样规格由表1所示。

图11是该TEG对BGA封装器件在封装时的应力评价例子。封装树脂固化时的残留应力在芯片的中央是110MPa，发生在芯片边角的

压缩应力是90MPa，x，y方向的应力数值几乎相等。因为芯片、封装体都是正方形，故认为芯片两面x，y方向的应力是等同的。接下来对样品从30℃加热到70℃时发生的热应力进行测试。该结果就是树脂灌封时产生的应力，当温度上升时，可以观测到应力逐渐缓和的倾向。

使用TEG芯片的评价例子

以下是用TEG芯片对倒装芯片的连接方式及其材料进行评价的事例，将9.6mm带镀金凸点TEG正方形芯片装贴到评价用基板上，如表2和图12所示，进行温度循环试验。通过使用这种TEG芯片做出评价和解析，目的是获得最合适的倒装芯片的装配条件。

未来的TEG芯片的动向

TEG芯片作为新一代半导体制品的开发工具，经常进行新技术的引入并对外颁布是非常重要的。为寻求实现封装技术与LSI技术的融合，也就要求TEG芯片的高水准化。日立超LSI系统在进一步对微

小间距芯片化进行检讨的基础上，正计划颁布使用低介电膜等新型材

料的TEG等行动。当然，这里不仅仅是（讨论）TEG芯片，也在计划适时地颁布与基板等有关的可行的简单评价方法。

实验讲义-半导体材料吸收光谱测试分析2015

半导体材料吸收光谱测试分析 一、实验目的 1.掌握半导体材料的能带结构与特点、半导体材料禁带宽度的测量原理与方法。 2.掌握紫外可见分光光度计的构造、使用方法和光吸收定律。 二、实验仪器及材料 紫外可见分光光度计及其消耗品如氘灯、钨灯，玻璃基ZnO薄膜。 三、实验原理 1.紫外可见分光光度计的构造、光吸收定律 (1)仪器构造：光源、单色器、吸收池、检测器、显示记录系统。 a．光源：钨灯或卤钨灯——可见光源，350~1000nm；氢灯或氘灯——紫外光源，200~360nm。 b．单色器：包括狭缝、准直镜、色散元件 色散元件：棱镜——对不同波长的光折射率不同分出光波长不等距； 光栅——衍射和干涉分出光波长等距。 c．吸收池：玻璃——能吸收UV光，仅适用于可见光区；石英——不能吸收紫外光，适用于紫外和可见光区。 要求：匹配性（对光的吸收和反射应一致） d．检测器：将光信号转变为电信号的装置。如：光电池、光电管（红敏和蓝敏）、光电倍增管、二极管阵列检测器。 紫外可见分光光度计的工作流程如下： 0.575 光源单色器吸收池检测器显示双光束紫外可见分光光度计则为： 双光束紫外可见分光光度计的光路图如下：

(2)光吸收定律 单色光垂直入射到半导体表面时，进入到半导体内的光强遵照吸收定律： x x e I I?- =α d t e I I?- =α 0(1) I0：入射光强；I x：透过厚度x的光强；I t：透过膜薄的光强；α：材料吸收系数，与材料、入射光波长等因素有关。 透射率T为： d e I I T?- = =α t (2) 则 d e T d? = =?α α ln ) /1 ln( 透射光I t

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1) 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond） 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。

8、半导体材料吸收光谱测试分析

半导体材料吸收光谱测试分析 一、实验目的 1.掌握半导体材料的能带结构与特点、半导体材料禁带宽度的测量原理与方法。 2.掌握紫外可见分光光度计的构造、使用方法和光吸收定律。 二、实验仪器及材料 紫外可见分光光度计及其消耗品如氘灯、钨灯、绘图打印机，玻璃基ZnO 薄膜。 三、实验原理 1.紫外可见分光光度计的构造、光吸收定律 UV762双光束紫外可见分光光度计外观图： (1)仪器构造：光源、单色器、吸收池、检测器、显示记录系统。 a ．光源：钨灯或卤钨灯——可见光源，350~1000nm ；氢灯或氘灯——紫外光源，200~360nm 。 b ．单色器：包括狭缝、准直镜、色散元件 色散元件：棱镜——对不同波长的光折射率不同分出光波长不等距； 光栅——衍射和干涉分出光波长等距。 c ．吸收池：玻璃——能吸收UV 光，仅适用于可见光区；石英——不能吸收紫外光，适用于紫外和可见光区。 要求：匹配性（对光的吸收和反射应一致） d ．检测器：将光信号转变为电信号的装置。如：光电池、光电管（红敏和蓝敏）、光电倍增管、二极管阵列检测器。 紫外可见分光光度计的工作流程如下： 光源 单色器 吸收池 检测器 显示 双光束紫外可见分光光度计则为：

双光束紫外可见分光光度计的光路图如下： (2)光吸收定律 单色光垂直入射到半导体表面时，进入到半导体内的光强遵照吸收定律： x x e I I ?-=α0 d t e I I ?-=α0 (1) I 0：入射光强；I x ：透过厚度x 的光强；I t ：透过膜薄的光强；α：材料吸收系数，与材料、入射光波长等因素有关。 透射率T 为： d e I I T ?-==α0 t (2)

半导体工艺及芯片制造技术问题答案(全)

常用术语翻译 active region 有源区 2.active ponent有源器件 3.Anneal退火 4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积 5.BEOL（生产线）后端工序 6.BiCMOS双极CMOS 7.bonding wire 焊线，引线 8.BPSG 硼磷硅玻璃 9.channel length沟道长度 10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积 11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化 12.damascene 大马士革工艺 13.deposition淀积 14.diffusion 扩散 15.dopant concentration掺杂浓度 16.dry oxidation 干法氧化 17.epitaxial layer 外延层 18.etch rate 刻蚀速率 19.fabrication制造 20.gate oxide 栅氧化硅 21.IC reliability 集成电路可靠性 22.interlayer dielectric 层间介质（ILD） 23.ion implanter 离子注入机 24.magnetron sputtering 磁控溅射 25.metalorganic CVD(MOCVD)金属有机化学气相淀积 26.pc board 印刷电路板 27.plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD 28.polish 抛光 29.RF sputtering 射频溅射 30.silicon on insulator绝缘体上硅（SOI）

半导体材料能带测试及计算

半导体材料能带测试及计算 对于半导体，是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其具有一定的带隙(E g)。通常对半导体材料而言，采用合适的光激发能够激发价带(VB)的电子激发到导带(CB)，产生电子与空穴对。 图1. 半导体的带隙结构示意图。 在研究中，结构决定性能，对半导体的能带结构测试十分关键。通过对半导体的结构进行表征，可以通过其电子能带结构对其光电性能进行解析。对于半导体的能带结构进行测试及分析，通常应用的方法有以下几种(如图2)： 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙E g； 2.VB XPS测得价带位置(E v)； 3.SRPES测得E f、E v以及缺陷态位置； 4.通过测试Mott-Schottky曲线得到平带电势； 5.通过电负性计算得到能带位置. 图2. 半导体的带隙结构常见测试方式。 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙 紫外可见漫反射测试 2.制样：

背景测试制样：往图3左图所示的样品槽中加入适量的BaSO4粉末（由于BaSO4粉末几乎对光没有吸收，可做背景测试），然后用盖玻片将BaSO4粉末压实，使得BaSO4粉末填充整个样品槽，并压成一个平面，不能有凸出和凹陷，否者会影响测试结果。 样品测试制样：若样品较多足以填充样品槽，可以直接将样品填充样品槽并用盖玻片压平；若样品测试不够填充样品槽，可与BaSO4粉末混合，制成一系列等质量分数的样品，填充样品槽并用盖玻片压平。 图3. 紫外可见漫反射测试中的制样过程图。 1.测试： 用积分球进行测试紫外可见漫反射（UV-Vis DRS），采用背景测试样（BaSO4粉末）测试背景基线（选择R%模式），以其为background测试基线，然后将样品放入到样品卡槽中进行测试，得到紫外可见漫反射光谱。测试完一个样品后，重新制样，继续进行测试。 ?测试数据处理 数据的处理主要有两种方法：截线法和Tauc plot法。截线法的基本原理是认为半导体的带边波长（λg）决定于禁带宽度E g。两者之间存在E g(eV)=hc/λg=1240/λg(nm)的数量关系，可以通过求取λg来得到E g。由于目前很少用到这种方法，故不做详细介绍，以下主要来介绍Tauc plot法。 具体操作： 1、一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收，如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图。

半导体封装测试企业名单

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 申报企业名称 武汉新芯集成电路制造有限公司 上海集成电路研发中心有限公司 无锡华润微电子有限公司 中国电子科技集团公司第五十五研究所 华越微电子有限公司 中国电子科技集团公司第五十八研究所 珠海南科集成电子有限公司 江苏东光微电子股份有限公司 无锡中微晶园电子有限公司 无锡华普微电子有限公司 日银IMP微电子有限公司 中电华清微电子工程中心有限公司 中纬积体电路（宁波）有限公司 深圳方正微电子有限公司 北京华润上华半导体有限公司 福建福顺微电子有限公司 北京半导体器件五厂 贵州振华风光半导体有限公司 企业类别 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造

21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 常州市华诚常半微电子有限公司 锦州七七七微电子有限责任公司 北京燕东微电子有限公司 河南新乡华丹电子有限责任公司 西安微电子技术研究所 长沙韶光微电子总公司 威讯联合半导体（北京）有限公司 英特尔产品（上海）有限公司 上海松下半导体有限公司 南通富士通微电子股份有限公司 瑞萨半导体（北京）有限公司 江苏长电科技股份有限公司 勤益电子（上海）有限公司 瑞萨半导体（苏州）有限公司 日月光半导体（上海）有限公司 星科金朋（上海）有限公司 威宇科技测试封装有限公司 安靠封装测试（上海）有限公司 上海凯虹电子有限公司 天水华天科技股份有限公司 飞索半导体（中国）有限公司 无锡华润安盛科技有限公司 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 芯片制造 封装 封装 封装 封装 封装 封装 封装 封装 封装 封装 封装 封装 封装 封装 封装 封装

芯片制造-半导体工艺教程

芯片制造-半导体工艺教程 Microchip Fabrication ----A Practical Guide to Semicondutor Processing 目录: 第一章:半导体工业[1][2][3] 第二章:半导体材料和工艺化学品[1][2][3][4][5]第三章:晶圆制备[1][2][3] 第四章:芯片制造概述[1][2][3] 第五章:污染控制[1][2][3][4][5][6] 第六章:工艺良品率[1][2] 第七章:氧化 第八章:基本光刻工艺流程-从表面准备到曝光 第九章:基本光刻工艺流程-从曝光到最终检验 第十章:高级光刻工艺 第十一章:掺杂 第十二章:淀积 第十三章:金属淀积 第十四章:工艺和器件评估 第十五章:晶圆加工中的商务因素 第十六章:半导体器件和集成电路的形成 第十七章:集成电路的类型 第十八章:封装 附录:术语表

#1 第一章半导体工业--1 芯片制造-半导体工艺教程点击查看章节目录 by r53858 概述 本章通过历史简介，在世界经济中的重要性以及纵览重大技术的发展和其成为世界领导工业的发展趋势来介绍半导体工业。并将按照产品类型介绍主要生产阶段和解释晶体管结构与集成度水平。 目的 完成本章后您将能够： 1. 描述分立器件和集成电路的区别。 2. 说明术语“固态，” “平面工艺”，““N””型和“P”型半导体材料。 3. 列举出四个主要半导体工艺步骤。 4. 解释集成度和不同集成水平电路的工艺的含义。 5. 列举出半导体制造的主要工艺和器件发展趋势。 一个工业的诞生 电信号处理工业始于由Lee Deforest 在1906年发现的真空三极管。1真空三极管使得收音机, 电视和其它消费电子产品成为可能。它也是世界上第一台电子计算机的大脑，这台被称为电子数字集成器和计算器（ENIAC）的计算机于1947年在宾西法尼亚的摩尔工程学院进行首次演示。 这台电子计算机和现代的计算机大相径庭。它占据约1500平方英尺，重30吨，工作时产生大量的热，并需要一个小型发电站来供电，花费了1940年时的400, 000美元。ENIAC的制造用了19000个真空管和数千个电阻及电容器。 真空管有三个元件，由一个栅极和两个被其栅极分开的电极在玻璃密封的空间中构成(图1.2)。密封空间内部为真空，以防止元件烧毁并易于电子的====移动。 真空管有两个重要的电子功能，开关和放大。开关是指电子器件可接通和切断电流；放大则较为复杂，它是指电子器件可把接收到的信号放大，并保持信号原有特征的功能。 真空管有一系列的缺点。体积大，连接处易于变松导致真空泄漏、易碎、要求相对较多的电能来运行，并且元件老化很快。ENIAC 和其它基于真空管的计算机的主要缺点是由于真空管的烧毁而导致运行时间有限。 这些问题成为许多实验室寻找真空管替代品的动力，这个努力在1947年12月23曰得以实现。贝尔实验室的三位科学家演示了由半导体材料锗制成的电子放大器。

材料测试与分析总复习

XRD复习重点 1.X射线的产生及其分类 2.X射线粉晶衍射中靶材的选取 3.布拉格公式 4.PDF卡片 5.X射线粉晶衍射谱图 6.X射线粉晶衍射的应用 电子衍射及透射电镜、扫描电镜和电子探针分析复习提纲 透射电镜分析部分： 4.TEM的主要结构，按从上到下列出主要部件 1）电子光学系统——照明系统、图像系统、图像观察和记录系统；2）真空系统； 3）电源和控制系统。电子枪、第一聚光镜、第二聚光镜、聚光镜光阑、样品台、物镜光阑、物镜、选区光阑、中间镜、投影镜、双目光学显微镜、观察窗口、荧光屏、照相室。 5. TEM和光学显微镜有何不同？ 光学显微镜用光束照明，简单直观，分辨本领低（0.2微米），只能观察表面形貌，不能做微区成分分析；TEM分辨本领高（1A）可把形貌观察，结构分析和成分分析结合起来，可以观察表面和内部结构，但仪器贵，不直观，分析困难，操作复杂，样品制备复杂。 6.几何像差和色差产生原因，消除办法。 球差即球面像差，是由于电磁透镜的中心区域和边缘区域对电子的折射能力不符合预定的规律而造成的。减小球差可以通过减小CS值和缩小孔径角来实现。 色差是由于入射电子波长（或能量）的非单一性造成的。采取稳定加速电压的方法可以有效的减小色差；适当调配透镜极性；卡斯汀速度过滤器。 7.TEM分析有那些制样方法？适合分析哪类样品?各有什么特点和用途？ 制样方法：化学减薄、电解双喷、竭力、超薄切片、粉碎研磨、聚焦离子束、机械减薄、离子减薄； TEM样品类型：块状，用于普通微结构研究； 平面，用于薄膜和表面附近微结构研究； 横截面样面，均匀薄膜和界面的微结构研究； 小块粉末，粉末，纤维，纳米量级的材料。 二级复型法：研究金属材料的微观形态； 一级萃取复型：指制成的试样中包含着一部分金属或第二相实体，对它们可以直接作形态检验和晶体结构分析，其余部分则仍按浮雕方法间接地观察形态； 金属薄膜试样：电子束透明的金属薄膜，直接进行形态观察和晶体结构分析； 粉末试样：分散粉末法，胶粉混合法 思考题： 1.一电子管，由灯丝发出电子，一负偏压加在栅极收集电子，之后由阳极加速，回答由灯丝到栅极、由栅极到阳极电子的折向及受力方向？ 2.为什么高分辨电镜要使用比普通电镜更短的短磁透镜作物镜？ 高分辨电镜要比普通电镜的放大倍数高。为了提高放大倍数，需要短焦距的强磁透镜。透镜的光焦度1/f与磁场强度成H2正比。较短的f可以提高NA，使极限分辨率更小。 3.为什么选区光栏放在“象平面”上？ 电子束之照射到待研究的视场内；防止光阑受到污染；将选区光阑位于向平面的附近，通过

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程0001

盛年不重来，一日难再晨。及时宜自勉，岁月不待人 盛年不重来，一日难再晨。及时宜自勉，岁月不待人 A.晶圆封装测试工序 一、IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electro n Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dime nsioi n Measureme nt) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、IC封装 1. 构装(Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic )及塑胶(plastic )两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割( die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bon d)、圭寸胶(mold )、剪切/ 成形(trim / form )、印字(mark )、电镀(plating )及检验(inspection )等。 (1) 晶片切割(die saw ) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die )切割分离。举例来说：以 0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之 晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶(die mou nt / die bo nd ) 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线 架则经由传输设备送至弹匣( magazi ne )内，以送至下一制程进行焊线。 ⑶焊线(wire bond ) IC构装制程(Packaging )则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路( Integrated Circuit ;简称IC)，此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械

印刷包装工程系范文

印刷包装工程系 印刷技术专业 本专业培养德、智、体全面协调发展，具有扎实印刷技术专业理论知识为基础，熟练掌握现代印刷技术工艺应用、印刷机操作、设备的维护和保养、企业管理等方面的高级应用型技术人才。 本专业毕业生可就业于各类印刷生产企业、报社、出版社、快印公司、印刷销售公司等企事业单位，从事印刷机的操作、印刷流程的设计与跟单、印刷设备和耗材的销售、数码印刷的操作与维护、印前平面设计和制作等方面的技术与管理工作。 印刷技术专业（数字印刷方向） 本专业培养德、智、体全面协调发展，具有扎实的数字印刷相关理论知识为基础，熟练掌握数字图像信息处理、数字成像技术、数字印刷工艺应用和设备操作等方面的高级应用型技术人才。 本专业毕业生可就业于传统印刷企业的印前技术部门和数码印刷部门、计算机网络公司、平面设计制作公司、广告公司、快印公司与与电子出版物制作和生产有关的企事业单位从事技术工作。 印刷技术专业（印刷包装管理） 本专业培养德、智、体全面协调发展，具有扎实印刷技术专业理论知识为基础，熟练掌握现代印刷企业管理、财务管理、人事管理、工艺应用

和设备操作等方面的高级应用型技术人才。 本专业毕业生可就业于各类印刷生产企业、报社、出版社、快印公司、印刷销售公司等企事业单位，从事销售、客户服务、成本核算、印刷机的操作、印刷流程的设计与跟单、印前平面设计和制作等方面的技术与管理工作。 印刷图文信息处理专业 本专业培养德、智、体、美全面协调发展，适应生产、建设、管理、服务一线需要的，在印刷图文信息处理与制作方面具有创新精神和实践能力的，基础理论知识适度、技术应用能力强、知识面较宽、素质高等特点的高等技术应用性人才。 本专业毕业生就业于专业电脑制版公司、快印公司、印务公司、出版社、报社、广告公司、杂志社、网络公司、文化传播公司、印刷物资公司等从事计算机图像处理、计算机排版、印前图文制作、网页制作、印前设备维护与营销、印版制作、印前工艺设计与管理等岗位。 印刷图文信息处理专业（中美合作） 本专业以实施成功素质教育培养技术应用能力为主旨，适应生产、建设、管理、服务一线需要的德、智、体、美全面协调发展的，在印刷图文信息处理与制作方面具有创新精神和实践能力的，具有一定听、说、读、写等英语应用能力，基础理论知识适度、技术应用能力强、知识面较宽、素质高等特点的高等技术应用性人才。 专业电脑制版公司、快印公司、印务公司、出版社、报社、广告公司、杂志社、网络公司、文化传播公司、印刷物资公司等从事计算机图像处理、计算机排版、印前图文制作、网页制作、印前设备维护与营销、印版制作、

半导体工艺原理实验报告

半导体工艺原理实验附录 姓名：xxx 学号：xxx 指导教师：xxx 目录 实验一.工艺设备模拟--氧化仿真实验 (1) 详细实验步骤 (1) 实验结果 (4) 实验二.工艺设备模拟--离子注入仿真实验 (5) 操作步骤 (5) 实验结果 (5) 第一组 (5) 第二组 (6) 第三组 (7) 第四组 (8) 其他组实验 (10) 实验三.刻蚀仿真实验 (13) 实验步骤 (13) 实验结果 (15) 实验四.超净间参观 (17) 参观过程 (17) 超净间定义 (17) 实验一.工艺设备模拟--氧化仿真实验 详细实验步骤 （1）（2）

（3）（4） （5）（6） （7）（8）

（9）（10） （11）（12） （13）（14）

（15）（16） （17）（18） 实验结果 晶片晶向时间（min）温度方式 1 100 1 890 900 880 2,3 表 1 参考参数 晶片号类型晶向氧化时间（min）氧化温度(?C)氧化厚度(A) 1Dry1102900180 2Dry11021000924 4Dry1112900183 3Dry11010900173 5Wet10010900669 6Wet10020900449 7Wet10030900660 8Wet110210001136 10Wet11010900902 9Wet11029003536 11Wet11129001310 表 2 实验数据

图 1 各组参数柱状图对比效果实验二.工艺设备模拟--离子注入仿真实验实验时间：2015年12月4日星期五 操作步骤 操作步骤大体与实验一类似，按照提示操作即可。 实验结果 第一组 深度（130） 浓度 （13） 深度 （130） 浓度 （13） 深度 （130） 浓度 （13） 0.0015.450.7013.49 1.408.75 0.0517.080.7513.09 1.458.47 0.1017.680.8012.69 1.508.20 0.1517.790.8512.31 1.557.94 0.2017.630.9011.94 1.607.68 0.2517.330.9511.58 1.657.43 0.3016.95 1.0011.23 1.707.18 0.3516.53 1.0510.89 1.75 6.94 0.4016.10 1.1010.56 1.80 6.71 0.4515.65 1.1510.24 1.85 6.49 0.5015.20 1.209.92 1.90 6.27 0.5514.76 1.259.62 1.95 6.06 0.6014.33 1.309.32 2.00 5.87 0.6513.90 1.359.03 表 3 离子注入第一组数据

半导体封装及测试技术

半导体芯片封装及测试技术　价值评估咨询报告书　 深华（２００４）评字第０１８号　 深圳大华天诚会计师事务所 中国?深圳

目录 评估咨询报告书摘要 (2) 资产评估咨询报告书 (3) 一、　委托方与资产占有方简介 (3) 二、　评估目的 (3) 三、　评估范围和对象 (3) 四、　评估基准日 (5) 五、　评估原则 (5) 六、　评估依据 (5) （一）　主要法律法规 (5) （二）　经济行为文件 (5) （三）　重大合同协议、产权证明文件 (6) （四）　采用的取价标准 (6) 七、　评估方法 (6) 八、　评估过程 (7) 九、　评估结论 (7) 十、　特别事项说明 (7) 十一、　评估报告评估基准日期后重大事项 (8) 十二、　评估报告法律效力 (8) 十三、　评估报告提出日期 (8) 十四、　备查文件 (8)

评估咨询报告书摘要　 　 　 　 　 我所接受ＰＡＹＴＯＮ技术有限公司的委托，根据国家有关资产评估的规定，本着客观、独立、公正、科学的原则，按照公认的资产评估方法，对ＰＡＹＴＯＮ技术有限公司拥有的半导体芯片封装测试专用技术的价值进行了评估工作。本所评估人员按照必要的评估程序对委托评估的资产实施了实地勘测、市场调查与询证，对委估资产在评估基准日２００４年６月２４日所表现的市场价值作出了较为公允地反映。评估结果为２０，５００，０００．００美元，大写美元贰仟零伍拾万元整。　 　 　 　郑重声明：　 以上内容摘自资产评估报告书，欲了解本评估项目的全面情况，应认真阅读资产评估报告书全文。　 本评估结论系对评估基准日资产咨询价值的反映。评估结论系根据本报告书所述原则、依据、前提、方法、程序得出，评估结论只有在上述原则、依据、前提存在的条件下，以及委托方和资产占有方所提供的所有原始文件都是真实与合法的条件下成立。　 评估报告中陈述的特别事项是指在已确定评估结果的前提下，评估人员揭示在评估过程中己发现可能影响评估结论，但非评估人员执业水平和能力所能评定估算的有关事项，请报告使用者关注。

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

A.晶圆封装测试工序 一、IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1) 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以

0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond） 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。 (4) 封胶（mold） 封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。 (5) 剪切/成形（trim / form） 剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除（dejunk）。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于

印刷厂生产管理流程

恒茂包装生产管理流程（17.09版） 目的： 制定本制度，对确保产品在整体生产过程中顺利有序且按照标准规范作业，清晰工作职责(工作范围)和作业操作流程，制定与生产相关部门的关联责任和分工作出指引并要求，以提高公司生产效益及产能。 1.试用范围 本制度适用于公司从业务接单/制版/生产计划/车间到产品入仓交付与生产有关的所有过程。 2.职责 2.1办公室负责制定本制度，并评估相关工序对本制度的执行情况； 2.2办公室下属相关工序（制版部、制单、采购）（切纸、印刷车间、覆膜 过油组）瓦楞车间（裱瓦楞组、压痕车间）(外箱组、粘盒打钉组）仓库物流，负责具体执行本制度。 2.3PMC部门负责本制度的相关生产工物料管控及生产计划的作业与统筹安排。暂订由(王增明、许昌军、设计员，开单员，徐磊） 2.4业务部门负责本制度的相关顾客产品要求标准的提供，顾客其它反馈的有效内部转达。 2.5总经理办公室负责本制度的相关人力资源实现及后勤保障，并监督和通 报相关部门对本制度执行情况。 2.6各相关管理人员负责对本制度的优化流程方案提议。 3.生产管理流程 3.1印前流程

3.1.1制版员（职责/范围)根据客户文件制作确认后，文件咬口注明开料尺寸 （门幅在前），在版尾或者在侧面加注文件名/产品名称，新文件打印刀模图和数码稿，标注刀模编号。 3.1.2制版员，确认后文件发出CTP,新刀模文件发刀模厂，新印刷文件出数 码稿/刀模图，同时登记备案确认是否已经送回本公司，外箱文件确认后外发刻版，同时登记备案，方便接收核对和财务对账。 3.1.3业务跟单员：（职责/范围)根据订单信息和文件内容开（列出生产工艺， 详细表），同时采购印刷面张，箱片，及时确认物料到公司时间，在完成业务订单处理后，协调车间生产安排。 3.1.4 开单生产计划员：（职责/范围) 根据订单汇总初稿，开生产工作单， 同时输入订单汇总电子挡保存，每天上午9点之前对车间生产报表回收，根据生产情况在订单汇总里消除以完成工序，方便各部门了解生产进程（）。具体生产顺序由：王增明、许昌军、徐磊沟通协调安排。 3.1.5生产工作单打印完毕，交王增名，许昌军审核确认后下发生产部门。 同时附数码稿或样张/刀模图。 3.2 切纸工序： （职责/范围)根据面张采购单或生产工作单要求，进行材质、规格、纸面色等校对无误后进行切纸。将已分切好的产品正确填写标识卡，做好防护措施（围膜防潮），放置到指定位置交收给印刷车间或者相关工序。 对于逾期未到纸张第一时间通知采购员。或者直接打电话到供应商联系。逾期未到指几个方面：A.同系列订单未到齐. B.接到订单24小时后纸张未到，C.紧急插单等等情况。

半导体材料能带测试及计算

半导体材料能带测试及计算对于半导体，是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其具有一定的带隙(E g)。通常对半导体材料而言，采用合适的光激发能够激发价带(VB)的电子激发到导带(CB)，产生电子与空穴对。 图1. 半导体的带隙结构示意图。 在研究中，结构决定性能，对半导体的能带结构测试十分关键。通过对半导体的结构进行表征，可以通过其电子能带结构对其光电性能进行解析。对于半导体的能带结构进行测试及分析，通常应用的方法有以下几种(如图2)： 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙E g； 2.VB XPS测得价带位置(E v)； 3.SRPES测得E f、E v以及缺陷态位置； 4.通过测试Mott-Schottky曲线得到平带电势； 5.通过电负性计算得到能带位置.

图2. 半导体的带隙结构常见测试方式。 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙 紫外可见漫反射测试 2.制样： 背景测试制样：往图3左图所示的样品槽中加入适量的BaSO4粉末（由于BaSO4粉末几乎对光没有吸收，可做背景测试），然后用盖玻片将BaSO4粉末压实，使得BaSO4粉末填充整个样品槽，并压成一个平面，不能有凸出和凹陷，否者会影响测试结果。 样品测试制样：若样品较多足以填充样品槽，可以直接将样品填充样品槽并用盖玻片压平；若样品测试不够填充样品槽，可与BaSO4粉末混合，制成一系列等质量分数的样品，填充样品槽并用盖玻片压平。 图3. 紫外可见漫反射测试中的制样过程图。 1.测试：

用积分球进行测试紫外可见漫反射（UV-Vis DRS），采用背景测试样（BaSO4粉末）测试背景基线（选择R%模式），以其为background测试基线，然后将样品放入到样品卡槽中进行测试，得到紫外可见漫反射光谱。测试完一个样品后，重新制样，继续进行测试。 ?测试数据处理 数据的处理主要有两种方法：截线法和Tauc plot法。截线法的基本原理是认为半导体的带边波长（λg）决定于禁带宽度E g。两者之间存在E g(eV)=hc/λg=1240/λg(nm)的数量关系，可以通过求取λg来得到E g。由于目前很少用到这种方法，故不做详细介绍，以下主要来介绍Tauc plot法。 具体操作： 1、一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收，如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图。 2. 根据(αhv)1/n = A(hv – Eg)，其中α为吸光指数，h为普朗克常数，v为频率，Eg为半导体禁带宽度，A为常数。其中，n与半导体类型相关，直接带隙半导体的n取1/2，间接带隙半导体的n为2。

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程 A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装(Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic)及塑胶(plastic)两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割(die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bond)、封胶(mold)、剪切/成形(trim / form)、印字(mark)、电镀(plating)及检验(inspection)等。 (1) 晶片切割(die saw) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die)切割分离。 举例来说:以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M 微量。

欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶(die mount / die bond) 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣(magazine)内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线(wire bond) IC构装制程(Packaging)则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路(Integrated Circuit;简称IC)，此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架(Pin)，称之为打线，作为与外界电路板连接之用。 (4) 封胶(mold) 封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。 (5) 剪切/成形(trim / form) 剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除(dejunk)。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于电路板上使用。剪切与成形主要由一部冲压机配上多套不同制程之模具，加上进料及出料机构所組成。 (6) 印字(mark)及电镀(plating) 印字乃将字体印于构装完的胶体之上，其目的在于注明商品之规格及制造者等资讯。

印刷行业操作规范流程

印刷制作流程 所有工作完成并检查完毕后，就可以输出准备印刷了，存储的文件格式要根据使用的软件来设定。如果是使用photoshop图像处理软件制作，输出时要存储为tiff汗格式，色彩模式为CMYK，分辨率300dpi以上；如果是使用coredraw、illustrator、freehand等图形设计软件制作，输出时可以存储为自身格式，也可以输出成丁tiff格式，但是一定要注意分辨率和色彩模式的设置。 一、出片打样 1.出片：所谓出片，就是用电子文件输出菲林片的过程。对于包装盒设计而言，将设计制作好的正稿和模切板文件存储送到制作公司，通过电子分色机输出C、M、Y、K四张分色软片和一张模切版的单黑胶片。如果在设计中使用了专色，每种专色都需要专门输出一张胶片。 2.打样：根据软片制作校样，通常简称清样或打样。打样的结果应该和最终的成品完全一样，印刷厂会根据打样来进行印刷效果的核对，根据模切的胶片进行包装的裁切。 3.核对：在交付印刷之前设计师必须对胶片和打样结果仔细的校对，这是至关重要的一步工作,也是包装正式印刷前的最后一次检查机会。 通常设计师需要检查的是： ①打样结果是否符合设计意图，颜色效果是否与设计的一致； ②信息内容有无偏差，文字是否正确，图片精度是否符合设计要求； ③从打样结果检查四张分色胶片边角线能否套准，是否出现偏差； ④模切版不需要打样，似要在胶片上检查核对各部分裁切线、折叠线和标记正确与否； ⑤检查胶片是否干净光洁，一定要确保没有孔眼、划痕、杂点和污渍。 之所以要检查细致入微，就是希望能够在真正进行印刷和制作之前，确保万无一失，尽可能的减少风险。因为一旦交付印刷，发现错误就只能全部返工，造成极大的经济浪费。 作为设计师，不能只关注包装盒设计的视觉效果，要本着高度负责的态度对包装设计和制作的整个过程严格把关。例如：仅仅是模切板上一条虚线（折叠线）标记错误，标记成实线〔裁切线〉，就会造成本来应该折叠的部分被裁切掉了，导致公司的巨大损失。 4.制作样品 检查完毕后，最好再将打样制作一个包装成品，检查结构是否合理，尺寸有无偏差。 二、印刷制作 现代高速发展的印刷技术使得原来无法实现的想法变为现实，不仅丰富了设计手段，也为设计师开拓了思路。包装的印刷工艺选择面很广，几乎所有的印刷方法都可以用在包装上，关键就是选择能够准确表现设计理念并尽可能经济实用的印刷制作方法。作为一名合格的设计师，还要准确把握包装设计与制作过程进度实施上，包装印刷工艺的选择在包装设计阶段就要完全考虑好，因为“设计必须是可实现的”是包装设计的重要原则。例如：是否覆膜？是否釆用起凸、烫金、涂布等特殊加工工艺？这些都要考虑周全。 一切准备就绪确保没有错误后，就可以将分色胶片、模切胶片和打样结果交付给印刷厂进行印刷制作了。在制作前要将设计要求与印刷厂沟通清楚，将制作的样品交给印刷厂可以使印刷厂更明确设计师的想法。 在制作期间，设计师要随时进行监督检查，保证印刷结果与打样一致，加工工艺符合设计要求。

半导体工艺中的英语词汇上课讲义

A Abrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层 Active region 有源区Active component 有源元 Active device 有源器件Activation 激活 Activation energy 激活能Active region 有源（放大）区 Admittance 导纳Allowed band 允带 Alloy-junction device合金结器件Aluminum（Aluminium）铝 Aluminum - oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化 Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度 Amorphous 无定形的，非晶体的Amplifier 功放扩音器放大器 Analogue（Analog）comparator 模拟比较器Angstrom 埃 Anneal 退火Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极Arsenic （AS）砷 Auger 俄歇Auger process 俄歇过程 Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿 Avalanche excitation雪崩激发 B Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂 Backward 反向Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流电阻Ball bond 球形键合 Band 能带Band gap 能带间隙 Barrier 势垒Barrier layer 势垒层 Barrier width 势垒宽度Base 基极 Base contact 基区接触Base stretching 基区扩展效应 Base transit time 基区渡越时间Base transport efficiency基区输运系数Base-width modulation基区宽度调制Basis vector 基矢 Bias 偏置Bilateral switch 双向开关 Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor （BJT）双极晶体管 Bloch 布洛赫Blocking band 阻挡能带 Blocking contact 阻挡接触Body - centered 体心立方 Body-centred cubic structure 体立心结构Boltzmann 波尔兹曼 Bond 键、键合Bonding electron 价电子 Bonding pad 键合点Bootstrap circuit 自举电路 Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 Borosilicate glass 硼硅玻璃Boundary condition 边界条件 Bound electron 束缚电子Breadboard 模拟板、实验板