涂布感受光胶技巧
涂布感受光胶技巧
一、前言
丝印网版制作是丝印工艺的第一道工序，在丝印网版制作中涂布感受光胶这一环节至关重要。如涂胶的厚薄，用力是否均匀等，都决定丝印网版的制作质量，而网版的制作质量又决定织物印花的质量，为此，正面以HTYG–S型水溶性重氮感光胶为例，对涂布感光胶的工艺做如下探讨：
二、实验部分
2．1实验用品
绷好的丝网版一块（30cm*30cm）；HTYG-S型水溶性重氮感光胶及HTYG-SM重氮光敏剂；上胶器长（29cm）；棕色瓶。
2．2配制感光胶
HTYG-S型水溶性生氮感光胶，在往网版上涂布前主尖先与HTYG-SM生氮光敏剂进行配制，其配方及操作工艺如下：
HTYG-S型水溶性重氮感光胶液：1000g
HTYG-SM重氮光敏剂：10g
蒸馏水（30~40度）：50毫升
用蒸馏水30毫升将10克光敏剂溶解，光敏剂充分溶解后用300目丝网过滤，用剩余的15毫升蒸馏水涮洗瓶子，合并后勤部将溶解好的光敏剂溶液倒入1000克HTYG-S型水溶性重氮感胶液中，用玻璃棒顺时针搅均匀，静止24小时，消除气泡后使用。
注：无蒸馏水可选取用水质好的软水。
2．3涂布感光胶时先把丝网框与水平面成85度角放好，用夹子固定住，再把感光胶倒进上胶器内，胶量占上胶器容积的2/3。端平上胶器，上胶器的口上必须存满胶液，靠紧丝网，当胶液液与丝网刚一接触，手就使上胶器自下而上移动、刮胶。
正、反面各均匀刮涂两遍。然后放进烘箱内烘干。
注：整流器个涂布过程在黄色灯光下进行。
三、涂布感光胶应注意的问题
1．在涂布感光胶时，上胶速度不要过慢，以免产生局部过厚，胶面不均。
2．涂胶时用力不要过大，因用力太大，会使网面胶膜太薄，减低耐印强度。
要制作一块优质量的丝印版，涂布感光胶时必须严格执行操作工艺，才能制作出优质的丝印版。
涂布机注意事项
涂布机的使用注意事项] 1.涂布机设备操作规程为确保安全生产，维持涂布机的正常运行，特制定本操作规程：开 机前准备1) 检查各电气开关，联线有无脱落或破损等异常现象。2) 按工艺片路要求在常温停机状态下穿好牵引带。3) 启动排风设备。4) 确认在涂布机房内无任何明火（如电炉等）。5) 涂布机控制柜和干燥箱体外壳必须可靠接地。开机程序1) 合上总电源开关及控制柜上电源开关。2) 在张力控制器上设定好初始值（一般为180～280）及分频数（通常为20～50）。3) 设定涂布工作方式和相关参数（涂布速度、段长、间隙长度、辊速比等），而后接通压缩空气（调节气动控制箱调压阀使气动压力在～之间）；4) 启动干燥风机和干燥温控仪。5) 接通自动纠偏和张力控制器电源。6) 设备各段温度均已达到工艺要求温度；7) 给涂布装置料斗加料，同时启动涂布机，进行涂布。关机程序1) 确认被涂布极片已卷绕完毕，而后停车。2) 关闭设备加热器电源，待各段温度降至60摄氏度以下时，停止干燥风机及其他风机；3) 停止压缩空气。 4) 断开纠偏柜和控制柜上的电源。注意事项1) 操作人员必须接受岗前培训并经考 核合格后方可上岗，并应严格遵守本操作规程。2) 除了必需的维护人员外，严禁非本岗位人员操作设备或改变设置参数。3) 辊速比建议设定在～范围内。4) 必须确认干燥风机已经启动后才能启动空气加热器。5) 调整涂布辊和背辊的间隙时应以涂布辊上的浆料刚好擦去而又不卡住背辊为原则，必须保证两辊的平行、间隙一致（必须有间隙）。6) 在重新设定参数后，一定要按置入按钮才能改变参数。7) 每班停机后须立即用酒精或丙酮清洗好料斗、刮刀、涂布辊及背辊等，表面不得有刮伤和损伤。8) 注意保持背辊气缸及直线滑轨的清洁及润滑。9) 机器轴承部位须定期加油润滑，减速箱须定期换油或补充。10) 运行过程中一旦发现问题必须即时记录并通知相关部门，以便及时处理。11) 时刻做好设备5S工作，维持设备及周边环境整洁。此份操作规程仅适用于ST350-Ⅲ型极片涂布机。2．涂布工序操作规程工艺要求：1) 第一涂布长度偏差≤1mm，涂布间隙偏差≤1mm。2) 第二面与第一面的最大错位≤0.5mm。3) 涂布单膜厚度最大偏差≤2um，双膜厚度最大偏差≤3um。4) 涂布单膜膜密度最大偏差≤3%，双膜膜密度最大偏差≤3%。5) 涂布拖尾最大误差≤1mm。6) 膜面应该平整，不能出
KrF光刻胶浸酸残留缺陷的机理研究及解决方案
KrF光刻胶浸酸残留缺陷的机理研究及解决方案 进入45/40nm技术节点以后，由于受到分辨率的限制，双栅极蚀刻光刻胶由之前通用的i-line （波长365nm）改成KrF（波长248nm）。另一方面，为减少栅极氧化层（Gate Oxide）去除后对硅表面的损伤，业界普遍将栅极氧化层湿法蚀刻药剂由蚀刻率较快的BOE （DHF+NH4F）改为DHF，导致蚀刻率极大的降低，从而导致湿法蚀刻工艺时间成几倍增加。而KrF光刻胶比起i-line光刻胶由于聚合物（polymer）等的不同而更容易被湿法药剂溶解剥落（melt and peeling），在长时间的DHF浸泡后极易形成脱落残留于尚未蚀刻完成的栅极氧化层的表面，从而导致栅极氧化层蚀刻不完全或极差的均匀性最终影响器件良率。 又由于目前业界栅极氧化层湿法蚀刻普遍采用在酸槽(wet bench)中的成套工艺，即在同一个酸槽设备里连续经过去氧化层，去光刻胶和去polymer的工艺流程，最后得到清洁的wafer表面，即使在中间过程(去氧化层)中出现光刻胶脱落残留而导致栅极氧化层蚀刻不完全或极差的均匀性，但由于栅极氧化层通常很薄(50～60A)不会形成色差，所以很难检查得到。
在栅极氧化层湿法蚀刻开发过程中，我们加入中间过程缺陷检测步骤，即在DHF去氧化层后的缺陷检测，结果发现大量的光刻胶脱落残留现象。 根据实验数据和材质特性，我们从不同层面进一步分析了产生光刻胶残留缺陷的机理。一方面是KrF光刻胶本身所具有的疏水性。光酸（PAG）在曝光的作用下产生助剂（Inhibitor），然后助剂经过烘焙产生可溶物最后被溶剂溶解，非曝光的部分也就是最终留下来的光刻胶将被当作湿法刻蚀的非蚀刻区阻挡层。最终这层作为阻挡层的KrF光刻胶含有甲基自由基等而形成疏水性。这种疏水性不利于被酸液浸泡后生成的光刻胶脱落残留的溶解。如前所述，KrF光刻胶比起i-line光刻胶由于聚合物等的不同而更容易被湿法药剂溶解剥落，在长时间的DHF浸泡后极易形成脱落残留于尚未蚀刻完成的栅极氧化层的表面。
光刻胶的发展及应用
Vo.l14,No.16精细与专用化学品第14卷第16期 F i n e and Specialty Che m ica ls2006年8月21日市场资讯 光刻胶的发展及应用 郑金红* (北京化学试剂研究所,北京100022) 摘 要:主要介绍了国内外光刻胶的发展历程及应用情况,分析了国内外光刻胶市场状况及未来走向,并在此基础上阐述了我国光刻胶今后的研发重点及未来的发展方向。 关键词:集成电路;光刻胶;感光剂 D evelop m ent T rends and M arket of Photoresist Z HENG J in hong (Be iji ng Instit u te o f Che m ica l R eagents,Be iji ng100022,Chi na) Abstrac t:The deve l op m ent course and app licati on o f photoresist i n Chi na and abroad we re i ntroduced.The m arket sta t us and head i ng d irec tion o f pho toresist in Ch i na and abroad w ere also analyzed.T he research f o cuses and deve l op m ent trends of pho t o res i st i n Ch i na w ere descri bed. K ey word s:i n teg ra ted c ircuit;photoresist;photosensiti zer 光刻胶(又称光致抗蚀剂)是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。主要用于集成电路和半导体分立器件的微细加工,同时在平板显示、LED、倒扣封装、磁头及精密传感器等制作过程中也有着广泛的应用。由于光刻胶具有光化学敏感性,可利用其进行光化学反应,将光刻胶涂覆半导体、导体和绝缘体上,经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用,然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工的衬底上。因此光刻胶是微细加工技术中的关键性化工材料。 现代微电子(集成电路)工业按照摩尔定律在不断发展,即集成电路(I C)的集成度每18个月翻一番;芯片的特征尺寸每3年缩小2倍,芯片面积增加1 5倍,芯片中的晶体管数增加约4倍,即每过3年便有一代新的集成电路产品问世。现在世界集成电路水平已由微米级(1 0 m)、亚微米级(1 0~0 35 m)、深亚微米级(0 35 m以下)进入到纳米级(90~65nm)阶段,对光刻胶分辨率等性能的要求不断提高。因为光刻胶的可分辨线宽 =k /NA,因此缩短曝光波长和提高透镜的开口数(NA)可提高光刻胶的分辨率。光刻技术随着集成电路的发展,也经历了从g线(436nm)光刻,i线(365nm)光刻,到深紫外248nm光刻,及目前的193nm光刻的发展历程,相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生。随着曝光波长变化,光刻胶的组成与结构也不断地变化,使光刻胶的综合性能满足集成工艺制程的要求。 表1为光刻技术与集成电路发展的关系,其中光刻技术的变更决定了光刻胶的发展趋势。 1 国外光刻胶发展历程及应用 光刻胶按曝光波长不同可分为紫外(300~ 450nm)光刻胶、深紫外(160~280n m)光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。根据曝 24 *收稿日期:2006 07 19 作者简介:郑金红(1967 ),女,北京化学试剂研究所有机室主任,教授级高工,主要从事微电子化学品光刻胶的研究工作。
国外光刻胶及助剂的发展趋势
应用科技 国外光刻胶及助剂的发展趋势 中国化工信息中心 王雪珍编译 光刻是半导体产业常用的工艺，借助光刻胶可将印在光掩膜上的图形结构转移到硅片表面上。光掩膜制备也是一个光刻过程，不过其所用化学品不同。 每一层集成电路芯片都需要不同图案的光掩膜。在一些高级的集成电路中，硅片经历了50多步非常精细的光刻工艺。在过去10年里，光刻费用飞速上涨，其中最重要的花费在半导体领域。光刻工艺花费了硅片生产大约35%的费用，一个典型的例子是，在一个价格在50万欧元（合65万美元）的90nm 的光掩膜技术中，其光刻机花费是1000万欧元（合 1300万美元）。而这个费用比例在以后的生产装置和工艺中 还将不断提高。 在半导体产业中，常用的光刻胶有正型光刻胶与负型光刻胶两种。正型光刻胶的销售额大概是负型光刻胶的100倍，这是因为正型光刻胶具有更高的分辨率，可以用于微小精细的电路，同时，正型光刻胶与等离子干法刻蚀技术的相容性也更好一些。 光刻胶根据其辐照源进行分类，对于光致抗蚀技术来说，集成电路的最小特征尺寸受光源波长所限。由于集成电路越来越小，因此新光源和光刻胶联合使用以达到这一目的。一项联合了曝光波长为248nm 和193nm 的技术可以得到高分辨率的图案，其结果甚至比90nm 曝光波长的技术要来得好一些。一些光学技术可以扩大这个范围，但是其最终限制条件是光的频率。 光刻胶技术和制造 光刻胶指光照后能具有抗蚀能力的高分子化合物，用于在半导体基件表面产生电路的形状。其配方通常是一个复杂的体系，主要包括感光物质（PAC ）、树脂和一些其他利于使用的材料如稳定剂、阻聚剂、粘度控制剂、染料、增塑剂和化学增溶剂等。 当光刻胶暴露在光源或者是紫外辐照源条件下时，其溶解度发生了改变：负型光刻蚀剂变为不溶，正型光刻胶变为可溶。大多数负型光刻蚀剂可以归为两种类型，一种是二元体系：大量的聚异戊二烯树脂和叠氮感光化合物；另外一种是一元体系：缩水甘油甲基丙烯酯和乙基丙烯酸酯的共聚物。前者是建立在酚醛树脂和重氮萘醌感光物质的基础之上的。使用248nm 曝光波长要求光刻胶使用乙酰氧基苯乙烯单体。通过4-乙酰氧基苯乙烯单体的自由基聚合，醋酸酯选择性地转换成酚醛，以及将其与其他反应性单体的化合，可以制备出许多用于远紫外光刻的聚合物。硅氧烷/硅倍半氧烷和碳氟化合物等材料在157nm 曝光波长时是相对透明的。 预计未来5年，使用聚羟基苯乙烯树脂的化学增幅抗蚀剂将成为主流。远紫外光刻胶也是基于聚甲基丙烯酸甲酯和氟化高分子或者是二者之一。 通常说来，感光化合物例如二芳基叠氮和重氮萘醌是易爆化学制品。所以，光刻胶的生产商一定要足够小心以防爆炸。目前用于负型光刻胶的有机溶剂和显影液对环境具有危害性，以致人们倾向于使用正型光刻胶。并且，其发展趋势是替换掉具有危害的溶剂，而选用对环境无污染的无毒产品。 在低密度远紫外辐照和其他替代i 线和g 线辐照源发展大趋势的刺激下，化学增幅抗蚀剂成为一个发展快速的热点领域。在化学增幅抗蚀剂领域，由于辐照源的匮乏，势必导致一种催化的东西产生，通常为中子源。在曝光的加热处理后，催化剂会引起树脂中组分发生复杂反应，这种反应将最终产生光刻图案。目前正型光刻胶体系和负型光刻胶体系都有了较好的发展。 集成电路 收稿日期：2009-04-23 作者简介：王雪珍（1983-），女，主要从事电子化学品、可降解塑料和食品添加剂的信息研究工作 。 12
中空玻璃胶常识和几个重点概念
中空玻璃密封胶常识和几个重点概念 Insulating glass sealant common sense and a few key concepts 中空玻璃由于其具有隔热、保温、隔音、防结露等特点，使其成为节能、环保产品越来越被人们所认可。目前中空玻璃生产中的胶接工艺大都采用二次密封技术。即第一道密封也就是内道密封，主要采用水气渗透率最低的丁基胶。用热熔打胶机涂于间隔框的两侧面，阻隔水气，干燥气体空腔，同时起到玻璃预定型作用;第二道密封也就是外道密封，主要有硅酮胶、聚硫胶、聚氨酯胶三类，国内常用的是前两类。外道密封不仅可将玻璃和间隔框粘结成一个整体，而且可以起弹性恢复并缓冲边部应力等辅助性作用。因此，中空玻璃系统的密封和结构的稳定是靠中空玻璃密封胶来实现的，其主要作用可归结为两方面: ●密封作用，即防止外界的水汽进入中空玻璃空气层内—主要由内道丁基胶起作用，而外道密封胶仅起辅助密封作用。 ●结构作用，即外界温度高低变化及高湿度和紫外线照射下仍能够保持中空玻璃的结构整体性—完全由热固性的外道密封胶起作用。 由于中空玻璃密封胶作为制作中空玻璃的关键材料--其质量的优劣将直接关系到中空玻璃的质量，所以，本文结合中空玻璃密封胶的标准，从实际应用中出发，介绍中空玻璃密封胶常识，并重点阐述了三个重要概念:浸水粘接性、耐老化性及相容性。旨在提高读者在使用中空玻璃密封胶时化解风险的能力。 1.中空玻璃用内道丁基胶常识 中空玻璃用内道丁基胶应符合JC/T914-2003《中空玻璃用丁基热熔密封胶》，具体要求见表一: 表一中空玻璃用丁基热熔密封胶的要求及判定规则
1 .1外观质量 从表一的判定规则可看出，该标准对内道丁基胶的外观质量要求非常的严格，不论胶的其它质量如何，只要目测内道丁基胶的外观，则可直接判定。但笔者对国内多个品牌内道丁基胶进行检测，发现其外观质量令人堪忧，目测丁基胶内或布满了明显的颗粒或拉扯时出现间断的不均匀的胶泥，完全不符合外观指标的第1条要求。使用这种劣质的丁基胶，是很难保证中空玻璃的气密性和丁基胶胶条在铝间隔条上徐布均匀性的。 1.2针入度 此项指标表征产品在室温的软硬程度和高温下的热熔性能及流变性能，用于检验产品
光刻胶前期调研报告
目录 目录 (1) 一、什么是光刻胶 (3) 二、光刻胶的分类 (3) 三、光刻胶的基本组成和技术参数 (3) 四、光刻胶的发展及应用 (6) 五、国内光刻胶的现状和应用 (8) 六、相关技术资料 (9) 1.液态光成像阻焊油墨（供借鉴） (9) 2.UV可剥性涂料（供借鉴） (9) 3.重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂正性光致抗蚀剂的制备与性质（供借鉴） (10) 4.一种新型I-线化学增幅型光致抗蚀剂材料的制备和性质（供借鉴） (10) 5.一种可以正负互用的水型化学增幅抗蚀剂的研究（供借鉴） (11) 6.酚醛感光材料的研究材料（供借鉴） (12) 7.鎓盐光产酸剂和增感染料的化学增幅型i-线正性光致抗蚀剂 (13) 8.LCD正型光致刻蚀剂感光树脂的研制 (13) 9.酚醛环氧丙烯酸光敏树脂的合成及应用 (14) 10.硫杂蒽酮衍生物对聚乙烯醇肉桂酸酯光增感作用的研究 (14) 七、市场上的产品介绍 (14) 1.北京恒业中远化工有限公司 (15) 聚乙烯醇肉桂酸酯类负型光致抗蚀剂 (15) 双叠氮-环化橡胶负性光致抗蚀剂（环化橡胶类负型光致抗蚀剂） (15) 聚乙二醇亚肉桂基丙二酸酯负型光刻胶 (15) 邻重氮萘醌类正型光刻胶 (15) 2.北京赛米莱德贸易有限公司 (16) 3.苏州瑞红电子化学品有限公司 (16) 4.苏州锐材半导体有限公司 (17) 5.国外G,H,I线光刻胶 (17) 6.瑞士SU-8光刻胶 (17) 八、信利具体的使用工艺参数及要求 (18)
九、初步方案(待深入分析) (18) 1.丙烯酸基光刻胶 (18) 2.聚乙烯醇肉桂酸酯类负型光致抗蚀剂 (18) 3.聚酯类类负性光刻胶 (19) 4.环化橡胶类负性光刻胶 (19) 5.邻重氮萘醌类正型光刻胶 (19)
光刻胶参数及光刻工艺
光刻胶参数及光刻工艺 1、正性光刻胶RZJ-304 ●规格 RZJ-304：25mpa·s，50mpa·s（粘稠度），配用显影液：RZX-3038 ●匀胶曲线 注：粉色为50cp，蓝色为25cp ●推荐工艺条件 ①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.0～3.5μm ②前烘：热板100℃×90sec ③曝光：50～75mj/cm2（计算方法:取能量60mj/cm2取光强400×102um/cm2，则60/40=1.5s） ④显影：23℃，RZX-3038，1min，喷淋或浸渍 ⑤清洗：去离子水30sec ⑤后烘：热板120℃×120sec
●规格 S1813，配用显影液为ZX-238 ●匀胶曲线 ●推荐工艺条件1（以具体工艺为参考） ①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.23um（1.1～1.9μm） ②前烘：热板115℃×60sec ③曝光：150mj/cm2 ④显影：21℃，ZX-238，65sec，喷淋或浸渍 ⑤清洗：去离子水30sec ⑥后烘：热板125℃×120sec
●规格 AZ-5214，配用显影液AZ-300 ●匀胶表格（单位：微米） ●推荐工艺条件1（以具体工艺为参考） ①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.47um（1.14～1.98μm） ②前烘：热板100℃×90sec ③曝光：240mj/cm2 ④后烘：115℃×120sec ⑤泛曝光：>200mj/cm2 ⑥显影：21℃，AZ-300，60sec，喷淋或浸渍 ⑦清洗：去离子水30sec ⑧坚膜：热板120℃×180sec 注意： 紧急救护措施（对于光刻胶） ①吸入：转移至空气新鲜处，必要时进行人工呼吸或就医。 ②皮肤接触：肥皂水清洗后自来水清洗。 ③眼睛接触：流动清水清洗15分钟以上，必要时就医。
光刻胶大全之令狐文艳创作
光刻胶产品前途无量（半导体技术天地） 令狐文艳 1 前言光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射，使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工，近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器（FPD）的制作。由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，经曝光、显影等过程，将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上，然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工，因此是电子信息产业中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工材料。作为经曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC，经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。 2 国外情况随着电子器件不断向高集成化和高速化方向发展，对微细图形加工技术的要求越来越高，为了适应亚微米微细图形加工的要求，国外先后开发了g线（436nm）、i线（365nm）、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X射线、离子束抗蚀
剂等一系列新型光刻胶。这些品种较有代表性的负性胶如美国柯达（Kodak）公司的KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等；联合碳化学（UCC）公司的KTI系列；日本东京应化（Tok）公司的TPR、SVR、OSR、OMR；合成橡胶（JSR）公司的CIR、CBR系列；瑞翁（Zeon）公司的ZPN 系列；德国依默克（E.Merk）公司的Solect等。正性胶如：美国西帕来（Shipely）公司的AZ系列、DuPont公司的Waycot系列、日本合成橡胶公司的PFR等等。2000~2001年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额公司2001年收益2001年市场份额（%）2000年收益2000年市场份额（%）Tokyo Ohka Kogyo 150.1 22.6 216.5 25.2 Shipley 139.2 21.0 174.6 20.3 JSR 117.6 17.7 138.4 16.1 Shin-Etsu Chemical 70.1 10.6 74.2 8.6 Arch Chemicals 63.7 9.6 84.1 9.8 其他122.2 18.5 171.6 20.0 总计662.9 100.0 859.4 100.0
职场沟通技巧培训总结
职场沟通技巧培训总结 真实而复杂的职场，我们需要学习职场沟通技巧保身，学习更多的沟通技巧，以下是为你介绍的职场沟通技巧培训总结，欢迎阅读以及浏览！ 职场沟通技巧培训总结1 通过这次公司组织《职场沟通技能》的学习，我最大的心得体会就是：会听比会说重要!就是要学会聆听，学习不再打断别人说话，让别人把想说的话说完了，再表达自己的想法。 在公司里，我们经常听到大家都在抱怨，或者我们自己也参与其中。比如开个会什么的，总是不自觉地去打断，或者思想走神，根本没有深刻理解领导的意思，结果做了很多无用功，又去不停地与领导沟通，解释自己的意思，其实都是因为自己首先没有听明白领导的意思，才有后来的沟通不畅。这种情况，在职场中很常见，很多人都会觉得沟通是一件很难的事情。随着工作频率的加快或者年龄的增长，我们不再愿意接收太多不需要的信息，总是显得行色匆匆，好像因为太忙，就连说话都变得简短。所以说，与领导建立良好的沟通关系是职场中人应该具备的基本人际关系中很重要的一个方面。 很长一段时间，“说”成为我们更多人选择的沟通方式。在吵架的时候，我们放任心情地说，表达自己的愤怒;别人对自己不理解的时候，我们是在绞尽脑汁地为自己辩说;想
对父母尽孝心的时候，我们把自己的心意说给父母听。更多的人愿意用“说”作为唯一的沟通方式，因为它更快、更直接，但大家却遗忘了“只有会听的人才会说”这句老话。 听比说做起来更需要毅力和耐心，但只有听懂别人表达的意思的人才能沟通得更好，事情才能解决得更圆满。沟通就好像一条水渠，首先是要两头通畅，那就是指我们要打开我们的耳朵，倾听别人的话。关上耳朵，张开嘴巴的谈话，不能算是沟通。倾听是说的前提，先听懂别人的意思了，再说岀自己的想法和观点，才能更有效地沟通。 多听，有时候也是一种积累，听别人谈成功，说失败，那就是在为自己将来储蓄财富。听和说是不能分开的两个环节，只听不说的人不能成功，只说不听的人也不能成功。在工作中每个人都需要和别人沟通，但是听的多还是说的多，就要看我们拥有怎样的态度。 适应职场生态环境，让我们成为最受欢迎的人是沟通中的最高境界。那就让我们做一个先听后说的人，这样会让沟通更顺利。 职场沟通技巧培训总结2 有效沟通技能的心得体会是我们自职场上要进行反思总结的，所以说我们在进行有效沟通技能学习的时候也一定要严格要求自己。有效沟通技能的心得体会就是我们立足职场的重要保障。 通过这次公司组织《职场沟通技能》的学习，我最大的
中空玻璃生产流程及所需要设备
鲁艺技术部介绍中空玻璃生产流程及所需要设备： 中空玻璃的应用逐步广泛，很多人对中空玻璃生产工艺流程不太了解，下面鲁艺技术部人员为我们简单介绍一下工艺流程及各流程需要用到的设备。 一、单片玻璃 1.玻璃切割设备 玻璃的切割设备应将所用玻璃按其尺寸、形状进行切割成形。玻璃的切割精度和边部质量必须达到标准和合同规定的要求，切割设备可以是切割尺、切割样板、切割机。 2.玻璃磨边设备 玻璃磨边设备应能将玻璃切割后产生的锋利边沿和微裂纹磨削，并保证玻璃尺寸和边部质量符合标准。 3.玻璃清洗干燥设备 玻璃的清洗机应能保证玻璃的表面和周边被清洗干净并使玻璃表面被干燥，经洗涤后的玻璃表面不允许产生划伤、破痕、水渍等缺陷。清洗机可以水平放置，也可以是立式清洗机。 二、涂丁基胶 4.丁基胶涂布机 丁基胶涂布机应能保证出胶均匀，不漏胶、不断胶，能使挤出的丁基胶条均匀涂布在间隔条上。 三、上胶条
5.铝条切割设备 铝条切割设备应能保证铝条切割后，切口平滑、无毛刺、不变形。 6.分子筛灌装设备 分子筛在使用时必须相对密封。灌注分子筛的成框必须在45分钟内合片使用。分子筛灌装设备应能顺利将分子筛灌入铝条内部，并能保证分子筛的密封要求； 四、合片阶段 7.合片设备 中空玻璃生产线合片设备应满足以下要求： (1)应能保证丁基胶或其他形式的间隔条与玻璃均匀、紧密粘结； (2)应能将玻璃、间隔框（条）准确定位； (3)合片压力应均匀作用在玻璃板面上； 五、涂密封胶 8.二道密封胶打胶设备 双组份密封胶打胶机应能保证按要求的混合比例稳定可调、充分均匀混合；单组份打胶机出胶应均匀；胶枪易清洗、存放。涂胶后的中空玻璃，应逐片隔开静置固化，固化后才能包装、搬运。 9.复合胶条热压设备 复合胶条热压设备应能按要求进行加热，温度、传输速度、压合厚度可调。复合胶条中空玻璃热压后的封口必须紧密粘接，不得留有气泡和气道。
光刻胶
````4、光刻胶 光刻胶主要由树脂（Resｉn)、感光剂(Ｓｅnsｉｔizｅｒ）、溶剂（Solveｎｔ)及添加剂（Aｄdｉtiｖｅ)等不同得材料按一定比例配制而成。其中树脂就是粘合剂（Biｎder），感光剂就是一种光活性（Ｐｈotｏactivity）极强得化合物，它在光刻胶内得含量与树脂相当,两者同时溶解在溶剂中,以液态形式保存,以便于使用. 4、1 光刻胶得分类 ⑴负胶 1.特点 ·曝光部分会产生交联（Cross Lｉｎｋｉng)，使其结构加强而不溶于现像 液； ·而未曝光部分溶于现像液; ·经曝光、现像时,会有膨润现像，导致图形转移不良，故负胶一般不用于 特征尺寸小于３um得制作中。 2.分类(按感光性树脂得化学结构分类） 常用得负胶主要有以下两类: ·聚肉桂酸酯类光刻胶 这类光刻胶得特点,就是在感光性树脂分子得侧链上带有肉桂酸基感光性官 能团.如聚乙烯醇肉桂酸酯（KＰR胶）、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯（OSR胶)等。 ·聚烃类—双叠氮类光刻胶 这种光刻胶又叫环化橡胶系光刻胶。它由聚烃类树脂（主要就是环化橡 胶）、 双叠氮型交联剂、增感剂与溶剂配制而成。
3.感光机理 ①肉桂酸酯类光刻胶 KPR胶与OSR胶得感光性树脂分子结构如下： 在紫外线作用下，它们侧链上得肉桂酰官能团里得炭－炭双键发生二聚反应,引起聚合物分子间得交联，转变为不溶于现像液得物质。KPR胶得光化学交联反应式如下:
这类光刻胶中得高分子聚合物,不仅能在紫外线作用下发生交联，而且在一定温度以上也会发生交联，从而在现像时留下底膜,所以要严格控制前烘得温度与时间. ②聚烃类—双叠氮类光刻胶 这类光刻胶得光化学反应机理与前者不同，在紫外线作用下,环化橡胶分子中双键本身不能交联，必须有作为交联剂得双叠氮化合物参加才能发生交联反应.交联剂在紫外线作用下产生双自由基，它与聚烃类树脂相作用,在聚合物分子之间形成桥键，变为三维结构得不溶性物质。其光化学反应工程如下： 首先,双叠氮交联剂按以下方式进行光化学分解反应: 双叠氮交联剂分解后生成得双氮烯自由基极易与环化橡胶分子发生双键交联(加成）与炭氢取代反应，机理如下：
光刻胶步骤
1、硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking）方法：湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板150～250C,1～2分钟，氮气保护）目的：a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；b、除去水蒸气，是基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。 2、涂底（Priming）方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积，200～250C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS 用量大。目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。 3、旋转涂胶（Spin-on PR Coating）方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）；b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄；影响光刻胶均匀性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时间点有关。一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率）：I-line最厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～0.5μm。 4、软烘（Soft Baking）方法：真空热板，85～120C,30～60秒；目的：除去溶剂（4～7%）；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶玷污设备； 5、边缘光刻胶的去除（EBR，Edge Bead Removal）。光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。所以需要去除。方法：a、化学的方法（Chemical EBR）。软烘后，用PGMEA或EGMEA 去边溶剂，喷出少量在正反面边缘出，并小心控制不要到达光刻胶有效区域；b、光学方法（Optical EBR）。即硅片边缘曝光（WEE，Wafer Edge Exposure）。在完成图形的曝光后，用激光曝光硅片边缘，然后在显影或特殊溶剂中溶解； 6、对准（Alignment）对准方法：a、预对准，通过硅片上的notch或者flat 进行激光自动对准；b、通过对准标志（Align Mark），位于切割槽（Scribe Line）上。另外层间对准，即套刻精度（Overlay），保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。 7、曝光（Exposure）曝光中最重要的两个参数是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距调整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。曝光方法： a、接触式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。缺点：光刻胶污染掩膜板；掩膜板的磨损，寿命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。 b、接近式曝光（Proximity Printing）。掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。可以避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤。但是同时引入了衍射效应，降低了分辨率。1970后适用，但是其最大分辨率仅为2～4μm。 c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影响减小。投影式曝光分类：扫描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工艺；掩膜板1：1，全尺寸；步进重复投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或称作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm （DUV）。掩膜板缩小比例（4：1），曝光区域（Exposure Field）22×22mm（一
刮刀式涂布机说明书
版本 12/2009 操作手册
?目录 一、概述 (1) 二、技术参数 (2) 三、设备原理及特点 (3) 四、机器安装 (4) 五、设备调试与操作 (5) 六、设备保养维护 (6) 七、随机备件清单....................................................-6 - 未经书面许可，不得翻印、传播、或使用本手册及其相关内容，违者将会对所造成的损害承担法律责任。 本公司不承担的义务 本手册中可能对机器内部的一些电子器件的某些功能并么有加以说明，在心的控制装置或进行服务时，不能因为本单位提供了这些功能而承担任何责任。公司保留不预先通知而修改本手册的权利。
一、概述 感谢贵公司选择本公司的产品，我们不仅给你提供品质优良的产品，而且将提供可靠的售后服务。 实验室涂布机是近些年来发展起来的一种新兴实验室仪器，它是电气控制和机械有机结合的成功创新，在涂布生产领域中它可大量节省原料，改进生产工艺技术；关键是在实验的基础上极大程度上提高了涂布的重现性。 过去一般涂布实验中大多采用手工涂布，涂布不均匀，且总体效果差。为解决这些问题实验室涂布机孕育而生，它的出现可谓是为蓬勃发展的涂布行业锦上添花。 实验室涂布机的作用是方便实验人员在不同的底材上精确的涂布，减小以及消除了由于涂布速度以及压力不同等人为因素造成的误差。 它主要用于胶类、纸类、薄膜类生产实验，也可用于其它相关的涂布，涂装行业。 -1-
二、技术参数 主要材质：不锈钢 机器尺寸(长*宽*高)：560*350*150mm 涂布速度：0---180厘米/分 涂布区域：30厘米宽，32厘米长 刮刀规格：10微米-3毫米，有效涂布30厘米主机使用电源：220V/50Hz 主机功率：6W 重量：20KG -2-
半导体工艺主要设备大全
清洗机超音波清洗机是现代工厂工业零件表面清洗的新技术,目前已广泛应用于半导体硅 片的清洗。超声波清洗机“声音也可以清洗污垢”——超声波清洗机又名超声波清洗器，以其洁净的清洗效果给清洗界带来了一股强劲的清洗风暴。超声波清洗机（超声波清洗器）利用空化效应，短时间内将传统清洗方式难以洗到的狭缝、空隙、盲孔彻底清洗干净，超声波清洗机对清洗器件的养护，提高寿命起到了重要作用。CSQ 系列超声波清洗机采用内置式加热系统、温控系统，有效提高了清洗效率；设置时间控制装置，清洗方便；具有频率自动跟踪功能，清洗效果稳定；多种机型、结构设计，适应不同清洗要求。CSQ 系列超声波清洗机适用于珠宝首饰、眼镜、钟表零部件、汽车零部件，医疗设备、精密偶件、化纤行业（喷丝板过滤芯）等的清洗；对除油、除锈、除研磨膏、除焊渣、除蜡，涂装前、电镀前的清洗有传统清洗方式难以达到的效果。恒威公司生产CSQ 系列超声波清洗机具有以下特点：不锈钢加强结构，耐酸耐碱；特种胶工艺连接，运行安全；使用IGBT 模块，性能稳定；专业电源设计，性价比高。反渗透纯水机去离子水生产设备之一，通过反渗透原理来实现净水。 纯水机清洗半导体硅片用的去离子水生产设备，去离子水有毒，不可食用。 净化设备主要产品：水处理设备、灌装设备、空气净化设备、净化工程、反渗透、超滤、电渗析设备、EDI 装置、离子交换设备、机械过滤器、精密过滤器、UV 紫外线杀菌器、臭氧发生器、装配式洁净室、空气吹淋室、传递窗、工作台、高校送风口、空气自净室、亚高、高效过滤器等及各种配件。 风淋室：运用国外先进技术和进口电器控制系统, 组装成的一种使用新型的自动吹淋室.它广 泛用于微电子医院制药生化制品食品卫生精细化工精密机械和航空航天等生产和科研单位,用于吹除进入洁净室的人体和携带物品的表面附着的尘埃,同时风淋室也起气的作用 防止未净化的空气进入洁净区域,是进行人体净化和防止室外空气污染洁净的有效设备. 抛光机整个系统是由一个旋转的硅片夹持器、承载抛光垫的工作台和抛光浆料供给装置三大部分组成。化学机械抛光时，旋转的工件以一定的压力压在旋转的抛光垫上，而由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液在工件与抛光垫之间流动，并产生化学反应，工件表面形成的化学反应物由磨粒的机械作用去除，即在化学成膜和机械去膜的交替过程中实现超精密表面加工，人们称这种CMP 为游离磨料CMP 。 电解抛光电化学抛光是利用金属电化学阳极溶解原理进行修磨抛光。将电化学预抛光和机械精抛光有机的结合在一起，发挥了电化学和机构两类抛光特长。它不受材料硬度和韧性的限制，可抛光各种复杂形状的工件。其方法与电解磨削类似。导电抛光工具使用金钢石导电锉或石墨油石，接到电源的阴极，被抛光的工件（如模具）接到电源的阳极。 光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发 单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。②光分解型，采用含有叠氮醌类化合
职业化沟通技巧
职业化沟通的技巧 什么是沟通？ 在管理人的过程中，需要借助沟通的技巧，化解不同的见解与意见，建立共识。当共识产生后，事业的魅力自然才会展现良好的沟通能力与人际关系的培养，并非全是与生俱来的。在经营“人”的事业中，我们绝对有机会学习沟通技巧，因此要把握任何一次学习的机会。一个人的成功，20％靠专业知识，40％靠人际关系，另外40％需要观察力的帮助。以下提供五个职业化沟通的行为法则： 一、自信的态度 一般经营事业相当成功的人士，他们不随波逐流或唯唯诺诺，有自己的想法与作风，但却很少对别人吼叫、谩骂，甚至连争辩都极为罕见。他们对自己了解相当清楚，并且肯定自己，他们的共同点是自信，日子过得很开心，有自信的人常常是最会沟通的人。 二、体谅他人的行为 这其中包含“体谅对方”与“表达自我"两方面。所谓体谅是指设身处地为别人着想，并且体会对方的感受与需要。在经营”人“的事业过程中，当我们想对他人表示体谅与关心，惟有我们自己设身处地为对方着想。由于我们的了解与尊重，对方也相对体谅你的立场与好意，因而做出积极而合适的回应。 三、适当地提示对方 产生矛盾与误会的原因，如果出自于对方的健忘，我们的提示正可使对方信守承诺；反之若是对方有意食言，提示就代表我们并未忘记事情，并且希望对方信守诺言。
四、有效地直接告诉对方 一位知名的谈判专家分享他成功的谈判经验时说道：“我在各个国际商谈场合中，时常会以‘我觉得"（说出自己的感受）、’我希望"（说出自己的要求或期望）为开端，结果常会令人极为满意。”其实，这种行为就是直言无讳地告诉对方我们的要求与感受，若能有效地直接告诉你所想要表达的对象，将会有效帮助我们建立良好的人际网络。但要切记“三不谈"：时间不恰当不谈；气氛不恰当不谈；对象不恰当不谈。 五、善用询问与倾听 询问与倾听的行为，是用来控制自己，让自己不要为了维护权力而侵犯他人。尤其是在对方行为退缩，默不作声或欲言又止的时候，可用询问行为引出对方真正的想法，了解对方的立场以及对方的需求、愿望、意见与感受，并且运用积极倾听的方式，来诱导对方发表意见，进而对自己产生好感。一位优秀的沟通好手，绝对善于询问以及积极倾听他人的意见与感受。 一个人的成功，20％靠专业知识，40％靠人际关系，另外40％需要观察力的帮助，因此为了提升我们个人的竞争力，获得成功，就必须不断地运用有效的沟通方式和技巧，随时有效地与“人"接触沟通，只有这样，才有可能使你事业成功。 如何与不同性格的人沟通? 简单的讲就是：面对什么样的人，讲什么样话。 现在我把人的性格分为以下九种： 第一型：完美型完美主义者； 第二型：全爱型、助人型给予者；
涂布机讲义
涂布机知识讲义 锂离子动力电池是 20 世纪开发成功的新型高能电池。70 年代进入实用化。因其具有能量高、电池电压高、工作温度围宽、贮存寿命长等优点，已广泛应用于军事和民用小型电器中，如移动、便携式计算机、摄像机、照相机等、部分代替了传统电池。大容量锂离子电池已在电动汽车中试用，将成为 21 世纪电动汽车的主要动力电源之一，并将在人造卫星、航空航天和储能方面得到应用。 随着二十世纪微电子技术的发展，小型化的设备日益增多，对电源提出了很高的要求。锂离子动力电池随之进入了大规模的生产实用阶段。然而涂布机在锂离子动力电池的电芯制程中是非常关序。 涂布机的工艺流程：安放在放卷装置上的极片基材经过辊牵出，经自动纠偏后进入浮辊力系统，调整放卷力后进入涂布头，极片浆料按涂布系统的设定程序进行涂布。涂后的湿极片进入烘箱由热风进行干燥，干燥后的极片经力系统调整力，同时控制收卷速度，使它与涂布速度同步，极片经纠偏系统自动纠偏使基材保持在中心位置，由收卷装置进行整齐收卷。 极片涂布的一般工艺流程如下： 放卷→接片→牵引→力控制→自动纠偏→涂布→干燥→自动纠偏→力控制→自动纠偏→收卷 涂布基片(金属箔)由放卷装置放出供入涂布机。基片的首尾在接片台连接成连续带后 由牵引装置送入力调整装置和自动纠偏装置，经过调整片路力和片路位置后进入涂布装置。极片浆料在涂布装置按预定涂布量和空白长度分段进行涂布。在双面涂布时，自动跟踪第一面涂布和空白长度进行涂布。涂布后的湿极片送入干燥系统进行干燥，干燥温度根据涂布速度和涂层厚度设定。干燥后的极片经力调整和自动纠偏后进行收卷，供下一步工序进行加工。 涂布机的关键是要稳定，一个参数调整好以后可能要持续一整天，如果在涂布过程中有什么变数这对电池性能的影响就大了。虽然涂布机的稳定性很重要，但是操作工的掌握熟练程度也是尤为关键的。一个优秀的操作工不但会操作设备，懂得如何对设备进行维护
光刻胶知识简介
光刻胶知识简介 光刻胶知识简介: 一.光刻胶的定义(photoresist) 又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。 二.光刻胶的分类 光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。 基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。 ①光聚合型 采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。 ②光分解型 采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶. ③光交联型 采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。 三.光刻胶的化学性质 a、传统光刻胶：正胶和负胶。 光刻胶的组成：树脂（resin/polymer），光刻胶中不同材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质（如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等）；感光剂，感光剂对光能发生光化学反应；溶剂（Solvent），保持光刻胶的液体状态，使之具有良好的流动性；添加剂（Additive），用以改变光刻胶的某些特性，如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。 负性光刻胶。树脂是聚异戊二烯，一种天然的橡胶；溶剂是二甲苯；感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂，产生的自由基在橡胶分子间形成交联。从而变得不溶于显影液。负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨；曝光时光刻胶容易与氮气反应而抑制交联。 正性光刻胶。树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中；感光剂是光敏化合物（PAC，Photo Active Compound），最常见的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ是一种强烈的溶解抑制剂，降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ在光刻胶中化学分解，成为溶解度增强剂，大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸，它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率。