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2N3904三极管规格书

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

2N3904

TRANSISTOR (NPN)

FEATURE z NPN silicon epitaxial planar transistor for switching and Amplifier applications z As complementary type, the PNP transistor 2N3906 is Recommended

z This transistor is also available in the SOT-23 case with

the type designation MMBT3904

MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol Test conditions

M in

T yp M ax U nit

Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =10μA, I E =

0 60 V

Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C = 1mA , I B =0 40 V

Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E = 10μA, I C =

0 6 V

Collector cut-off current I CBO V CB =60V, I E =0 0.1 μA

Collector cut-off current I CEO V CE = 40V, I B =

0 0.1 μA

Emitter cut-off current I EBO V EB = 5V, I C =

0 0.1 μA

h FE1 V CE =1V, I C =10mA 100 400

h FE2 V CE =1V, I C =50mA 60

DC current gain

h FE3

V CE =1V, I C =100mA 30

Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =50mA, I B =

5mA 0.3 V

Base-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =50mA, I B =

5mA 0.95V Transition frequency f T

V CE =20V,I C =10mA,f =

100MHz 300

MH Z

Delay Time t d 35 ns Rise Time t r V CC =3V,V BE =0.5V, I C =10mA,I B1=1mA 35 ns

Storage Time t s 200 ns Fall Time

t f

V CC =3V, I C =10mA

I B1=I B2=1mA

50 ns

CLASSIFICATION OF h FE1

Rank O Y G

Range

100-200 200-300 300-400

TO-92

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

https://www.wendangku.net/doc/483108285.html,

【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

0100

200

300

400

500

600

700

100

1000

10100

1000

0.11

T R A N S I T I O N F R E Q U E N C Y f T (M H z )

COLLECTOR CURRENT I C (mA)C O L L E C T O R P O W E R D I S S I P A T I O N P c (m W )

AMBIENT TEMPERATURE T a ()

℃3000

V —— I I V ——COLLECTOR CURRENT I C (mA)

B A S E -E M I T T E R S A T U R A T I O N V O L T A G E V B E s a t (m V )

300

COLLECTOR CURRENT I C

(mA)

D C C U R R

E N T G A I N h

F E

2N3904

Typical Characteristics

C O L L E C T O R -E M I T T E R S A T U R A T I O N

V O L T A G E V C E s a t (m V )

COLLECTOR CURRENT I c (mA)

V I ——V / V C / C ——

C O L L C E T O R C U R R E N T I C (m A )

BASE-EMMITER VOLTAGE V BE (V)

I h ——

C O L L E C T O R C U R R E N T I C (m A )

COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V CE (V)

C A P A C I T A N C E C (p F )

REVERSE BIAS VOLTAGE V (V)

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9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的参数及区别

9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的参数及区别 9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80 9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-90 9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-110 8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100 8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140 详情如下： 90系列三极管参数 90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。 9011 结构：NPN 集电极-发射极电压 30V 集电极-基电压 50V 射极-基极电压 5V 集电极电流 0.03A 耗散功率 0.4W 结温150℃ 特怔频率平均 370MHZ 放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9012 结构：PNP 集电极-发射极电压 -30V 集电极-基电压 -40V 射极-基极电压 -5V 集电极电流 0.5A 耗散功率 0.625W 结温150℃ 特怔频率最小 150MHZ 放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN 集电极-发射极电压 25V 集电极-基电压 45V 射极-基极电压 5V 集电极电流 0.5A 耗散功率 0.625W 结温150℃ 特怔频率最小 150MHZ 放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9014 结构：NPN

全系列三极管应用参数代换大全

名称封装极性用途耐压电流功率频率配对管 9012 贴片PNP低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 9012 21 PNP低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A0.625W 9012 9013 贴片NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP低噪放大50V 0.1A0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP高频放大40V 1.5A1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 3DA87A 6 NPN 视频放大100V 0.1A1W 3DG6B 6 NPN 通用20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通用25V 0.02A 0.1W 250MHZ 3DG6D 6 NPN 通用30V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DK2B 7 NPN 开关30V 0.03A 0.2W 3DD15D 12 NPN 电源开关300V 5A 50W 3DD102C 12 NPN 电源开关300V 5A 50W 3522V 5V稳压管 5609 21 NPN 音频低频放大50V 0.8A 0.625W 5610 5610 21 PNP音频低频放大50V 0.8A 0.625W 5610 60MIAL1 电磁／微波炉1000V 60A 300W 9626 21 NPN 通用 MPSA42 21E NPN 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA92 MPSA92 21E PNP 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA42 MPS2222A 21 NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ A634 28E PNP 音频功放开关40V 2A 10W A708 6 PNP 音频开关80V 0.7A 0.8W A715C 29 PNP 音频功放开关35V 2.5A 10W 160MHZ A733 21 PNP 通用50V 0.1A180MHZ

全系列常用三极管型号参数资料(精)

全系列常用三极管型号参数资料编者按：这些虽不能涵盖所有的三极管型号，例如3DD系列等，但是都是极其常用的型号，例如901系列，简直是无所不在。在网上查的电子元件手册都是卖书的广告，找到点参数型号确实不易。名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013

2SC2983三极管规格书

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SC2983 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z High Transition Frequency MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =1mA,I E =0 160 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO * I C =10mA,I B = 0 160 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =1mA,I C = 0 5 V Collector cut-off current I CBO V CB =160V,I E = 0 1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =5V,I C = 0 1 μA DC current gain h FE V CE =5V, I C = 100mA 70 240 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =500mA,I B =50mA 1.5 V Base-emitter voltage V BE V CE =5V, I C = 500mA 1 V Collector output capacitance C ob V CB =10V,I E =0, f=1MHz 25 pF Transition frequency f T V CE =10V,I C =100mA, 100 MHz *Pulse test CLASSIFICATION OF h FE RANK O Y RANGE 70-140 120-240 Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage 160 V V CEO Collector-Emitter Voltage 160 V V EBO Emitter-Base Voltage 5 V I C Collector Current 1.5 A P C Collector Power Dissipation 1 W R θJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 125 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55~+150 ℃ B,Aug,2012 https://www.wendangku.net/doc/483108285.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

全系列三极管应用参数

8550 21 PNP 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用 60V 0.8A 0.5W 25/200NS 2N2369 4A NPN 开关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用 60V 0.6A 0.4W 26/70NS 2N3055 12 NPN 功率放大 100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开 450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放 160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用 60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用 40V 0.2A 2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 放 100V 2A 2W

2N5401 21 PNP 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放 60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开 180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放 650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 3DA87A 6 NPN 视频放大 100V 0.1A 1W 3DG6B 6 NPN 通用 20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通

全系列三极管应用参数--2档

全系列三极管应用参数—2 全系列三极管应用参数名称封装极性功耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放 100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用 60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用 60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大 100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开 450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放 160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用 60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用 40V 0.2A 2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁 NPN 音频功放 100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放 60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开 180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放 650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 3DA87A 6 NPN 视频放大 100V 0.1A 1W 3DG6B 6 NPN 通用 20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通用 25V 0.02A 0.1W 250MHZ 3DG6D 6 NPN 通用 30V 0.02A 0.1W 150MHZ MPSA42 21E NPN 电话视频 300V 0.5A 0.625W MPSA92 MPSA92 21E PNP 电话视频 300V 0.5A 0.625W MPSA42 MPS2222A 21 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 9013 贴片 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 3DK2B 7 NPN 开关 30V 0.03A 0.2W 3DD15D 12 NPN 电源开关 300V 5A 50W 3DD102C 12 NPN 电源开关 300V 5A 50W 3522V 5V稳压管 A634 28E PNP 音频功放 40V 2A 10W A708 6 PNP 音频开关 80V 0.7A 0.8W

三极管S8050&S8550的使用

8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。在有些电路里对S8050 的放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。 8050为NPN型三极管 8550为PNP型三极管 S8050 S8550 参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 集电极-发射极饱和电压 0.6V 特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB 按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350 8050S 8550S 参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A 集电极--基极电压30V 集电极--发射极击穿电压25V 集电极-发射极饱和电压 0.5V 特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB 按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350 关于C8050 C8550 参数：耗散功率1W 集电极电流1.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ 放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 关于8050SS 8550SS 参数：耗散功率?: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 集电极电流1.5A

三极管选型表

全系列三极管应用参数名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 3DA87A 6 NPN 视频放大100V 0.1A 1W 3DG6B 6 NPN 通用20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通用25V 0.02A 0.1W 250MHZ 3DG6D 6 NPN 通用30V 0.02A 0.1W 150MHZ MPSA42 21E NPN 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA92 MPSA92 21E PNP 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA42 MPS2222A 21 NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 9013 贴片NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 3DK2B 7 NPN 开关30V 0.03A 0.2W 3DD15D 12 NPN 电源开关300V 5A 50W 3DD102C 12 NPN 电源开关300V 5A 50W 3522V 5V稳压管 A634 28E PNP 音频功放开关40V 2A 10W A708 6 PNP 音频开关80V 0.7A 0.8W A715C 29 PNP 音频功放开关35V 2.5A 10W 160MHZ A733 21 PNP 通用50V 0.1A 180MHZ A741 4 PNP 开关20V 0.1A 70／120NS A781 39B PNP 开关20V 0.2A 80／160NS

三极管8050和8550对管的参数

三极管8050和8550对管的参数图１8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列图２8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列 8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。 8050S 8550S S8050 S8550 参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350

C8050 C8550 参数：耗散功率1W 集电极电流1.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ 放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 8050SS 8550SS 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 集电极电流1.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小100MHZ 放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种 SS8050 SS8550 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 集电极电流1.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小100MHZ 放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 引脚排列多为EBC UTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC 8050S 8550S 引脚排列有ECB 这种管子很少见参数：耗散功率1W 集电极电流0.7A 集电极--基极电压30V 集电极--发射极击穿电压20V 特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档 C：120-200 D：160-300 E：280-400

全系列三极管应用参数及代换

A1941 BCE PNP 音频功放形状140V 10A 100W C5198 C5198 BCE NPN 音频功放形状140V 10A 100W A1941 A1943 BCE PNP 功放开关230V 15AA 150W C5200 C5200 BCE NPN 功放开关230V 15A 150W A1943 A1988 BCE PNP 功放开关 B449 锗管12 PNP 功放开关50V 3.5A 22.5W B647 21 PNP 通用120V 1A 0.9W 140MHZ D667 D667 21 NPN 通用120V 1A 0.9W 140MHZ B649 B1375 BCE PNP 音频功放60V 3A 2W 9MHZ D40C BCE NPN 对讲机用 40V 0.5A 40W 75MH B688 BCE PNP 音频功放开关120V 8A 80W D718 B734 39B PNP 通用60V 1A 1W D774 B649 29 PNP 视放180V 1.5A 20W D669 D669 29 NPN 视频放大180V 1.5A 20W 140MHZ B649 B669 28 PNP 达林顿功放70V 4A 40W B675 28 PNP 达林顿功放60V 7A 40W B673 28 PNP 达林顿功放100V 7A 40W B631K 29 PNP 音频功放开关120V 1A 8W 130MHZ D600K D600K 29 NPN 音频功放开关120V 1A 8W 130MHZ B631K

C3783 BCE NPN 高压高速开关900V 5A 100W B1400 28B PNP 达林顿功放120V 6A 25W D1590 B744 29 PNP 音频功放开关70V 3A 10W B1020 28 PNP 功放开关100V 7A 40W B1240 39B PNP 功放开关40V 2A 1W 100MHZ B1185 28B PNP 功放开关60V 3A 25W 70MHZ D1762 B1079 30 PNP 达林顿功放100V 20A 100W D1559 B772 29 PNP 音频功放开关40V 3A 10W D882 B774 21 PNP 通用30V 0.1A 0.25W B817 30 PNP 音频功放形状160V 12A 100W D1047 B834 28 PNP 功放开关60V 3A 30W B1316 54B PNP 达林顿功放100V 2A 10W B1317 BCE PNP 音频功放180V 15A 150W D1975 B1494 BCE PNP 达林顿功放120V 20A 120W D2256 B1429 BCE PNP 功放开关180V 15A 150W C380 21 NPN 高频放大35V 0.03A 250MHZ C458 21 NPN 通用30V 0.1A 230MHZ C536 21 NPN 通用40V 0.1A 180MHZ 2N6609 12 PNP 音频功放开关160V 15A 150W ＞2MHZ 2N3773 C3795 BCE NPN 高压高速开关900V 5A 40W C2458 21ECB NPN 通用低噪50V 0.15A 0.2W C3030 BCE NPN 开关管900V 7A 80W. 达林顿 C3807 BCE NPN 低噪放大30V 2A 1.2W 260MHZ C3858 BCE NPN 功放开关200V 17A 200W 20MHZ A1494 D985 29 NPN 达林顿功放150V ±1.5A 10W C2036 29 NPN 高放低噪80V 1A 1－4W C2068 28E NPN 视频放大300V 0.05A 1.5W 80MHZ C2073 28 NPN 功率放大150V 1.5A 25W 4MHZ A940 C3039 28 NPN 电源开关500V 7A 50W C3058 12 NPN 开关管600V 30A 200W C3148 28 NPN 电源开关900V 3A 40W C3150 28 NPN 电源开关900V 3A 50W C3153 30 NPN 电源开关900V 6A 100W C3182 30 NPN 功放开关140V 10A 100W A1265 C3198 21 NPN 高频放大60V 0.15A 0.4W 130MHZ 3DK4B 7 NPN 开关40V 0.8A 0.8W 3DK7C 7 NPN 开关25V 0.05A 0.3W 3D15D 12 NPN 电源开关300V 5A 50W C2078 28 NPN 音频功放开关80V 3A 10W 150MHZ C2120 21 NPN 通用30V 0.8A 0.6W C2228 21 NPN 视频放大160V 0.05A 0.75W C2230 21 NPN 视频放大200V 0.1A 0.8W C2233 28 NPN 音频功放开关200V 4A 40W C2236 21 NPN 通用30V 1.5A 0.9W A966

S9018三极管参数 TO-92三极管S9018规格书

3.COLLECTOR JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors S9018 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z High Current Gain Bandwidth Product MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =100μA,I E = 0 25 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =0.1mA,I B =0 18 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =100μA,I C =0 4 V Collector cut-off current I CBO V CB =20V,I E = 0 0.1 nA Collector cut-off current I CEO V CE =15V,I B =0 0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =3V,I C =0 0.1 μA DC current gain h FE V CE =5V, I C =1mA 28 270 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =10mA,I B =1mA 0.5 V Base-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =10mA,I B =1mA 1.42V Transition frequency f T V CE =5V,I C =50mA,f=400MHz 800 MHz CLASSIFICATION OF h FE RANK D E F G H I J RANGE 28-45 39-60 54-80 72-108 97-146 132-198 180-270 Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage 25 V V CEO Collector-Emitter Voltage 18 V V EBO Emitter-Base Voltage 4 V I C Collector Current -Continuous 50 mA P C Collector Power Dissipation 0.4 W R θJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 312.5 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55~+150℃ A,Jun,2011 https://www.wendangku.net/doc/483108285.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

全系列三极管应用参数

全系列三极管应用参数全系列三极管应用参数名称封装极性功耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放 100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用 60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用 60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大 100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开 450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放 160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用 60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用 40V 0.2A 2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ

放 100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放 60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开 180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放 650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 3DA87A 6 NPN 视频放大 100V 0.1A 1W 3DG6B 6 NPN 通用 20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通用 25V 0.02A 0.1W 250MHZ 3DG6D 6 NPN 通用 30V 0.02A 0.1W 150MHZ MPSA42 21E NPN 电话视频 300V 0.5A 0.625W MPSA92 MPSA92 21E PNP 电话视频 300V 0.5A 0.625W MPSA42 MPS2222A 21 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 9013 贴片 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 3DK2B 7 NPN 开关 30V 0.03A 0.2W 3DD15D 12 NPN 电源开关 300V 5A 50W

MMBTA93贴片三极管规格书

A,Oct,2010 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBTA93 TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High Voltage Application ● T elephone Application ● Complementary to MMBTA43 MARKING:YW MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage -200 V V CEO Collector-Emitter Voltage -200 V V EBO Emitter-Base Voltage -5 V I C Collector Current -500 mA P C Collector Power Dissipation 350 mW R ΘJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 357 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55～+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =-100μA, I E =0 -200 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-1mA, I B =0 -200 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-100μA, I C =0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-200V, I E =0 -0.25 μA Collector cut-off current I CEO V CE =-200V, I B =0 -0.25 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =-5V, I C =0 -0.1 μA h FE(1)* V CE =-10V, I C =-10mA 40 h FE(2*) V CE =-10V, I C =-1mA 25 DC current gain h FE(3)* V CE =-10V, I C =-30mA 25 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat)* I C =-20mA, I B =-2mA -0.5 V Base-emitter saturation voltage V BE(sat)* I C =-20mA, I B =-2mA -0.9 V Transition frequency f T V CE =-20V,I C =-10mA, f=100MHz 50 MHz Collector output capacitance C ob V CB =-20V, I E =0, f=1MHz 8 pF *Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%. 3. COLLECTOR https://www.wendangku.net/doc/483108285.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】

长电2N4402三极管规格书

A,Dec,2010 3. COLLECTOR JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2N4402 TRANSISTOR (PNP) FEATURES z General Purpose Amplifier Transistor MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C = -0.1mA,I E = 0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-1mA,I B = 0 -40 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-0.1mA,I C =0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-40V,I E = 0 -0.1μA Emitter cut-off current I EBO V EB =-4V,I C = 0 -0.1μ A V CE =-1V, I C =-1mA 30 V CE =-1V, I C = -10mA 50 V CE =-2V, I C = -150mA 50 150 DC current gain h FE * V CE =-2V, I C = -500mA 20 I C =-150mA,I B =-15mA -0.4V Collector-emitter saturation voltage V CE(sat)* I C =-500mA,I B = -50mA -0.75V I C =-150mA,I B =-15mA -0.75 -0.95V Base-emitter saturation voltage V BE (sat)* I C =-500mA,I B =-50mA -1.3V Collector output capacitance C ob V CB =-10V,I E =0, f=1MHz 8.5 pF Emitter input capacitance C ib V EB =-0.5V,I C =0, f=1MHz 30 pF Transition frequency f T V CE =-10V,I C =-20mA, f=100MHz 150 MHz *Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle ≤ 2.0%. Symbol Parameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage -40 V V CEO Collector-Emitter Voltage -40 V V EBO Emitter-Base Voltage -5 V I C Collector Current -0.6 A P C Collector Power Dissipation 625 mW R θJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 200 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55~+150 ℃ https://www.wendangku.net/doc/483108285.html, 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】