模电单元测验题胡宴如(3版)答案
模拟电子技术
第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题
1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。
1．2 单选题
1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。
A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。
A．减小B．基本不变C．增大
4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大B．基本不变C．减小
5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、
A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题
1．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(√)
2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(×)
3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。(×)
4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(×)
1．4 分析计算题
1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。
(b)令二极管断开，可得U P＝6 V、U N＝10 V，U P
(c)令V1、V2均断开，U N1＝0V、U N2＝6V、U P＝10V，U P—U N1>Up—U N2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U0＝0.7 V。
2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui＝(sinωt)V，试对应画出u i、u0、i D的波形。
解：输入电压u i为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u0＝0，而流过二极管的电流i D＝u i／R，为半波正弦波，其最大值I Dm＝10 V ／1 kΩ＝10 mA；当u i为负半周时，二极管反偏截止，i D＝0，u0＝u i为半波正弦波。因此可画出电压u0电流i D的波形如图(b)所示。
3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知U Z＝5 V，I Z＝5 mA，电压表中
流过的电流忽略不计。试求当开关S 断开和闭合时，电压表○V 和电流表○A1、○
A2读数分别为多大?
解：当开关S 断开，R 2支路不通，I A2＝0，此时R 1与稳压二极管V 相串联，因此由图可得
Z A I mA K V R U U I >=Ω-=-=
5.62)518(1211
可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5 V 。
当开关S 闭合，令稳压二极管开路，可求得R 2两端压降为
Z R U U R R R U <=?+=+=6.3185.025.012122
故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R 1、R 2构成串联电路，电流表A 1、A 2的读数相同，即
mA K V R R U I I A A 2.75.021821121=Ω+=+==）（
而电压表的读数，即R 2两端压降为3.6 V 。
第2章 半导体三极管及其基本应用
2．1 填空题
1．晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。
2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。
3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大 、 饱和 、 截止 。
4．当温度升高时，晶体管的参数β 增大 ，I CBO 增大 ，导通电压U BE 减小 。
5．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA 变化到20μA 时，集电极电流从1mA 变为1.99 mA ，则交流电流放大系数β约为 99 。
6．某晶体管的极限参数I CM =20mA 、P CM =100mW 、U (BR)CEO =30V ，因此，当工作电压U CE =10V 时，工作电流I C 不得超过 10 mA ；当工作电压U CE =1V 时，I C 不得超过 20 mA ；当工作电流I C =2 mA 时，U CE 不得超过 30 V 。
7．场效应管从结构上可分为两大类： 结型 、 MOS ；根据导电沟道的不同又可分为 N 沟道 、 P 沟道 两类；对于MOSFET ，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种： 耗尽型 、 增强型 。
8．U GS(off)表示 夹断 电压，I DSS 表示 饱和漏极 电流，它们是 耗尽 型场效应管的参数。
2．2 单选题
1．某NPN 型管电路中，测得U BE =0 V ，U BC = —5 V ，则可知管子工作于( C )状态。
A ．放大
B ．饱和
C ．截止
D ．不能确定
2．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为( B )。
A．NPN型低频小功率硅晶体管B．NPN型高频小功率硅晶体管C．PNP型低频小功率锗晶体管D．NPN型低频大功率硅晶体管3．输入( C)时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。A．正弦小信号B．低频大信号C．低频小信号D．高频小信号4．(D)具有不同的低频小信号电路模型。
A．NPN型管和PNP型管B．增强型场效应管和耗尽型场效应管C．N沟道场效应管和P沟道场效应管D．晶体管和场效应管
5．当U GS＝0时，( B)管不可能工作在恒流区。
A．JFET B．增强型MOS管C．耗尽型MOS管D．NMOS管6．下列场效应管中，无原始导电沟道的为( B)。
A．N沟道JFET B．增强~AI PMOS管
C．耗尽型NMOS管D．耗尽型PMOS管
2．3 是非题
1．可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。( ×) 2．MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。( √) 3．EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。( ×) 4．结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。( √)
5．场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。( √)
2．4 分析计算题
1．图T2．1所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。
解：(a)U BE=U B—U E＝0.7—0＝0.7V，发射结正偏；
U BC=U B—U C＝0.7—3＝—2.3 V，集电结反偏
因此晶体管工作在放大状态。
(b) U BE=U B—U E＝2—3＝—1V，发射结反偏；
U BC=U B—U C＝2—5＝—3 V，集电结反偏
因此晶体管工作在截止状态。
(c) U BE=U B—U E＝3—2.3＝0.7V，发射结正偏；
U BC=U B—U C＝3—2.6＝0.4V，集电结正偏
因此晶体管工作在饱和状态。
(d)该管为PNP型晶体管
U EB=U E—U B＝(—2)—(—2.7)＝0.7V，发射结正偏；
U CB=U C—U B＝(—5)—(—2.7)＝—2.3V，集电结反偏
因此晶体管工作在放大状态。
2．图T2．2所示电路中，晶体管均为硅管，β=100，试判断各晶体管工作状态，并求各管的I B 、I C 、U CE 。
解：(a)方法一：
mA K V I B 053.0100)7.06(=Ω
-= 设晶体管工作在放大状态，则有 I C ＝βI B ＝100×0.053＝5.3mA
U CE ＝12—5.3×3＝—3.9 V<0
说明上述假设不成立，晶体管已工作在饱和区。
令晶体管的饱和压降U CE(Sat)＝0.3 V ，则集电极电流为
mA R U V I C sat CE CC CS 9.31
3.012)
(=-=-= 因此可得晶体管的I B ＝0.053 mA 、I C ＝I CS ＝3.9 mA 、U CE ＝U CE(Sat)＝0.3 V 方法二：
mA K V I B 053.0100)7.06(=Ω
-= mA R U V I C
sat CE CC CS 9.313.012)
(=-=-= mA I I CS BS 039.0100
9.3===β 因为I B >I BS ，所以晶体管处于饱和状态，因而有
I B ＝0.053 mA 、I C ＝I CS ＝3.9 mA 、U CE ＝U CE(Sat)＝0.3 V
(b) A mA K V I B μ4.80084.0510)7.06(==Ω
-= 设晶体管工作在放大状态，则有
I C ＝100×0.008 4 mA ＝0.84 mA
U CE ＝5 V —0.84×3＝2.48 V> U CE(Sat)
说明晶体管工作在放大状态，故上述假设成立，计算结果正确。
(c)基极偏压为负电压，发射结和集电结均反偏，所以晶体管截止，则I B＝0，I C＝0，U CE＝5 V
3．放大电路如图T2．3所示，试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。
解：(a)将C1、C2断开，即得直流通路如下图(a)所示；将C1、C2短路、直流电源对地短接，即得交流通路如下图(b)所示；将晶体管用小信号电路模型代人，即得放大电路小信号等效电路如下图(c)所示。
(b)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图(a)、(b)、(c)所示。
4．场效应管的符号如图T2．4所示，试指出各场效应管的类型，并定性画出各管的转移特性曲线。
解：(a)为P沟道耗尽型MOS管，它的转移特性曲线如下图(a)所示，其特点是u GS＝0时，i D＝—I DSS
(b)为N沟道增强型MOS管，它的转移特性曲线如下图(b)所示，其特点是u GS＝0时，i D＝0
(c)为N沟道结型场效应管，它的转移特性曲线如下图(c)所示，其特点是u GS＝0时，i D＝I DSS，且u G
S≤0
第3章放大电路基础
3．1 填空题
1．放大电路的输入电压U i＝10 mV，输出电压U0＝1 V，该放大电路的电压放大倍数为100 ，电压增益为40 dB。
2．放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电压也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。
3．共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相，电压放大倍数近似为 1 ，输入电阻大，输出电阻小。
4．差分放大电路的输入电压U i1＝1 V，U i2＝0.98 V，则它的差模输入电压U id＝0.02 V，共模输入电压U iC＝0.99 V。
5．差分放大电路对差模输入信号具有良好的放大作用，对共模输入信号具有很强的抑制作用，差分放大电路的零点漂移很小。
6．乙类互补对称功放由NPN 和PNP 两种类型晶体管构成，其主要优点是效率高。
7．两级放大电路，第一级电压增益为40 dB，第二级电压放大倍数为10倍，则两级总电压放大倍数为1000 倍，总电压增益为60 dB。
8．集成运算放大器输入级一般采用差分放大电路，其作用是用来减小零点漂移。
9．理想集成运算放大器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等，称为虚短；输入电流近似为0 ，称为虚断。
10．集成运算放大器的两输入端分别称为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端反相，后者的极性与输出端同相。
3．2 单选题
1．测量某放大电路负载开路时输出电压为3 V，接入2 kΩ的负载后，测得输出电压为1 V，则该放大电路的输出电阻为(D)kΩ。
A．0.5 B．1.0 C．2.0 D．4
2．为了获得反相电压放大，则应选用( A)放大电路。
A．共发射极B．共集电极C．共基极D．共栅极3．为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之间接入( B )放大电路。
A．共发射极B．共集电极C．共基极D．共源极4．放大电路如图T3．1所示，已知R S＝R D，且电容器容量足够大，则该放大电路两输出电压u0l与u02之间的大小关系为( B)。
A．u0l = u02B．u0l =－u02C．u0l＞u02D．u0l＜u02
5．选用差分电路的原因是( A)。
A．减小温漂B．提高输入电阻C．减小失真D．稳定放大倍数6．差分放大电路中适当增大公共发射极电阻，将会使电路的( D)增大。
A．差模电压增益D．共模电压增益C．差模输入电阻D．共模抑制比7．功率放大电路中采用乙类工作状态是为了提高( B)。
A．输出功率B．放大器效率C．放大倍数D．负载能力8．由两管组成的复合管电路如图T3．2所示，其中等效为PNP型的复合管是( A)。
9．OTL电路负载电阻R L＝10Ω，电源电压V CC=10 V，略去晶体管的饱和压降，其最大不失真输出功率为( D)W。
A．10 B，5 C．2.5 D．1.25
10．集成运算放大器构成的放大电路如图T3．3所示，已知集成运算放大器最大输出电压Uom＝±10 V，ui＝5 V，则该放大电路的输出电压为( C)V。
A．-5 B．0 C．5 D．10
3．3 是非题
1．放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关，而与输入信号源内阻无关。( ×)
2．共发射极放大电路由于输出电压与输人电压反相，输入电阻不是很大而且输出电阻又较大，故很少应用。，( ×)
3．单端输出的具有电流源的差分放大电路，主要靠电流源的恒流特性来抑制温漂。( √)
4．乙类互补对称功率放大电路输出功率越大，功率管的损耗也越大，所以放大器效率也越小。(×)
5．OCL电路中输入信号越大，交越失真也越大。( ×)
6．直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度影响。( √)
3．4 分析计算题
1．放大电路如图T3．4所示，已知晶体管的U BEQ＝0.7 V，β＝99，r bb′＝200Ω，各电容在工作频率上的容抗可略去。
试：(1)求静态工作点I CQ、U CEQ；
(2)画出放大电路的交流通路和微变等效电路，求出r be；
(3)求电压放大倍数Au＝u o／u i及输入电阻R i、输出电阻R0。
解：(1)求I CQ 、U CEQ 、I BQ
电路构成分压式电流负反馈偏置电路，所以
V V V R R R U CC B B B BQ 79.21233
1010212=?+=+≈ mA R U U I I E BEQ
BQ EQ CQ 12
7.079.2≈-=-=≈ V R R I V U E C CQ CC CEQ 3.5)27.1(112)(=+?-=+-≈
A mA mA I I CQ
BQ μβ1001.099
1=≈== (2)画出放大电路的交流通路和微变等效电路，分别如图(a)、(b)所示。
Ω=++=++='K I mV r r EQ b b be 8.21
26)991(20026)1(β (3)求A u ，R i 、R 0
由图 (b)可得
878
.21.5//7.499//0-=?-=-==be L C i u r R R u u A β Ω≈==K r R R R be B B i 28.2//10//33////21
Ω=≈K R R C 7.40
2．差分放大电路如图T3．5所示，已知I 0＝2 mA 。
试：(1)求放大电路的静态工作点I CQ2、U CQ2；
(2)当u i ＝10 mV 时，i C1＝1.2 mA ，求V 2管集电极电位u c2、输出电压
u 0以及电压放大倍数Au ＝u o ／u i 。
解：(1)求I CQ2和U CQ2
由图3．42可知：mA I I CQ 12
2202=== V R I V U C CQ CC CQ 331622=?-=-=
(2)求u C2、u 0及Au
根据差分放大电路的传输特性可知
当i C1＝1.2mA 时，i C2＝I 0一i C1＝2—1.2＝0.8 mA
所以V 2管集电极电位为
u C2＝Vcc 一i C2 Rc ＝6 V 一0.8×3＝3.6 V
放大电路的输出电压u 0为
u 0＝u C2一U CQ2＝3.6—3＝0.6 V
所以，电压放大倍数为 60106.00===mV
V u u A i u 3．放大电路如图T3．6所示。
试：(1)说明二极管V 3、V 4的作用；
(2)说明晶体管V 1、V 2工作在什么状态?
(3)当U im ＝4 V 时，求出输出功率P 0的大小。
解：(1)V 3、V 4正向导通，其压降提供给功率管V 1、V 2作为发射结小正向偏
置电压，用以克服交越失真。
(2)因V 1、V 2管发射结加有小正向偏置电压，所以它们工作在甲乙类状态。
(3)因U om ≈U im ＝4 V ，所以输出功率为
W R U P L om Om 08.0100
)24()2(22=== 4．集成运算放大器构成的反相和同相放大电路如图T3．7所示，试分别求出它们的电压放大倍数Au ＝u o ／u i 及输入电阻R i 。
解：图(a)为反相放大电路，所以
230
60-=-=u A R i ＝30K Ω 图(b)为同相放大电路，所以
V u u u u u u A P i P i u 2)20401(40204000=+?+=?== R i ＝20+40＝60 K Ω
第4章 负反馈放大电路
4．1 填空题
1，将反馈引入放大电路后，若使净输入减小，则引人的是 负 反馈，若使净输入增加，则引入的是 正 反馈。
2．反馈信号只含有直流量的，称为 直流 反馈，反馈信号只含有交流量的，称为 交流 反馈。
3．反馈放大电路中，若反馈信号取自输出电压，则说明电路引入的是
电压 反馈，若反馈信号取自输出电流，则是 电流 反馈；在输入端，反馈信号与输入信号以电压方式进行比较，则是 串联 反馈，反馈信号与输入信号以电流方式进行比较，则是 并联 反馈。
4．负反馈虽然使放大电路的增益 减小 ，但能使增益的 稳定性 提高，通频带 展宽 ，非线性失真 减小 。
5．电压负反馈能稳定 输出电压 ，使输出电阻 减小 ；电流负反馈能稳定 输出电流 ，使输出电阻 增大 。
6．放大电路中为了提高输入电阻应引入串联反馈，为了降低输入电阻应引入并联反馈。
7．负反馈放大电路中，其开环电压放大倍数Au=90，电压反馈系数Fu=0.1，则反馈深度为10 ，闭环放大倍数为9 。
8．深度负反馈放大电路有：x i≈x f ，即x id≈0 。
4．2 单选题
1．放大电路中有反馈的含义是( C)。
A．输出与输入之间有信号通路B．输出与输入信号成非线性关系
C．电路中存在反向传输的信号通路D．除放大电路以外还有信号通路2．直流负反馈在放大电路中的主要作用是( D)。
A．提高输入电阻B．降低输入电阻
C．提高增益D．稳定静态工作点
3．并联负反馈能使放大电路的( B)。
A．输入电阻增大B．输入电阻减小
C．输入电阻不变D．输出电阻减小
4．在放大电路中，如果希望输出电压受负载影响很小，同时对信号源的影响也要小，则需引入负反馈的类型为( A)。
A．电压串联B．电压并联C．电流串联D．电流并联5．负反馈放大电路中，A为开环放大倍数，F为反馈系数，则在深度负反馈条件下，放大电路的闭环放大倍数且，近似为( B)。
A．F B．1／F C．A D．1+AF
4．3 是非题
1．直流负反馈只存在于直接耦合电路中，交流负反馈只存在于阻容耦合电路中。( ×)
2．若放大电路的A＞0，则接入的反馈一定是正反馈，若A＜0，则接入的反馈一定是负反馈。( ×)
3．共集电极放大电路，由于且A u≤1，故该电路没有负反馈。( ×)
4．当输入信号是一个失真的正弦波，加人负反馈后能使失真减小。( ×) 5．负反馈只能改善反馈环路以内电路的放大性能，对反馈环路之外电路无效。( √)
6．在深度负反馈放大电路中，只有尽可能地增大开环放大倍数，才能有效地提高闭环放大倍数。( ×)
4．4分析计算题
1．反馈放大电路如图T4．1所示，试指出电路的反馈类型，判断其反馈极性。
解：(a)在图T4．1(a)中标出反馈信号u f ，如下图(a)所示，可见u f ＝u 0，反馈
信号取样于输出电压u 0，故输出端为电压反馈。由图(a)可见，u i 、u id 、u f 三者串联，形成电压比较关系u id ＝u i —u f ，故输入端为串联反馈。令u i 为
，则得输出电压u 0 ，
u f 为 ，如图(a)所示，反馈电压u f 使净输入u i 减小，故为负反馈。所以图T4．1 (a)所示电路为电压串联负反馈放大电路。
(b)由图T4．1 (b)可见，负载R L 、反馈网络、基本放大电路(即集成运放)三者为串联，故输出端为电流反馈。输入端输入信号与反馈信号都由集成运放的反相端加入，故为并联反馈，因此可在图中标出反馈电流i f 如下图 (b)所示。令输入电压u i 为 ，如下图(b)所示，此时集成运放输出端对地电位为 ，因此电压u R3为 ，i f 由输入端流向输出端，如下图(b)所示，可见札i id ＝i i —i f ，反馈使净输入i id 减小，故为负反馈。因此，图T4．1 (b)所示电路为电流并联负反
馈放大电路。
(c)由图T4．1 (c)可见，放大电路的输出端R L 、基本放大器、反馈网络三者并联，故为电压反馈。输入端信号源、反馈网络、基本放大器三者并联，故为并联反馈。令输入信号u i 为 ，根据共发射极放大电路特性，可知u 0为 ，反馈信号i f 由输入端流向输出端，由下图(c)可得i id ＝i i —i f ，反馈使净输入i id 减小，故为负反馈。因此，图T4．1 (c)所示电路为电压并联负反馈放大电路。
2．深度负反馈放大电路如图T4．2所示，在图中标出反馈信号x f ，指出反馈类型，求出闭环电压放大倍数A uf ＝u o ／u i 。
+ + － + + － + －
解：(a)为电压并联负反馈，反馈信号为i f ，标于下图 (a)中。在深度电压并联负反馈电路中有i i ≈i f ，而i i ＝(u i —u N )/R 1≈u i /R 1，i f ＝(u N —u 0)/R 1≈－u 0/R 2，因此可得
1
2120R R R i R i u u A i f i u -=-== (b)为电流串联负反馈，反馈信号为u f ，标于下图(b)中。在深度电流串联负反馈电路中有：u i ≈u f 。又由图下(b)可得：u 0＝i 0R L ，u f ＝i 0R 2。所以可得
2
00R R u u u u A L f i u -=≈= (c)为电压串联负反馈，反馈信号为u f ，标于下图(c)中。在深度电压串联负反馈放大电路中有：u i ≈u f 。现由下图(c)可知u f ≈u 0，所以可得
100=≈=f
i u u u u u A
第5章 集成运算放大器的应用电路
5．1 填空题
1．运算电路中的集成运算放大器应工作在 线性 区，为此运算电路中必须引入 深度负 反馈。
2．反相比例运算电路的主要特点是输入电阻 较小 ，运算放大器共模输入信号为 零 ；同相比例运算电路的主要特点是输入电阻 很大 ，运算放大器共模输入信号 较大 。
3．简单RC 低通电路在截止频率处输出电压是输入电压的 0.707 倍，即
衰减 3 dB，相移为-45°。
4．晶体管有三个频率参数fβ称为共射截止频率，fα称为共基截止频率，f T称为特征频率。
5．集成运算放大器开环差模电压增益值比直流增益下降3 dB所对应的信号频率称为开环带宽，开环差模电压增益值下降到0dB所对应的信号频率称为单位增益带宽。
6．集成运算放大器交流放大电路采用单电源供电时，运算放大器两个输入端的静态电位不能为零，运算放大器输出端必须接有输出电容。
5．2 单选题
1．图T5．1所示比例运算电路中，设A为理想运算放大器，已知运算放大器最大输出电压U0M＝±12 V，当u I=1 V时，则输出电压u0为( C)V。
A．24 B．21 C．12 D、－12
2．若实现函数u0＝u I1+4u I2－4u I3，应选用( B)运算电路。
A．比例B．加减C．积分D．微分
3．欲将方波电压转换成三角波电压，应选用( B)运算电路。
A．微分B．积分C．乘法D．除法
4．集成运算放大器开环电压增益为106，开环带宽B W＝5 Hz，若用它构成闭环增益为50倍的同相放大电路，则其闭环带宽BW f为( B)Hz。
A．5×105B．105C．250 D．5
5．3 是非题
1．凡是集成运算放大器构成的电路，都可用“虚短”和“虚断”概念加以分析。(×)
2．放大电路低频段没有转折频率，则说明该电路采用了直接耦合方式。(√) 3．某集成运算放大器开环带宽为5 Hz，由于其非常低，所以该运算放大器只能用于构成直流放大电路。(×)
4．与无源滤波器相比较，有源滤波器具有可提供通带内增益，负载对滤波特性影响小等优点。(√)
5．4 分析计算题
1．电路如图T5．2所示，试写出各电路输出电压与输入电压的函数关系式并指出电路名称。
解：(a)11I F F P N u R R R u u +=≈ F
N N I R u u R u u 012-≈- 经整理可得)(2110I I F u u R R u -=
，为减法运算电路 (b)?-=t I
F dt u C R u 0101
，为积分运算电路 (c)210I I u Ku u =，为乘法运算电路
(d)H i j U U ωω+=?
?10，为一阶有源低通滤波器
2．运算电路如图T5．3所示，试求各电路输出电压的大小。
解：(a) 采用叠加定理，则得
V V K
K V K K u 8.0)]2(20206.01020[0=-?+?-= (b ) 采用叠加定理，则得
V V K K K K K V K K K K K u P 1)3()
15//15(15)15//15(6)15//15(15)15//15(=-?++?+= V u K
K u P 2)10101(0=+= 3．电路如图T5．4所示，试用比例运算关系求出输出电压。
解：(a)采用叠加定理，将u I 分别从反相端和同相端输入，使之构成反相比例运算电路和同相比例运算电路，则得
V u R R R R R R u R R u I I 02
2)//1(0=+++-= (b)采用叠加定理，将u I 分别从反相端和同相端输入，则得
I I I u u R
R u R R u =++-=)1(0
第6章 信号产生电路
6．1 填空题
1．正弦波振荡电路主要由 放大电路 、 正反馈网络 、 选频网络 、 稳幅环节 四部分组成。
2．设放大电路的放大倍数为?u A 反馈网络的反馈系数为?
u F 则正弦波振荡电路
的振幅平衡条件是 1=??u u F A ，相位平衡条件是 )3,2,1,0(2???==+n n F A π?? 。
3．RC 桥式振荡电路输出电压为正弦波时，其反馈系数?
u F ＝ 1/3 ，放大
电路的电压放大倍数?
u A > 3 ；若RC 串并联网络中的电阻均为R ，电容均为C ，则振荡频率f 0＝ 1/(2πRC) 。
4．RC 桥式正弦波振荡电路中，负反馈电路必须采用 非线性 元件构成，其主要目的是为了 稳幅 。
5．用晶体管构成的三点式LC 振荡电路中，谐振回路必须由 三个 个电抗元件组成，在交流通路中接于发射极的两个电抗元件必须 同 性质，不与发射极相接的电抗元件必须与之 异 性质，方能满足振荡的相位条件。
6．石英晶体在并联型晶体振荡电路中起 电感 元件作用，在串联型晶体振荡器中起 短路 元件作用，石英晶体振荡器的优点是 频率稳定度高 。
7．电压比较器输出只有 高电平 和 低电平 两种状态，由集成运算放大器构成的电压比较器运算放大器工作在 非线性 状态。
8．迟滞比较器中引人中引入了 正 反馈，它有两个门限电压。
9．三角波产生电路由 迟滞比较器 和 线性RC 积分电路 组成。
6．2 单选题
1．信号产生电路的作用是在( B )情况下，产生一定频率和幅度的正弦或非正弦信号。
A ．外加输入信号
B ．没有输入信号
C ．没有直流电源电压
D ．没有反馈信号
2．正弦波振荡电路的振幅起振条件是( D )。
A ．1u
B ．0u =??u F A
C ．1u =??u F A
D ．1u >??u F A
3．正弦波振荡电路中振荡频率主要由( D )决定。
A ．放大倍数
B ．反馈网络参数
C ．稳幅电路参数
D ．选频网络参数
4．常用正弦波振荡电路中，频率稳定度最高的是( D )振荡电路。
A ．RC 桥式
B ．电感三点式
C ．改进型电容三点式
D ．石英晶体
5．电路如图T6．1所示，它是( C )正弦波振荡电路。
A ．电容三点式
B ．电感三点式
C ．并联型晶体
D ．串联型晶体
6．电路如图T6，2所示，它称为( C )。
A ．RC 振荡电路
B ．单限电压比较器
C ．迟滞比较器
D ．方波产生电路
6．3 是非题
1．信号产生电路用于产生一定频率和幅度的信号，所以信号产生电路工作时不需要接入直流电源。( × )
2．电路存在反馈，且满足1u >??u F A ，就会产生正弦波振荡。 ( × )
3．RC 桥式振荡电路中，RC 串并联网络既是选频网络又是正反馈网络。( √ )
4．选频网络采用LC 回路的振荡电路，称为LC 振荡电路。( √ )
5．电压比较器输出只有高电平和低电平两种状态，输入高电平时，输出为高电平；输入低电平时输出为低电平。( × )
6．非正弦波产生电路中没有选频网络，其状态的翻转依靠电路中定时电容的能量变化来实现。( √ )
6．4 分析题
l ．振荡电路如图T6．3所示，试回答下列问题：
(1)指出电路名称；
(2)反馈信号u f 取自哪个元件的电压?
(3)画出电路的交流通路，判断电路是否构成正反馈。若电路满足振荡条件，求出振荡频率。
解：(1)画出交流通路如图 (b)所示，由图可见，反馈信号u f 取自反馈电容C 2两端电压。设基极输入电压?i U 瞬时极性为
(对参考点地电位)，在回路谐振频率上放大电路输出电压?0U 的瞬时极性为 ，所以，反馈电压?f U 的瞬时极性为 ，可见?f U 与?i U 同相，电路构成正反馈。 (2)为电容三点式LC 振荡电路，其振荡频率f 0等于
M H z P P P P H C C C C L LC f 85.130020030020062212121
212
10=+??=+=
=μπππ
+ － +
模电试题及答案复习过程
模电试题及答案
《模拟电子技术基础》试题（A 卷） 学号 姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 （A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。 （A ） 大 （B ） 小 （C ） 相等
模拟电子线路期末试题及其答案(两套)
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区
3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、
模电试题及答案12
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 ２、在P 型半导体中,自由电子浓度 Ｃ 空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于 ３、本征半导体温度升高以后， Ｃ 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将 Ａ 。 Ａ. 变窄 Ｂ． 基本不变 C. 变宽 D ． 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 Ｃ 。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 Ｂ. 前者正偏、后者反偏 Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ． 前者反偏、后者正偏 ８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ． 增大 B ． 不变 C. 减小 D. 都有可能 ９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０ １0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压 Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 Ｄ ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是 Ｄ 器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。 Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路 １4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是 Ｂ 。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
模电模拟试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100V ，u I 2=80 V 则差模输入电压u Id = 20V ；共模输入电压u Ic =90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k ，R B1 120k ， R B2 39k ，R C 3.9k ，R E 2.1k ，R L 3.9k ，r bb’ ，电流放大系数 50， 电路中电容容量足够大，要求： 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题 图 1 图 2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路 ②共基放大电路 ③共集放大电路 一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流， 小 的电路是 ②，输出电阻最小 的电路是 ③ ② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ① 不能放大电压 的电路是 ③ ；只能放大电压，不能放大电流 的电路是 ② 。 2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系 BEQ 数为β，B- E 间动态电阻为 r 。填空： be V CC U BEQ （ 1）静态时， I 的表达式为 BQ ， I 的表达式为 CQ I BQ R B I CQ I BQ ； ，U 的表达式为 CEQ U CEQ V CC I R C CQ R L （2）电压放大倍数 的表达式为 A u ，输入电阻 的表达式为 r be ，输出电阻 的表达式为 R R // r be R R ； 0 C i B （3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将 i C ， A B CQ bc u R 将 B 。 o
A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 B A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图 1所示电路中， （1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻 A u 为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。 i （2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R B Rc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67 。 增大或将 截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路 的“桥”是以 RC 串联支路 、 RC 并联支路 、 电阻 R1 和 R2 各为一臂而组成 的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为 变压器反馈式 、电感 三点式 和 电容三点式 三种电路，其中 电容三点式 振荡电路 的振荡频 率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用 正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由 整流电路 、滤波电路和 稳压电路 三部分电 路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小 的时候，应采用 电容 滤波电
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）
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模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
模电试题及答案
《模拟电子技术基础》试题（A 卷） 学号 姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在 RC f f π210= =时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β 2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 （A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。
模拟电子基础复习题与答案
模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空： （1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为 （2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为； （3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。
A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中， （1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。 （2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电
模电试题及答案
试题一 一、选择题（每小题2分，共24分）：（1）当晶体管工作在放大区时，发射 结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B.前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏（2）N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C.五价磷元素（3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C.差动放大电路）。（4）高通滤波电路可以用于（ A 滤除高于某一频率的无用信号A. 滤除低于某一频率的无用信号 B. 让低于某一频率的有用信号通过C. 。（5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ） A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好C.引入了电流串联型负反馈。） B 等于（（6）、电路如图所示，其输出电压u O u?u?uu uu?C.A.B. i2i1i1i2i2i1 （7）当信号频率等于放大电路的f或f时，放大倍数的值约下降到中频时的HL0.7倍,即增益下降（ A ）。 A.3dB B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A．同相比例B．微分 C．同相求和 （9）PN结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL功率放大电路如图所示，当u为正半周时，则( A )。i-111A
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波 （12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u为如图所示的三角波， i则输出电压u的最大值为（ B ）。o A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分）
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试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极
模电复习题和答案
《模拟电子技术实践》课程 习题答案 一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出，所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是 电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模 输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%，理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流，则可采用B；如希望负载变化时输出电流稳定，应 引入D；如希望动态输出电阻要小，应引入A；（A 电压负反馈；B 并联负反馈；C 串联负反馈；D电流负反馈）。 18、在图示电路中，已知开环电压放大倍数Au=10000，若需要Auf =100，则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、 变压器耦合、直接耦合；集成运算放大器是一种直接 耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比，电压放大倍数较大；通频带较窄； 21、能使输入电阻提高的负反馈是C；能使输入电阻降低的负反馈是D； 能使输出电阻提高的负反馈是B；能使输出电阻降低的负反馈是A； （A 电压负反馈；B 电流负反馈：C 串联负反馈：D 并联负反馈）22、电压串联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻D；
模电试题及答案
试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。
模电复习题2答案
[ 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为，导通后在较大电流下的正向压降约为；锗二极管的门槛电压约为，导通后在较大电流下的正向压降约为。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为伏；其门坎电压V th约为伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 [ 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。 15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。 - 18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则 I BQ增大，I CQ增大，U CEQ减小。 19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压V a = ， V b = , V c = , 试问该三极管是硅管管（材料），NPN型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的 C 。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为80 dB，总的电压放大倍数为10000。 22、三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管，测得管脚电压V a = -1V，V b =, V c =, 这是硅管（硅、锗），NPN型，集电极管脚是a。 23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和_变压器耦合_，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。 24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。 25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 4 kΩ。 ' 26、为了保证三极管工作在放大区，要求： ①发射结正向偏置，集电结反向偏置。②对于ＮＰＮ型三极管，应使V BC＜0。 27、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和变压器耦合三大类。 28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，共射
模电试题及答案40678
《模拟电子技术基础》试题（A 卷） 学号 姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从 P 区流向 N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。
大学基础的数电模电试题及答案
一. 填空题 1、继电保护装置必须满足选择性、（快速性）、灵敏性和（可靠性）四个基本要求。 2、安全工作规程是中规定：设备对地电压高于（250V ）为高电压；在250V 以下为低电压；安全电压为36V以下；安全电流为（10mA ）以下。 3、软件测试时需要三类信息：软件配置、（测试配置）、（测试工具）。 4、存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为（12 ）条、数据线为（8 ）条。 5、产品质量特性包括：性能、（寿命）、可信性、（安全性）和经济性。 6、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 7、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 8、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开。 9、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 10、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 11、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 12、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。 13、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。 14、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F）。 15、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF）BW，其中BW=（fH –fL），（1+AF）称为反馈深度。 16、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。 17、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。
华南理工大学模电试题(附答案)
B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益