钽溅射靶材的应用、属性和发展趋势
1 钽溅射靶材的应用、属性和发展趋势
一、 前言
由于钽具有形成薄氧化物的能力，且生成的氧化膜具有保护作用，因此钽作为基础材料被广泛应用于电解质电容器制造过程中。钽在微电子领域最初是应用在分立薄膜电容器的构成中。蒸发法是钽沉积早期使用的方法，但是在上个世纪六十年代末出现的物理气相沉积法(PVD)如溅射镀膜法取代蒸发法成为一种薄膜沉积比较好的方法。物理气相沉积法是将电离的氩原子通过电磁力学的方式去撞击一个被称为靶材的材料源，从而撞击出金属靶材原子；然后撞击出的靶材原子会沉积在所需镀膜的基层上形成一层薄膜。在这种磁控溅射过程中，磁力场可通过聚集二级电子的方式来增加离子密度；这里二级电子具有增加溅射沉积速率并被束缚在等离子体区域内，且在低压下维持不变的特点(见图1)。本文从热喷墨打印头、铜电镀以及硅通孔技术三个方面讨论了钽在微电子领域中的应用。另外也讨论一下铜电镀在液晶面板中的应用。
图1 磁控溅射：采用电磁力学的方式用电离 图2 热喷墨打印头(来自HP) Ar(+)原子撞掉靶材原子。靶材原子沉积 在基层上。施加的磁场通过聚集二级电 子来增加离子密度 二、热喷墨打印头 热喷墨打印头可用于薄膜集成电路的制造过程中，这对钽和以钽为基质的溅射靶材的使用提供了一个很好的促进作用。在集成电路的制造过程中，使用一个薄膜
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2 电阻器在能量密度接近1.28E9 watts/m 2的条件下快速加热油墨的薄膜层，于是油墨中一些非常小的部分就被蒸发形成一种扩展的气泡，这种气泡实际上就是喷射出的油墨小液滴(见图2)。在这里，薄膜电阻器选择的是TaAl 型。由于高温油墨会使部分喷墨打印设备发生汽蚀现象，因此钽抗汽蚀薄膜的使用可以起到保护油墨设施的作用。
三、铜电镀
钽薄膜在集成电路制造过程中优势明显，并且在钽薄膜使用过程中有一个大的进展是铜电镀技术在其中的应用。光致抗蚀掩膜和等离子蚀刻技术不能用来形成铜，因为铜不能在低温等离子蚀刻条件下形成所需的挥发成分。通常情况下铜电镀使用的是镶嵌工艺，这里氮化硅绝缘层和放置导体的开放的沟槽(通道)形成在一起(见图
3)。由于铜具有高的导电性，因此阻挡膜必须能完全地隔离铜。但是如果阻挡膜过
厚，又会失去铜互连的这种高传导性优势。
图3 铜电镀所使用的镶嵌工艺，这里氮化 图4 SIP Ta(N)/SIP Cu 阶梯覆盖率的 硅绝缘层和放置导体的开放的沟槽形 TEM 截面(注：SIP -系统级封装) 成在一起，沟槽里的导电体紧接着是 阻挡膜和铜电镀层(来自IBM) 在以上所描述的铜电镀方案中，阻挡膜的沉积必须具有好的阶梯覆盖率，并且要在通道/沟槽空隙处减少突出，这一点很重要。为了达到这个目的，一些OEM 厂商要具备相应的PVD 设备。此类设备是利用薄片偏置通过电离方式来控制电离金属
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的方向，而且电离离子的方向会通过薄片的顶部和底部引起材料的再溅射。通过源设计和射频功率的使用，电离离子可以获得方向溅射。通过常规的平面钽溅射靶材或者空心阴极磁控靶材可以获得所需要的阶梯覆盖率，而且靶的内表面会发生溅射现象。
在替代0.10μm 铜集成电路方面，钽和钽氮化物PVD 阻挡膜已经显示出一些益处，这其中就包括良好的铜扩散性以及与电介质和铜之间良好的粘合性。由于纯钽与氟会发生反应，因此相对于氟，氮化钽是一种扩散性很好的阻挡膜。通过降低介电常数，氮化钽电介质将有助于小型化。最终，钽相对于铜扮演一个结核层的角色，这对集成电路的可靠性非常关键。因此先进PVD 设备对TaTaN 阻挡层结构的形成是必要的。另外，溅射材料的再沉积也要减至最小，这对于维持低颗粒水平至关重要。在电介质和铜界面上，氮浓度是能够被调整的。图4透射电镜(TEM)图片中显示的是Ta(N)阶梯覆盖率。 PVD 设备可以用来沉积铜互连，并且沉积出来的铜互连具有高的纵横比阶梯覆盖率。通过PVD 设备的掺杂作用可以减小颗粒和提高生产量，其中钽靶材冶金工艺能极大影响溅射靶的性能。从本质上讲溅射靶材应该具有一个一致、均匀的晶体结构，这种结构可以减少不同组织的面积(也称为纹理条带)，并且在结构方面会有一个渐次的改变(也称为结构级差)。由于所熔化的金属坯段是>3N5的电子级纯钽，其中坯段的微小结构中会含有由少量的大颗粒，因此电子束的使用会影响到所要获得的均匀一致结晶结构的复杂程度。这种结晶结构结合起来组成钽的立方体结构，此结构可以限制一些缺陷，但是要生成这种均匀一致且具有的纹理条带和变化率的钽微观结构还是很困难的。幸运的是钽靶材冶金技术已经取得了长足的进步，现在的冶金技术制成的靶材能更容易的生成纹理条带和变化率(见图5)。在现有的钽溅射靶材中，有一种被称为AdvanTage?(Praxair 的商标)品牌的，这种靶材可以形成均匀的微观结构且具有纹理条带。这种结构存在着相互影响，且这种影响始终通过薄膜特性中的寿命溅射性能和改进后的早期寿命稳定性来施加(见图6)。当靶材接近它的使用寿命时，AdvanTage 钽溅射靶材允许靶材在没有偏移出规范情况下继续可以获得完整的靶材寿命。在图7中，常规工艺生产出的靶材显示出所形成的薄膜均匀一致性差的缺点，而使用AdvanTage 钽溅射靶材生成的钽氮/钽薄膜却始终保持着
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4 均匀一致的薄膜。
图5 钽溅射靶材纹理条带改进前后 图6 电子背散射衍射(EBSD)成像
的对比图示 中的彩色编码定向说明纹理条 带的程度 图7 用于TaN/Ta 双分子层薄膜的钽300mm SIP Rs 均匀性比较。 AdvanTage 钽溅射靶材显示出在整个靶材寿命期间薄膜的均匀一致性
四、硅通孔(TSV)技术 铜电镀技术一个正在开发的应用是硅通孔(TSV)3D 集成。芯片3D 集成的目的是为了制造出运行速度更快、价格更便宜、体积更小的半导体设备。目前3D 集成多是通过将电路和元件的微型化而制造出的，其中使用了引线键合和倒装芯片集成技术。引线键合可导致电感损失，从而削弱芯片的性能。那么有一种改善的方法，就是使用硅通孔技术。从本质上讲两种或更多垂直集成芯片是通过垂直互联运转的方式连接在一起，这种运转功能类似IC 元件。通过元件的无引线边界几何焊接方式
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5 集成和互连的芯片使高性能设备的制造成为可能。但是在铜的硅通孔技术中PVD 阻挡膜的形成复杂而昂贵。在硅通孔技术中同时使用了通道方法，在这种方法中硅通孔是在芯片做成后形成的，然后将芯片集成。这种技术的潜在应用包括有动态随机存取存储器(DRAMS)。硅通孔技术使用复杂的通道初次方法，在这种方法中硅通孔是在芯片的前端处理期间使用的。使用通道初次方法是为了集成不同的芯片例如带有逻辑集成电路的存储芯片(见图8)。
图8 硅通孔3D 集成。上部：同类TSV-类 图9 旋转溅射靶的例子，这种溅射靶被
似芯片集成的后通孔方法。下部：复 使用在大面积薄膜技术-液晶面板
杂TSV —不同于芯片的3D 集成的先通 (TFT-LCD)上 孔方法
五、液晶面板(TFT(薄膜晶体管)-LCD)
铜电镀技术在薄膜LCD 平板显示的应用是其另外一个应用例子。使用这些互连为的是通过滤色器生成像素和形成颜色。铜互连的导电率很低，比铝互连大约低60%，并且能够穿过大面积LCD 显示屏传输媒介信号而没有噪声，从而产生出几乎没有扭曲或显示振动的清晰影像。使用在TFT-LCD 的大靶材一般是做成平面的，但是因大的旋转靶材具备材料利用效率高的优势，目前已开始应用于液晶面板中(见图
9)。但是迄今为止，在TFT- LCD 制造过程中，铜电镀技术中没有选择钽而选择钛作为阻拦层。 U n R e g i s t e r e d
区块链未来的发展趋势
区块链采用P2P技术、密码学和共识算法等技术，具有数据不可篡改、系统集体维护、信息公开透明等特性。区块链提供一种在不可信环境中，进行信息与价值传递交换的机制，是构建未来价值互联网的基石。 区块链技术发端于虚拟货币，自2009年以来，虚拟货币在全球范围内兴起，区块链技术逐步走进人们的视野。目前，世界各国政府、产业界和学术界都高度关注区块链的应用发展，相关的技术创新和模式创新不断涌现。中国信通院组织了专题团队，对区块链技术演进、应用发展、安全与监管等进行了研究，提出了“全球区块链应用发展十大趋势。下面，我对这些趋势做个简要的介绍。 趋势一：区块链行业应用加速推进，从数字货币向非金融领域渗透扩散 区块链技术作为一种通用性术，从数字货币加速渗透至其他领域，和各行各业创新融合。我们认为，未来区块链的应用将由两个阵营推动。一方面，IT阵营，从信息共享着手，以低成本建立信用为核心，
逐步覆盖数字资产等领域。另一方面，加密货币阵营从货币出发，逐渐向资产端管理、存证领域推进，并向征信和一般信息共享类应用扩散。 趋势二：企业应用是区块链的主战场，联盟链/私有链将成为主流方向 目前，企业的实际应用集中数字货币领域，属于虚拟经济。我们认为，未来的区块链应用将脱虚向实，更多传统企业使用区块链技术来降成本、提升协作效率，激发实体经济增长，是未来一段时间区块链应用的主战场。 与公有链不同，在企业级应用中，大家更关注区块链的管控、监管合规、性能、安全等因素。因此，我们认为，联盟链和私有链这种强管理的区块链部署模式，更适合企业在应用落地中使用，是企业级应用的主流技术方向。 趋势三：应用催生多样化的技术方案，区块链性能将不断得到优化
【CN110004420A】一种靶材制备方法【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910254092.9 (22)申请日 2019.03.31 (71)申请人 柳州呈奥科技有限公司 地址 545616 广西壮族自治区柳州市官塘 大道52号 (72)发明人 黎品英 谢元鸣 梁莉丝 (74)专利代理机构 广州凯东知识产权代理有限 公司 44259 代理人 李勤辉 (51)Int.Cl. C23C 14/35(2006.01) (54)发明名称 一种靶材制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种靶材制备方法，该靶材制 备方法包括以下步骤：清洗原料，对清洗完成的 靶材进行热处理，对具有一定形状的靶材进行冷 等静压作业，对其常温升压，并且保持8-15min 后，并且采用顶电极不加持的方式进行退火处理 去除靶材表面压力；将处理后的靶材放置在磁控 溅射的样品台上，在靶材底部通入氩气，对其进 行预溅射，再通入高纯氩气和氧气的混合气体， 对其进行溅射，最终制得靶材；本发明所述的一 种靶材制备方法，靶材质量得到提高，可以保证 不同铝靶材之间晶粒大小的均一性，可以提高了 生产效率，降低了生产成本，同时制得的靶材纯 度高、致密性好、成膜均匀性好；操作工艺简单、 能耗低、无污染且易于实现工业化，具有很好的 应用前景。权利要求书1页 说明书3页CN 110004420 A 2019.07.12 C N 110004420 A
权 利 要 求 书1/1页CN 110004420 A 1.一种靶材制备方法，其特征在于，该靶材制备方法包括以下步骤： 步骤一、清洗原料，对靶材原料进行清洗，用喷枪除去靶材原料表面的灰尘和污垢； 步骤二、对清洗完成的靶材进行热处理，经过热处理后，将靶材放置冷藏密封容器中冷藏30-50min,保持靶材温度在160-180℃之间，随后取出降温后的靶材对其进行锻打形成靶材胚料，将靶材锻打形成靶材胚料靶材进行第二次热处理，热处理时间为1-2h,最终形成具有一定形状的靶材； 步骤三、对步骤二中具有一定形状的靶材进行冷等静压作业，对其常温升压，并且保持8-15min后，并且采用顶电极不加持的方式进行退火处理去除靶材表面压力； 步骤四、将处理后的靶材放置在磁控溅射的样品台上，在靶材底部通入氩气，对其进行预溅射，再通入高纯氩气和氧气的混合气体，对其进行溅射，最终制得靶材。 2.根据权利要求1所述的一种靶材制备方法，其特征在于：靶材原料的电阻小于0.6Ω，其中靶材内银含量为30%，且靶材粉末体积电阻率小于2×10-3Ωcm。 3.根据权利要求1所述的一种靶材制备方法，其特征在于：所述靶材基距为60-100mm，工作气压0.3-0.9Pa。 4.根据权利要求1所述的一种靶材制备方法，其特征在于：所述预溅射时间不少于6min，溅射时间为40-80min。 5.根据权利要求1所述的一种靶材制备方法的制备工艺，其特征在于：靶材溅射功率60-90W，靶材基底温度为120℃。 6.根据权利要求1所述的一种靶材制备方法，其特征在于：步骤三中退火处理时注入氮气，且其加热温度为500-750℃，保温时间为20-30s。 2
ito靶材的制备
ITO靶材 ITO靶材简介 ITO靶材是三氧化二铟和二氧化锡的混合物，是ITO薄膜制备的重要原料。ITO靶主要用于ITO膜透明导电玻璃的制作，后者是制造平面液晶显示的主要材料，在电子工业、信息产业方面有着广阔而重要的应用。ITO靶的理论密度为7115g/ cm3。优质的成品IT O靶应具有≥99%的相对密度。这样的靶材具有较低电阻率、较高导热率及较高的机械强度。高密度靶可以在温度较低条件下在玻璃基片上溅射，获得较低电阻率和较高透光率的导电薄膜，甚至可以在有机材料上溅射ITO导电膜。目前质量最好的ITO溅射靶，具有≥99%相对密度。 靶材制备技术 日本新金属学会在二十世纪九十年代初期就把ITO靶材列为高科技金属材料的第一位。我国在“九五”期间也曾将它作为国家“九五”攻关重点项目进行立项研究，尝试了热压、烧结以及热等静压几种制备方法，但是未能形成大规模的工业化生产。国外生产的ITO 靶材早已投放市场，主要产家有德国Leybold （莱博德）公司、日本Tosoh（东曹）公司、日本Energy（能源公司）、日本SamITO（住友）公司以及韩国Samsung（三星）公司。国内生产靶材的公司主要有：株洲冶炼集团有限责任公司、宁夏九0五集团、威海市蓝狐特种材料开发有限公司、韶关西格玛技术有限公司和柳州华锡有限责任公司等。 ITO靶材的制造技术 高性能的ITO靶材必须具备以下的性能：高密度，ITO靶材的理论密度为7.15g/cm3，商业产品相对密度至少要达98%以上，目前高端用途的产品密度在99。5%左右；高耐热冲击性；组织均一无偏析现象；微细均匀的晶粒大小；纯度达到99。99%。 目前ITO靶材的生产工艺和技术设备已较为成熟和稳定，其主要制备方法有热等静压法、真空热压法、常温烧结法、冷等静压法。 真空热压法
2018年我国区块链发展现状及未来趋势分析
2018年我国区块链发展现状及未来趋势分析 当前，新一轮科技革命和产业变革席卷全球，大数据、云计算、物联网、人工智能、区块链等新技术不断涌现，数字经济正深刻的改变着人类的生产和生活方式，成为了经济增长的新动能。区块链作为一项颠覆性技术，正在引领全球新一轮技术变革和产业变革，有望成为全球技术创新和模式创新的“策源地”，推动“信息互联网”向“价值互联网”变迁。 我国《“十三五”国家信息化规划》中把区块链作为一项重点前沿技术，明确提出需加强区块链等新技术的创新、试验和应用，以实现抢占新一代信息技术主导权。目前，我国区块链技术持续创新，区块链产业初步形成，开始在供应链金融、征信、产品溯源、版权交易、数字身份、电子证据等领域快速应用，有望推动我国经济体系实现技术变革，组织变革和效率变革，为构建现代化经济体系作出重要贡献。
我国区块链产业目前处于高速发展阶段，创业者和资本不断涌入，企业数量快速增加。区块链应用加快落地，助推传统产业高质量发展，加快产业转型升级。利用区块链技术为实体经济“降成本”、“提效率”，助推传统产业规范发展。此外，区块链技术正在衍生为新业态，成为经济发展的新动能。区块链技术正在推动新一轮的商业模式变革，成为打造诚信社会体系的重要支撑。与此同时，各地政府积极从产业高度定位区块链技术，政策体系和监管框架逐步发展完善。 产业呈现高速发展，企业数量快速增加 截至2018年3月底，我国以区块链业务为主营业务的区块链公司数量已经达到了456家，产业初步形成规模。 2013-2017年我国新增区块链公司数量 从中国区块链产业的新成立公司数量变化来看，2014 年该领域的公司数量开始增多，到2016年新成立公司数量显著提高，超过100家，是2015年的3
区块链未来趋势 知识产权区块链问题
区块链曾被认为是一项技术革新，比特币的出现，一度让区块链行业成为一大热门，截止目前，业界的区块链项目已经超过1000多个，但繁华的背后，催生的是各种各样借着区块链之名，而大肆圈钱的垃圾项目。 所以，如果你接下来有意向投资区块链，那就跟巨汇GGFX一起来了解未来区块链行业的这几大发展趋势： 趋势一：区块链的性能严重不足 性能过低是当前区块链技术面临的主要挑战之一。区块链的性能指标主要包括交易吞吐量和延时，交易吞吐量表示在固定时间能处理的交易数，延时表示对交易的响应和处理时间。长时间的交易响应会阻碍用户的使用从而影响用户体验 目前，比特币理论上每秒最多只能处理七笔交易，每十分钟出一个区块，相当于交易吞吐量为7，交易延时为10分钟，实际上，等待最终确认需要6个左右的区块，也就是说实际交易延时是1个小时，远远不能满足应用需求。 趋势二：区块链知识产权竞争日趋激烈 2017年以后，中国和美国的区块链申请直线上升，达到了很高的点位。2018年1月份，全球区块链专利申请人直接增至675个，与2017年8月份相比，人数有了将近一倍的上涨，因此在未来的发展中，区块链的知识产权竞争会日趋激烈。 趋势三：区块链安全问题急需解决 基于以太坊公共区块链平台的创投组织TheDAO由于系统漏洞，导致超过5000万美元的以太币被盗，后面又出现Parity钱包冷冻攻击，还有针对节点的日食攻击，甚至出现“一行代码毁终身”，各种各样的安全事件，因此区块链安全监管问题成为无可争议的热点。 而现在的区块链公链系统，是抗审查的，也就是说我可以匿名，我是谁你不知道，这样就算上当受骗了也根本无法找回，对比同样是热门投资的外汇行业，大家就知道安全监管的用处是多大了。 趋势四：各国争夺区块链标准制定权 现在各国都在努力制定区块链的相关标准，包括日本、美国、欧盟和各种知名的区块链标准组织。在全球区块链标准化制定权的竞争中，欧洲国家和亚太国家走在前列，美国虽然凭借累积优势稳扎稳打，但渐有失去领导权的趋势，新加坡和澳大利亚则成为亚太地区的两匹黑马。 趋势五：区块链人才需求大幅增加 根据某数据显示，全球对于区块链人才的需求量从2015年开始到2017年显著增长了19倍；但目前来看，其占全球人才市场需求总量的比重还非常低，但随着区块链行业的发展，会大
集成电路制造用溅射靶材的应用及发展趋势
集成电路制造用溅射靶材的应用及发展趋势 在半导体集成电路制造工艺过程中以具有较低电阻率的铜导体薄膜代替铝膜布线工艺; 在平面显示器产业中, 各种不同的显示器(如LCD、PDP、OL ED 及FED 等) 的同步发展, 以期有朝一日能大量取代体积大而笨重的阴极射线管显示器(CRT ) , 作为电脑及计算机的显示器; 在信息存储产业中, 磁介质记录机的存储容量不断增加, 新的光碟式记录体又不断 推陈出新。这些都对所需溅射靶材的质量提出了越来越高的要求, 在需求数量方面也是逐渐增加。据统计1998 年全球使用了大约2690 t重的各类溅射靶材, 溅射出了317×1000000m2的薄膜; 而到了1999 年全球增加到使用了2880 t 重的各类溅射靶材, 溅射制作出了363×106m 2 的薄膜。 从我国近几年来电子信息产业的迅速发展情况来看, 6～ 12 英寸集成电路的生产线、光盘生产线及LCD、PDP 显示器生产线均有大量合资或独资企业出现。我国已逐渐成为了世界上薄膜溅射靶材的最大需求地区之一, 这一巨大市场也必然受到世界上各大溅射靶材制 造厂家的极大关注。希望我们国内的有关研究机构和靶材制造企业, 对此也给予足够的重视, 积极针对不同产业使用的溅射靶材进行相关的技术开发, 逐步建立自主性的高级金属电子 材料的制造产业。 集成电路产业 集成电路用靶材在全球靶材市场占较大份额，其溅射产品主要包括电极互连线膜、阻挡层薄膜、接触薄膜、光盘掩膜、电容器电极膜、电阻薄膜等。其中薄膜电阻器是薄膜昆合集成电路中用量最多的元件，而电阻薄膜用靶材中Ni—cr合金的用量很大。 一般来说，集成电路用溅射靶材的晶粒尺寸必须控制在100μ m以下，甚至其结晶取向也须控制，而在靶材的化学纯度方面，对于0．35μ m线宽工艺，要求靶材的化学纯度为 4N5(99．995％)以上，0．25μ m线宽工艺，溅射靶材的化学纯度则必须在5N(99．999％)，甚至6N(99．9999％)以上。 集成电路产业 在半导体或微电子相关产业中, 经常使用的溅射靶材如表1 所示。与其他产业相比, 集成电路产业对于溅射靶及溅射薄膜的需求是最高乃至最苛刻的。例如, 对于溅射所淀积薄膜的厚度均匀性的要求, 通常为3 倍的厚度分布标准偏差( standard deviat ion ) 应小于5%; 另外, 随着半导体布线宽度的不断减小, 对于镀膜的夹杂物(inclu sion) 及缺陷(defect) 的要求也愈来愈高。这些对镀膜质量的严格要求反映到溅射靶时, 即为溅射靶材料的微观结构及化学纯度应符合相应工艺要求。
溅射靶材说明
溅射靶材说明 磁控溅射镀膜是一种物理气相镀膜方式，现技术已较为成熟，主要应用于以下领域：装饰薄膜靶材，建筑玻璃、汽车玻璃、低辐射玻璃，平面显示器，光通讯/光学工业，光数据存储工业，光数据存储工业，磁数据存储工业。 一、磁控溅射原理 在被溅射的靶极(阴极)与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体(通常为Ar氩气)，永久磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。在电场的作用下，Ar气电离成正离子和电子，靶上加有一定的负高压，从靶极发出的电子受磁场的作用与工作气体的电离几率增大，在阴极附近形成高密度的等离子体，Ar离子在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，以很高的速度轰击靶面，使靶上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向基片淀积成膜。磁控溅射一般分为二种：支流溅射和射频溅射，其中支流溅射设备原理简单，在溅射金属时，其速率也快。而射频溅射的使用范围更为广泛，除可溅射导电材料外，也可溅射非导电的材料，同时还司进行反应溅射制备氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射频的频率提高后就成为微波等离子体溅射，目前常用的有电子回旋共振(ECR)型微波等离子体溅射。 二、磁控溅射镀膜靶材 按照形状分可分为圆片靶，圆柱靶，台阶圆靶，矩形靶，薄片靶，台阶片靶，环状靶，管状靶。 按照材质可分为：金属靶材、合金靶材、陶瓷靶材等。 材料的纯度按照需求，可从99.9%到99.999%。 详细资料可参考(https://www.wendangku.net/doc/4c15758349.html,/Cn/Cn_Sputtering_Target.html)
三、晶方使用靶材AlCu4 Target 现使用的是铝铜合金靶材，供应商为瑞士Umicore ，主要成分为纯度为99.9995%的铝（96%）和铜（4%）。应用在半导体硅晶片的真空射频溅镀制程，使用设备为瑞士Oerlicon 公司LLS EVO II Sputtering System 。作用是在硅晶片表面利用铝铜进行镀层，以便制作导电线路，连结和导通CMOS 芯片pad 与表面锡球。 1） Oerlicon Sputtering System 2) AlCu4靶材使用前： 3）AlCu4靶材使用后： 晶方半导体科技（苏州）有限公司 2008-07-29
区块链技术的发展与未来应用
区块链技术的发展与未来应用 摘要：区块链诞生自中本聪的比特币，自2009年以来，出现了各种各样的类比特币的数字货币，都是基于公有区块链的。区块链技术就像一个公开透明 的可信赖的帐务系统，但它的意义之重大，用途之广泛，一旦你意识到你定会 激动万分。区块链行业目前发展迅速，是全球各大顶级银行和金融机构大力投 资和追逐的新兴领域，正在革新全球金融基础设施，是未来五年有前景的行业 之一。区块链技术使得DAC成为可能，而DAC是一种能够从根本上颠覆人类社 会组织模式的东西，将来对社会的影响力，可能会不亚于工业革命，成为互联 网给世界带来的最为深刻的变革。它来源于比特币，却也成就了比特币，超越 了比特币。可以这样说，没有比特币，区块链技术可能要晚很多年才可能出现；第二是比特币是区块链技术工业化最成功也是目前最成熟的一个例子，当然， 它也未必是最好的，因为它有公有链，基于代币的pow的公有链。那么，面对 当今格局的风云变幻，科技技术的快速发展与竞争，区块链技术未来又将具体 用在哪些方面呢？据调查研究分析，区块链技术未来可能会对我们的货币贸易、资产和数据、股权等进行改革。 关键词：帐务系统、人类社会组织模式、变革、竞争。 （一）：区块链技术的工作原理 区块链的机制目前主要分为两类：pos（proof of stake）权益证明机制和 pow(proof of work ) 工作量证明机制。 中本聪要在这个支付系统中自证其信，首先要解决的问题，就是双花，即重复 支付的问题。正如现在的法币系统中，如何杜绝假币的问题，主流社会的做法是：通过国家制定法律法规，通过强制力迫使人杜绝制造假币，而中本聪则用 区块链系统本身杜绝了人为因素，完全依靠技术解决双花问题。而比特币采用 的pow工作量证明机制，则是按照做工作量的多少来获得奖励。 区块链有以下特性： 1：随时提取————去中性化特性 2：不可伪造————集体维护监督 3：不可撤销————开源即匿名性 4：可验证性————可分数据存储 首先我们来看基于公有区块链讲解的两张图
磁控溅射靶材中毒
磁控溅射中靶中毒是怎么回事，一般的影响因素是什么？ A:第一：靶面金属化合物的形成。 由金属靶面通过反应溅射工艺形成化合物的过程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反应气体粒子与靶面原子相碰撞产生化学反应生成化合物原子，通常是放热反应，反应生成热必须有传导出去的途径，否则，该化学反应无法继续进行。在真空条件下气体之间不可能进行热传导，所以，化学反应必须在一个固体表面进行。反应溅射生成物在靶表面、基片表面、和其他结构表面进行。在基片表面生成化合物是我们的目的，在其他结构表面生成化合物是资源的浪费，在靶表面生成化合物一开始是提供化合物原子的源泉，到后来成为不断提供更多化合物原子的障碍。 第二：靶中毒的影响因素 影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积增加，如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到抑制，溅射沟道将进一步被化合物覆盖，当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，靶完全中毒。 第三：靶中毒现象 (1)正离子堆积：靶中毒时，靶面形成一层绝缘膜，正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡，不能直接进入阴极靶面，而是堆积在靶面上，容易产生冷场致弧光放电---打弧，使阴极溅射无法进行下去。（2）阳极消失：靶中毒时，接地的真空室壁上也沉积了绝缘膜，到达阳极的电子无法进入阳极，形成阳极消失现象。 第四：靶中毒的物理解释 （1）一般情况下，金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶中毒后，靶材表面都是金属化合物，在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，提高了空间的导通能力，降低了等离子体阻抗，导致溅射电压降低。从而降低了溅射速率。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶中毒时，溅射电压会显著降低。（2）金属靶材与化合物靶材本来溅射速率就不一样，一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高，所以靶中毒后溅射速率低。（3）反应溅射气体的溅射效率本来就比惰性气体的溅射效率低，所以反应气体比例增加后，综合溅射速率降低。 第五：靶中毒的解决办法 （1）采用中频电源或射频电源。（2）采用闭环控制反应气体的通入量。（3）采用孪生靶
金属靶材生产加工项目立项报告
金属靶材生产加工项目 立项报告 规划设计/投资分析/实施方案
金属靶材生产加工项目立项报告 高纯溅射靶材行业是典型的技术密集型行业，要求业内厂商具有较强的技术研发实力和先进的生产工艺，具有完善的品质控制能力。其主要技术门槛表现在以下几个方面。纯度和杂质含量控制是靶材质量最重要的指标。靶材的纯度对溅射薄膜的性能有很大影响。若靶材中夹杂物的数量过高，在溅射过程中，易在晶圆上形成微粒，导致互连线短路或断路。靶材的成分与结构均匀性也是考察靶材质量的关键。对于复相结构的合金靶材和复合靶材，不仅要求成分的均匀性，还要求组织结构的均匀性。晶粒晶向控制是产品研发主要攻克的方向。溅射镀膜的过程中，致密度较小的溅射靶材受轰击时，由于靶材内部孔隙内存在的气体突然释放，造成大尺行业深度研究寸的靶材颗粒或微粒飞溅，或成膜之后膜材受二次电子轰击造成微粒飞溅，这些微粒的出现会降低薄膜品质。例如在极大规模集成电路制作工艺过程中，每150mm直径硅片所能允许的微粒数必须小于30个。怎样控制溅射靶材的晶粒，并提高其致密度以解决溅射过程中的微粒飞溅问题是溅射靶材的研发的关键。靶材溅射时，靶材中的原子最容易沿着密排面方向优先溅射出来，材料的结晶方向对溅射速率和溅射膜层的厚度均匀性影响较大，最终影响下游产品的品质和性能。需根据靶材的组织结构特点，采用不同的成型方法，进行反复的塑性变形、热处理工艺加以控制。
该金属靶材项目计划总投资7444.10万元，其中：固定资产投资 5178.95万元，占项目总投资的69.57%；流动资金2265.15万元，占项目 总投资的30.43%。 达产年营业收入18041.00万元，总成本费用14083.11万元，税金及 附加150.99万元，利润总额3957.89万元，利税总额4654.80万元，税后 净利润2968.42万元，达产年纳税总额1686.38万元；达产年投资利润率53.17%，投资利税率62.53%，投资回报率39.88%，全部投资回收期4.01年，提供就业职位314个。 报告根据项目产品市场分析并结合项目承办单位资金、技术和经济实 力确定项目的生产纲领和建设规模；分析选择项目的技术工艺并配置生产 设备，同时，分析原辅材料消耗及供应情况是否合理。 ...... 靶材是溅射薄膜制备的源头材料，又称溅射靶材。是制备晶圆、面板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键材料。
区块链的现状和发展趋势
区块链的现状和发展趋势 2016年，互联网金融至关重要的一年。这一年，行业冰火两重天，生死两部曲。一边是，网贷行业面临监管收紧，大浪淘沙;一边是，互联网保险、消费金融、供应链金融等新金融崛起，区块链、人工智能、大数据等新科技开始慢慢落地。 一本财经将对互金行业的各个细分领域，进行全年盘点——分析模式，解析现状，寻找突围，预测风口。以下是第五篇，2016年，区块链的浮躁与自醒。时下最火的FinTech(金融科技)，非区块链莫属。这个从比特币中涅槃而生的创新技术，被认为可以重塑金融和生活架构。而2016年，被称为区块链元年，因为这一年，区块链技术的真正价值，开始被关注和挖掘。2016年，资本热捧，巨头入场，行业高呼，行业峰会不断;和热络的呼声不同的是，区块链实际落地寥寥无几，大多号称做区块链的公司，只停留在概念和实验阶段。区块链行业，变得雷声大雨点小。2017年，区块链行业将洗尽铅华，从浮躁中抬起头来。01 资本版图 2015年，区块链成为了美国创投中获得融资最高的板块，突破10亿美元。2016年，在中国，投行、金融巨头、互联网巨头全都磨刀霍霍，融资和关注力度，都空前盛大。 十大VC：
巨头布局： 投资区块链的，主要来自3方面的玩家： 1、投行：成立专门区块链投资基金 着力金融科技领域的投资机构，自然对区块链技术持续关注。
万向集团，中国最大的汽车零部件制造商之一，在2015年9月成立了中国第一家区块链技术专业机构，万向区块链实验室，并成立了专项投资区块链基金，共5000万美金。 近日，以实业投资为主的汇银集团，成立了一家专门的比特币投资基金，汇银区块链投资，管理资金规模达到2000 万美元。 2、金融巨头：从担忧到拥抱 区块链是分布式记账技术，有不可篡改的特性，降低了金融领域的价值交换成本和信用的成本。 这就意味着，金融链条中，所有的中介机构，都将面对“被革命”的命运。2015年，美国区块链融资10亿美元中，投资最多的，反而是传统的银行机构，譬如摩根、花旗等巨头。 银行动作频频，开启防御型进攻：与其被革命，不如自我革命。 近日，国内银行也开始区块链落地现实的尝试：中国平安，在资产交易和征信领域嫁接区块链; 中银香港推出按揭区块链应用; 浙商银行推出基于区块链技术的移动数字汇票平台; 中国邮政储蓄银行的区块链的资产托管系统，已经在2017年初，正式推出。 3、互联网巨头：金融科技重点布局 BATJ等互联网巨头，在扩展自身的业务版图，把区块链技术作为提升自身金融科技实力的勋章。 拥有雄厚的技术团队，他们往往亲自上阵，组建联盟、测试场景，一举一动都受到行业关注。
2018年全球溅射靶材市场空间、国内靶材企业机遇及高端ITO靶材、磁记录靶材分析
2018年全球溅射靶材市场空间、国内靶材企业机遇及高端 ITO靶材、磁记录靶材分析
导语：千亿市场比肩锂钴，批量供货启动，看好内生外延机遇 (4) 溅射靶材市场空间真的很小么？——18年全球近千亿市场，比肩锂钴 (5) 溅射靶材应用，不止于半导体 (5) 18年全球近千亿市场，比肩锂钴 (5) 显示、半导体成为拉动靶材需求的主要动力 (5) 溅射靶材随显示、半导体等下游需求逐步提升 (6) 半导体和显示应用的单位靶材用量仍在提升 (8) 溅射靶材的难点，仅看纯度么？——下游各有侧重，重视高附加值的原料制备 (10) 不同应用的靶材品种性能要求各有侧重 (10) 半导体靶材纯度高、平面显示靶材面积大、多元素靶材合成要求高 (10) 靶材原料：微笑曲线上的高附加值环节 (11) 国内外靶材市场怎么看？——日美仍称霸，国产铝、铜、钼、ITO靶星火已燃 (12) 靶材集中度高，日美占据约80%市场份额 (12) 国内靶材星火已燃：半导体以铝靶为主，显示钼靶规模量产、ITO启动供货 (12) 靶材品种眼花缭乱？一张图帮您看懂 (13) 国内靶材企业机遇临近?——内生增长和外延并购 (15) 内生增长：国内靶材企业启动规模快速扩张阶段 (15) 外延并购：显示、半导体等加速向国内转移，存在整合机遇 (15) 你所不知道的高端ITO靶材？——国产粉末制备突破，18年有望批量供货 (17) 高端ITO是显示靶材的主要品种之一 (17) 显示ITO靶材主要被日韩垄断 (18) 国内ITO靶材有望需求随显示产业提升，本地供应商步入发展快轨 (18) 磁记录靶材，市场去哪儿了？——HDD优势犹存，SDD拉动半导体靶材 (20) 大数据发展带动存储器发展，HDD优势犹存，SDD拉动半导体靶材 (20) 磁记录靶材市场以海外供应为主，18-20年国内市场有望保持10%增速 (21) 小结：看好18-20年国产靶材企业全球市场份额提升 (22) 风险提示 (22)
溅射靶材和蒸镀膜料
一、溅射靶材 工具镀膜工业非凡物质奇妙世界 工具镀膜常应用于车削刀具、机械手、模具等各种机械及冶金用途。刀具、模具的超硬保护层，膜系包括TiN、ZrN、TiAlN、TiC、TiCN、CrN、DLC等，镀层产品包括钻头、铣刀、齿轮刀具、丝锥、剪刀、切刀、顶头、冲模等。膜层厚度一般为2~10μm，膜层要求高硬度，低磨损，耐冲击，高附着型等，其技术层次高于装饰镀膜。 常用靶材与装饰镀膜基本相同，为Ti、Al、Cr、C、Ti/Al等，常通入N2, O2, C2H2 等反应气体，除了以氮化物为主要膜层，还多了类金刚钻膜(Diamond Like Coating, DLC)。 产品应用 为了追求更佳的膜层机械性质，合金靶材也已经被大量采用在刀具上，如Ti/Si、Cr/Si、Cr/Al、Ti/Cr、Al/Ti/Si、Al/Cr/Si等。而且持续有新的多元合金正被开发测试中，制造工艺分为真空熔炼工艺、挤压熔炼工艺、热等静压工艺、热压烧结工艺等，不同的方法制出的靶材特性各有不同。
装饰镀膜工业非凡物质奇妙世界 应用真空阴极电弧源沉积技术 (Cathodic Arc Coating) 可在大量民生用五金件上镀上不同的颜色，做为装饰用途，与一般表明处理用的电镀，烤漆相比，有高硬度，高亮度，抗蚀氧化，不易脱落，不掉色等优异特色。 目前市场上最常见的卫浴五金（莲蓬头、水龙头等），建筑五金（门锁、门把、电梯板），汽车五金（后视镜），机壳（手机、电脑等），装饰配件（发簪、纽扣）等都已大量采用此种镀膜技术。 镀膜产品包括表件、日用五金件、卫浴洁具、建筑五金件、表壳、表带、小饰品、不锈钢板等等，彩色膜除仿金色外，还有枪黑、乌黑、玫瑰金、棕色、蓝色、绿色、灰色、银色以及幻彩等等。 常用的靶材有Ti、Zr、Cr、C、TiAl等几种，通入N2，O2，C2H2等气体后，可形成金黄，古铜，灰黑等多种不同色调。膜层一般在1um 以下。具备开发新色彩能力已经成为装饰镀膜业者极力争取的技术优势。
ITO靶材制备
ITO靶材的制备及其性能研究 培养单位：材料复合新技术国家重点实验室 学科专业：复合材料学 研 究 生：郭 伟 指导老师：王为民 教 授 2009年5月
分类号 学校代码 10497 UDC 学号 104972060235 学 位 论 文 题 目 ITO 靶材的制备及其性能研究 英 文 题 目 Study on Fabrication of ITO Targets and Its properties 研究生姓名 郭 伟 姓 名 王为民 职称 教授 学位 博士 单位名称 材料复合新技术国家重点实验室 邮 编 430070 申请学位级别 硕 士 学科专业名称 复合材料学 论文提交日期 2009.5 论文答辩日期 2009.5 学位授予单位 武汉理工大学 学位授予日期 答辩委员会主席 评阅人 2009年5月 指导教师
独创性声明 本人声明，所呈交的论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得武汉理工大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 签 名： 日 期： 学位论文使用授权书 本人完全了解武汉理工大学有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权武汉理工大学可以将本学位论文的全部内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或其他复制手段保存或汇编本学位论文。同时授权经武汉理工大学认可的国家有关机构或论文数据库使用或收录本学位论文，并向社会公众提供信息服务。 (保密的论文在解密后应遵守此规定) 研究生（签名）：导师（签名）：日期：
钽溅射靶材的应用、属性和发展趋势
1 钽溅射靶材的应用、属性和发展趋势 一、 前言 由于钽具有形成薄氧化物的能力，且生成的氧化膜具有保护作用，因此钽作为基础材料被广泛应用于电解质电容器制造过程中。钽在微电子领域最初是应用在分立薄膜电容器的构成中。蒸发法是钽沉积早期使用的方法，但是在上个世纪六十年代末出现的物理气相沉积法(PVD)如溅射镀膜法取代蒸发法成为一种薄膜沉积比较好的方法。物理气相沉积法是将电离的氩原子通过电磁力学的方式去撞击一个被称为靶材的材料源，从而撞击出金属靶材原子；然后撞击出的靶材原子会沉积在所需镀膜的基层上形成一层薄膜。在这种磁控溅射过程中，磁力场可通过聚集二级电子的方式来增加离子密度；这里二级电子具有增加溅射沉积速率并被束缚在等离子体区域内，且在低压下维持不变的特点(见图1)。本文从热喷墨打印头、铜电镀以及硅通孔技术三个方面讨论了钽在微电子领域中的应用。另外也讨论一下铜电镀在液晶面板中的应用。 图1 磁控溅射：采用电磁力学的方式用电离 图2 热喷墨打印头(来自HP) Ar(+)原子撞掉靶材原子。靶材原子沉积 在基层上。施加的磁场通过聚集二级电 子来增加离子密度 二、热喷墨打印头 热喷墨打印头可用于薄膜集成电路的制造过程中，这对钽和以钽为基质的溅射靶材的使用提供了一个很好的促进作用。在集成电路的制造过程中，使用一个薄膜 U n R e g i s t e r e d
2 电阻器在能量密度接近1.28E9 watts/m 2的条件下快速加热油墨的薄膜层，于是油墨中一些非常小的部分就被蒸发形成一种扩展的气泡，这种气泡实际上就是喷射出的油墨小液滴(见图2)。在这里，薄膜电阻器选择的是TaAl 型。由于高温油墨会使部分喷墨打印设备发生汽蚀现象，因此钽抗汽蚀薄膜的使用可以起到保护油墨设施的作用。 三、铜电镀 钽薄膜在集成电路制造过程中优势明显，并且在钽薄膜使用过程中有一个大的进展是铜电镀技术在其中的应用。光致抗蚀掩膜和等离子蚀刻技术不能用来形成铜，因为铜不能在低温等离子蚀刻条件下形成所需的挥发成分。通常情况下铜电镀使用的是镶嵌工艺，这里氮化硅绝缘层和放置导体的开放的沟槽(通道)形成在一起(见图 3)。由于铜具有高的导电性，因此阻挡膜必须能完全地隔离铜。但是如果阻挡膜过 厚，又会失去铜互连的这种高传导性优势。 图3 铜电镀所使用的镶嵌工艺，这里氮化 图4 SIP Ta(N)/SIP Cu 阶梯覆盖率的 硅绝缘层和放置导体的开放的沟槽形 TEM 截面(注：SIP -系统级封装) 成在一起，沟槽里的导电体紧接着是 阻挡膜和铜电镀层(来自IBM) 在以上所描述的铜电镀方案中，阻挡膜的沉积必须具有好的阶梯覆盖率，并且要在通道/沟槽空隙处减少突出，这一点很重要。为了达到这个目的，一些OEM 厂商要具备相应的PVD 设备。此类设备是利用薄片偏置通过电离方式来控制电离金属 U n R e g i s t e r e d
区块链技术发展现状和趋势学习资料-区块链创新发展的机遇与挑战
区块链创新发展的机遇与挑战 当前，全球已迎来前所未有的新一轮科技与产业革命，蓬勃发展的数字经济对人类生产生活、各国经济社会、全球治理体系、世界文明进程都带来了深刻改变，并产生着深远影响。作为数字经济底层技术的重要构成，区块链依托的数据基础日益坚实，面临的信息环境不断改善，自身的效率和安全性亦持续提升，在政策、资金和市场的多重推动之下，愈加呈现出对高质量发展的重要支撑作用。 一、区块链产业具备广阔空间 区块链产业的形成，一度与比特币的诞生和发展密不可分，直接指向了人类对于财富本源的追逐和渴望，在2013年至2017年间出现过全球性的急速爆发式增长，在2017年达到增速峰顶。在比特币等虚拟货币的热潮逐渐消退之后，各国已开始意识到区块链作为新兴底层计算技术的真正价值所在，纷纷加快战略布局，在逐步兴起的多元应用的拉动之下，维系着产业规模整体的稳定较快增长。 从全球来看，区块链产业发展动力依然充足。区块链应用场景已基本实现从起始的数字货币和矿机制造向金融服务的延伸，目前更是向着供应链、数字版权、食药可追溯等多个领域持续渗透。据中国电子学会统计，2017年全
球区块链产业规模为52亿美元，2018年为78亿美元，预计2019年全球产业规模将达到120亿美元左右，从2013年至2019年的年均增长率超过60%。 从我国来看，区块链产业具备广阔上扬空间。得益于互联网巨头的持续投入和新兴科技企业的积极进入，以及量大面广的潜在市场，区块链产业在2～3年的短时期内几乎完成了面向当前产业链全环节的覆盖式布局，数百家以区块链为主要业务的企业涵盖了产业链上游的硬件制造、平台服务、安全服务，产业链下游的产业技术应用服务，以及支撑产业发展的投融资、媒体、人才服务等多个环节。据中国电子学会统计，2017年我国区块链产业规模为21亿美元，2018年为29亿美元，预计2019年将达到42亿美元左右，2013至2019年的年均增长率超过65%。 二、全球区块链主要前沿态势 一是以大规模应用为特征的 3.0时代即将到来。随着技术的逐渐成熟，以及信息基础设施的相应完善，区块链有望从以金融应用为主的 2.0时代向经济社会多领域、大规模、产业化应用的 3.0时代迈进。相当一批区块链底层基础公链正在充分运用分片、跨链、侧链等技术，致力于提供商用级别的高性能解决方案。美国、德国、荷兰、新加坡等国家已经开始围绕区块链部署多维度应用，物流跟踪、生产制造、能源结算、慈善管理都是其中的重点领
区块链技术才是真正地未来
多年前，区块链技术还是一个不为大多数人所知的冷僻概念。一夜之间，比特币疯涨、ICO乱象丛生、巨头竞相入场，区块链迅速成为刷屏热词。有人跟风追逐、炒作概念，陷入暂时性的狂欢和派对中，也有人低调潜行，默默耕耘区块链技术的应用场景，真正用新技术改造传统产业。 世界喧嚣，道路漫长，愿你不会因此而忘记自己为什么出发。无论区块链技术将引领我们走向何方，冷静思考、获得客观全面的认知，无疑是拥抱新概念的最佳姿态。 长江创创社区学术主任张维宁教授投身区块链技术研究多年，2016年5月即发起区块链技术及创新论坛，邀请世界各地的区块链技术专家现身说法。 “这块天地如此之新,许多东西尚未命名,提起它们时还须用手指指点点。” ——马尔克斯《百年孤独》 我们现在所处的时代，有点像1993-1994年，互联网刚刚兴起的时候。那时候最大的问题是出现了互联网这个新事物，大家不怎么懂，都觉得这东西什么都能干。1994年的互联网是什么状态？是一个无法快速传输图片的互联网机制。在这样的基础设施下，我们要做商业
模式的探讨，听起来都不太靠谱的样子。毕竟，那时候的互联网连图片和语音都发不了。 现在区块链所处的阶段，还不如那个时候的互联网成熟。我们看到太多的纷纷扰扰，但是大家不必害怕太晚，因为这一切尚未真正开始。大家知道互联网上最早有很多诈骗的，因为各种各样的新概念，使大家都认为这里有机会。当所有人都觉得有机会的时候，就开始有人出来行骗。 一个新技术普及的早期阶段，有三个基本特征： 一是基础设施非常不健全，无论是基于Hyperledger、以太坊，现在的整体基础设施依然远远不够好。大量拥堵、无法做高并发、无法做大容量传输、无法做共识迭代，有大量底层基础问题没有解决。就像我们当年无法在互联网上传照片是一样的； 二是所有参与者的心智都不成熟。很多时候我们都太着急了； 三是利用焦虑心态的行骗广泛出现。 那么，如何理解区块链技术？我们可以用微信组局的例子来通俗地解释区块链技术： 区块链中的链式数据结构就相当于微信中的接龙发帖，我们在发帖时制定一个规则，每个人发帖时必须包含上一个帖子内容 + 下一个编号 + 自己名字，这就是区块链中的共识机制；规则确定后，大家自发登记，这就相当于区块链中的去中心化，没有任何一个单一用户能够控制这个账本；微信群里每条消息大家都能看见，更新的记录如果有数字错了或者人重复了的情况，每个人都可以检查，这就是区
磁控溅射靶材的根瘤的形成
磁控溅射靶材的根瘤的形成 磁控溅射是由于各种各样的行业，如薄膜太阳能电池，半导体，光学，装饰涂料，耐磨和防腐蚀保护应用的高度重视的技术。据观察，在过去，在某些情况下，当溅射金属或陶瓷材料，结节表面形成溅射赛马场附近地区（自动转存面积），有时甚至在赛马场区域目标（图1）。他们通常拥有一个到岗，圆锥或金字塔形状。结节往往沉积运行收益增长。最终，他们可以覆盖超过30％的目标的表面区域。形成结节会带来不同的效果，如溅射速率，溅射原子的角分布的变化，增强电弧放电过程中漂移和不稳定，这反过来缺陷的结果，并导致质量差溅射薄膜。涂层系统已被关闭经常清洗目标表面结节和碎片。这会导致非预期的停机时间和降低生产速度。目标表面上形成结节，因此极不可取的。尽管这是一个严重的工业问题，一般有什么结果结节的增长，这是很重要的工艺参数的理解缺乏，以及如何解决这个问题。因此，这篇文章的目的是阐明根瘤的形成机制，对靶材的关键工艺参数和提供解决方案以及一些轻。 图1。A）扫描电镜图像显示结节形态。从Lippens等。[4] B）ITO靶材的黑色结节（图像- Gencoa有限公司提供）; C）在Si 靶材结节（图像- Faradox储能公司提供）。
根瘤的生长机制 观察视锥细胞的离子轰击阴极的历史可以追溯到早在1942年[1]。从那时起，这种现象一直受到学术界和工业界的科学家和工程师的兴趣。韦纳锥的形成[2]进行了广泛的研究工作。基于实验证据韦纳的结论，在溅射从另一个源提供的某些杂质原子或原子的极少量可以给离子轰击surfaces.The比种子诱导锥增长所需的主要原子可以上升到种子锥形成低至1 500人，分别为钼- 铜的情况下证明。有趣的是，它也表明，种子原子材料具有较低的溅射率，但必须表现出了较高的熔点。存款锥也可以出现更大的通量是一个较低的熔点金属热的熔点较高的金属，它是离子轰击下存放。在低离子轰击能量（<1keV，即典型的磁控溅射应用）高温（??的熔点）为种子锥现象发生的重要。当溅射金属靶材，氧或氮原子的痕迹阻碍表面原子的运动，因此种子锥形成。离子轰击溅射阈值附近的直单晶晶须，这受到更高的能量轰击时，往往转换成锥增长的结果。韦纳强调，种子锥晶须生长，吸附原子表面运动和溅射效果之间的相互作用的结果。 溅射靶材料已最常报告的有结节增长的问题是铟锡合金和铟锡氧化物（ITO）[3-9]。这主要是由于的ITO透明导电氧化物（TCO）镀膜玻璃市场的主导地位。目前在工业生产的ITO的最高优先事项是实现高溅射速率和过程的稳定性，这两者都是由结节增长的问题而受到损害。 其他目标材料，这种硅和Ti - W [10]，也被报道患有结节增长。
靶材项目商业计划书
靶材项目 商业计划书 规划设计/投资分析/产业运营
靶材项目商业计划书 靶材是薄膜制备的关键原料之一，主要应用于半导体、显示、磁记录、太阳能等领域。全球半导体贸易统计协会（WSTS）数据，2016年全球靶材 市场的下游结构中，半导体占比10%、平板显示占34%、记录媒体占29%、 太阳能电池占21%。不止于半导体应用，溅射靶材在平面显示、磁记录媒体等领域的应用空间广阔。 该靶材项目计划总投资8770.78万元，其中：固定资产投资6940.05 万元，占项目总投资的79.13%；流动资金1830.73万元，占项目总投资的20.87%。 达产年营业收入12413.00万元，总成本费用9636.63万元，税金及附 加140.53万元，利润总额2776.37万元，利税总额3299.85万元，税后净 利润2082.28万元，达产年纳税总额1217.57万元；达产年投资利润率 31.65%，投资利税率37.62%，投资回报率23.74%，全部投资回收期5.71年，提供就业职位229个。 严格遵守国家产业发展政策和地方产业发展规划的原则。项目一定要 遵循国家有关相关产业政策，深入进行市场调查，紧密跟踪项目产品市场 走势，确保项目具有良好的经济效益和发展前景。项目建设必须依法遵循
国家的各项政策、法规和法令，必须完全符合国家产业发展政策、相关行业投资方向及发展规划的具体要求。 ......
靶材项目商业计划书目录 第一章申报单位及项目概况 一、项目申报单位概况 二、项目概况 第二章发展规划、产业政策和行业准入分析 一、发展规划分析 二、产业政策分析 三、行业准入分析 第三章资源开发及综合利用分析 一、资源开发方案。 二、资源利用方案 三、资源节约措施 第四章节能方案分析 一、用能标准和节能规范。 二、能耗状况和能耗指标分析 三、节能措施和节能效果分析 第五章建设用地、征地拆迁及移民安置分析 一、项目选址及用地方案