AlN及GaN折射率随温度的变化

The temperature dependence of the refractive indices of GaN and AlN from room temperature up to 515 ° C

Naoki Watanabe, Tsunenobu Kimoto, and Jun Suda

Citation: Journal of Applied Physics 104, 106101 (2008); doi: 10.1063/1.3021148

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The temperature dependence of the refractive indices of GaN and AlN from room temperature up to515°C

Naoki Watanabe,1,a?Tsunenobu Kimoto,1,2and Jun Suda1

1Department of Electronic Science and Engineering,Kyoto University,Nishikyo-ku,Kyoto615-8510,Japan

2Photonics and Electronics Science and Engineering Center(PESEC),Kyoto University,Nishikyo-ku,

Kyoto615-8510,Japan

?Received5August2008;accepted3October2008;published online18November2008?

The temperature dependence of the refractive indices of GaN and AlN was investigated in the

wavelength range from the near band edge?367nm for GaN and217nm for AlN?to1000nm and

the temperature range from room temperature to515°C.Optical interference measurements with

vertical incident con?guration were employed to precisely evaluate the ordinary refractive indices.

?2008American Institute of Physics.?DOI:10.1063/1.3021148?

Wide band-gap group-III nitrides,gallium nitride?GaN?and aluminum nitride?AlN?,have attracted much attention for optoelectronic devices in the green to ultraviolet region.1–3To optimize the design of optoelectronic devices, knowledge of the refractive indices of the constituent mate-rials is required.In general,the refractive index of a material varies with temperature,a phenomenon known as the thermo-optic effect.Since the junction temperature of a GaN-based laser diode?LD?exceeds100°C,4failure to consider the thermo-optic effect would result in a suboptimal LD waveguide design.On the other hand,the thermo-optic effect can be used to actively modulate device characteristics by varying the temperature.For example,when an optical ?lter such as a distributed Bragg re?ector?DBR?made of Al x Ga1?x N is combined with a GaN-based photodiode,the spectral response of the photodetector can be varied by controlling the DBR temperature.Thanks to its large band gap,GaN-based photodiodes are capable of operation at tem-peratures much higher than400°C.5Varying the tempera-ture from room temperature to high temperature makes pos-sible a widely variable range of detectable wavelength.It should be noted that a high power is not required to reach temperatures above400°C if the device has good thermal insulation,a small volume,and a monolithically integrated heater.

Tisch et al.6reported the refractive indices of GaN and aluminum gallium nitride?Al x Ga1?x N?measured by spectro-scopic ellipsometry from room temperature to300°C. While refractive index data up to300°C are adequate for LD design,extension of the data set to higher temperatures will be needed for other applications as mentioned above.In addition,one must also consider the optical anisotropy of GaN and AlN inherent to its crystal structure?wurtzite?. Tisch et al.6did not separate the anisotropy.In this study,we measure the thermo-optic coef?cients??n/?T?of GaN and AlN by optical interference measurements.A vertical inci-dent con?guration was employed to evaluate the ordinary refractive index n o?light propagating along the c axis?.The temperature range of the measurements is from room tem-perature to515°C.

The samples used in this study were commercially avail-able GaN layers grown on?0001?-oriented sapphire sub-strates by metal-organic vapor phase epitaxy and AlN layers grown on?0001?-oriented6H-SiC substrates by hydride va-por phase epitaxy.5.18and10.6?m thick GaN layers and 9.23?m thick AlN layers were used for the measurements. The layer thicknesses were determined by cross-sectional scanning electron microscopy using a magni?cation calibra-tion standard.The error of the thickness measurement is less than2%.

The interference spectrum was measured in air.A bundle of one optical?ber for light collection and surrounding six optical?bers for illumination was used as a specular re?ec-tion probe.The diameter of each?ber was450?m.The distance between the sample and the re?ection probe is about 20mm.The error of the wavelength was less than0.2nm for the UV region and0.5nm for visible region.The refractive index dispersion curve was calculated from the peak and valley wavelengths of the interference together with the layer thickness.For elevated temperatures the layer thickness change due to thermal expansion of both epilayers and sub-strates was taken into account.The employed parameters7–9 are summarized in Table I.Since the strain state of epilayers depends on many factors,there should be an error in the estimation of the thickness change with temperature.How-ever,even if we ignore the thermal expansion,the difference in the calculated thermo-optic coef?cients is only7%.There-

a?Electronic mail:watanabe@semicon.kuee.kyoto-u.ac.jp.TABLE I.Parameters used in this study.

Thermal expansion??10?6K?1?

Poisson’s ratio

a axis c axis

GaN 5.59a 3.17a0.23b

AlN 4.2a 5.3a0.287a Sapphire7.5c

6H-SiC 4.3a

a Reference7.

b Reference9.

c Reference8.

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS104,106101?2008?

0021-8979/2008/104?10?/106101/3/$23.00?2008American Institute of Physics

104,106101-1

fore the error of the thickness change may have a minor effect ?much smaller than 7%?.To perform high-temperature measurements with high uniformity and accuracy,the sample was set into a small copper chamber with a sapphire window.The temperature difference between the copper chamber block and the inside ?atmosphere ?of the chamber was con-?rmed to be less than 3°C even at 500°C.

Figure 1?a ?shows the measured dispersion curves of the refractive index of 5.18?m thick GaN at 21,251,and 515°C for the wavelength range from 367to 1000nm.Figure 1?b ?shows the curves of 9.23?m thick AlN for the wavelength range from 217to 1000nm.At room tempera-ture,the measured curves for both GaN and AlN agreed with the reported dispersion curves of GaN ?Refs.10and 11?and AlN,12respectively.In Fig.1,the solid lines are curve ?ts using the second-order Sellmeier equation,13

n o ???2

=A 0+A 1?2?2?B 12+A 2?2

?2?B 2

2,?1?

where A 0,A 1,A 2,B 1,and B 2are the ?tting parameters,and ?is the wavelength of light.Since a good ?tting for the entire wavelength region was not obtained by the ?rst-order Sellmeier equation,the second-order equation,Eq.?1?,was used to express the refractive index dispersion.

The refractive indices of 5.18?m thick GaN for 380,450,500,and 800nm are plotted in Fig.2?a ?as a function of temperature.Figure 2?b ?shows the refractive indices of 9.23?m thick AlN for 220,250,300,and 500nm.The re-fractive index increases almost linearly with increasing tem-perature up to 500°C except for the near band-gap region ?below 420nm for GaN,230nm for AlN ?.Figure 3shows the calculated thermo-optic coef?cients for GaN and AlN.Since the thermo-optic coef?cient is an inherent property of the material,the results should not be affected by the thick-ness of the sample.The good agreement ?within 5%error ?between the 10.6?m thick GaN and 5.18?m thick GaN implies an accurate and precise determination of the thermo-optic coef?cient.

In the near band-edge region,the thermo-optic coef?-cients of both GaN and AlN increased sharply due to the redshift in the band gap with increasing temperature.Nepal et al.14reported the temperature dependence of the band gap for GaN and AlN grown on sapphire substrates.Based on this report,the redshifts from 21to 515°C are estimated to be 34and 18nm for GaN and AlN,respectively.For GaN,the shift of the dispersion curve of 32nm,as shown

in

FIG.1.Dispersion of the refractive indices of ?a ?GaN and ?b ?AlN at elevated temperatures.Solid lines are curve ?ts to the Sellmeier equation.Insets show the dispersion curves near the band

gap.

FIG.2.The refractive indices of ?a ?GaN for 380,450,500,and 800nm and

?b ?AlN for 220,250,300,and 500nm as a function of temperature.Solid lines are linear ?ts.

the inset of Fig.1?a ?,is in good agreement with the result of Ref.14.However,for AlN ?12versus 18nm shift ?the agree-ment is not as good.The difference may be related to differ-ent values of the built-in strain in AlN layers grown on dif-ferent substrates.The AlN samples used in this study were grown on 6H -SiC,while sapphire substrates were used in Ref.14.

Figure 3also shows the thermo-optic coef?cient of GaN reported by Tisch et al.6Over the entire wavelength range,their values of GaN are larger than the values determined in this work.The discrepancy might be attributed to the fact that Tisch et al.6did not separate the ordinary ?n o ?and ex-traordinary ?n e ?indices in their measurements,while we evaluated only the ordinary index.Assuming that the data in both reports are accurate,it can be deduced that the thermo-optic coef?cient ?n e /?T is larger than ?n o /?T in GaN.

For the ranges from 450to 1000nm ?GaN ?and from 250to 1000nm ?AlN ?,we obtained experimental polynomial ?ts of the thermo-optic coef?cients as follows:

?n o /?T ???GaN =4.247?104??3?1.592?102??2

+2.187?10?1??1?3.427?10?5?K ?1?,

?2?

?n o /?T ???AlN =3.486?103??3?1.689?101??2

+3.245?10?2??1+8.361?10?6?K ?1?,

?3?

where the wavelength is expressed in nanometers.These for-mulas can be used for the design of optoelectronic devices in the below band-gap region.

In conclusion,we measured the temperature dependence of the refractive indices of GaN and AlN from room tem-perature to 515°C over the spectral range from 1000nm to wavelengths near the respective band gap of each material.The thermo-optic coef?cients for ordinary refractive indices of GaN and AlN were determined over a wide temperature range.In future work,extraordinary index measurements will also be needed for complete characterization of the thermo-optic coef?cients.The results obtained thus far are useful for the design of GaN-based optoelectronic devices as well as wavelength-tunable DBRs and photonic crystals ac-tively utilizing the thermo-optic effect.

This work was supported by the Global COE Program ?C09?from the Ministry of Education,Culture,Sports,Sci-ence and Technology,Japan.

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S.Nakamura,T.Mukai,and M.Senoh,Jpn.J.Appl.Phys.,Part 230,L1998?1991?.2

S.Nakamura,M.Senoh,S.Nagahama,N.Iwase,T.Yamada,T.Matsushita,H.Kiyoku,and Y .Sugimoto,Jpn.J.Appl.Phys.,Part 235,L74?1996?.3

Y .Taniyasu,M.Kasu,and T.Makimoto,Nature ?London ?441,325?2006?.4

G.Hatakoshi,M.Onomura,M.Yamamoto,S.Nunoue,K.Itaya,and M.Ishikawa,Jpn.J.Appl.Phys.,Part 138,2764?1999?.5

M.De Vittorio,B.Potì,M.T.Todaro,M.C.Frassanito,A.Pomarico,A.Passaseo,M.Lomascolo,and R.Cingolani,Sens.Actuators,A 113,329?2004?.6

U.Tisch,B.Meyler,O.Katz,E.Finkman,and J.Salzman,J.Appl.Phys.89,2676?2001?.7

Properties of Advanced Semiconductor Materials:GaN,AlN,InN,BN,SiC,SiGe ,edited by M.E.Levinshtein,S.L.Rumyantsev,and M.S.Shur ?Wiley,Toronto,Canada,2001?,Chaps.1and 2.8

K.Hiramatsu,T.Detchprohm,and I.Akasaki,Jpn.J.Appl.Phys.,Part 132,1528?1993?.9

C.Kisielowski,J.Krüger,S.Ruvimov,T.Suski,J.W.Ager III,E.Jones,Z.Liliental-Weber,M.Rubin,and E.R.Weber,Phys.Rev.B 54,17745?1996?.10

G.Yu,G.Wang,H.Ishikawa,M.Umeno,T.Soga,T.Egawa,J.Watanabe,and T.Jimbo,Appl.Phys.Lett.70,3209?1997?.11

N.A.Sanford,L.H.Robins,A.V .Davydov,A.Shapiro,D.V .Tsvetkov,A.V .Dmitriev,S.Keller,U.K.Mishra,and S.P.DenBaars,J.Appl.Phys.94,2980?2003?.12

Y .Huttel,H.Gomez,A.Cebollada,G.Armelles,and M.I.Alonso,J.Cryst.Growth 242,116?2002?.13

B.Tatian,Appl.Opt.23,4477?1984?.14

N.Nepal,J.Li,M.L.Nakermi,J.Y .Lin,and H.X.Jiang,Appl.Phys.Lett.87,242104?2005?

.

FIG.3.Thermo-optic coef?cients of GaN and AlN compared with reported data from Tisch et al.?Ref.6?.Solid lines are polynomial ?ts of the thermo-optic coef?cients of GaN and AlN from Eqs.?2?and ?3?,respectively.

热学分组实验二：《探究固体熔化时温度的变化规律》

实验二：《探究固体熔化时温度的变化规律》 实验器材:铁架台、石棉网、酒精灯、烧杯、试管、水、温度计、秒表、海波、蜡等。 设计实验: 1.参照图组装好实验器材。 2.点燃酒精灯开始加热。 3.待温度升至40℃左右，每隔1min记录一次温度，待海波完全熔化后再记录4～5次。 4.把海波换成蜡的碎块再做一次上述实验。 物态变化：熔化：物质从固态变成液态的过程；凝固：物质从液态变成固态的过程。 注意事项: 1.探究过程中，用水浴法加热而不直接加热，目的是让固体受热均匀。 2.调节实验装置：顺序从下到上。 3.严禁用酒精灯引燃另一酒精灯；酒精灯必须用灯帽盖灭(不能用嘴吹灭)。 4.在用描点法作熔化图象时，应将所得点用用平滑曲线相连。 5.海波熔化时间太短，不便于观察熔化时的实验现象和记录实验数据。可以通过增加水的质量、增加海波质量或调小酒精灯火焰，来延长海波熔化的时间。 问题探究: 1.在做实验时，为什么不用酒精灯直接对试管加热，而要把试管放在有水的烧杯中，再用酒精灯对烧杯加热呢？ 提示：这种加热方式叫作“水浴加热”，目的是： （1）使被加热的物质受热均匀； （2）使被加热的物质受热缓慢，从而使其慢慢熔化，便于观察温度变化的规律。 2.比较图甲和图乙，会发现晶体和非晶体的熔化有什么不同？ 提示：晶体在一定的温度下熔化，即有熔点；而非晶体没有固定的熔点。 3.非晶体熔化和凝固过程中，有什么特点？

提示：非晶体在熔化过程中，逐渐变软、变稀，最后全部变成液态，此过程中吸热，温度逐渐升高；非晶体凝固过程中，逐渐变稠、变黏、变硬，最后全部变成固态，此过程中放热，温度逐渐降低。 练习： 1.如图甲所示，是“探究物质的熔化规律”的实验装置。实验时先将固体物质和温度计分别放入试管内，再放入大烧杯的水中，观察固体的熔化过程。 （1）试管内物质在熔化过程中，某时刻温度如图乙所示，读数方法正确的是（选填“A”、“B”或“C”），示数为℃，某同学根据实验记录的数据描绘出该物质的温度随时间变化的图象（如图丙ABCDE），则可知该物质是（选填“晶体”或“非晶体”）。 （2）在该物质熔化过程中，如果将试管从烧杯中拿出来，该物质将停止熔化。将试管放回烧杯后，该物质又继续熔化。说明固体熔化时需要（选填“吸收”或“放出”）热量。 （3）根据描绘的图线，该物质在第5min时处于态，该物质的熔点为℃，仔细观察图象发现，该物质熔化前（AB段）升温比熔化后（CD段）升温（选填“快”或“慢”）。 （4）图象中DE段是过程。 答案：（1）B、38、晶体；（2）吸收；（3）固液共存、50、慢；（4）沸腾。 2. 如图甲是“探究冰的熔化特点”实验的装置示意图。 （1）该实验装置中各部分的安装顺序是（选填“自上而下”或“自下而上”）。 （2）实验时应该选择颗粒的冰块进行实验（选填“较大”或“较小”）。

气温的时空变化规律资料

气温的时空变化规律 1.气温的日变化规律 一天中气温变化规律，主要由大气得到热量（地面辐射）和失去热量（大气辐射）的差值决定。 地面的热量主要来自太阳辐射；大气（对流层）的热量直接来着地面。 （1）太阳辐射：最强时为当地地方时12时。 （2）地面辐射：当地地方时为12点时，地面获得的太阳辐射热量大于地面损失的辐射热量，地面热量盈余，地面温度仍在升高。当地地方时大约午后1点左右，地面热量由盈余转为亏损，地面温度为一天中最高值。 （3）大气温度：当地地方时大约午后2点左右，地面已经通过辐射、对流、湍流等方式把热量传给大气，此时气温达到最高值。随后，太阳辐射继续减弱，地面热量持续亏损，地面温度不断降低，气温随之也不断下降。至日出后，地面热量由亏损转为盈余的时刻，地面温度达到最低值，气温也随后达到最低值。因此气温最低值总是出现在日出前后。 2.气温的年变化规律 由于地面吸收、储存、传递热量的原因，气温在一年中的最高、最低值，也并不出现在辐射最强、最弱的月份，而是有所滞后。 3.全球气温水平分布规律 （1）气温从低纬向各纬递减。太阳辐射是地面热量的根本来源，并由低纬向高纬递减。受太阳辐射、大气运动、地面状况等因素影响，等温线并不完全与纬线平行。 (2)南半球的等温线比北半球平直。南半球物理性质比较均一的海洋比北半球广阔，气温变化和缓。 （3）北半球1月份大陆等温线向南（低纬）凸出，海洋上则向（高纬）凸出；7月份正好相反。在同一纬度上，冬季大陆比海洋冷，夏季大陆比海洋热。同一纬度的陆地与海洋，热的地方等温线向高纬凸出，冷的地方等温线向低纬凸出，即“热高冷低”。 （4）7月份，世界值热的地方是北纬20-30大陆上的沙漠地区，撒哈拉沙漠是全球炎热中心，1月份，西伯利亚是全球的寒冷中心，世界极端最低气温出现在南极洲大陆上。 二、等温差线 1、气温的日变化 (1)气温的日变化 一天中气温随时间的连续变化，称气温的日变化。在一天中空气温度有一个最高值和一个最低值，两者之差为气温日较差。通常最高温度出现在14～15时，最低温度出现在日出前后。 由于季节和天气的影响，出现时间可能提前也可能落后。比如，夏季最高温度大多出现在14～15时；冬季则在13～14时。由于纬度不同日出时间也不同，最低温度出现时间随纬度的不同也会产生差异。气温日较差小于地表面土温日较差，并且气温日较差离地面越远则越小，最高、最低气温出现时间也越滞后。 (2) 气温的日变化与农业生产 在农业生产上有时需要较大的气温日较差，这样有利于作物获得高产。因为，日较差大就意味着，白天温度较高，而夜间温度较低，这样白天叶片光合作用强，制造碳水化合物较多，而夜间呼吸消耗少，积累较多，作物产量高,品质好。 (3)影响气温日较差的因素有： 气温的日变化规律，主要是由太阳辐射在地表面上有规律的日变化引起的，同时也受纬度、季节、地形、下垫面性质、天气状况和海拔高度等因素的影响。

AlN及GaN折射率随温度的变化

The temperature dependence of the refractive indices of GaN and AlN from room temperature up to 515 ° C Naoki Watanabe, Tsunenobu Kimoto, and Jun Suda Citation: Journal of Applied Physics 104, 106101 (2008); doi: 10.1063/1.3021148 View online: https://www.wendangku.net/doc/4717364836.html,/10.1063/1.3021148 View Table of Contents: https://www.wendangku.net/doc/4717364836.html,/content/aip/journal/jap/104/10?ver=pdfcov Published by the AIP Publishing

The temperature dependence of the refractive indices of GaN and AlN from room temperature up to515°C Naoki Watanabe,1,a?Tsunenobu Kimoto,1,2and Jun Suda1 1Department of Electronic Science and Engineering,Kyoto University,Nishikyo-ku,Kyoto615-8510,Japan 2Photonics and Electronics Science and Engineering Center(PESEC),Kyoto University,Nishikyo-ku, Kyoto615-8510,Japan ?Received5August2008;accepted3October2008;published online18November2008? The temperature dependence of the refractive indices of GaN and AlN was investigated in the wavelength range from the near band edge?367nm for GaN and217nm for AlN?to1000nm and the temperature range from room temperature to515°C.Optical interference measurements with vertical incident con?guration were employed to precisely evaluate the ordinary refractive indices. ?2008American Institute of Physics.?DOI:10.1063/1.3021148? Wide band-gap group-III nitrides,gallium nitride?GaN?and aluminum nitride?AlN?,have attracted much attention for optoelectronic devices in the green to ultraviolet region.1–3To optimize the design of optoelectronic devices, knowledge of the refractive indices of the constituent mate-rials is required.In general,the refractive index of a material varies with temperature,a phenomenon known as the thermo-optic effect.Since the junction temperature of a GaN-based laser diode?LD?exceeds100°C,4failure to consider the thermo-optic effect would result in a suboptimal LD waveguide design.On the other hand,the thermo-optic effect can be used to actively modulate device characteristics by varying the temperature.For example,when an optical ?lter such as a distributed Bragg re?ector?DBR?made of Al x Ga1?x N is combined with a GaN-based photodiode,the spectral response of the photodetector can be varied by controlling the DBR temperature.Thanks to its large band gap,GaN-based photodiodes are capable of operation at tem-peratures much higher than400°C.5Varying the tempera-ture from room temperature to high temperature makes pos-sible a widely variable range of detectable wavelength.It should be noted that a high power is not required to reach temperatures above400°C if the device has good thermal insulation,a small volume,and a monolithically integrated heater. Tisch et al.6reported the refractive indices of GaN and aluminum gallium nitride?Al x Ga1?x N?measured by spectro-scopic ellipsometry from room temperature to300°C. While refractive index data up to300°C are adequate for LD design,extension of the data set to higher temperatures will be needed for other applications as mentioned above.In addition,one must also consider the optical anisotropy of GaN and AlN inherent to its crystal structure?wurtzite?. Tisch et al.6did not separate the anisotropy.In this study,we measure the thermo-optic coef?cients??n/?T?of GaN and AlN by optical interference measurements.A vertical inci-dent con?guration was employed to evaluate the ordinary refractive index n o?light propagating along the c axis?.The temperature range of the measurements is from room tem-perature to515°C. The samples used in this study were commercially avail-able GaN layers grown on?0001?-oriented sapphire sub-strates by metal-organic vapor phase epitaxy and AlN layers grown on?0001?-oriented6H-SiC substrates by hydride va-por phase epitaxy.5.18and10.6?m thick GaN layers and 9.23?m thick AlN layers were used for the measurements. The layer thicknesses were determined by cross-sectional scanning electron microscopy using a magni?cation calibra-tion standard.The error of the thickness measurement is less than2%. The interference spectrum was measured in air.A bundle of one optical?ber for light collection and surrounding six optical?bers for illumination was used as a specular re?ec-tion probe.The diameter of each?ber was450?m.The distance between the sample and the re?ection probe is about 20mm.The error of the wavelength was less than0.2nm for the UV region and0.5nm for visible region.The refractive index dispersion curve was calculated from the peak and valley wavelengths of the interference together with the layer thickness.For elevated temperatures the layer thickness change due to thermal expansion of both epilayers and sub-strates was taken into account.The employed parameters7–9 are summarized in Table I.Since the strain state of epilayers depends on many factors,there should be an error in the estimation of the thickness change with temperature.How-ever,even if we ignore the thermal expansion,the difference in the calculated thermo-optic coef?cients is only7%.There- a?Electronic mail:watanabe@semicon.kuee.kyoto-u.ac.jp.TABLE I.Parameters used in this study. Thermal expansion??10?6K?1? Poisson’s ratio a axis c axis GaN 5.59a 3.17a0.23b AlN 4.2a 5.3a0.287a Sapphire7.5c 6H-SiC 4.3a a Reference7. b Reference9. c Reference8. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS104,106101?2008? 0021-8979/2008/104?10?/106101/3/$23.00?2008American Institute of Physics 104,106101-1

电阻率和表面电阻率

高阻计法测定高分子材料体积电阻率和表面电阻率 2010年03月07日10:37 admins 学习时间：20分钟评论 0条高分子材料的电学性能是指在外加电场作用下材料所表现出来的介电性能、导电性能、电击穿性质以 及与其他材料接触、摩擦时所引起的表面静电性质等。最基本的是电导性能和介电性能，前者包括电导(电导率γ，电阻率ρ=1/γ)和电气强度(击穿强度Eb)；后者包括极化(介电常数εr)和介质损耗(损耗因数tg δ)。共四个基本参数。 种类繁多的高分子材料的电学性能是丰富多彩的。就导电性而言，高分子材料可以是绝缘体、半导体和导体，如表1所示。多数聚合物材料具有卓越的电绝缘性能，其电阻率高、介电损耗小，电击穿强度高，加之又具有良好的力学性能、耐化学腐蚀性及易成型加工性能，使它比其他绝缘材料具有更大实用价值，已成为电气工业不可或缺的材料。高分子绝缘材料必须具有足够的绝缘电阻。绝缘电阻决定于体积电阻与表面电阻。由于温度、湿度对体积电阻率和表面电阻率有很大影响，为满足工作条件下对绝缘电阻的要求， 必须知道体积电阻率与表面电阻率随温度、湿度的变化。 表1 各种材料的电阻率范围 材料电阻率(Ω·m) 材料电阻率(Ω·m) 超导体导体≤10-810-8～10-5半导体绝缘体10-5～107 107～1018 除了控制材料的质量外，测量材料的体积电阻率还可用来考核材料的均匀性、检测影响材料电性能的 微量杂质的存在。当有可以利用的相关数据时，绝缘电阻或电阻率的测量可以用来指示绝缘材料在其他方面的性能，例如介质击穿、损耗因数、含湿量、固化程度、老化等。表2为高分子材料的电学性能及其研 究的意义。 表2 高分子材料的电学性能及测量的意义 电学性能电导性能 ①电导（电导率γ，电阻率ρ=1/γ） ②电气强度（击穿强度Eb） 介电性能 ③极化（介电常数εr） ④介电损耗（损耗因数tanδ） 测量的意义实际意义 ①电容器要求材料介电损耗小，介电常数大，电气强度高。 ②仪表的绝缘要求材料电阻率和电气强度高，介电损耗低。 ③高频电子材料要求高频、超高频绝缘。 ④塑料高频干燥、薄膜高频焊接、大型制件的高频热处理要求材料 介电损耗大。 ⑤纺织和化工为消除静电带来的灾害要求材料具适当导电性。理论意义研究聚合物结构和分子运动。 1 目的要求 了解超高阻微电流计的使用方法和实验原理。 测出高聚物样品的体积电阻率及表面电阻率，分析这些数据与聚合物分子结构的内在联系。 2 原理 名词术语 1) 绝缘电阻：施加在与试样相接触的二电极之间的直流电压除以通过两电极的总电流所得的商。它取决于体积电阻和表面电阻。

教案-固体溶化时温度的变化规律

五、固体溶化时温度的变化规律 【提出问题】 有很多物质在熔化时是先变软后再慢慢变成可流动的液体的，如蜡、橡胶、沥青等；而有些物质在熔化过程中没有变软、变稀的过程，而是直接变成液态，如冰、海波、铁、锡等，那么： 1、不同物质在熔化时温度变化规律是否相同？ 2、不同物质熔化时的熔点是否一样？ 3、物质由液态变化为固态时，温度变化规律是否相同？ 【猜想或假设】 1、不同物质在熔化时虽然状态变化过程有些不同，但要加热温度都会上升。 2、不同物质熔点不同。 3、物质凝固时，温度变化有无规律可循，取决于物质的种类。 【设计实验】 1、把一定量的海波和蜡分别放入试管中后，放在火焰上加热，然后用温度计测量它们的温度变化，每隔一分钟记录一次温度。 2、把海波已熔化的试管放入冷水中冷却，再每隔一分钟记录一次温度。 所需器材：酒精灯、试管两支、烧杯、水、温度计、铁架台、石棉网、火柴、海波、蜡、钟表 【进行实验】 1、研究海波的熔化温度，每隔一分钟记录一次温度，把结果记录在下列表 格中。

2、如图5-2、图5-3所示，用方格纸上的纵轴表示温度，温度的数值已经标出；横轴表示时间，请写出。根据表中各个时刻的温度在方格纸上描点，然后将这些点用平滑曲线连接起来，便得到熔化时温度随时间变化的图像。 根据你对实验数据的整理和分析，总结海波和蜡在熔化前、熔化中和熔化后三个阶段的温度特点。 3、研究液态的海波和蜡在凝固时的温度变化，每隔一分钟记录一次温度，并把相应的数据记录在下表中： 【分析和论证】 1、分析实验1中的数据，得出结论是： 2、分析实验2中的图像，比较得出结论是： 3、分析实验3中的数据发现： 时间/min 20 30 40 50 图5-3记录蜡熔化时温度变化的方格纸 图5-2记录海波熔化时温度变化的方格纸 时间/min 20 30 40 50

气温空间分布和时间变化

气温空间分布和时间变化 主要知识点： 1气温垂直分布 2气温水平分布 3气温日变化和年变化 一、气温垂直分布 ⑴读下表记忆低层大气的主要成分及作用 ⑵读下图比较对流层和平流层的主要特点 答案：对流层气温随高度增加而递减；空气以对流运动为主；天气现象复杂多变 平流层气温随高度增加而增减；空气以平流运动为主；天气晴朗稳定 重要结论： 1对流层气温垂直递减率：6℃/1000米 2上冷下热利于空气对流 低层大气组成 体积(％) 作用 干 洁 空 气 N 2 78 地球生物体蛋白质的重要组成部分 O 2 21 人类和一切生物维持生命活动所必需的物质 CO 2 0.033 绿色植物进行光合作用的基本原料，并对地面起保温作用 03 很少 能吸收太阳紫外线，对地球上的生物起着保护作用 水汽 很少 产生云、雨、雾、雪等天气现象；影响地面和大气的温度 固体杂质 很少 作为凝结核，是成云致雨的必要条件

图2为北半球中纬度某地某日5次观测到的近地面气温垂直分布示意图。当日天气晴朗，日出时间为5时。读图回答3～4题。(10高考文综卷) 3.由图息可分析出 A.5时、20时大气较稳定 B.12时、15时出现逆温现象 C.大气热量直接来自太阳辐射 D.气温日较差自下而上增大 4.当地该日 A.日落时间为17时 B.与相比白昼较长 C.正午地物影子年最长 D.正午太阳位于正北方向 答案：3．A 4．B 二、气温水平分布

世界气温水平分布规律 ①在南北半球上，无论 7 月或 1 月，气温都是从低纬向两极递减。 ②南半球的等温线比北半球平直 ③北半球，1月份大陆上的等温线向南（低纬）凸出，海祥上则向北（高纬）凸出；7 月份正好相反。 ④7 月份，世界上最热的地方是北纬20°-30°大陆上的沙漠地区。1 月份，西伯利亚形成北半球的寒冷中心。世界极端最低气温出现在冰雪覆盖的南极洲大陆上。 中国一、七月气温分布特点？ 一月：由南向北降低，南北温差大 七月：除青藏高原和高山外，普遍高温，南北温差小

半导体电阻随温度变化关系的研究

实验 半导体热敏电阻特性的研究 实验目的 1．研究热敏电阻的温度特性。 2．进一步掌握惠斯通电桥的原理和应用。 实验仪器 箱式惠斯通电桥，控温仪，热敏电阻，直流电稳压电源等。 实验原理 半导体材料做成的热敏电阻是对温度变化表现出非常敏感的电阻元件，它能测量出温度的微小变化，并且体积小，工作稳定，结构简单。因此，它在测温技术、无线电技术、自动化和遥控等方面都有广泛的应用。 半导体热敏电阻的基本特性是它的温度特性，而这种特性又是与半导体材料的导电机制密切相关的。由于半导体中的载流子数目随温度升高而按指数规律迅速增加。温度越高，载流子的数目越多，导电能力越强，电阻率也就越小。因此热敏电阻随着温度的升高，它的电阻将按指数规律迅速减小。 实验表明，在一定温度范围内，半导体材料的电阻R T 和绝对温度T 的关系可表示为 T b T ae R = （4－6－1） 其中常数a 不仅与半导体材料的性质而且与它的尺寸均有关系，而常数b 仅与材料的性质有关。常数a 、b 可通过实验方法测得。例如，在温度T 1时测得其电阻为R T 1 11T b T ae R = （4－6－2） 在温度T 2时测得其阻值为R T 2 22T b T ae R = （4－6－3） 将以上两式相除，消去a 得 )1 1 (2 1 2 1T T b T T e R R -= 再取对数，有 )11(ln ln 2 121T T R R b T T --= （4－6－4） 把由此得出的b 代入（4－6－2）或（4－6－3）式中，又可算出常数a ，由这种方法确定的常数a 和b 误差较大，为减少误差，常利用多个T 和R T 的组合测量值，通过作图的方法（或用回归法最好）来确定常数a 、b ，为此取（4－6－1）式两边的对数。变换

3.2探究固体熔化时温度的变化规律实验报告

3.2探究固体熔化时温度的变化规律实验报告 班级：实验人：组次： 实验名称： 提出问题:探究物质熔化时温度变化有什么规律 猜想假设： 实验设计：（提供粉末状的海波和蜡这两种固体物质） 一.试验器材： 二.实验目的：海波（蜡）在熔化过程中温度变化有什么规律？ 三.实验注意事项： （1）组装实验仪器：组装顺序是自下而上，各位置要适中，用酒精灯外焰加热，使用时绝对禁止用酒精灯引燃另一只酒精灯，用完酒精灯必须用灯帽盖灭。 （2）对试管中物质使用“水浴”加热的目的是为了使物质受热均匀： （3）实验中温度计的作用：测量温度，使用时玻璃泡要完全浸入在液体中，不能接触到试管底部或侧壁。 （4）注意实验安全。如意外酒精在桌子上燃烧用湿抹布盖住灭火。 （5）实验中人员分工：报时、报温度值、报物质状态（固态、液态、固液混合）、记录数据、安全员关顾好仪器，防止烫伤等安全事故发生。 四.进行实验与收集数据 实验步骤； （1）组装实验装置：按照课本（P54图3、2-1）由安装。 （2）进行实验：点燃酒精灯加热，观察的变化情况，并仔细观察温度计示数变化。 （3）观察物态变化、记录温度。（三报一记录到位） ①待海波的温度升至40℃时每隔1min记录一次温度和物质状态。 ②待蜡加热后每隔1min记录温度并观察蜡的状态记录于表格中。 （4）根据的熔化实验数据，在表格中绘出它们熔化的图像。 （5）根据数据绘制熔化图像，分析论证得出结论。

实验数据表格：（） 五、分析与论证： 实验结论：海波和石蜡在熔化前、熔化过程中和熔化后三个阶段的温度特点：1．海波在熔化前，不断热，温度；熔化过程中，不断热，温度；熔化后继续吸热时，温度。 2．石蜡在熔化前，不断热，温度；熔化过程中，不断热，温度；熔化后继续吸热时，温度。 六、交流评估：（第二课时完成） 1.实验过程是否合理？结论与设想的差异？和其他小组结果是否相同？有没有可能出错？ 2.凝固过程是熔化的逆过程，实验推理的方法得出结论；液体凝固过程中温度是如何变化的？ 七、巩固练习 如图两种物质在固态时温度随时间的变化曲线。请根据图象回答下列问题。（1）由图判断出图线是晶体，该晶体的熔点是； 熔化时间是分钟； 另一图线的物质可能是。 （2）由图分析乙物质： 温度升高的是段， 温度不变的是段， AB段处于状态， BC段处于状态， CD段处于状态， 吸热的是段。

温度的变化

温度的变化 1、用图像分析变量之间的关系 图像是刻画变量之间的关系的一重要方式，其特点是非常的直观。用图像表示变量之间的关系时，通常用水平方向的数轴（称为横轴）上的点表示自变量；用竖直方向的数轴（称为纵轴）上的点表示因变量。 2、变量之间关系的表达方式与特点 表达方式特点 表格多个变量可以同时出现在一张表格中 关系式准确地反映因变量与自变量的数值关系 图像形象地给出了因变量随自变量的变化趋势 一般题型 1、如图是某地一天的气温随时间变化的图象，根据图象可知，在这一天中最高气温与达到最高气温的时刻分别是（） A．14℃，12时B．4℃，2时 C．12℃，14时D．2℃，4时 练习 1、下图是西安市99年某天的气温随时间变化的图象：那么这天（） A．最高气温10℃，最低气温2℃ B．最高气温10℃，最低气温-2℃ C．最高气温6℃，最低气温-2℃ D．最高气温6℃，最低气温2℃

2、下图是桂林冬季某一天的气温随时间变化的图象：请根据图象填空： 在时气温最低，最低气温为℃，当天最高气温为℃，这一天的温差为℃（所有结果都取整数）． 、 经典题型 1、如图是某地一天的气温随时间变化的图象，根据这张图回答： 2、在这一天中， （1）什么时间气温最高？什么时间气温最低？最高气温和最低气温各是多少度？ （2）20时的气温是多少？ （3）什么时候气温为6℃？ （4）哪段时间内气温不断下降？ （5）哪段时间内气温持续不变？ 练习 1、如图是襄樊地区一天的气温随时间变化的图象，根据图象回答：在这一天中： （1）气温T（℃）（填“是”或“不是”）时间t（时）的函数． （2）时气温最高，时气温最低，最高汽温是℃，最低气温是℃． （3）10时的气温是℃． （4）时气温是4℃． （5）时间内，气温不断上升．

科普阅读：气温的时间变化

气温的时间变化 午热晨凉、冬寒夏暑，这是气温随时间变化的一般规律。随着地球以一日为周期的绕轴自转和以一年为周期的绕太阳公转，某一地区所接受的太阳辐射的数量就出现以日、年为周期的变化，从而导致气温的昼夜(日)和季节(年)变化。 (1)气温昼夜变化 它是指气温以一日为周期的有规律变化。气温日变化的特点是，一天当中有一个最高值和一个最低值，最高值出现在午后两点钟左右，最低值出现在清晨日出前后。一天当中气温的最高值和最低值之差，称为气温日较差。它的大小反映了气温日变化的程度。 日出以后，随着太阳辐射的增强，地面净得热量，温度升高。此时，地面放出的长波辐射也随着温度的升高而增强，大气吸收了地面的长波辐射，气温也上升。到了正午，太阳辐射达到最强，气温也随之上升。此后，太阳辐射强度虽然开始减弱，但地面得到的热量仍比地面长波辐射推动的热量还要多，地面储存的热量仍在增加，所以地温继续升高，气温也随着升高。到午后一定时间，由于太阳辐射的进一步减弱，使地面得到的热量开始少于推动的热量，地温开始下降。地温的最高值就出现在地面热量由储存转为亏损、地温由上升转为下降的时刻。这一时刻通常在午后一小时左右。随后，由于地面热量不断地亏损，气温便逐渐下降，一直下降到清晨日出之前地面储存的热量减至最少为止。所以，最低气温出现在清晨日出前后，而不是在半夜。由此看来，一昼夜间气温的高低不仅取决于接受太阳辐射数量的多少，取决于地面的热量收支，即地面接收的太阳辐射的数量和向外放射的地面有效辐射的数量之差。如收入多于支出，则地面储存的热量增加；反之，则减少。 同时还可以看出，任何一个地方，每一天的气温日变化都有一定的规律性。但由于受众多因素的影响，又不是前一天的简单重复。因此，需要全面考虑各种因素的综合影响。 (2)气温季节变化 它是指气温以一年为周期的有规律的变化。地球上绝大部分地区，一年中有一个最高值和一个最低值。由于气温的高低取决于地面储存热量的多少，地面储存热量最多的时期，就是气温最高值出现的时间；储存热量最少的时期，也就是

电阻率

电阻率 电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种物质所制成的原件（常温下20°C）的电阻与横截面积的乘积与长度的比值叫做这种物质的电阻率。电阻率与导体的长度、横截面积等因素无关，是导体材料本身的电学性质，由导体的材料决定，且与温度有关。 电阻率在国际单位制中的单位是Ω·m，读作欧姆米，简称欧米。常用单位为“欧姆·平方毫米”。 定义 在温度一定的情况下，有公式R=ρl/s其中的ρ就是电阻率，l为材料的长度，S 为面积。可以看出，材料的电阻大小与材料的长度成正比，而与其截面积成反比。 电阻率（resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。 在温度一定的情况下，有公式 其中的ρ就是电阻率，L为材料的长度，S为面积。可以看出，材料的电阻大小与材料的长度成正比，即在材料和横截面积不变时，长度越长，材料电阻越大：而与材料横截面积成反比，即在材料和长度不变时，横截面积越大，电阻越小。 由上式可知电阻率的定义为： 推导公式： 单位 国际单位制中，电阻率的单位是欧姆·米(Ω·m或ohmm)，常用单位是欧姆·毫米和欧姆·米。 计算公式

电阻率的计算公式为： ρ为电阻率——常用单位Ω·m S为横截面积——常用单位㎡ R为电阻值——常用单位Ω L为导线的长度——常用单位m 电阻率的另一计算公式为： ρ为电阻率——常用单位Ω·mm2/m E为电场强度——常用单位N/C J为电流密度——常用单位A/㎡ （E，J 可以为矢量） 影响电阻率的外界因素 电阻率不仅与材料种类有关，而且还与温度、压力和磁场等外界因素有关。金属材料在温度不高时，ρ与温度t(℃)的关系是ρt=ρ0(1+at)，式中ρ1与ρ0分别是t℃和0℃时的电阻率;α是电阻率的温度系数，与材料有关。锰铜的α约为1×10-1/℃(其数值极小)，用其制成的电阻器的电阻值在常温范围下随温度变化极小，适合于作标准电阻。已知材料的ρ值随温度而变化的规律后，可制成电阻式温度计来测量温度。半导体材料的α一般是负值且有较大的量值。制成的电阻式温度计具有较高的灵敏度。有些金属(如Nb和Pb)或它们的化合物，当温度降到几K或十几K(绝对温度)时，ρ突然减少到接近零，出现超导现象，超导材料有广泛的应用前景。利用材料的ρ随磁场或所受应力而改变的性质，可制成磁敏电阻或电阻应变片，分别被用来测量磁场或物体所受到的机械应力，在工程上获得广泛应用。

金属电阻率及其温度系数

金属电阻率及其温度系数金属电阻率及其温度系数 物质物质 温度温度 t/℃ t/℃ t/℃ 电阻率电阻率 Ω·m 电阻温度系数电阻温度系数 a a R /℃-1 银 20 1.586×10-8 0.0038(20℃) 铜 20 1.678×10-8 0.00393(20℃) 金 20 2.40×10-8 0.00324(20℃) 铝 20 2.6548×10-8 0.00429(20℃) 钙 0 3.91×10-8 0.00416(0℃) 铍 20 4.0×10-8 0.025(20℃) 镁 20 4.45×10-8 0.0165(20℃) 钼 0 5.2×10-8 铱 20 5.3×10-8 0.003925(0℃~100℃) 钨 27 5.65×10-8 锌 20 5.196×10-8 0.00419(0℃~100℃) 钴 20 6.64×10-8 0.00604(0℃~100℃) 镍 20 6.84×10-8 0.0069(0℃~100℃) 镉 0 6.83×10-8 0.0042(0℃~100℃) 铟 20 8.37×10-8 铁 20 9.71×10-8 0.00651(20℃) 铂 20 10.6×10-8 0.00374(0℃~60℃) 锡 0 11.0×10-8 0.0047(0℃~100℃) 铷 20 12.5×10-8 铬 0 12.9×10-8 0.003(0℃~100℃) 镓 20 17.4×10-8 铊 0 18.0×10-8 铯 20 20×10-8 铅 20 20.684×10-8 0.00376(20℃~40℃) 锑 0 39.0×10-8 钛 20 42.0×10-8 汞 50 98.4×10-8 锰 23~100 185.0×10-8 锰铜 20 44.0×10-8 康铜 20 50.0×10-8 镍铬合金 20 100.0×10-8 铁铬铝合金 20 140.0×10-8 铝镍铁合金 20 160.0×10-8 不锈钢 0~900 70~130×10-8 不锈钢304 20 72×10-8 不锈钢316 20 74×10-8

气温空间分布和时间变化

气温空间分布与时间变化 主要知识点: 1气温垂直分布 2气温水平分布 3气温日变化与年变化 一、气温垂直分布 ⑴读下表记忆低层大气得主要成分及作用 ⑵读下图比较对流层与平流层得主要特点 答案:对流层气温随高度增加而递减;空气以对流运动为主;天 气现象复杂多变 平流层气温随高度增加而增减;空气以平流运动为主;天气晴朗稳定 重要结论: 1对流层气温垂直递减率:6℃/1000米 低层大气组成 体积(％) 作用 干 洁 空 气 N 2 78 地球生物体内蛋白质得重要组成部分 O 2 21 人类与一切生物维持生命活动所必需得物质 CO 2 0、033 绿色植物进行光合作用得基本原料,并对地面起保温作用 03 很少 能吸收太阳紫外线,对地球上得生物起着保护作用 水汽 很少 产生云、雨、雾、雪等天气现象;影响地面与大气得温度 固体杂质 很少 作为凝结核,就是成云致雨得必要条件

2上冷下热利于空气对流 图2为北半球中纬度某地某日5次观测到得近地面气温垂直分布示意图。当日天气晴朗,日出时间为5时。读图回答3～4题。(10高考山东文综卷) 3、由图中信息可分析出 A、5时、20时大气较稳定 B、12时、15时出现逆温现象 C、大气热量直接来自太阳辐射 D、气温日较差自下而上增大 4、当地该日 A、日落时间为17时 B、与海口相比白昼较长 C、正午地物影子年内最长 D、正午太阳位于正北方向 答案:3.A 4.B 二、气温水平分布

世界气温水平分布规律 ①在南北半球上,无论 7 月或 1 月,气温都就是从低纬向两极递减。 ②南半球得等温线比北半球平直 ③北半球,1月份大陆上得等温线向南(低纬)凸出,海祥上则向北(高纬)凸出;7 月份正好相反。 ④7 月份,世界上最热得地方就是北纬20°-30°大陆上得沙漠地区。1 月份,西伯利亚形成北半球得寒冷中心。世界极端最低气温出现在冰雪覆盖得南极洲大陆上。 中国一、七月气温分布特点？ 一月:由南向北降低,南北温差大 七月:除青藏高原与高山外,普遍高温,南北温差小

玻璃折射率温度系数的测量

玻璃折射率温度系数的测量 一、实验目的： 1.测量玻璃的热膨胀系数和折射率温度系数。 2.在不同的实验条件下进行测量，定性分析实验的系统误差。 二、实验原理： 参见实验中心网站 三、实验室提供的主要器材： He-Ne激光器及支架、样品、铝块、水浴加热锅、数字温度计（读数精度0.1℃） 四、实验内容 1.光路调节 ?先将样品小心地滑入大铝块中间的样品腔中。 ?接着将大铝块放在水浴锅中，并置于电炉上。（此时水浴锅中已放入一定量的水。） ?然后将它们整体放在调节台上。 ?打开激光电源，调节样品的位置，使激光从样品c区反射。 ?调整光路，在观察屏上得到3个反射光斑。（中央光斑中应能看到干涉条纹。）?将小铝块放入大铝块中，插入数字温度计，微调光路，确保有干涉条纹的光斑不被遮挡。 2.在不同的水浴条件（降温速率不同）下，测量a区干涉条纹数与温度之间的关系 ?开启电炉，对样品进行加热，加热到80℃后，关闭电炉。让样品自然降温，待温度下降到80℃以下，开始测量。【最后一组数据对应的温度略高于40℃。】?在测量条纹的移动与温度变化的关系时，可以同时测量温度随时间的变化关系，研究是否符合牛顿冷却规律。【测量时，最初的温度间隔可取2℃，温度降低后 可减小到1℃，甚至0.5℃。】 ?改变水浴锅中的水量（相当于改变整个水浴系统的热容量），重复上述操作。 3.根据实验数据，作T～m图，作直线拟合，并根据残差图分析实验的系统误差。 4.选择一个水浴条件，测量c区干涉条纹数与温度之间的关系。 5.利用拟合结果，计算玻璃的热膨胀系数和折射率温度系数。 五、实验报告要求 1.实验原理部分简述即可。 2.实验过程重点在不同实验条件的比较。

探究固体熔化时温度的变化规律

探究固体熔化时温度的变化规律 【实验目的】 1．通过探究活动，认识平面镜成像的特点，并能用自己的语言将这些特点描述出来。 2．经历从“提出猜想”“进行设计”“实验验证”“归纳评价”的探究活动全过程，体验科学探究的乐趣。 【实验器材】 铁架台、石棉网、酒精灯、烧杯、试管、水、温度计、秒表、海波、蜡等。【提出问题】 不同物质在由固态变成液态的熔化过程中，温度的变化规律相同吗 【猜想或假设】 熔化的过程中一定要加热，所以物质一定要吸收热量。这是温度可能也是不断上升的。 【设计实验】 (1)参照图组装好实验器材。 (2)点燃酒精灯开始加热。 (3)待温度升至40℃左右，每隔1min记录一次温度，待海波完全熔化后再记录4～5次。 (4)把海波换成蜡的碎块再做一次上述实验。 【进行实验和收集证据】 【交流与合作】

（把你的探究过程及结论告诉同学和老师，或者把这个探究记录给他们看，征求他们的意见。既要改正自己的错误与不足，又要为自己的正确观点和做法辩护。把交流的情况简要记在这里。） 注： 1.探究过程中，为什么用水浴法加热而不直接加热 目的是让固体受热均匀。 2.怎样调节实验装置顺序从下到上。 3.如何正确使用酒精灯 严禁用酒精灯引燃另一酒精灯；酒精灯必须用灯帽盖灭(不能用嘴吹灭)等．4.在用描点法作熔化图象时，应将所得的点用折线相连还是用平滑曲线相连 用平滑曲线相连。 5.海波熔化时间太短为什么不好怎样延长海波熔化的时间 海波熔化时间太短，不便于观察熔化时的实验现象和记录实验数据．增加水的质量、增加海波质量或调小酒精灯火焰。 6.在此实验中描述固体的熔化过程使用了什么重要的方法有什么优点 图象法．图象能够形象、直观地表示一个量随另一个量变化而变化的关系。