IRFR场效应管
IRFR-IRHM器件索引
?IRFR3410(Power MOSFET)
?IRFR3411(HEXFET Power MOSFET)
?IRFR3412(SMPS MOSFET)
?IRFR3418(HEXFET Power MOSFET)
?IRFR3504(AUTOMOTIVE MOSFET)
?IRFR3504PbF(AUTOMOTIVE MOSFET)
?IRFR3505(AUTOMOTIVE MOSFET)
?IRFR3518(HEXFET Power MOSFET)
?IRFR3704(Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.5mohm, Id=75A ))
?IRFR3704Z(HEXFET Power MOSFET)
?IRFR3706(Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=75A ))
?IRFR3707(Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=13mohm, Id=61A ))
?IRFR3707Z(HEXFET Power MOSFET)
?IRFR3707ZPBF(HEXFET Power MOSFET)
?IRFR3708(Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12.5mohm, Id=61A ))
?IRFR3709Z(HEXFET Power MOSFET)
?IRFR3710Z(Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resi)
?IRFR3711(Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.5mohm, Id=110A ))
?IRFR3910(Power MOSFET(Vdss=100V, Rds=0.115ohm, Id=16A))
?IRFR3911(SMPS MOSFET)
?IRFR410(1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs)
?IRFR4104(Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=5.5mohm, Id=42A))
?IRFR4105(Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=27A ))
?IRFR4105Z(Power MOSFET(Vds=55V, Rds(on)=24.5mohm, Id=30A))
?IRFR410B(500V N-Channel MOSFET)
?IRFR420(Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.4A))
?IRFR420(2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs)
?IRFR420A(SMPS MOSFET)
?IRFR420B(500V N-Channel MOSFET)
?IRFR430A(SMPS MOSFET)
?IRFR430B(500V N-Channel MOSFET)
?IRFR48Z(AUTOMOTIVE MOSFET)
?IRFR48ZPBF(AUTOMOTIVE MOSFET)
?IRFR5305(Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.065ohm, Id=-31A))
?IRFR5410(Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A))
?IRFR5505(Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.11ohm, Id=-18A))
?IRFR6215(Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A))
?IRFR9010(P-CHANNEL POWER MOSFETS)
?IRFR9014(Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-5.1A))
?IRFR9014TRL(HEXFET Power MOSFET)
?IRFR9020(REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS)?IRFR9024(P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)
?IRFR9024(Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A))
?IRFR9024N(Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A))
?IRFR9110(3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs)
?IRFR9110TRL(Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-3.1A))?IRFR9120(Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-5.6A))
?IRFR9120(5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs)
?IRFR9120N(Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.6A))
?IRFR9210(Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.9A))
?IRFR9214(Power MOSFET(Vdss=-250V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-2.7A))
?IRFR9220(3.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs)
?IRFR9220(Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.6A))
?IRFR9310(Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A))
?IRFR9N20D(Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.38ohm, Id=9.4A))?IRFRC20(Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A))
?IRFS11N50A(SMPS MOSFET)
?IRFS140A(Advanced Power MOSFET)
?IRFS150A(Advanced Power MOSFET)
?IRFS240B(200V N-Channel MOSFET)
?IRFS244B(250V N-Channel MOSFET)
?IRFS250(200V N-Channel MOSFET)
?IRFS254B(250V N-Channel MOSFET)
?IRFS3306PBF(High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS)
?IRFS340A(Advanced Power Mosfet)
?IRFS340B(400V N-Channel MOSFET)
?IRFS350A(Advanced Power MOSFET)
?IRFS4227PBF(PDP SWITCH)
?IRFS440A(Advanced Powre MOSFET)
?IRFS440B(500V N-Channel MOSFET)
?IRFS450(500V N-Channel MOSFET)
?IRFS510(Advanced Power MOSFET)
?IRFS520A(Advanced Power MOSFET)
?IRFS530(Advanced Power MOSFET)
?IRFS540(Advanced Power MOSFET)
?IRFS550A(Advanced Power MOSFET)
?IRFS610A(Advenced Power MOSFET (N-CHANNEL))
?IRFS630A(Advanced Power MOSFET)
?IRFS634A(Advanced Power MOSEFT)
?IRFS640(Improved inductive ruggedness)
?IRFS640(200V N-Channel MOSFET)
?IRFS640A(Rugged Gate Oxide Technology)
?IRFS650A(Advanced Power MOSFET)
?IRFS650B(200V N-Channel MOSFET)
?IRFS720(400V N-Channel MOSFET)
?IRFS730A(Advanced Power MOSFET)
?IRFS750(Advanced Power MOSFET)
?IRFS820A(Advanced Power MOSFET)
?IRFS840(500V N-Channel MOSFET)
?IRFS840A(Advanced Power MOSFET)
?IRFS9N60A(SMPS MOSFET)
?IRFSL11N50A(HEXFET Power MOSFET)
?IRFSL9N60A(SMPS MOSFET)
?IRFU1N60A(SMPS MOSFET)
?IRFU3504Z(AUTOMOTIVE MOSFET)
?IRFU9210N(HEXFET Power MOSFET)
?IRFV064(HEXFET TRANSISTOR, N-CHANNEL)
?IRFV260(TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=200V, Rds(on)=0.060ohm, Id=45A*))
?IRFV360(REPETITIVE AVALANCHE RATED AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR)
?IRFV460(REPETITIVE AVALANCHE RATED AND dv/dt RATED)
?IRFW510A(Advanced Power MOSFET)
?IRFW710(400V N-Channel MOSFET)
?IRFW720(400V N-Channel MOSFET)
?IRFW730(400V N-Channel MOSFET)
?IRFW740(400V N-Channel MOSFET)
?IRFW840(500V N-Channel MOSFET)
?IRFWI530A(Advanced Power MOSFET)
?IRFY044(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS)
?IRFY044C(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS)
?IRFY044CM(POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=60V, Rds(on)=0.040ohm, Id=16A*))?IRFY120(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS)
?IRFY130(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS)
?IRFY130CM(POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14.4A))?IRFY1310M-T257(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS)
?IRFY140(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS)
?IRFY140C(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS)
?IRFY140CM(POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=16*A))?IRFY230(N?CHANNEL POWER MOSFET FOR HI?REL APPLICATIONS)
?IRFY240(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS)
?IRFY240CM(POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=16A))
?IRFY330(N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO257AB Metal Package)?IRFY340(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS)
?IRFY340CM(POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=8.7A))?IRFY430(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS)
?IRFY430CM(POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rd(on)=1.5ohm, Id=4.5A))
?IRFY430M-T257(N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS)
?IRFY440CM(POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=7.0A))?IRFY9120(P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO257AB Metal Package)
?IRFY9130(P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS)
?IRFY9130CM(POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.3ohm, Id=-11.2A))?IRFY9140(P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS)
?IRFY9140C(P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS)
?IRFY9140CM(POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.2ohm, Id=-15.8A))?IRFY9230(P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS)
?IRFY9240(POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.51ohm, Id=-9.4A))?IRFZ10(HEXFETR POWER MOSFET)
?IRFZ14(HEXFET Power MOSFET)
?IRFZ20(HEXFET TRANSISTORS)
?IRFZ24L(HEXFET Power MOSFET)
?IRFZ24N(Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A))
?IRFZ24N(N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor)
?IRFZ24NL(Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A))
?IRFZ24NLPBF(HEXFET Power MOSFET)
?IRFZ24V(Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=60mohm, Id=17A))
?IRFZ34(Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A))
?IRFZ34E(HEXFET POWER MOSFET)
?IRFZ34L(HEXFET Power MOSFET)
?IRFZ34NLPbF(HEXFET Power MOSFET)
?IRFZ34NS(HEXFET㈢ Power MOSFET)
?IRFZ34VL(Advanced Process Technology)
?IRFZ34VLPbF(HEXFET Power MOSFET)
?IRFZ40(N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS)
?IRFZ40(N-CHANNEL POWER MOSFETS)
?IRFZ42(Power Field Effect Transistors)
?IRFZ44(Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A))
?IRFZ44(N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor)
?IRFZ44E(Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A))
?IRFZ44EL(Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A))
?IRFZ44L(HEXFET Power MOSFET)
?IRFZ44NL(Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A))
?IRFZ44NPBF(HEXFET-R Power MOSFET)
?IRFZ44NS(N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor)
?IRFZ44R(Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50*A))
?IRFZ44V(Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mw, Id=55A))
?IRFZ44VPBF(Ultra Low On-Resistance)
?IRFZ44VS(Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A))
?IRFZ44VZL(Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A))
?IRFZ44Z(Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A))
?IRFZ46(Power MOSFET(Vdss=50V, Rds(on)=0.024ohm, Id=50*A))
?IRFZ46N(Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=16.5mohm, Id=53A))
?IRFZ46NL(HEXFET POWER MOSFET)
?IRFZ46S(HEXFET Power MOSFET)
?IRFZ46ZS(AUTOMOTIVE MOSFET)
?IRFZ48(Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=50*A))
?IRFZ48(N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor)
?IRFZ48L(HEXFET Power MOSFET)
?IRFZ48NL(Advanced Process Technology)
?IRFZ48V(Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=72A))
?IRFZ48VS(Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=72A))
?IRFZ48Z(AUTOMOTIVE MOSFET)
?IRFZ48ZLPBF(AUTOMOTIVE MOSFET)
?IRG4BC10K(Short Circuit Rated UltraFast IGBT)
?IRG4BC10KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A))?IRG4BC10S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A))
?IRG4BC10SD-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V,
Ic=2.0A))
?IRG4BC10UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A))?IRG4BC15MD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.88V, @Vge=15V, Ic=8.6A))?IRG4BC15UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V, Ic=7.8A))?IRG4BC15UD-L(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.02V, @Vge=15V,
Ic=7.8A))
?IRG4BC20F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A))
?IRG4BC20FD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A))?IRG4BC20FD-STRL(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A))
?IRG4BC20K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A))
?IRG4BC20KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A))?IRG4BC20KD-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V,
Ic=9.0A))
?IRG4BC20K-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A))
?IRG4BC20MD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A))?IRG4BC20MD-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V,
Ic=11A))
?IRG4BC20S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A))
?IRG4BC20SD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A))?IRG4BC20SD-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=10A))?IRG4BC20U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A))
?IRG4BC20UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=6.5A))?IRG4BC20UD-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V,
Ic=6.5A))
?IRG4BC20W(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A))
?IRG4BC20WS(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A))
?IRG4BC30(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A))?IRG4BC30(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A))
?IRG4BC30(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A))
?IRG4BC30KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A))
?IRG4BC30KD-STRR(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A))
?IRG4BC30K-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A))
?IRG4BC30S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A))
?IRG4BC30S-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A))
?IRG4BC30U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A))
?IRG4BC30UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A))?IRG4BC30U-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. = 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A))
?IRG4BC30U-SPBF(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRG4BC30W(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A))
?IRG4BC30WS(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A))
?IRG4BC30W-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A))
?IRG4BC30W-SPBF(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRG4BC40F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A))
?IRG4BC40K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A))
?IRG4BC40S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A))
?IRG4BC40U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A))
?IRG4BC40W(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A))
?IRG4BH20K-L(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRG4BH20K-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRG4CC71KB(IRG4CC71KB IGBT Die in Wafer Form)
?IRG4IBC10UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRG4IBC20FD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRG4IBC20FDPBF(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRG4IBC20KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRG4IBC20UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRG4IBC20W(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRG4IBC30F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRG4IBC30KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRG4IBC30S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRG4IBC30UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?irg4ibc30w(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRG4IBC30WPBF(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRG4MC50F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRG4MC50U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRG4P254S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR)
?IRG4PC30(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A))
?IRG4PC30FD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A))?IRG4PC30K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A))
?IRG4PC30KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A))?IRG4PC30S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A))
?IRG4PC30U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A))
?IRG4PC30UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A))?IRG4PC30W(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A))
?IRG4PC40(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A))
?IRG4PC40(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A))?IRG4PC40(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A))
?IRG4PC40(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A))
?IRG4PC40K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A))
?IRG4PC40KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A))?IRG4PC40U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A))
?IRG4PC40UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE( Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A))?IRG4PC50F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A))
?IRG4PC50FD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A))?IRG4PC50K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A))
?IRG4PC50KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A))?IRG4PC50S(INSULATED GATE BIPOLAR TANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.28V, @Vge=15V, Ic=41A))
?IRG4PC50U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A))
?IRG4PC50UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A))?IRG4PC50W(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.30V, @Vge=15V, Ic=27A))
?IRG4PC60F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRG4PC60U( INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRG4PF50W(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRG4PF50WD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRG4PF50WPBF(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRG4PH20(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A))
?IRG4PH20KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V,
Ic=5.0A))
?IRG4PH30(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A))
?IRG4PH30(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A))?IRG4PH40K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.74V, @Vge=15V, Ic=15A))
?IRG4PH40KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.47V, @Vge=15V, Ic=15A))?IRG4PH40U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A))
?IRG4PH40UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A))?IRG4PH40UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRG4PH40UD2-E(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRG4PH40UD2-EP(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRG4PH40UD2PBF(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRG4PH50(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A))?IRG4PH50K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A))
?IRG4PH50KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A))?IRG4PH50S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=1.47V, @Vge=15V, Ic=33A))
?IRG4PH50U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A))
?IRG4PSC71K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.83V, @Vge=15V, Ic=60A))
?IRG4PSC71KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.83V, @Vge=15V, Ic=60A))?IRG4PSC71U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.67V, @Vge=15V, Ic=60A))
?IRG4PSC71UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.67V, @Vge=15V, Ic=60A))?IRG4PSH71(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A))
?IRG4PSH71(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A))?IRG4PSH71U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRG4RC10(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A))
?IRG4RC10(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A))?IRG4RC10(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A))
?IRG4RC10SD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A))?IRG4RC10U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A))
?IRG4RC10UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A))?IRG4RC20F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A))
?IRG4ZC70UD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRG4ZH50KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRGB10B60KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRGB14C40L(IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps)
?IRGB15B60KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRGB20B60PD1(SMPS IGBT)
?IRGB30B60K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRGB4055PBF(Advanced Trench IGBT Technology)
?IRGB420(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=7.5A))
?IRGB420UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=500V, @Vge=15V,Ic=7.5A))
?IRGB430(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A))
?IRGB430UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A))
?IRGB440U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A))
?IRGB5B120KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRGB6B60K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRGB6B60KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRGB8B60K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRGBC20(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=9.0A))
?IRGBC20FD2(IRGBC20FD2)
?IRGBC20K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.0A))
?IRGBC20KD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.0A))
?IRGBC20K-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.0A))
?IRGBC20M(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A))
?IRGBC20MD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A))
?IRGBC20MD2-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A))
?IRGBC20M-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A))
?IRGBC20S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=10A))
?IRGBC20SD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=10A))
?IRGBC20U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.5A))
?IRGBC20UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.5A))
?IRGBC30(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=17A))
?IRGBC30FD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A))
?IRGBC30K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=14A))
?IRGBC30K-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=14A))
?IRGBC30M(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A))
?IRGBC30MD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A))
?IRGBC30MD2-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A))?IRGBC30M-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A))
?IRGBC30S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=18A))
?IRGBC30U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=12A))
?IRGBC30UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=12A))?IRGBC40(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=25A))
?IRGBC40(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A))
?IRGBC40M-S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=24A))
?IRGBC40S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A))
?IRGBC40U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=20A))
?IRGBF20(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A))
?IRGBF30(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=11A))
?IRGI4065PBF(PDP TRENCH IGBT)
?IRGIB10B60KD1(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRGIB15B60KD1(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRGIB6B60KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRGIB7B60KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRGIH50F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRGKIN050M12(CHOPPER LOW SIDE SWITCH IGBT INTAPAK)
?IRGMC30F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRGMC30U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRGMVC50U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ON-BOARD REVERSE DIODE)
?IRGP20B120UD-E(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRGP20B120U-E(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRGP20B60PD(WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRGP30B120KD-E(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRGP30B60KD-E(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRGP35B60PD(WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRGP4050(PDP Switch)
?IRGP420U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=7.5A))
?IRGP430U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A))
?IRGP430UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A))?IRGP440U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A))
?IRGP440UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A))?IRGP450U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=33A))
?IRGP450UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=33A))
?IRGP50B60PD1(SMPS IGBT)
?IRGPC20F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=9.0A))
?IRGPC20M(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A))
?IRGPC20MD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A))
?IRGPC20U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.5A))
?IRGPC30F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRGPC30FD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=17A))
?IRGPC30K(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRGPC30M(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A))
?IRGPC30MD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A))
?IRGPC30S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=18A))
?IRGPC30U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=12A))
?IRGPC30UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=12A))?IRGPC40(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A))
?IRGPC40FD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A))
?IRGPC40M(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=24A))
?IRGPC40MD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=24A))
?IRGPC40S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A))
?IRGPC40U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=20A))
?IRGPC40UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=20A))?IRGPC50F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=39A))
?IRGPC50FD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V,Ic=39A))
?IRGPC50KD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRGPC50M(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=35A))
?IRGPC50MD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=35A))
?IRGPC50S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=41A))
?IRGPC50UD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A))
?IRGPF20F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A))
?IRGPF30F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=11A))
?IRGPF40F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V,@Vge=15V, Ic=17A))
?IRGPF50F(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=28A))
?IRGPH20(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=6.6A))
?IRGPH20(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=4.5A))
?IRGPH30MD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=9.0A))
?IRGPH30S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=13A))
?IRGPH40(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=17A))
?IRGPH40FD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=17A))
?IRGPH40M(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=18A))
?IRGPH40MD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=18A))
?IRGPH40S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=20A))
?IRGPH50(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A))
?IRGPH50FD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=25A))
?IRGPH50M(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A))
?IRGPH50MD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A))
?IRGPH50S(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=33A))
?IRGPS40B120U(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
?IRGPS60B120KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRGR3B60KD2(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRGS10B60KD(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRGS4B60KD1(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE)
?IRH3054(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE)
?IRH3230(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HORE (TO-204AA/AE))
?IRH7130(RADIATION HARDENED POWER MOSFET)
?IRH7250(REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR)
?IRH7450SE(TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.51ohm, Id=11A))
?IRH9130(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-204AA))
?IRH9150(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-204AE))
?IRH9230(TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.8ohm, Id=-6.5A))
?IRH9250(TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.315ohm, Id=-14A))
?IRHE3130(RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFCACE MOUNT(LCC-18))
?IRHE4230(RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18))
?IRHE7110(REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR)
?IRHE9130(RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18))
?IRHF3130(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39))
?IRHF4110(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE)
?IRHF53130(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39))
?IRHF53230(RADIATION GARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39))
?IRHF57230SE(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE ( TO-39))
?IRHF57234SE(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39))
?IRHF7130(REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR)
?IRHF7230(REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET?? TRANSISTOR)
?IRHF7310SE(TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=4.5ohm, Id=1.15A))
?IRHF7330SE(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-205AF))
?IRHF93130(TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-6.5A))
?IRHG3214(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE)
?IRHG4110(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB))
?IRHG53110(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036))
?IRHG567110(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE 100V, Combination 2N-2P-CHANNEL)
?IRHG593110(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB))
?IRHG63110(100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RAD-Hard HEXFET MOSFET TECHNOLOGY)
?IRHG93110(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB))
?IRHI7360SE(TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=24.3A))
?IRHI7460SE(TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.32ohm, Id=20A))
?IRHLF630Z4(RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET)
?IRHLF6970Z4(RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET THRU-HOLE)
?IRHLF730Z4(RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39))
?IRHLF7930Z4(RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39))
?IRHLUB730Z4(RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (UB))
?IRHLUB730Z4(RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (UB) 60V, N-CHANNEL)?IRHLUB7930Z4(RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (UB))
?IRHM2C50SE(TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=10.4A))
?IRHM3130(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE)
?IRHM3150(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE)
?IRHM3250(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA))
?IRHM3Z60(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA))
?IRHM4054(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA))
?IRHM53260(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE)
?IRHM54064(RADIATION HARDENED POWER MOSFET)
?IRHM54160(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE)
?IRHM57260SE(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE)
?IRHM57264SE(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE)
?IRHM58260(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE)
?IRHM7064(TRANSISTOR N-CHANNEL)
?IRHM7160(REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR)
?IRHM7230(REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR)
?IRHM7264SE(TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=250V, Rds(on)=0.087ohm, Id=35A*))
?IRHM7360(REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED)
?IRHM7360SE(TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=22A))
?IRHM7450(REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED)
?IRHM7450SE(TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.51ohm, Id=12A))
?IRHM7460SE(TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.32ohm, Id=18.8A))
?IRHM9064(TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-60V, Rds(on)=0.060ohm, Id=-35*A))
?IRHM9130(RADIATION HARDENED POWER MOSFET / 100V, P-CHANNEL)
?IRHM9150(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA))
?IRHM9160(TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.087ohm, Id=-35*A))
?IRHM9230(TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.8ohm, Id=-6.5A))
?IRHM9250(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA))
?IRHM9260(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA))
?IRHM93130(RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA))
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场效应管工作原理及应用
附页
电子教案模板
2）、按工作状态可分为： 增强型和耗尽型两类 每类又有N沟道和P沟道之分 4、三个电极分别为： 漏极D----相当于双极型三极管的集电极； 栅极G----相当于双极型三极管的基极； 源极S----相当于双极型三极管的发射极； 教师活动学生活动设计意图1、讲授场效应管的 特性，与三极管作对比进行学习。 2、讲授什么是增强型，什么是耗尽型，什么是N沟道，什么是P沟道。 3、利用实物及图片带领学生认识各种场效应管认识各个电极。1、认真记录笔记 仔细听讲。 2、通过教师的讲 解及图片，PPT的 展示认识各种场 效应管。 3、通过实物及图 片掌握各电极名 称。 讲练结合，寓教于乐于一体，使学生掌握起来更加形 象直观。 知识点二：绝缘栅型场效应管的工作原理及特性 1. 增强型绝绝缘栅型场效应管的工作原理及特性缘栅场效应管(1) N沟道增强型管的结构 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。
由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。(Metal Oxide Semiconducter FET) 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014W 。(2) N沟道增强型管的工作原理 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN 结。 当栅源电压U GS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 当U GS > 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W 2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15 2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.0 2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0 2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5 2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4 2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15 2SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6 2SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机
经典三极管与场效应管的比较
第2章晶体三极管和场效应管 教学重点 1 ?掌握晶体三极管的结构、工作电压、基本连接方式和电流分配关系。 2 ?熟练掌握晶体三极管的放大作用；共发射极电路的输入、输出特性曲线；主要参 数及温度对参数的影 响。 3?了解MOS 管的工作原理、特性曲线和主要参数。 教学难点 1 ?晶体三极管的放大作用 2 ?输入、输出特性曲线及主要参数 学时分配 序号 内 容 学时 1 2.1晶体三极管 4 2 2.2场效应管 4 3 本章小结与习题 4 本章总课时 8 2.1晶体三极管 晶体三极管：是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件。 特点：管内有两种载流子参与导电。 2.1.1三极管的结构、分类和符号 一、晶体三极管的基本结构 1 ?三极管的外形：如图 2.1.1所示。 2 ?特点：有三个电极，故称三极管。 3?三极管的结构：如图 2.1.2所示。 晶体三极管有三个区一一发射区、 基区、集电区； 两个PN 结一一发射结（BE 结）、集 电结（BC 结）； 三个电极一一发射极 e （ E ）、基极 图2.1.2 三极管的结构图 图2.1.1三极管外形 雄対箱革极集电姑 坯射纬UK 堆电紬
b(B)和集电极c(C)； 两种类型一一PNP 型管和NPN 型管。 工艺要求： 发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区体积大且掺杂少。 二、 晶体三极管的符号 晶体三极管的符号如图 2.1.3所示。 箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。 文字符号：V 三、 晶体三极管的分类 1 .三极管有多种分类方法。 按内部结构分：有 NPN 型和PNP 型 管； 按工作频率分：有低频和高频管； 按功率分：有小功率和大 功率管； 按用途分：有普通管和开关管； 按半导体材料分：有锗管和硅管等等。 2 .国产三极管命名法：见《电子线路》 P 249附录二。 例如：3DG 表示高频小功率 NPN 型硅三极管；3CG 表示高频小功率 PNP 型硅三极 管；3AK 表示PNP 型开关锗三极管等。 2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式 一、晶体三极管的工作电压 三极管的基本作用是放大电信号； 工作在放大状态的外部条件是发射结加正向电压, 集电结加反向电压。 如图2.1.4所示：V 为三极管，G C 为集电极电源，G B 为基极电源，又称偏置电源， R b 为基极电阻，R c 为集电极电阻。 二、晶体三极管在电路中的基本连接方式 如图2.1.5所示，晶体三极管有三种基本连接方式： 共发射极、共基极和共集电极接 法。最常用的是共发射极接法。 但八PIS 型 (b) 型 图2.1.3 三极管符号 图2.1.4 三极管电源的接法
场效应管和三极管的区别
场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor,FET）的简称。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。 普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。 场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。 场效应管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管。而在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应用三极管。 场效应管靠多子导电，管中运动的只是一种极性的载流子；三极管既用多子，又利用少子。由于多子浓度不易受外因的影响，因此在环境变化较强烈的场合，采用场效应管比较合适。 场效应管的输入电阻高，适用于高输入电阻的场合。场效应管的噪声系
数小，适用于低噪声放大器的前置级。 1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。 2．场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。 3．场效应管栅极几乎不取电流（ig?0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。 4．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。 5．场效应管在源极水与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b值将减小很多。 6．场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。 7．场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开路电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。 8。三极管导通电阻大，场效应管导通电阻小，只有几百毫欧姆，在现在的用电器件上，一般都用场效应管做开关来用，他的效率是比较高的。 场效应管G极必须有一个对地的放电电阻，不然上电就烧，而三极管基极不需要 在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管; 而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管. 晶体三极管与场效应管工作原理完全不同，但是各极可以近似对应以便于理解和设计： 晶体管：基极发射极集电极 场效应管：栅极源极漏极 要注意的是，晶体管(NPN型)设计发射极电位比基极电位低(约0.6V)，场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V)。 场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.
场效应管的分类和作用
场效应管的分类和作用分别是什么? 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件 概念: 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3、场效应管可以用作可变电阻。 4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。 场效应管的测试 1、结型场效应管的管脚识别： 场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。 2、判定栅极
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。 3、估测场效应管的放大能力将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。 由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS 场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。 MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。 2.场效应管的分类: 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类 按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类. 3.场效应管的主要参数:
常用场效应管型号全参数管脚识别及检测表
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一
只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。 （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表
. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进 行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以 判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
1 / 19 . （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效 应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏 极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测 得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极 之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ， 黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时 表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针
常用场效应管参数大全 (2)
型号材料管脚用途参数 IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5 IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3 IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关 M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05 MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3
三极管和MOS管做开关用时的区别
三极管和MOS管做开关用时的区别 ?我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别工作性质： 1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制. 2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大。 4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管 实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子（电子）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动（实际上都是电子的反方向运动），由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而MOS三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。 ?（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 （2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
场效应管的主要参数
一：场效应管的主要参数 (1)直流参数 饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。 夹断电压UP 它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS 开启电压UT 它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS (2)交流参数 低频跨导gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。 极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。 (3)极限参数 漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。 栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。 本站链接:场效应管的参数查询
二：场效应管的特点 场效应管具有放大作用，可以组成放大电路，它与双极性三极管相比具有以下特点：（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很高； （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强。 三. 符号：“Q、VT” ，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件 场效应管分三个极：
Ｄ极为漏极（供电极） Ｓ极为源极（输出极） Ｇ极为栅极（控制极） Ｄ极和Ｓ极可互换使用 场效应管图例： 四. 场效应管的分类： 场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。 按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。 五主板上用的场效应管的特性：
常用大功率场效应管
2009-11-16 14:24 IRF系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换 带有"-"号的参数为P沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管,没注明的均为N沟道场效应管. 型号Drain-to-Source V oltage漏极到源极电压Static Drain-Source On-State Resistance静态漏源 通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃) PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃）Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号V ender 供应商 型号耐压（V）内阻（mΩ）电流（A）功率（W）封装厂商 IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IR IRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IR IRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IR IRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IR IRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IR IRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF130 100 - 14 75 TO-3 - IR IRF131 60 - 14 75 TO-3 - IR IRF132 100 - 12 75 TO-3 - IR IRF133 60 - 12 75 TO-3 - IR IRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IR IRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IR IRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IR IRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IR IRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IR IRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IR IRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IR IRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IR IRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IR IRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IR IRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IR IRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IR IRF230 200 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF231 150 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF232 200 - 8.0 75 TO-3 - IR
三极管开关原理与场效应管开关原理(看过就全懂了).
三极管开关原理与场效应管开关原理(看过就全懂了） 2009-07-06 02:35 BJT的开关工作原理： 形象记忆法： 对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流。 假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。 所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小
阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。 如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。 在这里，Ube就是小水流，Uce就是大水流，人就是输入信号。当然，如果把水流比为电流的话，会更确切，因为三极管毕竟是一个电流控制元件。 如果水流处于可调节的状态，这种情况就是三极管中的线性放大区。 如果那个小的阀门开启的还不够，不能打开大阀门，这种情况就是三极管中的截止区。 如果小的阀门开启的太大了，以至于大阀门里放出的水流已经到了它极限的流量，这种情况就是三极管中的饱和区。但是你关小小阀门的话，可以让三极管工作状态从饱和区返回到线性区。 如果有水流存在一个水库中，水位太高（相应与Uce太大），导致不开阀门江水就自己冲开了，这就是二极管的反向击穿。PN结的击穿又有热击穿和电击穿。当反向电流和反向电压的乘积超过PN结容许的耗散功率，直至PN结过热而烧毁，这种现象就是热击穿。电击穿的过程是可逆的，当加在PN结两端的反向电压降低后，管子仍可以恢复原来的状态。电击穿又分为雪崩击穿和齐纳击穿两类，一般两种击穿同时存在。电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主。电压在5－6V之间的稳压管，两种击穿程度相
常用场效应管参数大全(1)
型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB
场效应管知识点
场效应管工作原理 场效应管工作原理 MOS场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。 MOS 场效应管也被称为MOS FET，既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS 场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。 为解释MOS 场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。 对于场效应管（见图7），在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应
场效应管参数查询库(精)
型号电压电流功率封装极性 15N80 800V 15A TO-3PN IGBT 16N06 60V 16A 1N60 600V 1A 20N60 600V 20A TO-3PN N-FET 25N120 1200V 25A TO-3PN IGBT 2N60 600V 2A 54W TO-220 N-FET 2N60 小 N-FET 30N120 1200V 30A TO-3PN IGBT 4N50 500V 4A 75W TO-220 N-FET 4N80 800V 4A 75W TO-220 N-FET 50N06 46A 60V 105W TO-220 N-FET 6N60 600V 6A 125W TO-220F N-FET 7N60 600V 7A 147W TO-220F N-FET BUP203 1000V 23A 165W TO-220 IGBT BUP304 1000V 35A 310W TO-3PN IGBT GT40T101 1500V 40A TO-3PN IGBT GT60N90 900V 60A TO-3PN IGBT IRF1010E 55V 84A 170W TO-220 N-FET IRF150 100V 40A 150W TO- 3PN N-FET IRF250 200V 30A 150W TO-3 N-FET IRF460 500V 21A 300W TO-3 N-FET IRF4905 55V 74A 200W TO-220 P-FET IRF530 100V 14A 79W TO-220 N-FET IRF5305 55V 31A 110W TO-220 N-FET IRF540N 100V 28A 150W TO-220 N-FET IRF540N 100V 28A 150W TO-220 N-FET IRF610 200V 3.3A 40W TO-220 N-FET IRF620 200V 5A 40W TO-220 N-FET IRF630 200V 9A 75W TO-220 N-FET IRF630 200V 9A 75W TO-220 N-FET IRF640 200V 18A 125W TO-220 N-FET IRF640 200V 18A 125W TO-220 N-FET IRF710原 400V 2A 36W TO-220 N-FET IRF730 400V 5.5A 75W TO-220 N-FET IRF730 400V 5.5A 75W TO-220 N-FET IRF740 400V 10A 125W TO-220 N-FET IRF740 400V 10A 125W TO-220 N-FET IRF830 500V 4.5A 75W TO-220 N-FET IRF830 500V 4.5A 75W TO-220 N-FET IRF840 500V 8A 125W TO-220 N-FET IRF840 500V 8A 125W TO-220 N-FET IRF9530 100V 12A 75W TO-220 P-FET IRF9530 100V 12A 75W TO-220 P-FET IRF9540 100V 19A 125W TO-220 P-FET IRF9630 200V 6.5A 75W TO-220 P-FET IRF9630 200V 6.5A 75W TO-220 P-FET IRF9640 200V 11A 125W TO-220 P-FET IRF9Z34 60V 18A 74W TO-220 N-FET IRFP150A 43A 100V 193W TO-3PN N-FET IRFP250 200V 33A 180W TO-3PN N-FET IRFP260 200V 46A 280W TO-3PN N-FET IRFP264 250V 38A 280W TO-3PN N-FET IRFP350A 400V 17A 200W TO-3PN N-FET IRFP450 500V 14A 180W TO-3PN N-FET IRFP460 500V 20A 250W TO-3PN N-FET IRFZ44N 55V 49A 110W TO-220 N-FET IRG4BC30F 600V 30A TO-220 IGBT K1081 800V 7A 125W TO-3PN N-FET K1082 800V 8A 125W TO-3PN N-FET K1117 600V 6A 100W TO-220 N-FET K1118
场效应管功能及参数介绍
2.2场效应管功能及参数介绍 开关电源的基本电路由“交流一直转换电路”, “开关型功率变换器”, “控制电路”和整流稳波电路”而组成.输入的电网电压通过“交流一直流转换电路”中的整流和稳器转换成直流电,该直流电源作为“开关型功率变换器”的输入电源,经过“开关型功率更换器”将直流电转变为高频脉冲电波电压输出给“整流滤波电路”,变成平滑直流供给负载,控制电路则起着控制“开关型功率变换器”工作的作用.开关型功率变换器是开关电源的主电路,开关电源的能量转换,电压变换就由它承担.在直流变换器的基础上,由于高频脉冲技术及开关变换技术的进一步发展,出现了推挽式开关型功率变换器,全挢式开关型功率变换器,半挢式﹑单端正激式.单端反激式开关型功率变换器.其控制方法可分为脉冲宽度调制(PWM)和脉冲频调制(PFM)两种. 开关电源最重要的组件是MOSFET,它的开通和关短控制着整个电源运转.MOSFET原意是MOS(METAL OXIDE SEWILONDUCTOR,金属氧化物半导体)FET(FIELD DFFECT TRAHSISTOR,场效应晶体),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(0),利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管. 功率场应晶体管也分为结型绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semi Conductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSPET).结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(STATIC INTUCTION TRANSISTOR,缩写为SIT).其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10KW的电力电子装置.国际整流器公司.(在International Rectifier,缩写IR)把MOSFET用于高压的器件归纳为第3,6,9代,其中包括3,5代,而用于低压的则为第5,7,8代. 功率MOSFET按导电沟通可分P沟道和N沟道;按栅极电压幅值可分为耗尽型(当栅极电压为零时漏,源极之间就存在导电沟道)和增强型(对于N或P沟道器,件栅极电压大珪或小于零时才存在导电沟道,功率MOSFET主要是N沟道增强型). 2.2.1.功率MOSFET的结构 功率MOSPET的内部结构和电气符号如下周所示,其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管.导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有极大区别.小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET.大大提高了MOSFET 器件的耐压和耐电流能力. 按垂直导电结构的差异,又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET的结构为多元集.如国际整流器公司的HEXFET采用六边形单元;西门子公司的STPMOSFET采用了正方形单元;摩托罗拉公司的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列. 2.2.2功率MOSFET的工作方式 截止:漏极间加正电源,栅源极间电压为零.P基区与N漂移区之间形成的PN结,反偏;漏源极之间无电流流过. 导电:在栅源极间加正电压Vgs,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过.但栅极的正电压会将其下P区中的空穴推开.,而将P区中的少子---电子吸引到栅极下面的P区表面. 当Vgs大于UT(开启电压或阀值电压)时,栅极下面P区表面的电子浓度将超过空穴的浓度,P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而PN结缩小消失,漏极和源极导电. 2.2.3功率MOSFET的基本特性 1.静态特性 其转移特性和转出特性如图所示 漏极电流Id和栅源间电压Vgs的关系为MOSFET的转移特性.Id较大时,Id与Vgs的关系近似线性 ,曲线的斜率定义为跨导Gfs.在恒流区内,N信道增强型MOSFET的Id可近似表示为: id=Ido(Vgs/VT-1)2 (Vgs>VT)