手机存储器介绍

这里要专门说明一下存储器，因为很多手机毛病都和存储有关，而且很多问题都和存储相关，计算机的存储是关键，而手机更始关键，因为计算机有硬盘作为存储，而手机所有的都在存储器里

存储器分为几类，RAM 随即存储器，ROM随即只读存储器还有现在出现一些的闪存，以及电子可编程存储和非易失存储起。一个一个到来

RAM 随机存储器，其中又有SRAM（静态RAM）DRAM（动态RAM），

SRAM，只要只要电源开着，就会保存，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM 中的，不会立刻写入通话记录。只有正常关机，才会写入，如果取电池的话，是不会写入手机的通话记录的，如果在通话记录中出现了已经拨打电话，但是没有记录的情况，那么有可能和这个存储器有关，

可能是你的软件上错误，也可能是硬件。

DRAM在手机上用的不多，因为保留数据时间很短，

从价格上看，SRAM是非常昂贵的，而DRAM相比很便宜。

ROM也有几种，PROM可编程ROM 和EPROM可擦除可编程ROM两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，这个就完蛋了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而E PROM 则是通用的存储器，这些存储器不符和手机软件产品，一般使用ROM少

其他FLASH

这是近来手机采用最多的存储器，这种存储起结合了ROM和RAM的长处，但是不属于RAM 也不属于ROM

手机大量采用的NVRAM 非易失存储器和SRAM属性差不多，EEPROM 电子可擦出可编程存储器，闪存，ROM的后代。手机软件一般放在EEPROM中，EPROM是通过紫外光的照射，擦出原先的程序，而EEPROM是通过电子擦出，当然价格也是很高的，而且写入时间很长，写入很慢，所以前面提到的电话号码，一般先放在S RAM中，不是马上写入EEPROM，因为当时有很重要工作要做——通话，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。

NVRAM 是一个很特别的存储器，它和SRAM相类似，但是价格却高很多，由于一些数据实在重要，断电后必须保持这些数据，所以只能存放在这里，一般和个人信息有关的数据会放在这里，比如和S IM卡相关数据。容量大小也只有几百字节。

闪寸存储器是所有手机的首选，综合了前面的所有优点，不会断电丢失数据（NVRAM）快速读取，电气可擦出可编程（EEPROM）所以现在手机大量采用，

说了这么多存储器，可能比较糊涂了，这么多存储器，究竟采用哪中呢，在手机发展中，各种存储器都用过，至于现在，各种手机采用的存储器是不同的，这个和成本相关，各种存储器价格不一样，本着性价比最优组合，由设计者决定，有些是可选的，有些是必须的，是手机方案决定的，我们了解只是各种存储性能，特点，在测试中判断错误原因。

手机存储器(Memory)

?非易失性存储器：用于存放手机程序、校准

数据和用户数据。

?手机上的存储器有：

NOR Flash Memory芯片；

NAND Flash Memory芯片；

各种存储器卡: mini-SD/T-Flash/RS-MMC等；

微硬盘；

RAM: Random Access Memory，静态随机存储器。

NVRAM: Not Volatile RAM，非易失性随机存储器

NOR Flash Memory(1)

?NOR Flash 是一种非易失性闪存，一般所说的

Flash 就是指NOR Flash。

?一般把Flash与SRAM(或者pSRAM)一起封装在

一个芯片内，MCP(Multi-Chip Package)封装。

?手机中使用的Flash芯片：

64Mb+64Mb+32Mb (R06、P100等项目)；

SRAM: Static Random Access Memory，静态随机存储器;

pSRAM: pseudo SRAM，外部使用SRAM接口，但内部是动态RAM技术FLASH: 128Mbit=16MByte

SRAM: 32Mbit=4MByte

NOR Flash Memory(3)

?Flash的最小操作单位是Sector,一般为4Kword

和32Kword两种。

?Flash可以分为几个BANK，一个BANK由若干

个Sector组成。

?对Flash的写入数据之前，必须进行擦除。

?可以一个擦除一个Sector，也可以连续擦除若

干个Sector或整个Flash。

?为防止误操作擦写，对Flash的擦除和写入需要

有一个完整的过程。

?各种记忆卡的对比：

相同：一般采用NAND Flash技术。。因NOR Flash 的读速度很快，但擦写速度

很慢，这也就是我们下载程序要花很长时间的缘故。

全球连接器公司排名-主要产品

全球连接器公司排名-主要产品 1.TE & Tyco泰科(AMP)---全球最大的连接器生产厂家，连接器行业的唯一入围世界500强的企业。美国企业。主要产品应用在消费类电子，电力，医疗，汽车，航空航天以及通讯网络方面。 2.MOLEX莫仕---MOLEX公司是全球领导先的全套互联产品厂厂家。美国企业。产品主要应用于电子，电气和光纤。 3.Amphenol安费诺---安费诺公司通过合并收购笼络了全球很多顶尖的连接器厂家。美国企业。产品主要在军工，航空，航天，通信方面比较有优势。 4.FCI法马通，富加宜---法马通连接器有限公司。法国企业。现在主要由风险投资控股。产品主要应用于通信，通讯，汽车方面。 5.FOXCONN鸿海集团&富士康---富士康科技集团，在中国台湾省被称为鸿海集团。富士康科技集团也是世界500强之一。 6.Yazaki矢崎---日本矢崎总业株式会社。日本企业。主要生产汽车用电线组件、各种仪表、仪器、空调、太阳能供暖器，汽车用电线组件的连接器,其中，汽车连接器为其特长。 7.HRS广濑电机---广濑电机株式会社。日本企业。主要生产数码相机，摄像机，笔记本，液晶显示器等 8.Sumitomo住友电气---日本三大企业之一住友株式会社住友集团旗下企业住友电气。公司主要生产汽车连接 9.JST日本压着端子---日本JST公司是日本第一家生产和销售无焊端子的制造公司,总部位于日本大阪, 公司主要生产线到线的端子，HSG(胶壳)，以及线到板的端子，HSG,WAFER等 10.JAE日本航空电子---JAE日本航空电子，是日本航空电子工业株式会社的全称。现主要生产电脑，通讯用连接器。 11.Delphi德尔福---德尔福公司原为通用汽车公司的零部件子公司。1999年德尔福的生产的连接器产品主要用于汽车上 12.Foxlink正崴科技&富港电子---苹果公司的连接器连接线都是由正崴研发生产。 13.Luxshare立讯精密---立讯精密工业股份公司。中国企业。产品主要应用于3C、汽车和通讯领域。 14.KET韩国端子工业株式会社---韩国端子工业株式会社。韩国企业。主要生产汽车，电子，通讯领域的连接器。 15.Lotes嘉泽端子工业股份公司&得意精密电子---嘉泽端子工业股份公司。台湾公司。主要生产台式电脑，笔记本电脑，手机连接器，近期在天线生产上较有优势。 16.NAIS松下电工---NAIS松下电工是日本松下电器旗下企业之一。NAIS即Natianol松下电工主要生产电器，手机等连接器配件。

连接器介绍解析

馈线接头（连接器）和转换头（转接器）的命名方式 2009-10-31 11:45:13| 分类：默认分类 |字号订阅 一、馈线接头（连接器） 馈线与设备以及不同类型线缆之间一般采用可拆卸的射频连接器进行连接。连接器俗称接头。 常见的射频连接器有以下几种： 1、DIN型连接器 适用的频率范围为0~11GHz，一般用于宏基站射频输出口。 2、N型连接器 适用的频率范围为0~11GHz，用于中小功率的具有螺纹连接机构的同轴电缆连接器。 这是室内分布中应用最为广泛的一种连接器，具备良好的力学性能，可以配合大部分的馈线使用。 3、BNC/TNC连接器 BNC连接器 适用的频率范围为0~4GHz，是用于低功率的具有卡口连接机构的同轴电缆连接器。这种连接器可以快速连接和分离，具有连接可靠、抗振性好、连接和分离方便等特点，适合频繁连接和分离的场合，广泛应用于无线电设备和测试仪表中连接同轴射频电缆。 TNC连接器 TNC连接器是BNC连接器的变形，采用螺纹连接机构，用于无线电设备和测试仪表中连接同轴电缆。其适用的频率范围为0~11GHz。 4、SMA连接器 适用的频率范围为0~18GHz，是超小型的、适合半硬或者柔软射频同轴电缆的连接，具有尺寸小、性能优越、可靠性高、使用寿命长等特点。 但是超小型的接头在工程中容易被损坏，适合要求高性能的微波应用场合，如微波设备的内部连接。 5、反型连接器

通常是一对连接器：公连接器采用内螺纹联接，母连接器采用外螺纹联接，但有些连接器与之相反，即公连接器采用外螺纹联接，母连接器采用内螺纹联接，这些都统称为反型连接器。 例如某些WLAN的AP设备的外接天线接口就采用了反型SMA连接器。 实例图片：

MCS-51单片机存储器结构

MCS-51单片机在物理结构上有四个存储空间： 1、片内程序存储器 2、片外程序存储器 3、片内数据存储器 4、片外数据存储器 但在逻辑上，即从用户的角度上，8051单片机有三个存储空间： 1、片内外统一编址的64K的程序存储器地址空间（MOVC） 2、256B的片内数据存储器的地址空间（MOV） 3、以及64K片外数据存储器的地址空间（MOVX） 在访问三个不同的逻辑空间时，应采用不同形式的指令（具体我们在后面的指令系统学习时将会讲解），以产生不同的存储器空间的选通信号。 程序内存ROM 寻址范围：0000H ~ FFFFH 容量64KB EA = 1，寻址内部ROM；EA = 0，寻址外部ROM 地址长度：16位 作用：存放程序及程序运行时所需的常数。 七个具有特殊含义的单元是： 0000H ——系统复位，PC指向此处； 0003H ——外部中断0入口 000BH —— T0溢出中断入口

0013H ——外中断1入口 001BH —— T1溢出中断入口 0023H ——串口中断入口 002BH —— T2溢出中断入口 内部数据存储器RAM 物理上分为两大区：00H ~ 7FH即128B内RAM 和SFR区。 作用：作数据缓冲器用。 下图是8051单片机存储器的空间结构图 程序存储器 一个微处理器能够聪明地执行某种任务，除了它们强大的硬件外，还需要它们运行的软件，其实微处理器并不聪明，它们只是完全按照人们预先编写的程序而执行之。那么设

计人员编写的程序就存放在微处理器的程序存储器中，俗称只读程序存储器（ROM）。程序相当于给微处理器处理问题的一系列命令。其实程序和数据一样，都是由机器码组成的代码串。只是程序代码则存放于程序存储器中。 MCS-51具有64kB程序存储器寻址空间，它是用于存放用户程序、数据和表格等信息。对于内部无ROM的8031单片机，它的程序存储器必须外接，空间地址为64kB，此时单片机的端必须接地。强制CPU从外部程序存储器读取程序。对于内部有ROM的8051等单片机，正常运行时，则需接高电平，使CPU先从内部的程序存储中读取程序，当PC值超过内部ROM的容量时，才会转向外部的程序存储器读取程序。 当=1时，程序从片内ROM开始执行，当PC值超过片内ROM容量时会自动转向外部ROM空间。 当=0时，程序从外部存储器开始执行，例如前面提到的片内无ROM的8031单片机，在实际应用中就要把8031的引脚接为低电平。 8051片内有4kB的程序存储单元，其地址为0000H—0FFFH，单片机启动复位后，程序计数器的内容为0000H，所以系统将从0000H单元开始执行程序。但在程序存储中有些特殊的单元，这在使用中应加以注意： 其中一组特殊是0000H—0002H单元，系统复位后，PC为0000H，单片机从0000H 单元开始执行程序，如果程序不是从0000H单元开始，则应在这三个单元中存放一条无条件转移指令，让CPU直接去执行用户指定的程序。 另一组特殊单元是0003H—002AH，这40个单元各有用途，它们被均匀地分为五段，它们的定义如下： 0003H—000AH 外部中断0中断地址区。 000BH—0012H 定时/计数器0中断地址区。

pogo pin 手机连接器

pogo pin 手机连接器 新时期，为适应新的需求pogo pin连接器产品本身正向小尺寸、窄间距、多功能发展，除此之外，表面安装、复合化以及嵌入式等方向也是未来的趋势。连接器的体积与外形尺寸越来越微小化和片式化。 电子产品的小型化给其配套的连接器也提出了小型化甚至是微型化的要求，比如对连接器微型化要求较高的有手机等便携手持数码产品。传统连接器的接触件数目、接触件规格一般都是不可变更的，用户若需要变更接触件的数目和接触件的规格，必须换用其他连接器，而模块组合化连接器技术的出现，较好地解决了这一问题。 市场的快速发展促使连接器的技术革新加快，连接器的设计水平和加工手段也都大大提升。业内专家表示，半导体芯片技术正成为各级互连中连接器发展的技术驱动力，例如，伴随0.5mm间距芯片封装迅速向0.25mm间距发展，使I级互连(IC器件内部)和Ⅱ级互连(器件与板的互联)的器件引脚数由数百线达数千线。 近年来，光纤连接器、USB2.0高速连接器、有线宽带连接器以及微间距连接器等在各种便携/无线电子设备中应用日益增多，甚至更高速的USB3.0已经出现在市场上。因此，连接器的市场应用热点也在随之变化。 全球企业和市场电子化进程越来越快，中国政府在金融危机环境下对三网合一、智能电网、汽车以及轨道交通等领域的大量投资，可以看到，市场对连接器的高速互联、耐电流程度要求越来越高；从消费电子来说，类似网络电视的应用火热，它们涉及到很多天线的应用，电视系统厂商需要在很小的间距内设置天线。 连接器小型化以及节能化必然是其在家电行业发展的重要趋势；汽车电子系统中复杂的车身控制、远程通信等功能也对连接器的小型化、智能化以及绿色环保和高可靠性提出挑战。新时期，连接器行业的新情况，中外主流连接器厂商在打造自己特色的同时，也都从产品的推出和应用上引领或追随着市场需求的脚步。逐渐形成了连接器市场竞争的新模式。 文章选自：https://www.wendangku.net/doc/551109464.html,

连接器知识介绍

连接器 本文由深扬明电子提供 连接器 连接器一般是指电连接器，即连接两个有 元器件的器件。它的作用就是：在电路内 被阻断处或孤立不通的电路之间，架起沟 通的桥梁，从而使电流流通，使电路实现 预定的功能。在咱们国内一般就是叫插头和插座。在咱们国内一般就是叫插头和插座。它广泛应用于航空、航天、国防等军用系统中。什么是连接器 连接器，即CONNECTOR。国内亦称作接插件、插头和插座。一般是指电连接器。即连接两个有源器件的器件，传输电流或信号。 连接器是我们电子工程技术人员经常接触的一种部件。它的作用非常单纯：在电路内被阻断处或孤立不通的电路之间，架起沟通的桥梁，从而使电流流通，使电路实现预定的功能。连接器是电子设备中不可缺少的部件，顺着电流流通的通路观察，你总会发现有一个或多个连接器。连接器形式和结构是千变万化的，随着应用对象、频率、功率、应用环境等不同，有各种不同形式的连接器。例如，球场上点灯用的连接器和硬盘驱动器的连接器，以及点燃火箭的连接器是大不相同的。但是无论什么样的连接器，都要保证电流顺畅连续和可靠地

流通。就泛指而言，连接器所接通的不仅仅限于电流，在光电子技术迅猛发展的今天，光纤系统中，传递信号的载体是光，玻璃和塑料代替了普通电路中的导线，但是光信号通路中也使用连接器，它们的作用与电路连接器相同。由于我们只关心电路连接器，所以，本课程将紧密结合Molex公司的产品，集中介绍电路连接器及其应用；也正因为连接器的高质量和高可靠性，使它也广泛应用于航空、航天、国防等军用系统中。针对此块精英人才，也是目前我国最稀缺的，目前收纳连接器人较多的有连接器英才网，是连接器行业人才的一个专业性招聘、求职网站。 为什么要使用连接器 设想一下如果没有连接器会是怎样？这时电路之间要用连续的导体永久性地连接在一起，例如电子装置要连接在电源上，必须把连接导线两端，与电子装置及电源通过某种方法（例如焊接）固定接牢。这样一来，无论对于生产还是使用，都带来了诸多不便。以汽车电池为例。假定电池电缆被固定焊牢在电池上，汽车生产厂为安装电池就增加了工作量，增加了生产时间和成本。电池损坏需要更换时，还要将汽车送到维修站，脱焊拆除旧的，再焊上新的，为此要付较多的人工费。有了连接器就可以免除许多麻烦，从商店买个新电池，断开连接器，拆除旧电池，装上新电池，重新接通连接器就可以了。这个简单的例子说明了连接器的好处。它使设计和生产过程更方便、更灵活，降低了生产和维护成本。

EEPROM存储器概述

非易失性存储器概述 一、介绍 这篇文章论述了非易失性存储器（NVM）基本概况。第1部分介绍了非易失性存储器的主要背景以及一些存储器的基本术语。第2部分主要阐述了非易失性存储器的工作原理（通过热电子注入实现编程）。第3部分包含了非易失性存储器的擦除原理，以及隧道效应。第4部分介绍了用于预测非易失性存储器的编程特性的模型，用“幸运电子”模型来表述热电子注入模式。第5部分主要介绍非易失性存储器可靠性，包括在数据保存、耐受力和干扰影响下的可靠性。 关键词：非易失性，存储器，热电子注入，隧道效应，可靠性，保存，存储干扰，EEPROM，Flash EEPROM。 存储器分为两大类：易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器在掉电后会失去其所存储的数据，故而需要继续不断的电源才能保存数据。大部分的随机存取存储器（RAM）都是易失性的。非易失性存储器则在掉电后不会丢失数据。一个非易失性存储器（NVM）本质上是一个MOS管，由一个源极、一个漏极、一个门极，以及一个浮栅。与常用的MOSFET 不同的是，NVM多了一个浮栅，浮栅与其它部分是绝缘的。非易失性存储器又细分为两个主要的分类：浮栅型和电子俘获型。Kahng 和Sze在1967年发明了第一个浮栅型器件。在这种器件中，电子受隧道效应的影响，通过一个3nm厚的二氧化硅层，从一个浮栅中转移到基层中。通过隧道效应，非易失性存储器可以更容易地被擦除或改写，通常隧道效应只在厚度小于12nm的氧化物中存在。浮栅中存储电子后，可以使得阈值电压被降低或者提高，而阈值电压的高低也就分别代表了逻辑值1或0。 在浮栅型存储器件中，电子（也即是数据）存储在浮栅中，故而掉电后，数据不会丢失。所有的浮栅型存储器件都是一样的存储单元结构，如下图1所示，一个存储单元由门极MOS 管堆叠而成。第一个门是浮栅门，被埋在栅氧化层（Gate Oxide）和内部多晶硅绝缘层（IPD）之间，位于控制门（Control Gate）的下方。内部多晶硅绝缘层将浮栅隔绝起来，它可以是氧化物，或者氧化物-氮化物-氧化物层（ONO）。SiO2绝缘层将MOS管包围起来，作为保护层，使其免受划伤和杂质污染。第二个门极是控制门，这个门是可以被外部所接触到的。浮栅门常用在EPROM里（Electrically Programmable Read Only Memory）和EEPROM 里（Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory）。 图1：基本的浮栅门结构

导线连接器相关知识介绍

导线连接器相关知识介绍 现代汽车由于电控器件的不断增多，其连接导线的数量也不可避免地呈增大趋势，为保证导线连接的正确性和可靠性，导线连接器起到了非常重要的作用。 导线连接器是一个连有线束的插座，所有传感的接线端子都使用专用接口，控制电脑ECU 和外部所有部件的连接都是通过ECU上的连接器，而线束中信号的转接使用的也是线连接器。可以这样认为，在电控汽车中，控制电脑ECU是控制中枢，线束是控制系统的神经网络，那么，导线连接器则是电路线束的中继站。然而，连接器除具有安装方便，接线准确之外，在使用中也时常出现故障，而最为常见的故障则为接触不良从而导致“网络”信号传输的中断，直接影响着电控汽车良好性能的正常发挥。导线及连接器断路导线及连接器断路故障，可能是由于导线使用中折断，连接器接触不良，连接器端子松脱造成的。 由于导线在中间断开的故障是很罕见的，大都是在连接器处断开，因此，检查时应着重仔细检查传感器和连接顺处的导线，是否有松脱和接触不良。由接触不良而引起的连接器断路故障，常是由于连接器端于锈蚀，外界脏污进入端子或连接插座，从而造成接触压力降低。此时，只要把连接器拆下，再重新装插上，以改变它的连接状况，使其恢复正常接触即可。 导线及连接器短路故障 导线及连接器的故障也可能是由于线束与车身(地线)之间或在有关开关内部短路所造成的。检查前应首先看在车身的导线连接器固定是否牢靠，然后便可按下列步骤进行测试。 (1)检查电线通断 首先拆下控制电脑ECU和传感器两侧的导线连接器，再测量连接器相应端子间的电阻。如电阻值不大于1欧姆，则说明电线正常，以便进行下一步检查。在测量导线电阻时，最好在垂直和水平两个方向轻轻摇动导线以提高测量的准确性，同时注意，对大多数导线连接器、万用表表棒应从连接器的后端插入，但是对于装有防水套的防水型连接器表棒就不能从后端插入，因为在插入时稍不小心便会使端子变形。 (2)短路的电阻值检查 首先拆下控制电脑ECU和传感器两侧的导线连接器，再测量两侧连接器各端子与车身间的电阻值。测量时，表棒一端搭铁接车身，另一端要分别在两侧导线连接器上进行测量，如果电阻值大于1欧姆则说明该电线与车身无短路故障. 连接器外观及接触压力检查 首先应逐一拆下各导线连接器，检查连接器端子上有无锈触和脏污，对锈蚀和脏污应清理。然后检查端子片是否松动或损坏，端子固定是否牢靠，在轻轻拉动时端子应无松动现象。反之，如果在哪一个座孔中的插头端子拔出时比其它座孔容易，则该座孔可能在使用中会引起

存储器结构

第四章存储器结构 4．3 存储器容量扩展 微机系统中主存储器通常由若干存储芯片及相应的存储控制组织而成，并通过存储总线(数据总线、地址总线和控制总线)与CPU及其他部件相联系，以实现数据信息、控制信息的传输。由于存储器芯片的容量有限，实际应用中对存储器的字长和位长都会有扩展的要求。 一、存储器字扩展 *字扩展是沿存储字向扩展，而存储字的 位数不变。 *字扩展时，将多个芯片的所有地址输入 端、数据端、读／写控制线分别并联 在一起，而各自的片选信号线则单独 处理。 *4块内存芯片的空间分配为： 第一片，0000H-3FFFH 第二片，4000H-7FFFH 第三片，8000H-BFFFH 第四片，C000H-FFFFH 二、存储器位扩展 *存储器位扩展是沿存储字的位向扩展， 而存储器的字数与芯片的字数相同。 *位扩展时 将多个芯片的所有地址输入端都连接 在一起； 而数据端则是各自独立与数据总线连 接，每片表示一位 *片选信号线则同时选中多块芯片，这些 被选中的芯片组成了一个完整的存储 字。

三、存储器位字扩展 *存储器需要按位向和字向同时扩展，称存储器位字扩展 *对于容量为 M×N 位的存储器，若使用 L×K 位的存储芯片， 那么，这个存储器所需的芯片数量为：(M/L)×(N/K) 块。 P160图4-3-3表示了一个用2114芯片构成的4KB存储器。如下图： *2114芯片是1K×4R 芯片 *用2块2114芯片构成1组（1K×4×2=1K×8） *再有4组构成4K×8（1K×8×4）位的存储器 *共计需用8块2114芯片 这4个组的选择： *使用A0和A11作地址线：经译码后选择4个分组 *使用A0～A9作为组内的寻址信号 *数据总线为D0～D7 ◆存储器容量的扩展方法总结： 字扩展（将多个芯片的所有地址输入端、数据端、读/写控制线分别都连接在一起，选片信号单独处理） 位扩展（数据线独立处理，选片信号选中多块芯片） 字位扩展（分组，每组又有多个芯片），见（PAGE 161）

静态存储器的介绍

Slide1. SRAM的全称是static random access memory，它是一种最常用的memory,核心部分是两个cross-coulped inverter 组成的bi-stable latching circuit，通常称为flip-flop的电路。SRAM static的特性主要是它不需要像DRAM那样定期对存储的数据进行刷新，只要Vdd 不掉电，数据就可以稳定存储。SRAM最主要的应用就是缓存，缓存的作用是在CPU和内存之间进行数据缓冲。像智能手机这样的一些高端电子产品，SRAM是必不可少的。SRAM之所以可以做缓存是因为它有一个最为重要的优点：speed, SRAM的读写频率可以到几个Giga Hz，比DRAM至少快一个order。SRAM最大的劣势在于density 比较低，用的最多的SRAM是所谓的6T traditional SRAM, 1个bitcell有六个MOSFET组成，与SRAM对应的DRAM只需要一个MOSFET加一个capacitor。bitcell占用面积大导致desity低,density低造成cost 高，具体表现是同样容量的缓存会比内存条造价高很多。 Slide 2. 这是一个目前典型的memory 架构，CPU+3级缓存再加内存条，其中一级缓存经常用8T dual port SRAM,可以用两个port同时读写，速度最高，集成度也最低，三级缓存会用high-density design的SRAM，集成度最高，速度最低。从下面这幅实物图可以清楚看到multi-core 和三级缓存做在一起，stand alone的SRAM已经很少看到，一些低端的电子产品在介绍CPU性能参数的时候不会把缓存的信息单独列出来，但是对于像智能手机这样高端的电子产品，缓存的容量和工作频率绝对是一个重要的性能指标。下面这张图根据价格和读写速度对memory进行一个排列，硬盘速度最低，价格最便宜，内存条其次，缓存速度最高，造价也最高。接下来这张图是SRAM发展的roadmap,绿线对应左边的纵坐标，表示SRAM density的变化情况，每往前推进一个generation, desity翻倍，红点对应右边的纵坐标，表示SRAM 工作频率的变化情况，每推进一个generation, speed 提升15%. 最新的一些信息显示Intel基于22nm tri-gate finfet 工艺的SRAM, 工作频率最高可以达到4.6GHz。最后看一下我们公司SRAM的一个大概的情况，已经进入量产的基

存储系统概述

存储系统概述 第3章存储系统第3章存储系统3.1存储器概述3.2半导体读写存储器3.3半导体只读存储器和闪速存储器3.4主存储器与CPU的连接3.5并行存储器3.6高速缓冲存储器(Cache)3.7虚拟存储器3.8外存储器典型习题与解答 3.1存储器概述 3.1.1存储器分类 3.1.2存储系统的设计及分级结构 3.1.3主存储器的性能指标 3.1.1存储器分类存储器：计算机硬件系统中用于存放程序和数据等二进制信息的部件。 1、按存储介质分类 2、按存取方式分类 3、按在计算机中的功能分类 4、其他分类1、按存储介质分类(1)由半导体器件组成的半导体存储器； (2)由磁性材料做成的磁表面存储器，例如磁盘存储器和磁带存储器； (3)由光介质构成的光介质存储器，一般做成光盘。 2、按存取方式分类(1)随机存取存储器RAM(Random Access Memory) 存储单元都能按地址访问，而且存取时间与存储单元的物理位置无关的存储器，称为RAM。 例如半导体读写存储器

主要用途：主存、Cache、外设缓存。 (2)顺序存取存储器SAM(Sequential Access Memory) 信息按顺序写入或读出的存储器，称为SAM。以记录块为单位编址。例如：磁带存储器 特点：存储容量大，位价格低廉，存取速度慢。 主要用途：辅助存储器。 (3)直接存取存储器DAM(Direct Access Memory) 首先按存取信息的区域随机访问，然后在指定区域用顺序方式存取的存储器，称为DAM。例如：磁盘存储器 特点：容量较大，速度和位价格介于SAM和RAM之间 主要用途：辅助存储器。 3、按在计算机中的功能分类(1)主存储器(主存) 用于存放计算机运行期间的大量程序和数据的存储器，CPU能直接访问。 由动态MOS存储器构成 (2)高速缓冲存储器Cache Cache：介于CPU和主存之间的高速小容量存储器，用于存放最活跃的程序块和数据。特点：速度快，但容量小。(3)辅助存储器(外存储器)存放当前暂不参与运行的程序和数据，需要时再与主存成批交换 信息的存储器。 组成：磁表面存储器，光盘存储器。 特点：容量大，可存放大量的程序和数据，但速度慢。 外存的信息需要调入主存后才能被CPU使用。(4)控制存储器CM

单片机存储器类型介绍

单片机存储器类型详解 分为两大类RAM和ROM，每一类下面又有很多子类： RAM：SRAM SSRAM DRAM SDRAM ROM：MASK ROM OTP ROM PROM EPROM EEPROM FLASH Memory RAM：Random Access Memory随机访问存储器 存储单元的内容可按需随意取出或存入，这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。它的特点就是是易挥发性（volatile），即掉电失忆。我们常说的电脑内存就是RAM的。 ROM：Read Only Memory只读存储器 ROM 通常指固化存储器(一次写入，反复读取)，它的特点与RAM相反。 RAM和ROM的分析对比： 1、我们通常可以这样认为，RAM是单片机的数据存储器，这里的数据包括内部数据存储器（用户RAM区，可位寻址区和工作组寄存器）和特殊功能寄存器SFR，或是电脑的内存和缓存，它们掉电后数据就消失了（非易失性存储器除外，比如某些数字电位器就是非易失性的）。 ROM是单片机的程序存储器，有些单片机可能还包括数据存储器，这里的数据指的是要保存下来的数据，即单片机掉电后仍然存在的数据，比如采集到的最终信号数据等。而RAM 这个数据存储器只是在单片机运行时，起一个暂存数据的作用，比如对采集的数据做一些处理运算，这样就产生中间量，然后通过RAM暂时存取中间量，最终的结果要放到ROM的数据存储器中。如下图所示：

2、ROM在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速的随时修改或重新写入数据。它的优点是电路结构简单，而且在断电以后数据不会丢失。缺点是只适用于存储那些固定数据的场合。 RAM与ROM的根本区别是RAM在正常工作状态下就可以随时向存储器里写入数据或从中读取数据。 SRAM：Static RAM静态随机访问存储器 它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。 优点:速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。 缺点:集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。 DRAM：Dynamic RAM动态随机访问存储器 DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 既然内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，那么它是怎么工作的呢？ 我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的“动态”，

手机连接器介绍

手机连接器介绍 一、概述 手机连接器是手机中一种重要的电子元器件，它们的好坏直接关系到手机的质量和其使用的可靠性。 在各类电子系统中，连接器泛指各种电子组件间的连接单元,主要作为芯片对电路板,电路板之间和电路板对箱体之间进行电气连接和信号传递，是构成一个完整系统所必须的基础元件。 二、连接器的分类 1.I/O类（IN /OUT）：I/O插座、MINI-USB插座、DC插座、耳机插座等 2. SIM卡类：SIM插座 3. BATTERY类：电池连接器 4. BTB类（包括FPC和BTB）：FPC连接器、板对板连接器 5. M/C类（MEMORY CARD)：T-Flash卡插座 6 . RF类：RF连接器 三、连接器主要性能 1.机械部分 ?就连接功能而言，插拔力是重要地机械性能。插拔力分为插入力和拔出力（拔出力亦称分离力），两者的要求是不同的。在有关标准中有最大插入力和最小分离力规定，这表明，从使用角度来看，插入力要小（从而有低插入力LIF和无插入力ZIF的结构），而分离力若太小，则会影响接触的可靠性。另一个重要的机械性能是连接器的机械寿命。机械寿命实际上是一种耐久性（durability）指标，在国家标准GB5095中把它叫作机械操作。它是以一次插入和一次拔出为一个循环，以在规定的插拔循环后连接器能否正常完成其连接功能（如接触电阻值）作为评判依据。连接器的插拔力和机械寿命与接触件结构（正压力大小）接触部位镀层质量（滑动摩擦系数）以及接触件排列尺寸精度（对准度）有关。 2、电气性能 连接器的主要电气性能包括接触电阻、绝缘电阻和抗电强度。 接触电阻：高质量的电连接器应当具有低而稳定的接触电阻。连接器的接触电阻从几毫欧到数十毫欧不等。 绝缘电阻：衡量电连接器接触件之间和接触件与外壳之间绝缘性能的指针，其数量级为数百兆欧至数千兆欧不等。 抗电强度：或称耐电压、介质耐压，是表征连接器接触件之间或接触件与外壳之间耐受额定试验电压的能力。 其它电气性能：电磁干扰泄漏衰减是评价连接器的电磁干扰屏蔽效果，一般在100MHz~10GHz频率范围内测试。 对射频同轴连接器而言，还有特性阻抗、插入损耗、反射系数、电压驻波比（VSWR）等电气指标。由于数字技术的发展，为了连接和传输高速数字脉冲信号，出现了一类新型的连接器即高速信号连接器，相应地，在电气性能方面，除特性阻抗外，还出现了一些新的电气指

@手机存储器介绍

这里要专门说明一下存储器，因为很多手机毛病都和存储有关，而且很多问题都和存储相关，计算机的存储是关键，而手机更始关键，因为计算机有硬盘作为存储，而手机所有的都在存储器里 存储器分为几类，RAM 随即存储器，ROM随即只读存储器还有现在出现一些的闪存，以及电子可编程存储和非易失存储起。一个一个到来 RAM 随机存储器，其中又有SRAM（静态RAM）DRAM（动态RAM）， SRAM，只要只要电源开着，就会保存，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM 中的，不会立刻写入通话记录。只有正常关机，才会写入，如果取电池的话，是不会写入手机的通话记录的，如果在通话记录中出现了已经拨打电话，但是没有记录的情况，那么有可能和这个存储器有关， 可能是你的软件上错误，也可能是硬件。 DRAM在手机上用的不多，因为保留数据时间很短， 从价格上看，SRAM是非常昂贵的，而DRAM相比很便宜。 ROM也有几种，PROM可编程ROM 和EPROM可擦除可编程ROM两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，这个就完蛋了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而E PROM 则是通用的存储器，这些存储器不符和手机软件产品，一般使用ROM少 其他FLASH 这是近来手机采用最多的存储器，这种存储起结合了ROM和RAM的长处，但是不属于RAM 也不属于ROM 手机大量采用的NVRAM 非易失存储器和SRAM属性差不多，EEPROM 电子可擦出可编程存储器，闪存，ROM的后代。手机软件一般放在EEPROM中，EPROM是通过紫外光的照射，擦出原先的程序，而EEPROM是通过电子擦出，当然价格也是很高的，而且写入时间很长，写入很慢，所以前面提到的电话号码，一般先放在S RAM中，不是马上写入EEPROM，因为当时有很重要工作要做——通话，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。 NVRAM 是一个很特别的存储器，它和SRAM相类似，但是价格却高很多，由于一些数据实在重要，断电后必须保持这些数据，所以只能存放在这里，一般和个人信息有关的数据会放在这里，比如和S IM卡相关数据。容量大小也只有几百字节。 闪寸存储器是所有手机的首选，综合了前面的所有优点，不会断电丢失数据（NVRAM）快速读取，电气可擦出可编程（EEPROM）所以现在手机大量采用， 说了这么多存储器，可能比较糊涂了，这么多存储器，究竟采用哪中呢，在手机发展中，各种存储器都用过，至于现在，各种手机采用的存储器是不同的，这个和成本相关，各种存储器价格不一样，本着性价比最优组合，由设计者决定，有些是可选的，有些是必须的，是手机方案决定的，我们了解只是各种存储性能，特点，在测试中判断错误原因。

【产品知识】S7 300 各类存储器及CPU的简单介绍

【产品知识】S7 300 各类存储器及CPU的简单介绍 1.S7300存储区概述 S7-300PLC的存储区可以划分为四个区域：装载存储器(Load Memory)、工作存储器(Work Memory)、系统存储器（System Memory）和保持存储区（Non-Volatile memory) 1、系统存储器： 系统存储器用于存放输入输出过程映像区（PII,PIQ）、位存储器(M)、定时器(T)和计数器(C))、块堆栈和中断堆栈以及临时存储器(本地数据堆栈)。 2、工作存储器： 工作存储器仅包含运行时使用的程序和数据。RAM 工作存储器集成在CPU中，RAM中的内容通过电源模块供电或后备电池保持。除了S7 417-4 CPU可以通过插入专用的存储卡来扩展工作存储器外，其他PLC的工作存储器都无法扩展。 3、装载存储器： 装载存储器是用于存放不包含符号地址分配或注释(这些保留在编程设备的存储器中)的用户程序。装载存储器可以是存储器卡、内部集成的RAM或内部集成的EPROM. 4、保持存储器： 保持存储器是非易失性的RAM，通过组态可以在PLC掉电后即使没有安装后备电池的情况下，保存一部分位存储器（M）、定时器(T)、计数器（C）和数据块(DB)。在设置CPU参数时一定要指定要保持的

区域。（注意：由于S7-400 PLC没有非易失性RAM，即使组态了保持区域，再掉电时若没有后备电池，也将丢失所有数据。这是S7-300PLC与S7-400PLC的重要区别） 1)当在step7中执行下装（download）时，会把编程设备中的用户程序下装到CPU的装载存储区，同时会把运行时使用的程序和数据写入工作存储区(如OB1和数据块)。 2)若CPU没有后备电池，当系统断电时，在工作存储器中定义了保持特性的数据块会把数据写入保持存储器中，上电后保持存储器会把断电时的数据写入到工作存储区，保证了运行数据断电不丢失。 3)若CPU没有后备电池，当系统断电时，系统存储区中定义n的保持位存储器(M)、定时器(T)和计数器(C))断电时也会写入保持存储器，恢复上电时断电时的数据重新写入，保证了运行数据断电不丢失。2、S7-300CPU的分类 按照CPU的装载存储器来分类：新型S7-300CPU、标准型S7-300CPU、带内置EPROM的S7300CPU，具体描述如下： 2.1 新型S7-300CPU 新型S7-300CPU是指使用MMC卡作为其装载存储器的CPU,此类CPU不用安装后备电池,免维护。由于新型S7300-CPU它不含内置的装载存储器，因此必须使用MMC卡。新型的S7-300 CPU包括紧凑型(即CPU31xC系列)和由标准型更新的新型CPU。任何程序的下载方式都直接保存到卡中，没有MMC卡，是无法把程序下载到CPU中的。 北京天拓四方科技有限公司

半导体存储器分类介绍

半导体存储器分类介绍 § 1. 1 微纳电子技术的发展与现状 §1.1.1 微电子技术的发展与现状 上个世纪50年代晶体管的发明正式揭开了电子时代的序幕。此后为了提高电子元器件的性能，降低成本，微电子器件的特征尺寸不断缩小，加工精度不断提高。1962年，由金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）组装成的集成电路（IC）成为微电子技术发展的核心。 自从集成电路被发明以来[1,2]，集成电路芯片的发展规律基本上遵循了Intel 公司创始人之一的Gordon Moore在1965年预言的摩尔定律[3]：半导体芯片的集成度以每18个月翻一番的速度增长。按照这一规律集成电路从最初的小规模、中规模到发展到后来的大规模、超大规模（VLSI），再到现在的甚大规模集成电路（ULSI）的发展阶段。 随着集成电路制造业的快速发展，新的工艺技术不断涌现，例如超微细线条光刻技术与多层布线技术等等，这些新的技术被迅速推广和应用，使器件的特征尺寸不断的减小。其特征尺寸从最初的0.5微米、0.35 微米、0.25 微米、0.18 微米、0.15 微米、0.13 微米、90 纳米、65 纳米一直缩短到目前最新的32纳米，甚至是亚30纳米。器件特征尺寸的急剧缩小极大地提升了集成度，同时又使运算速度和可靠性大大提高，价格大幅下降。随着微电子技术的高速发展，人们还沉浸在胜利的喜悦之中的时候，新的挑战已经悄然到来。微电子器件等比例缩小的趋势还能维持多久？摩尔定律还能支配集成电路制造业多久？进入亚微米领域后，器件性能又会有哪些变化？这一系列的问题使人们不得不去认真思考。20世纪末

期，一门新兴的学科应运而生并很快得到应用，这就是纳电子技术。 §1.1.2 纳电子技术的应用与前景 2010年底，一篇报道英特尔和美光联合研发成果的文章《近距离接触25nm NAND闪存制造技术》[4]，让人们清楚意识到经过近十年全球范围内的纳米科技热潮，纳电子技术已逐渐走向成熟。电子信息技术正从微电子向纳电子领域转变，纳电子技术必将取代微电子技术主导21世纪集成电路的发展。 目前，半导体集成电路的特征尺寸已进入纳米尺度范围，采用32纳米制造工艺的芯片早已问世，25纳米制造技术已正式发布，我们有理由相信相信亚20纳米时代马上就会到来。随着器件特征尺寸的减小，器件会出现哪些全新的物理效应呢？ （1）量子限制效应。当器件在某一维或多维方向上的尺寸与电子的徳布罗意波长相比拟时，电子在这些维度上的运动将受限，导致电子能级发生分裂，电子能量量子化，出现短沟道效应、窄沟道效应以及表面迁移率降低等量子特性。 （2）量子隧穿效应。当势垒厚度与电子的徳布罗意波长想当时，电子便可以一定的几率穿透势垒到达另一侧。这种全新的现象已经被广泛应用于集成电路中，用于提供低阻接触。 （3）库仑阻塞效应。单电子隧穿进入电中性的库仑岛后，该库仑岛的静电势能增大e2/2C，如果这个能量远远大于该温度下电子的热动能K B T，就会出现所谓的库仑阻塞现象，即一个电子隧穿进入库仑岛后就会对下一个电子产生很强的排斥作用，阻挡其进入。 以上这些新的量子效应的出现使得器件设计时所要考虑的因素大大增加。目

连接器品牌厂家排名和介绍

Tyco------------1998年收购AMP成为连接器行业老大，产品的产业分布较广，在汽车、电脑及周边、工业方面比较强；交期／质量不能一概而论。 2. Molex----------做端子，胶壳起家的，故现在在中国大陆卖得最多的还是端子胶壳，是消费类电子连接器的世界老大，但对于大部分5XXXX （日本产）、9XXXX（欧洲产），7XXXX（美洲产），4XXXX （美洲产）这些系列的物料，交期非常恐怖。质量当然也比较可以。 3. Amphenol-----通过收购合并等变成连接器世界老三，在军工，航天／航空，通信方面非常有名，2005年更收购了泰瑞达，增加了其在高速通信连接器市场的竞争力。但他没有像TYCO，MOLEX 的统一和网站，不同产品，不同分公司，有不同的网站，共有几十个网站都是属于AMPHENOL的。在产品检索上非常头痛，而价格也比较乱。不过，因为不同分公司一定程度上是竞争对手。 4. FCI--------------连接器老四，又叫法马通，去年被美国财团收购，在通信连接器及汽车连接器方面比较强。 5. Samtac---------最有名的是板对板产品（排针，排母等）。 6. JAE--------------日本航空电子，主要做电脑周边，汽车连接器及通信连接器等，但在大陆，主要是FPC等精密连接器比较有名。 . JST-------------日本压着端子，主要是做线到板的端子，胶壳及WAFER 等，国内已经有很多仿品。现在亦有开发一些新产品。 8. 3M---------------美国公司，在光纤HOT MELT方面，有很强的专利技术，另外MBR连接器等也不错。

将手机microUSB口转换为USBtypeC连接器的低成本方案

?将手机microUSB口转换为USBtypeC连接器的低成本方案 ?我们知道USB IF提出的type C连接器的终极目标是统一各种USB 接口。 尽管USB 3.0在PC市场上发展的风生水起，但是由于USB 3.0对手机4G LTE的EMI和RFI干扰，导致市场上除了三星手机具有USB 3.0接口外，其他厂商都因为无法解决USB 3.0对手机RF的EMI和RFI 干扰而对之束之高阁。 倘若要实现type C接口的完整功能，需要Cable Detect IC的协助，而CD功能一般是集成到USB PD芯片中，由于目前USB PD芯片市场上种类比较少并且价格昂贵，考虑到成本因素，一般手机厂商不会采用该方案，如果因为CD IC的原因而取消使用USB type C连接器，那么我们的手机就少了一个USB线缆正反插的卖点，故本人给出一个在现有手机的条件下将micro USB 2.0口转换为type C接口的低成本方案，如图一所示。

图一 我们知道type C具有正反插的优势，并且分成A面和B面，识别原理是通过母口的A面的A5(CC1)和B面的B5(CC2)引脚检测公插头的CC哪个接入下拉Rd电阻来决定正反面，并且A和B面都有D+和D-脚；而公插头线缆只有A面有D+和D-线。 针对母口做法如下： 1) 把母口的A面和B面的D+(A6, B6)，D-(A7, B7)分别连接起来，并且连接到USB OTG芯片D+和D-上； 2) 把母口A4, A9, B4, B9四根VBUS线连到一起，并连接到USB OTG芯片的VBUS上； 3) 把母口的A1, A12, B1, B12四根GND线连到一起，并连接到USB OTG芯片的GND上；

F28335存储器功能概述

F28335存储器功能概述 班级： 姓名： 学号：

F28335芯片整体功能框图 存储器映射 1、F28335使用32位数据地址线和22位程序地址线。 2、32位数据地址线可访问4GB的数据空间， 16位/32位 3、22位程序地址线可访问4MB的程序空间。 16位/32位。 4、存储器模块采用统一编址方式映射到程序空间和数据空间。F28335的存储器分为以下几部分： 1. 单周期访问RAM（SARAM） 2. Flash存储器 3. OTP存储器 4. Boot ROM（装载了引导程序） 5. 安全模块 6. 外设存储器（片内的外设） 7. 片外存储器 一、单周期访问RAM(SARAM) 共分10部分： （1）M0和M1，可映射到数据空间或程序空间

（2）L0~L3、 L4~L7，可映射到数据空间或程序空间 二、flash存储器 闪存的英文名称是"Flash Memory"，一般简称为"Flash"，它属于内存器件的一种，是一种不挥发性（ Non-Volatile ）内存。闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异：目前各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存；闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。F28335的Flash存储器一般可以把程序烧写到Flash中，以避免带着仿真器试调。F28335器件包含256K*16位的嵌入式闪存存储器，被分别放置在8个32k*16位扇区内。 三、OTP存储器 OTPROM(One Time Programmable Read-Only Memory)，可以进行片内编程操作，而且可以增强加密功能。然而OTP ROM MCU的OTPROM 存在一个缺点：不可擦除，也就是说只能编程一次，不能实现重复编程，不利于大量普及使用。当程序从仿真器移植到单片机的OTPROM 时，并不能保证程序的一次成功性，由于单片机的不可擦除性，若程序脱机一次就使用一片单片机，显然将造成巨大的资源浪费。另一方面，对于复杂系统，16 KB的OTPROM容量如果不够，则需要采用扩展外部存储器，为了保证有效实现加密功能，应保留一部分程序在