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电子技术试卷(A)及参考答案

电子技术试卷(A)及参考答案
电子技术试卷(A)及参考答案

广东工业大学华立学院考试试卷( A )

课程名称: 电工电子技术(2) 考试时间: 2014年 7 月 3 日

一、填空(每空1分,共30分)

1.要使半导体二极管可靠导通,加在二极管两端的正向电压必须大于二极管的死区电压。硅二极管的死区电压约为( )V ;锗二极管的死区电压约为( )V 。

2.晶体管有放大、饱和和截至三种工作状态。工作于放大状态的条件是发射结( )向偏置,集电结( )向偏置;工作于饱和状态的条件是发射结( )向偏置,集电结( )向偏置;工作于截止状态的条件是发射结( )向偏置,集电结( )向偏置。

3.固定偏置共发射极交流放大电路的电压放大倍数A u =( ),输入电阻r i ≈( ),输出电阻r o ≈( )。

4.理想运算放大器的理想化条件是A uo →( ),r id →( ),r od →( ),K CMRR

→( )。

5.运算放大器工作于线性区时,两个输入端的输入电流i +=i -≈( ),u +≈( )。 6.负反馈放大电路有( )负反馈、( )负反馈、( )负反馈和( )负反馈四种类型。

7.正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是:(1)相位条件,即必须是( )反馈;(2)幅值条件,即 F A u ( )。采用( )为选频电路的称为RC 正弦波振荡电路;采用( )为选频电路的称为LC 正弦波振荡电路。

8.与非门的逻辑功能是有0出( ),全1出( )。

9.触发器有单稳态、双稳态和无稳态之分。时钟脉冲发生器是( )触发器;JK 触发器是( )触发器;D 触发器是( )。

二、单项选择题(每题只有一个正确答案,错选或多选不给分。每题1分,共20分)

1.在图2.1所示电路中,设二极管是理想器件,U O=()。

A.9V;B.-9V;C.12V。

2.在图2.2所示电路中,二极管D1、D2、D3的工作状态为()。

A.D1、D2截止,D3导通;B.D1导通,D2、D3截止;C.D1、D2、D3均导通。

3.在图2.3所示电路中,稳压管D Z1和D Z2的稳定电压分别为5V和7V,正向压降忽略不计,则U O=()。

A.0V;B.7V;C.5V。

4.测得某放大电路中的某个晶体管三个极的电位分别为9V,2.5V,3.1V,则这三个极分别为()。

A.C,B,E;B.C,E,B;C.E,C,B。

5.对某电路中一个NPN晶体管进行测试,测得U BE>0,U BC>0,U CE>0,则该管工作在()。

A.放大区;B.饱和区;C.截止区。

6.晶体管的控制方式为()。

A.输入电流控制输出电压;B.输入电流控制输出电流;C.输入电压控制输出电压。

7.PNP型晶体管处于放大状态的条件是各级电位()。

A.V C>V B>V E;B.V C>V B<V E;C.V C<V B<V E。

8.若将分压式偏置放大电路中的发射极旁路电容去掉,则其交流电压放大倍数()。

A.增大;B.减小;C.不变。

9.采用差动放大电路的目的是为了()。

A.电压放大;B.抑制零点漂移;C.增强带负载能力。

10.OCL功率放大电路的低频响应()。

A.比OTL功率放大电路好;B.比OTL功率放大电路差;C.与OTL功率放大电路一样好。

11.同相比例运算电路的闭环电压增益只能()。

A.小于或等于1;B.大于或等于1;C.等于1。

12.同相比例运算电路属于()负反馈。

A.串联电流;B.串联电压;C.并联电流。

13.单相半波整流电路输出电压平均值是整流变压器二次交流电压有效值的()倍。

A.2;B.0.45;C.0.9。

14.单相桥式整流电路二级管的最高反向电压是整流变压器二次交流电压有效值的()倍。

A.2;B.3;C.0.9。

15.二进制数()2可转换为十进制数()。

A.(42)10;B.(84)10;C.(52)10。

共 4 页,第 A3 页

16.与C B A ++相等的是( )。

A .C

B A ??;

B .

C B A ??;

C .C B A ++。

17.要使基本RS 触发器的状态值0,可在( )端加一负脉冲。

A .CP ;

B .D R ;

C .

D S 。 18.主从JK 触发器具有在时钟脉冲的( )触发的特点。

A .上升沿;

B .下降沿;

C .高电平。

19.维持阻塞型D 触发器的D 输入端与( )端接在一起,具有计数功能。

A .D R ;

B .Q ;

C .Q 。 20.在十进制计数器中,当输入第10个计数脉冲时,计数器的状态为( )。

A .0000;

B .1001;

C .1010。

三、判断题(正确者在题末尾处写“Y ”,错误者在题末尾处写“N ”。每题1分,共20分)

1.半导体二极管加正向电压时一定导通。( )

2.稳压二极的动态电阻越小,稳压性能越好。( ) 3.晶体管集电极电流超过I CM ,晶体管必定损坏。( )

4.运算放大器无论工作在线性区还是非线性区,都有-+≈u u 和0≈d i 的结论。( ) 5.用运算放大器组成模拟运算电路,运算放大器必须工作于线性区。( ) 6.直接耦合放大电路既可放大交流信号,也可放大直流信号。( ) 7.放大器的输出电阻越小,负载能力越强。( ) 8.射极输出器具有输入电阻大输出电阻小的特点。( )

9.反相比例运算电路闭环电压增益的绝对值既可大于1也可小于1。( ) 10.串联负反馈增大输入电阻,并联负反馈减小输入电阻。( ) 11.差分放大电路对共模信号和差模信号具有相同的放大作用。( ) 12.OCL 功率放大电路需要采用正、负电源供电。( ) 13.负反馈放大电路只能减小失真而不能消除失真。( )

14.在单相半波整流电路中,无论带电容滤波或不带电容滤波,二极管承受的最大反向电压均为整流变压器二次侧电压有效值的2倍。( )

15.在决定事物结果的条件中,只有全部条件具备结果才发生的逻辑关系,称为或逻辑。( )

16.时序逻辑电路的输出状态不仅与当前的输入状态有关,而且与原来的输出状态有关。( )

17.把与非门当非门使用时,应将多余的输入端悬空或接高电平,或把所有的输入端接在一起,作为非门的输入端。( )

18.T 触发器当T =1时具有计数功能。( )

19.计数器也可以由单稳态触发器或无稳态触发器组成。( ) 20.同步计数器的计数速度比异步计数器快。( )

四、解析题(3小题,共30分)

1.晶体管交流放大的实验电路如图4.1所示。已知R B2=20kΩ,R C=2.4kΩ,R F =100Ω,R E=1.0kΩ,R L=2.4kΩ,U CC=12V,晶体管的β=50。实验静态调试时,通过调节R B1,使发射极静态点位V E=2.2V。(12分)

(1)求静态发射极静态电流I E和晶体管的输入电阻r be;

(2)画出放大电路的微变等效电路;

(3)导出求电压放大倍数A u的计算式,并计算电压放大倍数A u;

图 4.1

2.模拟运算电路如图4.2所示。(6分)

(1)求u O1的表达式;

(2)求u O2的表达式;

(3)求u O的表达式。

图 4.2

3.某汽车驾驶员进行结业考试,有三名评判员,其中A为主评判员,B和C为副评判员。按少数服从多数的原则通过,但主评判员认为合格,也可通过。试用与非门实现此评判规定。(12分)(1)列出状态表;

(2)写出逻辑式,化简逻辑式,并变换为与非逻辑式;

(3)画出逻辑图。

广东工业大学华立学院试卷参考答案及评分标准(A)课程名称: 电工电子技术(2)

考试时间: 2014 年 7 月 3 日 (第 20 周星期四 )

共 4 页,第A5 页

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100V ,u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ;共模输入电压u Ic = 90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的2 = 50,则复合后的约为( A )。 A .1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

电工电子技术试题及答案..

电工电子技术试题 一、填空题(共133题,每空一分) 1、电力系统中一般以大地为参考点,参考点的电位为 0伏 2、欧姆定律一般可分为部分电路的欧姆定律和全电路欧姆定律。 3、部分电路的欧姆定律是用来说明电路中电压、电流和电阻三个物理量之间关系的定律。 4、全电路欧姆定律,说明了回路中电流Ⅰ与电源电动势的代数和成比,而与回路中的 及之和成反比。 5、导体电阻的单位是欧姆,简称欧,用符号表示,而电阻率则用符号表示。 6、已知电源电动势为E,电源的内阻压降为U0,则电源的端电压U= E-U O。 7、有一照明线路,电源端电压为220伏,负载电流为10安,线路的总阻抗为0.2欧姆,那么负载端电 压为 218 伏。 8、串联电路中的处处相等,总电压等于各电阻上之和。 9、一只220伏15瓦的灯泡与一只220伏100瓦的灯泡串联后,接到220伏电源上,则 15 瓦灯 泡较亮,而 100 瓦灯泡较暗。 10、1度电就是1千瓦的功率做功1小时所消耗的电量,所以它的单位又叫千瓦时。 11、频率是单位时间内交流电重复变化的次数。 12、某正弦交流电流,频率为50赫,最大值为20安,初相位为-40°,此正弦交流电的瞬时值表达式 为 u=20sin(314t- 40°) ,相量式为。 13、如果用交流电压表测量某交流电压,其读数为380伏,此交流电压的最大值为 537 伏。 14、把一个100欧的电阻元件接到频率为50赫、电压为10伏的正弦交流电源上,其电流为 0.1A 安。 15、有一电感L为0.08亨的纯电感线圈,通过频率为50赫的交流电流,其感抗X L= 25.12 欧。如 通过电流的频率为10000赫,其感抗X L= 5024 欧。 16、一个10微法的电容接在50赫的交流电源上,其容抗X C= 318 欧,如接在2000赫的交流电源上, 它的容抗X C= 7.95 欧。 17、某正弦交流电流为i=100sin(6280t- π/4)毫安,它的频率f= 1000Hz ,周期T= 0.001 秒, 角频率ω= 6280 ,最大值Im= 100mA ,有效值I= 100/1.414 mA ,初相位φ=π/4 。 18、已知两交流电流分别为i1=15sin(314t+45°)安,i2=10sin(314t-30°)安,它们的相位差为75 °。 19、在纯电感交流电路中,电感元件两端的电压相位超前电流 90 度。 20、在纯电容交流电路中,电容元件两端的电压相位滞后电流 90 度。 21、在纯电阻交流电路中,电阻元件通过的电流与它两端的电压相位同相。 22、交流电路中的有功功率用符号 P 表示,其单位是 W 。 23、交流电路中的无功功率用符号 Q 表示,其单位是 VAR 。 24、交流电路中的视在功率用符号 S 表示,其单位是 VA 。 25、三相正弦交流电的相序,就是三相交流电到达最大值的顺序。 26、如三相对称负载采用星形接法时,则负载的相电压等于电源的相电压,线电流等于相电流的 1 倍。 27、如三相对称负载采用三角形接法时,则负载的相电压等于电源的线电压, 倍。 28、在三相对称电路中,已知线电压U、线电流I及功率因数角φ,则有功功率P=UICOSφ,无功功率 Q=UISINφ,视在功率S=UI 29伏。 30、当三相发电机的三相绕组联成星形时,其线电压为380伏,它的相电压为 220 伏。 31、有一台三相异步电动机,额定电压为380伏,三角形联接,若测出线电流为30安,那么通过每相绕

电子技术基础试卷及答案

《电子技术基础》第一章半导体二极管试卷 一、单项选择题 1.测量二极管(小功率)的管脚极性时,万用表的电阻档应选( )。(2 分) A.R×1 B.R×10 C.R×100或R×1k D.R×10k 2.测量二极管反向电阻时,若用两手将两管脚捏紧,其电阻值会( )。(2 分) A.变大 B.先变大后变小 C.变小 D.不变 3.二极管正反向电阻相差( )。(2 分) A.越小越好 B.越大越好 C.无差别最好 D.无要求 4.用万用表R×100Ω挡来测试二极管,其中( )说明管子是好的。(2 分) A.正、反向电阻都为零 B.正、反向电阻都为无穷大 C.正向电阻为几百欧,反向电阻为几百千欧 D.反向电阻为几百欧,正向电阻为几百欧 5.变容二极管工作时,应加( )。(2 分) A.反向电压 B.正向电压 C.正向电压或反向电压 6.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管( )。(2 分) A.基本正常 B.击穿 C.烧坏 D.电流为零 7.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V,判断二极管应是( )。(2 分) A.正偏 B.反偏 C.零偏

8.2AP9表示( )。(2 分) A.N型材料整流管 B.N型材料稳压管 C.N型材料普通管 D.N型材料开关管 9.变容二极管常用在( )电路中。(2 分) A.高频 B.低频 C.直流 10.用于整流的二极管型号是( )。(2 分) A.2AP9 B.2CW14C C.2CZ52B D.2CK84A 二、判断题 11.( )发光二极管可以接收可见光线。(2 分) 12.( ) 二极管加反向电压时一定截止。(2 分) 13.( )当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。(2 分) 14.( )PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。(2 分) 15.( )有两个电极的元件都叫二极管。(2 分) 16.( )二极管具有单向导电性。(2 分) 17.( )光电二极管可以将光信号转化成为电信号。(2 分) 18.( )PN结是一种特殊的物质,一般情况下不能导电。(2 分) 19.( )二极管是线性元件。(2 分) 20.( )二极管加正向电压时一定导通。(2 分) 三、填空题 21. 硅二极管的死区电压为V,锗二极管的为V;导通管压降,硅管为V,锗管为V。(4 分) 22.PN结正偏时,P区接电源的极,N区接电源的极;PN结反偏时,P区接电 源的极,N区接电源的极。(4 分)

电子技术试卷(B)及参考答案

电子技术试卷(B)及参考答案 课程名称:电工电子技术(2)考试时间: 年月日 一、填空(每空1分,共30分) 1.在纯净半导体掺入微量杂质,称为杂质半导体。杂质半导体可分为()型半导体和()型半导体两大类。 2.半导体二极管加()向电压时导通,加()向电压时截止。硅二极管的正向导通电压为()~()V;锗二极管的正向导通电压为()~()V。 3.在图1.1中,放大电路如图(a)所示,晶体管的输出特性及交、直流负载线如图(b)所示,图中Q为静态工作点。则电源电压U CC=()V,静态I B=()μA,静态I C=()mA,静态U CE=()V,晶体管β=(),电阻R B≈()kΩ,R C=()kΩ,最大不失真输出电压U om≈()V。

图1.1 4.理想运算放大器的理想化条件是开环电压增益A uo→(),输入电阻r id→(),输出电阻r od→(),共模抑制比K CMRR →()。 5.负反馈放大电路有()负反馈、()负反馈、()负反馈和()负反馈四种类型。 6.振荡电路产生自激振荡的条件是:(1)相位条件,即必须是( )反馈;(2)幅值条件,即F A u()。采用电阻和电容组成选频电路的称为()正弦波振荡电路;采用电感和电容组成选频电路的称为()正弦波振荡电路。 7.或非门的逻辑功能是有1出(),全0出()。 二、单项选择题(每题只有一个正确答案,错选或多选不给分。每题1分,共20分) 1.在图2.1所示电路中,忽略二极管的正向压降,则U O=()。A.1V;

B.4V; C.10V; 2.在图2.2电路中,二极管D1、D2、D3的工作状态为()。A.D1、D2截止,D3导通; B.D1导通,D2、D3截止; C. D1、D2、D3均导通;3.在图2.3电路中,稳压管D Z1和D Z2的稳定电压分别为5V和7V,则U O=()。 A.0V; B.5V; C.7V。4.NPN型晶体管处于放大状态的条件是各级电位()。A.V C<V B<V E;B.V C>V B>V E;C.V C>V B<V E。 5.测得某放大电路某晶体管三个极的电为分别为-9V,-6.2V,-6V,则-6V的那个极为()极。A.集电极;B.基极;C.发射极;6.对某电路中一个NPN晶体管进行测试,测得U BE>0,U BC<0,U CE>0,则该管工作在()。A.放大区;B.饱和区;C.截止区。7.若减小共发射极交流放大

电力电子技术期末考试试题及答案修订稿

电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力

电子技术基础与技能试题及答案

电子技术基础与技能试题 使用教材:电子技术基础与技能试题围:全册 :高等教育版次:第2版 学校名称:礼县职业中等专业学校 一、填空题 1、二极管最主要的电特性是,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个。 2、三极管的三个工作区域是,,。集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大器。 3、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为dB,总的电压放大倍数为。 4、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为,为了消除交越失真常采用电路。 5、理想集成运算放大器的理想化条件是Aud= 、R id= 、K CMR= 、R O = 6、三端集成稳压器CW7805输出电压V,CW7915输出电压V。 7、74LS系列的TTL与非门电路常使用的电源电压为V,一般要求其输出高电平电压大于等于V,输出低电平电压小于等于V,CMOS集成门电路的电源电压在V 围均可正常工作,建议使用V电源供电。 8、晶体三极管截止时相当于开关,而饱和时相当于开关。 9、异或门的逻辑功能是:当两个输入端一个为0,另一个为1时,输出为_____;而两个输入端均为0或均为1时,输出为_____。 10、已知某触发器的真值表如下(A、B为触发器的输入信号)所示,其输出信号的逻辑表达式为。

真值表 A B Q n+1说明 0 0 Q n保持 0 1 0 置0 1 0 1 置1 1 1 Q n翻转 二、单选题 1、下列使用指针式万用表判断二极管极性的正确步骤是()。 a.用万用表红黑表笔任意测量二极管两引脚间的电阻值。 b.将万用表的电阻挡旋钮置于R×100或R×1k挡,调零。 c.以阻值较小的一次测量为准,黑表笔所接的二极管一端为正极,红表笔所接的二极管一端为负极。 d.交换万用表表笔再测一次。如果二极管是好的,两次测量的结果必定一大一小。 A.abcd B. badc C. cdab D. bcda 2、对于桥式整流电路,正确的接法是()。 3、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示,当VCE=6V,其电流放大系数β为()

电力电子技术试卷3份答案

《电力电子技术》试卷1答案 一、填空(每空1分,36分) 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称: 电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。 4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方波。 5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。 6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120o导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。 7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。 8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。 9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。(写出四种即可) 10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+、Ⅲ-四种。 二、判断题,(每题1分,10分)(对√、错×) 1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中,电路出故障时会出现失 控现象。(√) 2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统,使直流电动机实现四象限运行时,其中 一组逆变器工作在整流状态,那么另一组就工作在逆变状态。(×) 3、晶闸管串联使用时,必须注意均流问题。(×) 4、逆变角太大会造成逆变失败。(×) 5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。(√) 6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。(×) 7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。(×) 8、在单相全控桥整流电路中,晶闸管的额定电压应取U2。(×) 9、在三相半波可控整流电路中,电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。(×) 10、变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。 (√) 三、选择题(每题3分,15分)

电工电子技术基础考试试卷答案

《电工电子技术基础》 一、填空题:(每题3分,共12题,合计 33 分) 1、用国家统一规定的图形符号画成的电路模型图称为,它只反映电路中电气方面相互联系的实际情况,便于对电路进行和。 2、在实际电路中,负载电阻往往不只一个,而且需要按照一定的连接方式把它们连接起来,最基本的连接方式是、、。 3、在直流电路的分析、计算中,基尔霍夫电流第一定律又称定律,它的数学表达式为。假若注入节点A的电流为5A和-6A,则流出节点的电流I 出= A 。 4、电路中常用的四个主要的物理量分别是、、、。 它们的代表符号分别是、、和; 5、在实际应用中,按电路结构的不同分为电路和电路。凡是能运用电阻串联或电阻并联的特点进行简化,然后运用_________求解的电路为_____;否则,就是复杂电路。 6、描述磁场的四个主要物理量是:___、_____、_______和_______;它们的代表符号分别是____、_____、______和____; 7、电磁力F的大小与导体中 ____的大小成正比,与导体在磁场中的有效 ________及导体所在位置的磁感应强度B成正比,即表达式为:________ ,其单位为:______ 。 8、凡大小和方向随时间做周期性变化的电流、电压和电动势交流电压、交流电流和交流电动势,统称交流电。而随时间按正弦规律变化的交流电称为正弦交流电。 9、______________、_______________和__________是表征正弦交流电的三个重要物理量,通常把它们称为正弦交流电的三要素。 10、已知一正弦交流电压为u=2202sin(314t+45°)V,该电压最大值为__________ V,角频率为__________ rad/s,初相位为________、频率是______ Hz周期是_______ s。 11、我国生产和生活所用交流电(即市电)电压为 _ V。其有效值为 _ V,最大值为____ V,工作频率f=____ __Hz,周期为T=_______s,其角速度ω=______rad/s,在1秒钟内电流的方向变化是________次。 二、判断下列说法的正确与错误:正确的打(√),错误的打(×),每小题1分,共 20 分 1、电路处于开路状态时,电路中既没有电流,也没有电压。(_) 2、理想的电压源和理想的电流源是不能进行等效变换。(_) 3、对于一个电源来说,在外部不接负载时,电源两端的电压大小等于电源电动势的大小,且 方向相同。(_) 4、在复杂电路中,各支路中元器件是串联的,流过它们的电流是相等的。(_) 5、用一个恒定的电动势E与内阻r串联表示的电源称为电压源。(_) 6、理想电流源输出恒定的电流,其输出端电压由内电阻决定。(_) 7、将一根条形磁铁截去一段仍为条形磁铁,它仍然具有两个磁极. (_ ) 8、磁场强度的大小只与电流的大小及导线的形状有关,与磁场媒介质的磁导率无关(_)

电子技术试题及答案-(

《电子技术基础》题库 适用班级:2012级电钳3、4、5、6班 备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。一、填空题: 第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体,半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时,P区接电源的正极,N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同,可分为硅二极管和锗二极管两类; ○8、按二极管用途不同,可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极,负极接电源的负极;反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ,锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时,应考虑的主要参数是最大整流电流,最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏,集电结反偏。 ★17、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置,集电结正向偏置,则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; ★26、OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在输入级,输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。

电力电子技术试题及答案(B)

电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比,电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力? 答:1.电力二极管大都采用垂直导电结构,使得硅片中通过电流的有效面积增大,显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区,也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体,由于掺杂浓度低,低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断, 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为I m ,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解:a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时,相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解:额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35, I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答:GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构,由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益 1α和2α, 由普通晶阐管的分析可得, 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21>αα+两个等效晶体管过饱和而导通;

《电工电子技术基础》 试卷A及参考答案

华中师范大学成人专科学年第二学期 《电工电子技术基础》试卷(A卷) 考试时间:90分钟闭卷任课老师: 班级:学号:姓名:成绩: 一、填空:(每空2分,共40分) 1、基尔霍夫电流定律:I= A。; 2、欧姆定律:买了一个日光灯,功率P=40W,电压220V,I= A . 因为它的功率 因数只有0.5,应该在它的两端并联可以其提高功率因数。 3、电路如图,其戴维南等效电路的参数: U AB= V ;R AB= Ω; 4、单相交流电路: 已知:0 2202sin(31460) u t V =+;则有效值U= V;频率是 HZ。 5、对称三相四线制电路中,相电压是220V,线电压为: V; 6、三相交流异步电动机的转差率S= 。 7、三相交流异步电动机定子旋转磁场的转速是: 8、三极管的放大条件是: 9、判断R F的反馈类型:。 10、组合电路如图,输出F= 。 11、三端集成稳压器W7809能够输出 V电压。 12、三相四线制电路中,则中线的作用为。 13、能实现F=0 的逻辑门是。 14、可以实现Q Q n= +1的电路是:。 装 订 线

15、安全电压是: V。 16、热继电器的热元件应该连接到。 17、变压器铁心有:两种损耗。 二、简答题:(每题4分,共20分) 1、交流电路的有功功率、无功功率及视在功率的表达式?其中cos 被称为什么?答: 2、三相异步电动机的调速方法有哪些? 答: 3、画出接触器的线圈符号及触头的符号。 答: 4、单相桥式整流电路,已知变压器副边电压U2 =20V,则输出平均电压U O =?若一个二极管开路,则输出平均电压U O =? 答: 5、变压器有几个功能?写出表达式。 答:

电子技术试题及答案

电子技术基础 参考答案 1、电子电路中的信号可以分为两类,一类是在时间和幅度上都是连续的信号,称为模拟信号;另一类在时间和幅度上都是离散的信号,称为_数字信号(脉冲信号)_______。 2、晶体二极管具有单向导电特性。 3、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,它具有_热敏性,杂敏性,光敏性等特殊性质,利用这些性质可以制造出各种具有不同性能的半导体器件。 4、共集电极放大电路又称射极输出器,它的电压放大倍数接近于1,输出信号与输入信号同相,输入电阻大,输出电阻小。 5、若在放大电路中引入电压串联负反馈,则可以稳定输出电压,并使输入电阻增大。 6、单管共射极放大器,当工作点Q选择较低时,易出现截止失真。 7、8421BCD码10000111.0011对应的十进制数为__87.3____。 8、逻辑函数的表示方法通常有四种,分别为真值表、_逻辑函数表达式(表达式)_、逻 辑电路图(逻辑图)和卡诺图。

9、常用的集成组合逻辑电路器件有编码器、译码器、__数据选择器_、数据分配器、加法器等。 10、当变量A、B、C分别为1、0、0时,(A+B+C)AB=O。 11、TTL或非门多余输入端的处理方法是接低平,接地,与其他引脚连在一起。 12、当多个三态门的输出端连在一条总线上时,应注意任何时刻只能有一个门电路处于工作态。 13、在组合逻辑电路中,当输入信号改变状态时,输出端可能出现虚假过渡干扰脉冲的现象称为竞争冒险。 14、将数字信号转换为模拟信号,应选用D/A转换器。 15、A/D转换的过程可分为采样、保持、量化、编码4个步骤。 16、A/D转换器两个最重要的指标是分辨率和转换速度。 17、能完成两个一位二进制数相加,并考虑到低位进位的器件称为全加器。 18、实现将公共数据上的数字信号按要求分配到不同电路中去的电路叫数据分配器 19、OC门在使用时输出端应接上拉电阻和电源。 20、TTL非门的灌电流负载发生在输出低电平情况下,负载电流越大,则输出电平越高。 二、选择题

电力电子技术试题及答案(1)

《电力电子技术》试卷 一.填空(共15分,1分/空) 1.电力电子技术通常可分为()技术和()技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为()型器件和()型器件两类,晶闸管属于其中的()型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时(变压器二次侧电压有效值为U ,忽略主电路 2 各部分的电感),与电阻负载时相比,晶闸管提前了电角度δ停止导电,δ称为()角,数量关系为δ=()。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有()触发和()触发两种,常用的是()触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为()组和()组两种。 6.在特定场合下,同一套整流电路即可工作在()状态,又可工作在()状态,故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为()。 二.单选(共10分,2分/题) 1.采用()是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2.晶闸管属于()。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3.单相全控桥式整流电路,带阻感负载(L足够大)时的移相范围是()。 A.180O B.90O C.120O 4.对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说,正常工作时触发脉冲相位应依次差()度。 A.60 B. 180 C. 120 5.把交流电变成直流电的是()。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路 三.多选(共10分,2分/题) 1.电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计,工作时一般还需接散热器 2.下列电路中,不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3.使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4.逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5.变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口 四.判断(共5分,1分/题) 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。() 2.晶闸管是一种四层三端器件。()

电工电子技术试题(含答案)

一选择题: 1、理想二极管的反向电阻为( B )。 A 零 B 无穷大 C 约几百千欧 D 以上都不对 1.在换路瞬间,下列各项中除( B )不能跃变外,其他全可跃变。 (a)电感电压 (b)电容电压 (c)电容电流 4.在电感性负载两端并联一定值的电容,以提高功率因素,下列说法 正确的是( D )。 (A)减少负载的工作电流 (B) 减少负载的有功功率 (C)减少负载的无功功率 (D) 减少线路的功率损耗 5.当三相交流发电机的三个绕组连接成星形时,若线电压 V t u BC )180sin(2380-=ω,则相电压=C u ( D )。 (a)V t )30sin(2220-ω (b) V t )30sin(2380-ω (c) V t )120sin(2380+ω (d ) 2202sin(30)t ω+o 6.两个完全相同的交流铁心线圈,分别工作在电压相同而频率不同 (f1>f2)的两电源下,此时线圈的磁通1和 2 关系是( B )。 (a) 1 > 2 (b)1< 2 (c)1=2 7.一负载电阻为RL ,经变压器接到内阻R0=800Ω的电源上,变压器 原、副绕组的额定电流为2A /20A ,若使从变压器原绕组看进去的等 效负载电阻RL ′=R0时,则RL 等于( B )

(a) 0.8Ω (b) 8Ω (c) 80Ω (d) 800Ω k的电阻中通过2mA的电流,试问电阻两端的电压是( D )。 1、3Ω A、10V B、6mV C、1.5V D、6V 2、有一额定值为5W 500Ω的线绕电阻,其额定电流为( D )。 A、2500 B、100 C、1 D、0.1 3、一个电热器从220V的电源取用的功率为1000W,如将它接到110V 的电源上,则取用的功率为( B )W。 A、125 B、250 C、500 D、1000 1. 稳压管起稳压作用,是利用它的( D )。 A 正向特性 B 单向导电性 C 双向导电性 D 反向击穿特性 2.某一负载消耗的有功功率为300W,消耗的无功功率为400var,则该负载的视在功率为( c )。 (a)700VA (b)100VA (c)500VA 3.图右所示电路中P点电位为( a ) (a)5V (b)4V (c)3V (d)2V 2. 采用差分放大电路是为了( B ) A 加强电路对称性 B 抑制零点漂移 C 增强放大倍数

王兆安版电力电子技术试卷及答案

20××-20××学年第一学期期末考试 《电力电子技术》试卷(A) (时间90分钟 满分100分) (适用于 ××学院 ××级 ××专业学生) 一、 填空题(30分,每空1分)。 1.如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是________,属于半控型器件的是________,属于全控型器件的是________;属于单极型电力电子器件的有________,属于双极型器件的有________,属于复合型电力电子器件得有 ________;在可控的器件中,容量最大的是________,工作频率最高的是________,属于电压驱动的是________,属于电流驱动的是________。(只写简称) 2.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为 _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 ;带阻感负载时,α角移相范围为 ,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 。 3.直流斩波电路中最基本的两种电路是 和 。 4.升降压斩波电路呈现升压状态时,占空比取值范围是__ _。 5.与CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有 、 和 。 6.当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz 时,单相交交变频电路的输出上限频率约为 。 7.三相交交变频电路主要有两种接线方式,即 _和 。 8.矩阵式变频电路是近年来出现的一种新颖的变频电路。它采用的开关器件是 ;控制方式是 。 9.逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为 型逆变器和 型逆变器。 10.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为 。 二、简答题(18分,每题6分)。 1.逆变电路多重化的目的是什么?如何实现?串联多重和并联多重逆变电路各应用于什么场合? 2.交流调压电路和交流调功电路有什么异同? 3.功率因数校正电路的作用是什么?有哪些校正方法?其基本原理是什么? 三、计算题(40分,1题20分,2题10分,3题10分)。 1.一单相交流调压器,电源为工频220V ,阻感串联作为负载,其中R=0.5Ω,L=2mH 。 试求:①开通角α的变化范围;②负载电流的最大有效值;③最大输出功率及此时电源侧的功率因数;④当2πα=时,晶闸管电流有效值,晶闸管导通角和电源侧功率因数。 2..三相桥式电压型逆变电路,工作在180°导电方式,U d =200V 。试求输出相电压的基波幅值U UN1m 和有效值U UN1、输出线电压的基波幅值U UV1m 和有效值U UV1、输出线电压中7次谐波的有效值U UV7。 3 .如图所示降压斩波电路E=100V ,L 值极大,R=0.5Ω,E m =10V ,采用脉宽调制控制方式,T=20μs ,当t on =5μs 时,计算输出电压平均值U o ,输出电流平均值

电子技术基础与技能试题及答案

使用教材:电子技术基础与技能试题范围:全册出版社:高等教育出版社版次:第2版 学校名称:礼县职业中等专业学校 一、填空题 1、二极管最主要的电特性是,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个。 2、三极管的三个工作区域是,,。集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大器。 3、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 dB,总的电压放大倍数为。 4、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,效率最低的电路为,为了消除交越失真常采用电路。 5、理想集成运算放大器的理想化条件是Aud= 、R id= 、K CMR= 、R O = 6、三端集成稳压器CW7805输出电压 V,CW7915输出电压 V。 7、74LS系列的TTL与非门电路中通常使用的电源电压为 V,一般要求其输出高电平电压大于等于 V,输出低电平电压小于等于 V, CMOS集成门电路的电源电压在 V 范围内均可正常工作,建议使用 V电源供电。 8、晶体三极管截止时相当于开关,而饱和时相当于开关。 9、异或门的逻辑功能是:当两个输入端一个为0,另一个为1时,输出为_____;而两个输入端均为0或均为1时,输出为_____。 10、已知某触发器的真值表如下(A、B为触发器的输入信号)所示,其输出信号的逻辑表达式为。

二、单选题 1、下列使用指针式万用表判断二极管极性的正确步骤是()。 a.用万用表红黑表笔任意测量二极管两引脚间的电阻值。 b.将万用表的电阻挡旋钮置于R×100或R×1k挡,调零。 c.以阻值较小的一次测量为准,黑表笔所接的二极管一端为正极,红表笔所接的二极管一端为负极。 d.交换万用表表笔再测一次。如果二极管是好的,两次测量的结果必定一大一小。 A.abcd B. badc C. cdab D. bcda 2、对于桥式整流电路,正确的接法是()。 3、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示,当VCE=6V,其电流放大系数β为() A.=100 B.=50 C.=150 图1

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管,维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为,UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE (th )随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数, 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ , 2__,续流二极管承受的最大反向电压为2_(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2;带 阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出 现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时,晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连续的条 件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中,空载时,输出电压为2_,随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_,通常设计时,应取RC ≥_1.5-2.5_T ,此 时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值,T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中,电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。

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