文档库 最新最全的文档下载
当前位置:文档库 › 电子技术基础期末考试考试卷及答案

电子技术基础期末考试考试卷及答案

电子技术基础期末考试考试卷及答案
电子技术基础期末考试考试卷及答案

座号

XXX2012—2013学年度第二学期期末考试试卷

职高二 《电子技术基础与技能》

题 号 一 二 三 四 总 分 得 分

(本试卷满分100分,考试用时120分钟)

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)

在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的表格内错选、多选或未选均无分。

1.触发器与组合逻辑电路比较()

A.两者都有记忆能力

B.只有组合逻辑电流有记忆能力

C.只有触发器有记忆能力

D.两者都没有记忆能力

2.与非门构成的基本RS 触发器,输入信号S =0,R =1,其输出状态是() A.置1B.置0 C.不定 D.保持

3.RS 触发器不具备功能() A.置1 B.置0 C.保持 D.翻转

4.某计数器逻辑功能每5个时钟脉冲循环一次,且在每次循环过程中每来一个脉冲计数器新态加1,则该计数器是()

A.二进制加法器

B.五进制加法器

C.十进制加法器

D.五进制减法器 5.8421BCD 码是常见的二—十进制码,下列是8421BCD 码禁用码() A.1001B.0111C.1010D.0101 6.下列说法正确的是()

A.Q=0称触发器处于0态

B.Q=0称触发器处于1态

C.Q =0称触发器处于0态

D.Q =1称触发器处于1态 7.JK 触发器在时钟脉冲作用下,触发器置1,其输入信号为() A.J=1,K=1 B.J=0,K=0 C.J=1,K=0 D.J=0,K=1 8.D 触发器在CP 脉冲作用下,1

n Q

=()

A.1

B.D

C.0

D.n

Q

9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是()

10.电路如下图所示,若初态都为0,则n+1=1Q 的是()

11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是() A.31B.32C.10 D.5

12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器() A.n B.2n C.n 2 D.2n

13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010,当最低位接收到10个脉冲时,触发器状态为() A.0010B.0100C.1100D.1111

14.下图所示的电路中,正确的并联型稳压电路为()

15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中,若要使输出电压为60V ,则变压器的次级电压应为() A.50VB.60VC.72VD.27V

二、判断题(本大题共5小题,每小题3分,共15分)(对打√,错打×)

16.P 型半导体中,多数载流子是空穴( )

17.环境温度升高时,半导体的导电能力将显著下降( ) 18.二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开() 19.稳压二极管工作在反向击穿区域()

20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件()

学 校: 班 级: 姓 名: 学号: ---------------------------------------------密-----封-----线-----内-----不-----准-----答-----题---------------------------------------------------------------------------------

注:将选择题和判断题答案填写在上面的表格里,否则该题不得分

三、填空题(本大题共5小题,每小题4分,共20分)

21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较,JK触发器增加了功能;

22.寄存器存放数码的方式有和两种方式;

23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线;

24.常见的滤波器有、和;

25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只,按右图所示方法接入电路,则V0=。

四、应用题(本大题共3小题,共35分,要求写出演算过程)

26.(10分)某JK触发器的初态Q=1,CP的下降沿触发,试根据下图所示的CP、J、K的波形,画出输出Q和Q的波形。27.(9分)如下图所示电路,测得输出电压只有0.7V,原因可能是:

(1)R开路;(2)R L开路;(3)稳压二极管V接反;

(4)稳压二极管V短路。应该是那种原因,为什么?

28.(16分)分析下图所示电路的工作原理,要求:

(1)列出状态表,状态转换图;(2)说明计数器类型。

题号

1

2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案

题号11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案

参考答案及评分标准

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)

二、判断题(本大题共5小题,每小题3分,共15分)

三、填空题(本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.不确定,翻转22.并行和串行

23.V D -I D 24.电容、电感、复式25.5.3V

四、应用题(本大题共3小题,共30分,要求写出演算过程) 26.

27.解:稳压二极管V 接反,变成正向偏置,稳压二极管正向导通时,压降是0.7V 28.解:计数前,各触发器置0,使Q 2Q 1Q 0=000

(1)第一个CP 作用后,Q 0=0→1,0Q =1→0=CP 1,对F 1触发无效,所以Q 1保持0态不变。而F 2没有接到任何触发信号,所以Q 2亦保持0态不变。第二个CP 作用后,Q 0=1→0,而0Q =0→1=CP 1,对F 1属有效触发,所以Q 1=0→1。而1Q =1→0=CP 2,对F 2无效,所以F 2仍为原态即0态。依次按规律分析,可得如下计数状态表为

(2)从状态表和电路结构可知,该计数电路为三位异步二进制加法计数电路。

题号

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 C A D B C A C B B C 题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案

A

D

A

B

C

×

×

×

模拟电子技术基础考试试题答案-(1)

第1页 共5页 一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,当三极管工作在 区时, b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时,电路中出现的 视为开路, 视为短路,信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时,输出端的瞬时极性也为正,该输入端是 相输入端,否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的, 越大越好, 越小越好。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管如果采用正向接法,稳压二极管将 。 A :稳压效果变差 B :稳定电压变为二极管的正向导通压降 C :截止 D :稳压值不变,但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结正向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为 。 A : PNP 型硅管 B :NPN 型锗管 C : NPN 型硅管 D :PNP 型锗管 7V 0.7V 0V ① ② ③

电子技术基础试题

电子技术基础(三)试题 一、单项选择题(本大题共15小题,每小题1分,共15分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.以下关于脉动直流电压的描述中,正确的是() A.电压的大小和方向均不随时间变化 B.电压的大小随时间变化,但方向不随时间变化 C.电压的大小不随时间变化,但方向随时间变化 D.电压的大小和方向均随时间变化 2.以下关于理想电流源特性的描述中,正确的是() A.理想电流源的信号源内阻接近于零 B.理想电流源任何时候都可以串联在一起 C.理想电流源的输出电流与负载无关 D.理想电流源两端的电压与负载无关 3.电路如题3图所示,已知相量电流则向量电流I为() A.10∠90° (A) B.10∠-90° (A) C.2∠45° (A) D.2∠-45° (A) 4.N型半导体中的多数载流子是() A.自由电子B.空穴 C.五价杂质原子D.五价杂质离子 5.已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位 如题5图所示,则a、b、c三个电极分别为() A.发射极、基极、集电极 B.发射极、集电极、基极 C.基极、发射极、集电极 D.基极、集电极、发射极 6.理想运放的差模输入电阻R id和输出电阻R O分别为() A.R id=0,R O=0 B.R id=0,R O=∞ C.R id=∞,R O=0 D.R id=∞,R O=∞ 7.为避免集成运放因输入电压过高造成输入级损坏,在两输入端间应采取的措施是() A.串联两个同向的二极管B.串联两个反向的二极管 C.并联两个同向的二极管D.并联两个反向的二极管 8.在单相半波整流电路中,如变压器副方电压的有效值为U2,则二极管所承受的最高反向电压为()

数字电子技术基础期末考试试卷及答案

数字电子技术基础期末考试试卷及答案 Document serial number【KKGB-LBS98YT-BS8CB-BSUT-BST108】

数字电子技术基础试题(一) 一、填空题 : (每空1分,共10分) 1. 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 1 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为:、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器,其地址线为 12 条、数据线为 8 条。 二、选择题: (选择一个正确的答案填入括号内,每题3分,共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0,找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是:(C )图。 2.下列几种TTL电路中,输出端可实现线与功能的电路是( D)。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门

3.对CMOS与非门电路,其多余输入端正确的处理方法是(D )。 A、通过大电阻接地(>Ω) B、悬空 C、通过小电阻接地(<1KΩ) B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的(A )。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路(C )。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6.下列几种A/D转换器中,转换速度最快的是(A )。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7.某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示,则该电路为( C)。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8.要将方波脉冲的周期扩展10倍,可采用(C )。

电子技术基础-考试大纲

电子技术基础-考试大纲 参考书: 1.《电工学(下册)-电子技术》(第六版、第七版都可);秦曾煌主编,高教出版社 2.《模拟电子技术基础》(第三版或第四版);童诗白主编,高等教育出版社 3.《数字电子技术基础》(第四版);阎石主编,高等教育出版社 考试时间:2小时(满分100分)。 一、本课程的地位、作用和任务 《电子技术基础》是工科电气类的专业技术基础核心课程。课程任务是使学生获得电子技术的基本理论和基本技能,为学习后续课程和从事有关的工程技术工作打下基础。 二、基本内容 1、模拟电子技术基础 (1)掌握半导体二极管、稳压管、晶体三极管的基本概念和主要参数;尤其是掌握半导体二极管、稳压管、晶体三极管的计算方法及应 用。 (2)理解和掌握不同类型单级放大电路的工作原理和性能特点,掌握放大电路的静态分析及动态分析方法。能够分析计算基本共射放大电路中的实验现 象。 (3)了解深度负反馈的概念,掌握不同反馈类型的分析方法,理解负反馈对放大电路性能的影响,能够计算单级深度负反馈电路的电压放大倍数。 (4) 掌握集成运算放大器的基本组成和电压传输特性,掌握其基本分析方法。能分析和计算由理想运算放大器组成的基本运算电路及信号处理电 路。

(5)理解与掌握互补对称功率放大电路的基本概念与分析计算方法。 (6)了解不同类型的正弦波振荡电路的基本组成及工作原理,判断电路能否产生正弦波振荡,掌握分析计算电路振荡频率的方法。 (7)掌握单相直流稳压电路的基本组成、工作原理及电路参数的计算。 2、数字电子技术基础 (1)掌握组合逻辑电路中基本门电路的逻辑图、波形图、功能表及其应用。 (2)用逻辑代数法或卡诺图法化简,分析组合逻辑电路的作用。掌握组合逻辑电路的基本设计方 法。 (3)理解常用组合电路集成模块的应用。掌握不同类型的译码器、优先编码器的分析方法及简单应用。 (4)掌握时序逻辑电路中双稳态触发器的逻辑功能, 能够实现逻辑功能的转换。 (5)掌握用555集成定时器组成的多谐振荡器的分析与参数计算方 法。 (6)掌握同步时序电路、寄存器及计数器的基本分析和设计方法。

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时, 视为短路, 视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管 。 A :稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大 C :反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管,正确的说法是 。

(完整版)《电工电子技术基础》试题库(附有答案)

一、填空题 1.已知图中 U1=2V, U2=-8V,则U AB=-10。 2.电路的三种工作状态是通路、断路、短路。 3.有三个6Ω的电阻,若把它们串联,等效电阻是 18 Ω;若把它们并联,等效电阻 2Ω;若两个并联后再与第三个串联,等效电阻是 9 Ω。 4.用电流表测量电流时,应把电流表串联在被测电路中;用电压表测量电压时,应把电压表与被测电路并联。 5.电路中任意一个闭合路径称为回路;三条或三条以上支路的交点称为节点。 6.电路如图所示,设U=12V、I=2A、R=6Ω,则U AB= -24 V。 7.直流电路如图所示,R1所消耗的功率为2W,则R2的阻值应为 2 Ω。 8.电路中电位的参考点发生变化后,其他各点的电位均发生变化。 9.在直流电路中,电感可以看作短路,电容可以看作断路。 9.我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。 10.三相对称负载作三角形联接时,线电流I L与相电流I P间的关系是:I P=3 I L。 11.电阻元件是耗能元件,电容元件是储能元件。

12.已知一正弦电压u=311sin(628t-60o)V ,则其最大值为 311 V ,频率为 100 Hz ,初相位为 -60o 。 13.在纯电阻交流电路中,已知电路端电压u=311sin(314t-60o)V ,电阻R=10Ω,则电流I=22A,电压与电流的相位差φ= 0o ,电阻消耗的功率P= 4840 W 。 14.三角形联结的三相对称负载,若线电压为380 V ,则相电压为 380 V ;若相电流为10 A ,则线电流为 17.32 A 。 15.式Q C =I 2X C 是表示电容元件在正弦电路中的 无功 功率计算公式。 16.正弦交流电压的最大值U m 与其有效值U 之比为 2 。 17.电感元件是一种储能元件,可将输入的电能转化为 磁场 能量储存起来。 18.若三相电动势依次达到最大值的次序为e 1—e 2—e 3,则称此种相序为 正序 。 19.在正弦交流电路中,电源的频率越高,电感元件的感抗越 大 。 20.已知正弦交流电压的有效值为200V ,频率为100Hz ,初相角为30o,则其瞬时值表达式u= 282.8sin (628t+30o) 。 21.正弦量的三要素是 最大值或有效值 、 频率 和 初相位 。 22.对称三相电源是指三个 幅值 相同、 频率 相同和 相位互差120o 的电动势电源。 23.电路有 通路 、 开路 和 短路 三种工作状态。当电路中电流0 R U I S 、端电压U =0时,此种状态称作 短路 ,这种情况下电源产生的功率全部消耗在 内阻 上。

电工电子技术基础考试试卷答案

《电工电子技术基础》 一、填空题:(每题3分,共12题,合计 33 分) 1、用国家统一规定的图形符号画成的电路模型图称为,它只反映电路中电气方面相互联系的实际情况,便于对电路进行和。 2、在实际电路中,负载电阻往往不只一个,而且需要按照一定的连接方式把它们连接起来,最基本的连接方式是、、。 3、在直流电路的分析、计算中,基尔霍夫电流第一定律又称定律,它的数学表达式为。假若注入节点A的电流为5A和-6A,则流出节点的电流I 出= A 。 4、电路中常用的四个主要的物理量分别是、、、。 它们的代表符号分别是、、和; 5、在实际应用中,按电路结构的不同分为电路和电路。凡是能运用电阻串联或电阻并联的特点进行简化,然后运用_________求解的电路为_____;否则,就是复杂电路。 6、描述磁场的四个主要物理量是:___、_____、_______和_______;它们的代表符号分别是____、_____、______和____; 7、电磁力F的大小与导体中 ____的大小成正比,与导体在磁场中的有效 ________及导体所在位置的磁感应强度B成正比,即表达式为:________ ,其单位为:______ 。 8、凡大小和方向随时间做周期性变化的电流、电压和电动势交流电压、交流电流和交流电动势,统称交流电。而随时间按正弦规律变化的交流电称为正弦交流电。 9、______________、_______________和__________是表征正弦交流电的三个重要物理量,通常把它们称为正弦交流电的三要素。 10、已知一正弦交流电压为u=2202sin(314t+45°)V,该电压最大值为__________ V,角频率为__________ rad/s,初相位为________、频率是______ Hz周期是_______ s。 11、我国生产和生活所用交流电(即市电)电压为 _ V。其有效值为 _ V,最大值为____ V,工作频率f=____ __Hz,周期为T=_______s,其角速度ω=______rad/s,在1秒钟内电流的方向变化是________次。 二、判断下列说法的正确与错误:正确的打(√),错误的打(×),每小题1分,共 20 分 1、电路处于开路状态时,电路中既没有电流,也没有电压。(_) 2、理想的电压源和理想的电流源是不能进行等效变换。(_) 3、对于一个电源来说,在外部不接负载时,电源两端的电压大小等于电源电动势的大小,且 方向相同。(_) 4、在复杂电路中,各支路中元器件是串联的,流过它们的电流是相等的。(_) 5、用一个恒定的电动势E与内阻r串联表示的电源称为电压源。(_) 6、理想电流源输出恒定的电流,其输出端电压由内电阻决定。(_) 7、将一根条形磁铁截去一段仍为条形磁铁,它仍然具有两个磁极. (_ ) 8、磁场强度的大小只与电流的大小及导线的形状有关,与磁场媒介质的磁导率无关(_)

电子技术基础考试必备(十套试题,答案)

电子技术基础试题(八) 一.填空题:(每题3分,共30分) 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________ 小的特点,起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时,负载获得的功率最 大,这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有:______类功放, ______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较,前者加了偏置电路向功放 管提供少量__________,以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、 和___________四个部分组成。 9.逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和___________。 10.主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二.选择题(每题3分,共30分) 1.晶体管二极管的正极的电位是-10V,负极电位是-5V,则该晶体二极管处于:( )。

A.零偏 B.反偏 C.正偏 2.若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管:()。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3.某三级放大器中,每级电压放大倍数为Av,则总的电压放大倍数:()。 A.3A V B.A3V C.A V3/3 D.A V 4.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是:()。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数,使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激 振荡 5.甲类单管功率放大电路中结构简单,但最大的缺点是:()。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低6.有两个2CW15稳压二极管,其中一个稳压值是8V,另一个稳压值为 7.5V,若把两管的正极并接,再将负极并接,组合成一个稳压管接 入电路,这时组合管的稳压值是:( )。 A.8V B.7.5V C.15.5V 7.为了减小开关时间,常在晶体管的基极回路中引入加速电容,它的主要作用是:()。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

电子技术基础期末考试试题及答案

10.电路如下图所示,若初态都为0,则=1的是()

精品文档 注:将选择题和判断题答案填写在上面的表格里,否则该题不得分 三、填空题(本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较,JK触发器增加了功能; 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式; 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线; 24.常见的滤波器有、和; 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只,按右图所示方法接入电路,则V0= 。 四、应用题(本大题共3小题,共35分,要求写出演算过程) 26.(10分)某JK触发器的初态Q=1,CP的下降沿触发,试根据下图所示的CP、J、K的波形,画出输出Q和Q的波形。27.(9分)如下图所示电路,测得输出电压只有0.7V,原因可能是: (1)R开路;(2)R L开路;(3)稳压二极管V接反; (4)稳压二极管V短路。应该是那种原因,为什么? 28.(16分)分析下图所示电路的工作原理,要求: (1)列出状态表,状态转换图;(2)说明计数器类型。

精品文档 参考答案及评分标准 一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 二、判断题(本大题共5小题,每小题3分,共15分) 三、填空题(本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.不确定,翻转 22.并行和串行 23.V D -I D 24.电容、电感、复式 25.5.3V 四、应用题(本大题共3小题,共30分,要求写出演算过程) 26. 27.解:稳压二极管V 接反,变成正向偏置,稳压二极管正向导通时,压降是0.7V 28.解:计数前,各触发器置0,使Q 2Q 1Q 0=000 (1)第一个CP 作用后,Q 0=0→1,0Q =1→0=CP 1,对F 1触发无效,所以Q 1保持0态不变。而F 2没有接到任何触发信号,所以Q 2亦保持0态不变。第二个CP 作用后,Q 0=1→0,而0Q =0→1=CP 1,对F 1属有效触发,所以Q 1=0→1。而1Q =1→0=CP 2,对F 2无效,所以F 2仍为原态即0态。依次按规律分析,可得如下计数状态表为 (2)从状态表和电路结构可知,该计数电路为三位异步二进制加法计数电路。

电工电子技术基础试题库

《电工电子技术》课程复习资料 一、填空题: 1.正弦交流电的相量表示具体有有效值相量和最大值相量两种形式。 2.一阶电路暂态过程三要素法的表达式。 3.变压器有三大作用,分别是变压_、_变流_和_变换阻抗_。 结具有单向导电性,可描述为正偏导通、反偏截止。 5.以比较的风格分类,电压比较器有单限比较、滞回比较和窗口比较。 6.基本的逻辑关系是逻辑与、逻辑或和逻辑非。 7.“触发”是指给触发器或时序逻辑电路施加时钟(脉冲)信号。 8.电路的主要作用是传输、分配和控制电能和传送、处理电信号。 9.负载功率因数过低的后果是增大输电线路损耗和使供电设备不被充分利用。 10.三相同步发电机的基本构成是定子和转子。 11.电容和电感储能的数学表达式是和。 12.低压供电系统的接线方式主要有树干式和放射式。 13.实际变压器存在两种损耗,分别是铜耗和铁耗。 14.已知三相异步电动机的工频为50HZ,五对磁极,则同步转速为600r/min。 15.变压器的主要构成部件是绕组和铁芯。 16.已知三相异步电动机的工频为50HZ,四对磁极,则同步转速为750 r/min。 17.晶体三极管的两个PN结分别是发射结和集电结。 18.要使晶体三极管处于截止状态,其偏置方法是使发射结反偏集电结反偏。 19.反相比例运算关系是.,同相比例运算关系是。 20.多发射极管的作用是实现与运算、提高(逻辑)转换速度。 21.翻转是指触发器在时钟脉冲到达后形成与初态相反的次态。 22.我国规定的电力网特高压额定值有330kV、500kV和1000kV 。 23.理想变压器的变压公式是。 24.已知三相异步电动机的工频为50HZ,三对磁极,则同步转速为1000r/min。 25.晶体三极管有三种工作状态,分别为放大、截止和饱和。 26.放大电路的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。 27.负反馈对放大电路性能的影响有稳定电压放大倍数、拓展频宽、改善非线性失真和改变输入输出阻抗。 28.与时序电路相比,组合电路的特点是输出只与当前输入有关,而与初态无关。 29.理想变压器的变流公式是。 30.已知三相异步电动机的工频为50HZ,二对磁极,则同步转速为1500r/min

电子技术基础考试必备十套试题,有答案

电子技术基础考试必备十套试题,有答案 TTA standardization office【TTA 5AB- TTAK 08- TTA 2C】

电子技术基础试题(八)一.填空题:(每题3分,共30分) 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________ 小的特点,起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时,负载获得的功率最 大,这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有:______类功 放,______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较,前者加了偏置电路向功放 管提供少量__________,以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、 和___________四个部分组成。 9.逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和 ___________。 10.主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二.选择题(每题3分,共30分)

1.晶体管二极管的正极的电位是-10V,负极电位是-5V,则该晶体二极管处于:( )。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 2.若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管:()。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3.某三级放大器中,每级电压放大倍数为Av,则总的电压放大倍数:()。 3 4.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是:()。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数,使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振 荡 5.甲类单管功率放大电路中结构简单,但最大的缺点是:()。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低6.有两个2CW15稳压二极管,其中一个稳压值是8V,另一个稳压值为,若把两管的正极并接,再将负极并接,组合成一个稳压管接入电路,这时组合管的稳压值是:( )。 7.为了减小开关时间,常在晶体管的基极回路中引入加速电容,它的主要作用是:()。

电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题(每空1分,共30分) 1.硅二极管的死区电压为_____V,锗二极管的死区电压为_____V。 2.常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3.晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____,相位_____的信号电压。 5.互补对称推挽功率放大电路可分成两类:第一类是单电源供电的,称为_____电路,并有_____通过负载输出;第二类是双电源供电的,称为_____电路,输出直接连接负载,而不需要_____。 6.功率放大器主要用作_____,以供给负载_____。 7.集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8.异或门的逻辑功能是:当两个输入端一个为0,另一个为1时,输出为_____;而两个输入端均为0或均为1时,输出为_____。 9.(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10.逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11.组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题(下列各题中你认为正确的,请在题干后的括号内打“√”,错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分,共10分) 1.放大器采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入电阻。() 2.小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高,可以增大R B使I B减小,从而使工作点下降到所需要的位置。() 3.对共集电极电路而言,输出信号和输入信号同相。() 4.交流放大器也存在零点漂移,但它被限制在本级内部。() 5.同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。() 6.只要有正反馈,电路就一定能产生正弦波振荡。() 7.多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。() 8.TTL集成电路的电源电压一般为12伏。() 9.流过电感中的电流能够突变。() 10.将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器,将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。() 三、单选题(在本题的每小题备选答案中,只有一个答案是正确的,请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内,多选不给分。每小题2分,共26分) 1.用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V,负极电压为1.3V,则此二极管所处的状态是() A.正偏B.反偏C.开路D.击穿 2.放大器的三种组态都具有() A.电流放大作用B.电压放大作用 C.功率放大作用D.储存能量作用 3.下列各图中,三极管处于饱和导通状态的是()

电子技术基础试题

。电子技术基础试题库(第四版) 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性,即加正向压时__________,加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V,锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 0.7、0.3 4、使用二极管时,应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量,自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。导体, 绝缘体,半导体 7、PN结具有 _____________性能,即加正向电压时PN结________,加反向电压时的PN结 _________。单向导电性,导通,截止 二,判断题 1、半导体随温度的升高,电阻会增大。()N 2、二极管是线性元件。()N 3、不论是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为0.3V左右。()N 4、二极管具有单向导电性。()Y 5、二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。()N 6、二极管加正向压时一定导通()N 7、晶体二极管是线性元件。()N 8、一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。()Y 三、选择题 1、PN结的最大特点是具有()C A、导电性B、绝缘性C、单相导电性 2、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()C A、立即导通B、到0.3V才开始导通C、超过死区压才开始导通D、不导通 3、当环境温度升高时,二极管的反向电流将()A A、增大B、减少C、不变D、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是()。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是()B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题

电子技术基础考试必备(十套试题-有答案)

电子技术基础试题(八) 一.填空题:(每题3分,共30分) 1、PN结具有________ 性能。 2、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而 ______ 。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________ 和 _____________ 小的特点,起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻rs ______ 时,负载获得的功率最 大,这种现象称为_______________ 。 5、运算放大器的输出是一种具有___________________ ■勺多级直流放大 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有: ______ 功放, ______ 类功放和 ______ 功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较,前者加了偏置电路向功放 管提供少量___________ 以减少____________ 真。 8带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由_______________ 、—和___________ 个部分组成。 9 .逻辑代数的三种基本运算是_____________________ 、 ___________ 和 10.主从触发器是一种能防止___________ 象的实用触发器。 二.选择题(每题3分,共30分) 1. 晶体管二极管的正极的电位是—10V,负极电位是一5V,则该晶体二极管

处于:()。

A.零偏 B. 反偏 C. 正偏 2.若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管:()。 A. 集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V C E上升 C.集电极电 流增大 3. 某三级放大器中,每级电压放大倍数为Av,则总的电压放大倍数:()。 A. 3A V B.A 3V C.A V3/3 D.A V 4. 正弦波振荡器中正反馈网络的作用是:()。 A. 保证电路满足振幅平衡条件 B. 提高放大器的放大倍数,使输出信号足够大 C. 使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡 5. 甲类单管功率放大电路中结构简单,但最大的缺点是:()。 A. 有交越失真 B. 易产生自激 C. 效率低 6 .有两个2CW15急压二极管,其中一个稳压值是8V,另一个稳压值为

电子技术基础试题2

模拟电子技术基础试题2 一、填空题(每空2分,共30分) 1.N 型半导体中,多数载流子是_______。 2.PN 结方程是_______。 3.放大区工作的晶体三极管,实质是一个_______器件。 4.二极管最重要的特性是_______。 5.为使晶体管工作于放大状态,必须保证_______正偏,_______反偏。 6.晶体管三种基本放大电路中,只有较大电压增益的是_______电路。只有较大电流增益的是_______,既有较大电流增益又有较大电压增益的是_______。 7.二极管正向电压随温度升高而_______。 8.桥式全波整流电路中,变压器二次电压为10V ,则负载上的平均电压为_______V 。 9.为了使放大器静态工作点稳定,应引入_______反馈。为了提高输入电阻,减小输出电阻,应引入_______反馈。 10.多级放大器中,总电压放大倍数等于各级电压放大倍数。 11.差分放大器中,对管射极的公共用电阻Re 增大则共模抑制比K CMR _______。 二、简单计算题(共36分) 1.图1所示放大电路中,50=β,V 7.0BE =V ,容抗可略。求:(1)I BQ 、I CQ 、I CEQ ;(2)A V ,R i ,R o 。 2.图2所示电路中,运算放大器是理想的,求: (1)1 011 V V A V =;(2)2 022 V V A V = ;(3)?P =R 3.图3所示放大电路中50 =β ,V BE =0.7V 。求:(1)1 011 V V A V = ;(2)1 022 V V A V = 4.图4所示放大电路中:(1)判断反馈极性和接法;(2)如为负反馈,估算A V f 。 三、放大电路分析题(共50分) 1.判断图示电路中,(a )(b )(c )(d )有无放大作用,若无放大作用,说明理由。

电子技术基础考试试卷

电子技术基础考试试卷 一、填空题(每题2分,共20分) 1.实际使用的电源,按其外特性可以分为()和()。 2.有一种物质,它的导电性介于导体和绝缘体之间,这就是(),如硅、锗。 3.数字工程中,按存取方式分类,常用的存储器有顺序方向存储器,()存储器,()存储器三种。 4.电路的功能大致可以分为两类,一类是作为()的传输和转换,如电力电路;一类是作为实现()的传递和处理,如信号电路。5.如右图所示的电路中,B点的电位为()V。 6.测得工作在放大区的晶体三极管三个电极的电位分别为+2.3V、+2V、+8V,则此管的三个电极先后为基极、()极和()极。7.存储器的()和()是反映系统性能的两个重要指标。_ 8.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V, 接入3KΩ的负载电阻后输出电压为3V,这说明放大电路的输出电阻为()。 9.将十进制数18.625化为二进制数为(),化为十六进制数为()。 10.设输入变量为A、B、C,判别当三个变量中有奇数个1时,函数F=1, 否则F=0, 实现它的异或表达式为F=()。

二、单项选择题(每小题2分,共10分) 1.PN结加上反向电压,自建电场与外加电场方向(),内电场()。 A. 相反加强 B. 一致加强 C. 相反减弱 D. 一致减弱 2.下列电路中,()不是时序电路。 A. 计数器 B. 触发器 C. 寄存器 D. 译码器 3.图示电路中,AB之间电压V对应的方程式为()。 A.V=IR+E B.V=IR-E C.V=-IR-E D. -V=IR+E 4.右图是下面哪类场效应管的图符? A. N沟道耗尽型场效应管 B. P沟道耗尽型场效应管 C. N沟道耗尽型MOS管 D. P沟道耗尽型MOS管 5.组合逻辑电路险象的消除方法不包括() A. 多余项插入法 B. 改变电路结构 C. 加接惯性环节 D. 消除选通脉冲 三、分析计算题(共70分) 1.求图中电路中a、b、c各点的电位。(其中E1=5V, E2=10V,

《电子技术基础》考试试题

共4页 第1页 《电子技术基础》考试试题 时量:120分钟 总分:100分 (每小题1.5分,共15分)单项选择题: 1、某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V ,接入12K Q 的负载 电阻后,输出电压降为 3V ,这说明放大电路的输出电阻为 A. 10K Q B.2 K Q C.4 K Q D.3 K Q 2、 稳压二极管工作于伏安特性曲线的 ________ 区。 A.正向特性 B. 反向饱和特性 C.反向击穿特性 D. 不确定 3、 为了使高内阻信号源与低阻负载很好地配合,可以在信号源与 低阻负载间接入 ______ 。 A.共射电路 B. C.共集电路 D. 4、多级负反馈放大电路在下列 A.回路增益AF 大 B. C ?闭环放大倍数很大 D. 放大器的级数少 5、 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要 区别是,前者的运放通常工作在 ________ 。 A .开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C.放大状态 D. 线性工作状态 6、 差分放大电路由双端输入变为单端输入,差模电压增益则 A.增加一倍 B. 为双端输入时的1/2 C.不变 D. 不确定 7、对于有二个输入变量和一个输出变量的逻辑问题,由于状态赋 值的不同,列出的真值表可以有 _________ 。 A. 一种 B.二种 C.三种 D.四种 8 A ? B 函数表达式为 ________ : 共基电路 共集一共基串联电路 —情况下容易引起自激。 反馈系数小

C. A B D. AB AB 共4页 第2页 A. AB AB B. A+B 9、 与函数式 A+ABC 相等的表达式为 _________ 。 A. A+B B. A+C C. A+BC D. BC 10、 将二进制数(1110100) 2转换为十进制数应为 ________ 。 A. 15 B. 116 C. 110 D. 126 、(本题10分)用图1所示的1片双4选1的数据选择器,搭建一 位全加器电路,该电路的输入变量为 A (加数)、B (加数)、C I (低 位来的进位信号);输出变量为S (和),C O (向高位的进位信号)。 三、 (本题10分)用卡诺图化简下列逻辑函数为最简与或表达式。 1. 丫1 二' m (0,1,2,5,6,7,8,9,13,14) 2. 丫2「m (0,2,4,5,7,13) ' d (8,9,10,11,14,15) 四、 (本题10分)电路如图 2所示,试画出在所示 C 脉冲作用下 QI 和Q2端的信号波形,设两个触发器的初始状态为 0。

电子技术基础试题库完整

电子技术基础(模拟篇) 第一章半导体二极管 一、单选题 1.当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别()。 A. 左移,下移 B. 右移,上移 C. 左移,上移 D. 右移,下移 2.在PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,当PN结外加反向电压时,扩散电流漂移电流。 A. 小于,大于 B. 大于,小于 C. 大于,大于 D. 小于,小于 3.设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程为() A. U I e S B. T U U I e S C. )1 e( S - T U U I D. 1 e S - T U U I 4.下列符号中表示发光二极管的为()。 5.稳压二极管工作于正常稳压状态时,其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM 6.杂质半导体中()的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 7.从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于()时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 8.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于()。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 9. PN结形成后,空间电荷区由()构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 10.硅管正偏导通时,其管压降约为()。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 11.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻,所测电阻是二极管的电阻,由于不

相关文档
相关文档 最新文档