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半导体极管三极管来料检验规程

电子元器件来料检验规程（一）

半导体晶体管部分

1内容

本规程规定了本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管

（IGBT）来料检验的抽样方式、接收标准、检验测试方法和所用测试仪器等具体要求。

2范围

本规程适用于本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管

（IGBT）来料检验和验收。

3引用标准

GB2828.1-2003 计数抽样检验程序第一部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

GB2421 电工电子产品基本环境试验规程总则

GB2423.22 电工电子产品基本环境试验规程试验Cb：恒定湿热试验方法GB2421 电工电子产品基本环境试验规程试验N：温度变化试验方法

GB4798.1电工电子产品应用环境条件贮存

4检验测试设备和测试方法

测试设备：DW4824型晶体管特性图示仪（或QT2型晶体管特性图示仪等）测试大功率晶体管专用转接夹具、插座或装置

数字万用表、不锈钢镊子等应手工具

晶体管特性图示仪、数字万用必须经检定合格并且在计量检定的有效期内。

人员素质：能熟练操作使用晶体管特性图示仪进行各种半导体器件参数测试，工作态度严谨、细心，持有检验测试操作合格证或许可证。

测试准备：

晶体管特性图示仪每次开启，必须预热五分钟。检查确认图示仪的技术状态完好方能进行测试。

每种器件在测试前都要做外观检查：管脚应光洁、明亮，管身标志清晰、无划痕，封装尺寸应符合订货要求。

4.1 绝缘栅N沟道双极晶体管IGBT

主要测试参数：

IGBT的特性曲线

IGBT的饱和压降V CES

IGBT的栅极阈值电压V GE（th）

IGBT的击穿电压V CER

测试方法：

现将上述特性参数的测试方法分述如下。

4.1.1 测IGBT的输出特性曲线

按附表1“常规测试/输出特性曲线”栏、测IGBT的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。正确连接相应的IGBT测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的IGBT，图示仪即显示一簇该IGBT的输出特性曲线。

该线簇应均匀、平滑、无畸变，为合格（如图1a所示）。否则为不合格（如

图1b所示）。

图 1

4.1.2 测IGBT的饱和压降V CES

在特性曲线中选择V GE=4.5V的一条曲线，它与I C=7.0A直线的交点所对应的V C电压值就是所测试的IGBT在V GE=4.50V、I C=7.0A时的饱和压降V CES。

V CES＜3.0V为合格。否则为不合格。

4.1.3 测IGBT的转移特性曲线

按附表1“常规测试/转移特性曲线”栏、测IGBT的要求调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。正确连接相应的IGBT测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的IGBT，图示仪即显示一簇该IGBT的转移特性曲线。

该线簇应当是一组幅度由小到大的、等间距的竖直线段。这些线段的一端在X轴上，另一端连接起来应当是一条平滑的曲线。

4.1.4 测IGBT的栅极阈值电压V GE（th）

观测特性曲线与I C=1mA直线的交点所对应的V BE电压值，就是该IGBT在该测试温度下的栅极阈值电压V GE（th）。此时V BE=V GE（th）。

所测得的V GE（th）在该IGBT的标称栅极阈值电压范围内为合格。否则为不合格。

4.1.5 测IGBT的击穿电压V CER

按附表1“击穿电压测试”栏、测IGBT的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。接入待测的IGBT并使栅极悬空，使峰值电压由0V缓慢增加，观测特性曲线的形状及击穿点电压，此电压在该IGBT的标称击穿电压范围内为合格。否则为不合格。

注意：操作人员应避免直接接触高压电极，并且每测试完一只IGBT的击穿电压，都要将“峰值电压调节”旋钮调节回0，以保障人员和设备安全。

4.2 达林顿大功率NPN晶体管

主要测试参数：

达林顿晶体管的共射输出特性曲线

达林顿晶体管的饱和压降BV CES

达林顿晶体管的共射极电流放大系数β

达林顿晶体管的反向击穿电压BV CE0

测试方法：

现将上述特性参数的测试方法分述如下。

4.2.1 测达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线

按附表1“常规测试/输出特性曲线”栏、测达林顿晶体管的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。正确连接相应的达林顿晶体管测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的IGBT，图示仪即显示一簇该达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线。

该线簇应均匀、平滑、无畸变，为合格（如图2a所示）。否则为不合格（如图2b所示）。

图 2

4.2.2 测达林顿晶体管的饱和压降BV CES

观测达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线I C=6A的直线与饱和区某一特性曲线的交点所对应的V CE值，就是该测达林顿晶体管在基极注入电流足够大且集电极电流I C=6A时的饱和压降V CES。

观测到的V CES值在该达林顿晶体管的标称饱和压降范围内为合格，否则为不合格。

4.2.3 测达林顿晶体管的共射极电流放大系数β

观测达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线I C=6A的直线与放大区某一特性曲线的交点所对应的I B值，即可粗略地计算出在该工作点对应的共发射极电流放大系数β

β=（1.01～1.20）I C/I B

β值在该达林顿晶体管的标称电流放大系数范围内为合格，否则为不合格。4.2.4 测达林顿晶体管的反向击穿电压BV CE0

按附表1“击穿电压测试”栏、测达林顿晶体管的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。接入待测的达林顿晶体管并使基极悬空，使峰值电压由0V缓慢增加，观测特性曲线的形状及击穿点电压V CE，此电压即为达林顿晶体管基极开路时的击穿电压BV CE0，BV CE0在该达林顿晶体管的标称击穿电压范围内为合格。否则为不合格。

注意：操作人员应避免直接接触高压电极，并且每测试完一只达林顿晶体管的反向击穿电压，都要将“峰值电压调节”旋钮调节回0，以保障人员和设备安全。

4.3 小功率晶体管

主要测试参数：

小功率晶体管的共发射极输出特性曲线

小功率晶体管的饱和压降V CES

小功率晶体管的共射极电流放大系数β

小功率晶体管基极开路时的反向击穿电压BV CE0

小功率晶体管基极开路时的穿透电流I CE0

测试方法：

现将上述特性参数的测试方法分述如下。

4.3.1 测小功率晶体管的共发射极输出特性曲线

按附表1“常规测试/输出特性曲线”栏、测NPN晶体管的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。正确连接相应的NPN晶体管测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的小功率NPN晶体管，图示仪即显示一簇该小功率NPN晶体管的共发射极输出特性曲线。

该线簇应均匀、平滑、无畸变，为合格（如图3a所示）。否则为不合格（如图3b所示）。

PNP晶体管

NPN晶体管

图 3

4.3.2 测小功率晶体管的饱和压降BV CES

观测小功率NPN晶体管的共发射极输出特性曲线I C=10mA的直线与饱和区某一特性曲线的交点所对应的V CE值，就是该小功率NPN晶体管在基极注入电流足够大且集电极电流I C=10mA时的饱和压降BV CES。

观测到的V CES值在该小功率晶体管的标称饱和压降范围内为合格，否则为不合格。

4.3.3 测小功率晶体管的共射极电流放大系数β

观小功率NPN晶体管的共发射极输出特性曲线I C=10mA的直线与放大区某一特性曲线的交点所对应的I B值，即可粗略地计算出在该工作点对应的共发射极电流放大系数β

β=（1.01～1.20）I C/I B

β值在该小功率NPN晶体管的标称电流放大系数范围内为合格，否则为不合格。

4.3.4 测小功率晶体管基极开路时的反向击穿电压BV CE0

按附表1“击穿电压测试”栏、测小功率NPN晶体管的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。接入待测的小功率NPN并使基极悬空，使峰值电压由0V缓慢增加，观测特性曲线的形状及击穿点电压V CE，此电压即为小功率NPN晶体管基极开路时的击穿电压BV CE0，BV CE0在该小功率晶体管的标称击穿电压范围内为合格。否则为不合格。

4.3.5 测小功率晶体管基射极开路时的穿透电流I CE0

在测小功率晶体管基极开路时的反向击穿电压BV CE0的基础上，将“阶梯作用”转向“关”状态，Y轴集电极电流调整到0.1×0.01mA(或0.5×0.01mA或最小电流档)。接入待测的小功率NPN并使基极悬空，使峰值电压由0V缓慢增加，观测在被测小功率晶体管正常工作电压范围内的集电极电流值I C，此电流就是该小功率晶体管基极开路时的穿透电流I CE0。

所测得的I CE0在该小功率晶体管基射极开路时的穿透电流I CE0的标称范围内，为合格，否则为不合格。

PNP小功率晶体管的测试方法与此基本相同。只是要按附表1各测试项目栏中测NPN晶体管的要求调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。

4.4 二极管

主要测试参数：

二极管的V-A特性曲线

二极管的正向压降V F

二极管的反向电流I0

二极管的反向击穿电压BV R

测试方法：

现将上述特性参数的测试方法分述如下。

4.4.1 测二极管的V-A特性曲线

按附表1“常规测试/输出特性曲线”栏、测二极管的要求调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。正确连接相应的二极管测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的二极管，图示仪即显示该二极管的V-A特性曲线。

该曲线应平滑、陡峭、呈指数变化，为合格（如图4a所示）。否则为不合格（如图4b所示）。

图 4

4.4.2 测二极管的正向电压降V F

对应于特性曲线上标称工作电流值的垂直直线与X轴的交点所对应的电压坐标值，即是在该电流下二极管的正向电压降V F。

所测得的二极管的正向电压降，在该二极管的标称值范围内为合格，否则为不合格。

4.4.3 测二极管的反向电流I0

按附表1“击穿电压测试”栏、测二极管的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。接入待测的二极管，使峰值电压由0V缓慢增加，观测在被测二极管正常工作电压范围内的反向电流值I0。

所测得的反向电流I0，在该二极管的标称值范围内为合格，否则为不合格。

4.4.4 测二极管的反向击穿电压BV R

紧接着反向电流的测试，使峰值电压继续缓慢增加，观测在被测二极管刚刚被击穿时

的击穿点的电压值，就是该二极管的反向击穿电压BV R。

所测得的反向击穿电压BV R，在该二极管的标称值范围内为合格，否则为不合格。

4.5 可焊性检查(槽焊法)

以上半导体器件的引出脚都要按下述方法进行可焊性检查。

4.5.1 锡槽温度：235±5℃；浸渍时间3±0.5S；浸入深度：与引出脚或焊盘平齐。

4.5.2 试验完毕用5倍以上的放大镜检查，浸渍部位表面应浸润覆盖一层光滑

的、明亮的焊锡涂层，缺陷比率（例如针孔或出现未浸润面）不得多于5%，且这些缺陷不得集中在元件的相同部位。

5 验收规则

如果没有特殊规定，电子元器件的验收，应包括抽样检验和接收试验。

5.1 抽样

样品应按正常检验AQL一次抽样方案，从来料批中随机抽取。AQL按表5—1的规定，检查水平Ⅱ。

5.2 检验项目及测试方法

检验项目及测试方法如表5—1所列

表5—1 检验项目和测试方法

注：特殊检验：是指对于那些经长期考核的质量信得过单位或合格器材供应单位而言的，对于他们供应的器件，已经委托该器材供应单位代为检验。此

处抽验只起监督作用。此外还

要定期抽样进行接收试验。

5.3 接收试验

接收试验的样品从常规检验合格的样品中抽取，样品数量随来料批量的大小来定。一般每种器件应取5～10只为宜。

试验项目与试验方法如表5—2所列。

表5—2 试验项目与试验方法

注：表中的“n”为样品数

5.4 不合格品处理

检验的不合格批，退供应部门处理。

如果生产急需，检验不合格的项目又非器件的主要性能指标时，可安排进行

100%的筛选测试，将筛选出来的合格品验收入库，不合格品退供应部门处理。附表1 测试IGBT、功率达林顿晶体管、小功率NPN/PNP管、1N系列二极管时

晶体管特性图示仪的开关档位

半导体三极管β值测量仪设计

半导体三极管β值测量仪设计与制作摘要：在电子产品设计、制作与维修中，经常需要测量三极管的放大系数β，而万用表自带的简易β测试装置准确性很差，为此本项目设计一个高精度β值测量仪。关键词： 1．引言 2．设计要求 2.1基本要求（1）被测三极管为NPN型，β值范围为β<300。（2）用三个数码管显示β的大小，分别显示个位、十位和百位。显示范围为0-199。（3）响应时间不超过2秒，显示器显示读数清晰，注意避免出现“叠加现象”。（4）β值超过测量范围时声光报警。（5）电源采用5V或±5V供电。 2.2扩充要求（1）可以测量任意极性（NPN、PNP）的三极管。（2）三极管内部断路或短路时能发出警报声，要与β值超过测量范围时的报警声区别开来。 2.3设计提示将三极管β值转换为其他可用仪器测量的物理量来进行测量，如电压，根据三极管电流I C=βI B的关系，当I B为固定值时，I C反映了β的变化，电阻R C上的电压V RC又反映了I C的变化，对V RC进行伏频转换，转换后的频率f就反映了β值的大小，然后再用计数器对f的信号进行一定时间的计数，最后通过计数器的

保持输出经译码电路就可以显示β值。系统方框如下图2-1所示。图2-1 3．电路设计与器件选择 3.1方案比较 3.1.1方案一如下图3-1所示。图3-1 方案一如图3-1，T1、T2、R1、R3构成微电流源电路，R2是被测管T3的基极电流取样电阻，R4是集电极电流取样电阻。由运放构成的差动放大电路，实现电压取样及隔离放大作用。根据三极管电流I C=βI B的关系，当I B为固定值时，I C随着β的变化而变化，电阻R C上的电压V RC 正好反映了I C的变化，所以，我们对V RC取样加入后级，进行分档比较。从而实现目的。该电路用微电流源为基极取样电阻提供稳恒的电流，这样便于测量β值。 3.1.2方案二电路如下图3-2所示. 图3-2 方案二

电子元件来料检验标准(doc 32页)

上海零线电气有限公司文件编号：Q/LSD3401.1-2010 编制： QA规范来料检验版本号： A 页码:1 本页修改序号：00

1．目的对本公司的进货原材料按规定进行检验和试验，确保产品的最终质量。 2．范围适用于本公司对原材料的入库检验。 3．职责检验员按检验手册对原材料进行检验与判定，并对检验结果的正确性负责。 4．检验 4.1检验方式：抽样检验。 4.2抽样方案：元器件类:按照GB 2828-87 正常检查一次抽样方案一般检查水平Ⅱ进行。非元器件类:按照GB 2828-87 正常检查一次抽样方案特殊检查水平Ⅲ进行。盘带包装物料按每盘取3只进行测试。替代法检验的物料其替代数量依据本公司产品用量的2～３倍进行替代测试。 4.3合格质量水平：A类不合格 AQL=0.4 B类不合格 AQL=1.5 替代法测试的物料必须全部满足指标要求。 4.4 定义： A类不合格：指对本公司产品性能、安全、利益有严重影响不合格项目。 B类不合格：指对本公司产品性能影响轻微可限度接受的不合格项目。 5．检验仪器、仪表、量具的要求所有的检验仪器、仪表、量具必须在校正计量期内。 6. 检验结果记录在“IQC来料检验报告”中。文件编号：Q/LSD3401.2-2010 上海零线电气有限公司编制： QA规范来料检验版本号：页码:2

本页修改序号：00 目录材料名称材料类型页数电阻器元器件类 3 电容器（无极性）元器件类 4 电容器（有极性）元器件类 5 电感器元器件类 6 集成电路元器件类7,8 线路板元器件类9 二极管元器件类10 三极管元器件类11 塑料件非元器件类12 场效应管/IGBT 元器件类13 插针、插座元器件类14 线材非元器件类15 高频变压器元器件类16 螺钉、铜螺柱、8字扣、万向转非元器件类17 三端稳压器（78L05）元器件类18 控制变压器非元器件类19 数显表元器件类20 扎带非元器件类21 说明书、包装箱等印刷品非元器件类22 海绵胶条、贴片非元器件类23 热缩套管非元器件类24 跳线非元器件类25 蜂鸣片元器件类26 蜂鸣器元器件类27 晶体、陶振、滤波器元器件类28 继电器元器件类29 自恢复保险丝元器件类30 送丝机构元器件类31 辅料非元器件类32

半导体三极管测试题

第二章半导体三极管测试题班级：____________ 姓名：____________ 份数：____________ 一、填空题（1分/空，共40分） 1.三极管有两个PN结，即__________结和__________结；有三个电极，即_______极、_______极和_______极。 2.半导体三极管有______________型和______________型。 3.某半导体三极管的Uce不变，基极电流I B=30μA时，Ic=1.2mA，则发射极电流 I E=_______mA。如果基极电流I B增大到50μA时，Ic增加到2mA，则发射极电流 I E=_______mA，三极管的电流放大系数β=_______。 4.三极管基极电流I B的微小变化，将会引起集电极电流Ic的较大变化，说明三极管具有_______作用。 5.当Uce不变时，__________________和_____________之间的关系曲线称为三极管的输入特性。 6.硅三极管发射结的死区电压约为_______V，锗三极管的死区电压约为_______V。半导体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为_______V，锗管的导通电压约为_______V。 7.三极管工作在放大状态时，其_______结必反偏，_______结必正偏，集电极电流与基极电流的关系是_______，其中__________最大，__________最小。由于I B的数值远远小于Ic，如忽略I B，则Ic_______I E。 8.当三极管的发射结_______，集电结_______时，工作在放大区；发射结_______，集电结_______或零偏时，工作在饱和区；发射结_______或零偏，集电结_______时，工作在截止区。 9.半导体三极管放大的实质是_______，即_____________________________。 10.三极管工作在饱和区时，Ic决定于_____________，而与_______无关，这时三极管_______（有、无）电流放大作用。11.三极管的输出特性分为_______、放大、_______三个区。工作在放大区时必须使三极管的_______结正向偏置，_______反向偏置。 12.工作在放大状态的三极管可作为_______器件；工作在截止饱和状态的三极管可作为_______器件。二、判断题（1分/题，共10分） 1.三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。（） 2.三极管由两个PN结组成，所以可以用两只二极管组合构成三极管。（） 3.三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所以集电极和发射极可以互换使用。（） 4.发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。（） 5.发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。（） 6.测得正常放大电路中，三极管的三个管脚电位分别是-9V、-6V、和-6.3V，则这个三极管是PNP型锗管。（） 7.某三极管的I B=10μA时，Ic=0.44mA；当I B=20μA时，Ic=0.89mA，则它的电流放大系数为45. （） 8.三极管是电压放大器件。（） 9.三极管的输入特性与二极管的正向特性曲线相似。（） 10.选择半导体三极管时，只要考虑其P CM＜I c U ce即可。（）三、选择题（2分/题，共40分） 1.三极管按内部结构不同，可分为（）。 A.NPN型 B.PNP型 C.硅管 D.锗管 2.三极管按材料不同，可分为（）。 A.NPN型 B.PNP型 C.硅管 D.锗管 3.关于三极管，下面说法错误的是（）。 A.有NPN和PNP两种 B.有电流放大能力 C.发射极和集电极不能互换使用 D.等于两个二极管的简单组合 4.三极管放大的实质，实际就是（）。 A.将小能量换成大能量 B.将低电压放大成高电压 C.将小电流放大成大电流 D.用较小的电流控制较大的电流 5.在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是（）

半导体三极管的工作原理(精)

半导体三极管的工作原理半导体三极管的工作原理 PNP 型半导体三极管和NPN 型半导体三极管的基本工作原理完全一样，下面以NPN 型半导体三极管为例来说明其内部的电流传输过程，进而介绍它的工作原理。半导体三极管常用的连接电路如图15-3 (a) 所示。半导体三极管内部的电流传输过程如图15-3 (b) 所示。半导体三极管中的电流传输可分为三个阶段。 1 发射区向基区发射电子电源接通后，发射结为正向连接。在正向电场作用下，发射区的多数载流子(电子)的扩散运动加强。因此，发射区的电子很容易在外电场的作用下越过发射结进入基区，形成电子流IEN(注意电流的方向与电子运动的方向相反)。当然，基区的多数载流子(空穴)也会在外电场的作用下流向发射区，形成空穴电流IEP。但由于基区的杂质浓度很低，与从发射区来的电子流相比， IEP可以忽略不计，所以发射极电流为: 2. 电子在基区中的扩散与复合从发射区扩散到基区的电子到达基区后，由于基区靠发射区的一侧电子浓度较大，靠集电区一侧电子浓度较小.所以电子继续向集电区扩散。在扩散过程中，电子有可能与基区的空六相遇而复合，基极电源、EB不断提供空穴，这就形成了

基极电流IBN 。由于基区很薄，而空穴浓度低，电子与空穴复合的机会很少，大部分电子继续向集电区扩散。此外，半导体三极管工作时，集电结为反向连接，在反向电场作用下，基区与集电区之间少数载流子的漂移运动加强c 因基区载流子很少.电子更少，故漂移运动主要是集电区的空穴流向基区。漂移运动形成的电流ICBO的数值很小，而且与外加电场的大小关系不大，它被称为集电极反向饱和电流因此，基极电流为 3. 集电极电流的形成由于集电结加的是反向电场，经过基区继续向集电区方向扩散的电子是逆电场方向的，所以受到拉力，加速流向集电区.形成电子流ICN 。如果考虑集电极饱和电流ICBO的影响，集电极电流应为: 从半导体三极管外电路看，流入管子的电流必须等于流出的电流，所以从半导体三极管电流传输过程中可以看出，集电极电流IC很大，而基极电流IB 很小。另外，由于三极管本身的结构已定，所以IC和IB在相当大的一个范围内总存在一个固定的比例关系，即其中β表示IC与IB的关系.称为共发射极的直流放大系数，β大于1 ，一般为20 -200 。由于IC和IB存在一定的比例关系，而且IE=lC+IB，所以半导体三极管起着一种电流分配器的作用，即把发射极电流IE 按一定的分配关系分成I C和IB。IC远大于IB 。因存在这种分配关系，所以只要使IB略有增加， IC就会增加很多，这就起到了放大作用。

半导体三极管β值测量仪

摘要半导体三极管β值测量仪是用来测量NPN型三极管电流放大倍数β值的一种简易仪器。它的设计分为几个部分，首先是转化电路，用微电流电路使晶体管基极电流为一定值，用转化电路将所求c I转换为电压来测量。然后是比较电路，将转换电路得来的电压与所预设的基准电压比较即可知道β值的范围具体是在80~120,120~160还是160~200之间，其中基准电压用电阻分压的形式得到，大于对应的基准电压输出高电平，否则输出低电平，由比较电路的到比较结果后，将对应β值的由高到低的比较结果连接到发光二极管的阳极并且将二极管阴极接地这样即可实现当没有接入三极管或者β<80时，四个发光二极管全灭；80<β<120时，发光二极管亮一只；120<β<160时，发光二极管亮两个；160<β<200时，亮三个发光二极管；当β>200时，四只发光二极管全亮。关键词：NPN三极管；转换电路；比较电路；发光二极管

一、总体方案与原理说明 1、总体方案框图如图： 2、各部分电路功能的简单说明： ① 转换电路：它是用与把不能直接用仪器测量的NPN 型三极管β值转换成可以直接被测量的集电极电压，再把这个电压采样放大，为下一级电压比较电路提供采样电压，其中包括提供恒定电流的电路和起放大隔离的差动放大电路。 ② 电压比较电路：由于被测量的物理量要分三档（即β值分别为80～120，120～160及160 ～200对应的分档编号分别是1、2、3）还要考虑到少于80，和大于200的，于是比较电路需要把结果分成五个层次。则至少需要四个基准电压，该电路就是有一个串联电阻网络产生四个不同的基准电压，再用四个运算放大器组成的比较电路，将取样信号同时加到具有不同基准电压的比较电路输入端进行比较，对应某一定值 o U ，相应的一个比较电路输出为高电平，其余比较器输出为低电平。 ③显示：该电路功能是用发光二极管显示被测量的NPN 型三极管β值的档次。二、原理及技术指标 1.转换电路转换电路要将变化的三极管β值转化为与之成正比变化的电压量，再取样进行比较、分档。上述转换过程可由以下方案实现：（1）微电流源电路为了获得极其微小的输出电流（如三极管基极电流比较小），这时可令其电路图如下：转换电路比较电路基准电压显示电路

半导体二极管三极管来料检验规程

半导体二极管三极管来料检验规程集团标准化工作小组 [Q8QX9QT-X8QQB8Q8-NQ8QJ8-M8QMN]

电子元器件来料检验规程（一）半导体晶体管部分 1内容本规程规定了本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管（IGBT）来料检验的抽样方式、接收标准、检验测试方法和所用测试仪器等具体要求。2范围本规程适用于本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管（IGBT）来料检验和验收。 3引用标准计数抽样检验程序第一部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划GB2421 电工电子产品基本环境试验规程总则电工电子产品基本环境试验规程试验Cb：恒定湿热试验方法 GB2421 电工电子产品基本环境试验规程试验N：温度变化试验方法电工电子产品应用环境条件贮存 4检验测试设备和测试方法测试设备：DW4824型晶体管特性图示仪（或QT2型晶体管特性图示仪等）测试大功率晶体管专用转接夹具、插座或装置数字万用表、不锈钢镊子等应手工具晶体管特性图示仪、数字万用必须经检定合格并且在计量检定的有效期内。人员素质：能熟练操作使用晶体管特性图示仪进行各种半导体器件参数测试，工作态度严谨、细心，持有检验测试操作合格证或许可证。测试准备：晶体管特性图示仪每次开启，必须预热五分钟。检查确认图示仪的技术状态完好方能进行测试。每种器件在测试前都要做外观检查：管脚应光洁、明亮，管身标志清晰、无划痕，封装尺寸应符合订货要求。绝缘栅N沟道双极晶体管IGBT 主要测试参数： IGBT的特性曲线 IGBT的饱和压降V CES IGBT的栅极阈值电压V GE（th） IGBT的击穿电压V CER 测试方法：现将上述特性参数的测试方法分述如下。测IGBT的输出特性曲线

半导体三极管β值及范围测量仪设计报告

课程设计课题名称：半导体三极管β值及范围测量仪完成人：班级：学号：时间：

（一）设计内容及要求 1. 设计内容：制作一个自动测量NPN 型硅三极管β值的显示测试仪。 2. 设计要求： 1）对被测NPN 型三极管值分三档 2）β值的范围分别为80～120及120～160，160～200对应的分档编号分别是1、2、3；待测三极管为空时显示0，超过200显示4。 3）用数码管显示β值的档次 4）发挥部分：用三个数码管显示β的大小，分别显示个位、十位和百位。显示范围为0-199；响应时间不超过2秒，显示器显示读数清晰，注意避免出现“叠加现象”。（二）电路设计电路设计整体框图（三）实验器件示波器 1台万用表 1台直流稳压电源 1 台

模拟实验装置 1台数字试验箱 1台四运放LM324 555定时器三极管二极管、稳压管电位器、电阻器、电容器 CD4532、CD4511 数码管（四）参数计算及元器件选择 1)微电流源（图1）：R1Q21Q 、、构成微电流源电路,Q3为待测三级管,微电流源提供基极电流b I ,R8提供输出电压。调节滑动变阻器1R 的阻值可以改变微电流源的输出电流b I ,b I 的选择应在A A μμ40~30之间为宜,且CE V 的选择应不小于V 1,以使三极管工作在合适的状态。取待测管的b I 值为A μ40，即A =μ40R I ，根据公式：R V V I BE CC R 1 -= 得出： R BE CC I V V R 1 1-= ，Ω=A ===K R I V V V V R BE CC 5.3571,40,7.0,151得：μ，最终输出电压为b b I R I V ββ04.080==

(整理)【毕业设计】半导体三极管β值测量仪

【毕业设计】半导体三极管β值测量仪 2012课程设计论文题目：半导体三极管β值测量仪年级专业：学号：姓名： ________________ ____________ ____________ 摘要本设计以集成运放LM324为核心器件并加以555定时器、编码、译码等器件搭接而成。在基本部分，首先自制微电流源产生恒定电流，作为待测三极管的基极电流，根据三极管电流IC=βIB的关系，当IB为固定值时，IC反映了β的变化，集电极电阻上的电压又反映了IC，用差分电路从待测三极管的集电极采集电压，即将变化的β值转化为与之成正比变化的电压量，再进行电压比较、分档，将连续变化的模拟量转化成高低电平0和1，再用CD4532编码、CD4511译码，显示部分采用共阴七段数码显示管。在发挥部分，设计压控振荡器将采集的电压量转化成与之成正比变化的频率，合理设定参数使在一定时间内通过的脉冲个数即为被测三极管的β值；计数时间控制信号是基于555定时器设计而成的多谐振荡器产生；74LS90构成十进制计加法计数器，用于计数脉冲的个数，计数时间结束时将计数值送74LS194锁存，并在计数时间信号的控制下将锁存数值送至CD4511译码，最后由共阴七段数码显示管显示计数值。纵观整体，本设计集所学电子技术大部分知识，

其中前半部分的微电流源、采样电路、电压比较电路以及压控振荡电路均属于模拟部分，而后半部分的编码、译码、定时及显示部分则属于数电部分。设计完成后首先在计算机上用multisim仿真优化设计方案，仿真正确后在面包板身上安装、调试。关键词：三极管β值、微电流源、压控振荡器目录 - 1 - 一、设计任务 ----------------------------------------------------------------------------------------------- -3- 二、设计要求 ----------------------------------------------------------------------------------------------- -3- 三、电路设计 ----------------------------------------------------------------------------------------------- -3- 3.1 设计思路 ----------------------------------------------------------------------------------------- -3- 3.1.1 基础部分 --------------------------------------------------------------------------------- -3- 3.1.2 发挥部分 --------------------------------------------------------------------------------- -6- 3.2 参数计算及部分元器件说明 ------------------------------------------------------------------- -9- 3.1.1 基础部分

三极管检验作业指导书 Rev.B

三极管检验作业指导书 1.目的和范围确定三极管检查步骤及方法，指导检验员进行三极管来料的品质检查。具体检验项目参考《来料检验记录》。 2. 定义: 2.1 不合格品: 凡是不符合产品图纸、工艺文件和技术标准的产品、无任何标识的产品。 2.2 AQL: 可接收的质量水平。 2.3 Plan C=0: 零缺陷(样本经检验后是零缺陷方可接收)。 2.4 SCAR: 针对公司内部产生不合格品时，要求责任部门采取纠正预防措施的报告。 2.5 ICAR: 针对公司供应商产生不合格品时，要求供应商采取纠正预防措施的报告。 2.6 NCS: 异常通知单，用来报告不合格品的表格，同时请求处置和纠正预防措施。 3. 职责 3.1来料品质检查员负责抽样检验，鉴别产品是否符合品质标准要求。 3.2质量工程师根据异常通知单所反馈来料不良情况,确定处理意见。 4. 授权 4.1质保经理 5. 程序 5.1 目检：

5.2 引脚可焊性试验：方法为引脚上助焊剂，放入小锡炉(温度为235±10°C）3秒钟后拿出，引脚上锡覆盖面应大于95%以上。若上锡后引脚表面有小气泡,或焊锡轻易剥落,为上锡不良，属严重缺陷。 5.3 电性能检测：用晶体管特性图示仪测量出值，符合规格要求；如产品对三极管某一参数有特别要求时须测其参数，如VCE饱和压降。三极管检验作业指导书 5.4 尺寸测量：参考产品规格书或图纸要求。 6. 参考程序 6.1 不合格品控制程序AL/QP8301 6.2 纠正与预防措施程序AL/QP8502 7. 表格/记录 7.1 异常通知单FM-0027-XXXX 7.2 来料检验记录FM-0013-XXXX 7.3 ICAR FM-0028-XXXX 7.4 SCAR FM-0029-XXXX

实验一半导体二极管与三极管的识别与简单测试

图1 二极管外型图实验一常用半导体器件的识别与简单测试一．实验目的 1．掌握用万用表判别二极管的极性。测量二极管的正向压降及稳压管的稳压值。 2．掌握用万用表判别三极管的类型和e 、b 、c 三个管脚。二．预备知识半导体二极管和三极管是组成分立元件电子电路的核心器件。二极管具有单向导电性，可用于整流、检波、稳压、混频电路中。三极管对信号具有放大作用和开关作用，它们的管壳上都印有规格和型号。（一）．二极管的识别与简单测试 1．普通二极管的识别与简单测试普通二极管一般为塑料封装和金属封装两种，它们的外壳上均印有型号和标记。标记箭头所指方向为阴极，如图1所示。国外的产品一般在阴极端印有一个标记。若遇到型号标记不清或不能确定其极性时，我们可以借助数字万用表的“”档作简单判别。测量原理：该挡测量时输出一个恒定电流约为1mA ，显示值为二极管正向压降近似值，单位是mV ；显示溢出数“1”，表示无穷大。具体做法是：用红、黑两表笔分别接触二极管的两个引脚。假如先显示溢出数“1”(反向)，再交换两表笔．必然为正向测试。假设显示的读数为617。这说明：①二极管是好的。② 二极管的正向压降为617mV 即 O.617 V 。③显示正向压降时，红表笔所接的引脚为二极管的正极，黑表笔所接则为负极。假如两次测量均显示溢出数“1”或两次均有较小的压降读数的话，表明该二极管已损坏。在数字万用表中，“”挡和欧姆档红表笔是高电位，黑表笔低电位，正好与指针式模拟万用表相反。 2．特殊二极管的识别与简单测试特殊二极管的种类较多，在此我们只介绍两种常用的特殊二极管。 ①．发光二极管(LED) 发光二极管通常是用砷化镓、磷化镓等制成的一种新型器件。它具有工作电压低、耗电少、响应速度快、抗冲击、耐振动、性能好以及轻而小的特点，被广泛应用于单个显示电路或作成七段矩阵式显示器。而在电路实验中，常用作逻辑显示器。发光二极管的电路符号如图2（a ）所示。发光二极管和普通二极管一样内部有一PN 结，具有单向导电性，正向导通时才能发光。发光二极管发光颜色有多种，例如红、绿、黄等，形状有圆形和长方形等。发光二极管出厂时，一根引线做得比另一根引线长，通常，较长的引线表示阳极(+)，另一根为阴极(-)，如图2（b ）所示。若辨别不出引线的长短，则可以用辨别普通二极管管脚的方法来辨别其阳极和阴极。发光二极管正向工作电压一般在1.5~3V ，允许通过的电流为2~20mA ，电流的大小决定发光的亮度。电压、电流的大小依器件型号不同而稍有差异。若与5V 电源相连接使用时，一般需串接一个470Ω的降压电阻，以防止器件的损坏。用数字万用表的“ ” （a ）符号（b ）外形图2 发光二极管

半导体三极管综合知识

半导体三极管综合知识 5.1 半导体三极管英文缩写：Q/T 5.2 半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。 5.3半导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。 NPN型，锗管多为PNP型。 `E(集电极集电极) B(基极) NPN型三极管 PNP型三极管 5.4 半导体三极管放大的条件:要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压，即管子发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。 5.5 半导体三极管的主要参数 a; 电流放大系数：对于三极管的电流分配规律Ie=Ib+Ic,由于基极电流Ib的变化，使集电极电流Ic发生更大的变化，即基极电流Ib的微小变化控制了集电极电流较大，这就是三极管的电流放大原理。即β=ΔIc/ΔIb。 b;极间反向电流，集电极与基极的反向饱和电流。 c;极限参数：反向击穿电压，集电极最大允许电流、集电极最大允许功率损耗。 5.6半导体三极管具有三种工作状态，放大、饱和、截止，在模拟电路中一般使用放大作用。饱和和截止状态一般合用在数字电路中。 a;半导体三极管的三种基本的放大电路。

b;三极管三种放大电路的区别及判断可以从放大电路中通过交流信号的传输路径来判断，没有交流信号通过的极，就叫此极为公共极。

注：交流信号从基极输入，集电极输出，那发射极就叫公共极。交流信号从基极输入，发射极输出，那集电极就叫公共极。交流信号从发射极输入，集电极输出，那基极就叫公共极。 5.7 用万用表判断半导体三极管的极性和类型(用指针式万用表). a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位. b;判别半导体三极管基极：用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极，红表笔分别接半导体三极管另外两各电极，观察指针偏转，若两次的测量阻值都大或是都小，则改脚所接就是基极（两次阻值都小的为NPN型管，两次阻值都大的为PNP型管），若两次测量阻值一大一小，则用黑笔重新固定半导体三极管一个引脚极继续测量，直到找到基极。 c;.判别半导体三极管的c极和e极：确定基极后，对于NPN管，用万用表两表笔接三极管另外两极，交替测量两次，若两次测量的结果不相等，则其中测得阻值较小得一次黑笔接的是e极，红笔接得是c极（若是PNP型管则黑红表笔所接得电极相反）。 d; 判别半导体三极管的类型. 如果已知某个半导体三极管的基极,可以用红表笔接基极,黑表笔分别测量其另外两个电极引脚,如果测得的电阻值很大,则该三极管是NPN型半导体三极管,如果测量的电阻值都很小,则该三极管是PNP型半导体三极管. 5.8 现在常见的三极管大部分是塑封的，如何准确判断三极管的三只引脚哪个是b、c、e？三极管的b极很容易测出来，但怎么断定哪个是c哪个是e？ a; 这里推荐三种方法：第一种方法：对于有测三极管hFE插孔的指针表，先测出b极后，将三极管随意插到插孔中去（当然b极是可以插准确的），测一下hFE值， b;然后再将管子倒过来再测一遍，测得hFE值比较大的一次，各管脚插入的位置是正确的。第二种方法：对无hFE 测量插孔的表，或管子太大不方便插入插孔的,可以用这种方法：对NPN管，先测出b极（管子是NPN还是PNP以及其b脚都很容易测出，是吧？），将表置于R×1kΩ档，将红表笔接假设的e极（注意拿红表笔的手不要碰到表笔尖或管脚），黑表笔接假设的c极，同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，将管子拿起来，用你的舌尖舔一下b极，看表头指针应有一定的偏转，如果你各表笔接得正确，指针偏转会大些，如果接得不对，指针偏转会小些，差别是很明显的。由此就可判定管子的c、e极。对PNP管，要将黑表笔接假设的e极（手不要碰到笔尖或管脚），红表笔接假设的c极，同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，然后用舌尖舔一下b极，如果各表笔接得正确，表头指针会偏转得比较大。当然测量时表笔要交换一下测两次，比较读数后才能最后判定。这个方法适用于所有外形的三极管，方便实用。根据表针的偏转幅度，还可以估计出管子的放大能力，当然这是凭经验的。 c;第三种方法：先判定管子的NPN或PNP类型及其b极后，将表置于R×10kΩ档，对NPN管，黑表笔接e极，红表笔

半导体二极管和三极管分析

第7章半导体二极管和三极管 7.1 半导体的基本知识 7.2 PN结 7.3 半导体二极管 7.4 稳压二极管 7.5 半导体三极管

第7章半导体二极管和三极管本章要求：一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和电流放大作用；二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；三、会分析含有二极管的电路。

对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。

7.1 半导体的基本知识半导体的导电特性： (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强

7.1.1 本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构共价健共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si 价电子

Si Si Si Si 价电子价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。本征半导体的导电机理这一现象称为本征激发。空穴温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。自由电子在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。

半导体三极管及其基本电路试题及标准答案

第二章半导体三极管及其基本电路一、填空题 1、(2-1，中)当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。 2、(2-1，低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。 3、(2-1，低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。 4、(2-1，中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。 5、(2-1，低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。 6、(2-1，中)为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则 I B，这样可克服失真。 7、(2-1，低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。 8、(2-1，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。 9、(2-1，低)共射组态既有放大作用，又有放大作用。 10、(2-1，中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极为输出端。 11、(2-1，难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。可判定该三极管是工作于区的型的三极管。 12、(2-1，难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断： a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）； b．管型是（NPN，PNP）； c．材料是（硅，锗）。 13、(2-1，中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是，电流分配关系是。 14、(2-1，低)温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致I C，静态工作

半导体三极管β值测量仪课程设计

目录第一部分设计任务设计题目及要求 (4) 备选方案设计与比较 (4) 1.2.1 方案一 (4) 1.2.2 方案二 (5) 1.2.4 各方案分析比较 (5) 第二部分设计方案总体设计方案说明 (8) 模块结构与方框图 (8) 第三部分电路设计与器件选择转换电路 (9) 3.1.1 模块电路及参数计算 (9) 3.1.2 工作原理和功能说明 (10) 3.1.3 器件说明（含结构图、管脚图、功能表等） (10) 基准电压产生电压比较电路 (10) 3.2.1 模块电路及参数计算 (10) 3.2.2 工作原理和功能说明 (11) 3.2.3 器件说明（含结构图、管脚图、功能表等） (11) 编码电路 (12) 3.3.1 模块电路及参数计算 (12) 3.3.2 工作原理和功能说明 (13) 3.3.3 器件说明（含结构图、管脚图、功能表等） (13) 译码及显示电路 (14) 3.4.1 模块电路及参数计算 (14) 3.4.2 工作原理和功能说明 (14) 3.4.3 器件说明（含结构图、管脚图、功能表等） (14) 第四部分整机电路整机电路图（非仿真图） (17) 元件清单 (18) 第五部分电路仿真

仿真软件简介 (19) 仿真电路图 (19) 仿真结果（附图） (19) 第六部分安装调试与性能测量电路安装 (22) （推荐附整机数码照片）电路调试 (22) 6.2.1 调试步骤及测量数据 (22) 6.2.2 故障分析及处理 (22) 整机性能指标测量（附数据、波形等） (22) 课程设计总结 (25)

第一部分设计任务设计任务和要求设计制作一个自动测量三极管直流放大系数β值范围地装置. 1、对被测NPN 型三极管值分三档； 2、β值地范围分别为80～120及120～160，160～200对应地分档编号分别是1、2、3；待测三极管为空时显示0，超过200显示4. 3、用数码管显示β值地档次； 4、电路采用5V 或正负5V 电源供电. 、备选方案设计与比较 1.2.1、方案一：（1）根据三极管电流IC=βIB 地关系，当IB 为固定值时，IC 反映了β地变化，所以我们可以将变化地β值转化为与之成正比变化地电流量；（2）电阻RC 上地电压VRC 又反映了IC 地变化，故得到了取样电压VRC ；（3）将取样电压量同时加到具有不同基准电压地比较电路输入端进行比较，对应某一定值 o U ，只有相应地一个比较电路输出为高电平，则其余比较器输出为低电平；（4）对比较器输出地高电平进行二进制编码；（5）经显示译码器译码；（6）驱动数码管显示出相应地档次代号. 1.2.2、方案二：（1）根据电压 o U ＝βIB R3 地关系，当IB 为固定值时， o U 反映了β地变化，所以我们

半导体三极管知识介绍

半导体三极管知识介绍 5.1 半导体三极管英文缩写：Q/T 5.2 半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。 5.3半导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。 NPN型，锗管多为PNP型。 `E() C(集电极) B(基极) NPN型三极管 PNP型三极管 5.4 半导体三极管放大的条件:要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压，即管子发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。 5.5 半导体三极管的主要参数 a; 电流放大系数：对于三极管的电流分配规律Ie=Ib+Ic,由于基极电流Ib的变化，使集电极电流Ic发生更大的变化，即基极电流Ib的微小变化控制了集电极电流较大，这就是三极管的电流放大原理。即β=ΔIc/ΔIb。 b;极间反向电流，集电极与基极的反向饱和电流。 c;极限参数：反向击穿电压，集电极最大允许电流、集电极最大允许功率损耗。 5.6半导体三极管具有三种工作状态，放大、饱和、截止，在模拟电路中一般使用放大作用。饱和和截止状态一般合用在数字电路中。 a;半导体三极管的三种基本的放大电路。

共射极放大电路共集电极放大电路 b;三极管三种放大电路的区别及判断可以从放大电路中通过交流信号的传输路径来判断，

没有交流信号通过的极，就叫此极为公共极。注：交流信号从基极输入，集电极输出，那发射极就叫公共极。交流信号从基极输入，发射极输出，那集电极就叫公共极。交流信号从发射极输入，集电极输出，那基极就叫公共极。 5.7 用万用表判断半导体三极管的极性和类型(用指针式万用表). a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位. b;判别半导体三极管基极：用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极，红表笔分别接半导体三极管另外两各电极，观察指针偏转，若两次的测量阻值都大或是都小，则改脚所接就是基极（两次阻值都小的为NPN型管，两次阻值都大的为PNP型管），若两次测量阻值一大一小，则用黑笔重新固定半导体三极管一个引脚极继续测量，直到找到基极。 c;.判别半导体三极管的c极和e极：确定基极后，对于NPN管，用万用表两表笔接三极管另外两极，交替测量两次，若两次测量的结果不相等，则其中测得阻值较小得一次黑笔接的是e极，红笔接得是c极（若是PNP型管则黑红表笔所接得电极相反）。 d; 判别半导体三极管的类型. 如果已知某个半导体三极管的基极,可以用红表笔接基极,黑表笔分别测量其另外两个电极引脚,如果测得的电阻值很大,则该三极管是NPN型半导体三极管,如果测量的电阻值都很小,则该三极管是PNP型半导体三极管. 5.8 现在常见的三极管大部分是塑封的，如何准确判断三极管的三只引脚哪个是b、c、e？三极管的b极很容易测出来，但怎么断定哪个是c哪个是e？ a; 这里推荐三种方法：第一种方法：对于有测三极管hFE插孔的指针表，先测出b极后，将三极管随意插到插孔中去（当然b极是可以插准确的），测一下hFE值，b;然后再将管子倒过来再测一遍，测得hFE值比较大的一次，各管脚插入的位置是正确的。第二种方法：对无hFE测量插孔的表，或管子太大不方便插入插孔的,可以用这种方法：对NPN管，先测出b极（管子是NPN还是PNP以及其b脚都很容易测出，是吧？），将表置于R×1kΩ档，将红表笔接假设的e极（注意拿红表笔的手不要碰到表笔尖或管脚），黑表笔接假设的c极，同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，将管子拿起来，用你的舌尖舔一下b 极，看表头指针应有一定的偏转，如果你各表笔接得正确，指针偏转会大些，如果接得不对，指针偏转会小些，差别是很明显的。由此就可判定管子的c、e极。对PNP管，要将黑表笔接假设的e极（手不要碰到笔尖或管脚），红表笔接假设的c极，同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，然后用舌尖舔一下b极，如果各表笔接得正确，表头指针会偏转得比较大。当然测量时表笔要交换一下测两次，比较读数后才能最后判定。这个方法适用于所有外形的三极

半导体极管三极管来料检验规程

半导体三极管β值测量仪设计

电子元件来料检验标准(doc 32页)

半导体三极管测试题

半导体三极管的工作原理(精)

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