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AOS的MOSFET管替换料

AOS的MOSFET管替换料

AOS的MOSFET管替换料:

P06P03LVG:30V@6A PMOS,SOP8,替换FDS9435,APM9435,AO4405,AP9435;

P06B03LVG:30V@5A,双PMOS,SI4953,FDS9933,Si9933,SI4947,IRF7314;

P0403BVG:30V@20A NMOS,SOP8,替换IRF7832,AO4410,SI4406;

P0803BVG:30V@15A NMOS,SOP8,替换FDS6680,FSD6670,AO4410,IRF7413;

P1203EVG:30V@12A PMOS,SOP,替换FDS6679 ,IRF7414,AO4413,AO4407;

P75N02LDG:25V@75A NMOS,替换AP85T03GH,ST90N02L,FDD6688;AOD448;

P1003EVG:30V@13A PMOS,SOP8,替换AO4409,AO4467,TPC8107,TPC8108;;

P1103BVG,30V@11A NMOS,SOP8,替换AO4422,AO4468,BSO119N03,APM4810;

P3205CMG,20V@5A NMOS,SOT23,替换APM2314,AO3406,AO3402,FDN335N;

P6404FMG,20V@4.5A PMOS,SOTER,替换SI3407, AP2305,MI2305,RTR030P02;

P5003QVG,P+NMOS,替换AO4606,AP4501,AP4503,AO4604,TPC8401,APM4548;

P0903BDG,NMOS,TO252,替换AP70T03GH,AOD452,AOD436,APM3009;;

PA002FMG,20V@3A PMOS,替换AO3401,AP2301, CPH3313,FDN33N;

P1503BVG,30V@11A NMOS,替换AO4468,IRF7401,FDS6694,SI4880;

P50N03LDG:27V@50A NMOS,替换IRFR3707ZPBF, FDD8780,AOD436,AOD472;

P3003EDG:30V@18A PMOS,替换AOD405,AOD421,AOD413;

P2003EVG,30@9A PMOS,替换SI4435,FDS4435,APM4435,AO4415;

P5506BDG,60V@10A NMOS,替换AOD442;

P2610ATG,100V@50A NMOS,替换IRF44N;

P0603BVG,30V@17A NMOS,替换IRF7821,SI4430,APM4340;

P5506HVG,60V@4.5A 双NMOS,替换AO4828,FDS6930,APM9971;

P2502IZG,20V@6A双NMOS,替换AO8830,AO8822,ECH8601,AO8814;

P6403FMG,30V@4A PMOS,替换APM2307,AP2309;

P2103NVG,30V@6A P+NMOS,替换FDS8858;

P1308ATG,75V@75A,替换ST75NF75,IRFS4610;APM7512;

P9006EDG,60V@7A,TO252,替换RFD15P05;

P2504BDG,40V@18A,替换AOD454,APM4030,AOD413;

P1604ED,40V@25A,替换SUD50P04,APM4015;

P5506NVG,60V P+N MOS,替换FDS4559,AOP607,APM4558;

P0403BK,30V@35A,NPAK,替换BSC042N03, FDS7088, BSC059N03;

P6002OAG,N+P,TSOP-6,替换FDC6333;

AS60:HALL开关,TSOT23,替换TLE4913;A3212;

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常用功率MOS管代换

常用功率MOS管代换 品牌INFINEON 型号09N03LA,IPS09N03L 封装TO-251 极限电压25(V) 极限电流50(A) 沟道类型N沟道 品牌INFINEON 型号09N05,SPD09N05 封装TO-252 极限电压55(V) 极限电流9.2(A) 沟道类型N沟道 品牌MOT/ON 型号20N03L,20N03HL 封装TO-252/TO-251 极限电压20(V) 极限电流30(A) 沟道类型N沟道

品牌MOT,ON,哈里斯 型号MTP3055,MTP2955 封装TO-220 极限电压60(V) 极限电流12(A) 品牌NIKO 型号P3057LD 封装TO-252 极限电压25(V) 极限电流12(A) 品牌ST 型号D38NH02L,STD38NH02L 封装TO-252 极限电压24(V) 极限电流38(A) 沟道类型N沟道 品牌NIKO 型号P45N02LD,P45N02LDG

封装TO-252 极限电压20(V) 极限电流45(A) 沟道类型N沟道 型号50N03 封装TO-252,TO-220 极限电流50A(A) 沟道类型N沟道 品牌PHILIPS 型号PHB55N03LTAS 封装TO-263 极限电压25(V) 极限电流55(A) 沟道类型N沟道 品牌IR,ST,三星,MOT,东芝,哈里斯型号IRF630 封装TO-220,TO-220F 极限电压200V(V) 极限电流9(A)

沟道类型N沟道 品牌MOT,IR,ST,FSC等型号IFR640 封装TO-220,T0-263 极限电压200V(V) 极限电流18A(A) 品牌FAIRCHILD 型号603AL 封装TO-252 极限电压30(V) 极限电流25(A) 沟道类型N沟道 品牌FAIRCHILD 型号FDD6676 封装TO-252 极限电压30(V) 极限电流78(A) 沟道类型N沟道

场效应管对照表

场效应管对照表(分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数) 本手册由"场效应管对照表"和"外形与管脚排列图"两部分组成。 在场效应管对照表中,收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管(JFET)、金属氧化物半导体场次晶体管(MOSFET)、肖特基势垒控制栅场效应晶体管(SB)、金属半导体场效应晶体管(MES)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、静电感应晶体管(SIT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等,型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号,其中含国产场效应晶体管型号。 1."型号"栏 表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。同一类型的场效应晶体型号编为一组,处于同一格子内,不用细线分开。2."厂家"栏 为了节省篇幅,仅列入主要厂家,且厂家名称采用缩写的形式表示。) 所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下: ADV 美国先进半导体公司 AEG 美国AEG公司 AEI 英国联合电子工业公司 AEL 英、德半导体器件股份公司 ALE 美国ALEGROMICRO 公司ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司AME 挪威微电子技术公司 AMP 美国安派克斯电子公司 AMS 美国微系统公司 APT 美国先进功率技术公司 ATE 意大利米兰ATES公司 ATT 美国电话电报公司 AVA 美、德先进技术公司 BEN 美国本迪克斯有限公司 BHA 印度BHARAT电子有限公司CAL 美国CALOGIC公司 CDI 印度大陆器件公司 CEN 美国中央半导体公司 CLV 美国CLEVITE晶体管公司 COL 美国COLLMER公司 CRI 美国克里姆森半导体公司 CTR 美国通信晶体管公司 CSA 美国CSA工业公司 DIC 美国狄克逊电子公司 DIO 美国二极管公司 DIR 美国DIRECTED ENERGR公司LUC 英、德LUCCAS电气股份公司MAC 美国M/A康姆半导体产品公司MAR 英国马可尼电子器件公司 MAL 美国MALLORY国际公司DIT 德国DITRATHERM公司ETC 美国电子晶体管公司 FCH 美国范恰得公司 FER 英、德费兰蒂有限公司 FJD 日本富士电机公司 FRE 美国FEDERICK公司 FUI 日本富士通公司 FUM 美国富士通微电子公司 GEC 美国詹特朗公司 GEN 美国通用电气公司 GEU 加拿大GENNUM公司 GPD 美国锗功率器件公司 HAR 美国哈里斯半导体公司 HFO 德国VHB联合企业 HIT 日本日立公司 HSC 美国HELLOS半导体公司 IDI 美国国际器件公司 INJ 日本国际器件公司 INR 美、德国际整流器件公司 INT 美国INTER FET 公司 IPR 罗、德I P R S BANEASA公司ISI 英国英特锡尔公司 ITT 德国楞茨标准电气公司 IXY 美国电报公司半导体体部KOR 韩国电子公司 KYO 日本东光股份公司 LTT 法国电话公司 SEM 美国半导体公司 SES 法国巴黎斯公司 SGS 法、意电子元件股份公司

常用行管及开关管代换手册

彩电行管和开关芩鸹岛螅 缯也坏皆 耆 梢杂么 患 皇谴 皇毙枳裱 欢ǖ脑 颉?BR>首先代换前的检查,确定损坏原因是否来自行管本身。如果来自外围的诱因,就要先排除外围的故障,防止带来二次不必要的二次损坏。外围因素包括显示器碰极短路,行变(高压包)的内部短路,行管的激励端是否过激励、欠激励(这些行为产生不一定是先天的,后天原件老化变质,管脚虚焊等),还有一个行管的散热也很重要。排除以上诸因,就看下边的代换原则了。 封装上的区别 常见的行管和开关管,有金属封装和塑料封装,金属封装的管子一般在早期生产的电视机中应用,现在的电视机都采用塑料封装的管子,这两种封装的管子互换时要注意的是安装孔、绝缘和散热等问题。同样,塑料封装(塑封)的管子,有的散热金属片(与管芯集电极相连)裸露,我们叫它半塑封;有的把散热金属片全部用塑料绝缘,我们叫它全塑封。显然,代换时最好选择同种封装的管子。半塑封代换全塑封管时,应注意加垫上云母绝缘片和紧固螺钉的绝缘,以隔离散热片防止发生短路,并涂上导热硅脂压实以利散热;全塑封代换半塑封管时,应把原云母绝缘片拆除并涂硅脂以利散热。 带阻尼和不带阻尼的区别 小屏幕(一般指21"以下)彩电行管,在其CE极间内置了阻尼二极管,BE极间也内置了一小阻值电阻,我们称它带阻尼行管;而大屏幕(一般指25"以上)彩电行管,由于增加了枕形校正电路,大多采用不带阻尼的三极管,但也有例外,如2SD2553就带阻尼,它大量用于大屏幕彩电的行输出管。代换时应区分是否带阻尼,不带阻尼的行管,应急时可以代替带阻尼的行管,但要另外加并阻尼二极管。当然,电源开关管是不带阻尼的,不能用带阻尼的管子去代换。 最大电参数 行管和开关管最关键的电参数是VCEO、VCBO、ICM、PCM等。通过实践总结,一般彩电行管和开关管使用原则是: 21″以下机行管:PCM=50W左右、ICM=5A左右、VCBO≥1500V、VCEO≥600V。 25″~29″机行管:PCM≥50W、ICM≥5A、VCBO≥1500V、VCEO≥600V。 21″以下机开关管:PCM=50W左右、ICM=5A左右、VCBO≥800V、VCEO≥600V。 25″~29″机开关管:PCM≥100W、ICM≥10A、VCBO≥800V、VCEO≥600V。 通过上面数据可知,25″~29″机行管、开关管可代换21″以下机行管、开关管,但成本稍高,而21″以下机的管子不能代换25″以上机的管子。 行管和开关管互换原则 不带阻尼的行管原则上可代换电源开关管,但要考虑PCM、ICM、HFE等参数 能否符合要求;电源开关管如要代换行管,除要考虑PCM、ICM外还要看其VCBO、VCEO等能否满足要求。例如2SD1547行管能代换25″~29″机电源开关管,但2SD4706电源开关管就不能代换行管,因其VCBO、VCEO达不到要求。 行管工作频率不同的代换 100Hz彩电行频为普通机的一倍,行管工作频率高,除要考虑正常的PCM、 ICM、VCEO、VCBD等参数外,另一重要参数不容忽视,那就是管子的下降时间tf,普通行管的下降时间tf多在1us左右,如用在100HZ彩电行输出上,由于下降时间长,开关速率不够(也即从饱和到截止的时间长),行管将会严重发热而烧毁。 一般100Hz彩电行管要求其tf≤0.6us,电脑显示器就用这种行管,目前国内还无法生产这种管子,完全依赖进口,因而价格昂贵。常见的型号有2SC5144、2SC4288等。 彩电常用行管、开关管代换表 通过上面分析,大家对行管、开关管的代换原则有了一定的了解,当然在有原料的基础上尽量采用原料而不采用代料,因为原料的各项参数更能与电路相匹配。下面把目前彩电常用的行管、开关管列表示出,以方便维修。 用途可互换型号

可以相互替代的一些场效应管

可以相互替代的一些场管. 如无特别说明,同一条内的管子可以相互替换. 1、SD9435 SOP-8 < 5.3A 30V 50 mΩ >,可替代市面上各类型9435 : APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435 、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、FDS9435、Si9435、STP9435、SPP9435、Si9435DY、SM9435、iTM9435、MI9435、ME9435、ME4405 等等! 2、SD9926 SOP-8 <6A 20V 28 mΩ>,可替代市面上各类型9926 : APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V 、SDM9926、STM9926、 MT9926、TM9926 、GE9926、 iTM9926、 MI9926、 TF9926 、AFT9926 、FDS9926、GT9926 等等! 3、SG9926 TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>:暂无。 4、SD4953 SOP-8 <30V 5A 53mΩ>,可替代市面上各类型4953 : GE4953、 iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953 、SSM4953、CEM4953、STS4953、AP4953、 TM4953、STM4953、SDM4953、STP4953、AO4801、AO4801A、AO4803、AO4803A、AFT4953、SPP4953、STP4953A、SPP4953A、 GT4953、Si4953DY、MI4953、ME4953、SM4953、TF4953、AKE4953 等等! SD4953BDY替代APM4953、Si4953、FDS4953、CEM4953 5、 SD4435 SOP-8 <30V 8A 20mΩ>,可替代市面上各类型4435 : APM4435、 Si4435DY、 CEM4435、 SDM4435、 SSM4435、 GE4435 、MT4435、 H4435、STM4435、 AP4435、TM4953、AO4411、STP4435、GT4435、MI4435、ME4435、SPP4435、SM4435 等等! 6、SD4410 SOP-8 <10A 13.5mΩ 30V>,替代各型4410: APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、AO4406、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N、STN4410、STP4410、SPN4410、MI4410、SM4410、GT4410、AFT4410 等等! 7、SD2300 SOT-23-3L <20V 4A 28mΩ>,替代各型2300: APM2300、Si2300、CEM2300、STS2300、AP2300、MT2300、MI2300、ST2300、SSS2300、GT2300、GE2300、GE2312、iTM2300、SM2300、TM2300、ME2314 等等! 8、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>,替代各类2301 : APM2301 、 Si2301、 CEM2301 、STS2301 、 AP2301 、 MT2301、IRLML6401、ST2301、ST2301A、STS2301A、SSS2301、SSS2301A、MI2301、ST2301M、ME2301、TM2301、CES2301、KI2301DY 等等! 9、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>,可替代市面上各类型2301M、2301A、2301S : APM2301A、SSS2301A、STS2301A、ST2301M 等等!

场效应管资料

标题:IRC场效应管参数 作者: 日期:2009-02-14 19:34:37 内容: IRC系列N-CHANNELPOWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换型号厂家方式漏源极电压(V)区分漏极电流(A)最大功耗(W)封装形式 IRC150IRN10030(TO-204AE) IRC250IRN20029(TO-204AE) IRC254IRN25022.2(TO-204AE) IRC350IRN40014.5(TO-204AA) IRC450IRN50012.2(TO-204AA) IRC530IRN1001475(TO-220) IRC531IRN801479TO-220 IRC533IRN601275TO-220 IRC540IRN10028150TO-220 IRC630IRN200974TO-204AA IRC634IRN2508.774TO-220 IRC640IRN20018125TO-220 IRC644IRN25014125TO-220 IRC730IRN4005.574TO-204AA IRC740IRN40010125TO-204AA IRC830IRN5004.574TO-204AA IRC832IRN5004.074TO-220

IRC833IRN4503.875TO-220 IRC840IRN5008125TO-220 IRCP054IRN6070230TO-247AC IRCZ24IRN601760TO-204AA IRCZ34IRN603088TO-204AA IRCZ44IRN6050150TO-204AA 标题:IRFB系列场效应管参数代换 作者: 日期:2009-02-14 19:50:52 内容: IRFB系列POWER MOSFET N沟道功率场效应管型号参数查询及代换 型号Drain-to-Source Voltage漏极到源极电压Static Drain-Source On-State Resistance静态漏源 通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃)PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃)Package封装Toshiba Replacement 替换东芝型号Vender 供应商 VDSSRDS(ON)IDPD (V)(ohm)欧姆(A)(W) IRFBC10LC600101.236TO-220AB2SK3067IR IRFBC206004.42.250TO-220AB2SK3067IR IRFBC20L6004.42.250TO-2622SK2865IR IRFBC20S6004.42.250D2PAK2SK2865IR IRFBC306002.23.674TO-220AB2SK3085IR IRFBC30L6002.23.674TO-2622SK2777IR IRFBC30S6002.23.674D2PAK2SK2777IR

电脑主板适用场效应管参数及代换

电脑主板适用场效应管参数及代换 器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型 2SK 3225-Z N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 60V,34A,40W,32/110ns,Ron=0.018mΩ TO-252 3353- Z N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 60V,82A,95W,100/280ns,Ron=14mΩ T O-263 3354-S 3354-Z N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 60V,83A,100W,100/300ns,Ron=8mΩ 2SK 3355-ZJ 2SK 3355-ZJ TO-263 3355-ZJ N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 60V,83A,100W,130/510ns,Ron=5.8mΩ 2SK 3354-S-Z 2SK 3354-S-Z TO-263 3366-Z N-MOSFET(耗尽型)用于用于笔记本电脑 中的DC-DC转换 30V,20A,30W,28/47ns,Ron=21mΩ TO-252 3367-Z N-MOSFET(耗尽型)用于用于笔记本电脑 中的DC-DC转换 30V,36A,40W,75/165ns,Ron=9mΩ TO-252 3377-Z N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 60V,20A,30W,13/43ns,Ron=40mΩ TO-252 3385-Z N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 60V,30A,35W,22/77ns,Ron=28mΩ 2SK 3386-Z 2SK 3386-Z TO-252 3386-Z N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 60V,34A,40W,32/98ns,Ron=25mΩ 2SK 3385-Z 2SK 3385-Z TO-252 3900-ZP N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 60V,82A,104W,18/62ns,Ron=8mΩ TO-263 3901-ZK N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 60V,60A,64W,12/48ns,Ron=13mΩ TO-263 3902-ZK N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 60V,30A,45W,10/37ns,Ron=21mΩ TO-263 3943-ZP N-MOSFET(耗尽型)用于大电流开关 40V,82A,104W,29/69ns,Ron=3.5mΩ TO-263 738-Z N-MOSFET(耗尽型)功率场效应管 30V,2A,20W,Ron=0.25Ω TO-252 MTD 10N05A N通道,功率场效应管 50V,10A,1.8W,Ron=0.1Ω MTD 3055A TO-252 10N05E 10N05E1 N通道,功率场效应管 50V,10A,20W,30/45ns,Ron=0.1Ω TO-252 10N08E 10N08E1 N通道,功率场效应管 80V,10A,50W,13/45ns,Ron=0.12Ω TO-252 器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型 3055A N通道,功率场效应管 60V,8A,1.8W,Ron=1.5Ω MTD 10N05A TO-252

电脑主板场管代换表(MOS 管代换)

如无特别说明,同一条内的管子可以相互替换 1、SD9435 SOP-8 < 5.3A 30V 50 mΩ>,可替代市面上各类型9435 APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435 、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、 FDS9435、Si9435、STP9435、SPP9435、Si9435DY、SM9435、iTM9435、MI9435、ME9435、ME4405 等等! 2、SD9926 SOP-8 <6A 20V 28 mΩ>,可替代市面上各类型9926 :APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V 、SDM9926、STM9926、MT9926, TM9926 、GE9926、iTM9926、MI9926、TF9926 、AFT9926 、FDS9926、GT9926 等等! 3、SG9926 TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>:暂无 4、SD4953 SOP-8 <30V 5A 53mΩ>,可替代市面上各类型4953 : GE4953、iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953 、SSM4953、CEM4953、STS4953、AP4953、TM4953、 STM4953、SDM4953、STP4953、AO4801、AO4801A、AO4803、AO4803A、AFT4953、SPP4953、STP4953A、 SPP4953A、GT4953、Si4953DY、MI4953、ME4953、SM4953、TF4953、

AKE4953 等等! SD4953BDY 替代APM4953、Si4953、FDS4953、CEM4953 5、SD4435 SOP-8 <30V 8A 20mΩ>,可替代市面上各类型4435 :) APM4435、Si4435DY、CEM4435、SDM4435、SSM4435、GE4435 、H4435、STM4435、AP4435、TM4953、AO4411、STP4435、GT4435、MI4435、 ME4435、SPP4435、SM4435 等等!! 6、SD4410 SOP-8 <10A 13.5mΩ30V>,替代各型4410: APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、AO4406、SSM4410、SDM4410、 STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N STN4410、STP4410、SPN4410、MI4410、SM4410、GT4410、AFT4410 等等! 7、SD2300 SOT-23-3L <20V 4A 28mΩ>,替代各型2300: APM2300、Si2300、CEM2300、STS2300、AP2300、MT2300、MI2300、ST2300 SSS2300、GT2300、GE2300、GE2312、iTM2300、SM2300、TM2300、ME2314 等等!

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进 行判别 (1)用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以 判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。

1 / 19 . (2)用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效 应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏 极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测 得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极 之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。 (3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S, 黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时 表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针

电脑主板场管代换表

电脑主板场管代换表(MOS管代换) 2010-11-02 15:20:49| 如无特别说明,同一条内的管子可以相互替换 1、SD9435 SOP-8 < 5.3A 30V 50 mΩ>,可替代市面上各类型9435 APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435 、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、FDS9435、Si9435、STP9435、SPP9435、Si9435DY、SM9435、iTM9435、MI9435、ME9435、ME4405 等等! 2、SD9926 SOP-8 <6A 20V 28 mΩ>,可替代市面上各类型9926 : APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V 、SDM9926、STM9926、MT9926 TM9926 、GE9926、iTM9926、MI9926、TF9926 、AFT9926 、FDS9926、GT9926 等等!//3、SG9926 TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>:暂无 4、SD4953 SOP-8 <30V 5A 53mΩ>,可替代市面上各类型4953 : GE4953、iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953 、SSM4953、CEM4953、STS4953、AP4953、TM4953、STM4953、SDM4953、STP4953、AO4801、AO4801A、AO4803、AO4803A、AFT4953、SPP4953、STP4953A、SPP4953A、GT4953、Si4953DY、MI4953、ME4953、SM4953、TF4953、AKE4953 等等! SD4953BDY替代APM4953、Si4953、FDS4953、CEM4953 5、SD4435 SOP-8 <30V 8A 20mΩ>,可替代市面上各类型4435 : APM4435、Si4435DY、CEM4435、SDM4435、SSM4435、GE4435 、MT4435、 H4435、STM4435、AP4435、TM4953、AO4411、STP4435、GT4435、MI4435、 ME4435、SPP4435、SM4435 等等! 6、SD4410 SOP-8 <10A 13.5mΩ30V>,替代各型4410: APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、AO4406、SSM4410、SDM4410、 STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N STN4410、STP4410、SPN4410、MI4410、SM4410、GT4410、AFT4410 等等! 7、SD2300 SOT-23-3L <20V 4A 28mΩ>,替代各型2300: APM2300、Si2300、CEM2300、STS2300、AP2300、MT2300、MI2300、ST2300 SSS2300、GT2300、GE2300、GE2312、iTM2300、SM2300、TM2300、ME2314 等等! 8、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>,替代各类2301 APM2301 、Si2301、CEM2301 、STS2301 、AP2301 、MT2301、IRLML6401、 ST2301、ST2301A、STS2301A、SSS2301、SSS2301A、MI2301、ST2301M、 ME2301、TM2301、CES2301、KI2301DY 等等! 9、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>,可替代市面上各类型2301M、2301A、2301S : APM2301A、SSS2301A、STS2301A、ST2301M 等等! 10、SD2302 SOT-23-3L <20V 3.2A 85mΩ>,可替代市面上各类型2302 : APM2302 、SSS2302 、AP2302 、STS2302 、MT2302、ST2302 等等! 11、锂电保护板MOS 管:SD8205 (SD8205G TSSOP-8;SD8205S TSOP-6 ) SD8205S TSOP-6 <4A 20V 28 mΩ>,可替代市面上所有TSOP-6 封装的8205; SD8205G TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>,可替代市面上所有TSSOP-8 封装的8205、5N20V、9926。 12、SD9410 SOP-8<18A 5.5mΩ30V >,可替代市面上各类型9410 : NDS9410A、NDS9410、APM9410K、SSM9410A、CEM9436A、FDS6630A、IRF7832ZPbF、IRF7805、 FDFS6N303、Si9410、GT9410、TM9410、GE9410、G9410、IRF7832、FDS9410A、FDS9410

常用大功率场效应管

2009-11-16 14:24 IRF系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换 带有"-"号的参数为P沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管,没注明的均为N沟道场效应管. 型号Drain-to-Source V oltage漏极到源极电压Static Drain-Source On-State Resistance静态漏源 通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃) PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃)Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号V ender 供应商 型号耐压(V)内阻(mΩ)电流(A)功率(W)封装厂商 IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IR IRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IR IRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IR IRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IR IRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IR IRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF130 100 - 14 75 TO-3 - IR IRF131 60 - 14 75 TO-3 - IR IRF132 100 - 12 75 TO-3 - IR IRF133 60 - 12 75 TO-3 - IR IRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IR IRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IR IRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IR IRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IR IRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IR IRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IR IRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IR IRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IR IRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IR IRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IR IRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IR IRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IR IRF230 200 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF231 150 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF232 200 - 8.0 75 TO-3 - IR

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别 (1)用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一

只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。 (2)用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法

常用行管及开关管代换手册

常用行管及开关管代换手册 彩电显像管和开关秦致岛的系统全世界也不好吗?更换前首先进行检查,以确定损坏是否由管道本身造成。如果诱因来自外围,则必须首先消除外围故障,以防止二次不必要的二次损坏。外围因素包括显示器触摸电极的短路、线路变压器(高压封装)的内部短路、线路管的激励端是过激励还是欠激励(这些行为不一定是先天性的,所获得的原件老化和恶化、引脚被焊接等)。),并且线管的散热也非常重要。排除上述原因,我们将在下面看替代原则。封装 普通列管和开关管的区别包括金属封装和塑料封装。金属封装管通常用于早期电视机。目前的电视机都使用塑封管。当两种封装的管子互换时,应注意安装孔、绝缘、散热等问题。类似地,对于塑封(塑封)管,一些散热金属片(连接到管芯的集电极)是暴露的。我们称之为半塑料封装;有些用塑料绝缘所有辐射金属片,我们称之为塑料包装。显然,更换时最好选择同类型的包装管。用半塑料包装替换全塑料包装管道时,应注意云母绝缘片和紧固螺钉的绝缘,以隔离散热器,防止短路,导热硅脂应涂上并压实,以利于散热。当用全塑料包装替换半塑料管时,应去掉原来的云母绝缘片,并涂上硅脂,以便散热。有阻尼和无阻尼 小屏幕彩色电视显像管(以下统称为21)的区别在于,在其电容电极之间内置一个阻尼二极管,在其电容电极之间内置一个小电阻。我们称之为阻尼管。另一方面,由于增加了枕形校正电路,大多数大屏幕(一般为25个以上)彩色电视显像管使用无阻尼晶体管,但也有例外,

如2SD2553带阻尼晶体管,它广泛用于大屏幕彩色电视显像管更换时,有必要区分是否使用带阻尼和不带阻尼的管路。在紧急情况下,可以更换带阻尼的管路,但应增加一个二极管并进行阻尼。当然,电源开关管是无阻尼的,不能用带阻尼的管代替。 列管和开关管最关键的电气参数是氯乙烯单体、VCBO、离子传导膜、相变材料等。通过实践总结,彩色电视显像管和开关管的使用原则如下: 21”或以下:PCM=50W,ICM=5A,VCBO≥1500伏,VCEO≥600伏25”至29”机器管道:动力系统控制模块≥50W,动力系统控制模块≥5A,VCBO≥1500伏,真空断路器≥600伏适用于 21”以下机器的开关管:动力系统控制模块=50W,动力系统控制模块=5A,VCBO≥800伏,电压控制振荡器≥600伏25”至29”机器的开关管:动力系统控制模块≥100瓦,动力系统控制模块≥10瓦,VCBO≥800伏,电动气动执行机构≥600伏 从以上数据可以看出,25”到29”的机器管和开关管可以用21”或更少的机器管和开关管代替,但成本稍高,而21”或更少的机器管不能用25”或更多的机器管代替换管和开关管的原则 无阻尼管原则上可以代替电源开关管,但要考虑动力系统控制模块、信息控制模块和HFE等参数 是否满足要求。如果电源开关管要取代排管,除了动力系统控制模块和动力系统控制模块之外,还取决于其VCBO和光电导能否满足要求。例如,2SD1547线管可以代替25”到29”的机器电源开关管,

常用场效应管

常用场效应管(25N120等)参数及代换 FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25A//TO3P (电磁炉用) FQA27N25 (MOSFET) 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 (MOSFET) 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264 FQA55N25 (MOSFET) 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3P FQA18N50V2 (MOSFET) 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460A FQA24N50 (MOSFET) 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P FQA28N50 (MOSFET) 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50E FQL40N50 (MOSFET) 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50 FQA24N60 (MOSFET) 600V/24A/TO3P FQA10N80 (MOSFET) 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3P FQA13N80 (MOSFET) 800V/13A/300W/0. Ω/TO3P FQA5N90 (MOSFET) 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P FQA9N90C (MOSFET) 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P FQA11N90C (MOSFET) 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P FFA30U20DN (快恢复二极管)200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02A FFPF30U60S (快恢复二极管) 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560 FFA30U60DN (快恢复二极管)600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06A MBRP3010NTU (肖特基) 100V/30A/TO-220 MBRA3045NTU (肖特基) 45V/30A/TO-3P ISL9R3060G2 (快恢复二极管) 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 (快恢复二极管) 600V/30A/35nS/TO247 FQP44N10 (MOSFET) 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 (MOSFET) 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220 IRFP450B (MOSFET) 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P IRFP460C (MOSFET) 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460 KA3162/FAN8800 (Drive IC)单IGBT/MOSFETFET驱动 IC RHRP860 (快恢复二极管) 600V/8A/30NS/TO-220 MUR860 RHRP1560 (快恢复二极管) 600V/15A/TO0220 MUR1560 RHRP8120 (快恢复二极管) 1200V/8A/75W/TO220 RHRP15120 (快恢复二极管) 1200V/15A/TO220 RHRP30120 (快恢复二极管) 1200V/30A/125W/TO220单 DSEI20-10A RHRG30120 (快恢复二极管) 1200V/30A/T03P SSH45N20B (MOSFET) 200V/45A/TO3P IRFP260 FGL40N150D (IGBT) 1500V/40A/TO264快速IGBT FGL60N100BNTD (IGBT) 1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100 HGTG10N120BND (IGBT) 1200V/35A/298W/100ns/TO247 HGTG11N120CND (IGBT) 1200V/43A/298W/TO247 HGTG18N120BND (IGBT) 1200V/54A/390W/90ns/TO247 FQP5N50C (MOSFET) 500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代:IRF830,用于35W FQPF5N50C (MOSFET) 500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代:IRF830,用于35W

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN 结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在 R X 1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。 当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则 该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两

个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。 (2)用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G 1与栅极G 2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于RX1 0或RX 100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于RX10 k档,再测栅极G 1与G 2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。 (3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法:用万用表电阻的R X 100档,红表笔接源极S, 黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5 V的电源电压,此时表针指示出的漏源极

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