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《半导体物理学》模拟试题

《半导体物理学》模拟试题

一、填空题

1、GaAs半导体的导带极值位于,价带极值位于,是禁带半导体,等能面是。比导带极小值约高出0.29eV的次能谷位于k空间的方向。GaAs材料产生负微分电导现象的原因是。

2、N个原子相互靠近形成晶体后,每一个N度简并的能级都分裂成N个彼此相距很近的能级,组成一个,这时电子不再属于某一个原子而是可以在晶体中作。

3、一般情况下,掺入半导体中的浅能级杂质对半导体的贡献是;而掺入半导体中的深能级杂质在半导体中起和的作用,其中可以减少载流子寿命的是,且当其能级位于时作用最显著。

4、半导体的电导率随温度的变化趋势是:在低温弱电离区,随着温度的升高,电导率;在饱和区(强电离区),随着温度的升高,电导率;在高温本征激发区,随着温度的升高,电导率。

5、非简并半导体中电子填充能级遵守的是分布规律;而简并半导体中电子填充能级遵守的是分布规律。

6、半导体材料在x方向的外加电场作用下,产生电流,如果受到与x方向的磁场作用,则其x方向的电流减小,称为。

一、名词解释

1、本征激发;直接复合

2、整流接触;欧姆接触

3、迁移率;扩散系数

二、写出下列关系式

1、爱因斯坦关系式;

2、元素半导体主要散射机构中散射几率和温度的关系;

3、掺有施主杂质,又掺有受主杂质的半导体的电中性方程;

4、以n型半导体为例,写出一维情况下小注入时,漂移运动和扩散运动同时存在的条件下,少数载流子的连续性方程。如果光照在均匀半导体内部产生非平

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