电阻率测试仪

1.综合测试仪 - HS-PSRT

电阻率型号综合测试仪是运用四探针测量原理的多功能综合测试装置，它可以测量片状、块状半导体材料的径向和轴向电阻率，适用于半导体及太阳能行业的硅料,硅棒硅块硅片的电阻率型号测试。

硅料综合测试仪 - 产品特点

■同时检测硅半导体材料的电阻率和型号两项指标。

■仪器采用220V交流电源供电

■拥有较高的电阻率测试分辨率，最小可到0.001 欧姆.厘米”

■能精确的分辨电阻率在0.002 欧姆.厘米以上的硅半导体材料型号

■独立的P/N 型重掺告警设置，便于工厂大规模快速选料

■适中的体积和便携性

■操作简单，测试快速

■价格低廉，性价比高

硅料综合测试仪 - 技术指标

■电阻率：0.001～100Ω?cm

■精度：±5%±2LSB）

■电源：AC 220V ± 10% ， 50HZ

■功耗：最大功耗≤1W

硅料综合测试仪- 典型客户

江苏、浙江、广东、湖南湖北、内蒙古、河南等地的CZ直拉单晶及铸锭客户。

2.金属四探针电阻率方阻测试仪

金属四探头电阻率方阻测试仪-产品介绍:

合能阳光的金属四探头电阻率方阻测试仪（HS-MPRT-5）是用来测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的小型仪器.本仪器按照半导体材料电阻率的国际及国家标准测试方法有关规定设计。它主要由电器测量部份（主机）及四探头组成，需要时可加配测试架。为减小体积，本仪器用同一块数字表测量电流及阻率。样品测试电流由高精宽的恒流源提供，随时可进行校准，以确保电阻率测量的准确度。因此本仪器不仅可以用来分选材料也可以用来作产品检测。对1～100Ω?cm标准样片的测量偏差不超过±3%，在此范围内达到国家标准一级机的水平。。

金属四探头电阻率方阻测试仪-产品特点

■采用金属探头，游移率小，稳定性高

■仪器采用220V交流电源供电

■适用于西门子法、硅烷法等工艺生产原生多晶硅料的企业

■适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业

■适用于光伏拉晶铸锭及IC 半导体器件企业

■具有抗强磁场和抗高频设备的性能

金属四探头电阻率方阻测试仪-技术指标

■电阻率：0.01～199.9Ω?cm

■方块电阻：0.1～1999Ω/口

■直流数字电压表测量范围：0～199.9mv

灵敏度：100μv 准确度：0.2%（±2个字）W

■电源：AC 220V ± 10% ，50HZ?cm

■功耗：最大功耗≤10W ，平均功耗≈ 8W

金属四探头电阻率方阻测试仪-典型用户

北江苏、浙江、广东、湖南湖北、内蒙古、河南等地的CZ直拉单晶及铸锭客户客户无接触硅片厚度TTV电阻率综合测试系统

无接触硅片厚度TTV电阻率综合测试系统为太阳能/光伏硅片及其他材料提供快速、多通道的厚度、（总厚度变化）TTV、翘曲及无接触电阻率测量功能。并提供基于TCP/IP的数据传输接口及基于Windows的控制软件，用以进行在线及离线数据管理功能。。

无接触硅片厚度TTV电阻率综合测试系统 - 产品特点

■使用MTI Instruments独有的推/拉电容探针技术

■每套系统提供最多三个测量通道

■可进行最大、最小、平均厚度测量和TTV测量

■可进行翘曲度测量（需要3探头）

■用激光传感器进行线锯方向和深度监视（可选）

■集成数据采集和电气控制系统

■为工厂测量提供快速以太网通讯接口，速率为每秒5片

■可增加的直线厚度扫描数量

■与现有的硅片处理设备有数字I/O接口

■基于Windows的控制软件提供离线和在线的数据监控

■提供标准及客户定制的探头

■提供基于Windows的动态链接库用于与控制电脑集成

■用涡电流法测量硅片电阻率

无接触硅片厚度TTV电阻率综合测试系统- 技术指标

■晶圆硅片测试尺寸：50mm- 300mm.

■厚度测试范围：1.7mm，可扩展到2.5mm.

■测厚度测试精度：+/-0.25um

■ 厚度重复性精度：0.050um

■测量点直径：8mm

■ TTV 测试精度: +/-0.05um

■ TTV重复性精度: 0.050um

■弯曲度测试范围：+/-500um [+/-850um] ■弯曲度测试精度：+/-2.0um

■弯曲度重复性精度：0.750um

■电阻率测量范围：5-2000ohm/sq（0.1-40ohm-cm）

■电阻率测量精度：2%

■电阻率测量重复精度：1%

■晶圆硅片类型：单晶或多晶硅

■材料：Si，GaAs，InP，Ge等几乎所有半导体材料

■可用在：切片后、磨片前、后，蚀刻，抛光以及出厂、入厂质量检测等■平面/缺口：所有的半导体标准平面或缺口

■硅片安装：裸片，蓝宝石/石英基底，黏胶带

■连续5点测量

无接触硅片厚度TTV电阻率综合测试系统- 应用范围

■切片

■线锯设置

■ 厚度

■总厚度变化TTV

■监测:导线槽、刀片更换

■ TTV重复性精度: 0.050um

■磨片/刻蚀和抛光

■过程监控

■总厚度变化TTV

■材料去除率

■弯曲度

■翘曲度

■平整度

■研磨

■材料去除率

■最终检测

■硅抽检或全检

■终检厚度

无接触硅片厚度TTV电阻率综合测试系统- 典型客户

美国，欧洲，亚洲及国内太阳能及半导体客户。

关于导电性粉末电阻率测试仪详情介绍

关于导电性粉末电阻率测试仪详情介绍 标准满足standard： 1.YST 587.6-2006 炭阳极用煅后石油焦检测方法第6部分粉末电阻率 的测定； 概述Overview： 1.四端测量法. 2.采用4.3吋大液晶屏幕显示. 3.显示电阻值、电阻率、电导率值、温度、压强值、单位自动换算. 4.液压动力（手动）. 5.薄膜按键开关面板，操作简单. 6.中文或英文两种语言操作界. 原理: Principle: 一定量的粉体，在液压动力下压缩体积至设定压力值或压强，无需取出，在线测量粉体电阻、电阻率、电导率，并记录数据. 解决粉体难压片成型或压片取出测量误差.

适用范围：Scope of application 适用于锂电池材料、石墨烯、石墨类、碳素粉末、焦化、石化、粉末冶金、高等院校、科研部门，是检验和分析导电粉末样品质量的一种重要的工具。 型号及技术指标Models and technical indicators：

步骤及流程 1.运行高度清零. 2.将称重样品装入模腔. 3.固定上电极旋钮. 4.在显示器上设置好参数. 5.达到设定压力或压强值. 6.读取样品压缩高度数据并输入.

7.获得电阻、电阻率、电导率数据. 8.记录数据. 9. 样品脱模 7. 测试结束. 优势描述： 1.高性价比机型.数据稳定. 2.可读取粉末高度数据，无需人工测量. 3.可选购PC软件. 4.高精度电阻率测量系统. 5.配置粉体废料收集盘. 6.操作简单. 自动计算出所需数据. 7.经济实惠，功能突出. 8.获得压实后电阻、电阻率、电导率、高度、直径、压强等数据. 整机示意图

混凝土微观试验方法

采用测试电阻率的方法［1］来监测混凝土的水化程度是一个有效可行的方法。通过对不同水灰比、不同掺合料混凝土电参数和相应曲线变化规律的研究表明 ， 早龄期混凝土电阻率和强度随时间发展的曲线具有很强的相似性与相关性。如图1所示,利用混凝土早龄期电阻率的变化速率曲线，可以采用直观和量化的方法将混凝土的水化进程划分为水泥水解l(dissolution)、诱导期ll(competition ofdissolution-precipitation) 、凝结III(setting) 、硬化IV(hardening) 和硬化后期V(hardening deceleration) 五个阶段［2］。通过电阻率速率曲线的0值点M拐点L、峰值点P与P2,可以表征水泥颗粒开始接触及相互紧密连接的水化过程,较精确地确定混凝土的凝结时间。混凝土早期电阻率的变化反映了混凝土早期水化进程的发展，客观上体现了混凝土早期内部联通孔隙减少、水化产物生成等一系列变化。同时，进一步的研究还表明电阻率与混凝土早期强度之间还存在内在联系。 时间/h 1混凝土1天时的电迥率变化遠率 I E Iccli ica 1 resislh r ih p of concrcte ii 1 dav X射线衍射分析(XRD X衍射原理，如图9.1所示，当X射线入射到晶体时,如果入射角度0满足布拉格定律，则X射线强度因衍射而得到加强，此时可以记录到衍射线，而从其它角度入射的则无衍射，这也称为/选择性衍射0,其本质就是入射的X射线照射到晶体中各平行原子面上，各原子面各自产生相互平行的衍射线的结果。

这些衍射线的衍射角度与晶体的结构相联系，也就具有唯一性，因此可以判断材料中的晶体成份。同时，衍射的晶体数目多少将决定衍射射线的强度。虽然 衍射射线的强度还受到温度、吸收等其他因素的影响，但是，通过衍射射线的峰值可以定性判断出晶体成份的数量关系。 X射线衍射(XRD)技术提供了分析晶体矿物的便利方法"如果晶体矿物被置 于特定波长的X射线下,射线使原子层衍射并产生衍射峰，它是矿物的表征。典型XRD图的横坐标(衍射角)表示晶格间距，纵坐标(峰高)表示衍射强度。 取样：用于X射线衍射分析的试样是将不同龄期的试件母体破碎，从中取出水泥石,使用无水酒精中止水泥的水化。测试前研磨水泥石样品颗粒至粉末粒径<10pm 适当烘干样品后装瓶密封，以防止空气中水和二氧化碳与样品粉末继续反应，影响试验结果"衍射扫描范围取10度一一70度。 扫描电镜试验(SEM) 扫描电镜是利用扫描电子束，从样品表面激发出各种物理信号来调制成像。可以通过形貌判定是否密实、水化程度、产物量。从而分析混凝土微观结构的发展过程。 取样：1号样，规格为IOmmxlOmmx30mm砂浆试样，配合比为三种，分别为：m(c): m(s): m(w)=l : 2. 5: 0. 40: 2-5号样，底面015ram高度为5m的圆柱体。m(w), m(c)=分别为0. 45、0. 65、0.85和1.0扫描试样取侵蚀试样的一部分。 选取原则为：试榉成片状，一面为外表面，另一面为内表面，为了方便聚焦扫描成像，内表面尽量选择落差小的。 压汞法测孔隙率试验(MIP)

直流电阻测试仪使用说明及注意事项样本

直流电阻测试仪使用说明及注意事项 1 2020年4月19日

直流电阻测试仪使用方法及注意事项 一、概述 变压器绕组的直流电阻测试是变压器在交接、大修和改变分接开关后，必不可少的试验项目。在一般情况下，用传统的方法（电桥法和压降法）测量变压器绕组以及大功率电感设备的直流电阻是一项费时费工的工作。为了改变这种状况，缩短测量时间以及减轻测试人员的工作负担，本公司开发了直流电阻快速测试仪（以下简称直阻仪）。它采用全新电源技术，具有性能稳定，测量迅速、体积小巧、使用方便、测量精度高，数据重复性好等特点。是测量变压器绕组以及大功率电感设备直流电阻的理想设备。 2 2020年4月19日

二、使用方法 1、测量前准备 首先将电源线以及地线可靠连接到直阻仪上，然后把随机附带的测试线连接到直阻仪面板与其颜色相对应的输入输出接线端子上，将测试线末端的测试钳夹到待测变压器绕组两端，并用力摩擦接触点，以确保接触良好。接线方法如图1 图1 打开电源开关，显示屏显示如图2界面 3 2020年4月19日

图2 直阻仪提供了几种不同的测量电流，您能够根据需要按“▲”和“▼”键进行选择，请注意每种测量电流的最大测量范围，以免出现所测绕组直流电阻大于所选电流的最大测量范围，使测量开始后电流达不到预定值，导致直阻仪长时间处于等待状态（详细的技术参数请参见技术指标一节）。“查看”键用于查看和打印已经存储的测量数据。（详见“数据的查看和处理”）。选择好测量方式和测量电流后，按“测量”键开始整个测量过程。 2、开始测量： 直阻仪在按下“测量”键后开始对被测绕组充电，并显示如图3界面 4 2020年4月19日

半导体的欧姆接触

半导体的欧姆接触(2012-03-30 15:06:47)转载▼ 标签：杂谈分类：补充大脑 1、欧姆接触 欧姆接触是指这样的接触：一是它不产生明显的附加阻抗；二是不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。 从理论上说，影响金属与半导体形成欧姆接触的主要因素有两个：金属、半导体的功函数和半导体的表面态密度。对于给定的半导体，从功函数对金属－半导体之间接触的影响来看，要形成欧姆接触，对于n型半导体，应该选择功函数小的金属，即满足Wm《Ws，使金属与半导体之间形成n型反阻挡层。而对于p型半导体，应该选择功函数大的金属与半导体形成接触，即满足Wm》Ws，使金属与半导体之间形成p型反阻挡层。但是由于表面态的影响，功函数对欧姆接触形成的影响减弱，对于n型半导体而言，即使Wm《Ws，金属与半导体之间还是不能形成性能良好的欧姆接触。 目前，在生产实际中，主要是利用隧道效应原理在半导体上制造欧姆接触。从功函数角度来考虑，金属与半导体要形成欧姆接触时，对于n型半导体，金属功函数要小于半导体的功函数，满足此条件的金属材料有Ti、In。对于p型半导体，金属功函数要大于半导体的功函数，满足此条件的金属材料有Cu、Ag、Pt、Ni。 2、一些常用物质的的功函数 物质Al Ti Pt In Ni Cu Ag Au 功函数4.3 3.95 5.35 3.7 4.5 4.4 4.4 5.20 3、举例 n型的GaN——先用磁控溅射在表面溅射上Ti/Al/Ti三层金属，然后在卤灯/硅片组成的快速退火装置上进行快速退火：先600摄氏度—后900摄氏度——形成欧姆接触； p型的CdZnTe——磁控溅射仪上用Cu－3％Ag合金靶材在材料表面溅射一层CuAg合金。 欧姆接触[编辑] 欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的 果电流- 这些金属片通过光刻制程布局。低电阻，稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。 目录 [隐藏] ? 1 理论 ? 2 实验特性 ? 3 欧姆接触的制备 ? 4 技术角度上重要的接触类型 ? 5 重要性 ? 6 参考资料

金属电阻率测试仪使用说明

金属导体电阻率仪 说 明 书

目录 1 概述 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 1 2 仪器主要特点------------------------------------------------------------------------------------------------ 1 3 TX-300A/B主要技术参数-------------------------------------------------------------------------------- 2 4 仪器组件 ------------------------------------------------------------------------------------------------------ 3 5 使用说明 ------------------------------------------------------------------------------------------------------ 3 5.1 键盘分布--------------------------------------------------------------------------------------------- 3 5.2 开关机操作 ----------------------------------------------------------------------------------------- 4 5.3 测量MEAS ----------------------------------------------------------------------------------------- 4 5.3.1 测量准备 ----------------------------------------------------------------------------------- 4 5.3.2 导线综合参数测量----------------------------------------------------------------------- 6 5.3.3 电导率/电阻率测量---------------------------------------------------------------------- 8 5.3.4 直流电阻测量 ----------------------------------------------------------------------------- 9 5.3.5 导体直流电阻测量（仅适用B型） ------------------------------------------------ 9 5.3.6 设置SET ---------------------------------------------------------------------------------- 10 5.3.7 打印PRINT ------------------------------------------------------------------------------- 11 5.4 菜单MENU ---------------------------------------------------------------------------------------- 13 5.4.1 测量方式选项子界面------------------------------------------------------------------- 13 5.4.2 测量项目选项子界面------------------------------------------------------------------- 14 5.4.3 校准子界面 ------------------------------------------------------------------------------- 15 5.4.4 补偿温度模式子界面------------------------------------------------------------------- 16 5.4.5 温度系数设置子界面------------------------------------------------------------------- 17 5.4.6 打印设置子界面------------------------------------------------------------------------- 17 5.4.7 日期时间校准子界面------------------------------------------------------------------- 18 5.4.8 数据处理模式子界面------------------------------------------------------------------- 18 5.4.9 背光设置子界面------------------------------------------------------------------------- 20 5.4.10 蜂鸣声设置子界面---------------------------------------------------------------------- 21 5.4.11 语言设置子界面------------------------------------------------------------------------- 21 5.4.12 测试夹具选择子界面（仅适用B型） -------------------------------------------- 22 5.5 电池充电-------------------------------------------------------------------------------------------- 22 6 注意事项及维护保养 ------------------------------------------------------------------------------------- 23 7 用户须知 ----------------------------------------------------------------------------------------------------- 23 附录－：打印机使用简介 ------------------------------------------------------------------------------------- 24 附录二：常用材料电导率值及温度系数参考表 --------------------------------------------------------- 25

电阻率测试仪说明书

电阻率测试仪RCT-3200说明书 一、主要性能特点： 仪表内部没有任何可调部件，完全程序自动校正。 运行中电阻率或电导率切换显示，基于电阻率测量的倒数显示。 1、端子接线说明： W 接电导池白色线WHITE G/B 接电导池黑色线BLACK Y 接电导池黄色线YELLOW R 接电导池红色线RED I=\I- 仪表模式，由仪表内部馈电 T+\T- 变送模式，由调整模块外部馈电 RELAY 继电器触点（ON/OFF接点） OV/220V 交流电源AC220V接入 2、操作界面：测量界面下按“”键3秒自动进入设置菜单 设置 顺序 菜单名称功能介绍 1 电导池 常数C=标识闪烁，操作“位选键”和“增加键”输入电导池常数值，按“确认键”保存，进入下一参数设置 2 4mA对应4mA标识闪烁，修改4mA对应值，确认保存，进入下一参数设置 3 20mA对应20mA标识闪烁，修改20mA对应值，确认保存，进入下一参数设置 4 报警下限 设置 LO与标识闪烁，设置下限报警值，确认保存，进入下一参数设置 5 报警下限 解除 LO与标识闪烁，设置下限解除值，确认保存，进入下一参数设置 6 报警开关仅标识闪烁按“增加键”选择开启或关闭蜂鸣器，确认保存，进 入下一参数设置，预留功能（暂无） 7 显示精度按“增加键”选择一位小数或两位小数分辨精度，确认保存，返回测 量示值界面 3、电导池注意事项： 电导池属于精密测量部件，不可分解，不可改变电导池形状尺寸，忌用强酸、强碱清洗、浸泡以及机械刮蹭，这些操作都会导致电导池常数改变，影响系统的测量准确度。 4、常见故障排除：当系统运行出现测量数值数据不正确和不稳定时，区分问题来自仪表还是电导池？ ①从仪表的接线端子上拆下黑色线，检查仪表的电阻率显示是否为18.25MΩ·cm，如果显示为18.25MΩ·cm证明仪表正常，初步认定问题来自电导池的安装。 ②短路仪表上白黑接线端子，检查仪表的电阻率显示是否为0.0MΩ·cm，如果显示为0.0M Ω·cm证明仪表正常，初步认定问题来自电导池的安装。 ③讲电导池的连接线全部拆除，观察仪表的电阻率显示是否为15MΩ·cm左右的数值。如果显示正常，排除干扰来自仪表。 4、常见故障分析： 现象可能因素排除方法 上电仪表无显示A.电源没有接通 B.仪表故障 A.检查仪表电源端子之间有无电压 B.请专业人员维修

数字式接地电阻测试仪使用说明书

、管路敷设技术置保护层防腐跨接地线弯曲半径标高等，要求技术交底。管线敷设技术中包含线槽、管架等多项方式，为解决高中语文电气课件中管壁薄、接口不严等问题，合理利用管线敷设技术。线缆敷设原则：在分线盒处，当不同电压回路交叉时，应采用金属隔板进行隔开处理；同一线槽内，强电回路须同时切断习题电源，线缆敷设完毕，要进行检查和检测处理。、电气课件中调试纸，编写复杂设备与装置高中资料试卷调试方案，编写重要设备高中资料试卷试验方案以及系统启动方案；对整套启动过程中高中资料试卷电气设备进行调试工作并且进行过关运行高中资料试卷技术指导。对于调试过程中高中资料试卷技术问题，作为调试人员，需要在事前掌握图纸资料、设备制造厂家出具高中资料试卷试验报告与相关技术资料，并且了解现场设备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。、电气设备调试高中资料试卷技术料试卷工况进行自动处理，尤其要避免错误高中资料试卷保护装置动作，并且拒绝动作，来避免不必要高中资料试卷突然停机。因此，电力高中资料试卷保护装置调试技术，要求电力保护装置做到准确灵活。对于差动保护装置高中资料试卷调试技术是指发电机一变压器组在发生内部故障时，需要进行外部电源高中资料试卷切除从而采用高中资料试卷主要保护装置。

；同一线槽内，强电回路须同时切断习题电源，线缆敷设完毕，要进行检查和检测处理。事前掌握图纸资料、设备制造厂家出具高中资料试卷试验报告与相关技术资料，并且了解现场设备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。组在发生内部故障时，需要进行外部电源高中资料试卷切除从而采用高中资料试卷主要保护装置。

DZ59-EST121橡胶体积电阻率测试仪详细说明

DZ59-EST121橡胶体积电阻率测试仪详细说明 一、橡胶体积电阻率测试仪概述 本仪器是既可测量高电阻，又可测微电流。采用了美国Intel公司的大规模集成电路以及专利技术,使仪器体积小、重量轻、准确度高。以双3.1/2 位数字直接显示电阻的高阻计和电流。量限从1×104Ω～1×1018 Ω，是目前国内测量范围最宽，准确度最高的数字超高阻测量仪。电流测量范围为2×10-4 ～1×10-16Ａ。机内测试电压为10/50/100/250/500/1000V任意可调。本仪器具有精度高、显示迅速、性好稳定、读数方便，适用于防静电产品如防静电鞋、防静电塑料橡胶制品、计算机房防静电活动地板等电阻值的检验以及绝缘材料和电子电器产品的绝缘电阻测量。本仪器除能测电阻外，还能直接测量微弱电流。 二、橡胶体积电阻率测试仪主要特点 电阻测量范围宽0.01×104Ω～1×1018 Ω 电流测量范围为2×10-4Ａ～1×10-16Ａ 体积小、重量轻、准确度高 电阻、电流双显示 性能好稳定、读数方便 所有测试电压（10/50/100/250/500/1000V）测试时电阻结果直读，免去老式高阻计在不同测试电压下或不同量程时要乘以系数等使用不便的麻烦，使测量超高电阻就如用万用表测量普通电阻样简便。 既能测超高电阻又能测微电流 适用范围广:适用于防静电产品如防静电鞋、防静电塑料橡胶制品、计算机房防静电活动地板等电阻值的检验和电子电器产品的绝缘电阻测量 三、橡胶体积电阻率测试仪技术指标 1.电阻测量范围：0.01×104Ω～1×1018Ω。 2.电流测量范围为: 2×10-4A～1×10-16A 3. 双表头显示: 3.1/2位LED显示 4. 内置测试电压：10V、50V、100V、250、500、1000V 5. 基本准确度：1% （*注） 6 使用环境: 温度：0℃～40℃，相对湿度<80% 7 机内测试电压: 10/50/100/250/500/1000V 任意切换 8.供电形式: AC 220V，50HZ，功耗约5W 9. 仪器尺寸: 285ｍｍ×245ｍｍ×120 mm 10.质量: 约2.5KG 四、橡胶体积电阻率测试仪工作原理 根据欧姆定律，被测电阻Rx等于施加电压V除以通过的电流I。传统的高阻计的工作原理是测量电压V固定，通过测量流过取样电阻的电流I来得到电阻值。从欧姆定律可以看出，由于电流I是与电阻成反比，而不是成正比，所以电阻的显示值是非线性的，即电阻无穷大时，电流为零，即表头的零位处是∞，其附近的刻度非常密，分辨率很低。整个刻度是非线性的。又由于测量不同的电阻时，其电压V也会有些变化，所以普通的高阻计是精度差、分辨率低。 同时测出电阻两端的电压V和流过电阻的电流I，通过内部的大规模集成电路完成电压除以电流的计算，然后把所得到的结果经过A/D转换后以数字显示出电阻值，即便是电阻两端的电压V和流过电阻的电流I是同时变化，其显示的电阻值不象普通高阻计那样因被测电压V的变化或电流Ｉ的变化而变，所以，即使测量电压、被测量电阻、电源电压等发生变化对其结果影响不大，其测量精度很高（专利），从理论上讲其误差可以做到零，而实际误差可

体积表面电阻率测定仪

一、橡胶体积表面电阻率测定仪主要标准： GB/T 1410-2006 《固体绝缘材料体积电阻率和表面电阻率试验方法》 ASTM D257-99 《绝缘材料的直流电阻或电导试验方法》 GB/T 2439-2001《硫化橡胶或热塑性橡胶导电性能和耗散性能电阻率的测定》 GB/T 10581-2006 《绝缘材料在高温下电阻和电阻率的试验方法》 GB/T 1692-2008 《硫化橡胶绝缘电阻率的测定》 GB/T 12703.4-2010 《纺织品静电性能的评定第4部分：电阻率》 GB/T 10064-2006《测定固体绝缘材料绝缘电阻的试验方法》 二、橡胶体积表面电阻率测定仪概述： 本仪器既可测量高电阻，又可测微电流。采用了美国Intel公司的大规模集成电路,使仪器体积小、重量轻准确度高。数字液晶直接显示电阻值和电流。量限从1×104Ω ～1×1018 Ω，是目前国内测量范围最宽，准确度最高的数字超高阻测量仪。电流测量范围为2×10-4 ～1×10-16A。机内测试电压10V/50V/100V/250V/500V/1000V任意可调。本仪器具有精度高、显示迅速、性好稳定、读数方便. 适用于橡胶、塑料、薄膜、地毯、织物及粉体、液体、及固体和膏体形状的各种绝缘材料体积和表面电阻值的测定。 三、橡胶体积表面电阻率测定仪技术指标： 1.电阻测量范围：0.01×10 4Ω ～1×10 18Ω。 2.电流测量范围为: 2×10-4A～1×10-16A 3. 双表头显示: 3.1/2位LED显示 4. 内置测试电压：10V、50V、100V、250、500、1000V 5. 基本准确度：1% 6 使用环境: 温度：0℃～40℃，相对湿度<80% 7 机内测试电压: 10/50/100/250/500/1000V 任意切换 8.供电形式: AC 220V，50HZ，功耗约5W 9. 仪器尺寸: 285mm× 245mm× 120 mm 10.质量: 约2.5KG 四、橡胶体积表面电阻率测定仪工作原理： 根据欧姆定律，被测电阻Rx等于施加电压V除以通过的电流I。传统的高阻计的工作原理是测量电压V固定，通过测量流过取样电阻的电流I来得到电阻值。从欧姆定律可以看出，由于电流I是与电阻成反比，而不是成正比，所以电阻的显示值是非线性的，即电阻无穷大时，电流为零，即表头的零位处是∞，其附近的刻度非常密，分辨率很低整个刻度是非线性的。又由于测量不同的电阻时，其电压V也会有些变化，所以普通的高阻计是精度差、分辨率低。 BEST121型数字高阻计是同时测出电阻两端的电压V和流过电阻的电流I，通过内部的大规模集成电路完成电压除以电流的计算，然后把所得到的结果经过A/D转换后以数字显示出电阻值，即便是电阻两端的电压V和流过电阻的电流I是同时变化，其显示的电阻值不象普通高阻计那样因被测电压V的变化或电流I的变化而变，所以，即使测量电压、被测量电阻、电源电压等发生变化对其结果影响不大，其测量精度很高(专利)，从理论上讲其误差可以做到零，而实际误差可以做到千分之几或万分之几。 五、橡胶体积表面电阻率测定仪典型应用： 1.测量防静电鞋、导电鞋的电阻值 2、测量防静电材料的电阻及电阻率 3、测量计算机房用活动地板的系统电阻值 4、测量绝缘材料电阻(率)

(整理)FT300粉末电阻率测试仪.

FT-300经济型粉末电阻率测试仪 粉末电阻率测试仪 本仪器适用于碳素厂、焦化厂、石化厂、粉末冶金厂、高等院校、科研部门，是检验和分析粉末样品质量的一种重要的工具。 一、电阻测量范围： 电阻率：10-8～2X106Ω-cm 方块电阻：10-8～2X 106Ω/□ 电阻：10-8～2X106Ω 分辨率：最小0.1μΩ 测量误差±（0.05%读数±5字） 测量误差±（0.05%读数±5字） 2、测量电压量程：2mV 20mV 200mV 2V 测量精度±（0.1%读数） 分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV 3、⑴电流输出：直流电流0～1000mA 连续可调，由交流电源供电。 ⑵量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA, ⑶误差：±0.2%读数±2字 4. 主机240mm（长）×180 mm（宽）×80mm（高） 二、测试台技术参数 1、 2、试样粒度：试样粒度：40目以下—60目以上（标准筛网） 3、 4、试样容器：内经：Φ10mm 高度：0～20mm可调,带高度尺监测，测量误差：±0.02mm。 3、测试压强 标准压强：P0=4Mpa±0.05Mpa，合压力40kg±0.5 kg(S=1.0cm2)。 压强量程：20Mpa, P=0～20 Mpa可调，合压力0～200Kg,(S=1.0cm2) 4、压力机构采用手动操作、压力平稳可调。 液晶显示压力值！四位有效显示数0～200Kg，分别率±0.1 kg！ 5、测试台外形：250mm（前宽）×220 mm（后长）×540mm（总高） 重量：10Kg 6、方式：数字显示电阻率、压力单位、电流、电压、小数点自动显示 7、电源：220±10% 50HZ—60HZ 功率消耗 < 60W

欧姆接触与肖特基接触

欧姆接触 欧姆接触是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区(Active region)而不在接触面。欧姆接触在金属处理中应用广泛，实现的主要措施是在半导体表面层进行高掺杂或者引入大量复合中心。 欧姆接触指的是它不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。 条件 欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件： （1）金属与半导体间有低的势垒高度(Barrier Height) （2）半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3) 区别 前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。 若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙(Energy Gap)较大的半导体(如GaAs)，则较难形成欧姆接触 (无适当的金属可用)，必须于半导体表面掺杂高浓度杂质，形成Metal-n+-n or Metal-p+-p等结构。 理论 任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level）（或者严格意义上，化学势）必须相等。费米能级和真空能级的差值称作工函数。接触金属和半导体具有不同的工函，分别记为φM和φS。当两种材料相接触时，电子将会从低工函一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而，低工函的材料将带有少量正电荷而高工函材料则会变得具有少量电负性。最终得到的静电势称为内建场记为Vbi。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和温差电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与n型半导体相接触。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与p型半导体相接触。在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能

实验5 比体积电阻、比表面电阻的测定

实验5 比体积电阻、比表面电阻的测定 一、 实验目的 1、加深理解比体积电阻、比表面电阻的物理意义。 2、掌握绝缘电阻测试仪（高阻计）的使用方法。 二、实验原理 将平板状试样放在两电极之间，施于两电极上的直流电压和流过电极间试样表面层上的电流之比，称为表面电阻Rs 。若试样长度为1厘米，两电极间的试样宽度为1厘米，则这时的Rs 就是该试样的比表面电阻ρs ，单位为欧姆。 同理，施于两电圾上的直流电压和流过电极间试样体积内的电流之比，称为体积电阻Rv 。若试样厚度为1厘米，测量电极面积为1平方厘米，则这时的Rv 值即为该试洋的比体积电阻ρv ，单位为欧姆·厘米。通常，在提到“比电阻”而又没有特别注明的时候就是指ρv 。 ρs 和ρv 一般用绝缘电阻测试仪（超高阻仪）法和检流计法测定。 绝缘电阻测试仪的主要原理如图所示。测试时，被测试样Rx 与高阻抗直流放大器的输入电阻R 0串联，并跨接于直流高压测试电源上。放大器将其输入电阻R 0上的分压信号经放大后 输出给指示仪表CB ，由指示仪表可直接读出Rx 值。 本实验计算公式如下： 1、 Rv = 0 U U R 0 2、ρv = Rv t Ae 3、Ae = 4 π(d1+g)2 = 21.237(cm 2) 式中： Rv — 体积电阻 t — 被测试样厚度（cm ） d1 — 测量电极直径（5cm ） g — 测量电极与保护电极间隙（0.2cm ） 4、ρs = Rs ? π2

5、φ = ln 1 2d d 式中： d1 —— 测量电极直径(5cm) d2 —— 保护电极(环电极)内径(5.4cm) 三、实验设备、用具及试样 1、 绝缘电阻测试仪 2、 酚醛树脂标准试样2块，规格：100×100×2mm 四、实验步骤 1、照仪器面板，熟悉各开关、旋钮。 2、将体积电阻-表面电阻转换开关指在所需位置：当指在Rv 时，高压电圾加上 测试电压，保护电极接地；当指在Rs 时，保护电极加上测试电压，高压电极接地，如图： 3、校正高阻仪的灵敏度． 4、将被测试祥用导线(屏蔽线)接至Rx 测试端钮。 5、将测试电压选择开关置于所需的测试电压位置上。在测试前须再注意一下仪表的指针所指的“∞”有否变动，如有变动，可再借“∞”及“0”校正器将其调至“∞”。 6、把“放电-测试”转换开关，自“放电”位置转至“测试”位置，进行充电。这时输入端短路按钮仍处于将放大器输入端短路，在试样经一定时间充电后(一般15秒左右)，即可将辅入端短路按钮打开，进行读数。如发现指示仪表很快打出满度，则马上把辅入端短路按钮回复到使放大器输入端短路的位置。“放电—测试”开关也转回“放电”位置，待查明情况后，再做试验。 7、当输入端短路按钮打开后，如发现仪表尚无读数，或指示很小，可将倍率开关升高一档，并重复以上3、4的操作步报．这样铢档地升高倍率开关，直至试样的被测绝缘电阻读数能清晰读出为止(尽量读取在仪表刻度1一l0间的读数)。一般情况下，可读取合上测试开关后的一分钟时的读数，作为试样的绝缘电阻。 8、将仪表上的读数(单位是兆欧)乘以倍率开关所指示的倍率及测试电压开关所指的系数(10伏为0.01，100伏为0.1，250伏为0.25，500伏为0.5，1000伏为1.0)即为被测试样的绝缘电阻值。

绝缘电阻测试仪说明书

绝缘电阻测试仪说明书 由于输入输出端子、测试柱等均有可能带电压，在插拔测试线、电源插座时，会产生电火花，小心电击， 避免触电危险，注意人身安全！ 安全要求 请阅读下列安全注意事项，以免人身伤害，为了避免可能发生的危险，只可在规定的范围内使用。 只有合格的技术人员才可执行维修。 —防止火灾或人身伤害 使用适当的电源线。只可使用专用并且符合规格的电源线。 正确地连接和断开。当测试导线与带电端子连接时，请勿随意连接或断开测试导线。 注意所有终端的额定值。为了防止火灾或电击危险， 请注意所有额定值和标记。在进行连接之前，请阅读使用说明书，以便进一步了解有关额定值的信息。 使用适当的保险丝。只可使用符合规定类型和额定值的保险丝。

避免接触裸露电路和带电金属。有电时，请勿触摸裸露的接点和部位。 请勿在潮湿环境下操作。 请勿在易爆环境中操作。

目录 第一章概述 (6) 第二章介绍 (6) 一、特性 (6) 二、技术指标......................... . (8) 三、仪表结构............................ . (9) 四、仪表原理... . (10) 第三章使用方法 (11) 一、准备工作 (11) 二、开始测试 ............................ ... (12) 三、调阅测试结果 (14) 四、屏蔽端使用方法 (14) 五、电池充电 (15)

第一章概述 随着我国电力工业的快速发展，电气设备预防性实验是保障电力系统安全运行和维护工作中的一个重要环节。绝缘诊断是检测电气设备绝缘缺陷或故障的重要手段。绝缘电阻测试仪（兆欧表）是测量绝缘电阻的专用仪表。1990年5月批准实施的JJG662-89《绝缘电阻表（兆欧表）》已把它作为强制检定的仪表之一。目前，电气设备（如变压器、发电机等）朝着大容量化、高电压化、结构多样化及密封化的趋势发展。这就需要绝缘电阻测试仪本身具有容量大、抗干扰能力强、测量指标多样化、测量结果准确、测量过程简单并迅速、便于携带等特点。对于容量较大的电气设备要进行吸收比和极化指数二种绝缘指标的测试，在我国的《500KV规程》中，已将极化指数指标列为500KV变压器、电抗器的预防性试验项目。 BC2000型智能双显绝缘电阻测试仪采用嵌入式工业单片机实时操作系统，超薄形张丝表头与图形点阵液晶显示器完美结合，该表具有二种电压输出等级（2.5KV和5KV）、容量大、抗干扰强、指针与数字同步显示、交直流两用、操作简单、自动计算各种绝缘指标(吸收比、极化指数)、各种测量结果具有防掉电功能等特点。是测量大型变压器、互感器、发电机、高压电动机、电力电容、电力电缆、避雷器等绝缘电阻的理想测试仪器。

肖特基接触与欧姆接触

欧姆接触 是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区(Active region)而不在接触面。 欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件： （1）金属与半导体间有低的势垒高度(Barrier Height) （2）半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3) 前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。 若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙(Energy Cap)较大的半导体(如GaAs)，则较难形成欧姆接触(无适当的金属可用)，必须于半导体表面掺杂高浓度杂质，形成Metal-n＋-n or Met al-p+-p等结构。 理论 任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level）（或者严格意义上，化学势）必须相等。费米能级和真空能级的差值称作工函。接触金属和半导体具有不同的工函，分别记为φM和φS。当两种材料相接触时，电子将会从低工函一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而，低工函的材料将带有少量正电荷而高工函材料则会变得具有少量电负性。最终得到的静电势称为内建场记为Vbi。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和温差电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与n型半导体相接触。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与p型半导体相接触。在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能级跳到弯曲的导带顶。穿越势垒所需的能量φB是内建势及费米能级与导带间偏移的总和。同样对于n型半导体，φB = φM ? χS当中χS是半导体的电子亲合能（electron affinity），定义为真空能级和导带（CB）能级的差。对于p型半导体，φB = Eg ? (φM ? χS)其中Eg是禁带宽度。当穿越势垒的激发是热力学的，这一过程称为热发射。真实的接触中一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形，耗尽区宽度决定了厚度，其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度W可以通过解泊松方程以及考虑半导体内存在的掺杂来计算: 在MKS单位制ρ 是净电荷密度而ε是介电常数。几何结构是一维的因为界面被假设为平面的。对方程作一次积分，我们得到 积分常数根据耗尽层定义为界面完全被屏蔽的长度。就有 其中V(0) = Vbi被用于调整剩下的积分常数。这一V(x)方程描述了插图右手边蓝色的断点曲线。耗尽宽度可以通过设置V(W) = 0来决定，结果为

Resitest-400混凝土电阻率测试仪中文操作说明书

Resitest-400 混凝土电阻率测试仪中文操作说明书 B&T-中文操作说明书-Resitest001-20100105

目录 1.介绍 (3) 2.测量及其原理 (4) 3.Resitest-400的组成 (6) 4.注意事项 (7) 5.准备工作 (9) 6.仪器保养 (11) 7.仪器操作 (12) 8.Resitest-400检查 (13) 9.结果分析 (14) 10.维修 (15) 11.规格 (16)

1.介绍 感谢您购买Resitest-400。推荐您在完全阅读并了解本手册之后再使用本仪器。Resitest-400仪器可以用来测量混凝土表面的电子阻抗并检测钢筋混凝土结构的锈蚀状况。Resitest-400主要包含基本设备和Wenner探头。 主机上有一个LED指示灯，用于指示充电和电池电量状态（即电池低电量状态显示），还有一个“保持”功能键，用于保持测量数据的显示。 同样，当“保持”功能键使用时，LED指示灯也点亮。 注意：如果Wenner传感器与容易产生静电的材料或高电导材料如金属等非混凝土或标准块接触，Resitest-400中的电路会由于过大的电流而损坏。

2. 测量及其原理 钢筋锈蚀会发生在很多钢筋混凝土结构中。锈蚀会导致混凝土的破碎及钢筋断面的减少，因此，在锈蚀开始的初期进行检测是非常重要的。半电池方法（Half-cell 200/Q-see man int ’l ）可以无需破坏钢筋混凝土表面地进行定位腐蚀的钢筋。通过这种方法，使用等高线绘图程序可以有效地定位锈蚀活动的区域。但是，在连接钢筋和电缆时，混凝土表面的一部分需要破坏。 但是，Resitest-400使用Wenner 探头接触混凝土保护层，它可以很容易地测量混凝土保护层的锈蚀状况。 混凝土的电阻率在检测锈蚀中扮演者及其重要的角色。当混凝土的电阻率低时，其发生锈蚀的活动的可能性非常比高电阻率高。 电阻率通过公式R=V/I 及 ρ=2παR 进行计算，其中R 为电阻，V 为通过电极的测量电压，I 为流经电极之间的电流，ρ为电阻系数，α为电极间的距离。 R I V R παρ2,/==

欧姆接触

1.1 金属-半导体接触的基本原理 金属-半导体接触（金半接触）是制作半导体器件中十分重要的问题，接触情况直接影响到器件的性能。从性质上可以将金属-半导体接触分为肖特基接触和欧姆接触。肖特基接触的特点是接触区的电流-电压特性是非线性的，呈现出二极管的特性，因而具有整流效应，所以肖特基接触又叫整流接触。欧姆接触的特点是不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度产生明显的改变。理想的欧姆接触的接触电阻与半导体器件相比应当很小，当有电流通过时，欧姆接触上的电压降应当远小于半导体器件本身的电压降，因而这种接触不会影响器件的电流-电压特性[1]。下面将从理论上对金属-半导体接触进行简要的分析。 1.2欧姆接触 本章1.1节中提到，当金属-半导体接触的接触区的I-V曲线是线性的，并且接触电阻相对于半导体体电阻可以忽略不计时，则可被定义为欧姆接触（ohmic contact）[1]。良好的欧姆接触并不会降低器件的性能，并且当有电流通过时产生的电压降比器件上的电压降还要小。 1.2.1欧姆接触的评价标准 良好的欧姆接触的评价标准是[4]： 1)接触电阻很低，以至于不会影响器件的欧姆特性，即不会影响器件I-V的线 性关系。对于器件电阻较高的情况下（例如LED器件等），可以允许有较大的接触电阻。但是目前随着器件小型化的发展，要求的接触电阻要更小。2)热稳定性要高，包括在器件加工过程和使用过程中的热稳定性。在热循环的 作用下，欧姆接触应该保持一个比较稳定的状态，即接触电阻的变化要小，尽可能地保持一个稳定的数值。 3)欧姆接触的表面质量要好，且金属电极的黏附强度要高。金属在半导体中的 水平扩散和垂直扩散的深度要尽可能浅，金属表面电阻也要足够低。