模电复习资料60029
模拟电子电路期末复习2015.1.15
期末考试时间：2015.1.23上午9：00-11：00
地点：2-408
带计算器、三角板、铅笔。
一、半导体
1. 本征半导体------纯净的具有晶体结构的半导体。在热激发条件下产生自由电子和空穴对。在半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2. 杂质半导体
⑴ P 型半导体----在本征半导体中加入 三价 元素。空穴为多子，自由电子为少子。
空穴数（取决于掺杂+热激发）=自由电子数（取决于热激发+负离子数）使半导体正、负电荷数相等，整个半导体对外呈电中性。
⑵ N 型半导体----在本征半导体中加入 五价 元素。自由电子为多子，空穴为少子。
自由电子数（取决于掺杂+热激发）=空穴数（取决于热激发+正离子数）使半导体正、负电荷数相等，整个半导体对外呈电中性。
⑶多子：由掺杂形成。少子由热激发形成。
3.漂移电流：在电场力作用下，自由电子（空穴）逆（顺）电场方向的定向运动而形成的电流。 ⑴电子电流
⑵空穴电流：价电子填补空位所形成的。
二、二极管
1.PN 结------ P 型半导体与N 型半导体结合后，在交界面两侧出现不能移动的正负离子区称为空间电荷区即PN 结，又称耗尽层、阻挡层、势垒层。
2.PN 结特性是单向导电性。
⑴外加正向电压时，（或正向偏置：P 极接+，N 极接-），空间电荷区将变窄；结电流大，结电阻小；称正向导通。
⑵外加反向电压时，（或反向偏置：P 极接-，N 极接+），空间电荷区将变宽；结电流小，结电阻大；称反向截止。
3. PN 结伏安特性 D S i I (1)D
T u u e =-
26T u mV =
4. 二极管实质上就是一个.PN 结，PN 结的所有特性，二极管都具有。二极管的重要特性是单向导电性。即二极管的正向电阻小，正向电流大；反向电阻 大，反向电流小。
5. 硅管正向导通电压为0.7V;锗管正向导通电压为0.3V
6.二极管静态电阻（直流电阻）R D 和动态电阻（交流电阻）r d
U D /V
i
/mA
D D D U R I = 26d D
mV r I = 7.稳压二极管是利用反向击穿特性来达到稳定电压的二极管。I ZMIN ≤I Z ≤I ZMAX
8.发光二极管LED ，工作电压2V ,电流10-30mA
9判断二极管的工作状态方法：
⑴通过比较二极管两个电极电位的高低，确定它的工作状态。
⑵选“－”或“⊥”极为基准电压。断开二极管，并以它的两个电极作为端口，利用戴维南定理求解端口电压，
①若U 阳>U 阴或UD 为正( 正向偏置 )，二极管导通;
②若U 阳< U 阴或UD 为负( 反向偏置 )，二极管截止。
⑶如果电路中出现两个以上二极管承受大小不等的正向电压，则应承受正向电压较大者优先导通，其两端电压为导通电压降，然后再用上述方法判断其余二极管所处状态。
10.当正向偏置电压较小时，二极管仍未完全导通，这一电压区域称为死区。硅管0.5V ；锗管0.1V 。
三、双极型三极管（BJT ）
1.两种类型：NPN 型和PNP 型
2.两个PN 结：发射结和集电结
3.三个电极：B 、C 、E
4.BJT 放大的外部条件是：发射结正偏和集电结反偏。
⑴对NPN 管：V C >V B >V E ;
⑵PNP 管：V C < V B < V E
5.BJT 的输出特性曲线有三个工作区：
⑴放大区：发射结正偏VBE> VBEON 和集电结反偏V CE >V BE 。
⑵截止区：发射结反偏VBE ⑶饱和区：发射结正偏和集电结正偏。 6.BJT 的电流分配关系：I E =I C +I B 7.BJT 工作状态分析方法 ⑴首先判断发射结是否处于正偏，若发射结未正偏导通，则BJT 处于截止状态； ⑵若发射结正偏导通，则可能处于放大或饱和状态。 ① 放大状态：I C =βI B 或V CE >V BE ② 饱和状态： V CE ≤0.3V ③ 临界饱和：V CES =0.7V 四、放大电路 1. 放大电路是在保证信号不失真的前提下，将微弱的电信号（电压、电流、功率）放大到所需要的量级，且功率放大倍数（增益）大于1的电子线路。 ⑴放大倍数与增益关系：电压增益通常用对数表示，单位为分贝。10倍?20dB ；100倍?40dB ；1000倍?60dB ；10000倍?80dB 。 2.放大电路的直流通路和交流通路 ⑴直流通路：当放大电路处于静态时，直流电流流经的通路称为放大电路的直流通路。 用来计算和分析放大器的静态工作点。画直流通路时应将交流信号源置零（交流电压源短路，交流电流源开路），但保留内阻，电容开路，电感短路。 ⑵交流通路：当放大电路处于动态时，交流电流流经的通路称为放大器的交流通路。 用来计算和分析放大电路的交流指标及其动态特性。画交流通路时应将直流源置零（直流电压源短路，直流电流源开路），但保留内阻，电容短路，电感开路。 3.放大电路分析的基本原则 遵循“先直流，后交流”原则，直流是基础，交流是目的。只有静态工作点Q合适，保证放大信号不失真，进行交流分析才有意义。 4. 放大电路分析的基本方法 ⑴图解分析法：适用于大信号分析。 ①直流分析一般步骤：a.画出其直流通路; b.由基—射回路写出输入直流负载线方程，i B=f(U BE); 由集—射回路写出输出直流负载线方程，i C=f(U CE); c.在输入伏安特性曲线上作输入直流负载线i B=f(U BE)，其交点坐标值为静点；在输出伏安特性曲线上作输出直流负载线i B=f(U BE)，其交点坐标值为静态工作点；I BQ、I CQ、U CEQ ②交流分析一般步骤：a. 画出其交流通路；b. 由集—射回路写出输出交流负载线方程，i C=f(U CE)； c.利用交流负载线必经过静态工作点Q,在输出伏安特性曲线上作输出交流负载线i C=f(U CE)； d.. 利用交流负载线i C=f(U CE)与横轴的交点，可确定出放大电路最大不截止失真幅度和不饱和失真幅度，通过比较两者大小，可确定放大电路的动态范围。 ⑵微变等效电路法：适合于分析交流小信号复杂放大电路。 ①直流分析：用估算法求静态工作点Q，U BEQ=0.7V(硅管) ②交流分析：微变等效电路法 A．求出静态工作点处的微变等效电路参数r be B.画出放大电路的微变等效电路。可先画出三极管的等效电路，然后再画出放大电路其余部分的交流通路。 C．列出电路方程，并求解A u 、R i和R o 5.BJT放大偏置电路 ⑴如图2所示，基本共射放大电路（固定基极偏置电路） 图2 图3 先确定I BQ?I CQ?U CEQ ⑵如图3所示，分压式负反馈偏置电路 分压式静态工作点稳定电路求解步骤： U BQ? U EQ?I EQ （=I CQ）?I BQ?U CEQ CC b2 b1 b1 BQ V R R R U + ≈ e BEQ BQ EQ CQ R U V I I - = ≈ 6.BJT 三种基本组态放大电路交流特性的分析 ⑴BJT 三种基本组态 ①共射组态：B 入，C 出 ②共基组态：E 入，C 出 ③共集组态：B 入，E 出 ⑵放大器交流性能指标 电压放大倍数：输出量与输入量之比。 ②输入电阻：从放大器输入端看进去的等效电阻。 ③输出电阻：从放大器输出端看进去的等效电阻。 ⑶.BJT 三种基本组态放大电路性能比较 ①共射（共E ）放大电路：是反相放大电路，电压和电流都有放大；输入电阻适中，输出电阻较大。 ②共基（共B ）放大电路：是同相放大电路，有电压放大，无电流放大；输入电阻最小，输出电阻较大。 ③共集（共C ）放大电路：是同相放大电路，有电流放大，无电压放大；输入电阻最大，输出电阻最小。 16.在图4所示电路中，已知晶体管的β=80，r be =1k Ω，Ui=20mV ；静态时U BEQ =0.7V ，U CEQ =4V ，I BQ =20μA 。 ⑴ Au=-4/20×10-3=-200 ( ) ⑵ Au=-4/0.7≈-5.71 ( ) ⑶ Au=-80×5/1=-400 ( ) ⑷ Au=-80×2.5/1=-200 ( ) ⑸ Ri=20/20k Ω=1k Ω ( ) ⑹ Ri=0.7/0.02k Ω=35k Ω （ ） ⑺ Ri≈3k Ω ( ) ⑻ Ri≈1k Ω （ ） ⑼ Ro=5k Ω （ ） ⑽ Ro=2.5 k Ω （ ） ⑾ Us≈20mV （ ） ⑿ Us≈60mV ( ) 17．电路如图5所示，晶体管的β＝60，r bb ，＝100Ω。 （1）求解静态工作点； （2）求A u 、R i 和R o 。 )(e c CQ CC CEQ R R I V U +-≈β +=1EQ BQ I I 551052图4 图5 图6 五、集成运算放大器及其应用 1. 集成运算放大器是一个高增益直接耦合多级放大器，并且具有很高的输入电阻和很低的输出电阻。 2.理想运放的特性 ⑴参数理想化的集成运算放大称为理想运放。其中开环电压增益A U =∞；输入电阻R id =∞；输出电阻R O =0。 ⑵理想运放线性应用下有两个特点：虚短路：U+=U-；虚断路i+=i-=0 注意！运放只有在反相输入端输入信号，同相端电位为零时，虚短路才等效为虚地U+=U-=0 ⑶运放处于线性工作状态，需要在集成运放外部引入深度负反馈。 3.各种运算电路的计算方法 ⑴在判定运放引入深度负反馈，处于线性工作状态下。 ⑵依据运放两个特点：虚短路：U+=U-；虚断路i+=i-，及线性电路分析法，如①叠加定理，②节点电流法，求解输出与输入之间的函数关系。U O =f(U i ) ⑶同相比例电路和反相比例电路的输出与输入之间的函数关系可作为直接引用的基本公式。 4. 集成运算放大器应用 ⑴正弦波振荡器是属于信号产生电路。是利用正反馈技术，在没有外部输入情况下，依靠足够的正反馈自行激励产生指定频率、固定振幅的正弦周期性振荡电路。 ① 电路组成：由A.放大电路、B.正反馈网络、C.选频网络、D.稳幅电路四个功能部分组成。 ② 振荡条件：1AF =&&。环路增益，1AF =,振幅平衡条件：1AF =&&，相位平衡条件：2A F n ??π+= ③ 起振条件：AF &&>1 ④振荡频率 ⑵电压比较器是属于信号处理电路。是通过输出状态来比较两个输入电压的大小。它的输入量是模拟量，输出量一般只有高、低两个稳定状态的电压。利用电压比较器可以把各种周期信号转换为矩形波。 ①运放工作在非线性状态，集成运放处于开环或仅正反馈状态。 ②有过零比较器、滞回比较器等。同相比较器、反相比较器等。 ③传输特性三要素： A.输出电压高、低电平 B. 阈值电压U T C.输入电压变化经过U T 时，输出电压的跃变方向。 ④阈值电压U T 计算。 ⑶非正弦波发生器用于产生方波、三角波、锯齿波等。一般由三部分组成 ① 滞回电压比较器（用于实现高、低电平两种状态）； ② 实现时间延迟的延时环节（由RC 积分电路组成），用于使高、低电平的状态维持一定时间； 012f RC π= 模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1 《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 重庆大学《模拟电子技术（Ⅱ）》课程试卷 A卷 B卷 2010 ~2011学年 第 1 学期 开课学院： 电气 课程号：15012335 考试日期： 2010-12-30 考试方式： 开卷闭卷 其他 考试时间： 120 分钟 题号 一 二 三 总分 11 12 13 14 15 16 分值 20 10 10 12 12 12 12 12 得分 一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共10小题，每空2分，共20分) 1.欲得到电压－电流转换电路，应在集成运算放大电路中引入( )。 (a) 电压串联负反馈 （b ）电流并联负反馈 （c ）电流串联负反馈 2. 图1为正弦波振荡电路，其反馈电压取自（ ）元件。 (a) L 1 (b) L 2 (c) C 1 3. 负反馈对放大器的影响是（ ） A 、减少非线性失真 B 、增大放大倍数 C 、收窄通频带 图1 图2 4. 图2为单相桥式整流滤波电路，u 1为正弦波，有效值为U 1=20V ，f=50H Z 。若实际测 得其输出电压为28.28V ，这是由于（ ）的结果。 (a) C 开路 (b) R L 开路 (c)C 的容量过小 5. 图3为（ ）功率放大电路。 (a)甲乙类OCL (b)乙类OTL (c)甲乙类OTL 6. 共模抑制比K CMR 是（ ）之比。 (a)输入量中的差模信号与共模信号 (b)输出量中的差模信号与共模信号 (c)差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）。 7. PNP 管工作在饱和状态时，应使发射结正向偏置，集电结（ ）偏置。 (a ）正向 (b) 反向 (c) 零向 8.如图4电路，设二极管为理想元件，则电压U AB 为（ ）V 。 (a) 0 (b) 5 (c)-8 图3 图4 9.抑制频率为100kHz 以上的高频干扰，应采用（ ）滤波电路。 (a)低通 (b)带通 (c)带阻 10. U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管是( ) 。 (a) 结型管 (b) 增强型MOS 管 (c) 耗尽型MOS 管 二、判断下列说法是否正确，凡对者打“ √ ”，错者打“ × ” (每小题2分，共10分) 1.一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。( ) 2.对于正弦波振荡电路，只要满足自激振荡的平衡条件，就能自行起振。( ) 3．乙类互补对称OTL 电路中的交越失真是一种非线性失真。 （ ） 4．一般情况下高频信号发生器中采用LC 振荡电路。 （ ） 5．在整流电路中，一般采用点接触型晶体二极管。 （ ） + - 命题人： 熊兰 组题人： 审题人： 命题时间： 教 务处 制 学院 专业、班 年级 学号 姓名 公平竞争、诚实守信、严肃考纪、拒绝作弊 封 线 密 1、逻辑代数有与、或和非三种基本运算。 2、四个逻辑相邻的最小项合并，可以消去__2________个因子； __2n _______个逻辑相邻的最小项合并，可以消去n 个因子。 3、逻辑代数的三条重要规则是指反演规则、代入规则和对偶规则。 4、 n 个变量的全部最小项相或值为1。 6、在真值表、表达式和逻辑图三种表示方法中，形式唯一的是真值表。 8、真值表是一种以表格描述逻辑函数的方法。 9 、与最小项ABC 相邻的最小项有AB ’C’，ABC， A’BC ’。 2n 10、一个逻辑函数，如果有n 个变量，则有个最小项。 11、 n 个变量的卡诺图是由2n个小方格构成的。 13、描述逻辑函数常有的方法是真值表、逻辑函数式和逻辑图三种。 14、相同变量构成的两个不同最小项相与结果为0。 15、任意一个最小项，其相应变量有且只有一种取值使这个最小项的值为1。1．在数字电路中，三极管主要工作在和两种稳定状态。 饱和、截止 2．二极管电路中，电平接近于零时称为，电平接近于 VCC是称为。低电平、高电平 3． TTL 集成电路中，多发射极晶体管完成逻辑功能。 与运算 4． TTL 与非门输出高电平的典型值为，输出低电平的典型值为。 3.6V 、 0.2V 5．与一般门电路相比，三态门电路中除了数据的输入输出端外，还增加了一个片选信号端，这个对芯片具有控制作用的端也常称为。 使能端 6．或非门电路输入都为逻辑 1 时，输出为逻辑。 7．电路如图所示，其输出端 F 的逻辑状态为。 1 8．与门的多余输出端可，或门的多余输出端可。与有用输入端并联或接高电平、与有用输入端并联或接低电平 10．正逻辑的或非门电路等效于负逻辑的与非门电路。 与非门 11．三态门主要用于总线传输，既可用于单向传输，也可用于双向传输。单向传送、双向传送 12．为保证TTL 与非门输出高电平，输入电压必须是低电平，规定其的最大值称 为开门电平。 低电平、开门电平 《模拟电子技术》 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分） 1只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。 （×）2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。 （√）3负反馈越深，电路的性能越稳定。 （×）4零点漂移就是静态工作点的漂移。 （√）5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 （√）6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 （√）7半导体中的空穴带正电。 （√）8 P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （×）9实现运算电路不一定非引入负反馈。 （×）10凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。 （×）二、选择填空（10分） （1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A ；为了展宽频带，应在放大电路中引入 D 。 （A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中， C 。 （A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00 （3）集成运放的互补输出级采用 B 。 （A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。 （A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β （5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是 B ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 C 。 （A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C B u B B u E。 （A）> （B）< （C）= （D）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A 。 （A）大（B）小（C）相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。解：二极管D截止，u0=-6V 四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。 管号T1 T2T3 管 号 T1T2T3 管脚电位（V）①0.7 6.2 3 电 极 名 称 ① ②0 6 10 ② ③ 5 3 3.7 ③ 材料类型 五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时U BEQ=0.7V，电流放大系数为β=80，r be=1.2 kΩ，R B=500 kΩ，R C=R L=5 kΩ，V CC=12V。 B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益 Digital IC：数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路 或系统 第一章引论 1、数字IC芯片制造步骤 设计：前端设计（行为设计、体系结构设计、结构设计）、后端设计（逻辑设计、电路设计、版图设计） 制版：根据版图制作加工用的光刻版 制造：划片：将圆片切割成一个一个的管芯（划片槽） 封装：用金丝把管芯的压焊块（pad）与管壳的引脚相连 测试：测试芯片的工作情况 2、数字IC的设计方法 分层设计思想：每个层次都由下一个层次的若干个模块组成，自顶向下每个层次、每个模块分别进行建模与验证 SoC设计方法：IP模块（硬核（Hardcore)、软核（Softcore)、固核（Firmcore））与设计复用Foundry（代工）、Fabless（芯片设计）、Chipless（IP设计）“三足鼎立”——SoC发展的模式 3、数字IC的质量评价标准（重点：成本、延时、功耗，还有能量啦可靠性啦驱动能力啦 之类的） NRE (Non-Recurrent Engineering) 成本 设计时间和投入，掩膜生产，样品生产 一次性成本 Recurrent 成本 工艺制造（silicon processing），封装（packaging），测试（test） 正比于产量 一阶RC网路传播延时：正比于此电路下拉电阻和负载电容所形成的时间常数 功耗：emmmm自己算 4、EDA设计流程 IP设计系统设计（SystemC）模块设计（verilog） 综合 版图设计(.ICC) 电路级设计（.v 基本不可读）综合过程中用到的文件类型(都是synopsys版权)： 可以相互转化 .db（不可读）.lib（可读） 加了功耗信息 模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic = 90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k Ω，R B1 120k Ω， R B2 39k Ω，R C 3.9k Ω，R E 2.1k Ω，R L 3.9k Ω，r bb’ Ω，电流放大系数β 50，电路 中电容容量足够大，要求： 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 一、 填空（16分） 1、在电流控制方式上，双极型晶体管是__电流控制电流源____型，而场效应管是__电压控制电流源___型；二者比较，一般的由_____场效应管___构成的电路输入电阻大。 2、放大电路中，为了不出现失真，晶体管应工作在___放大___区，此时发射结___正偏______，集电结___反偏______。 3、负反馈能改善放大电路性能，为了提高负载能力，应采用___电压___型负反馈，如果输入为电流源信号，宜采用___并联___型负反馈。 4、正弦波振荡电路应满足的幅值平衡条件是___AF=1____。RC 振荡电路、LC 振荡电路及石英晶体振荡电路中，___石英晶体振荡电路___的频率稳定性最好。 5、直流电源的组成一般包括变压器、_整流电路__、_滤波电路_和_稳压电路_。 6、下列说法正确的画√，错误的画× （1）放大电路的核心是有源器件晶体管，它能够实现能量的放大，把输入信号的能量放大为输出信号的能量，它提供了输出信号的能量。 （ × ） （2）共集组态基本放大电路的输入电阻高，输出电阻低，能够实现电压和电流的放大。 （ × ） （3）图1所示的文氏桥振荡电路中，对于频率为01 2f RC π=的信号，反馈信 号U f 与输出信号U o 反相，因此在电路中引入了正反馈环节，能产生正弦波振荡。 （ × ） 第 1 页 （共 8 页） C C R R + + + +R R 3 4 o U ?f U ?t 图1 试 题： 班号： 姓名： 二、（18分）基本放大电路及参数如图2所示，U BE =0.7V ，R bb ’=300?。回答下列各问： （1） 请问这是何种组态的基本放大电路？（共射、共集、共基） （2） 计算放大电路的静态工作点。 （3） 画出微变等效电路。 （4） 计算该放大电路的动态参数：u A ，R i 和R o （5） 若观察到输出信号出现了底部失真，请问应如何调整R b 才能消除失真。 图2 答：（1）是共射组态基本放大电路 （1分） （2）静态工作点Q ： Vcc=I BQ *R b +U BEQ +(1+β) I BQ *R e ，即15= I BQ *200k ?+0.7V+51* I BQ *8k ?， ∴I BQ =0.0235mA （2分） ∴I CQ =βI BQ =1.175mA ， （2分） ∴U CEQ =V cc-I CQ *R C -I EQ *R E ≈V cc-I CQ *(R C +R E )=15-1.175*10=3.25V （2分） （3）微变等效电路 o （4分） （4）r be =r bb ’+(1+β)U T /I EQ =0.2+51*26/1.175=1.33K ? A u =-β(R c //R L )/r be =-50*1.32/1.33=-49.6 （2分） Ri=R b //r be ≈1.33K ?; （2分） Ro ≈Rc=2K ? （2分） （5）是饱和失真，应增大R b （1分） 1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直 流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中 频时的（ B ） a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载 电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 （ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内 阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A比B （ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA 数电复习知识点 第一章 1、了解任意进制数的一般表达式、2-8-10-16进制数之间的相互转换； 2、了解码制相关的基本概念和常用二进制编码（8421BCD、格雷码等）； 第三章 1、掌握与、或、非逻辑运算和常用组合逻辑运算（与非、或非、与或非、异或、同或）及其逻辑符号； 2、掌握逻辑问题的描述、逻辑函数及其表达方式、真值表的建立； 3、掌握逻辑代数的基本定律、基本公式、基本规则（对偶、反演等）； 4、掌握逻辑函数的常用化简法（代数法和卡诺图法）； 5、掌握最小项的定义以及逻辑函数的最小项表达式；掌握无关项的表示方法和化简原则； 6、掌握逻辑表达式的转换方法（与或式、与非－与非式、与或非式的转换）； 第四章 1、了解包括MOS在内的半导体元件的开关特性； 2、掌握TTL门电路和MOS门电路的逻辑关系的简单分析； 3、了解拉电流负载、灌电流负载的概念、噪声容限的概念； 4、掌握OD门、OC门及其逻辑符号、使用方法； 5、掌握三态门及其逻辑符号、使用方法； 6、掌握CMOS传输门及其逻辑符号、使用方法； 7、了解正逻辑与负逻辑的定义及其对应关系； 8、掌握TTL与CMOS门电路的输入特性（输入端接高阻、接低阻、悬空等）； 第五章 1、掌握组合逻辑电路的分析与设计方法； 2、掌握产生竞争与冒险的原因、检查方法及常用消除方法； 3、掌握常用的组合逻辑集成器件（编码器、译码器、数据选择器）； 4、掌握用集成译码器实现逻辑函数的方法； 5、掌握用2n选一数据选择器实现n或者n＋1个变量的逻辑函数的方法； 第六章 1、掌握各种触发器（RS、D、JK、T、T’）的功能、特性方程及其常用表达方式（状态转换表、状态转换图、波形图等）； 2、了解各种RS触发器的约束条件； 3、掌握异步清零端Rd和异步置位端Sd的用法； 2、了解不同功能触发器之间的相互转换； 第七章 1、了解时序逻辑电路的特点和分类； 2、掌握时序逻辑电路的描述方法（状态转移表、状态转移图、波形图、驱动方程、状态方程、输出方程）； 3、掌握同步时序逻辑电路的分析与设计方法，掌握原始状态转移图的化简； 《模拟电子技术基础（1）》期末试题 （A 卷）参考答案及评分标准 一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 变压器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式，1T 接成 共基 组态，2T 接成 共集 组态，1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。 二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 （1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分） （2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分） 2.电路如图3所示，试回答下列问题 （1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接） 答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分） 模电期中测试题参考答案 、填空题：（20分） 1最常用的半导体材料有 __________ 和_________ 。硅；锗 2、在半导体中，参与导电的不仅有______ ，而且还有_________ ，这是半导体区别于导体导电的重要特征。自由电子；空穴 3、如果在本征半导体晶体中掺入五价元素的杂质，就可以形成________________ 半导体。N （电子型） 4、P型半导体中__________ 是多数载流子，_____________ 是少数载流子 空穴、自由电子 5、在杂质半导体中，多子的浓度主要取决于掺入的杂质的 __________ ，少子的浓度主要取决于 __________ 。浓度；温度 6、当PN结正向偏置时，PN结处于_________ 状态；当PN结反向偏置时，PN结处于___________ 状态，可见，PN结具有______ 性。导通、截止、单向导电性 7、要使稳压二极管起到稳压作用，稳压二极管应工作在__________ 区。反向击穿 8晶体三极管工作在放大状态的外部条件是 ________ 、_________ 。 发射结正偏、集电结反偏 9、当三极管工作在_____ 区时，关系式I C I B才成立；当三极管工作在 _区时，I C 0 ;当三极 管工作在_________ 区时，U CE 0。 放大区、截止区、饱和区 10、__________ 衡量放大电路对不同频率输入信号适应能力的一项技术指标。 频率响应二、选择题：（20分） 1在如图所示电路中，工作于正常导通状态的二极管是（C） A. 乩 C. -100V -50? 57 ― 4V \ OV R TV O———fel ---- c o --------------- --------- o o ------------- _I I_O VI 72 73 lkQ 2、图示电路中当开关S闭合后，H1和H2两个指示灯的状态为（C）。 A. H1 H2均发光 B. H1 H2均不发光 C. H1发光、H2不发光 D. H1不发光、H2发光 1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压 为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( Ｂ） ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。 Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。 ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子 数字电路知识点汇总（东南大学） 第1章 数字逻辑概论 一、进位计数制 1.十进制与二进制数的转换 2.二进制数与十进制数的转换 3.二进制数与16进制数的转换 二、基本逻辑门电路 第2章 逻辑代数 表示逻辑函数的方法，归纳起来有：真值表，函数表达式，卡诺图，逻辑图及波形图等几种。 一、逻辑代数的基本公式和常用公式 1）常量与变量的关系Ａ+0＝Ａ与Ａ=?1Ａ Ａ+1＝1与00=?A A A +＝1与A A ?＝0 2）与普通代数相运算规律 a.交换律：Ａ+Ｂ＝Ｂ+Ａ A B B A ?=? b.结合律：（Ａ+Ｂ）+Ｃ＝Ａ+（Ｂ+Ｃ） )()(C B A C B A ??=?? c.分配律：)(C B A ??＝+?B A C A ? ))()(C A B A C B A ++=?+） 3）逻辑函数的特殊规律 a.同一律：Ａ+Ａ+Ａ b.摩根定律：B A B A ?=+，B A B A +=? b.关于否定的性质Ａ＝A 二、逻辑函数的基本规则 代入规则 在任何一个逻辑等式中，如果将等式两边同时出现某一变量Ａ的地方，都用一个函数Ｌ表示，则等式仍然成立，这个规则称为代入规则 例如：C B A C B A ⊕?+⊕? 可令Ｌ＝C B ⊕ 则上式变成L A L A ?+?＝C B A L A ⊕⊕=⊕ 三、逻辑函数的：——公式化简法 公式化简法就是利用逻辑函数的基本公式和常用公式化简逻辑函数，通常，我们将逻辑函数化简为最简的与—或表达式 1）合并项法： 利用Ａ+1=+A A 或A B A B A =?=?,将二项合并为一项，合并时可消去一个变量 例如：Ｌ＝B A C C B A C B A C B A =+=+)( 2）吸收法 利用公式A B A A =?+，消去多余的积项，根据代入规则B A ?可以是任何一个复杂的逻辑式 例如 化简函数Ｌ＝E B D A AB ++ 解：先用摩根定理展开：AB ＝B A + 再用吸收法 Ｌ＝E B D A AB ++ 自测题一 一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档 模拟电子技术期中考试题 1.填空题：（每空2分，任意选择选作，最多可得50分） （1）三种双极型管的基本组态放大电路中，输入电阻最大的是共集电放大电路；输入电阻最小的是共基放大电路；输出电压与输入电压反相的是共射放大电路；电压放大倍数最大的是共射和共基放大电路；电压放大倍数最小的是共集电放大电路；输出电阻最小的是共集电放大电路；电流放大倍数最大的是共集电放大电路；既有电流放大又有电压放大的是共射放大电路。 （2）天然的硅和锗经过高度提纯后形成具有共价键（或晶格对称）结构的本征半导体；在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素，可形成P型半导体，其多子是空穴，少子是自由电子，不能移动的离子带负电；掺入微量的五价杂质元素，可获得N型半导体，其多子是自由电子，少子是空穴，不能移动的离子带正电。 （3）二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个区。双极型三极管的输出特性曲线上可分为放大区、饱和区和截止区三个区。 （4）双极型管主要是通过改变基极小电流来改变集电极大电流的，所以是一个电流控制型器件；场效应管主要是通过改变栅源间电压来改变漏极电流的，所以是一个电压控制型器件。 （5）组成放大电路的基本原则是：外加电源的极性应使三极管的发射结正偏、集电结反偏。 （6）放大电路的基本分析法有静态分析法和动态分析法；其中动态分析法的微变等效电路法只能用于分析小信号放大电路；确定放大电路的静态工作点可采用估算法和图解法。 （7）多级放大电路的耦合方式通常有阻容耦合、直接耦合和变压器耦合三种方式；集成电路中一般采用直接耦合方式。 （8）放大电路中出现的饱和失真和截止失真称为非线性失真；频率失真称为线性失真。 2.简答题：（每小题10分，也可任意选作） （1）双踪示波器在电子仪器中的功能是什么？说说信号为1kHz时，周期档位如何选择？ 答：双踪示波器在电子仪器中可以用来准确显示任意波形、任意频率和一定幅度的电信号轨迹。如果需要显示的电信号频率为1kHz时，周期是频率的倒数，应为1ms，根据一个周期显示信号应占3~5格的原则，应选择0.2ms这一档位，信号波一个周期就会占用横向5格，满足要求。 （2）函数信号发生器在电子线路的测量中能做什么？ 答：函数信号发生器在电子线路中，可以产生一个一定波形、一定频率和一定幅度的电信号提供给实验电路作输入信号。测量该电信号的幅度时，应用电子毫伏表的读数为准。 （3）电子线路的测量中，为什么要使用电子毫伏表而不用普通电压表测量电压？电子毫伏表的读数是所测电压的有效值还是最大值？还是峰-峰值？ 答：电子线路中电信号的频率往往占用相当宽泛的频带，而普通交流电压表只适用于测量50 Hz的工频交流电，对不同频率的信号测量会产生较大的误差。电子毫伏表则是测量电子线路中的交流电压有效值时，不会受频率变化的影响而出现误差的电子仪器，因此测量电子线路中的电压需用电子毫伏表。电子毫伏表的读数是所测电压的有效值。 3.计算题：（可任选一题，其中第1题作对可得40分，第2题作对可得60分） （1）图示分压式偏置放大电路中，已知R C＝3kΩ，R B1＝80kΩ，Array R B2＝20kΩ，R E＝1kΩ，β=80，①画出直流通道，进行静态分析（设 U BE=0.7V）；②画出微变等效电路，进行动态分析（设r bb’=300Ω）。 解：静态分析是画出放大电路的直流通道后，求出直 流通道中的I BQ、I CQ和U CEQ。 画直流通道的原则：放大电路中所有电容开路处理， 模拟综合试卷一 一.填充题 1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a , ｂ。 2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是ａ， b 。 3．在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4．一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真，这是失真。 5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时,导通角为。 6.甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是 故一般功率输出级应工作于状态。 7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i１=u ｉ2 ,则输出电压为 V；若 u i1=1500μV, u i2 =50０μV,则差模输入电压u iｄ 为μV,共模输入信号u ic 为μＶ。 ８．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为 的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最; 组态电压增益最小；组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β,I CBO,ｕ ＢＥ 的变化情况为()。 Ａ.β增加，I CBＯ,和u BE 减小 B. β和I CＢO 增加,u BE 减小 C.β和ｕ ＢE 减小,I ＣBＯ 增加 D. β、I CBＯ 和u ＢE 都增加 ２．反映场效应管放大能力的一个重要参数是() A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压Ｄ. 跨导 数电知识点汇总 第一章： 1, 二进制数、十六进制与十进制数的互化，十进制化为8421BCD代码 2，原码，补码，反码及化为十进制数 3，原码=补码反码+1 重点课后作业题：题 1.7,1.10 第二章： 1，与，或，非，与非，或非，异或，同或，与或非的符号（2 种不同符号，课本 P22，P23 上侧）及其表达式。 A o A o A……A=?（当A的个数为奇数时，结果为A,当A的个数为偶数时，结果为1） A十A十A??…A=?（当A的个数为奇数时，结果为A,当A的个数为偶数时，结果为0） 2，课本P25，P26 几个常用公式（化简用）3，定理（代入定理，反演定理，对偶定理），学会求一表达式的对偶式及其反函数。 4，※※卡诺图化简：最小项写1，最大项写0，无关项写X。画圈注意事项：圈内的“T必须是2n个；“ 1可以重复圈,但每圈一次必须包含没圈过的“ 1”；每个圈包含“ 1”的个数尽可能多，但必须相邻，必须为2n个；圈数尽可能的少；要圈完卡诺图上所有的“ 1”。 5，一个逻辑函数全部最小项之和恒等于1 6，已知某最小项，求与其相邻的最小项的个数。 7，使用与非门时多余的输入端应该接高电平，或非门多余的输入端应接低电平8，三变量逻辑函数的最小项共有8个，任意两个最小项之积为0. 9，易混淆知识辨析： 1）如果对72个符号进行二进制编码，则至少需要7 位二进制代码。 2）要构成13 进制计数器，至少需要 4 个触发器。 3）存储8 位二进制信息需要8 个触发器。 4）N 进制计数器有N 个有效状态。 5）—个具有6位地址端的数据选择器的功能是2A6选1. 重点课后作业题：P61题2.10~2.13题中的（1）小题，P62-P63题2.15 （7），题2.16 （b），题2.18 （3）、（5）、（7），P64题2.22 （3）、2.23 （3）、2.25 （3）。 第三章： 1，二极管与门，或门的符号（课本P71，P72） 2, 认识N沟道增强型MOS管，P沟道增强型MOS管，N沟道耗尽型，P沟道耗尽模拟电子技术基础试卷及答案
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