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模拟电路第四版课后答案(康华光版本)

模拟电路第四版课后答案(康华光版本)
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第二章

2.4.1电路如图题2.4.1所示。(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。 解(1)求二极管的电流和电压

mA A V

R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233

=?=Ω

??-=-=

- V V V V D O 4.17.022=?==

(2)求v o 的变化范围

图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示,温度 T =300 K 。 Ω≈==

02.36.826mA

mV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时,则

mV V r R r V v d d DD

O 6)

02.321000(02.32122±=Ω?+Ω

??±=+?=?

O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ?-?+,即1.406V ~1.394V 。

2.4.3二极管电路如图2.4.3所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端电压V AO 。设二极管是理想的。

解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。

图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,V AO =-12V 。 图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。

图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为 -6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。

2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止,为什么? 解 图a :将D 断开,以“地”为电位参考点,这时有

V V k k V A 115)10140(10=?Ω

=

V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=?Ω

+?Ω+Ω=

D 被反偏而截止。

图b :将D 断开,以“地”为参考点,有

V V k k V A 115)10140(10=?Ω

=

V V k k V k k V B 5.115)525(5)10()218(2=?Ω

+-?Ω+Ω=

D 被反偏而截止。

图c :将D 断开,以“地”为参考点,有

V V k k V A 115)10140(10=?Ω

=

V V k k V k k V B 5.015)525(520)218(2=?Ω

+?Ω+Ω-=

D 被正偏而导通。

2.4.7电路如图题2.4.7所示,D 1,D 2为硅二极管,当 v i = 6 sin ωtV 时,试用恒压降模型和 折线模型(V th =0.5 V ,r D =200Ω)分析输出电压 v o 的波形。 解 (1)恒压降等效电路法

当0<|V i |<0.7V 时,D 1、D 2均截止,v o =v i ;当v i ≥0.7V 时;D 1导通,D 2截止,v o = 0. 7V ;当v i ≤0.7V 时,D 2导通,D 1截止,v o =-0.7V 。v i 与v o 波形如图解2.4.7a 所示。 (2)折线等效电路如图解2.4.7b 所示,图中V th =0.5V ,r D =200Ω。当0<|V i |<0.5 V 时,D 1,D 2均截止,v o=v i ; v i ≥0.5V 时,D 1导通,D 2截止。v i ≤-0.5 V 时,D 2导通,D 1 截止。因此,当v i ≥0.5V 时有

th D D

th

i O V r r R V V v ++-=

V V V

V om 42.15.0200)2001000()5.06(≈+?Ω

+-=

同理,v i ≤-0.5V 时,可求出类似结果。 v i 与v o 波形如图解2.4.7c 所示。

2.4.8 二极管电路如图题 2.4.8a 所示,设输入电压v I (t )波形如图 b 所示,在 0<t <5ms 的时间间隔内,试绘出v o (t )的波形,设二极管是理想的。 解 v I (t )<6V 时,D 截止,v o (t )=6V ;v I (t )≥6V 时,D 导通

V t v V V t v t v I I O 3)(2

1

6200)200200(6)()(+=+?Ω+-=

2.4.13 电路如图题2.4.13所示,设二极管是理想的。(a )画出它的传输特性;(b )若输入电压v I =v i =20 sin ωt V ,试根据传输特性绘出一周期的输出电压 v o 的波形。

解 (a )画传输特性

0<v I <12 V 时,D 1,D 2均截止,v o =v I ; v I ≥12 V 时,D 1导通,D 2截止

V v V k k v k k v I I O 43

2

12)126(6)126(12+=?Ω+Ω+?Ω+Ω=

-10V <v I <0时,D 1,D 2均截止,v o =v I ;

v I ≤-10 V 时,D 2导通,D 1 截止

3

10

32)10()126(6)126(12-=-?Ω+Ω+?Ω+Ω=

I I O v V k k v k k v

传输特性如图解 2.4 13中 a 所示。

(b )当v o =v I =20 sin ωt V 时,v o 波形如图解2.4.13b 所示。

2.5.2 两只全同的稳压管组成的电路如图题2.5.2所示,假设它们的参数V 2和正向特性的V th 、r D 为已知。试绘出它的传输特性。

解 当| v I |<(Vz +V th )时,D zl 、D Z2均截止,v o =v I ; | v I |≥(Vz +V th )时,D zl 、D Z2均导通

th Z d d

th

Z I O V V r r R V V v v ++?+--=

传输特性如图解2.5.2所示。

第三章

3.1.1 测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的对地电位分别为 V A =-9 V ,V B =一6 V ,Vc =6.2 V ,试分析A 、B 、C 中哪个是基极b 、发射极e 、集电极c ,并说明此BJT 是NPN

管还是PNP管。

解由于锗BJT的|V BE|≈0.2V,硅BJT的|V BE|≈0.7V,已知用BJT的电极B的V B=一6 V,电极C的Vc=–6.2 V,电极A的V A=-9 V,故电极A是集电极。又根据BJT工作在放大区时,必须保证发射结正偏、集电结反偏的条件可知,电极B是发射极,电极C是基极,且此BJT为PNP管。

3.2.1试分析图题3.2.1所示各电路对正弦交流信号有无放大作用。并简述理由。(设各电容的容抗可忽略)

解图题3.2.la无放大作用。因R b=0,一方面使发射结所加电压太高,易烧坏管子;另一方面使输人信号v i被短路。

图题3.2.1b有交流放大作用,电路偏置正常,且交流信号能够传输。

图题3.2.lc无交流放大作用,因电容C bl隔断了基极的直流通路。

图题3.2.id无交流放大作用,因电源V cc的极性接反。

3.3.2 测量某硅BJT各电极对地的电压值如下,试判别管子工作在什么区域。

(a)V C=6 V V B=0.7 V V E=0 V

(b)V C=6 V V B=2 V V E=1.3 V

(c)V C=6 V V B=6V V E=5.4 V

(d)V C=6 V V B=4V V E=3.6 V

(。)V C=3.6 V V B=4 V V E=3. 4 V

解(a)放大区,因发射结正偏,集电结反偏。

(b )放大区,V BE =(2—l .3)V =0.7 V ,V CB =(6-2)V =4 V ,发射结正偏,集电结反偏。

(C )饱和区。 (d )截止区。

(e )饱和区。

3.3.5 设输出特性如图题 3.3.1所示的 BJT 接成图题 3.3.3所示的电路,具基极端上接V BB =3.2 V 与电阻R b =20 k Ω相串联,而 Vcc =6 V ,R C =200Ω,求电路中的 I B 、I C 和 V CE 的值,设 V BE =0.7 V 。 解 mA R V V I b

BE

BB B 125.0=-==

由题3.3.1已求得β=200,故 mA mA I I B C 25125.0200=?==β

V I V V CC CE 1R C C =-=

3.3.6 图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线,试求: (1)电源电压V CC ,静态电流I B 、I C 和管压降V CE 的值;(2)电阻R b 、R C 的值;(3)输出电压的最大不失真幅度;(4)要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多少?

解 (1)由图3.3.6可知,直流负载线与横坐标轴的交点即Vcc 值的大小,故Vcc= 6 V 。 由Q 点的位置可知,I B =20μA ,I C =1 mA ,V CE =3 V 。 (2)由基极回路得: Ω=≈

k I V R B

CC

b 300 由集-射极回路得 Ω=-==

k I V V R C

CE

CC C 3

(3)求输出电压的最大不失真幅度

由交流负载线与输出特性的交点可知,在输人信号的正半周,输出电压v CE从3V到0.8V,变化范围为2.2V;在输入信号的负半周,输出电压v CE从3V到4.6V,变化范围为1.6V。综合起来考虑,输出电压的最大不失真幅度为1.6V。

(4)基极正弦电流的最大幅值是20 μA。

3.4.1画出图题3.4.1所示电路的小信号等效电路,设电路中各电容容抗均可忽略,并注意标出电压、电流的正方向。

解图题3.4.1所示各电路的小信号等效电路如图解3.4.1所示。

3.4.2单管放大电路如图题3.4.2所示已知BJT 的电流放大系数β=50。(1)估算Q 点; (2)画出简化 H 参数小信号等效电路;(3)估算 BJT 的朝人电阻 r be ;(4)如输出端接入 4

k Ω的电阻负载,计算i O V V V A =及S

O VS V V A =。 解(1)估算Q 点

A R V I b

CC

B μ40=≈

mA I I B C 2==β V R I V V C C CC CE 4=-=

(2)简化的H 参数小信号等效电路如图解3.4.2所示。 (3)求r be

Ω=++Ω=++Ω=863226)501(20026)

1(200mA

mV

I mV r E bc β (4)116)||('0-≈-=-==be L C be L i

V r R R r R V V A ββ 73||||00-≈+=+=?==be

b s be b V s i i V s i i s VS r R R r R A R R R A V V V V V V A

3.4.5 在图题3.4.5所示电路中设电容C 1、C 2、C 3对交流信号可视为短路。(1)写出静态电流

Ic 及电压V CE 的表达式;(2)写出电压增益V

A 、输人电或Ri .和输出电阻Ro 的表达式;(3)若将电容C 3开路,对电路将会产生什么影响? 解(1)Ic 及V CE 的表达式

1

R V I I CC

B C β

β≈= )(32R R I V V C CC CE +-=

(2)V

A 、Ri .和Ro 的表达式 be

L V

r R R A )||(2β-= be i r R R ||1= 2R R O ≈

(3)C 3开路后,将使电压增益的大小增加

be

L V

r R R R A ]||)[(32+-=β 同时Ro 也将增加,32R R R O +≈。

3.5.2 如图题3.5.2所示的偏置电路中,热敏电阻R t 具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用?

解 图题3.5.2a 所示电路能稳定Q 点,过程如下:

[↓

↓→↓→↓→↑

C C B BE t I I I V R T

图题3.5.2b 所示电路不能稳定Q 点,因为

[

↑→↑→↓→↑

C C B BE t I I I V R T

3.5.4 电路如图 3.5.4所示,设β=100,试求:(1)Q 点;(2)电压增益s o V V V A 11=和s

o V V V A 22=;(3)输入电阻Ri ;(4)输出电阻R O1和R O2、 解 (1)求Q 点

V V R R R V CC b b b B 3.42

12

≈+=

mA R V V I I e

BE

B E

C 8.1=-=

V R R I V V e c C CC CE 8.2)(=+-=

A I I C

B μβ

18==

(2)求r be 及Ri

Ω≈++=k I mV

r r E

bb be 66.126)

1('β

Ω≈++=k R r R R R e be b b i 2.8])1([||||21β

(3)

79.0)1(01011-≈+?++-=?==s i i e be c s i i s V R R R R r R V V V V V V A ββ

8.0)1(02022≈+?++-=?==s i i e be e s

i i s V R R R R r R V V V V V V A ββ (4)求R O1和R O2、

Ω=≈k R R C O 21 Ω≈++=311)

||||(||

2102β

s b b be e R R R r R R

3.6.3 共基极电路如图题3.6.3所示。射极电路里

接入一恒流源,设∞==L s R R ,0100,=

β。试确定电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。

解 Ω≈++=k I mV

r r E

bb be 8.226)1('β 其中 I E =1.01mA 。

268)||(≈=be L C V

r R R A β

Ω≈+=

281β

be

i r R

Ω=≈k R R c 5.70。

3.7.1某放大电路中A V 的数幅频特性如图题3.7.1所示。(1)试求该电路的中频电压增益

|A |VM ,上限频率f H ,下限频率f L ;

(2)当输人信号的频率 f =f L 或 f =f H 时,该电路实际的电压增益是多少分贝?

解 (1)由图题3.7.1可知,中频电压增益|A |VM =1000,上限频率人f H =108HZ ,下

限频率f L =102HZ 。

(2)当f =f L 或 f =f H 时,实际的电压增益是57 dB 。

3.7.3 一放大电路的增益函数为

)

102(1110210

)s (6?+?

?+=ππs

s s

A

试绘出它的幅频响应的波特图,并求出中频增益、下限频率f L 和上限频率f H 以及增益下降到1时的频率。

解 对于实际频率而言,可用f j s π2=代人原增益传递函数表达式,得

)10

1(1

)101(10102211102221066

f

j f j f j f j f

j A

+?

-=?+

?

?+=πππππ 由此式可知,中频增益|A M |=10,f =10 HZ ,f H =106HZ 。其幅频响应的波特图如图解3.7.3

所示。增益下降到 1时的频率为 IHZ 及 10 MHZ 。

3.7.6一高频BJT ,在Ic =1.5mA 时,测出其低频H 参数为:r be =1.1K Ω,βo =50,特征频率

T f =100MHz ,pF C c b 3=',试求混合∏型参数e b b b e b m C r r g '''、、、。

mS S mV

I r g E e m 69.571069.572613=?===

-

Ω==

7.866'm

e b g r β

Ω=-=3.233''e b be be r r r

pF f g C T m e b 922'==

π MHz f

f T 2==β

β

3.7.8 电路如图3.5.1所示(射极偏置电路),设在它的输人端接一内阻 Rs= 5K Ω的信号源.电路参数为:R b1= 33K Ω,R b2=22K Ω。Re =3.9K Ω,Rc =4.7K Ω,R L = 5.1K Ω, Ce = 50μF (与Re 并联的电容器).

Vcc =5V .I E ≈0.33mA ,β0=120, r ce =300 K Ω,Ω='50b b r ,f T =700 MHZ 及F C c b p 1='。

求:(1)输入电阻R i ;

(2)中频区电压增益|A VM | (3)上限频率f H 。

解 (1)求R i

Ω≈++=k I mV

r r E

bb be 58.926)

1('β

Ω≈=k r R R R be b b i 55.5||||21

(2)求中频电压增益||VM

A 因c R r ce >> 故

64.30)||(||≈=be

L c VM

r R R A β (3)求上限频率f H

mS mV I g E

m 96.1226≈=

Ω≈=

k g r m

e b 47.9'β

pF f g C T

m

e b 89.22'≈=

π pF C R g C C e b L m e b 98.34)1('''

=++=

其中Ω≈='k R R R L c L

45.2//。 Ω≈+=k r R R r R e b b s bb 65.2||)||(''

MHz RC

f H 72.121

≈=

π

第四章

4.1.3 一个JFET 的转移特性曲线如图题4.1.3所示,试问: (1) 它是N 沟道还是P 沟道FET ?

(2) 它的夹断电压V P 和饱和漏极电流I DSS 各是多少?

解 由图题4.1.3可见,它是N 沟道JFET , 其V P =–4 V ,I DSS =3 mA 。

4.3.3一个MOSFET 的转移特性如图题4.3.3所示(其中漏极电流i D 的方向是它的实际方向)。试问:

(1)该管是耗尽型还是增强型? (2)是N 沟道还是P 沟道FET ?

(3)从这个转移特性上可求出该FET 的夹断电压V P ,还是开启电压V T ?其值等于多少?

解 由图题 4.3.3可见,它是 P 沟道增强型 MOSFET ,其 V T =-4 V 。

4.4.l 增强型FET 能否用自偏压的方法来设置静态工作点?试说明理由。

解 由于增强型MOS 管在v GS =0时,v D =0(无导电沟道),必须在|v GS |>|V T | (V T 为开启电压)时才有i D ,因此,增强型的MOS 管不能用自偏压的方法来设置静态工作点。

4.4.4已知电路参数如图题4.4.4所示,FET 工作点上的互导g m =1ms ,设 r d >>R d 。(1) 画出小信号等效电路;(2)求电压增益Av ;(3)求放大电路的输人电阻R i 。

解 (1)画小信号等效电路忽略r d ,可画出图题4.4.4的小信号等效电路,如图解4.4.4所示。 (2)求 Av

3.32

11101110-≈?+?-=+-==R g R g V V A m d m i V (3)求Ri

Ω≈+=k R R R R g g g i 2075)||(213

4.5.1电路参数如图题4.5.1所示。设FET 的参数为g m =0.8ms ,r d =200k Ω;3AG29(T 2)的β=40,r be =1k Ω。试求放大电路的电压增益Av 和输入电阻Ri 。

解(1)求V

A 由于 r d >>R d ,故r d 可忽略,图题 4.5.1的小信号等效电路如图解 4 .5.1所示。由图有

])1(['e

bb b d R r I R I β++= b

b b d

e

bb I I I R R r I

38.81

18.0)401(1)1('=?++=++=β gs m b b d V g I I I I =-=+-=38.9)(

38

.9gs m b

V g I -=

gs

gs gs m b

b b b b gs m V V R V g I R I R I R I R I R V g V 3.8238

.98.038.4938

.938.4938.494038.90≈??

=--=-=--=-=β

gs gs i V V V V 3.90=+= 89.03.93.80≈==gs

gs i V V V V V A

(2)求R i

Ω=≈+=M R R R R R g g g g i 1.5)||(3213

4.5.4 电路如图题 4 .5.4所示,设FET 的互导为g m ,r d 很大;BJT 的电流放大系数为β, 输人电阻力r be 。试说明T 1 、T 2各属什么组态,求电路的电压增益Av 、输人电阻Ri ;及输出电阻Ro 的表达式。

解(1)T 1 、T 2的组态

T 1为源极输出器,T 2为共射极电路。 (2)求Av

be

m be

m V r g r g A +≈11

be

L c V r R R A )||(2

β-≈

be

m L c m V V V r g R R g A A A +-≈?=1)||(2

1β (3) 求R i 和Ro

Rc

Ro R R g i ≈≈

第五章

5.1.1在甲类、乙类和甲乙类放大电路中,放大管的导通角分别等于多少?它们中哪一类放大电路效率最高?

解 在输入正弦信号情况下,通过三极管的电流i c 不出现截止状态(即导通角θ=2π)的称为甲类;在正弦信号一个周期中,三极管只有半个周期导通(θ=π)的称为乙类;导通时间大于半周而小于全周(π<θ<2π)的称为甲乙类。其中工作于乙类的放大电路效率最高,在双电源的互补对称电路中,理想情况下最高效率可达 78.5%。

5.2.2一双电源互补对称电路如图题5.2.2所示,设已知Vcc =12 V ,R L =16Ω,v I 为正弦波。求:(1)在BJT 的饱和压降V CES 可以忽略不计的条件下,负载上可能得到的最大输出功率P om ;(2)每个管子允许的管耗 P CM 至少应为多少?(3)每个管子的耐压 |V (BR)CEO |应大于多少?

解 (1)输出功率

W V R V P L CC om

5.4162)12(222=Ω

?== (2)每管允许的管耗

W W P P OM CM 9.045.02.02.0=?=≥

(3) 每管子的耐压

V V V V CC CEO BR 241222||)(=?=≥

5.2.4设电路如图题5.2.2所示,管子在输人信号v I 作用下,在一周期内T 1和T 2轮流导电约 180o ,电源电压 Vcc =20 V ,负载R L =8Ω,试计算:

(1)在输人信号Vi =10 V (有效值)时,电路的输出功率、管耗、直流电源供给的功率和效率;

(2)当输人信号v i 的幅值为 V im =Vcc =20 V 时,电路的输出功率、管耗、直流电源供给的功率和效率。

解(l )Vi =10 V 时

1,141022==?==V i im A V V V V

V V A V im V om 14==

输出功率 W W R V R V P L om L cem 25.128

142121212

220=?=?=?

=

每管的管耗 W W V V V R P P om om CC L T T 02.5)4

1414.31420(81)4(12

221≈-?=-==π 两管的管耗 W P P T T 04.1021==

电源供给的功率 W P P P T V 29.2204.1025.120=+=+= 效率 %96.54%10029

.2225

.12%1000≈?=?=

V P P η (2)20V 20=====CC im V om CC im V V A V V V V 时,

W W R V P L 2582021212CC 20=?=?=

W V V R P P CC L T T 85.6)4

(22CC

221≈-==π

W P P P T V 85.3185.6250=+=+=

%5.78%10085

.3125%1000≈?=?=

V P P η

5.3.1一单电源互补对称功放电路如图题5.3.1所示,设v i 为正弦波,R L =8Ω,管子的饱和压降V CES 可忽略不计。试求最大不失真输出功率Pom (不考虑交越失真)为9W 时,电源电压Vcc 至少应为多大?

解 由

L

CC L

CC

om R V R V

P 8)(2)2(22

==

则有

V W P R V om L CC 249888=?Ω?=≥

5.3.3一单电源互补对称电路如图题5.3.3所示,设T 1 、T 2的特性完全对称,v i 为正弦波,Vcc =12 V ,R L =8Ω。试回答下列问题:(1)静态时,电容C 2两端电压应是多少?调整哪个电阻能满足这一要求?(2)动态时,若输出电压v o 出现交越失真,应调整哪个电阻?如何调整?(3)若R 1=R 2=1.1K Ω,T 1和T 2的β=40,|V BE |=0.7 V ,P CM =400 mw ,假设 D 1、D 2、R 2中任意一个开路,将会产生什么后果?

解(1)静态时,C 2两端电压应为Vc 2=Vcc/2 =6V ,调整R 1或R 2可满足这一要求。 (2)若v o 出现交越失真,可增大R 2。

(3)若D 1、D 2或R 2中有一个开路,则由于T 1、T 2的静态功耗为

mW

V k V V V R R V V V I P P CC

BE CC CE B T T 11562

122.27.0212402

||23121=?Ω?-?

=?

+-?===ββ

即CM T T P P P >>=11,所以会烧坏功放管。

第六章

6.1.2电路如图题6.1.2所示,所有BJT 的β均很大,V BE =0.7V ,且T 2、T 3特性相同,电路参

数如图。问:(1)T 2、T 3和R 组成什么电路?在电路中起什么作用?(2)电路中T 1、R e1起电平移动作用,保证vi =0时,vo =0。求I REF 、I c3和R e1的值。

解(1)T 2、T 3和R 组成镜像电流源电路,在电路中作为 BJT T 1的恒流源负载,提高带负载能力。

(2)当vi =0时,vo =0

mA

k V R V V V I I EE BE REF REF C 3.231)127.012()

(23=Ω+-=---=≈

Ω=?-=-=

-313)103.23()7.08(331A

V

I V V R C BE I e 6.2.2 双端输人、双端输出理想的差分式放大电路如图题6.2.2所示。求解下列问题(1)

若v i1=1500μV 。v i2=500μV ,求差模输人电压v id ,共模输入电压v ic 的值;(2)若A VD =100,求差模输出电压v od ;(3)当输入电压为v id 时,若从 C 2点输出,求 v c2与v id 的相位关系;(4)若输出电压v o =1000 v i1-999 v i2时,求电路的从A VD 、Avc 和 K CMR 的值。

解(1)差模输人电压为

V V V v v v i i id μμμ1000500150021=-=-=

共模输人电压为

V V v v v i i ic μμ1000)5001500(2

1

)(2121=+=+=

(2)A VD =100,差模输出电压为

mV V v A v id VD od 1001000100=?==μ

(3)id c v v 与2同相。

(4)219991000i i o v v v -=,求A VD 、A VD 和K CMR

模电课后(康华光版)习题答案7

第七章部分习题解答 7.1.1在图题7.1.1所示的各电路中,哪些元件组成了级间反馈通路?它们所引入的反馈是正反馈还是负反馈?是直流反馈还是交流反馈?(设各电路中电容的容抗对交流信号均可忽略)解:图题7.1.1a中,由电阻R2、R1组成反馈通路,引入负反馈,交、直流反馈均有;b图中,由R e1引入负反馈,交、直流反馈均有,由R f1、R f2引入直流负反馈;c图中,由R f、R e2引入负反馈,交、直流反馈均有;d图中,由R2、R1引入负反馈,交、直流反馈均有;e 图中,由A2、R3引入负反馈,交、直流反馈均有;f图中,由R6引入负反馈,交、直流反馈均有。

图题7.1.1 7.2.2 试指出图题7.1.5a、b所示电路能否实现规定的功能,若不能,应如何改正? 解:图题7.1.5a电路不能实现规定的功能,因引入了正反馈。应将运放的同相端和反相端位置互换。图b电路也不能实现规定的功 能。应将R与R L位置互换。 图题7.1.5

7.2.4 由集成运放A 及BJT T 1、T 2组成的放大电路如图题7.1.7所示,试分别按下列要求将信号源v s 、电阻R f 正确接入该电路。 (1) 引入电压串联负反馈; (2) 引入电压并联负反馈; (3) 引入电流串联负反馈; (4) 引入电流并联负反馈。 图题7.1.7 解: (1)a-c 、b-d 、h-i 、j-f (2)a-d 、b-c 、h-I 、j-f (3)a-d 、b-c 、g-i 、j-e (4)a-c 、b-d 、g-i 、j-e 7.4.1 一放大电路的开环电压增益为A VO =104,当它接成负反馈放大电路时,其闭环电压增益为A VF =50,若A VO 变化10%,问A VF 变化多少? 解: 因为 200 501014 ===+VF VO V VO A A F A 所以,当A VO 变化10%时,A VF 变化 %05.0%102001 =?=VF VF A dA

模电课后(康华光版)习题答案4,5,6,8习题

第四章部分习题解答 4.1.3 某 BJT 的极限参数 l cM =100mA P cM =150mW ,V ( BRCE O =3OV , 若它的工作电压 V :E =10V,则工作电流l c 不得超过多大?若工作电流 I c =1mA 则工作电压的极限值应为多少? 解:BJT 工作时,其电压和电流及功耗不能超过其极限值,否 则将损坏。当工作电压 V 确定时,应根据P CM 及 I CM 确定工作电流l c , 即应满足 I C V:E W P CM 及 I c W I CM 。当 V:E =10V 时 P CM I C 15 mA V CE 此值小于I cM=100mA 故此时工作电流不超过15mA 即可。同理,当工 作电流I c 确定时,应根据I C V:E W P CM 及V CE W V (BR ) CEO 确定工作电压V:E 的 大小。当I c =1mA 时,为同时满足上述两个条件,则工作电压的极限 值应为30V 。 4. 3. 3若将图题3.3.1所示输出特性的BJT 接成图题3.3.3 所示电路,并设 V=12V, R=1k Q ,在基极电路中用 V BB =2.2V 和R=50k Q 串联以代替电流源i B 。求该电路中的I B 、I C 和 V CE 的值,设V B E =0.7V 。 fc/m A 图题 3.3.3 图题3.3.1

解 : 由题3.3.1已求得p =200,故 V BB —V BE I B 0.03 mA R b I C = p I B =200X 0.03mA=6mA V C E =V CC -I C R C =6V 435 图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中 BJT 的输出特 性及交、直流负载线,试求:(1)电源电压V CC ,静态电流I B 、I C 和管 压降V CE 的值;(2)电阻F b 、R e 的值;(3)输出电压的最大不失真幅 度;(4)要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多 少? 解:(1)由图题3.3.6可知,直流负载线与横坐标轴的交点即 V CC 值的大小,故V cC =6乂由Q 点的位置可知,I B =20卩A, I c =1mA V C E =3V 。 (2)由基极回路得 V cc & -------- I B 由集-射极回路得 RC =VC C 「 WE =32 I C (3)求输出电压的最大不失真幅度 由交流负载线与输出特性的交点可知, 在输入信号的正半周,输 出电压V CE 从3V 到0.8V ,变化范围为2.2V ;在输入信号的负半周, 输出电压V CE 从 3V 到4.6V ,变化范围为1.6V 。综合起来考虑,输出 电压的最大不失真幅度为1.6V 。 =? 300 k 11 图题3.3.6

数字电子技术基础-康华光第五版答案

第一章数字逻辑习题 1.1 数字电路与数字信号 1.1.2 图形代表的二进制数 010110100 1.1.4 一周期性数字波形如图题所示,试计算:(1)周期;(2)频率;(3)占空比例 MSB LSB 0 1 2 11 12 (ms) 解:因为图题所示为周期性数字波,所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期, T=10ms 频率为周期的倒数,f=1/T=1/0.01s=100HZ 占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比,q=1ms/10ms*100%=10% 1.2 数制 1.2.2 将下列十进制数转换为二进制数,八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于2?4(2)127 (4)2.718解:(2)(127)D= 27 -1=(10000000)B-1=(1111111) B=(177)O=(7F)H (4)(2.718)D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H 1.4 二进制代码 1.4.1 将下列十进制数转换为8421BCD 码: (1)43 (3)254.25 解:(43)D=(01000011)BCD 1.4.3 试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:P28 (1)+ (2)@ (3)you (4)43 解:首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码,然后将二进制码转换为十六进制数表示。 (1)“+”的ASCⅡ码为0101011,则(00101011)B=(2B)H (2)@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H (3)you 的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75 (4)43 的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,33 1.6 逻辑函数及其表示方法 1.6.1 在图题1. 6.1 中,已知输入信号A,B`的波形,画出各门电路输出L 的波形。

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模拟电子技术习题答案 第二章 和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。 解(1)求二极管的电流和电压 (2)求v o 的变化范围 当r d1=r d2=r d 时,则 O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ?-?+,即~。 。设二极管是理想的。 解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。 图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,VAO =-12V 。 图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。 图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为 -6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。 解 图a :将D 断开,以“地”为电位参考点,这时有 D 被反偏而截止。 图b :将D 断开,以“地”为参考点,有

D被反偏而截止。 图c:将D断开,以“地”为参考点,有 D被正偏而导通。 ,D2为硅二极管,当 v i= 6 sinωtV时,试用恒压降模型和 折线模型(V th= V,r D=200Ω)分析输出电压 v o的波形。 解(1)恒压降等效电路法 当0<|V i|<时,D1、D2均截止,v o=v i;当v i≥时;D1导通,D2截止,v o= 0.7V;当v i≤时,D2导通,D1截止,v o=-0.7V。v i与v o =0.5V,r D=200Ω。当0<|V i|<0.5 V时,D1,D 2均截止,v o=v i; v i≥0.5V th 时,D1导通,D2截止。v i≤- V时,D2导通,D1 截止。因此,当v i≥0.5V时有 同理,v i≤-时,可求出类似结果。 v i与v o波形如图解2.4.7c所示。 二极管电路如图题 2.4.8a所示,设输入电压v I(t)波形如图 b所示,在 0<t< 5ms的时间间隔内,试绘出v o(t)的波形,设二极管是理想的。 解 v I(t)<6V时,D截止,v o(t)=6V;v I(t)≥6V时,D导通 电路如图题2.4.13所示,设二极管是理想的。(a)画出它的传输特性;(b)若 输入电压v I =v i=20 sinωt V,试根据传输特性绘出一周期的输出电压 v o的波形。 解(a)画传输特性 0<v I<12 V时,D1,D2均截止,v o=v I; v I≥12 V时,D1导通,D2截止 -10V<v I<0时,D1,D2均截止,v o=v I; v I≤-10 V时,D2导通,D1截止

模电课后(康华光版)习题答案4,5,6,8习题

第四章部分习题解答 4.1.3 某BJT 的极限参数I CM =100mA ,P CM =150mW ,V (BR )CEO =30V ,若它的工作电压V CE =10V ,则工作电流I C 不得超过多大?若工作电流I C =1mA ,则工作电压的极限值应为多少? 解: BJT 工作时,其电压和电流及功耗不能超过其极限值,否则将损坏。当工作电压V CE 确定时,应根据P CM 及I CM 确定工作电流I C ,即应满足I C V CE ≤P CM 及I C ≤I CM 。当V CE =10V 时, mA V P I CE CM C 15== 此值小于I CM =100mA ,故此时工作电流不超过15mA 即可。同理,当工作电流I c 确定时,应根据I C V CE ≤P CM 及V CE ≤V (BR )CEO 确定工作电压V CE 的大小。当I C =1mA 时,为同时满足上述两个条件,则工作电压的极限值应为30V 。 4.3.3 若将图题3.3.1所示输出特性的BJT 接成图题3.3.3所示电路,并设V CC =12V ,R C =1k Ω,在基极电路中用V BB =2.2V 和R b =50k Ω串联以代替电流源i B 。求该电路中的I B 、I C 和V CE 的值,设V BE =0.7V 。 图题3.3.1 图题 3.3.3

解: 由题3.3.1已求得β=200,故 mA R V V I b BE BB B 03.0=-= I C =βI B =200×0.03mA=6mA V CE =V CC -I C R c =6V 4.3.5 图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线,试求:(1)电源电压V CC ,静态电流I B 、I C 和管压降V CE 的值;(2)电阻R b 、R e 的值;(3)输出电压的最大不失真幅度;(4)要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多少? 图题3.3.6 解:(1)由图题3.3.6可知,直流负载线与横坐标轴的交点即V CC 值的大小,故V CC =6V 。由Q 点的位置可知,I B =20μA ,I C =1mA ,V CE =3V 。 (2)由基极回路得 Ω =≈ k I V R B cc b 300 由集-射极回路得 Ω =-= k I V V Rc C CE CC 3 (3)求输出电压的最大不失真幅度 由交流负载线与输出特性的交点可知,在输入信号的正半周,输出电压v CE 从3V 到0.8V ,变化范围为2.2V ;在输入信号的负半周,输出电压v CE 从3V 到4.6V ,变化范围为1.6V 。综合起来考虑,输出电压的最大不失真幅度为1.6V 。

数电课后答案康华光第五版(完整)

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第一章数字逻辑习题1.1数字电路与数字信号 1.1.2 图形代表的二进制数 010110100 1.1.4一周期性数字波形如图题所示,试计算:(1)周期;(2)频率;(3)占空比例 MSB LSB 0 1 2 11 12 (ms) 解:因为图题所示为周期性数字波,所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms 频率为周期的倒数,f=1/T=1/0.01s=100HZ 占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比,q=1ms/10ms*100%=10% 1.2数制 1.2.2将下列十进制数转换为二进制数,八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于42 (2)127 (4)2.718 解:(2)(127)D=72-1=(10000000)B-1=(1111111)B=(177)O=(7F)H

(4)(2.718)D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H 1.4二进制代码 1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码:(1)43 (3)254.25 解:(43)D=(01000011)BCD 1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:P28 (1)+ (2)@ (3)you (4)43 解:首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码,然后将二进制码转换为十六进制数表示。 (1)“+”的ASCⅡ码为0101011,则(00101011)B=(2B)H (2)@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H (3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75 (4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,33 1.6逻辑函数及其表示方法 1.6.1在图题1. 6.1中,已知输入信号A,B`的波形,画出各门电路输出L的波形。

《模拟电子技术基础(第五版 康华光主编)》 复习提纲

模拟电子技术基础复习提纲 第一章绪论 )信号、模拟信号、放大电路、三大指标。(放大倍数、输入电阻、输出电阻) 第三章二极管及其基本电路 )本征半导体:纯净结构完整的半导体晶体。在本征半导体内,电子和空穴总是成对出现的。N型半导体和P型半导体。在N型半导体内,电子是多数载流子;在P型半导体内,空穴是多数载流子。载流子在电场作用下的运动称为漂移;载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结,在该区域中,多数载流子扩散到对方区域,被对方的多数载流子复合,形成空间电荷区,也称耗尽区或高阻区。空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。PN结最重要的电特性是单向导电性,PN结加正向电压时,电阻值很小,PN结导通;PN结加反向电压时,电阻值很大,PN结截止。PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿;PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容,前者是正向偏置电容,后者是反向偏置电容。 )二极管的V-I 特性(理论表达式和特性曲线) )二极管的三种模型表示方法。(理想模型、恒压降模型、折线模型)。(V BE=) 第四章双极结型三极管及放大电路基础 )BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。(由三端的直流电压值判断各端的名称。由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数) )什么是直流负载线什么是直流工作点 )共射极电路中直流工作点的分析与计算。有关公式。(工作点过高,输出信号顶部失真,饱和失真,工作点过低,输出信号底部被截,截止失真)。 )小信号模型中h ie和h fe含义。 )用h参数分析共射极放大电路。(画小信号等效电路,求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻)。 )常用的BJT放大电路有哪些组态(共射极、共基极、共集电极)。各种组态的特点及用途。P147。(共射极:兼有电压和电流放大,输入输出电阻适中,多做信号中间放大;共集电极(也称射极输出器),电压增益略小于1,输入电阻大,输出电阻小,有较大的电流放大倍数,多做输入级,中间缓冲级和输出级;共基极:只有电压放大,没有电流放大,有电流跟随作用,高频特性较好。) 复合管类型及判别。(类型与前一只管子决定) )什么是波特图怎样定义放大电路的带宽(采用对数坐标的幅频和相频特性曲线。) )RC低通电路的波特图及特点。(3dB带宽) )影响三极管带宽上限的原因是晶体管极间电容和分布电容的存在,使高频信号增益降低。 第五章场效应管放大电路 )什么叫单极性器件场效应管和BJT放大原理的最根本的不同点是什么 )场效应管的种类及符号识别。(重点为N沟道增强型场效应管,该管在放大状态下,开启电压V T为正值,栅极电压应大于源极电压)。

模拟电子技术 课后习题答案 康华光等编

模拟电子技术习题答案 第二章 2.4.1D 和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。 解(1)求二极管的电流和电压 (2)求v o 的变化范围 当r d1=r d2=r d 时,则 O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ?-?+,即1.406V ~1.394V 。 2.4.3AO 。设二极管是理想的。 解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。 图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,VAO =-12V 。 图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。 图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为 -6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。

2.4.4 解图a:将D断开,以“地”为电位参考点,这时有 D被反偏而截止。 图b:将D断开,以“地”为参考点,有 D被反偏而截止。 图c:将D断开,以“地”为参考点,有 D被正偏而导通。 2.4.71,D2为硅二极管,当v i=6 sinωtV时,试用恒压降模型和 折线模型(V th=0.5 V,r D=200Ω)分析输出电压v o的波形。 解(1)恒压降等效电路法 当0<|V i|<0.7V时,D1、D2均截止,v o=v i;当v i≥0.7V时;D1导通,D2截止,v o=0.7V;当v i≤0.7V时,D2导通,D1截止,v o=-0.7V。v i与v o =0.5V,r D=200Ω。当0<|V i|<0.5 V时,D1,D 2均截止,v o=v i;v i≥0.5V时,th D1导通,D2截止。v i≤-0.5 V时,D2导通,D1 截止。因此,当v i≥0.5V时有 同理,v i≤-0.5V时,可求出类似结果。 v i与v o波形如图解2.4.7c所示。

最新第二章模拟电路(康华光)课后习题答案

模拟电路(康光华)第二章课后习题答案 2.4.1电路如图题2.4.1所示。(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。 解(1)求二极管的电流和电压 mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=?=Ω ??-=-=- V V V V D O 4.17.022=?== (2)求v o 的变化范围 图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示,温度 T =300 K 。 Ω≈==02.36.826mA mV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时,则 mV V r R r V v d d DD O 6) 02.321000(02.32122±=Ω?+Ω??±=+?=? O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ?-?+,即1.406V ~1.394V 。 2.4.3二极管电路如图2.4.3所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端电压V AO 。设二极管是理想的。 解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。 图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,V AO =-12V 。 图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。 图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为 -6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。

数字电子技术基础课后答案_第四版(康华光编)

1.1.1 一数字信号的波形如图1.1.1所示,试问该波形所代表的二进制数是什么? 解:0101 1010 1.2.1 试按表1.2.1所列的数字集成电路的分类依据,指出下列器件属于何种集成度器件:(1) 微处理器;(2) IC 计算器;(3) IC 加法器;(4) 逻辑门;(5) 4兆位存储器IC 。 解:(1) 微处理器属于超大规模;(2) IC 计算器属于大规模;(3) IC 加法器属于中规模;(4) 逻辑门属于小规模;(5) 4兆位存储器IC 属于甚大规模。 1.3.1 将下列十进制数转换为二进制数、八进制数、十六进制数和8421BCD 码(要求转换误差不大于2-4): (1) 43 (2) 127 (3) 254.25 (4) 2.718 解:(1) 43D=101011B=53O=2BH ; 43的BCD 编码为0100 0011BCD 。 (2) 127D=1111111B=177O=7FH ; 127的BCD 编码为0001 0010 0111BCD 。 (3) 254.25D=11111110.01B=376.2O=FE.4H ; 0010 0101 0100.0010 0101BCD 。 (4) 2.718D=10.1011 0111B=2.56O=2.B7H ; 0010.0111 0001 1000BCD 。 1.3.3 将下列每一二进制数转换为十六进制码: (1) 101001B (2) 11.01101B 解:(1) 101001B=29H (2) 11.01101B=3.68H 1.3.4 将下列十进制转换为十六进制数: (1) 500D (2) 59D (3) 0.34D (4) 1002.45D 解:(1) 500D=1F4H (2) 59D=3BH (3) 0.34D=0.570AH (4) 1002.45D=3EA.7333H 1.3.5 将下列十六进制数转换为二进制数: (1) 23F.45H (2) A040.51H 解:(1) 23F.45H=10 0011 1111.0100 0101B (2) A040.51H=1010 0000 0100 0000.0101 0001B 1.3.6 将下列十六进制数转换为十进制数: (1) 103.2H (2) A45D.0BCH 解:(1) 103.2H=259.125D (2) A45D.0BCH=41024.046D 2.4.3 解:(1) LSTTL 驱动同类门 mA I OL 8(max)= mA I IL 4.0(max)= 204.08==mA mA N OL mA I OH 4.0(max)= mA I IH 02.0(max)= 2002.04.0==mA mA N OH N=20 (2) LSTTL 驱动基本TTL 门 mA I OL 8(max)= mA I IL 6.1(max)= 56.18==mA mA N OL mA I OH 4.0(max)= mA I IH 04.0(max)= 1004.04.0==mA mA N OH N=5 2.4.5 解: E D BC AB E D BC AB L +++=???=______________________ ____ 2.6.3 解:

第二章模拟电路(康华光)课后习题答案

模拟电路(康光华)第二章课后习题答案 2.4.1电路如图题2.4.1所示。(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。 解(1)求二极管的电流和电压 mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(23 3 =?=Ω ??-=-= - V V V V D O 4.17.022=?== (2)求v o 的变化范围 图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示,温度 T =300 K 。 Ω≈== 02.36.826mA mV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时,则 mV V r R r V v d d DD O 6) 02.321000(02.32122±=Ω?+Ω ??±=+?=? O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ?-?+,即1.406V ~1.394V 。 2.4.3二极管电路如图2.4.3所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端电压V AO 。设二极管是理想的。 解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。 图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,V AO =-12V 。 图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。 图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为 -6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。

模电课后(康华光版)习题答案4,5,6,8习题

第四章部分习题解答 4.1.3 某BJT 的极限参数I CM =100mA ,P CM =150mW ,V (BR )CEO =30V ,若它的工作电压V CE =10V ,则工作电流I C 不得超过多大?若工作电流I C =1mA ,则工作电压的极限值应为多少? 解: BJT 工作时,其电压和电流及功耗不能超过其极限值,否则将损坏。当工作电压V CE 确定时,应根据P CM 及I CM 确定工作电流I C ,即应满足I C V CE ≤P CM 及I C ≤I CM 。当V CE =10V 时, mA V P I CE CM C 15== 此值小于I CM =100mA ,故此时工作电流不超过15mA 即可。同理,当工作电流I c 确定时,应根据I C V CE ≤P CM 及V CE ≤V (BR )CEO 确定工作电压V CE 的大小。当I C =1mA 时,为同时满足上述两个条件,则工作电压的极限值应为30V 。 4.3.3 若将图题3.3.1所示输出特性的BJT 接成图题3.3.3所示电路,并设V CC =12V ,R C =1k Ω,在基极电路中用V BB =2.2V 和R b =50k Ω串联以代替电流源i B 。求该电路中的I B 、I C 和V CE 的值,设V BE =0.7V 。 图题3.3.1 图题 3.3.3

解: 由题3.3.1已求得β=200,故 mA R V V I b BE BB B 03.0=-= I C =βI B =200×0.03mA=6mA V CE =V CC -I C R c =6V 4.3.5 图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线,试求:(1)电源电压V CC ,静态电流I B 、I C 和管压降V CE 的值;(2)电阻R b 、R e 的值;(3)输出电压的最大不失真幅度;(4)要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多少? 图题3.3.6 解:(1)由图题 3.3.6可知,直流负载线与横坐标轴的交点即V CC 值的大小,故V CC =6V 。由Q 点的位置可知,I B =20μA ,I C =1mA ,V CE =3V 。 (2)由基极回路得 Ω=≈ k I V R B cc b 300 由集-射极回路得 Ω=-= k I V V Rc C CE CC 3 (3)求输出电压的最大不失真幅度 由交流负载线与输出特性的交点可知,在输入信号的正半周,输出电压v CE 从3V 到0.8V ,变化围为2.2V ;在输入信号的负半周,输出电压v CE 从3V 到4.6V ,变化围为1.6V 。综合起来考虑,输出电压的最大不失真幅度为1.6V 。

模拟电路第四版课后答案(康华光版本)

第二章 2.4.1电路如图题2.4.1所示。(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。 解(1)求二极管的电流和电压 mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233 =?=Ω ??-=-= - V V V V D O 4.17.022=?== (2)求v o 的变化范围 图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示,温度 T =300 K 。 Ω≈== 02.36.826mA mV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时,则 mV V r R r V v d d DD O 6) 02.321000(02.32122±=Ω?+Ω ??±=+?=? O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ?-?+,即1.406V ~1.394V 。 2.4.3二极管电路如图2.4.3所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端电压V AO 。设二极管是理想的。 解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。 图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,V AO =-12V 。 图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。 图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为 -6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。

模电课后(康华光版)习题答案2

第二章部分习题解答 2.4.6 加减运算电路如图题8.1.3所求,求输出电压v o 的表达式。 解 : 方法一:应用虚短概念和叠加原理。 令 v s3=v s4=0,则 2 12 2 11 24 5 s s s f s f o v v v R R v R R v --=- -=' 再令v s1=v s2=0,则 434 35 345 33543541131165.7205 .71210124 ||||||||s s s s s p v v v v vs R R R R R v R R R R R v +=+++= +++= 434321445122511131164.15501||1s s s s p f o v v v v v R R R v +=? ?? ??+??? ??+=?? ???? +='' 图题8.1.3

将o v '和o v ' '叠加便得到总的输出电压 4 3214451 2251245s s s s o o o v v v v v v v ++--=''+'= 方法二:用虚断列节点方程 5 4 43 3221R v R v v R v v R v v R v v R v v p p s p s f o N N s N st =-+--=-+- 令v p =v N 联立求解上述方程,结果与方法一相同。 2.4.2 图题8.1.7为一增益线性调节运放电路,试推导该电路 的电压增益 )(21I I o V v v v A -= 的表达式。 解: A 1、A 2是电压跟随器,有 2 211,I o I o v v v v == 图题8.1.7

(完整word版)电子技术基础(数字部分)康华光(第五版)习题解答

1.1.1一数字信号的波形如图1.1.1所示,试问该波形所代表的二进制数是什么? 解:0101 1010 1.2.1试按表1.2.1所列的数字集成电路的分类依据,指出下列器件属于何种集成度器件:(1) 微处理器;(2) IC计算器;(3) IC加法器;(4) 逻辑门;(5) 4兆位存储器IC。 解:(1) 微处理器属于超大规模;(2) IC计算器属于大规模;(3) IC加法器属于中规模;(4) 逻辑门属于小规模;(5) 4兆位存储器IC属于甚大规模。 1.3.1将下列十进制数转换为二进制数、八进制数、十六进制数和8421BCD码(要求转换误差不大于2-4): (1) 43 (2) 127 (3) 254.25 (4) 2.718 解:(1) 43D=101011B=53O=2BH;43的BCD编码为0100 0011BCD。 (2) 127D=1111111B=177O=7FH;127的BCD编码为0001 0010 0111BCD。 (3) 254.25D=11111110.01B=376.2O=FE.4H;0010 0101 0100.0010 0101BCD。 (4) 2.718D=10.1011 0111B=2.56O=2.B7H;0010.0111 0001 1000BCD。 1.3.3将下列每一二进制数转换为十六进制码: (1) 101001B (2) 11.01101B 解:(1) 101001B=29H (2) 11.01101B=3.68H 1.3.4将下列十进制转换为十六进制数: (1) 500D (2) 59D (3) 0.34D (4) 1002.45D 解:(1) 500D=1F4H (2) 59D=3BH (3) 0.34D=0.570AH (4) 1002.45D=3EA.7333H

数电课后答案康华光第五版(完整)

第一章数字逻辑习题 1.1数字电路与数字信号 1.1.2 图形代表的二进制数 010110100 1.1.4一周期性数字波形如图题所示,试计算:(1)周期;(2)频率;(3)占空比例 MSB LSB 0 1 2 11 12 (ms) 解:因为图题所示为周期性数字波,所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms 频率为周期的倒数,f=1/T=1/0.01s=100HZ 占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比,q=1ms/10ms*100%=10% 1.2数制 2 1.2.2将下列十进制数转换为二进制数,八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于4(2)127 (4)2.718 解:(2)(127)D=72-1=(10000000)B-1=(1111111)B=(177)O=(7F)H (4)(2.718)D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H 1.4二进制代码 1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码: (1)43 (3)254.25 解:(43)D=(01000011)BCD 1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:P28 (1)+ (2)@ (3)you (4)43 解:首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码,然后将二进制码转换为十六进制数表示。 (1)“+”的ASCⅡ码为0101011,则(00101011)B=(2B)H (2)@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H (3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75 (4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,33 1.6逻辑函数及其表示方法 1.6.1在图题1. 6.1中,已知输入信号A,B`的波形,画出各门电路输出L的波形。

《电子技术基础》康华光第五版模电课后问答题答案

第二章运算放大器 2.1 集成电路运算放大器 2.1.1答;通常由输入级,中间级,输出级单元组成,输入级由差分式放大电路组成,可以提高整个电路的性能。中间级由一级或多级放大电路组成,主要是可以提高电压增益。输出级电压增益为1,可以为负载提供一定的功率。 2.1.2答:集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成,线性区的直线的斜率即Vvo 很大,直线几乎成垂直直线。非线性区由两条水平线组成,此时的Vo达到极值,等于V+或者V-。理想情况下输出电压+Vom=V+,-Vom=V-。 2.1.3答:集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆,输出电阻r约为100欧姆,开环电压增益Avo约为10^6欧姆。 2.2 理想运算放大器 2.2.1答:将集成运放的参数理想化的条件是:1.输入电阻很高,接近无穷大。2.输出电阻很小,接近零。 3.运放的开环电压增益很大。 2.2.2答:近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。 2.3 基本线性运放电路 2.3.1答:1.同相放大电路中,输出通过负反馈的作用,是使Vn自动的跟从Vp,使Vp≈Vn,或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。 2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象,而运放的输入电阻的阻值又很高,因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。 3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端,R2跨接在运放的输出端和反相端之间,同相端接地。由虚短的概念可知,Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位,称为虚地。 虚短和虚地概念的不同:虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零,而虚地Vp,Vn接近是零。 2.3.2答:由于净输入电压Vid=Vi-Vf=Vp-Vm,由于是正相端输入,所以Vo为正值,Vo等于R1和R2的电压之和,所以有了负反馈电阻后,Vn增大了,Vp不变,所以Vid变小了,Vo 变小了,电压增益Av=Vo/Vi变小了。 由上述电路的负反馈作用,可知Vp≈Vn,也即虚短。由于虚地是由于一端接地,而且存在负反馈,所以才有Vp≈Vn=0. 2.3.3答:同相放大电路:1.存在虚短和虚断现象。 2.增益Av=Vo/Vi=1+R2/R1,电压增益总是大于1,至少等于1。 3.输入电阻接近无穷大,出电阻接近于零。 反相放大电路:1.存在虚地现象。 2.电压增益Av=Vo/Vi=-R2/R1,即输出电压与输入电压反相。 3.输入电阻Ri=Vi/I1=R1.输出电压趋向无穷大。 电路的不同:1.参考P28和P32的两个图。 2.根据上述各自的特征即可得出它们的区别。 2.3.4 参考书本图下面的分析和上述的特点区别。 2.3.5 答:电路的电压增益约为1,在电路中常作为阻抗变化器或缓冲器。 2.4 同相输入和反反相输入放大电路的其他应用 2.4.1各个图参考P34-P41,各个电路的输出电压和输入电压的关系参考图下的分析。 2.4.2 成炜:最后一道题不会做,你们房间把它算下吧。谢了!(*^__^*) 嘻嘻……

模电复习思考题部分答案 康华光

模电复习思考题部分答案 第三章 2.1 集成电路运算放大器 2.1.1答;通常由输入级,中间级,输出级单元组成,输入级由差分式放大电路组成,可以提高整个电路的性能。中间级由一级或多级放大电路组成,主要是可以提高电压增益。输出级电压增益为1,可以为负载提供一定的功率。 2.1.2答:集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成,线性区的直线的斜率即Vvo 很大,直线几乎成垂直直线。非线性区由两条水平线组成,此时的Vo达到极值,等于V+或者V-。理想情况下输出电压+V om=V+,-V om=V-。 2.1.3答:集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆,输出电阻r约为100欧姆,开环电压增益Avo约为10^6欧姆。 2.2 理想运算放大器 2.2.1答:将集成运放的参数理想化的条件是:1.输入电阻很高,接近无穷大。2.输出电阻很小,接近零。 3.运放的开环电压增益很大。 2.2.2答:近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。 2.3 基本线性运放电路 2.3.1答:1.同相放大电路中,输出通过负反馈的作用,是使Vn自动的跟从Vp,使Vp≈Vn,或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。 2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象,而运放的输入电阻的阻值又很高,因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。 3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端,R2跨接在运放的输出端和反相端之间,同相端接地。由虚短的概念可知,Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位,称为虚地。虚短和虚地概念的不同:虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零,而虚地Vp,Vn接近是零。 2.3.2答:由于净输入电压Vid=Vi-Vf=Vp-Vm,由于是正相端输入,所以Vo为正值,V o等于R1和R2的电压之和,所以有了负反馈电阻后,Vn增大了,Vp不变,所以Vid变小了,Vo变小了,电压增益Av=V o/Vi变小了。 由上述电路的负反馈作用,可知Vp≈Vn,也即虚短。由于虚地是由于一端接地,而且存在负反馈,所以才有Vp≈Vn=0. 2.3.3答:同相放大电路:1.存在虚短和虚断现象。 2.增益Av=V o/Vi=1+R2/R1,电压增益总是大于1,至少等于1。 3.输入电阻接近无穷大,出电阻接近于零。 反相放大电路:1.存在虚地现象。 2.电压增益Av=V o/Vi=-R2/R1,即输出电压与输入电压反相。 3.输入电阻Ri=Vi/I1=R1.输出电压趋向无穷大。 电路的不同:1.参考P28和P32的两个图。 2.根据上述各自的特征即可得出它们的区别2.3.4 参考书本图下面的分析和上述的特点区别。 2.3.5 答:电路的电压增益约为1,在电路中常作为阻抗变化器或缓冲器。 2.4 同相输入和反反相输入放大电路的其他应用 2.4.1各个图参考P34-P41,各个电路的输出电压和输入电压的关系参考图下的分析。 第三章二极管 3.2.1答:空间电荷区是由施主离子,受主离子构成的。因为在这个区域内,多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说耗尽了,因此有称耗尽区。扩散使空间电荷区加宽,电场加强,对多数载流子扩散的阻力增大,但使少数载流子的漂移增强;而漂移使空间电荷区变窄,电场减弱,又使扩散容易进行,故空间电荷区也称为势垒区。 3.2.2答:使PN结外加电压VF的正端接P区,负端接N区,外加电场与PN结内电场方向相反,此时PN出于正向偏置。 3.2.3答:增加。因为在外加反向电压产生的电场作用下,P区中的空穴和N区中的电子都将进一步离开PN结,使耗尽区厚度增加。 3.2.4答:只有在外加电压是才能显示出来。 3.2.5答:P67页。

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