2015电力电子技术选择题
1．在型号为KP10-12G 中，数字12表示（C ）。
A.额定电压12V
B.额定电流12A
C.额定电压1200V
D.额定电流1200A
2．下列电路中，不可以实现有源逆变的有（B ）。
A.三相半波可控整流电路
B.三相桥式半控整流电路
C.单相桥式可控整流电路
D.单相全波可控整流电路外接续流二极管
3.整流变压器漏抗对电路的影响有（B ）。
A.整流装置的功率因数降低
B.输出电压脉动减小
C.电流变化缓和
D.引起相间短路
4．功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（ B ）
①一次击穿 ②二次击穿 ③临界饱和 ④反向截止
5．逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成(B )
①大功率三极管 ②逆阻型晶闸管 ③双向晶闸管 ④可关断晶闸管
6.已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（① ）
①减小至维持电流IH 以下 ②减小至擎住电流IL 以下
③减小至门极触发电流IG 以下 ④减小至5A 以下
7. 单相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（② ）
①U2 ②22U ③222U ④26U
8. 单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是（.④ ） ①增加晶闸管的导电能力 ②抑制温漂
③增加输出电压稳定性 ④防止失控现象的产生
9. 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，输出电压平均值Ud 的表达式是（ .① ） ①Ud=- 2.34U2cos β ②Ud=1.17U2cos β
③Ud= 2.34U2cos β ④Ud=-0.9U2cos β
10. 若减小SPWM 逆变器输出电压基波幅值，可采用的控制方法是（ ③ ）
①减小三角波频率 ②减小三角波幅度
③减小输入正弦控制电压幅值 ④减小输入正弦控制电压频率
11. 单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( D )
A.90°
B.120°
C.150°
D.180°
12. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是( A )
A.0°～90°
B.0°～180°
C.90°～180°
D.180°～360°
13. 当晶闸管串联时，为实现动态均压，可在各个晶闸管两端并联( D )
A. R
B. L
C. C
D. RC
14.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( B )
A.导通状态
B.关断状态
C.饱和状态
D.不定
15.三相半波可控整流电路的自然换相点是( B )
A.交流相电压的过零点
B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处
C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°
D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°
16. 单结晶体管同步振荡触发电路中，改变Re 能实现（ A ）。
A ．移相
B ．同步
C ．增大脉冲宽度
D ．增大脉冲幅值
17.在大电感负载三相全控桥中，当α=90°时，整流电路的输出是( B )
A.U2
B.0 C .1.414U2 D.1.732U2
18. 降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V,负载电压U0=12V,斩波周期T=4ms ，则开通时间Tab=（ ③ ） ①1ms ②2ms ③3ms ④4ms
1、晶闸管内部有（C ）PN结。A 一个， B 二个， C 三个， D 四个
2、单结晶体管内部有（A）个PN结。A 一个， B 二个， C 三个， D 四个
3、晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（B）。
A 不变，
B 增大，
C 减小。
4、单相半波可控整流电路输出直流电压的平均值等于整流前交流电压的（）倍。
A 1，
B 0.5，
C 0.45，
D 0.9.
5、单相桥式可控整流电路输出直流电压的平均值等于整流前交流电压的（）倍。
A 1，
B 0.5，
C 0.45，
D 0.9.
7、为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入（B）。
A 三极管，
B 续流二极管，
C 保险丝。
8、晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于（C）负载。
A 电阻性，
B 电感性，
C 反电动势。
9、直流电动机由晶闸管供电与由直流发电机供电相比较，其机械特性（C）。
A 一样，
B 要硬一些，
C 要软一些。
10、带平衡电抗器的双反星型可控整流电路适用于（A）负载。
A 大电流，
B 高电压，
C 电动机。
11、晶闸管在电路中的门极正向偏压（B）愈好。A 愈大， B 愈小， C 不变
12、晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（C ）。
A 分流，
B 降压，
C 过电压保护，
D 过电流保护。
13、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（C ）。
A 分流，
B 降压，
C 过电压保护，
D 过电流保护。
14、变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止（C）对晶闸管的损坏。
A 关断过电压，
B 交流侧操作过电压，
C 交流侧浪涌。
15、晶闸管变流装置的功率因数比较（B ）。A 高， B 低， C 好。
16、晶闸管变流器接直流电动机的拖动系统中，当电动机在轻载状况下，电枢电流较小时，变流器输出电流是（B）的。A 连续， B 断续， C 不变。
18、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（C）来表示的。
A 有效值
B 最大赛值
C 平均值
20、普通的单相半控桥可整流装置中一共用了（A）晶闸管。
A 一只，
B 二只，
C 三只，
D 四只。
1、三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（B）。
A 三相的大，
B 单相的大， C一样大。
2、为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入（B）。
A 三极管，
B 续流二极管，
C 保险丝。
3、晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于（C）负载。
A 电阻性，
B 电感性，
C 反电动势。
4、直流电动机由晶闸管供电与由直流发电机供电相比较，其机械特性（C）。
A 一样，
B 要硬一些，
C 要软一些。
5、带平衡电抗器的双反星型可控整流电路适用于（A）负载。
A 大电流，
B 高电压，
C 电动机。
6、晶闸管在电路中的门极正向偏压（B）愈好。A 愈大， B 愈小， C 不变
7、晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（C ）。
A 分流，
B 降压，
C 过电压保护，
D 过电流保护。
8、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（C ）。
A 分流，
B 降压，
C 过电压保护，
D 过电流保护。
9、变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止（C）对晶闸管的损坏。
A 关断过电压，
B 交流侧操作过电压，
C 交流侧浪涌。
10、晶闸管变流装置的功率因数比较（B ）。A 高， B 低， C 好。
11、晶闸管变流器接直流电动机的拖动系统中，当电动机在轻载状况下，电枢电流较小时，变流器输出电流是（B）的。A 连续， B 断续， C 不变。
12、脉冲变压器传递的是（C ）电压。A 直流， B 正弦波， C 脉冲波。
13、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（C）来表示的。
A 有效值
B 最大赛值
C 平均值
14、普通的单相半控桥可整流装置中一共用了（A）晶闸管。
A 一只，
B 二只，
C 三只，
D 四只。
15、三相全控桥整流装置中一共用了（B）晶闸管。
A 三只，
B 六只，
C 九只。
16、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（C）电极。
A 一个，
B 两个，
C 三个，
D 四个。
17、若可控整流电路的功率大于4kW，宜采用（C ）整流电路。
A 单相半波可控
B 单相全波可控
C 三相可控
18、三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（B）。
A 三相的大，
B 单相的大， C一样大。
1、双向晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（A）来表示的。
A 有效值
B 最大值
C 平均值
2、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（C）电极。
A 一个，
B 两个，
C 三个，
D 四个。
3、双向晶闸管的四种触发方式中，灵敏度最低的是（C）。
A、Ⅰ+，
B、Ⅰ-，
C、Ⅲ+，
D、Ⅲ-。
1、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）。
GTR B、 MOSFET C、、IGBT
2、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最小的是（）。
A、GTR
B、MOSFET
C、IGBT
3、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的是（）。
A、GTR
B、 MOSFET
C、、IGBT
4、能采用快速熔断器作为过电流保护的半导体器件是（）。
A、GTO
B、GTR
C、IGBT。
5、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）、最慢的是（）。
A、GTO
B、GTR
C、MOSFET
6、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是。（A ）
A、GTR
B、 MOSFET
C、、IGBT。
7、下列电力电子器件中属于全控型器件的是（）。
A、KP50-7
B、3DD15C
C、ZP100-10
1、下列不可以实现逆变的电路是（）式晶闸管电路。
A 单相全波，
B 三相半控桥， C三相全控桥
2、变流器必须工作在α（）区域，才能进行逆变。
A ＞90°，
B ＞0°，
C ＜90°，
D ＝0°。
3、为了保证逆变能正常工作，变流器的逆变角不得小于（）。
A 5°，
B 15°，
C 20°，
D 30°。
4、串联谐振式逆变器属于（）逆变器。
A 电压型
B 电流型
C 电阻型
5、并联谐振式逆变器属于（）逆变器。
A 电压型
B 电流型
C 电阻型
1、串联谐振式逆变器属于（）逆变器。
A 电压型
B 电流型
C 电阻型
2、并联谐振式逆变器属于（）逆变器。
A 电压型
B 电流型
C 电阻型1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差 A 度。
A、180°，
B、60°， c、360°， D、120°
2、α为 C 度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A，0度， B，60度， C，30度， D，120度，
3、晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
A、同步电压，
B、控制电压，
C、脉冲变压器变比。
4、可实现有源逆变的电路为 A 。
A、三相半波可控整流电路，
B、三相半控桥整流桥电路，
C、单相全控桥接续流二极管电路，
D、单相半控桥整流电路。
5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理 A 。
A、30o-35o，
B、10o-15o，
C、0o-10o，
D、0o。
1、α为 B 度时，三相桥式全控整流电路，带电阻性负载，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。
A、0度。
B、60度。
C、30度。
D、120度。
2、晶闸管触发电路中，若使控制电压UC=0，改变 C 的大小，使触发角α=90o，可使直流电机负载电压Ud=0。达到调整移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。
A、同步电压，
B、控制电压，
C、偏移调正电压。
3、能够实现有源逆变的电路为 A 。
A、三相半波可控整流电路，
B、三相半控整流桥电路，
C、单相全控桥接续流二极管电路，
D、单相桥式全控整流电路。
4、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（ A D）
A、700V
B、750V
C、800V
D、850V
5、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( D )
A、90°
B、120°
C、150°
D、180°
1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差度。
A、180°，
B、60°， c、360°， D、120°
2、α为度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A，0度， B，60度， C，30度， D，120度，
3、晶闸管触发电路中，若改变的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
A、同步电压，
B、控制电压，
C、脉冲变压
器变比。
4、可实现有源逆变的电路为。
A、三相半波可控整流电路，
B、三相半控桥整流桥电路，
C、单相全控桥接续流二极管电路，
D、单相半控桥整
流电路。
5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理。
A、30o-35o，
B、10o-15o，
C、0o-10o，
D、0o。
6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪
几。
A、三相半波可控整流电路。
B、三相半控
整流桥电路。
C、单相全控桥接续流二极管电路。
D、单相半控桥整流电路。
7、在有源逆变电路中，逆变角的移相范围应
选为最好。
A、=90o∽180o，
B、=35o∽90o，
C、
=0o∽90o，
8、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输出电压等于。
A、U相换相时刻电压u U，
B、V相换相时刻电压u V，
C、等于u U+u V的一半即：
9、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉冲间距相隔角度符合要求。请选
择。
10、晶闸管触发电路中，若使控制电压U C=0，改变的大小，可使直流电动机负载电压U d=0，使触发角α=90o。达到调定移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。
B、同步电压， B、控制电压，
C、偏
移调正电压。
11、下面哪种功能不属于变流的功能（）
A、有源逆变
B、交流调压
C、变压器降压
D、直流斩波
12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( )
A、交流相电压的过零点；
B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处；
C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°；
D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。
13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复
峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）
A、700V
B、750V
C、800V
D、850V
14、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )
A、0o-90°
B、0o-120°
C、0o-150°
D、0o-180°
15、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差度。
A 、180度； B、60度； C、360度； D、120度；
16、可实现有源逆变的电路为。
A、单相全控桥可控整流电路
B、三相半控桥可控整流电路
C、单相全控桥接续流二极管电路
D、单相半控桥整流电路
17、由晶闸管构成的可逆调速系统中，逆变角βmin 选时系统工作才可靠。
A、300~350
B、100~150
C、00~100
D、00
18、α= 度时，三相全控桥式整流电路带电阻负载电路，
输出负载电压波形处于连续和断续的临界状态。
A、0度；
B、60度；
C、30度；
D、120度；
19、变流装置的功率因数总是。
A、大于1；
B、等于1；
C、小于1；
20、变流器工作在逆变状态时，控制角α必须在度。
A、0°-90°；
B、30°-120°；
C、60°-150°；
D、
90°-150°；
21、三相半波可控整流电阻性负载电路，如果三个晶闸管采
用同一相触发脉冲，α的移相范围。
A、0o--60o；
B、0o--90o；
C、0o--120o；
D、0o--150o；
22、三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角γ的大小
与哪几个参数有关。
A、α、I d、 X L、U2φ；
B、α、I d；
C、α、U2；
D、α、U2、X L；
23、在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角α的有效移相范围是。
A、0°～90°
B、0°～180°
C、90°～180°
24、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0o时，输出的负载电压平均值为。
A、0.45U2；
B、0.9U2；
C、1.17U2；
D、2.34U2；
25、变流装置的功率因数总是。
A、大于1；
B、等于1；
C、小于1；
26、三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角α的有效移相范围是度。
A、0°-90°；
B、30°-120°；
C、60°-150°；
D、
90°-150°；
27、三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组
触发装置来触发，α的移相范围是。
A、0o--60o；
B、0o--90o；
C、0o--120o；
D、0o--150o；
28、三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角γ的大小与哪几个参数有关。
A、α、I d、 X L、U2φ；
B、α、I d；
C、α、U2；
D、α、U2、X L；
29、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种。
A、三相半波可控整流电路。
B、三相半控
整流桥电路。
C、单相全控桥接续流二极管电路。
D、单相半控桥整流电路。
30、在晶闸管触发电路中，若使控制电压U C=0，改变的大小，可使直流电动机负载电压U d=0，使触发角α=90o。达到调定移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。
C、同步电压， B、控制电压， C、偏
移调正电压。
电力电子技术选择题
1、A、
2、C、
3、B、
4、A、
5、A、
6、B、C、D、
7、B、
8、C、
9、B、10、C、
11、C、12、B、13、B、14、D、15、A、16、A
电力电子技术期末考试试题及答案(1)
电力电子技术试题 第 1 章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在 __开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为 __通态损耗 __，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为 __开关损耗 __。 3.电力电子器件组成的系统，一般由 __控制电路 __、_驱动电路 _、 _主电路 _三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加 _保护电路 __。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为 _单极型器件 _ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件 _三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通，承受反相电压截止 _。 6.电力二极管的主要类型有 _普通二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。 7. 肖特基二极管的开关损耗 _小于快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流 IH与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为， UDSM_大于 __Ubo。 11.逆导晶闸管是将 _二极管_与晶闸管 _反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__多元集成 __结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、前者的饱和区对应后者的 __放大区 __、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区 __。 14.电力 MOSFET的通态电阻具有 __正 __温度系数。 15.IGBT 的开启电压 UGE（th ）随温度升高而 _略有下降 __，开关速度 __小于__电力 MOSFET。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型_两类。 17.IGBT的通态压降在 1/2 或1/3 额定电流以下区段具有 __负___温度系数，在1/2 或 1/3 额定电流以上区段具有 __正___温度系数。
(完整版)数字电子技术基础模拟试题A及答案
74LS191功能表 LD CT D U / CP D 0 D 1 D 2 D 3 Q 0 Q 1 Q 2 Q 3 0 × × × d 0d 1 d 2 d 3 1 0 0 ↑ ×××× 1 0 1 ↑ ×d 0 d 1 d 2 d 3 加法计数 减法计数 命 题 人 ： 审 题 人 ： 命 题 时 间 ： 系名 专业 年级、班 学号 姓名 数字电子技术 课程试题（ 卷） 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 得分 （请将答案写在答题纸上，答在试卷上不给分） 一． 选择题（16分） 1．已知A B A B B A Y +++=，下列结果正确的是（ ） a ． Y =A b ．Y=B c ．A B Y += d ．Y=1 2．已知A=（10．44）10（下标表示进制），下列结果正确的是（ ） a ． A=（1010．1）2 b ．A=（0A ．8）16 c ． A=（12．4）8 d ．A=（20．21）5 3．下列说法不正确的是（ ） a ．当高电平表示逻辑0、低电平表示逻辑1时称为正逻辑 b ．三态门输出端有可能出现三种状态（高阻态、高电平、低电平） c ．OC 门输出端直接连接可以实现正逻辑的线与运算 d ．集电极开路的门称为OC 门 4．以下错误的是（ ） a ．数字比较器可以比较数字大小 b ． 半加器可实现两个一位二进制数相加 c ．编码器可分为普通全加器和优先编码器 d ．上面描述至少有一个不正确 5．下列描述不正确的是（ ） a ．触发器具有两种状态，当Q=1时触发器处于1态 b ．时序电路必然存在状态循环 c ．异步时序电路的响应速度要比同步时序电路的响应速度慢 d ．主从JK 触发器具有一次变化现象 6．电路如下图（图中为上升沿Jk 触发器），触发器当前状态Q 3 Q 2 Q 1为“100”，请问在时钟作用下，触发器下一状态（Q 3 Q 2 Q 1）为（ ） a ．“101” b ．“100” c ．“011” d ．“000” 7．电路如下图，已知电路的当前状态Q 3 Q 2 Q 1 Q 0为“1100”，74LS191具有异步置数的逻辑功能，请问在时钟作用下，电路的下一状态（Q 3 Q 2 Q 1 Q 0）为（ ） a ．“1100” b ．“1011” c ．“1101” d ．“0000” 8．下列描述不正确的是（ ） a ．EEPROM 具有数据长期保存的功能且比EPROM 在数据改写上更方便 b ．DAC 的含义是数-模转换、ADC 的含义是模数转换 c ．积分型单稳触发器电路只有一个状态 d ．上面描述至少有一个不正确 二．判断题（9分） 1．TTL 输出端为低电平时带拉电流的能力为5mA （ ） 2．TTL 、CMOS 门中未使用的输入端均可悬空（ ） 3．当决定事件发生的所有条件中任一个（或几个）条件成立时，这件事件就会发生，这种因果关系称为与运算。（） 4．将代码状态的特点含义“翻译”出来的过程称为译码。实现译码操作的电路称为译码器。（） 5．设计一个3进制计数器可用2个触发器实现（ ） 6．移位寄存器除了可以用来存入数码外，还可以利用它的移存规律在一定的范围内构成任意模值n 的计数器。所以又称为移存型计数器（ ） 7． 判断时序逻辑电路能否自启动可通过判断该电路是否存在有效循环来实现（ ） 8． 施密特触发器电路具有两个稳态，而多谐振荡器电路没有稳态（ ） 9． DRAM 需要定期刷新，因此，在微型计算机中不如SRAM 应用广泛（ ） 三．计算题（8分） 1、在如图所示电路中，U cc =5V ，U BB =9V ，R 1=5.1kΩ， R 2=15kΩ，R c =1kΩ，β=40，请计算U I 分别为5V ，0.3V 时输出U O 的大小？。 密 线 封 A B
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第二章电力电子器件 一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A。若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V。（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。） 2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是导通损耗；另一方是开关损耗。 3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。 4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。 5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。 二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。（√） 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。（×） 3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。（×） 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。（√） 5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。（×） 6、在GTR 的驱动电路设计中，为了使GTR 快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。（×） 7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。（√） 8、IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。（×） 9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。（×） 10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。（√） 三、选择题 1、下列元器件中，（ BH ）属于不控型，（ DEFIJKLM）属于全控型,（ ACG ）属于半控型。 A、普通晶闸管 B、整流二极管 C、逆导晶闸管 D、大功率晶体管 E、绝缘栅场效应晶体管 F、达林顿复合管 G、双向晶闸管 H、肖特基二极管 I、可关断晶闸管 J、绝缘栅极双极型晶体管 K、MOS 控制晶闸管 L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管 2、下列器件中，（ c ）最适合用在小功率，高开关频率的变换器中。 A、GTR B、IGBT C、MOSFET D、GTO 3、开关管的驱动电路采用的隔离技术有（ ad ） A、磁隔离 B、电容隔离 C、电感隔离 D、光耦隔离 四、问答题 1、使晶闸管导通的条件是什么？ 答：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流或脉冲（uak＞0且ugk＞0）。
数电期末模拟题及答案
《数字电子技术》模拟题一 一、单项选择题（2×10分） 1．下列等式成立的是（ ） A 、 A ⊕1=A B 、 A ⊙0=A C 、A+AB=A D 、A+AB=B 2．函数F=(A+B+C+D)(A+B+C+D)(A+C+D)的标准与或表达式是（ ） A 、F=∑m(1,3,4,7,12) B 、F=∑m(0,4,7,12) C 、F=∑m(0,4,7,5,6,8,9,10,12,13,14,15) D 、F=∑m(1,2,3,5,6,8,9,10,11,13,14,15) 3．属于时序逻辑电路的是（ ）。 A 、寄存器 B 、ROM C 、加法器 D 、编码器 4．同步时序电路和异步时序电路比较，其差异在于后者（ ） A 、没有触发器 B 、没有统一的时钟脉冲控制 C 、没有稳定状态 D 、输出只与内部状态有关，与输入无关 5．将容量为256×4的RAM 扩展成1K ×8的RAM ，需（ ）片256×4的RAM 。 A 、 16 B 、2 C 、4 D 、8 6．在下图所示电路中，能完成01=+n Q 逻辑功能的电路有（ ） 。 A 、 B 、 C 、 D 、 7．函数F=A C+AB+B C ，无冒险的组合为（ ）。 A 、 B=C=1 B 、 A=0，B=0 C 、 A=1，C=0 D 、 B=C=O 8．存储器RAM 在运行时具有（ ）。 A 、读功能 B 、写功能 C 、读/写功能 D 、 无读/写功能 9．触发器的状态转换图如下，则它是： （ ） A 、T 触发器 B 、RS 触发器 C 、JK 触发器 D 、D 触发器 10．将三角波变换为矩形波，需选用 （ ） A 、多谐振荡器 B 、施密特触发器 C 、双稳态触发器 D 、单稳态触发器 二、判断题（1×10分） （ ）1、在二进制与十六进制的转换中，有下列关系： （1001110111110001）B =（9DF1）H （ ）2、8421码和8421BCD 码都是四位二进制代码。 （ ）3、二进制数1001和二进制代码1001都表示十进制数9。 （ ）4、TTL 与非门输入采用多发射极三极管，其目的是提高电路的开关速度。 （ ）5、OC 与非门的输出端可以并联运行，实现“线与”关系，即L=L 1+L 2 （ ）6、CMOS 门电路中输入端悬空作逻辑0使用。 （ ）7、数字电路中最基本的运算电路是加法器。 （ ）8、要改变触发器的状态，必须有CP 脉冲的配合。
电工电子技术期末考试试题及答案汇总
成绩统计表 专业班级____________ 考生姓名：____________ 学号_______ 请将选择题答案填入下表： 一．选择（20分、2分/题） 1．变压器降压使用时，能输出较大的____b_____。 A、功率 B、电流 C、电能 D、电功 2．三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的________b_决定。 A、相位 B、相序 C、频率 D、相位角3．电气控制线路原理图中，触头的位置是处于______a___。A、未通电状态B、通电状态C、根据情况确定状态4．为保证机床操作者的安全，机床照明灯的电压应选____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下5．关于提高功率因数的说法，正确的是（ c ） A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数 B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数
C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数 6．乙类互补对称式功放电路，其输出波形的交越失真是指（ c ）。A．频率失真B、相位失真C、波形过零时出现的失真D、幅度失真 7．稳压管的动态电阻（b ）稳压性能越好。 A、越大 B、越小 C、较合适 D、不一定 8．运算放大器电路如图所示，该电路中反馈类型为( )。a (A) 串联电压负反馈(B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈(D) 并联电流负反馈 ∞ 9．单稳态触发器的输出状态有（a） A、一个稳态、一个暂态 B、两个稳态 C、只有一个稳态 D、没有稳态 10．一个8选1多路选择器，输入地址有 c 。
A、2位 B、3位 C、4位 D、8位 二、计算题（70分） 1．已知图5所示电路中U S1=24V，U S2＝6V，R1=12Ω，R2＝6Ω,R3=2Ω，试用戴维宁定理求流过电阻R3中的电流I3。(10分) a I3 b 2．如图所示R－L串联电路，R=280Ω，R L=20Ω,L=1.65H，电源电压U=220V，电源频率为50H Z。(10分)
模拟电子技术基础考试试题答案-(1)
第1页 共5页 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在 区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的 视为开路， 视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是 相输入端，否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的， 越大越好， 越小越好。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将 。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为 。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管 7V 0.7V 0V ① ② ③
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。
数字电子技术 期末考试试题
数字电子技术期末考试试题 期末考试试题 课程名称《数字电子技术》适用专业自动化、测控考试时间 ( 120 )分钟 一、填空题(22分每空2分) A,0,A,1,1、 , 。 2、JK触发器的特性方程为: 。 3、单稳态触发器中,两个状态一个为态，另一个为态.多谐振荡器两个状态都为 态，施密特触发器两个状态都为态. 4、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的有关，而与无 关。 5、某数/模转换器的输入为8位二进制数字信号(~D)，输出为D0~25.5V的模拟电压。若数字信70号的最低位是“1”其余各位是“0”，则输出的模拟电压为。 6、一个四选一数据选择器，其地址输入端有个。二、化简题(15分每小题5分) 用卡诺图化简逻辑函数，必须在卡诺图上画出卡诺圈 1) Y(A,B,C,D)=?m(0,1,2,3,4,5,6,7,13,15) 2)L(A,B,C,D),m(0,13,14,15)，d(1,2,3,9,10,11) ,, 利用代数法化简逻辑函数，必须写出化简过程 __________________________________________________ 3) F(A,B,C),AB，ABC，A(B，AB) 三、画图题(10分每题5分) 据输入波形画输出波形或状态端波形(触发器的初始状态为0). 1、
2、 四、分析题(17分) 1、分析下图，并写出输出逻辑关系表达式，要有分析过程(6分) 2、电路如图所示，分析该电路，画出完全的时序图，并说明电路的逻辑功能，要有分析过程(11分) 五、设计题(28分) 1、用红、黄、绿三个指示灯表示三台设备的工作情况:绿灯亮表示全部正常;红灯亮表示有一台不 正常;黄灯亮表示两台不正常;红、黄灯全亮表示三台都不正常。列出控制电路真值表，要求用 74LS138和适当的与非门实现此电路(20分)
模拟电子技术基础试题汇总
模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。
8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小
电力电子技术期末考试试题及答案最新版本
电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘 栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时， 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 ， 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 ， 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ ， 欲 实 现 有 源 逆 变 ， 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ； 对 于 单 相 全 波 电 路 ， 当 控制 角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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数字电子技术期末试题库
【数字电子技术】【试题库】 一、填空题 1.电子电路中的信号可分为两大类，即模拟信号和。 2.数字信号是时间上和上都不连续的信号。 3.十进制数176转换成二进制数为。 4.二进制数11010011转换成十进制数为。 5.所谓二-十进制编码，就是用若干位二进制码元按一定的规律排列起来表示十进制数的过程，也称为码。 6.目前，国际最通用的处理字母、专用符号和文字的二进制代码就是美国标准信息交换码，即码。 ?+?=。 7.二进制数的逻辑运算0111 8. 二进制数的逻辑运算11=。 ⊕=。 9. 二进制数的逻辑运算11 +?=。 10.利用逻辑代数公式，对右式进行化简，A A B ++?=。 11.利用逻辑代数公式，对右式进行化简，A B A B 12.逻辑代数的三条重要规则分别是代入规则、反演规则和。 13.由n个逻辑变量组成的不同最小项个数为个。 14.由n个变量组成的“与或”逻辑表达式，若其中每一项均是关于n个逻辑变量的最小项，则称这一表达式为。 15.利用卡诺图求解最简逻辑表达式时，需要画方格圈，其中有三条要求：将2n个值为1的方格划为一个方格圈，方格圈的数量应（越少/越多）越好，方格圈所含的方格数应（越少/越多）越好。 16.三极管作为开关元件，通常工作在截止区和。 17.集成门电路主要有TTL门电路和。 18.三态门电路的输出有高电平、低电平和共3种状态。 19.TTL集成门电路是由半导体构成的，由于它工作速度快，带负载和抗干扰能力强，因而在数字电路中应该广泛。 20.根据逻辑功能的不同特点，数字逻辑电路可以分为两大类：组合逻辑电路和。 21.在组合逻辑电路中，当输入信号改变状态时，输出端可能出现干扰脉冲，从而导致逻辑电路产生错误输出的现象，称为。 22.触发器有两种稳定状态，即0状态和。 23.RS触发器由两个门电路首尾相连构成。 24.为了避免基本RS触发器输出存在不确定的情况，对其输入端设置了相应的约束条件是。
电子技术期末考试试卷及答案
2、射极输出器电路中，输出电压U o 与输入电压u i 之间的关系是（ ）。 （a ） 两者反相，输出电压大于输出电压 （b ） 两者同相，输出电压近似等于输入电压 （c ） 两者相位差90 ，且大小相等 3、为了放大变化缓慢的信号或直流信号，多级放大器级与级之间必须采 用（ ）。 （a ） 阻容耦合 （b ） 变压器耦合 （c ） 直接耦合 汁侶吗llTFF （咏宀、 方 亠z-r /咏宀\ 命题教帅（签字） 试做教师（签字） 系、室土任（签字） ）匚记标修重 ................ 名姓 题号 -一- _ 二 _ 三 四 五 七 八 合计 满分 32 10 8 10 6 7六 10 12 丿八 12 100 实得分 评阅人 得分 、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填 入括号内（本大题共16小题，总32分） 1、 电 路如图 所 示， 所有二极管 状 态为 ( )。 ⑻ D 1导 通，D 2、 D 3 截 止 (b) D 1、 D 2截止 D 3导通 (c) D 1、 D 3截止， D 2导 通 (d) D 1、 D 2、D 3均 截 止 均为理想元件，则D ,、D 2、D 3的工作 12V +6V J 1 ----------------- W D2 Ld D3 白R 0V D i
⑻L i、C i组成的电路 （b）L、C组成的电路 （c）L2、&组成的电路 +U cc 5、正弦波振荡器如图所示，为了获得频率可调的输出电压，则应该调节的电阻是（）。 ⑻R i （b）R F（c）R U o 6、模拟电路中晶体管大多工作于（）。 ⑻放大状态（b）开关状态（c）击穿状态 7、数字电路中的工作信号为（）。 ⑻随时间连续变化的电信号（b）脉冲信号（c）直流信号 8、逻辑电路如图所示，分析图中C, J, K的波形。当初始状态为“ 0” 时，输出Q是“1”的瞬间为（）。 ⑻t i (b) t2 (c) t3
模拟电子技术基础考试试题答案
一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。
电力电子技术选择题
电力电子技术选择题 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】
1、三相全控桥整流电路的同一相上下两个桥臂晶闸管的触发脉冲依次应 相差180度 2、α为30度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形， 处于连续和断续的临界状态。 3、可实现有源逆变的电路为（三相半波可控整流电路，）。 4、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理 （30o-35o）。 5、快速熔断器熔体额定电流的选择是电流的（有效值）。 6、三相桥式半控整流电路，大电感负载时的移相范围为（0o～ 180o）。 7、三相半波整流电路，电阻性负载时的移相范围为（0o～ 150o）。 8、三相桥式全控整流电路，大电感负载时的移相范围为（0o～90o）。 9、单相半控桥电感性负载电路，在负载两端并联一个二极管的作用是 （防止失控）。 10、具有锁定效应的电力电子器件是（绝缘栅双极型晶体管）。 10、单相半控桥电感性负载电路，在负载两端并联一个二极管的作用是 （防止失控） 20、某型号为KP100-10的普通晶闸管工作在单相半波可控整流电路中，晶闸管能通过的电流有效值为（ 157A ）。 21、图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，两个波形的电流最大值均相同，
则波形的电流有效值I 1、I 2的关系为：（I 2 = 2 I 1 ）。 22、下列关于Power MOSFET 的描述，哪一项是错误的也称为绝缘栅极双 极型晶管(这是IGBT) 23、三相半波整流电路输出波形如图所示，则以下判断正确的是 :控制角为0°，电阻性负载， 24、下面哪种功能不属于变流的功能（变压器降压 ） 25、 三相半波可控整流电路的自然换相点是（本相相电压与邻相电压正半 周的交点处。 ）。 26、三相电压型逆变器采用的导电方式为 1 8 0o 度导电方式。 27、三相电流型逆变器采用的导电方式为 120 度导电方式。 28、可实现有源逆变的电路为 三相半波可控整流电路， 29、三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角γ的大小与哪几个参数有 关αI d 、 X L 、U 2 30、α=60度时，三相全控桥式整流电路带电阻负载电路， 31、某电流分解为)5sin 513sin 31(sin 4 2 +++= ωωωπt t I i d ，其中基波的有效值d I π22 32、逆变角的大小等于（απ- ） A απ+ B απ- C απ-2 D απ+2 33、升压斩波电路的电压输入输出关系是（ U0=(T/Toff)E ） 34、下图中阴影部分为晶闸管处于一个周期内的电流波形，平均电流是 M I )4 221(1+π (无图)
模拟电子技术基础试题汇总附有答案.
模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生
( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。
8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路
电力电子技术试题20套及答案
考试试卷( 1 )卷 一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分） 1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属 于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时， _________损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为 _________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。 4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果 基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大 的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。 6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大 反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。 7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。 8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____； (3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5 时间段内，电流的通路为___VD1____；
电工电子技术期末考试试卷及答案
《电工电子技术基础》期末考试试卷 (闭卷) 一、填空题（每空1分，共40分） 1、交流电的电流或电压在变化过程中的任一瞬间，都有确定的大小和方向，叫做交流电该时刻的瞬时值，分别用小写字母 i 、 u 表示。 2、数字电路中只有 0 和 1 两个数码。 3、三相电源的中线一般是接地的，所以中线又称__地___线。三相电源三相绕组的首端引出的三根导线叫做___相__线。 4、(1011)2 = ( 11 )10。 5、电容和电阻都是电路中的基本元件，但它们在电路中所起的作用却是不同的，从能量上看，电容是_储能____元件，电阻是__耗能____元件。 6、为了反映功率利用率把有功功率和视在功率的比值叫功率因数。 7、正弦交流电的三要素是振幅、频率和初相。 8、实际电压源总有内阻，因此实际电压源可以用电动势与电阻串联的组合模型来等效。 9、基本门电路有与门、或门和非门。 10、能够实现“有0出1，全1出0”逻辑关系的门电路是与非门。 11、能够实现“有1出0，全0出1”逻辑关系的门电路是或非门。 12、能够实现“相异出1，相同出0”逻辑关系的门电路是异或门。 13、在交流电中，电流、电压随时间按正弦规律变化的，称为正弦交流电。正弦交流电的三要素是指最大值、角频率、初相位。 14、工频电流的频率f= 50 Hz。 15、设u=311sin314t V，则此电压的最大值为 311V ，频率为 50HZ ，初相位为 0 。 16、在如图所示的电路，已知I1 = 1A，I2 = 3A ，I5 =4.5A，则I3 = 4 A，I4 = 0.5 A，则I6 = 3.5 A。
17、半导体三极管是由发射极、基极、集电极三个电 极，发射结、集电结两个PN结构成。 18、三极管按其内部结构分为 NPN 和 PNP 两种类型。 19、晶体三极管作共射组态时，其输入特性与二极管类似，但其输出特性 较为复杂，可分为放大区外，还有截止区和饱和区。 20、二极管具有单相导电性特性。 二、单项选择题（每小题2分，共10分） 1、如图所示电路中，电压表的内阻Rv为20KΩ，则电压表的指示为（ B ）。 20KΩ 20KΩ A．5V B.10V C.15V D.30V 2、在三相交流电路中，当负载为对称且三角型连接时，线电流与相电流的 相位关系是（ D ）。 A. 线电压超前相电压300 B. 线电压滞后相电压300 C. 线电流超前相电流300 D. 线电流滞后相电流300 3、叠加定理可以用在线性电路中不能叠加的是（ C ）。 A、电压 B、电流 C、功率 D、电动势 4、如图所示电路中，若电阻从2Ω变到10Ω，则电流i（ C ）。 R i s A.变大 B. 变小 C.不变 D.不确定 5、如图所示电路，电路的电流I=（ A ）。