模拟电子线路期末试题及其答案(两套)
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕
一、填空题（15分）
1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。
2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。
4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。
6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。
7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。
8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。
二、单项选择题（15分）
1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零
2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区
3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响
4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。
5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小
C 在集成工艺中难于制造大电容
D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小
10
[ ] A、
C、D
三、判断以下电路能否放大交流信号，若不能，请改正其中的错误使其能起放大作用。（12
分）
（A）（B）
（C）
四、请判断下列电路中的反馈的类型，并说明哪些元件起反馈作用。（8分）
（A）（B）
五、综合题（50分）
1．（6分）稳压管稳压电路如图所示。已知稳压管稳压值为V Z =6V ，稳定电流范围为I Z =5～
20mA ，额定功率为200mW ，限流电阻R=500Ω。试求：
（1） 当?1,200=Ω==V K R V V L i 时， （2） 当?100,200=Ω==V R V
V L i 时，
2、（14分）单级放大电路如图：在输入信号的中频段C 1、C 2、C 3对交流短路， 已知：V CC =12V 、
R 1=150K Ω 、R 2=150K Ω、R C =5.1K Ω、R e =2K Ω、R L =10K Ω、β=100、C 1=C 2=C 3=10μF 、C μ=5PF(即C bc ) 、 f T =100MH Z 、V BE =0.7V 、 r bb ’=200Ω， 试求：
（1）放大电路的Q 点参数； （2）画出交流小信号等效电路，
求O i V R R A ,,的值； （3）求电路上限频率H f ；
（4）若C 2断开，将对Q 点，O i V R R A ,,
产生何种影响？
3、 （10分）OCL 功率放大电路如图，其中A 为理想运放。
已知V V V VCES CES 121==，R L =8Ω。
（1）求电路最大输出功率OMAX P （2）求电路电压放大倍数
i
O
V V V A =
=？ （3）简述D 1 、D 2的作用
4、（10分）判断如图电路中A1、A2各是什么单元电路，简述整个电路的工作原理，并定性
地作出V O1，V O2处的波形。D Z1，D Z2的稳压值均为V Z（注：各运放为理想运放，已加电）.
5、（10分）如图所示电路中,开关S可以任意闭合、断开，集成运放是理想的，设T1T2工作
在放大区(忽略其直流偏置)，R C1=R C2=2KΩ，R1=2KΩ，R3=10KΩ，R b1=R b2=2KΩ，R e=5.1K Ω，R f=10KΩ，β1=β2=100，r be1=r be2=1kΩ
试求：⑴当S断开时，电路的增益A V=V O/V I=？
⑵当S闭合时，电路在深度负反馈条件下的闭环增益A VF=？
《模拟电子技术基础》期末试题〔A〕
参考答案
一、填空题
1、单向导电性
2、V BE > 0
V BC < 0
3、共集电极、共基极电路
共集电极路 共基极电路
4、输入级、中间级、输出级、偏置电路
5、
2H L
ωωπ
- 6、静态电阻小，交流电阻大 7、2n φπ=
3
8、一次
一次
9、电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路 二、单项选择题
1、（A ）
2、（B ）
3、（C ）
4、（A ）
5、（D ）
6、（C ）
7、（B ） 8、（B ）
9、（D ）
10、（C ）
三、判断题
（1） A 图 不能放大交流信号，改正：去掉C 1，将+V CC 改为-V CC
B 图 能够放大交流信号 （2） A 图 电流串连负反馈
B 图 电流并联正反馈 四、综合题
1、解：① 假设D z 能稳压，设V 0 = 6V
有20614
28500500
R V I mA -=
==Ω 062828221DZ R RL L V V
I I I mA mA mA R K =-=-
=-=Ω
226132200DZ DZ DZ P I V mA V mA mW ∴=?=?=< ∴D Z 能稳压，V 0 = 6V ②假设D z 能稳压，V 0 = 6V
20628500R V
I mA -=
=Ω
cc 6
60
100
RL
V
I mA
==
286032
DZ R RL
I I I mA mA mA
∴=-=-=-
∴D Z不能稳压，又工作在反偏条件下，视为断路。
02
100
20 3.3
500100
L
L
R
V V V
R R
∴==?=
++
2、解：①画出直流通路求Q点参数得：
12
(1)()()
CC BQ C E BEQ BQ
V I R R V I R R
β
=+?++++
12
120.7
11.3
(1)()()100(52)300
CC BEQ
CC
C E
V V V V
V A
R R R R K
μ
β
-+
∴===
++++++
(1)10011.3 1.13
EQ BQ
I I A mA
βμ
=+=?=
(1)()12 1.137 4.09
CEQ CC BQ C E
V V I R R V V
β
=-++=-?=
26
(1)100 2.3
1.13
T
b e
EQ
V mV
r K
I mA
β
'
=+=?=Ω
200 2.3 2.5
be bb b e
r r r K K
''
=+=Ω+=Ω
②画出小信号等效电路如图所示，并据此求出A V、R i、R0
2
////150//5//10
99132
2.5
C L
V
be
R R R K K K
A
r K
β
=-=-?=-
1
//150//2.5 2.46
i be
R R r K K K
===Ω
V V O
2//150//5 4.84o C R R R K K K ===Ω
③画出混合π等效电路，求上限载止频率f H ：
99
100,432.3T b e
f MHz gm ms r K
β
'==
=
= 且 6
4.368.52 6.2810010
T gm ms
G pF f ππ∴=
==?? (1)68(143150//5//10)578L C C gmR C pF K K K pF pF π
μπ''=++=++??=
1//() 2.3//(0.2150) 2.3T b e bb R r r R K K K K ''=+=+= 41211
8.775102 6.28 2.3860.51087.75H T f Hz R C K KHz
ππ-∴=
==?'???=
④若C 2断开，对Q 点无影响，但R 1、R 2构成电压并联负反馈则V A ↓、i R ↓、0R ↓
3、解：由电路看，A 为同相比例放大电路，后级为OCL 功率放大电路，则
①22
max
()(121)7.56228CC CES o L V V V P W R --===?Ω
②0010011
(1)110(1)162F V i i V V V R A V V V R K
K
=
=?=+?=+
?=
③D 1、D 2的作用是消除交越失真
V O -
4、答：电路中A 1为方波发生器电路，后级A 2为反相积分电路，这一电路的功能是作波形产生与变换，可以将方波变换为三角波。
其中V 01、V 02的波形如下：
5、解：① 当S 断开时，反馈不存在，电路为一差放和一反相放大器的级联
其中：11111002//2202220.5
L V b be R K K
A R r K β'-?=?=-?=-++
21
1052f V R K
A R K
=-
=-
=- 0
12100V V V i
V A A A V ∴=
=?= ②当S 闭合时，R f 起电压串联负反馈作用，在温度负反馈条件下：
1
Vf f
A R = 2221
2211b f b f R K R R R K =
==+
1
11V f
A R ∴=
=
《模拟电子技术基础（二）》期末试题〔A〕
一、单项选择题（24分,每空1.5分）
（请选择下列各题中的正确答案并将代表该正确答案的英文字母填入方框内）
1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的。[ ]
A 多数载流子浓度增大
B 少数载流子浓度增大
C 多数载流子浓度减小
D 少数载流子浓度减小
2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为。［］
A +5v和-5v
B -5v和+4v
C +4v和-0.7v
D +0.7v和-4v
⒊根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B = -6.3v，V E = -7v，V C = -4v，可以判定此晶体管是管，处于。［］
A NPN管，饱和区
B PNP管，放大区
C PNP管，截止区
D NPN管，放大区
⒋场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的。 [ ]
A 非饱和区
B 饱和区
C 截止区
D 击穿区
⒌在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是：。 [ ]
A 共发射极电路的A V最大、R I最小、R O最小
B 共集电极电路的A V最小、R I最大、R O最小
C 共基极电路的A V最小、R I最小、R O最大
D 共发射极电路的A V最小、R I最大、R O最大
⒍直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是。 [ ]
A 电阻阻值有误差
B 晶体管参数的分散性
C 晶体管参数受温度影响
D 受输入信号变化的影响
7．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是，而提高共模抑制比. [ ]
A 抑制共模信号；
B 抑制差模信号；
C 放大共模信号；
D 既抑制共模信号又抑制差模信号；
8．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使。 [ ]
A 电压放大倍数高
B 输出电流小
C 输出电阻增大
D 带负载能力强
9．集成运放电路的实质是一个的多级放大电路。 [ ]
A阻容耦合式 B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有
10．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是。 [ ]
A 耦合电容和旁路电容的影响
B 晶体管极间电容和分布电容的影响
C 晶体管的非线性特性
D 放大电路的静态工作点设置不合适
11．在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的是负反馈。 [ ]
A电路稳定性变差 B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小
12、共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其的特点以获得较高增益。［］
A 直流电阻大、交流电阻小
B 直流电阻小、交流电阻大
C 直流电阻和交流电阻都小
D 直流电阻大和交流电阻都大
13、在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数必须满足
A A V = 1
B A V = 3
C A V＜ 3
D A V＞3
14、迟滞比较器有2个门限电压，因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，其输出状态将
发生次跃变。［］
A 1
B 2
C 3
D 0
15．当我们想要放大频率为10kHz以上的信号时，应采用滤波器。 [ ]
A 低通
B 高通
C 带阻
D 带通
16.串联型稳压电源正常工作的条件是：其调整管必须工作于放大状态，即必须满足。
［］
A V I = V O + V CES
B V I＜ V O + V CES
C V I≠ V O + V CES
D V I＞ V O + V CES
二、判断题：（共18分）
1．（6分）组合电路如图2-1所示：
判断图中电路的各晶体管T1、T2、T3分别构成何种组态的电路？
2．（12分）请判断如图2-2电路中：
（1）是否存在反馈？
（2）若有，请判断有几条反馈通路？
（3）分别是什么反馈类型？对电路有什么影响？
图2-1 图2-2
三、综合题（58分）
1、（12分）单级放大电路如图3-1：在输入信号的中频段C1、C
2、C足够大且对交流短路，试求：
（1）该放大电路的I BQ，I CQ，V CEQ的表达式；
（2）画出该放大电路的交流小信号等效电路，并推导出A V、R I、R O的的表达式；
（3）该电路为何能稳定工作点？若要提高电压增益，可采取哪些措施？
2.（8分）组合电路如图3-2，已知：V CC = 9V，晶体管的V CES1 = V CES2 = 1V，R L = 8Ω，
（1） T1、T2构成什么电路？
（2） D1、D2起何作用？
（3）若输入电压
U I足够大，求电路最大
P= ？
输出功率
OMAX
图
3.（10分）图3-3中的各运放为理想运放,已知：V D = 0.7v ，Vom = ±15v ；
(1) 试定性画出V O 随V I 变化的传输特性图。
(2) 试分别写出当V I ＞0和V I ＜0时，电路的V O 与V I 的关系式。
图3-3
4. （16分）组合电路如图所示，集成运放是理想的，请做如下分析：
（1） T1和T2，T3和T4各构成什么电路？理想运放A 又构成什么电路？ （2） 试计算I O ，U C2Q （A 点对地的直流电压）的数值，
设U BEQ = 0.7v ，U CC = 12v ， R 2 = 2K Ω。
（3） 写出整个电路的电压增益A U = U O /U I 的表达式
（4） 为进一步提高输出电压的稳定性，增大输入电阻，试正确引入合理的负反馈类型（请在电路中画出反馈通路）；
（5） 估算电路在引入合理的反馈（假设为深度负反馈）后的闭环增益 A UF = ？（推导表达式）
图3-4
5.（12分）电路如图3-5所示：各运放为理想运放，D Z1，D Z2的稳压值均为
V Z =±6V ，开关S 1和S 2在t = 0以前均掷于①，此时U O = -6V 。
（1） 在t = 0时刻将开关S 1和S 2改掷于②之后，判断A1、A2各是什么单元电路，
（2） 在t = 0时刻将开关S 1和S 2改掷于②之后，试问经过多少时间便由原来的－6V 跳变为＋6V ？并定
性地作出U O1，U O 处的波形。
T 1 T 2 T 4 T 3
图3-5
《模拟电子技术基础（二）》期末试题〔A 〕
参考答案
一、单项选择题
1、（B ）
2、（D ）
3、（B ）
4、（B ）
5、（B ）
6、（C ）
7、（A ）
8、（D ）
9、（B ）
10、（B ） 11、（D ） 12、（B ） 13、（D ） 14、（A ）
15、（B ）
16、（D ） 二、判断题
1、答：1T 管构成共基极放大电路； 2T 管构成共发射极放大电路； 3T 管构成共集电极放大电路。
2、答：① 存在反馈。
② 有两条级间反馈，分别是3R 、7R 、2C 支路和2R 、4R 支路；
有三条本级反馈，分别是2R 、6R 、9R 支路。 ③ 各反馈支路的类型及对电路的影响如下：
3R 、7R 、2C 构成电压并联负反馈，是直流反馈，因此可以稳定直流静态工作点。 4R 、2R 是构成交直流的电流串联负反馈，因此可以稳定输出电流，增大输入电阻，增大输出电阻，减小电压增益，扩展电路的通频带，减小非线性矢真等。
2R 、6R 、9R 分别为各级的本级直流电流串联负反馈，可以稳定各级直流输出电流，抑制各级本身的温度漂移。 三、综合题
1、解：① 画出直流通路如下图，求解各Q 点参数：
2
12
BQ CC R V V R R =
?+
()()55
345
1BQ BEQ
EQ CQ
BQ BEQ
BQ CEQ CC CQ EQ V V I Z R V V I R V V I R R I R β-=≈-=
+=-+-
② 画出交流小信号等效电路如图：
()()()'4
5
12504
11////1T be bb EQ
v be i be V r r I R A r R R R R r R R R ββββ=++=-
++=++????=
③ 由于该电路具有分压式偏置电路，BQ V 固定不变，静态工作点就基本稳定,同时射极电阻5R 引入直流电流负反馈作用，
可以自动跟踪CQ I 的变化，使晶体管的Q 点受温度的影响减小，V CC
+V 0
-
-+
从而进一步稳定了工作点。
若要提高输出电压增益，可以采取以下措施： a 、 用有源负载电阻代替3R 、4R 支路； b 、更换β值更高的晶体管；
c 、 在发射极电阻5R 旁加一旁路电容E C ，以减小交流发射极电阻，进一步提高交流电压增益。
2、解：（1）1T 、2T 构成互补对称输出级电路；
（2）1D 、2D 的作用是为1T 、2T 提供预偏置，使1T 、2T 微导通而达到消除交越失真的目的；
（3）当输入电压足够大时，电路的最大不矢真输出功率为：
()()2
2
max
914228
CC
CES o L
V V P w R --==
=?
3、解：（1）当i V ＞0时，0102,i om V V V V ==-
此时D 截止而断开，R 支路无电流，则0i V V =；
（2）当i V ＜0时，0102,i om V V V V ==+ 此时D 导通，2A 构成反相比例运算电路，有：
03i i R
V V V V R
+==-
=- 所以，从上述两方面的分析，再考虑到运放的饱和值15V ±，可以画出0V 随i V 变化的传输特性图为：
（3）O V 与i V 的关系式为：
0i V V =000,i i
i i
V V V V V >=??
<=-?0当时,V 当时 4、 解：
（1）1T 、2T 构成差分放大电路；3T 、4T 构成比例式镜像电流源电路；同时作为差放的长尾，理想运放A 构成同相比例运算电路。 （2）()40350120.7112 4.61R V R K I i mA R K K K
---=
=?≈+ V K mA V R I U R I U U CC Q C CC Q c 1125.0122
20
222=Ω?-=-
=-= （3）整个电路的电压增益为：020
2
od U i i od U U U A U U U =
=?
其中
()()()()26262211////1
211od od i i be be R R R R U V V U R r r R r r βββαβ=??=?++++++????
又6
262
od R U U R R +=
?+
且8
8627762(1)1o od R R R U V U R R R R +????=+
=+? ? ?+????
()8626
7621//112(1)U be R R R R A R R R R r r ββ??????∴=++?
? ???++++??????
（4）为进一步提高输出电压的稳定性，增大输入电阻，现引入电压串联负反馈f R ，反馈通路如下图红色支路所示：
（5）设f R 引入深度电压串联负反馈，则采用分离法：
R f
10
11
1
1f vf f
f vf vf V R R V R R R A R R =
=
+∴=
=+
5、 解：
（1）当t = 0时刻，开关1S 、2S 改掷于②后，
A 1构成反相积分运算电路；A 2构成反相滞回电压比较器。
（2）当t = 0时刻，2S 掷于 ① 则()()01000C V V ==，此时1S 、2S 改掷②后，运放A 1进
行积分运算，有： 0136
011
1100101010t U vdt t t RC -=-
=-?=-????， 同时，A 2的反相端电位V -随积分运算反向增长直到：()10
622010
V V V V -+==-
?-=-+时，A 2输出电压U 0从-6V 跳变为+6V ，因此积分所需的时间由012U t V =-=-得：t = 2S
显然，当t = 0时刻，S 1、S 2改掷②后，经过2秒时间，电路的输出从-6V 变为+6V 。 （3）在2秒内电路U 01、U 02的输出波形为：
t
t
01
A2的传输特性为：
模电期末考试题
《模拟电子技术》 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。（10分） 1只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。 （×）2引入直流负反馈可以稳定静态工作点。 （√）3负反馈越深，电路的性能越稳定。 （×）4零点漂移就是静态工作点的漂移。 （√）5放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。 （√）6镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 （√）7半导体中的空穴带正电。 （√）8 P型半导体带正电，N型半导体带负电。 （×）9实现运算电路不一定非引入负反馈。 （×）10凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。 （×）二、选择填空（10分） （1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A ；为了展宽频带，应在放大电路中引入 D 。 （A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中， C 。 （A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00 （3）集成运放的互补输出级采用 B 。 （A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。
（A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β （5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是 B ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 C 。 （A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C B u B B u E。 （A）> （B）< （C）= （D）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 A 。 （A）大（B）小（C）相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。解：二极管D截止，u0=-6V 四、（10分）在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。 管号T1 T2T3 管 号 T1T2T3 管脚电位（V）①0.7 6.2 3 电 极 名 称 ① ②0 6 10 ② ③ 5 3 3.7 ③ 材料类型 五、（10分）在图示电路中，已知晶体管静态时U BEQ=0.7V，电流放大系数为β=80，r be=1.2 kΩ，R B=500 kΩ，R C=R L=5 kΩ，V CC=12V。
模拟电子线路期末试题及其答案(两套)
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区
3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10 [ ] A 、
模电考试试题
模电考试试题 Revised by Jack on December 14,2020
选择 1、半导体二极管加正向电压时，有（A） A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、三极管工作于放大状态的条件是(A ) A.发射结正偏,集电结反偏 B.发射结正偏,集电结正偏 C.发射结反偏,集电结正偏 D.发射结反偏,集电结反偏 3、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（B） A、输入电阻大 B、输入电阻小 C、输出电阻大 D、输出电阻小 4、共模抑制比KCMR越大，表明电路（C） A、放大倍数越稳定 B、交流放大倍数越大 C、抑制温漂能力越强 D、输入信号中的差模成分越大 5、某传感器产生的电压信号(几乎不能提供电流)，经过放大后希望输出电压与信号成正比，此放大电路应选（A） A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 填空 1、N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。 2、集成运算放大器采用直接耦合方式放大，理想条件Rid为无穷大，R0为0
5、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用共射组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用共集组态。 6、电流源电路特点，直流等效电阻小，交流等效电阻大 7、直流稳压电源一般由电源变压器、滤波电路、整流电路和稳压电路组成 计算 1、放大电路如图1所示,若VCC=12V，Rc=Ω，Rb=400kΩ，Re1=100Ω， Re2=2kΩ，RL=kΩ，=50, r bb=300欧 (1)、求静态工作点； (2)画出其h参数小信号等效电路； (3)、求Av、Ri和Ro。 解（1） I BQ== I CQ=βI BQ= VCEQ=VCC－ICQ(RC＋Re1＋Re2)= （2）画出简化h参数等效电路如图 (3)、rbe=[300+(1+β) ]=
模拟电子线路习题习题答案(DOC)
第一章 1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =?214 10cm 3 -。 （1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =?31410cm 3 -，重复（1）。 （3）若D N =A N =1510cm 3 -,，重复（1）。 （4）若D N =16 10cm 3 -，A N =14 10cm 3 -，重复（1）。 解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =?5.110 10 cm 3 -，施主杂质 D N =?21410cm 3->> i n =?5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为 0n ≈D N =?214 10cm 3 - 少子空穴浓度 0p =0 2 n n i =?125.16 10cm 3- 该半导体为N 型。 （2）因为D A N N -=14101?cm 3 ->>i n ，所以多子空穴浓度 0p ≈14 101?cm 3 - 少子电子浓度 0n =0 2 p n i =?25.26 10cm 3- 该半导体为P 型。 （3）因为A N =D N ,所以 0p = 0n = i n =?5.11010cm 3 - 该半导体为本征半导体。 （4）因为A D N N -=10-16 1014 =99?1014 （cm 3 -）>>i n ，所以，多子自由电子浓度 0n =?9914 10 cm 3- 空穴浓度 0p =0 2 n n i =14 2101099)105.1(??=2.27?104（cm 3 -）
该导体为N 型。 1.3 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。 （1） 试求流过二极管的直流电流。 （2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？ 解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I = A 1007 .06-=53mA (2) D R =A V 3 10537.0-?=13.2Ω D r =D T I U =A V 3310531026--??=0.49Ω 1.4二极管电路如题图1.4所示。 （1）设二极管为理想二极管，试问流过负载L R 的电流为多少？ （2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压7.0)(=on D U V ，试问流过负载L R 的电流是多少？ （3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压7.0)(=on D U V ，()Ω=20on D r ，试问流过负载的电流是多少？ （4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？ （5）增加电源电压E ，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？ 解：（1）100== L R E I mA D 题图1.4 10V + E R L 100Ω + 6V D R 100Ω 图1.3
模电复习题和答案
《模拟电子技术实践》课程 习题答案 一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出，所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，在数字电路中三极管作为开关使用时，它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中，当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E，V C=8V，V B=3.7V，则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域，三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是 电压控制型器件，三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置；三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为0.1-0.2 V；硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大，共模抑制比K CMR为无穷大，差模 输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ，单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ；整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V；LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%，理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流，则可采用B；如希望负载变化时输出电流稳定，应 引入D；如希望动态输出电阻要小，应引入A；（A 电压负反馈；B 并联负反馈；C 串联负反馈；D电流负反馈）。 18、在图示电路中，已知开环电压放大倍数Au=10000，若需要Auf =100，则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、 变压器耦合、直接耦合；集成运算放大器是一种直接 耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比，电压放大倍数较大；通频带较窄； 21、能使输入电阻提高的负反馈是C；能使输入电阻降低的负反馈是D； 能使输出电阻提高的负反馈是B；能使输出电阻降低的负反馈是A； （A 电压负反馈；B 电流负反馈：C 串联负反馈：D 并联负反馈）22、电压串联负反馈能稳定输出A ，并能使输入电阻D；
大工《模拟电子线路》课程考试试卷A
大连理工大学网络教育学院 2014年3月份《模拟电子线路》课程考试 试卷 考试形式：开卷试卷类型：（A ） ☆ 注意事项： 1、本考卷满分共：100分；考试时间：90分钟。 2、所有客观题必须答到题目下方表格处。 1、某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管工作在（）。 A ．饱和状态B ．截止状态 C ．放大状态D ．击穿状态 2、引起共射极放大电路输出波形出现截止失真的主要原因是（）。 A ．输入电阻太小B ．静态工作点偏低 C ．静态工作点偏高D ．输出电阻太小 3、三级放大电路中A v1=A v2=A v3=20dB ，则电路总的电压增益为（）dB 。 A ．20B ．40 C ．60D ．1000 4、结型场效应管利用栅-源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。 A ．反偏电压B ．正偏电压 C ．反向电流 D ．正向电流 5、集成运放中，由于温度变化引起的零输入对应非零输出的现象称为（）。 A ．交越失真B ．零点漂移 C ．失调 D ．饱和失真 6、通用型集成运放的输入级大多采用（）。 A ．共射极放大电路B ．差分放大电路 C ．射极输出器D ．互补推挽电路 7、与甲类功率放大器相比较，乙类互补推挽功放的主要优点是（）。 A ．无输出变压器B ．无输出端大电容 C ．无交越失真D ．能量转换效率高 8、为实现稳定输出电压，应在放大电路中引入（）。 A ．串联负反馈B ．并联负反馈 C ．电压负反馈D ．电流负反馈 9、整流的目的是（）。 A ．将交流变为直流 B ．将高频变为低频 C ．将正弦波变为方波 D ．将方波变为正弦波 10、某简单稳压电路要求稳定电压为8V ，而仅有一只7.3V 硅稳压管VD Z ，一只二极管（硅管）VD ，可采用VD Z 与VD 串联接入电路，则采用（）电路。 A ．VD 正偏，VD Z 反偏B ．VD 反偏，VD Z 反偏 C ．VD 正偏，VD Z 正偏D ．VD 反偏，VD Z 正偏 二、填空题（本大题共10个空，每空2分，共20分） 1、BJT 处于放大状态的条件是发射结，集电结。 2、当温度升高时，三极管的下列参数变化趋势为：电流放大系数β，反向饱和电流I CBO ， I B 不变时，发射结正向电压V BE 。 3、集成运算放大器工作在比例运算放大时处于区；作为比较器工作时处于 区。 4、放大电路中为了减小输出电阻应引入负反馈，为了提高输入电阻应引入 负反馈。 NO.069A
模电试题及答案1-2
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于 3、本征半导体温度升高以后， C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.PNP 硅管 C.NPN 锗管 D.PNP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化 C.保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。 A.限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形，二者相位 A 。A.相同 B.相反 C.相差90° D.相差270° 16、NPN 管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除，这种失真一定是 B 失真。A.饱和 B.截止 C.双向 D.相位 17、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，I B =20μA ，I C =1mA 。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则I B 和I C 分别是 A 。 A. 10μA ，1mA B. 20μA ，2mA C. 30μA ，3mA D. 40μA ， 4mA ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
模电模拟试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic = 90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k Ω，R B1 120k Ω， R B2 39k Ω，R C 3.9k Ω，R E 2.1k Ω，R L 3.9k Ω，r bb’ Ω，电流放大系数β 50，电路 中电容容量足够大，要求： 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图
模电试题及答案
试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。
模电期末考试题及答案
(10 一、判断下列说法是否正确，用“X”或 分) 1 《模拟电子技术》 “2”表示判断结果。 只要满足相位平衡 电路就 会产生正 波振荡。 ) 2 引’ 入 直 流负反馈 可 以 稳 定静态工 ( 作点 V 。 ) 3 负 反 馈 越深， 电 路 的 性能越 稳定 。 ( X ) 4 >-l-A 零 点 漂 移就是 静 态 工 作点的 漂移 。 ( V ) 5 放大 电路采用复合管是为了 增大放大倍数和输入电阻 。 ( V ) 6 镜像 电 流： 源电路中两 只晶 体 管 的特性应完 全相同 。 ( V ) 7 半 导 体 中 的 空 穴 带 正 电 。 ( V ) 8 P 型 半 导体带正 电， N 型半导体带负电 。 ( X ) 9 实 现 运 算电路： 不一 定 非引入负 反馈 。 ( X ) 10 凡是引 入 正反馈的集 成运 放， 」定工作在非 线性区 。 ( X ) ( X (10 分) 二、选择填空 (1) 为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 为了展宽频带，应在放大电路中引入 ________ (A )电流负反馈(B )电压负反馈(C )直流负反馈 (D )交流负反馈 (2) 在桥式(文氏桥)RC 正弦波振荡电路中， C _______________ 。 (A ) ?A =-180 0，杆=+180 0 (B )杯=+180 0，?F =+180 0 (C )杯=00, ?F =0 0 (3) 集成运放的互补输出级采用 (A )共基接法 (B )共集接法(C )共射接法(D )差分接法 (4) 两 个B 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B
模电考试题及答案
第一章 自测题 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -==， /28.6BS CS I I A βμ== ∴ 45.5BB BE b BS V U R k I -==Ω 习题 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。 1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。 图P1.9 解:如解图1.9。
解图1.9 1.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时0.7BE U V =，β=50。试分析BB V 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压O u 的值。 解： (1)当0BB V =时，T 截止，12O u V =。 (2)当1BB V V =时，因为 60BB BEQ BQ b V U I A R μ-= = 3CQ BQ I I mA β== 9O CC CQ c u V I R V =-= 图P1.10 所以T 处于放大状态。 (3)当3BB V V =时，因为460BB BEQ BQ b V U I A R μ-= =， 2311.3CC CES CQ BQ CS c V U I I mA I mA R β-=== =， 所以T 处于饱和状态 2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、u A 、i R 和o R 。 解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、be r 均相等，它们分别为： 22CC BEQ BEQ BQ b s V U U I A R R μ-=- ≈ 1.76CQ BQ I I mA β=≈ ' 26(1) 1.3be bb EQ mV r r k I β=++≈Ω 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为：
模拟电子线路期末考试题库
《模拟电子线路》题库 一、判断题（每题2分，共20分） 1、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） 2、因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（） 3、稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。（） 4、N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（） 5、二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（） 6、未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。（） 7、运算放大电路中一般引入正反馈。（） 8、凡是运算放大电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（） 9、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（） 10、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。（） 11、晶体管的参数不随温度变化。（） 12、放大电路没有直流偏置不能正常工作。（） 13、多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。（） 14、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（） 15、放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。 （） 16、射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。（） 17、多级放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。（） 18、理想运放的共模抑制比为无穷大。（） 19、通用型集成运放的输入级采用差分放大电路，这是因为它的电压放大倍数大。 （） 20、在集成电路中各级电路间采用直接耦合方式。（） 21、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（） 22、负反馈放大电路可能产生自激振荡。（） 23、电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。（） 24、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（） 25、要稳定放大电路静态工作点，可以引入交流负反馈。（） 26、在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的管耗功率就越大。（） 27、通常采用图解法分析功率放大电路。（） 28、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。（） 29、整流电路可将正弦电压变为单方向的脉动电压。（） 30、直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。（） 二、填空题（每空1分，请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均不得分。共20分。） 1、稳压管稳压时是让其工作在状态，其两端电压基本维持。 2、为使运放电路稳定地工作在，应在电路中引入深度反馈。 3、工作在线性区的理想运算放大器，两个输入端的输入电流均约等于，称为虚。 4、某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为-10V，-6V，-6.2V，则这
模电试题(题库)
模电试题库 一、填空题。 1、由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、温度升高时，三极管的β将 （增加、减小、不变）。 3、要让三极管工作在放大区，发射结要求 ，集电结要 （正偏或反偏）。 4、当差分放大器两边的输入电压为1i u =7mV ，2i u =-3mV ，输入信号的差模分量为 ，共模分量 为 。 5、在放大电路中，如果要想提高输出电阻，减小输入电阻的要求，应引入 反馈。 6、直流稳压电源一般是由_________、、________、_________四部分组成。 7、乙类推挽放大器，由于三极管的死区电压造成的失真现象，这种失真称为 。 8、 在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于 才能起振。 [ 9、放大器级间耦合方式有三种： 耦合； 耦合； 耦合；在集成电路中通常采用 耦合。 10、负反馈能够改善放大电路的性能，例如它可以提高增益的稳定性， ， ， 等。 11、场效应管属于_______________控制器件，而三极管属于_____________控制器件。（电压或电流） 12、差放电路中，公共发射极电阻Re 对于共模信号而言，相当于每个差放管的发射极接入________ _____的电阻，对于差模信号而言，Re 相当于为__________ ______。 13、负反馈能使放大器许多性能获得改善，如_______________、__________________、 __________________、__________________。但是性能的改善是以牺牲______________________为代价的 14、振荡电路的振幅平衡条件是：__________________________,相位平衡条件是： ___________________________. 15、为使双极型半导体三极管工作在放大状态，必须满足的外部条件是_________________ _________ ___________, （ 16．为简化分析过程，在应用集成运放时总假定它是理想的，理想运放具有以下特点：开环差模增益A d =___________，开环输入电阻R i =_____________, 开环输出电阻R o =_______________。 17、某双极型半导体三极管其三个电极流过的电流如图所示：分别为：①、②、③10mA ，则该三极管为________ 型，三个电极分别为：①___e _____ ②____b ___ ___③__c ______ 。 18．三极管各电极的电流分配关系为_e=b+c _。 19．晶体管的输出特性是指当三极管基极电流I B 一定时，___________与_____________之间的关系。 20．晶体管输出特性有三个区域： 、 和 。晶体管工作在 时，相当于闭合的开关；工作在 时，相当于断开的开关。 21．三极管图形符号中的发射极的箭头表示三极管的________________方向。 22．在放大电路中，为了稳定静态工作点，宜引入__________反馈；要展宽频、稳定增益，宜引入____________反馈；为了提高输入阻抗，宜引入___________反馈。
模电周考试题(二)讲课稿
模电周考试题(二)
模电周考试题（二） 一、填空题 1、当半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。 2、根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。 3、三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。 4、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。 5、为了使放大电路输出波形不失真,除需设置 外,还需输入信号。 6、为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。对NPN 管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生 失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。 7、共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。 8、三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制 电流的较大变化。 9、共射组态既有放大作用，又有放大作用。 10、共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端， 极为输出端。
11、某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。可判定该三极管是工作于区的型的三极管。 12、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①2.8V， ②2.1 V，③5V，试判断： a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b，c）； b．管型是（NPN，PNP）； c．材料是（硅，锗）。 13、晶体三极管实现电流放大作用的外部条件 是，电流分配关系是。 14、温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致I C，静态工作点。 15、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加 而，发射结的导通压降V BE则随温度的增加而。 16、画放大器交流通路时，和应作短路处理。 17、在多级放大器里。前级是后级的，后级是前级的。 18、多级放大器中每两个单级放大器之间的连接称为耦合。常用的耦合方式有：，，。 19、输出端的零漂电压电压主要来自放大器静态电位的干扰变动，因此要抑制零漂，首先要抑制的零漂。目前抑制零漂比较有效的方法是采用。
大工《模拟电子线路》课程考试模拟试卷A
机密★启用前 大连理工大学网络教育学院 2012年9月份《模拟电子线路》课程考试 模拟试卷 考试形式：闭卷试卷类型：（A） ☆注意事项： 1、本考卷满分共：100分；考试时间：90分钟。 2、所有试题必须答到试卷答题纸上，答到试卷上无效。 3、考试结束后，考生须将试卷和试卷答题纸一并交回。 学习中心______________ 姓名____________ 学号____________ 一、单项选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 1、测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、，则该管（）。 A．处于饱和状态 B．处于放大状 态 C．处于截止状态 D．已损坏 2、结型场效应管利用栅-源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。 A．反偏电压B．正偏电压C．反向电流D．正向电流3、多级直接耦合放大器中，零点漂移最大的一级是（）。 A．输入级B．中间级C．输出级 D．增益最高的 一级 4、通用型集成运放的输入级大多采用（）。 A．共射极放大电路B．差分放大电路 C．射极输出器 D．互补推挽电路 5、设计一个输出功率为20W的扩音机电路，若用乙类OCL互补对称功放电路，则应选P CM至少为（）的功率管两个。 A．2W B．4W C．10W D．20W 6、为实现稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。
A．串联负反馈B．并联负反馈C．电压负反馈D．电流负反馈7、串联反馈式稳压电路的调整管工作在（）状态。 A．线性放大B．饱和C．截止D．击穿 8、引起共射极放大电路输出波形出现截止失真的主要原因是（）。 A. 输入电阻太小C. 静态工作点偏高 B. 静态工作点偏低D. 输出电阻太小 9、在正弦波振荡电路中，能产生振荡的相位条件是（）。 A. A F πn ?? += C. A F 2πn ?? +=B. A F (1)π n ?? +=+ D. A F (21)π n ?? +=+ 10、整流的目的是（）。 A．将交流变为直流C．将正弦波变为方波B．将高频变为低频D．将方波变为正弦波 二、判断题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） （下列说法是否正确，正确划√，错误划×。） 1、二极管的反向电流值愈小，管子的单向导电性愈差。（） 2、射极输出器无放大功率的能力。（） 3、零偏压电路适用于所有的场效应管放大电路。（） 4、反相比例运算电路中，运放的反相输入端为虚地点。（） 5、直流稳压电源中的滤波电路应选用低通滤波器。（） 三、填空题（本大题共20小空，每小空1分，共20分） 1、在单极放大电路中，若输入电压为正弦波形，则当放大电路分别为共射、共集、共基电路时，输入输出电压的相位关系依次为、、。 2、当温度升高时，三极管的下列参数变化趋势为：电流放大系数β，反向饱和电流 I CBO，I B不变时，发射结正向电压V BE。 3、差分放大电路有种输入-输出连接方式，其差模电压增益与方式有关，与方式无关。 4、典型串联型稳压电路由、、误差放大器和四部分组成。 5、二极管两端加正向电压时，加反向电压时。
模电试题及答案
模电试题及答案 《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的D 价元素，形成N型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 2、在P型半导体中，自由电子浓度C 空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 3、本征半导体温度升高以后，C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由C 构成的。 A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子
5、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μ
A时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为C 。 A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 10、晶体管是A 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为D ；图2为A 。[基极电位总是处于中间] 硅管硅管锗管锗管 12、场效应管是D 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压
模拟电子线路期末试题及其答案两套
模拟电子线路期末试题 及其答案两套 Document number【SA80SAB-SAA9SYT-SAATC-SA6UT-SA18】
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 倍 B 倍 C 倍 D 倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小