关于乱砍滥伐现象的调研报告

遏制乱砍滥伐现象势在必行

----关于社迳乡当迳村乱砍滥伐现象的调研报告

最近一个月，我们下到社迳乡当迳村周屋洞、岭足下、江底下等村民小组开展入户听诉活动，村民向我们反映比较多的一个问题：是农村现在乱砍滥伐乱收购木材的现象比较严重，为此我们对这个问题进行了调研。

一、各村民小组普遍存在着乱砍滥伐的现象

周屋洞、岭足下、江底下三个村民小组共有农户一百二十多户，三个村小组都离村委会不远，离有木材的林地也比较近，小型农用车进出很方便，这几个村小组的农户除了种植水稻和少量经济作物外，很少其他农业经营项目，家庭经济收入以外出务工（主要到广东省）为主，人平年纯收入不到三千元。这几个村小组户平自留山约52亩，山上大部分是自生自长的杉树、松树和其它杂树。在我们下到村里的这段时间，看到许多农户家的房前屋后零乱地堆放着一些裁好的二米长的杉木，直径大部分在8公分至14公分，少的三、四根，多的二、三十根。在天气好的时候我们在村里都能碰上有农户背着（有的用板车）裁好的杉木从山上回家。江底下一位姓黄的村民说：村民上山砍杉木，少量自己用，大部分是卖给木材收购人，每立方米杉木收购价是800元，一根二米长，直径10公分的杉木可以卖到12元。因为有利可图，在冬季农闲时，不少青壮年都喜欢上山砍杉木，不仅砍自家的，还偷砍他人的，一天可以砍七、八根，甚至十几根。在

驻村这段时间，我们经常看到装有木材的机动车辆在乡村道路上行驶，大部分没有办理木材运输手续，属于乱砍滥伐而来的木材。

二、乱砍滥伐造成的危害和不良后果。

今年元月十四日县长助理黄严生在当迳村举行的“三送”活动点评会上，村里的老党员黄金权动情地说：“村里乱砍滥伐的现象十分严重，6公分的小杉树也砍，看到十分心痛，这种现象严重破坏了生态平衡和森林资源”。

我们认为乱砍滥伐这股歪风不及时遏制，将会造成以下危害和不良后果。

（一）将严重挫伤广大村民植树造林的积极性。

（二）现有的各种树木，包括正在生长期的木材，特别是离村庄近的杉树、松树等将会遭到大面积的砍伐和破坏。

（三）严重破坏森林资源，破坏生态平衡，造成水土流失。

（四）如不及时制止，林权改革给农户带来的权益将受到严重损害，政府在农村的各项林业政策，将无法得到贯彻落实。

（五）因自家自留山的树林被他人丛砍，有的村民很气愤，想阻止，容易引发吵口打架等不稳定因素。

三、出现以上问题的原因分析

（一）有关部门、有关责任人对这种现象视而不见，见而不管，让村民产生误解，认为村里的山分给了私人，砍自家的木头不犯法，办不办手续无所谓。

（二）我不砍，别人照样砍，自家有就砍自家的，没有就砍别人家的，先砍为赢，不砍吃亏，先下手为强，农户的这种思想助长了乱砍滥伐现象的漫延。

（三）砍木头卖比做其它事更挣钱，更自由，不受时间限制，一天挣六、七十元很容易，挣上百元也不难。

（四）木头砍回家后，放不坏，早晚有人收购，乱收购，是导致村民乱砍滥伐的主要原因。

四、遏制乱砍滥伐乱收购的措施。

（一）做好宣传工作，按照有关法律法规从严从快打击无证收购木材的行为，可采取拦、截、堵、查等方式进行。

（二）组织人员到山上和各村庄进行清查，发现未办手续的，一律给予没收，严重的要罚款。

（三）设立举报有奖制度，发动广大村民互相监督举报，特别是对那些无证收购木材的行为要严加惩处。

据我们了解，乡村乱砍滥伐乱收购木材的现象在社迳存在，在其他乡镇也严重存在，特别是那些偏远的乡村比较严重，希望这个问题引起有关部门的高度重视。

驻社迳乡当迳村“三送”活动

工作组：全南县城管局

执笔人：赵静

2011年元月24日

范德堡测试方法与变温霍尔效应

范德堡测试方法与变温霍尔效应 摘要：本实验采用范德堡测试方法，测量样品霍耳系数及电导率随温度的变化，可以确定一些主要特性参数——禁带宽度，杂质电离能，电导率，载流子浓度，材料的纯度及迁移率，从而进一步探讨导电类型，导电机理及散射机制。 关键词：霍尔效应、范德堡测试法、霍尔系数、电导率 引言：对通电导体或半导体施加一与电流方向相垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上有一横向电位差出现，此即为霍耳效应。利用霍尔效应测量霍耳系数及电导率是分析半导体纯度以及杂质种类的一种有力手段，也可用于研究半导体材料电输运特征，是半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试方法。 一、原理部分： （一）、半导体内的载流子 根据半导体导电理论，半导体内载流子的产生有两种不同的机制：本征激发和杂质电离。 1、本征激发 在一定的温度下，由于原子的热运动，价键中的电子获得足够的能量，摆脱共价键的束缚，成为可以自由运动的电子。这时在原来的共价键上就留下了一个电子空位，邻键上的电子随时可以跳过来填充这个空位，从而使空位转移到邻键上去，因此空位也是可以移动的。 这种可以自由移动的空位被称为空穴。半导体不 仅靠自由电子导电，而且也靠这种空穴导电。半 导体有两种载流子，即电子和空穴。 从能带来看，构成共价键的电子也就是填充 价带的电子，电子摆脱共价键而形成一对电子和 空穴的过程，就是一个电子从价带到导带的量子 跃迁过程，如图1 所示。 纯净的半导体中费米能级位置和载流子浓 度只是由材料本身的本征性质决定的，这种半导 体称本征半导体。本征半导体中，在电子—空穴 对的产生过程中，每产生一个电子，同时也产生 一个空穴，所以，电子和空穴浓度保持相等， n表示，称为本征载流图1 本征激发示意图 这个共同的浓度用 i 子浓度。这种由半导体本身提供，不受外来掺杂影响的载流子产生过程通常叫做本征激发。 2.、杂质电离 绝大部分的重要半导体材料都含有一定量的浅杂质，它们在常温下的导电性能，主要由浅杂质决定。浅杂质分为两种类型，一种是能够接收价带中激发的电子变为负离子，称为受主杂质。由受主杂质电离提供空穴导电的半导体叫做P 型半导体如图2（a）所示。还有一种可以向半导体提供一个自由电子而本身成为正离子，称为施主杂质。这种由施主杂质电离提供电子导电的半导体叫做n 型半导体，如图2（b）所示。

变温霍尔效应实验报告

变温霍尔效应 摘要：本实验利用范德堡法测量变温霍尔效应，在80K-300K的温度范围内测量了碲镉汞单晶霍尔电压随温度变化，而后对数据进行了分析，做出图，找出了不同温度范围的图像变化特点，分析结果从而研究了碲镉汞的结构特点和导电机制。 关键词：霍尔效应半导体载流子霍尔系数 一、引言 对通电的导体或半导体施加一与电流方向垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上有益横向电位差出现，这个现象于1897年为物理学家霍尔所发现，故称为霍尔效应。霍尔系数及电导率的测量时分析半导体纯度以及杂质种类的一种有力手段，也可用于研究半导体材料电运输特征，至今仍是半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试方法。 本实验采用范德堡测试方法，测量样品的霍尔系数及电导率随温度的变化。可以确定一些主要特性参数——禁带宽度、杂质电力能、导电率、载流子浓度、材料的纯度及迁移率。 二、实验原理 1．半导体内的载流子 1.1本征激发 在一定的温度下，由于原子的热运动，半导体产生两种载流子，即电子和空穴。从能带来看，电子摆脱共价键而形成一对电子和空穴的过程就是一个电子从价带到导带的量子跃迁过程，空穴的导电性实质上反应的是价带中电子的导电作用。 图1 本征激发示意图 纯净的半导体电子和空穴浓度保持相等即，可由经典的玻尔兹曼统计得到

(1) 其中为常数，为绝对温度，为禁带宽度，为玻尔兹曼常数。作曲线，用最小二乘法可求出禁带宽度 (2) 1.2杂质电离 当半导体中掺杂有Ⅲ族元素，它们外层仅有三个价电子，就会产生一个空穴。从能带来看，就是价带中的电子激发到禁带中的杂质能级上，在价带中留下空穴参与导电，这过程称为杂质电离，产生空穴所需的能量为杂质的电力能，相应的能级称为受主能级。这种杂质称为受主杂质，所形成的半导体称为P型半导体。而掺有Ⅴ族元素的半导体则为N型半导体。 图2 （a）受主杂质电离提供空穴导电（b）施主杂质电离提供电子导电2．载流子的电导率 一般电场下半导体导电也服从欧姆定律，电流密度与电场成正比： (3) 由于半导体中可以同时有电子和空穴，电导率与导电类型和载流子浓度有关，当混合导电时 (4) 其中n、p分别代表电子和空穴的浓度，q为电子电荷，分别为电子和空穴的迁移率。半导体电导率随温度变化的规律可分为三个区域。

霍尔效应实验

霍尔效应及其应用 置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，这个现象是霍普斯金大学研究生霍尔于1879年发现的，后被称为霍尔效应。随着半导体物理学的迅速发展，霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。若能测量霍尔系数和电导率随温度变化的关系，还可以求出半导体材料的杂质电离能和材料的禁带宽度。如今，霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且随着电子技术的发展，利用该效应制成的霍尔器件，由于结构简单、频率响应宽（高达10GHz ）、寿命长、可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。在工业生产要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍尔器件，将有更广阔的应用前景。了解这一富有实用性的实验，对日后的工作将有益处。 一、实验目的 1．了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔元件对材料要求的知识。 2．学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量并绘制试样的V H －I S 和V H －I M 曲线。 3．确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。 二、实验原理 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。对于图（1）（a ）所示的N 型半导体试样，若在X 方向的电极D 、E 上通以电流Is ，在Z 方向加磁场B ，试样中载流子（电子）将受洛仑兹力 （1） 其中e 为载流子（电子）电量， 为载流子在电流方向上的平均定向漂移速率，B B v e F z V

景观园林调研报告

景观园林调研报告 姓名：王珂珂 学号：109972 班级：1B11C2 指导老师：马晓燕

1.基地背景，环境文脉； 西安地处中国，中西两大经济地域组合部，是西北各省通往西南、中原及华东的门户与交通枢纽。在全国经济总体布局上具有承东启西地位，东联西进的重要战略作用。现辖9区4县，总面积9983平方公里，人口725万人。 西安是中国古代文明的重要发源地，保留着各个历史时期的大量文化遗产，优越的地理区位和深远的历史渊源，使西安成为中国北方西部最大的商品交流中西与物资集散地。悠久的历史沉积和丰富的人文资料，使西安居中国六大古都之首，是世界四大文明古都之一，被誉为“天然历史博物馆”！ 西安不只是古老的，更是现代的;不只是一座拥有丰富历史文化积淀的古老城市，也是一座蓬勃发展、充满活力与希望的现代化城市。国际化、市场化、人文化、生态化的理念，进一步提高和丰富西安发展的境界和内涵。

曲江新区 曲江新区位于西安城区东南部，以中外的大雁塔和曲江皇家园林遗址为中心，区内历史文化积累深厚，名胜古迹众多，是自然风光，人文景观，民俗风情及现代都市文化的荟萃之地，旅游资源十分丰富。 曲江新区近期规划面积15.88平方公里，远期规划面积47平方公里，是西安城市中心区的重要组成部分，也是未来五年西安城市建设的重点区域。 曲江新区是西北唯一的旅游度假区，国家级文化产业示范基地，享受省级旅游度假区优惠政策和管理权限，

拥有完善的服务和支撑体系。 曲江寒窑 曲江寒窑遗址公园位于曲江新区东南隅，紧贴曲江池遗址公园隅，与大雁塔，大唐芙蓉园和大唐不夜城隔水相望，以在此地发生的王宝钏的爱情故事为线索， 这里遗址区蕴含着丰富的爱情文化，民俗文化和戏曲文化资源。以此为依托，将规划建设以曲江寒窑遗址为核心的中国第一个爱情为主题公园。

变温霍尔效应

学号：PB07203143 姓名：王一飞院（系）：物理系 变温霍尔效应 【实验目的】 1、通过该实验，学习利用变温霍尔效应测量半导体薄膜的多种电学性质的方法。 2、掌握霍尔系数、霍尔迁移率和电导率的测量方法，了解它们随温度的变化规律。 3、测定样品的导电类型和载流子浓度，并计算出禁带宽度和杂质电离能等。 【实验原理】 1、半导体的能带结构和载流子浓度 本征半导体中本征载流子（电子和空穴）总是成对出现的，它们的浓度相同，本征载流 子浓度仅取决于材料的性质（如材料种类和禁带宽度）及外界的温度。 若所掺杂质的价态大于基质的价态，即施主杂质，称为 n 型半导体；若所掺杂质的价态小 于基质的价态，即受主杂质，称为 p 型半导体。 当导带中的电子和价带中的空穴相遇后，电子重新填充原子中的空位，导致相应的电子 和空穴消失，这过程叫做电子和空穴的复合。在这一过程中，电子从高能态的导带回到低能态的价带，多余的能量以热辐射的形式（无辐射复合）或光辐射的形式（辐射复合）放出。 当温度在几十K左右时，只有很少受主电离，空穴浓度P远小于受主浓度，曲线基本上为 直线，由斜率可得到受主电离能Ei。 当温度升高到杂质全电离饱和区，载流子浓度与温度无关 当在本征激发的高温区，由曲线的斜率可求出禁带宽度Eg 2、电导率和迁移率 半导体中同时有两种载流子导电时，在过渡区及本征激发区电导率可写为： [p型半导体] 设p s 为杂质全部电离产生的空穴饱和浓度，p = p s + n 则 3、霍尔效应及其测量 如右图，霍尔系数 在考虑霍尔效用时，由于载流子沿y方向发生偏转，

造成在x方向定向运动的速度出现统计分布。 考虑载流子迁移率μ = v /E时，应采用速度的统计平均结果vH 稳态时，y 方向的电场力与罗伦兹力相抵消，故有 对p型半导体，当温度处在较低的杂质电离区时 在温度逐渐升高的过程中，电子由价带激发到导带的过程加剧，出现两种载流子导电机制。 温度进一步升高，更多的电子从价带激发到导带，使，故有。随后R H 将会 达到其极值R HM 。 3、范得堡法测量电阻率和霍耳效应 原理图如右图，在样品侧边制作四个电极，依次在一对相邻 的电极用来通入电流，另一对电极之间测量电位差。 电阻率 由于两霍尔电极位置不对称引起的，叫失排电压。 设B、D电极之间电压Vo，在 B、C电极间电压Ｖm，在理想范德堡样品中。电流线分布在磁场前后是不变的，因而加磁场后等位面的改变使B、D间电压改变（Vm-Vo）完全是由于霍尔效应引起的， 即电压改变量就是霍尔电压Ｖ Ｈ 。 4、霍尔效应测量中的副效应及其消除方法 在测量霍耳系数时，由于存在一系列电磁和热磁副效应，使得数字电压表测出的电位差V AB 并不 等于样品的霍耳电位差V H ，而是包括了由各种副效应引起的附加电位差与V H 之和。这些副效应主要 有以下几种。 ①由于电极A与B不能真正制作在同一等位面上，所以即使在没有加磁场B的情况下，A、B间也有一个电位差，其正负与电流I的方向有关。 ②由于载流子漂移速度有一定的分布范围，当它们在磁场作用下发生偏转时，速度快的高能粒子最早在y方向形成积累，于是在y方向两霍尔电极之间出现温度差，产生温差电压V E 。这就叫艾廷豪 森效应。不难看出，VE的极性总是与V H 一致，与B和I方向有关。 ③在沿x方向给样品加电流时，两个端电极与样品的接触电阻不同，产生的焦耳热不同，将造成沿电流方向的温差，有温度梯度就会有载流子的热扩散流。在横向磁场作用下，同样也要发生偏转，积累，产生附加的霍尔电压VN。这种效应叫能斯脱效应。VN的极性只随磁场方向改变。 ④上述热扩散速度也有个分布，从艾廷豪森效应的分析不难看出，热扩散的载流子在横向磁场作 用下向y方向积累的结果使霍尔电极间有温差电压VR。这叫里纪—勒杜克效应。V R 的极性只随磁场方向改变。

变温霍尔效应实验报告

变温霍尔效应 摘要：本实验采用范德堡测试方法，通过控温的方式测量了碲镉汞单晶样品的霍耳系数随温度的变化，得到并分析了实验与理论对比的1ln H R T ?? - ??? 曲线，还对电子迁移率与空穴迁移率的比值作了估算。 关键词：霍耳效应，霍耳系数，半导体，载流子，控温，变温测量。 1. 引言 对通电的导体或半导体施加一与电流方向垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上有一横向电位差出现，这个现象于1879年为物理学家霍尔所发现，故称为霍尔效应。在20世纪的前半个世纪，霍尔系数及电阻率的测量一直推动着固体导电理论的发展，特别是在半导体纯度以及杂质种类的一种有力手段，也可用于研究半导体材料电输运特征，至今仍然是半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试手法。在本实验中，采用范德堡测试方法，测量样品霍尔系数随温度的变化。 2. 实验原理 2.1霍尔效应 2.1.1霍尔效应 霍尔效应是一种电流磁效应，如图1所示： 图 1霍耳效应示意图 当样品通以电流I ，并加一磁场垂直于电流，则在样品的两侧产生一个霍尔电位差： H H IB U R d =， H U 与样品厚度d 成反比，与磁感应强度B 和电流I 成正比。比例系数H R 叫做霍尔系数。

霍尔电位差是洛伦兹力和电场力对载流子共同作用产生的结果【1】。 2.1.2一种载流子导电的霍尔系数 P 型半导体：1 H H p R pq μμ??= ? ??? ， N 型半导体：1 H H n R pq μμ??=- ? ?? ， 式中n 和p 分别表示电子和空穴的浓度，q 为电子电荷，n μ和p μ分别是电子和空穴的电导迁移率，H μ为霍尔迁移率，H H R μσ=（σ为电导率）【1】。 2.1.3两种载流子导电的霍尔系数 假设载流子服从经典的统计规律，在球形等能面上，只考虑晶体散射及弱磁场 （4 10B μ ，μ为迁移率，单位为()2cm V S ，B 的单位为T ）的条件下，对于电子和 空穴混合导电的半导体，可以证明： ()2 2 38H p nb R p nb π-=+（1） 其中n p b μμ=。 2.1.4P 型半导体的变温霍耳系数 P 型半导体与N 型半导体的霍耳系数随时间变化曲线对比如图2所示（见文献【1】）； 其中曲线中各区间的物理意义将在后面结合本实验得到的曲线具体分析。 图 2P 型半导体和N 型半导体的ln 1H R T -曲线 2.2实验方法 本实验采用范德堡法测量单晶样品的霍耳系数，其作用是尽可能地消除各种副效应。 考虑各种副效应，每一次测量的电压是霍耳电压与各种副效应附加电压的叠加，即

霍尔效应的应用实验报告

一、 目的： 1．霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用 2．测绘霍尔元件的V H —Is ，V H —I M 曲线，了解霍尔电势差V H 与霍尔元件工作电流Is ，磁场应强度B 及励磁电流IM 之间的关系。 3．学习利用霍尔效应测量磁感应强度B 及磁场分布。 4．学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。 二、 器材： 1、实验仪： （1）电磁铁。 （2）样品和样品架。 （3）Is 和I M 换向开关及V H 、V ó 切换开关。 2、测试仪： （1）两组恒流源。 （2）直流数字电压表。 三、 原理： 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场H E 。如图15-1所示的半导体试样，若在X 方向通以电流S I ，在Z 方向加磁场B ，则在Y 方向即试样 A-A / 电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试样的导电类型。对图所示的N 型试样，霍尔电场逆Y 方向，（b ）的P 型试样则沿Y 方向。即有 ) (P 0)() (N 0)(型型?>?

景观设计调研报告(共3篇)

景观设计调研报告（共3篇） 景观设计调研报告（共3篇） 第1篇： 景观设计调研报告景观设计调研报告姓名：专业：郑州紫荆山公园郑州紫荆山公园坐落在郑州市区的东北部，南邻金水河下游，北临金水大道，东靠城东路，位于金水路、紫荆山路、花园路、人民路四大主干道交汇处，毗邻紫荆山百货大楼，面向河南省人民大会堂，周边密集的省直机关单位和完善的城市配套，是郑州市的行政中心、商贸中心、交通中心、经济中心、文化中心。整个公园被金水河、道路自然分隔为东园、西园和南园三部分，现占地总面积为288亩，其中绿地占75.5%，水面积占 11.3%。 紫荆山公园绿化主要是以苍松翠柏做基调，各种花色的花、灌木点缀其间；乔、灌、花、草搭配栽植，构造出大面积的树林、草地园林景观，全国现有树种120个，24000余株；绿地面积15.8万平米，覆盖率达93.2%，园林建筑艺术小品和景石遍布各个主要景区，使山清水秀的公园更为活泼、幽雅。东园由绿韵景区、东湖景区和儿童乐园组成，以山水风景为主。从东大门入口处远远望去是一片翠绿丛丛的灌木，棵棵的松柏都是葱郁茂盛；西园，湖堤垂柳依依，湖中波光潋滟，主要景点有月季园、湖心

岛、钓鱼村、樱花山等，东园和南园从吊桥相通。南园主要以观赏植物为主，原先的花草苗圃区现已改建成了蔷薇园和敬林园。 现占地面积263亩，其中绿地占有75.7%，水面积占11.3%，现有在职职工150人。节假日人流量6万余人，假日高峰期可达16万人左右，广场可利用展示面积约1万平米。紫荆山公园集自然景观与人文景观于一体，山势玲珑剔透，雄浑壮观，环境幽雅，令人陶醉。 1.公园内部的空间特征园中有山有水，亭廊水榭和园林艺术小品把枝繁叶茂、花团锦簇的公园扮得更为旖旎，山顶小亭巧立，山下碧水相映。 公园的绿化主要是以苍松翠柏作基调，各种花色的花灌木点缀其间。乔、灌、花、草搭配栽植，构造出大面积的树林、草地园林景观，全国现有树种120个，24000余株；绿地面积15.8万平米，覆盖率达93.2%，从东大门入口处远远望去是一片翠绿丛丛的灌木，棵棵的松柏都是葱郁茂盛；西园，湖堤垂柳依依，湖中波光潋滟，主要景点有月季园、湖心岛、钓鱼村、樱花山等，东园和南园从吊桥相通。南园主要以观赏植物为主，原先的花草苗圃区现已改建成了蔷薇园和敬林园。也是郑州少有的立体式公园。园林建筑艺术小品和景石遍布各个主要景区，使山青水秀的公园更为活泼、幽雅。在郑州市紫荆山公园的万木之中，处处可看到圆球树冠常青灌木海桐。倒卵状椭圆形浓绿而有光泽的绿叶长满枝头，枝叶茂密。紫荆山公园里广植紫荆花，近年来为改变

【参考借鉴】小区景观设计调研报告.doc

目录 1.前言................................................................................................................. 2.调研内容........................................................................................................ 2.1久居福小区简介.................................................................................... 3.调研案例分析............................................................................................... 3.1地理位置............................................................................................... 3.2交通分析.............................................................................................. 3.3服务配套................................................................................................. 3.4景观规划布局........................................................................................... 3.5景观功能分析......................................................................................... 3.6硬质景观分析.......................................................................................... 4.优缺点分析..................................................................................................... 5.总结................................................................................................................. 前言 景观设计是城市绿化的主要组成部分，不仅可以美化环境、陶冶情操，最主要的是它还是城市可持续发展的重要标志，所以我选择的是小区景观设计案例，小区景观设计表现可以让我们更加形象具体的认识住区，对小区整体的环境条件都有一个直观的认识，了解住宅小区的现状和景观设计详情。 2.调研内容： 2.1小区简介及绿化 久居福位于成都市西南航空港片区临港路，距双楠片区、神仙树紫荆片区、政府新办公区仅约10分钟车程；区内分布四所大学及多家院校和国家级科研机构。 小区由于采用了高层建筑的形态，以创新的手法实现了用低密度高层建筑空间换取高绿化环境的生态居住概念。小区拥有500余米的江安河自然景观，并临河设置了40亩的滨河公园，以生态生活为主题的珍稀湿地景观，提供最天然的绿色纯氧空间，同时通过通透的沿河点式布局，成功的将江安河500米内的滨河景观最大限度的引入小区内部，与小区的集中绿化庭园情景交融，也为日照、通风等环境因素创造出最佳的环境。和贵久居福规划了占地面积70亩的和贵晴天公园，为业主提供、室内泳池、网球场、篮球场、健康步道等及其他体育休闲配套。建筑风格：和贵久居福住宅立面采用了现代地中海情调的主题。 3.调研案例分析 3.1地理位置

低温实验讲义_霍尔效应测量汇编

实验8—1变温霍尔效应 引言 1879年，霍尔(E.H.Hall)在研究通有电流的导体在磁场中受力的情况时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应”。在半导体材料中，霍尔效应比在金属中大几个数量级，引起人们对它的深入研究。霍尔效应的研究在半导体理论的发展中起了重要的推动作用。直到现在，霍尔效应的测量仍是研究半导体性质的重要实验方法。 利用霍尔效应，可以确定半导体的导电类型和载流子浓度，利用霍尔系数和电导率的联合测量，可以用来研究半导体的导电机构(本征导电和杂质导电)和散射机构(晶格散射和杂质散射)，进一步确定半导体的迁移率、禁带宽度、杂质电离能等基本参数。测量霍尔系数随温度的变化，可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度特性。 根据霍尔效应原理制成的霍尔器件，可用于磁场和功率测量，也可制成开关元件，在自动控制和信息处理等方面有着广泛的应用。 实验目的 1.了解半导体中霍尔效应的产生原理，霍尔系数表达式的推导及其副效应的产生和消除。 2.掌握霍尔系数和电导率的测量方法。通过测量数据处理判别样品的导电类型，计算室温 下所测半导体材料的霍尔系数、电导率、载流子浓度和霍尔迁移率。 3.掌握动态法测量霍尔系数（R H）及电导率（σ）随温度的变化，作出R H～1/T，σ～1/T曲 线,了解霍尔系数和电导率与温度的关系。 4.了解霍尔器件的应用,理解半导体的导电机制。 实验原理 1．半导体内的载流子 根据半导体导电理论,半导体内载流子的产生有两种不同的机构：本征激发和杂质电离。 （1）本征激发 半导体材料内共价键上的电子有可能受热激发后跃迁到导带上成为可迁移的电子，在原共价键上却留下一个电子缺位—空穴，这个空穴很容易受到邻键上的电子跳过来填补而转移到邻键上。因此，半导体内存在参与导电的两种载流子：电子和空穴。这种不受外来杂质的影响由半导体本身靠热激发产生电子—空穴的过程，称为本征激发。显然，导带上每产生一个电子，价带上必然留下一个空穴。因此，由本征激发的电子浓度n和空穴浓度p应相等，并统称为本征浓度n i，由经典的玻尔兹曼统计可得 n i=n=p=(N c N v)1/2exp(-E g/2k B T)=K’T3/2 exp(-E g/2k B T) 式中N c，N v分别为导带、价带有效状态密度，K’为常数，T为温度，E g为禁带宽度，k B为玻尔兹曼常数。 （2）杂质电离 在纯净的第IV族元素半导体材料中，掺入微量III或V族元素杂质，称为半导体掺杂。掺杂后的半导体在室温下的导电性能主要由浅杂质决定。 如果在硅材料中掺入微量III族元素（如硼或铝等），这些第III族原子在晶体中取代部

变温霍尔实验讲义

变温霍尔效应实验 霍尔效应的测量是研究半导体性质的重要实验方法。利用霍尔系数和电导率的联合测量，可以用来确定半导体的导电类型和 载流子浓度。通过测量霍尔系数与电导率随温度的变化，可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度系数等基本参数。本仪器采用现代电子技术和计算机数据采集系统，对霍尔样品在弱场条件下进行变温霍尔系数和电导率的测量，来确定半导体材料的各种性质。 一、基本原理 1．霍尔效应和霍尔系数 霍尔效应是一种电流磁效应（如图一） 图一 霍尔效应示意图 当半导体样品通以电流Is ，并加一垂直于电流的磁场B ，则在样品两侧产生一横向电势差U H ，这种现象称为“霍尔效应”，U H 称为霍尔电压，B I R H S H U = （1） 则IsB d U H H R = （2） R H 叫做霍尔系数，d 为样品厚度。 对于P 型半导体样品，qp H R 1 = （3） 式中q 为空穴电荷电量，p 为半导体载流子空 穴浓度。 对于n 型半导体样品，H R 1-= （4）式中为n 电子电荷电量。 考虑到载流子速度的统计分布以及载流子在运动中受到散射等因素的影响。在霍尔系数的表达式中还应引入霍尔因子A ，则（3）（4）修正为p 型半导体样品qp A H R = （5）， n 型

半导体样品，qn A H R -= （6）。A 的大小与散射机理及能带结构有关。在弱磁场（一般为 200mT ）条件下，对球形等能面的非简并半导体，在较高温度（晶格散射起主要作用）情况下，A=1.18，在较低的温度（电离杂质散射起主要作用）情况下，A=1.93,对于高载流子浓度的简并半导体以及强磁场条件A=1。 对于电子、空穴混合导电的情况，在计算RH 时应同时考虑两种载流子在磁场偏转下偏转的效果。对于球形等能面的半导体材料，可以证明： 22) ()(nb p q nb p A R H +-= （7） 式中 U p U n b = ，Up 、Un 分别为电子和空穴的迁移率，A 为霍尔因子，A 的大小与散射机理及能带结构有关。 从霍尔系数的表达式可以看出：由R H 的符号可以判断载流子的型，正为P 型，负为N 型。 由R H 的大小可确定载流子浓度，还可以结合测得的电导率算出如下的霍尔迁移率U H U H =|R H |σ （8） 对于P 型半导体U H =U P ，对于N 型半导体U H =U N 霍尔系数R H 可以在实验中测量出来，表达式为 IsB d U H H R = （9） 式中U H 、Is 、d ，B 分别为霍尔电势、样品电流、样品厚度和磁感应强度。单位分别为伏特（V ）、安培（A ），米（m ）和特斯拉（T ）。但为与文献数据相对应，一般所取单位为U H 伏（V ）、Is 毫安（mA ）、d 厘米（cm ）、B 高斯（Gs ） 、则霍尔系数R H 的单位为厘米3/库仑（cm 3/C ）。 但实际测量时，往往伴随着各种热磁效应所产生的电位叠加在测量值U H 上，引起测量误差。（详见讲义）为了消除热磁效应带来的测量误差，可采用改变流过样品的电流方向及磁场方向予以消除。 2．霍尔系数与温度的关系 R H 与载流子浓度之间有反比关系，当温度不变时，载流子浓度不变，R H 不变，而当温度改变时，载流子浓度发生，R H 也随之变化。 实验可得|R H |随温度T 变化的曲线。 3．半导体电导率 在半导体中若有两种载流子同时存在，其电导率σ为 σ=qpu P +qnu n （7） 实验中电导率σ可由下式计算出 σ=I/ρ=Il/U σad （8） 式中为ρ电阻率，I 为流过样品的电流，U σ、l 分别为两测量点间的电压降和长度，a 为样品宽度，d 为样品厚度。

霍尔效应实验报告

霍尔效应与应用设计 摘要：随着半导体物理学的迅速发展，霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。本文主要通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。 关键词：霍尔系数，电导率，载流子浓度。 一．引言 【实验背景】 置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，称为霍尔效应。 如今，霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且随着电子技术的发展，利用该效应制成的霍尔器件，由于结构简单、频率响应宽（高达10GHz ）、寿命长、可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。 【实验目的】 1． 通过实验掌握霍尔效应基本原理，了解霍尔元件的基本结构； 2． 学会测量半导体材料的霍尔系数、电导率、迁移率等参数的实验方法和技术； 3． 学会用“对称测量法”消除副效应所产生的系统误差的实验方法。 4． 学习利用霍尔效应测量磁感应强度B 及磁场分布。 二、实验内容与数据处理 【实验原理】 一、霍尔效应原理 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。如图1所示。当载流子所受的横电场力与洛仑兹力相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有 B e eE H v 其中E H 称为霍尔电场，v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。设试样的宽度为b ，厚度为d ，载流子浓度为n ，则 图1. 霍尔效应原理示意图，a ）为N 型（电子） b ）为P 型（孔穴） f e f m v -e E H A / A B C I S V mA B a +e E H f e f m v I S B b l d b

城市公园景观调研报告

以金鸡湖广场及周边绿地景观为例 城市公园景观调研报告 ——景观规划设计原理论文 姓名 孙雨静 1120122230 史心怡 1120122209 沈 烨 1120122217 司 竹 1120122227

调研概述及目的：对金鸡湖公园进行实地调研和考察，在对现有资料的大概了解 上进一步体会城市公园景观在城市中所发挥的的重要意义。将对公园景观总体布局的宏观把握与对景观要素的设计手法、广场道路尺度规划的微观局部相结合，展开分析调研。 关键词：生态，城市绿化，空间尺度，植物配置，金鸡湖 正文： 城市公园是城市中环境优美的游憩空间，是城市的绿洲，它是城市居民进行文化休息以及其他活动的重要场所，对美化城市面貌和平衡城市生态环境、调节气候、净化空气等均有积极作用。而同样的，作为一个城市绿地景观系统，在顺应自然，营造生态空间的同时，其总体布局和空间形式，以及尺度把握，无疑也是我们值得推敲和借鉴的。 金鸡湖位于苏州工业园区，即苏州古城区和新区以东，在地理位置上属于苏州中心地带。（图1-1）金鸡湖地区是苏州工业园区的重要组成部分之一，占地约12平方公里，为园区的城市湖泊公园。金鸡湖具有无以伦比的风景资源，占地约7平方公里，其环湖地区可以开发成为一个临水的区域性现代休闲娱乐空间。 图0-1 园区中轴线布局 Ⅰ因地制宜环境引导下的总体布局及规划理念 金鸡湖是在苏州市东区——苏州工业园区的中心部位，其水域面积7.38km2，比著名的杭州西子湖还大1.88km2，定位是开放的城市湖泊公园，因而它必须符合园区的总体规划，园区的总体规划是将中新合作的70km2分为三个相对独立的区域，每个区域均遵循如下规划布局原则，即从北往南依次为工业区、居住区、中心商贸区、居住区、工业区，东西向以苏州干将路的延伸线为中轴线，而金鸡湖正像串在这根轴线上的一颗明珠。设计师在对湖岸周围地块进行一定的分区以后，开始了“创造性保护”的规划。 1969年，克罗(D.S.Crowe)率先提出景观规划、设计应注重“创造性保护”工作，即既要最佳组织调配地域内的有限资源，又要保护该地域内美景和生态自然，它强调景观空间格局对区域生态环境的影响与控制，并试图通过格局的改变来维持景观功能流的健康与安全。从而把景观

变温霍尔效应.

变温霍尔效应 如果在电流的垂直方向加以磁场，则在同电流和磁场都垂直的方向上，将建立起一个电场，这种现象称为霍耳效应。霍尔效应是1879年霍耳在研究导体在磁场中受力的性质时发现的，对分析和研究半导体材料的电输运性质具有十分重要的意义。目前，霍耳效应不仅用来确定半导体材料的性质，利用霍耳效应制备的霍耳器件在科学研究、工业生产上都有着广泛的应用。 通过变温霍尔效应测量可以确定材料的导电类型、载流子浓度与温度的关系、霍耳迁移率和电导迁移率与温度的关系、材料的禁带宽度、施主或受主杂质以及复合中心的电离能等。 一 实验目的 1.了解和学习低温实验中的低温温度控制和温度测量的基本原理与方法； 2.掌握利用霍尔效应测量材料的电输运性质的原理和实验方法； 3.验证P型导电到N 型导电的转变。 二 实验原理 1. 半导体的能带结构和载流子浓度 没有人工掺杂的半导体称为本征半导体，本征半导体中的原子按照晶格有规则的排列，产生周期性势场。在这一周期势场的作用下，电子的能级展宽成准连续的能带。束缚在原子周围化学键上的电子能量较低，它们所形成的能级构成价带；脱离原子束缚后在晶体中自由运动的电子能量较高，构成导带，导带和价带之间存在的能带隙称为禁带。当绝对温度为0 k时，电子全被束缚在原子上，导带能级上没有电子，而价带中的能级全被电子填满（所以价带也称为满带）；随着温度升高，部分电子由于热运动脱离原子束缚，成为具有导带能量的电子，它在半导体中可以自由运动，产生导电性能，这就是电子导电；而电子脱离原子束缚后，在原来所在的原子上留下一个带正电荷的电子的缺位，通常称为空穴，它所占据的能级就是原来电子在价带中所占据的能级。因为邻近原子上的电子随时可以来填补这个缺位，使这个缺位转移到相邻原子上去，形成空穴的自由运动，产生空穴导电。半导体的导电性质就是由导带中带负电荷的电子和价带中带正电荷的空穴的运动所形成的。这两种粒子统称载流子。本征半导体中的载流子称为本征载流子，它主要是由于从外界吸收热量后，将电子从价带激发到导带，其结果是导带中增加了一个电子而在价带出现了一个空穴，这一过程成为本征激发。所以，本征载流子（电子和空穴）总是成对出现的，它们的浓度相同，本征载流子浓度仅取决于材料的性质（如材料种类和禁带宽度）及外界的温度。 为了改变半导体的性质，常常进行人工掺杂。不同的掺杂将会改变半导体中电子或空穴的浓度。若所掺杂质的价态大于基质的价态，在和基质原子键合时就会多余出电子，这种电子很容易在外界能量（热、电、光能等）的作用下脱离原子的束缚成为自由运动的电子（导带电子），所以它的能级处在禁带中靠近导带底的位置（施主能级），这种杂质称为施主杂质。施主杂质中的电子进入导带的过程称为电离过程，离化后的施主杂质形成正电中心，它所放出的电子进入导带，使导带中的电子浓度远大于价带中空穴的浓度，因此，掺施主杂质的半导体呈现电子导电的性质，称为n型半导体。施主电离过程是施主能级上的电子跃迁到导带并在导带中形成电子的过程，跃迁所需的能量就是施主电离能；反之，若所掺杂质的价态小于基质的价态，这种杂质是受主杂质，它的能级处在禁带中靠近价带顶的位置（受主能级），受主杂质很容易被离化，离化时从价带中吸引电子，变为负电中心，使价带中出现空穴，呈空穴导电性质，这样的半导体为p型半导体。受主电离时所需的能量就是受主电离能。

霍尔效应实验报告.doc

实验报告 姓名:学号:系别:座号: 实验题目 :通过霍尔效应测量磁场 实验目的 :通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的 导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数实验内容 : 已知参数： b=4.0mm, d=0.5mm,l B 'C =3.0mm. 设 B KI M，其中K=6200GS/A； 1. 保持I M =0.450A 不变，测绘V H I S曲线 测量当 I M正(反)向时,I S正向和反向时 V H的值,如下表 调节控制电流I S/mA I S B 正向V H/mV 正 B 反向V H/mV 向 I S B 反向V H/mV 反 B 反向V H/mV 向 绝对值平均值 V H/mV 做出 V H I S曲线如下

v V m / b V 16 Linear fit of date v 14 12 10 8 6 4 2 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 Linear Regression for Data1_V: Y=A+B*X Parameter Value Error ----------------------------- -------------- A B Is/mA 由 origin 得 V H 3.564( ) I S 由 R V H d 108 (cm 3 / C ) 和 B KI M 得 H I S B V H d 10 8 3.564 0.05 10 8 6.39 10 3 3 / C ) R H I S KI M 6200 0.450 (cm 2. 保持 I S 不变，测绘 V H I M 曲线 = 测量当 I S 正( 反) 向时, I M 正向和反向时 V H 的值 , 如下表 调节励磁电流 I M /A I S B 正向 V H /mV 正 B 反向 V H /mV I S B 反向 V H /mV 反 B 反向 V H /mV 绝对值平均值 V H /mV 做出 V H I M 曲线如下

城市景观调研报告

城市景观调研报告 篇一：城市景观设计调研报告 前言调研目的及意义、调研方法和技术路线 水上公园景观设计调研报告 一、调研目的及意义： 水上公园式天津著名的综合性水景公园，本次调研主要针对公园内的景观设计布局、 小品设施、公园内部交通流线。通过调研了解公园景观设计从而体会城市景观设计原理。为了我们对本科课程中所学内容的深入理解，并通过本次调研对所学城市景观设计知识做一次全面系统的展示。综合学习已建成的并运用景观设计手法，结合所在区域的地理环境、建筑风格及当地的人文历史等因素，完成对景观设计概论的了解与学习，并辅助城市规划专业做好设计。还需要需要进行对基地进行实地调研和定向调研，

收集大量公园景观设计资料。本课题与所学专业有密切联系，具有综合性特点。 二、调研方法和技术路线 研究方法：水上公园实地调研参观、拍照。 技术路线：沿公园大体流线三湖五岛进行游览，再对沿途的景观进行细致调研分析调研时间: 2013年11月2日调研地点：天津市南开区水上公园 1 正文第一章简介 三、调研内容 1、简介 水上公园始建于1950年，面积为125公顷。其中，水面面积为75公顷，陆 地面积为50公顷，绿化面积达35万平米，园林花木近200个品种，是天津市规模最大的综合性公园。建园近60年来，在各级政府的关怀下，经过几代园林建设者的辛勤耕耘，形成了风光秀丽、水波粼粼的风景名胜区。1991年，

被天津市民评为“津门十景”之一“龙潭浮翠”；2004年，被国家旅游局评为AAAA级旅游风景区；2009年，水上公园经过大规模景观提升改造，定位为“北方西湖，水上四季”。 水上公园由三湖五岛构成（东湖、西湖、南湖；春岛、夏岛、秋岛、冬岛、瀛岛）。环湖绿树成荫，湖面荷花吐艳，玉带碧水之间众岛与眺远亭遥相辉映；七座石拱桥与多处仿明清建筑争相媲美；三处明清式长廊镶嵌绿荫之中，姿态婀娜，引人入胜；“水景长堤”、“水晶广场”多姿水景，步移景异，诱人眼帘；盆景园、神户园、水生植物园风格独具，美不胜收；翠堤览胜、桃柳宜春、秋宇清霜、冬宜雪韵等景观区域季相突出，风貌宜人。胜似西湖美景珠落津门。 水上公园游乐区，以“津门小迪斯尼乐园”著称。其间，“过山车”、“激流勇进”、“摇摆锤”、“空中飞人”等大型游艺机惊险刺激、回味无穷。湖面上，仿古龙舟、高速快艇穿梭其中，近300余条各式游

霍尔效应(北京科技大学物理实验报告)完整版

霍尔效应 2019年10月8日一、实验目的 学习霍尔效应原理和霍尔效应实验中的副效应及其消除方法。 学习确定半导体试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率的方法。 二、实验仪器 QS-H型霍尔效应实验组合仪，半导体（硅）样品，导线等。 三、实验原理 由于洛伦兹力的作用，电荷出现横向偏转并在样品边界处累积，产生一个横向的电场E。当载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等时，样品两侧电荷累积达到动态平衡，此时，即 （） 如果N型半导体薄片的载流子浓度为n，样品薄片宽度为b，厚度为d，则有 （） 由（1）（2）可得 （） 式中，称为霍尔系数，单位 若待测半导体材料只有一种载流子导电且所有载流子具有相同的漂移速度，则载流子浓度n为 （） 若考虑载流子的速度统计分布，能带结构等因素，需引入的系数 载流子的迁移速率为 （） 为样品的导电率 （） 式中，为样品电阻率；为A、C电极间的距离（如图1所示）；为样品的横截面积；为通过样品的电流；为在零磁场下A、C间的电压。

图（1） 输入输出输入 图（2） 四、实验步骤 1、线路连接，如图2所示

2、保持磁场（即励磁电流）大小不变，改变霍尔电流大小的大小，测绘霍尔电压与电流关系曲线。取，电压测量开关选择，分别改变和换向开关方向，将测量数据填入表1中。 3、保持样品电流不变（）改变励磁电流的大小，测量霍尔电压与磁场的关系曲线。电压测量开关选择，分别改变和换向开关方向，将测量数据填入表2中。 4、根据以上和曲线验证在磁场不太强时霍尔电压与电流和磁场的关系。，已知。 5、根据测量电路中的电流、磁场、霍尔电压及测量数据的正负，判断导体的导电类型。 6、在零磁场（）下，取，电压表开关合向测A、C间的电压，数据计入表3中。 五、数据处理