电子技术基础试题及答案套

电子技术基础试题(八)

一、填空题(每题3分，共30分)

1、PN结具有单向导电特性性能。

2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_增大_。

3、射极输出器放在中间级是兼用它的输入电阻大和输出电阻小的特点，起阻抗变换作用。

4、只有当负载电阻R

L 和信号源的内阻r

s

相等时，负载获得的功率最大，这种现

象称为阻抗匹配。

5、运算放大器的输出是一种具有深度负反馈高增益的多级直流放大器。

6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：甲类功放，乙类功放和甲乙类功放电路。

7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量偏流I

BQ

，以减少交越失真。

8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由采样电路、基准电源、比较放大电路和_调整元件_四个部分组成。

9、逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、_逻辑加和_逻辑非_。

10、主从触发器是一种能防止空翻现象的实用触发器。

二、选择题(每题3分，共30分)

1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( C )。

A.零偏

B.反偏

C.正偏

2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：( A )。

A.集电极电流减小

B.集电极与发射极电压V

CE

上升 C.集电极电流增大3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：( B )。

3

4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：( A )。

A.保证电路满足振幅平衡条件

B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大

C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡

5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：( C )。

A.有交越失真

B.易产生自激

C.效率低

6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是：( B )。

7．为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：( A )。

A.在开启时提供很大的正向基极电流，并在关闭时提供很大的反向基极电流

B.在开启时提供很大的反向基极电流

C.隔开直流电压

8．逻辑函数式E F+E F+EF，化简后答案是：( C )。

F+E F +F

9．基本RS触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态：( B )。

A.恢复原状态

B.保持现状态

C.出现新状态

10．八位二进制数能表示十进制数的最大值是：( A )。

B.248

三、分析计算题(每题10分，共40分)

1．写出图中逻辑电路的逻辑表达式并化简之，再画出化简后的逻辑电路图。解：原电路逻辑表达式是Y=(AB+C)+(AB+C)(CD+B)

化简 Y=(AB+C)+(AB+C)(CD+B)

=(AB+C)+(CD+B)

=B(1+A)+C(1+D)

=B+C

2．图中：R

1=R

2

=R

3

=R

4

=R=10千欧，V

i1

=10V，V

i2

=20V。求V

o

=？

解:电路中输入端是两个电压跟随器，可见V

Ａ＝V

i1

＝10V，V

Ｂ

＝V

i2

＝20V，根据减法

运算电路知V

０＝V

i2

－V

i1

=20－10＝10V

3．由NPN型三极管组成如图所示的单级小信号放大器，已知：直流电源V

G

=12V ，

R b =400千欧，R

c

=3千欧，晶体管的β=80，忽略I

CEO

，试求放大器的静态电流I

BQ

，I

CQ

及电压V

CEQ

。

解：

4．试化简下列逻辑函数式：

①AB+AB

②AB+AB+AC

③AB(B+C)A

④AB+ABD+AC+BCD

⑤AB+C+(AB+C)(CD+A)+BD

电子技术基础试题(九)

一、填空题(每题3分，共30分)

1、晶体三极管正常工作的外部条件是发射结加正向电压，集电结加反向电压，

对NPN管，各极电位应满足关系V

C >V

B

>V

E

，对PNP管应满足V

C

B

E

。

2、按三极管放大电路的结构，可分共射、共集、和共基三种组态。

3、共集放大电路的特点是：电压放大倍数小于1接近1、输入阻抗高、输出阻抗低。

4、某放大电路的开环增益为100，引入反馈系数为的反馈网络后，其闭环增益为100/11。

5、反馈放大电路的反馈系数是反馈信号与输出信号的比值。

6、在RS、JK、D、T四种触发器中，不具有保持功能的是 D触发器，不具有计数功能的是RS和D。

7、由四个触发器构成的计数器，它的计数状态最多为16。

8、计数器就是对输入脉冲个数进行记录的逻辑部件。

9、基本RS触发器有置0、置1和保持原态三种功能。

10、负反馈能使放大器的放大倍数降低，但放大器的稳定性提高。

二、选择题(每题3分，共30分)

1．将(1101101)2转换为十进制数为( A )

.61 C 205

2．利用分配律写出C+DE的等式为( A )

A.(C+D)(C+E) +CE +D+E

3．放大器功率放大倍数为100，问功率增益是多少分贝( B ) dB dB dB

4．工作在放大状态的晶体管，当I

B 从30uA增大到40uA时，I

C

从变成3mA，则该管

的β为( B )

.60 C

5．采用差动放大电路是为了( D )

A.稳定电压放大倍数

B.增加带负载的能力

C.提高输入阻抗

D.克服零点漂移

6．放大变化缓慢的信号应采用( A )

A.直接耦合的放大器

B.阻容耦合的放大器

C.变压器耦合的放大器

D.任一放大器

7．电流串联负反馈具有( B )的性质

A.电压控制电压源

B.电压控制电流源

C.电流控制电压源

D.电流控制电流源

8．要同时提高放大器的输入电阻和输出电阻，应引入的反馈组态是( C )

A.电压串联负反馈

B.电压并联负反馈

C.电流串联负反馈

D.电流并联负反馈

9．测得工作在放大状态的某三极管的三个极1、2、3对地电位分别如下:V

1=0V，V

2

=-5V，

V

3

=，则可判断( D )

A.该管为NPN管，材料为硅，1极为集电极

B.该管为NPN管，材料为锗，2极为集电极

C.该管为PNP管，材料为硅，1极为集电极

D.该管为PNP管，材料为锗，2极为集电极

10．某放大器空载时，输出电压为2V，接上负载电阻R

L

=1K时，测得输出电压为，则该放大器的输出电阻为( C )

Ω Ω Ω Ω

三、分析计算题(每题10分，共40分)

1．电路如图所示，已知V

CC =12V，R

B1

=5KΩ，R

B2

=1KΩ，R

C

=3KΩ，R

E

=Ω，β=50，

硅管 (1)画出电路的直流通路、交流通路；

(2)求该电路的电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。

I

2V

I =14V，R＝１K，R

L

＝2K，求V

Ｏ

，Ｉ，

Ｉ

Ｚ

V

3自行车，要求只有在A同意的情

以骑；但B具有优先权，B不骑时C列出真值表；(2)写出最简逻辑

表达式；(3)试用与非门设计电路，画出逻辑电路图。

解：(1)真值表：A =1表示同意，A =0表示不同意；B 、C =1表示要骑车，B 、C =0表示不骑车；Y 1=1表示B 能骑车，Y 2=1表示C 不能骑车

(2)逻辑表达式

Y 1＝AB C ＋ABC ＝AB

AB Y 2＝A B C ＝ C B A (3)逻辑图

4列问题：(1)欲使Q 2Q 1Q 0=000，CR 端应为何种电平？(2)态Q 2Q 1Q 0=000列出在输入脉冲CP 作用下，该电路状态表。(3)明该电路的逻辑功能。

解：电子技术基础试题(十)

一、填空题(每题3分，共30分)

1、n 个输入变量可有 2n 种不同组合，把每种输入状态下的输出状态列出来，就构成了描述组合逻辑的 真值表 。

2、直流放大器只能采用 直接 耦合方式，因为 阻容 耦合和 变压器 耦合不能传输直流信号。

3、制作半导体器件时，使用最多的半导体材料是 硅 和 锗 ，它们都是 四 价元素。

4、振荡器是在无输入信号的条件下能连续不断地产生 输出信号 的电路。

5、小功率直流稳压电源包含：电源变压器、 整流电路 、滤波电路和 稳压 等部分。

6、对JK 触发器，当JK=01时，Q n+1= 0 ，对T 触发器，当T=0时，Q n+1= Q n 。

7、NPN 型晶体三极管的发射区是 N 型半导体。

8、门电路中，最基本的逻辑门是 与门 、 或门 和 非门 。

9、与非门构成的基本RS 触发器，当0=S 1=R 时，其Q 输出是 1 。

10、一个放大器的电压增益是120 dB ，相当于放大倍数 106 。 二、选择题(每题3分，共30分)

1.在基本放大电路的三种组态中，只有电流放大作用而没有电压放大作用的电路组态是( A )

A.共集

B.共基

C.共射

2.当整流输出电压相同时，二极管承受反向电压最小的电路是( C )

A.单相半波

B.单相全波

C.单相桥式

3.正弦波振荡器的振荡频率取决于( C )

A.正反馈的强度

B.反馈元件的参数

C.选频网络参数

4.放大电路中若测得某三极管极间电压如下：1—2间为7V，2—3间为，则该管类型、材料及1、2、3极分别为( A )

型、硅管、E、C、B 型、硅管、C、B、E

型、锗管、E、C、B 型、硅管、E、C、B

5.直流稳压电源中的电路工作的先后顺序是( B )

A.滤波、稳压再整流

B.整流、滤波再稳压

C.滤波、整流再稳压

D.整流、稳压再滤波

6.二十进制编码器，若有四个输出端，可进行编码的个数是( C )

个个个个

7.下列电路中具有记忆功能的是( C )

A.编码器

B.译码器

C.计数器

D.全加器

8.对一般触发器，当满足Qn+1=Qn时，为何功能( B )

A.记数

B.保持

C.不定

D.置0、置1

9.能使输出电流稳定的是：( D )

A.串联负反馈

B.电压负反馈

C.并联负反馈

D.电流负反馈

数字电路中集成芯片的电源电压值一般取用( D )

三．分析计算题(每题10分，共40分)

1、在如图所示放大电路中，改变R

b1

的阻值，就可以调整放大器的静态工作点。

现在要求V

CEQ =－，问R

b1

应选多大？

2、如图电路中，若输入电压Vi=16V，稳压管的稳定电

压Vz＝，负载电阻R

L =100欧，试求R

L

上的直流电压V

o

及晶

体三极管的功率损耗。解：(1)求直流输出电压V

o

V o ＝V

Z

－V

BE

=－=10V

(2)求三极管的损耗功率Ｐ

负载电流I

0=V

/R

L

=10/100=

损耗功率Ｐ＝

V CE I

C

≈(V

I

-V

O

)I

O

=(16-10)╳=

3、如图电路，假设两个触发器的初始状态均为0态，根据输入的波形画出输出波

形，并列出状态表说明是模为多少的计数器。

解

：

(

1)

状

态

表：

CP Q1Q0

000

111

210CP Q0 Q1

301

400

(3)模为

4、分析下图所示逻辑电路。电路输入变量A、B、C和输出函数F，G均代表一位二进制数。试写出输出表达式，列出真值表，并说明电路的逻辑功能。

解：

(1)表达式：C

B

A

F⊕

⊕

=

A B C G F

00000

00101

01001

01110

10001

10110

11010

11111

电子技术基础试题(六)

一、填空题(每题3分，共30分)

1、半导体是一种电能力介于导体与绝缘体之间的物体。

2、2CP系列晶体二极管是硅半导体材料制成的。

3、表征放大器中晶体三极管静态工作点的参数有I

BQ 、I

CQ

和V

CEQ

。

4、对于一个晶体管放大器来说，一般希望其输入电阻要大些，以减轻信号源的负担，输出电阻要小些，以增大带动负载的能力。

5、某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位V

C =V

G

，则该放大器的三极管处

于截止工作状态。

6、功率放大器主要作用信号放大，以供给负载足够大的功率信号。

7、RC电路的时间常数是τ=RC，时间常数愈大，电容充(放)电过程慢。

8、逻辑函数的两种最基本的表示形式是逻辑函数式和真值表。

9、触发器电路中，S

D 端、R

D

端可以根据需要预先将触发器置0 或置1 ，而不受

时钟脉冲的同步控制。

10、(100)

10=( 1100100 )

2

，(11010)

2

=( 26 )

10

。

二、选择题(每题3分，共30分)

1．用万用表欧姆挡测量小功能率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到：( A)。

×100Ω或R×1kΩ ×1Ω ×10Ω

2．晶体三极管工作在饱和状态时，它的I

C

将：( C)。

A.随I

B

增加而增加

B.随I

B

增加而减小

C.与I

B 无关，只决定于R

e

和V

G

3．在单管放大电路中，为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用的办法是：( A)。

A.减小I

B B.提高 V

G

的绝对值 C.减少 R

C

的值

4．放大器引入负反馈后，它的电压放大倍数，信号失真情况是：( B)。

A.放大倍数下降，信号失真加大

B.放大倍数下降，信号失真减小

C.放大倍数增大，信号失真程度不变

5．在正弦波振荡器中，选频电路的主要作用是：( B)。

A.保证振荡器满足振幅平衡条件能持续输出振荡信号

B.保证电路满足相位平衡条件

C.把外界的影响减弱

6．晶体三极管作为开关器件使用时，它的工作状态是：( A )。

A.截止或饱和

B.截止或放大

C.放大或饱和

7．逻辑函数式D+D，简化后结果是：( B )。

8．逻辑函数式F=AB C+A＋B＋C的逻辑值为：( C )。

.0 C

9．触发器与组合逻辑门电路比较：( C )。

A.两者都有记忆能力

B.只有组合逻辑门电路有记忆能力

C.只有触发器有记忆能力

10．为了提高抗干扰能力，触发脉冲宽度是：( B )。

A.越宽越好

B.越窄越好

C.无关的

三、分析计算题(每题10分，共40分)

1、判别如图所示反馈元件R

f1 R

f2

R

f3

及C

f

各起何类反馈作用，以及对输入输出电

阻的影响。

解：R

f1对V

1

所在的第一级放大器有电流串联负反馈作用；R

f2

引进的是电流并联负

反馈；R

f3、C

f

引进的是电压串联负反馈。

2．图为由三个D型触发器组成的电路图，试画出在8个CP脉冲作用下，各触发

器输出波形，设Q

1、Q

2

、Q

3

初始状态均为0。

解：由图可知这三个D型触发器的D端状态都与各自的Q端状态相同，且前一位触发器的Q端又与后一位脉冲输入端(CP)相连。另外，注意到各触发器是正脉冲触发。

综上所述，根据D触发器逻辑功能所画出与CP、Q

1、Q

2

、Q

3

相对应的波形图，画波形时

应注意当每个触发器Q端出现负跳变脉冲时，Q端则出现正跳变脉冲。如图所示：

3、单管放大电路如图所示，已知晶体管β=30，基区电阻r

b

=300欧，输入电压

u

i

=10mV。

(1)估算晶体管的输入电阻r

be

=？

(2)估算这个放大器的输入电阻ri、输出电阻r

o

。

(3)估算放大器的输出电压Vo=?

4、用与非门设计一个电路实现：输入是4位二进制

数(DBCA)，当小于或等于10时输出(Y)为1，否则为0。

(1)真值表：

D C B A Y

00001

00011

00101

00111

01001

01011

01101

01111

(2)表达式：CD

ABD

Y

(3)电路图：

电子技术基础试题(三)

一、填空题(每题3分，共30分)

1、P型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。

2、理想的二极管，其正向电阻约为0，反向电阻约为无穷大。

3、晶体三极管工作在放大区时，关系式I

C =βI

B

才成立，而工作在截止区时，

I

C

=0。

4、影响放大器工作稳定性的主要因素是温度的变化，稳定工作点的措施是在电路中引入直流负反馈。

5、多级放大器中，前级是后级的信号源，后级是前级的负载。

6、电压串联负反馈稳定输出电压，能使输入电阻增大。

7、引起零点漂移的原因有两个：电源电压波动及温度变化，解决的办法可采用差动放大器。

8、逻辑代数的三种基本运算是与、或、非。

9、组合逻辑门电路的任意时刻产生的稳定输出信号与输入信号有关，而与电路原来状态无关。

10、JK触发器的输入信号J与K不相同时，Q n+1与J 端信号相同；若J=K=1时，触发器的状态将翻转。

二、选择题(每题3分，共30分)

1．稳压二极管正常工作时应工作在( D )区。

A. 死区

B. 正向导通

C. 反向截止

D. 反向击穿

2．晶体三极管工作在饱和状态时，满足( A )

A. 发射结、集电结均正偏

B. 发射结、集电结均反偏

C. 发射结正偏、集电结反偏

D. 发射结反偏、集电结正偏

3．共发射极放大器的输出电压与输入电压在相位上的关系是( C )

A. 相位差0?

B. 相位差为90?

C. 相位差为180?

D. 相位差为270?

4．放大器引入负反馈后，它的电压放大倍数和信号失真情况是( A )

A.放大倍数下降，信号失真减小

B.放大倍数下降，信号失真加大

C.放大倍数增大，信号失真减少

D.放大倍数增大，信号失真加大

5．差动放大器抑制零漂的效果取决于( B )

A. 两个三极管的放大倍数

B. 两个三极管的对称程度

C. 两个三极管的穿透电流大小

D. 两个三极管功耗大小

6．RC正弦波振荡器要起振，必须满足的条件是( A )

A. 放大器的放大倍数大于3

B. 放大器的放大倍数大于1/3

C. 放大器的放大倍数大于2

D. 放大器的放大倍数大于1/2

7．甲乙类功放的理想效率为( C )

8.串联型稳压电路中的调整管的工作状态是( A )

A.放大

B.截止 C 饱和 D 截止与饱和交替 9.触发器与组合逻辑门电路比较 ( C )

A 两者都有记忆能力

B 只有组合逻辑门电路有记忆功能

C 只有触发器有记忆功能

D 两者都无记忆能力 10.构成计数器的基本电路是( D )

A.或非门

B.与非门

C.与或非门

D.触发器 三、分析计算题(每题10分，共40分)

1．如图是由三个JK 触发器组成的二进制计数器，工作前先由RD 使电路设000状态。

(1)按输入脉冲CP 顺

序在表中填写Q 2、Q 1、Q 0相

应的状态(0或1) (2)此计数器是异步计数器还是同步计数器？

是加法计数器还是减法计数器？ 解：

此计数器为：异步加法器

2、 如图运算放大电路，已知V i1=30mv ， V i2=50mv ，求 V o1及V o2

V O1=R f V i1/R 1=-15mV

V O2=-1000V

3．如图为一低频电压放大电路，三极管

的β=50，R b1=20kΩ，R b2=10k ，Rc=2kΩ，Re=1kΩ， V G =12V 。 求：(1)画出交流及直流通路；(2)求静态工作点；(3)空载时的电压放大倍数A V ；(4)若R L =2KΩ，则放大器的放大倍数A V 又为多

少？

解：(1)直流通路 交流通路 (2)V BQ =V G R b2/(R b1+R b2)=4V V EQ =V BQ -V BEQ ==

I EQ =V EQ /R e =1=1mA=I C V CEQ =V G -I CQ (R C +R e )= I BQ =I CQ /β=

(3)A V =-βR C /r be

r be =300+(1+β)26mv/IemA=Ω A V =-50×2000/=

CP R D

V V i1

i2

2A E F

EF 有可能

7、用万用表欧姆档测小功率晶体三极管好坏时，应选择的档位( A )。 A ． Rx100或Rx1K B. Rx10K C. Rx1 D.都可以

8、当晶体三极管发射结反偏，集电极反偏时，晶体三极管的工作状态是( A )。 A ． 放大状态 B. 饱和状态 C. 截止状态 D.无法判定 9、三极管的基极电流I B 、集电极电流I C 和射极电流I E 的关系是( A )

A ． I E = I

B + I

C B. I E = I B – I C C. I E = I C – I B = I B + I E 10、基本放大器的电压放大倍数Av=

Vi

V O

，当输入电压为10mV 时，测得输出电压为500mV ，则电压放大倍数是( B )。

A ． 10 B. 50 C. 500 二、填空题(每题3分，共30分)

1．半导体二极管的最主要特性是 单向导电性 。

2．整流电路是利用二极管的 单向导电性 ，将交变电流变换成单方向的脉动电流。 3．三极管的三种不同工作状态是截止状态、 放大状态 和 饱和状态 。 4．在数字电路中，正逻辑用高电平表示逻辑 1 。

5．已知某放大器的电压放大倍数为100倍则它的电压增益为 40 dB 。

6．桥式整流电路中，设电源变压器次级绕组输出的交流电压有效值U2＝20V ，则负载RL 上得到的直流电压UL ＝ 18V 。加入电容滤波后，若RL→∞，则UL ＝ 。

7．带有放大环节的串联型稳压电源是由 比较放大环节 、基准电源、 采样电路 、调整元件四部分组成。

8．(10011)2 = ( 19 )10 ，(9)10 = ( 1001 )2

9．射极输出器输入电阻 大 ，输出电阻 小 。(选填“大”或“小”) 10．逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、 逻辑加 和 逻辑非 。 三、计算分析题(每小题10分，共40分)

1. 电路如图 (a)所示，已知三极管的β=100，VBE=， (1) 试分别画出直流通路和交流通路； (2) 估算该电路的Q 点；

(3) 求该电路的电压放大倍数，输入电阻和输出电阻；

(4) 若vo 的交流成份出现图(b)所示的失真现象，问是截止失真，还是饱和失真？为消除此失真，应调整哪个元件？如何调整。

解：(1)直流通路，交流通路。

(2) mA 440100BQ CQ =?==I I β

(3) 10095

.02

//2100be L ≈-='-=r R A V

β&

(4)图(b)中所示的失真为截止失真，要消除此失真，应调整R b 使Q 点上移，即减

小R b 。

2.在如图所示的集成运放电路中，已知R1=10K Ω、R36K Ω、R44K Ω、Rf1=20KV 、Rf2=24K Ω、Vi1=10mV ，Vi2=6mV 。

求：Vo=？

解：v o1=1111i f v R R ????

?

?+

＝V m mV K K 301010201=???

?

??ΩΩ+

v o =－???

?

???+?142232o f i f v R R v R R =－??

?

???ΩΩ+?ΩΩmV K K mV K K 304246624=－204mV 3.有A 、B 、C 三个输入信号，当输入信号均为0或其中一个为1时，输出Y ＝1，

其余情况Y ＝0。请完成下列问题：

(1)根据题意列写真值表；

(2)写出逻辑表达式并化成最简与或表达式； (3)画出对应的逻辑图。 解：(1)

A B C Y 0 0 0 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0

(2)Y ＝C B A C B A C B A C B A ?++?+??

Y ＝C A C B B A ?+?+? 或：

Y ＝C B A C B A C B A C B A ?++?+?? 化简：

Y ＝()

C B A C B A C C B A ?+++?

Y ＝C B A C B A B A ?++? Y ＝C B A B A C B A B A ?+?++? Y ＝()()

B C A A C B B A +++ Y ＝C B C A B A ?+?+?

(3)画法一： 画法二：

4.试分析如图所示时序逻辑电路的逻辑功能，设各角发器的初始状态为Q 2Q 1Q 0=100。完成下列问题；

（1） 填充下面的状态表；

（2） 画出Q 2Q 1Q 0在所给CP 脉冲作用下的波形图； （3） 说明此电路的逻辑功能。 解：(1)

CP 脉冲序号 Q2Q1Q0

0 0 0 0 1 0 0 1 2 0 1 0 3 0 1 1 5 1 0 0 6 0 0 0

(2)

(3)此电路为同步五进制加法计数器

电子技术基础试题(七)

一、填空题(每题3分，共30分)

1、N 型半导体又称 电子 型半导体，它主要靠 自由电子 导电。

2、NPN 型晶体三极管工作在放大状态时，三个极中电位最高的是 c 极。 PNP 型晶体三极管工作在放大状态时，三个极中电位最高的是 e 极。

3、单级共射放大器对信号有 放大 和 反相 两个作用。

4、 串联 负反馈能提高放大器的输入电阻， 并联 负反馈能降低放大器的输入电阻。

5、差分放大器可以放大 差模 信号，抑制 共模 信号。

6、(25)10=( 11001 )2

7、逻辑函数F=ABC+A+B+C 的逻辑值为 1 。

8、时序逻辑电路的特点是电路任何时刻的输出状态不仅取决于该时刻的 输入状态 ，而且还取决于 电路的原有状态 。

9、与非门构成的基本RS 触发器中，设S =0，R =1时，其输出状态是 1 。 10、能够暂时存放二进制数据的电路称为 寄存器 。 二、选择题(每题3分，共30分)

1．将交流电变换为脉动直流电的电路称为：( A )

A.整流电路

B.滤波电路

C.稳压电路

D.放大电路

2．固定偏置共发射极放大电路中，三极管工作在放大区，如果将Rc增大，此时三极管为放大状态，则集电极电流Ic将：( B )

A.显着减小

B.不变

C.显着增加

D.无法确定

3．放大器若要提高输入电阻，降低输出电阻，应引入的反馈类型是：( B )

A.电压并联负反馈

B.电压串联负反馈

C.电流并联负反馈

D.电流串联负反馈

4．单管功率放大器，在阻抗匹配时，输出的不失真交流功率达到最大，此时功率放大器的效率为：( C )

％％％％

5．已知某差动放大电路的差模放大倍数为100，共模放大倍数为2，则共模抑制比K

CMR

为( C )

A .100 B. 50 C .1/50 100

6．正弦波振荡器的振荡频率f取决于 ( B )

A.放大电路的放大倍数

B.反馈网络元件的参数

C.正反馈的强弱

D.电源电压的高低

7．右图TTL电路中1端输入数字信号，2，3端悬

空，则Y=( B )

A. 0

B. 1

C .A D. A

8．要表示十进制数的十个数码需二进制数码的位

数至少为( C )

A .2位

B .3位 C. 4 位

D. 5位

9．已知某逻辑门的真值表如图所示，则对应的门的逻辑符号是( C )

A. B. C. D.

10．将JK 触发器J K两端短接，就可以接成 ( C )

触发器触发器触发器’触发器

三、分析计算题(每题10分，共40分)

1．分析下面组合逻辑电路的逻辑功能(要求写出函数表达式，列出真值表)。

解：

Y=A+ A+B +B+A+B=(A+A B)(B+A B)= (A+A)(B+A)

=AB+A B

2

端Q

0Q

1

Q

2

的波形，并说明它是加法计数器还是减法计数器。

解：

异步二进制加法记数器

A

A

A B Y

1

1

1

1

1

1

1

3、分压式偏置电路如图所示，已知硅管V 的β=40，Vcc=12V ，Rc=3KΩ，Re=500Ω，R b1=50KΩ，R b2=10KΩ。

⑴ 分别画出直流通路和交流通路；

⑵ 估算静态工作点； ⑶ 求放大电路的输入电阻，输出电阻和

电压放大倍数。

解：（1） 直流电路 交流电路 （2）

U BC e=R b2U Q /(R b1+R b2)=10×12/(50+10)=2V

U EQ =U BQ -U BEQ = I CQ =I EQ =U EQ /Re==

U CEQ =U Q -I CQ R C -I EQ Re=×(3+= I BQ =I CQ /β=40= (3)

r i =R b1图所示电路，已知V Z =8V ，R 1=20KΩ，R 2=10KΩ，R=10KΩ，求： ⑴当V I =12V 时，V O 为多少？ ⑵当V I =6V 时，V O 为多少？ 解：(1)当U I =12V 时，U O =-R 2U Z /R 1=-10×8/20=-4V

(2) 当U I =6V 时，

U O =-R 2U I /(R+R1)=-10×6/(20+10)=-2V

电子技术基础试题(四)

一、填空题(每小题3分，共30分)

1、PN 结反向偏置时，PN 结的内电场被 增强 。

2、共射放大电路，将I EQ 增大，T be 将 减小 。

3、集成功放LM368，共有引脚 8 个。

4、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或 正反馈 状态。

5、当f ＝RC

21

时，RC 串并联选频网络的F 相位角为_0° 。

6、BCD 编码中最常用的编码是 8421码或答8421BCD 码 。

7、当三态门的控制端 有效 时，三态门的输出端根据输入的状态可以有高电平和低电平两种状态。

8、四位二进制异步减法计数器有 16 个计数状态。 9、正弦波振荡器的振荡频率由 选频网络 而定。

10、某学生设计一个二进制异步计数器，从0计数到178(十进制数)，需要 8 个触发器。

二、选择题(每题3分，共30分) 1．带射极电阻Re 的共射放大电路，在并联交流旁路电容Ce ，后其电压放大倍数( B )

A.减小

B.增大

C.不变

D.变为零 2．串联负反馈放大电路的输入电阻是无反馈时输入电阻的( A )

＋AF 倍 1＋AF 倍 F 倍 AF 倍 3．反相比例运算电路的一个重要特点是( A )

A.反相输入端为虚地

B.输入电阻大

C.电流并联负反馈

D.电压串联负反馈 4．文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数( C )才能满足起振条件

A.为1/3时

B.为3时

C.＞3

D.＞1/3 5．桥式整流电路若变压器二次电压为tV sin 210u 2ω=则每个整流管所承受的最大反向

电压为( A ) A.V 210

B.V 220 D.V 2

6.下列数据中，数值最小的数据为( B )

A.(12)i6

B.(21)S

C.(10011)2

D.(16)10 7．逻辑函数A(B ⊕C)写成与或表达式为( C )

A.C B A C B A +

B.C B A C B A +

C.C B A C B A +

D.C B A C B A +

8.对CMOS 与非门的多余输入端可以处理为( B )

A.悬空

B.接正电源

C.接地

D.接10K 电阻到地

9．设集成十进制加法计数器的初态为Q4Q3Q2Q1＝1001，则经过5个CP 脉冲以后计数

器的状态为( B )

.0100 C 10．集成单稳态触发器的暂稳维持时间取决于( C )

A.触发脉冲宽度

B.电源电压

C.外接定时电阻电容

D.稳态时间 三、分析计算题(每题10分，共40分) 1、已知四选一数据选择器的表达式为： Y ＝+001D A A +101D A A +201D A A 301D A A ， （1） 写出图示电路的输出表达式并化简； （2）列出真值表。

解：(1)AB C B A C B A BC A Z ＋＋＋＝ ＝AB ＋AC ＋BC

(2)

A B C Z

0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 0 1 0 1 1 1 1

2、理想运放构成的电路如图示 （1） 写出U o 的表达式。

（2） 若，＝Ω=Ω=2K R ,10K R R 231，＝，ΩΩ=120K R 40K R 54 求 2

10

uf U -U U A =

解：①）；

－）（＋＋

（＝－212

3

14

50U U R R R 1R R U (5分) ②；

＝－－＝

21U U U A 2

10

uf (5分) 3．已知X ＝X 2X 1X 0代表三位二进制数。设计一个组合电路，当X≥3时输出Y ＝1，当X ＜3时输出Y ＝0。要求：

（1） 列出真值表；（2）求Y 的最简与或表达式；（3）完全用与非门画出电路图。

①

X2 X1 X0 Y 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1

②Y ＝X 2＋X 1X 0 ③012X X X Y ?= 4． 时序逻辑电路如图

(1)列出状态表； (2)指出电路功能。 解：(1) (2)为五进制异

步加法计数器

电子技术基础试题

(五)

1.当P—N结承受反向电压时，其内部电流关系为( C )

A.扩散电流大于漂移电流

B.扩散电流等于漂移电流

C.扩散电流小于漂移电流

D.无法确定

2.图示电路，R

F

引入了( C )

A.串联电流负反馈

B.串联电压负反馈

C.并联电压负反馈

D.正反馈

3.共模抑制比K

CMR

是( C )

A.差模输入信号与共模输入信号之比

B.输入量中差模成份与共模成份之比

C.差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比

D.交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)之比

4.与八进制数(537)

８

相等的十六进制数是( C )

A.(17C)

16 B.(16B)

16

C.(17B)

16

D.(16C)

16

5.电路如图所示，设灯F亮为逻辑1，灭为逻辑0，开关A、B的逻辑状态如图中所示，

则灯Ｆ与开关A、B的逻辑关系为( B )

=A+B

=A B+A B

+AB

=AB+AB

6.图示电路，当EN=1时，F的状态为( A )

=0

=1

=A

=A

7.图示逻辑符号代表( C )

A.或非门电路

B.与或非门电路

C.集电极开路与非门电路(OC门)

D.异或门电路

型三极管工作于饱和状态时，三个电极的电位关系为( A )

>Ｕ

C ，U

B

>U

E

>U

C

，U

C

>U

B

>U

B >U

E

>U

B

>U

C

9.图示电路，若β=100，U

ＢE =伏，则静态基极电流I

BQ

等于( C )

μA

μA

10.图示LC振荡电路，为了满足振荡的相位条件，应将( C )

与4连接，2与5连接

与5连接，2与4连接

与3连接，4与5连接

与3连接，2与4连接

1.图示电路，二极管VD 1，VD 2为理想元件出，则U AB 为 0 伏。

2.温度T 对三极管输入特性的影响如图示，则图中温度较高的一条输入特性应是 T 2 。

3.放大电路输出端开路时的电压放大倍数比带上负载后的电压放大倍数 大 (大，小)。

4.放大电路的非线性失真，是由于晶体管工作时进入 饱和或截止区(非线性区) 引起的。

5.图放大电路，电压放大倍数u 0/u i 为 1+

R R 2

1

。 6.图26电路，R 2=22K Ω中的电流I 为 mA 。

7.图27为RC 振荡电路的选频网络，已知R 1=R 2，C 1=C 2，则反馈系数F ?

= 1/3 。 8.图28为电容三点式振荡电路，则该电路振荡频率的表达式f 0=

121212

πL C C C C ?

+。

9.组合逻辑电路的输出状态仅决定于 电路当时的输入状态 。 10.图示电路，输出端Q 次态的表达式为Q n+1=Q n 。 三、分析计算题(每题10分，共40分)

1、图示分压式偏置稳定放大电路，若r be =Ω，β=50。

求(1)电压放大倍数A v ； (2)若射极旁路电容Ce 开路，则电压放大倍数变为多大？

解：(1) A v =-

'=-?=-βγR L be 505

1615625.

. (2)ce 开路时，A v

u’=-

'++=-?+?=-βγβR R L be

e () (1505)

165133

147

R L '=10//10=5kΩ

2、图示电路中，运放为理想元件，

(1)指出A1，A2各为何种运算电路；(2)求出u 0与U i1和u i2之间的运算关系式。 解：(1)A 1为反相比例器 A 2为减法器 (2)u 01=-100

10

u i1=-10u i1 u 0=

50

10

(u i2-u i1)=5(u i2-u 01) =5u i2+50u i1

3、图示电路，分别列出x=″0″，″1″时电路的真值表，并说明该电路的逻辑功能。设电路的初态为″00″。 解：

由状态表可知，当控制端X=0时，电

路为一同步两位二进制加法计数器；当X=1时，电路为一同步两位二进制减法计数器。

4、一奇偶校验电路输入为ABC三位二进制代码，当输入ABC中有奇数个1时，输出F 为1，否则输出为０，试设计该逻辑电路，要求

(1)列出真值表

(2)写出逻辑函数

(3)画出用异或门实现该逻辑功能的逻辑图。

解：

模拟电子技术基础实验思考题

低频电子线路实验思考题 实验一常用电子仪器的使用（P6） 1.什么是电压有效值？什么是电压峰值？常用交流电压表的电压测量值和示波器的电压直接测量值有什么不同？ 答：电压峰值是该波形中点到最高或最低之间的电压值；电压有效值等于它的瞬时值的平方在一个周期内职分的平均值再取平方根。 常用交流电压表的电压测量值一般都为有效值，而示波器的电压直接测量都为峰值。 2.用示波器测量交流信号的峰值和频率，如何尽可能提高测量精度？答：幅值的测量：Y轴灵敏度微调旋钮置于校准位置，Y轴灵敏度开关置于合适的位置即整个波形在显示屏的Y轴上尽可能大地显示，但不能超出显示屏指示线外。频率测量：扫描微调旋钮置于校准位置，扫描开关处于合适位置即使整个波形在X轴上所占的格数尽可能接近10格（但不能大于10格）。 实验二晶体管主要参数及特性曲线的测试（P11） 1.为什么不能用MF500HA型万用表的R×1Ω和R×10Ω档量程测量工作极限电流小的二极管的正向电阻值？ 答：根据MF500HA型万用表的内部工作原理，可知R×1Ω和R×10Ω档量程测量工作极限电流小的二极管的正向电阻值的等效电路分别为图1和图2所示，此时流过二极管的最大电流，，当I D1和I D2大于该二极管的工作极限电流时就会使二极管损坏。

图1 图2 2. 用MF500HA型万用表的不同量程测量同一只二极管的正向电阻值，其结果不同，为什么？ 提示：根据二极管的输入特性曲线和指针式万用表Ω档的等效电路，结合测试原理分析回答。 答：R×1Ω：r o=9.4Ω; R×10Ω: r o=100Ω; R×100Ω: r o=1073Ω; R×1kΩ: r o=32kΩ。因为二极管工作特性为正向导通、反向截至，尤其是正向导通的输入特性曲线为一条非线性曲线。用MF500HA型万用表

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

电子技术基础习题答案(优.选)

第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 三、选择题：（每小题2分，共20分） 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 四、简述题：（每小题4分，共28分） 2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③ 3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。

园林花卉学试题一及答案

园林花卉学试题一及答案 一、选择题（20分，每题1分） 1．凤梨科植物要求的pH值（ A ） A. 4.0 B. 4.5~5.0 C. 5.5~6.0 D. 6 2．瓜叶菊要求的腐叶土、培养土、园土比例（ B ） A. 4﹕4﹕2 B. 5﹕3.5﹕1.5 C. 5﹕2﹕3 D. 3﹕5﹕2 3．微量元素占植物体重（） A. 0.1~0.2% B.3.6~4.5% C. 0.001~0.0001% D. 一半以上 4．形成灰分的矿物质元素有（a ） A. N. P. K. Ca. Mg B. N. P. K. Ca C. P. K. S. Ca. Mg. Fe D. D. O2. H2 5．叶暗绿色，生长延缓，下部叶的叶脉间黄化，表明缺（ b ）的表现。 A. N B. P C. Na D. Fe 6．低温温室温度应保持在（） A. 3~8℃之间 B. 4~10℃之间 C. 8~15℃之间 D. 15℃以上 7．不等屋面温室两屋面宽度比（ A ） A. 4﹕3 B. 5﹕2 C. 6﹕5 D. 3﹕1 8．当温室为东西延长时，南北两排温室间的距离通常为温室高度的（ C ）。 A. 3倍 B. 1倍 C. 2倍 D. 4倍 9．温室布置以（）投射角为宜。 A. 450 B. 600 C. 90 0 D. 300 10．秋菊适宜生长温度（ a ）。 A. 20℃ B. 21℃ C. 40℃ D. 30℃ 11．调节繁殖期的栽培期，采用（ d ）等措施可有效调节花期。 A. 修剪 B. 摘心 C. 施肥 D. 控制水分 12．温度催延花期的主要作用（ b ） A. 打破休眠 B. 花芽分化 C. 春化作用于 D. 影响花茎的伸长 13．催延花期的主要途径（ d ） A. 温度处理 B. 加速生长 C. 日照处理 D. 药剂处理 14．菊花平瓣类有（ a ） A. 宽带型 B. 平盘型 C. 雀舌型 D. 芍药型[ 15．菊花有抗（ c ）等毒气的功能。 A. SO2 B. HF C. HCl D. Cl2 16．瓜叶菊是花品种在8月播种，于11月以后增加人工光照，给予（）光照，12月可开花。 A. 10小时以下 B. 15~15.5S C. 15.5~16S D. 16S以上 17．唐菖蒲别名（abc ） A. 菖兰 B. 剑兰 C. 扁竹莲 D. 水薄荷 18．催延花期包括（ab ） A. 促成开花栽培 B. 抑制栽培 C. 打破休眠 D. 春化作用 19．实生苗和扦插苗的培养土比例（） A. 3﹕5﹕2 B. 5﹕3﹕2 C. 8﹕3﹕5 D. 4﹕4﹕2 20．缺铁表现（ B ） A. 病斑不常出现 B. 叶脉间黄化 C. 严重时叶缘及叶尖干枯

花卉学试题及答案

一、填空题 （每空格1分，共30分） 1、花卉栽培的方式是指＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿。 2、花卉生产水平最先进的三个国家是＿＿＿＿、＿＿＿＿、＿＿＿＿。 3、花卉分类的方法通常有8种，分别为＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿、 ＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿、 ＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿。 4、中国传统十大名花是指＿＿＿＿、＿＿＿＿、＿＿＿＿、＿＿＿＿、 ＿＿＿＿、＿＿＿＿、＿＿＿＿、＿＿＿＿、＿＿＿＿、＿＿＿＿。 5、花在开放过程中会变色的有＿＿＿＿、＿＿＿＿、＿＿＿＿等， 它们分别属于＿＿＿＿科、＿＿＿＿科、＿＿＿＿科。 二、名词解释 （每题2分，共10分） 1、春化作用 装 订 线（答题不 得超 过此 线）

2、光周期作用 3、花卉 4、模纹花坛 5、组织培养 三、单项选择题（每小题2分，共20分） 1、下列花卉中都属于二年生花卉的是（）。 A、虞美人、万寿菊 B、一串红、鸡冠花 C、金盏菊、雏菊 D、三色堇、百日草 2、下列花卉中属于阴性花卉的是（）。 A、肾蕨 B、景天 C、石莲花 D、仙人掌 3、下列花卉栽培时要求碱性土的是（）。 A、非洲菊 B、鸳鸯茉莉 C、杜鹃 D、龙船花 4、下列花卉中常采用匍匐茎繁殖的是（）。 A、大丽花 B、吊兰 C、蟛蜞菊 D、万寿菊

5、兰花中耐寒性最弱的为（）。 A、建兰 B、寒兰 C、惠兰 D、春兰 6、下列花卉中属于短日照花卉的是（）。 A、蒲包花 B、一串红 C、雏菊 D、一品红 7、要让一品红提前开花，最好的方法是（）。 A、每日给予14小时的光照 B、每日给予10小时的光照 C、每日给予16小时的光照 D、每日给予12小时的光照 8、虾衣花、矮牵牛在植物分类学上分别隶属于（）。 A、千屈菜科、旋花科 B、爵床科、旋花科 C、爵床科、茄科 D、千屈菜科、茄科 9、以下花卉中不属于室内观叶植物的是（）。 A、鸢尾 B、竹芋 C、万年青 D、绿萝 10、下列花卉中哪些是不宜摘心的（）。 A、鸡冠花、美女樱 B、万寿菊、一串红 C、千日红、矮牵牛 D、金鱼草、长春花 四、简答题（每题5分，共15分） 1、简述花境与花带的概念与二者的区别。

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14

园林花卉学试题及答案

花卉资料简答 一、名词解释（每小题3分，4小题，共计12分） 1.露地花卉：在当地得自然环境条件下能完成其全部得生长发育过程而不需要其她得保护措施。 2.水生花卉：在水中或沼泽地生长得花卉，包括湿生、沼生与两栖植物。 3.旱生花卉：这类花卉耐旱性强，能忍受较长期空气或土壤得干燥而继续生长。 4.湿生花卉：该类花卉抗旱性弱，生长期间要求经常有大量水分存在或有饱与水得土壤与空气，它们 得根茎叶内多有通气组织得气腔与外界相互通气，吸收氧气以供给根系需要。 5.岩生花卉：指耐旱性强，适合在岩石园栽培得花卉。 6.春播花卉：在一个生长季内完成生活史得植物。 7.秋播花卉：又叫二年生花卉，指在两个生长季内完成生活史得植物。 8.春植球根花卉：春季种植，春夏开花，秋冬地上部分枯死，地下根茎为球星或块状得多年生花卉， 喜较高得温度，不耐寒冷。 9.秋植球根花卉：秋季栽植，春季开花，夏季休眠度过高温，地下根茎变态成为球形或块状得多年生 花卉，较耐寒冷。 10.宿根花卉：地下部分得形态正常，不发生变态得多年生花卉。 11.温室花卉：在当地需要在温室中栽培，提供保护方能完成整个生长发育过程得花卉。 12.春化作用：某些植物个体发育过程中要求必须通过一个低温周期，才能获得成花得能力，这个低温 周期就就是春化作用，也叫植物得感温性。 13.光周期:指以日中日出日落得时数（一天得光照长度）或指一日中明暗交替得时数。 14.光照强度:单位面积上接受可见光得能量。 15.光质:即为照射光中包含得不同波长得光，不同波长得得光对植物生长发育得作用不同。 16.年周期:植物在一年内其植株个体所经历得休眠、萌发、生长、开花、结实得过程。 17.生命周期:植物从种子萌发时起，经过营养生长变成植株，然后经历生殖发育阶段（开花、结果或贮 藏器官形成），最后死亡得全过程成为植物得生命周期。 18.景天植物代谢途径:一些旱生植物夜间气孔开放吸收二氧化碳，白天关闭气孔，并利用夜间吸收与固 定在苹果酸内得二氧化碳进行光合作用以减少水分损失。由于这种代谢方式最早在景天科植物中发现，所以叫景天植物代谢途径。 19.有效积温:每种植物都有其生长得下限温度，当温度高于下限温度时，植物才能生长发育；对植物生 长发育其有效作用得高出得温度值称作有效积温，就是植物在生个生育期得有效温度得总与。光补偿点: 20.光饱与点:当光照强度增加到某一点时，再增加光照强度也不会提高植物得光合强度，这一点得光照 强度称为光饱与点。 21.花芽分化:当植物生长到一定阶段，在外界环境满足其生理要求植物由营养到生殖生长得整个过程。 22.分株：将根际或地下茎发生萌蘖切下栽培使其形成独立得植株。 23.扦插：利用植物营养器官（根、茎、叶）得再生能力或分生机能将其从母体上切取，在适宜条件下， 促使其发生不定芽与不定根，成为新植株得繁殖方法。 24.压条：将接近地面得枝条，在其基部堆土或将其下部压入土中；较高得枝条则采用高压法，即以湿 润土壤或青苔包围被切伤枝条部分，给予生根得环境条件，待生根后剪离，重新栽植成独立植株。 25.嫁接：将植物得一部分（接穗）嫁接到另外一个植物体（砧木）上，其组织相互愈合后，培养成独 立个体得繁殖方法。 26.有性繁殖：又称种子繁殖，就是雌雄两配子结合形成种子，再用种子繁殖得到新得个体得方法。 27.营养繁殖：又称无性繁殖，利用花卉植物体（根、茎、叶、芽）得一部分进行繁殖，培育成新得植 物体得方法。 28.组织培养：就是指在无菌条件下，分离植物体得一部分（外植体），接种到人工配制得培养基上，在 人工控制得环境条件下，将其产生完整植株得过程。 29.吸芽：某些植物根际或地上茎与叶腋间自然发生得缩短，肥厚星莲座状得短枝。

电子技术基础实验答案

实验一、常用电子仪器的使用 一、实验目的 1、学习电子技术实验中常用电子仪器的主要技术指标、性能和正确使用方法。 2、初步掌握用示波器观察正弦信号波形和读取波形参数的方法。 电路实验箱的结构、基本功能和使用方法。 二、实验原理 在模拟电子电路实验中，要对各种电子仪器进行综合使用，可按照信号流向，以接线简捷，调节顺手，观察与读数方便等原则进行合理布局。接线时应注意，为防止外界干扰，各仪器的公共接地端应连接在一起，称共地。 1．信号发生器 信号发生器可以根据需要输出正弦波、方波、三角波三种信号波形。输出信号电压频率可以通过频率分挡开关、频率粗调和细调旋钮进行调节。输出信号电压幅度可由输出幅度调节旋钮进行连续调节。 操作要领： 1）按下电源开关。 2）根据需要选定一个波形输出开关按下。 3）根据所需频率，选择频率范围（选定一个频率分挡开关按下）、分别调节频率粗调和细调旋钮，在频率显示屏上显示所需频率即可。 4）调节幅度调节旋钮，用交流毫伏表测出所需信号电压值。 注意：信号发生器的输出端不允许短路。 2．交流毫伏表 交流毫伏表只能在其工作频率范围内，用来测量300伏以下正弦交流电压的有效值。 操作要领： 1）为了防止过载损坏仪表，在开机前和测量前（即在输入端开路情况下）应先将量程开关置于较大量程处，待输入端接入电路开始测量时，再逐档减小量程到适当位置。 2）读数：当量程开关旋到左边首位数为“1”的任一挡位时，应读取0～10标度尺上的示数。当量程开关旋到左边首位数为“3”的任一挡位时，应读取0～3标度尺上的示数。 3）仪表使用完后，先将量程开关置于较大量程位置后，才能拆线或关机。 3．双踪示波器 示波器是用来观察和测量信号的波形及参数的设备。双踪示波器可以同时对两个输入信号进行观测和比较。 操作要领： 1）时基线位置的调节开机数秒钟后，适当调节垂直（↑↓）和水平（←→）位移旋钮，将时基线移至适当的位置。 2）清晰度的调节适当调节亮度和聚焦旋钮，使时基线越细越好（亮度不能太亮，一般能看清楚即可）。 3）示波器的显示方式示波器主要有单踪和双踪两种显示方式，属单踪显示的有“Y1”、“Y2”、“Y1+Y2”，作单踪显示时，可选择“Y1”或“Y2”其中一个按钮按下。属双踪显示的有“交 替”和“断续”，作双踪显示时，为了在一次扫描过程中同时显示两个波形，采用“交替”显示 方式，当被观察信号频率很低时（几十赫兹以下），可采用“断续”显示方式。 4）波形的稳定为了显示稳定的波形，应注意示波器面板上控制按钮的位置：a）“扫描

电子技术基础习题答案

第1 章检测题（共100 分，120 分钟） 一、填空题：（每空分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 _五_价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为—自由电子_,少数载流子为—空穴_,不能移动的杂质离子带—正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 _三_价元素组成的。这种半导体内 的多数载流子为—空穴_,少数载流子为—自由电子_,不能移动的杂质离子带_负_电。 2、三极管的内部结构是由—发射—区、_基_区、—集电区—区及—发射—结和—集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是—发射—极、_基_极和—集电—极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 _相反—，有利于—多数载流子—的 _扩散—运动而不利于—少数载流子_的_漂移_; PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向—一致_，有利于_少子—的_漂移_运动而不利于_多子_的_扩散_，这种情况下的电流称为_反向饱和_电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由_巳向_N区进行扩散，N 型半导体中的多数载流子由__^_向—P_区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个—空间电荷区_,其方向由_N区指向_P_区。—空间电荷区—的建立，对多数载流子的—扩散—起削弱作用，对少子的—漂移—起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，_PN结—形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的_R X 1K档位，当检测时表针偏转 度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的_阴_极；与黑表棒相接触的电极是二 极管的_阳_极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被—击穿_;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经_绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MO$管。其导电沟道分有N沟道和―巳沟

花卉学考试试题及答案

花卉学考试试题 一.名词解释 1.春播花卉 2.花卉的生命周期 3.春化作用 4.生态因子 5.花芽分化 6.分生繁殖 7.温度三基点 8.间苗 9.花镜 10.莲座化 二.单项选择 1.下列属于草本花卉的是（） A.月季 B.牡丹 C.二月兰 D.樱花 2.天下第一香花是指（） A.菊花 B.兰花 C.桂花 D.夜来香 3.下列属于观叶花卉的是（） A.金鱼草 B.无花果 C.马蹄莲 D.猪笼草 4.兰科植物按其生长习性分类中属于附生兰的是（） A.剑兰 B.兜兰 C.春兰 D.惠兰 5.下列花前成熟期最短的为（） A.牡丹 B.牵牛花 C.瓜叶菊 D.欧洲落叶松 6.郁金香的地下部分形态类型为（） A．块茎类B．球茎类C．根茎类D．鳞茎类 7.下列花卉通过春化的阶段的方式为种子春花的是（） A．紫罗兰B．月见草C．香豌豆D．毛地黄 8.短日照可促进其开花的植物是（） A．一品红B．福禄考C．瓜叶菊D．紫罗 9.下列不属于花芽分化的阶段的是（） A．生理分化期B．形态分化期C．花前成熟期D．性细胞形成期

10.月季一般采用的催芽方法为（） A．锉伤种皮B．温水浸种催芽C．去蜡浸种D．低温沙藏 11.适于细小种子的播种方法是（） A．撒播法B．条播法C．双盆法D．点播 12下列植物中一般采用的吸芽分生繁殖方式的是（） A．春兰B．芦荟C．狗牙根D．香蒲 13.嫁接方法中不包括（） A．茎接B．枝接C．芽接D．根接 14.一二年生花卉的整地深度大致为（） A．20—30cmB．35—45cmC．40—50 cmD．45—55cm 15.以下哪一项不属于摘心的作用（） A．促进分枝生长，增加枝条数目B．幼苗期间早摘心促其分枝C．抑制枝条徒长，使枝梢充实D．抑制新梢的徒长，而促进花芽的形成 16.以下花卉进行长日照处理可推迟开花的是（） A．紫罗兰B．秋菊C．三色堇D．四季报春 17.以下不属于赤霉素的作用的是（） A．打破休眠B．使茎叶伸长生长，促进开花C．促进花芽分化D．延迟开花18．依下哪项不属于花镜依设计形式的分类（） A．单面观赏花镜B．双面观赏花镜C．混合式花镜D．对应式花境19.以下花卉中只有生长期没有休眠期的是（） A．万年青B．水仙C．郁金香D．芍药 20.以下植物类别通过春化阶段时所需的温度由低到高依次为（） A．春性植物、半冬性植物、冬性植物 B．半冬性植物、冬性植物、春性植物 C．春性植物、冬性植物、半冬性植物 D．冬性植物、半冬性植物、春性植物 三.多项选择 1.下列属于一年生花卉的有（） A．万寿菊B．百日草C．紫罗兰D．鸡冠E．芍药2.下列属于观果类花卉的有（） A．代代B．佛手C．山影拳D．石蒜E．冬珊瑚3.四大切花花卉是指（） A．唐菖蒲B．康乃馨C．玫瑰D．非洲菊E．百合 4.光周期作用对植物的影响有（） A．影响植物的成花B．影响花卉种类的分布C．影响器官的衰老、脱落和休眠D．影响分枝习性E．影响块根、球茎、块茎等地下器官的形成5.随温度的升高和光强的减弱，花色会变浅的植物是（） A．落地生根B．矮牵牛C．月季D．蟹爪兰E．倒挂金钟 6.增强植物耐寒力的措施有（） A．早播B．地面覆盖C．施磷钾肥D．晚播E．炼苗 7.以下属于培养土特点的是（） A．富含腐植质B．土壤松软C．空气性好 D．能长久保持土壤的湿润状态E．不易干燥

花卉学试题

一、名词解释题（每小题4分，共20分） 1、宿根花卉指地下部分形态正常，地上部分在冬季来临时或枯死或进入休眠状态，但根系在土壤中宿存，来年春暖后重新萌发生长的草本植物。 2、花坛:在具有一定几何轮廓的种植床内，按照设计意图在一定形体范围内栽植各种植物（以一、二年生花卉、球根花卉为主），或者不设种植床而以器皿灵活摆设来构成具有华丽纹样或美丽色彩的装饰绿地，以表现群体美的设施。 3、摘心与抹芽:摘心指去除花卉的顶端部分以达到抑制其高生长的目的；抹芽或称除芽，即将多余的腋芽全部除去以控制枝条的数量。 4、花卉生命周期:每种花卉都有它的生长、结果、衰老、死亡的过程，这种过程叫生命周期。 5、花卉促成与抑制栽培:促成和抑制栽培又称催延花期，也称花期调控，它是指通过人为地改变环境条件以及采取一些特殊的栽培管理方法，使一些花卉在自然以外的时间开放。 二、选择题（不定项选择，每小题3分，共15分） 1、下列肥料类型属于有机肥的是 B 。A.堆肥、饼肥、鱼粉、过磷酸钙 B.厩肥、堆肥、骨粉、菜籽枯 C.硫酸钾、硝酸钾、厩肥、骨粉 D.菜籽枯、鸡鸭粪、尿素、碳酸氢铵 2、在盆花栽培中，冬季浇水应在 BC 进行。A.早晨7-8时 B.上午10-12时 C.下午2-3时 D.傍晚6-7时 E.晚上8-9时 3、大丽花属D气侯型花卉。 A.中国 B.欧洲 C.地中海 D.墨西哥 E.热带 4、下列花卉在四川属二年生栽培的有ABC 。A.金盏菊 B.雏菊 C.报春花 D.凤仙花 E.麦杆菊 5、在栽培管理上，对那些分枝能力弱的草花，如 A 多不宜摘心。 A.鸡冠花 B.一串红 C.金盏菊 D.麦秆菊 E.凤仙花 不适合摘心的花卉有翠菊、鸡冠花、雁来红、向日葵、虞美人、花棱草、罂粟、蜀葵、锦葵、黄蜀葵等。 三、填空题（每空分，共15分） 1、球根花卉按形态特征可分为球茎类花卉、鳞茎类花卉、块茎类花卉、 根茎类花卉、块根类花卉；若按生态习性可分为春植球根花卉和 秋植球根花卉。 2、四大商品切花是月季、唐菖蒲、菊花、康乃馨。 3、确定花卉播种时期的依据是生物学特性；需花时间；环境条件。 4、花卉整型形式多种多样，概括有 二：一是自然式，二是人工式。 5、一年生花卉春季播种，夏秋季开花结实，举出其中三种花卉名称鸡冠花、百日草、牵牛花。二年生花卉秋冬季播种，翌年春夏季开花结实，举出其中三种花卉名称风铃草、毛地黄、紫罗兰。 6、草本花卉的园林应用形式主要有花坛、花池、花台、花境、水景园、岩石园、草坪、地被等。 四、判断改错题（每小题3分，共15分。正确的在括号内打“√”，错误的打“×”，并改正） 1、百合的无性繁殖方式主要有播种繁殖、分球繁殖、鳞片扦插和珠芽繁殖等。（√） 2、菊花的花不是一朵花而是一个花序，它是由舌状花和筒状花组成的，当筒状花发达而舌状花只有一轮时，称单瓣，舌状花多轮时称重瓣。（√） 3、我国传统十大名花中的木本花卉是桂花、杜鹃、玉兰花、月季、牡丹、梅花等。（×）十大名名花：六木：杜鹃、牡丹、桂花、茶花、梅花、月季 四草：兰花、荷花、菊花、水仙花 4、进入秋季后，红叶李、红花檵木等的叶色不会发生显着的变化，而银杏等的叶色会发生显着的变化。（√） 5. 花卉植物进行轮作的目的是为了最大限度地利用地力和防除病虫害。（√） 五、问答题（第1、2小题每题8分，第3小题9分，第4小题10分，共35分） 1．简述光照对花卉生长发育的影响（8分）。

电子技术基础实验答案

电子技术基础实验答案 导语：在模拟电子电路实验中，要对各种电子仪器进行综合使用，可按照信号流向，以接线简捷，调节顺手，观察与读数方便等原则进行合理布局。以下为大家介绍电子技术基础实验答案文章，欢迎大家阅读参考! 实验一、常用电子仪器的使用 1、学习电子技术实验中常用电子仪器的主要技术指标、性能和正确使用方法。 2、初步掌握用示波器观察正弦信号波形和读取波形参数的方法。 电路实验箱的结构、基本功能和使用方法。 在模拟电子电路实验中，要对各种电子仪器进行综合使用，可按照信号流向，以接线简捷，调节顺手，观察与读数方便等原则进行合理布局。接线时应注意，为防止外界干扰，各仪器的公共接地端应连接在一起，称共地。 1．信号发生器 信号发生器可以根据需要输出正弦波、方波、三角波三种信号波形。输出信号电压频率可以通过频率分挡开关、频率粗调和细调旋钮进行调节。输出信号电压幅度可由输出幅度调节旋钮进行连续调节。 操作要领：

1）按下电源开关。 2）根据需要选定一个波形输出开关按下。 3）根据所需频率，选择频率范围、分别调节频率粗调和细调旋钮，在频率显示屏上显示所需频率即可。 4）调节幅度调节旋钮，用交流毫伏表测出所需信号电压值。 注意：信号发生器的输出端不允许短路。 2．交流毫伏表 交流毫伏表只能在其工作频率范围内，用来测量300伏以下正弦交流电压的有效值。 1）为了防止过载损坏仪表，在开机前和测量前应先将量程开关置于较大量程处，待输入端接入电路开始测量时，再逐档减小量程到适当位置。 2）读数：当量程开关旋到左边首位数为“1”的任一挡位时，应读取0～10标度尺上的示数。当量程开关旋到左边首位数为“3”的任一挡位时，应读取0～3标度尺上的示数。 3）仪表使用完后，先将量程开关置于较大量程位置后，才能拆线或关机。 3．双踪示波器 示波器是用来观察和测量信号的波形及参数的设备。双踪示波器可以同时对两个输入信号进行观测和比较。

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，

陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

学习《电子技术基础》的一些心得体会

学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层，最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习，你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好，可以肯定，其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础，就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂，你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图？如果你对数字电路一窍不通，你怎么去学习计算机硬件和软件知识？你怎么能成为出色的电气工程师？ 二.培养对电子技术的兴趣，使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道，如果你想要学习某个方面的知识和技能，就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手，除了其本身有好的嗓子外，他（她）们肯定对唱歌有浓厚的兴趣，他（她）们才能如此刻苦去学习，才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手，如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样，学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣，不是老师要我学，而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习，才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年，其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术，对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业，而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂，当时正是文化革命时期，到了工厂就接受工人阶级再教育，六、七年的时间，和其它工人师傅一样，一直在车间生产第一线。三班倒，干的是高温作业，又热又累的工作。尽管干的别的工种的活，但我热爱电子技术。到工厂之后，对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代，本人又从研究所调回学校，从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。

模拟电子技术基础知识讲解

常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×） （5）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（√） 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 （5）在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图T1.4

园林花卉学试题及答案

园林花卉学试题及答案(5套) 园林花卉学试题一及答案 一、选择题（20分，每题1分） 1．凤梨科植物要求的pH值（ A ） A. 4.0 B. 4.5~5.0 C. 5.5~6.0 D. 6 2．瓜叶菊要求的腐叶土、培养土、园土比例（ B ） A. 4﹕4﹕2 B. 5﹕3.5﹕1.5 C. 5﹕2﹕3 D. 3﹕5﹕2 3．微量元素占植物体重（） A. 0.1~0.2% B.3.6~4.5% C. 0.001~0.0001% D. 一半以上 4．形成灰分的矿物质元素有（a ） A. N. P. K. Ca. Mg B. N. P. K. Ca C. P. K. S. Ca. Mg. Fe D. D. O2. H2 5．叶暗绿色，生长延缓，下部叶的叶脉间黄化，表明缺（ b ）的表现。 A. N B. P C. Na D. Fe 6．低温温室温度应保持在（） A. 3~8℃之间 B. 4~10℃之间 C. 8~15℃之间 D. 15℃以上 7．不等屋面温室两屋面宽度比（ A ） A. 4﹕3 B. 5﹕2 C. 6﹕5 D. 3﹕1 8．当温室为东西延长时，南北两排温室间的距离通常为温室高度的（ C ）。 A. 3倍 B. 1倍 C. 2倍 D. 4倍 9．温室布置以（）投射角为宜。 A. 450 B. 600 C. 90 0 D. 300 10．秋菊适宜生长温度（ a ）。 A. 20℃ B. 21℃ C. 40℃ D. 30℃ 11．调节繁殖期的栽培期，采用（ d ）等措施可有效调节花期。 A. 修剪 B. 摘心 C. 施肥 D. 控制水分 12．温度催延花期的主要作用（ b ） A. 打破休眠 B. 花芽分化 C. 春化作用于 D. 影响花茎的伸长 13．催延花期的主要途径（ d ） A. 温度处理 B. 加速生长 C. 日照处理 D. 药剂处理 14．菊花平瓣类有（ a ） A. 宽带型 B. 平盘型 C. 雀舌型 D. 芍药型[ 15．菊花有抗（ c ）等毒气的功能。 A. SO2 B. HF C. HCl D. Cl2 16．瓜叶菊是花品种在8月播种，于11月以后增加人工光照，给予（）光照，12月可开花。 A. 10小时以下 B. 15~15.5S C. 15.5~16S D. 16S以上 17．唐菖蒲别名（abc ） A. 菖兰 B. 剑兰 C. 扁竹莲 D. 水薄荷 18．催延花期包括（ab ） A. 促成开花栽培 B. 抑制栽培 C. 打破休眠 D. 春化作用 19．实生苗和扦插苗的培养土比例（） A. 3﹕5﹕2 B. 5﹕3﹕2 C. 8﹕3﹕5 D. 4﹕4﹕2 20．缺铁表现（ B ）

电子技术基础实验报告

电子技术实验报告 学号： 222014321092015 姓名： 刘 娟 专业： 教育技术学 实验三 单级交流放大器（二） 一、 实验目的 1. 深入理解放大器的工作原理。 2. 学习测量输入电阻、输出电阻及最大不失真输出电压幅值的方法。 3. 观察电路参数对失真的影响. 4. 学习毫伏表、示波器及信号发生器的使用方法。 二. 实验设备: 1、实验台 2、示波器 3、数字万用表 三、预习要求 1、熟悉单管放大电路。 2、了解饱和失真、截止失真和固有失真的形成及波形。 3、掌握消除失真方法。 四、实验内容及步骤 ● 实验前校准示波器，检查信号源。 ● 按图3-1接线。 图3-1 1、测量电压参数，计算输入电阻和输出电阻。 ● 调整RP2，使V C =Ec/2（取6～7伏），测试V B 、V E 、V b1的值，填入表3-1中。 表3-1 ● 输入端接入f=1KHz 、V i =20mV 的正弦信号。 ● 分别测出电阻R 1两端对地信号电压V i 及V i ′按下式计算出输入电阻R i ： ● 测出负载电阻R L 开路时的输 出电压V ∞ ，和接入R L （2K ）时的输出电压V 0 , 然后按下式计算出输出电阻R 0； 将测量数据及实验结果填入表3-2中。 2 中。 ● 输入信号不变，用示波器观察正常工作时输出电压V o 的波形并描画下来。 ● 逐渐减小R P2的阻值，观察输出电压的变化，在输出电压波形出现明显失真时，把失

真的波形描画下来，并说明是哪种失真。( 如果R P2=0Ω后，仍不出现失真，可以加大输入信号V i ，或将R b1由100K Ω改为10K Ω，直到出现明显失真波形。) ● 逐渐增大R P2的阻值，观察输出电压的变化，在输出电压波形出现明显失真时，把失 真波形描画下来，并说明是哪种失真。如果R P2=1M 后，仍不出现失真，可以加大输入信号V i ，直到出现明显失真波形。 表 3-3 ● 调节R P2使输出电压 波形不失 真且幅值 为最大（这 时的电压放大倍数最大），测量此时的静态工作点V c 、V B 、V b1和V O 。 表 3-4 五、实验报告 1、分析输入电阻和输出电阻的测试方法。 按照电路图连接好电路后，调节RP2，使Vc 的值在6-7V 之间，此时使用万用表。接入输入信号1khz 20mv 后，用示波器测试Vi 与Vi ’，记录数据。用公式计算出输入电阻的值。在接入负载RL 和不接入负载时分别用示波器测试Vo 的值，记录数据，用公式计算出输出电阻的值。 2、讨论静态工作点对放大器输出波形的影响。 静态工作点过低，波形会出现截止失真，即负半轴出现失真；静态工作点过高，波形会出现饱和失真，即正半轴出现失真。 实验四 负反馈放大电路 一、 实验目的 1、熟悉负反馈放大电路性能指标的测试方法。 2、通过实验加深理解负反馈对放大电路性能的影响。 二、实验设备 1、实验台 2、示波器 3、数字万用表 三、预习要求 1、熟悉单管放大电路，掌握不失真放大电路的调整方法。 2、熟悉两级阻容耦合放大电路静态工作点的调整方法。 3、了解负反馈对放大电路性能的影响。 四、实验电路