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模拟电子第一章练习题

说明:以下是整理出来的第一章的一些练习题,部分习题已有答案,答案仅供同学们参考,对答案有疑问的,欢迎同学们提出。对于没提供答案的习题,请同学们根据所学内容进行解答。另外,教材中的书后习题,同学们也要认真做一做,答案可以参考教学指导书。

一.填空题

1. 和开路PN结的结区宽度相比较,当PN结加正偏电压时,其结区宽度将变窄;当PN结加反偏电压时,其结区宽度将变宽。

2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的单向导电特性,稳压管的稳压作用是利用PN结的反向击穿特性。

3. 在PN结的形成过程中,载流子扩散运动是载流子的浓度差作用下产生

的,漂移运动是载流子在内电场作用下产生的。

4. 半导体中有自由电子和空穴两种载流子。本征半导体的导电能力取决于环境温度或光照强度,杂质半导体的导电能力主要取决于掺杂浓度。

5.温度升高,本征载流子浓度增加;杂质半导体中少子浓度增加,多子浓度基本不变。

6.改变半导体导电能力的方法有受到外界光和热的刺激和在纯净的

半导体中加入微量的杂质。

7.N型半导体的多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。

8.P型半导体的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。

9.PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式,分别是多数载流子的

扩散运动和少数载流子的漂移运动。

10.PN结的电击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。

11. 稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于反向击穿(正向导通;反向截止;

反向击穿)。

12. 三极管工作在放大状态时,发射结应正向偏置,集电结应反向偏置。

若工作在饱和状态时,发射结应正向偏置,集电结应正向偏置。若工作在截止状态时,发射结应反向偏置,集电结应反向偏置。

13. 三极管电流放大系数β=50,则α=0.98 ;若α=0.99,则β=99 。

14.BJT所代表的电气元件是双极结型三极管。

15.三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。

16. 三极管的放大作用一方面要满足内部条件,即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小;另一方面要满足外部条件,即发射结要正向偏置、集电结要反向偏置。

17.根据结构的不同,场效应管可分为结型场效应管和金属-氧化物-半导体场效应管两类。

18. MOSFET所代表的电气元件是金属-氧化物-半导体场效应管。

19. 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。

20. JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制,来改变导电沟道的宽窄,

从而控制漏极电流的大小;而MOSFET则是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面感生电荷的多少,从而控制漏极电流的大小。

21. 半导体三极管属于电流控制器件,而场效应管属于电压控制器件

二.选择题

1. 由理想二极管组成的电路如图所示,其A、B两端的电压U AB应为( B )。

A、U AB=-12V

B、U AB=-6V

C、U AB=+6V

D、U AB=+12V

模拟电子第一章练习题

2. 由硅二极管组成的电路如图所示,电阻R2中的电流I为( C )。

A、I=2mA

B、I=0mA

C、I=1.5mA

D、I=-1.5mA

模拟电子第一章练习题

3.硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为( B )。

A、0.6V;0.6V

B、0.6V;0.1V

C、0.1V;0.6V

D、0.1V;0.1V

4.在杂质半导体中,少数载流子的浓度取决于( A )。

A、温度

B、掺杂元素

C、掺杂浓度

D、掺杂工艺

5.N型半导体是在纯净的本征半导体中加入( D )。

A、自由电子

B、空穴

C、硼元素

D、磷元素

6.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(c),而少数载流子的浓度则与(a)有很大关系。

A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷

7.当PN结外加正向电压时,扩散电流(a)漂移电流,耗尽层(e),当PN结外加反向电压时,扩散电流(b)漂移电流,耗尽层(d)。

A.大于

B.小于

C.等于

D.变宽

E.变窄

F.不变

8.用万用表直流电压档,测得电路中晶体管(硅管)各电极相对于某一参考点的电位如图所示,从而可以判断出该晶体管工作在( D )。

A、放大状态

B、饱和状态

C、截止状态

D、倒置状态

模拟电子第一章练习题

9.某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管(d)。

A.处于放大区域

B.处于饱和区域

C.处于截止区域

D.已损坏

模拟电子第一章练习题

10. 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V,则该管为( A )。

A、NPN硅管

B、NPN锗管

C、PNP硅管

D、PNP锗管

11. 测得某放大电路中NPN管三个极对地的电位分别为U C=12V,U B=1.8V和U E=0V,则该管是处于( D )。

A、放大状态

B、饱和状态

C、截止状态

D、已损坏

12. 场效应管本质上是一个( C )。

A、电流控制电流源器件

B、电流控制电压源器件

C、电压控制电流源器件

D、电压控制电压源器件

13.某场效应管的转移特性如图所示,则该管是(A )。

A、P沟道增强型MOSFET

B、P沟道JFET

C、N沟道增强型MOSFET

D、N沟道耗尽型MOSFET

模拟电子第一章练习题

14.已知某FET的输出特性如图所示,试判别它是( D )。

A、P沟道增强型MOSFET

B、N沟道JFET

C、P沟道耗尽型MOSFET

D、N沟道耗尽型MOSFET

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三、判断

1. 判断图中理想二极管的工作状态,并求出AO两端的电压。

模拟电子第一章练习题

D1处于导通状态、D2处于截止状态V AO=0V。

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D1处于截止状态、D2处于导通状态V AO=-6V。

2. 试判断图中的二极管是导通还是截止,为什么?(假设二极管是理想的)

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V A=1V V B=1+2.5=3.5V D处于反向截止状态。

模拟电子第一章练习题

V A=1V V B=2.5-1=1.5V D处于反向截止状态。

模拟电子第一章练习题

V A=1V V B=2.5-2=0.5V D处于正向导通状态。

3. 如图u i=2Esinωt,D1、D2为理想二极管,试求D1、D2的工作状态及u o波形。

模拟电子第一章练习题

4. 电路如图所示稳压管D Z的稳定电压V Z=8V,限流电阻R=3K,设v i=15sinωt,

试画出v o的波形。

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四.简答题

1. 简述PN结的形成过程及其单向导电性原理。

2. 写出下面电路的名称并以V I恒定而R L减小情况为例叙述其工作原理。

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该电路是并联式稳压电路。电路中D Z为稳压管,R为限流电阻,它的作用是使电路有个合适的工作状态,并限定电路的工作电流。负载R L与稳压管并联,因而称为并联式稳压管电路。这种稳压管之所以能够稳定输出电压,在于当稳定电流I Z有较大幅度的变化△I Z时,而稳定电压的变化△V Z却很小。这样,当V I或R L变化时,电路能自动的调整I Z的大小,以改变R上的压降I R R,达到维持输出电压V O(V Z)基本恒定的目的。例如:

当R L不变,V I变化时,V I↑→V O↑→I Z↑→I R↑→V R↑→V O↓。当V I不变,R L变小时,R L↓→I O↑→I R↑→V O↓→I Z↓→I R↓→V O↑。

3. 简述BJT内部载流子电流分配及放大作用。

以NPN型BJT为例,为使发射区发射电子,集电区收集电子,必须具备的条件是:发射结加正向电压,集电结加反向电压,在这些外加电压的条件下,管内载流子的传输将发生下列过程:

(1)发射区向基区注入电子………….

4. 下图所示的为MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种沟道。如果是增

强型,说明它的开启电压U GS(th)(V T)=?如果是耗尽型,说明它的夹断电压U GS(off) (V P)=?(图中i D的假定正向为流进漏极)

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该FET为N沟道耗尽型MOSFET,其U GS(off) (V P)=-3V;该FET为P沟道增强型MOSFET,其U GS(th) (V T)=-4V。

五.电路分析与计算

1. 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为V A=-9V,

V B=-6V,V C=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射级e、集电极c、并说明此BJT是NPN管还是PNP管。

2. 某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的电流如图,用万用表直流电流档测得I A=-2mA,I B=-0.04mA,I C=+2.04mA,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射级e、集电极c、并说明此管是NPN管还是PNP管。

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