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作业13_集成工艺答案

1) 设计制作如下图所示的E/D NMOS的工艺步骤(不需要详细时间/温度)。注意:

两个MOS结构上完全相同,只是耗尽型器件的沟道需要另外增加一次离子注入以便形成负的V T;耗尽型NMOS的栅和源直接连接。仿照课堂上介绍的CMOS 工艺流程画图示意该E/D NMOS的主要工艺步骤。假定多晶硅由LPCVD制作,

1.5μm厚的氧化硅由PECVD400?C下低温淀积。

2) 假定衬底掺杂浓度为1015cm-3,源漏的掺杂浓度为1020cm-3,结深为0.5μm,

阈值电压调节注入时要求表面掺杂浓度为1017cm-3,而且在距表面0.5μm处降至与衬底浓度相同。根据你设计的工艺步骤,i)设计LOCOS和栅氧化所需的气氛,计算LOCOS所需的氧化时间和温度。ii)计算形成源漏和两个阈值电压调节所需的离子注入剂量。iii)计算上述三个离子注入区域的“驱入退火”所需的时间和温度。iv)根据以上的计算结果决定是否需要对问题1)中的所有退火步骤进行修正(包括顺序)。

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解:

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