键合互连对微波多芯片组件相位特性的影响

键合互连对微波多芯片组件相位特性的影响

杜丽军

【期刊名称】《电子元件与材料》

【年(卷),期】2013(032)007

【摘要】对键合互连对微波多芯片组件的相位特性影响进行了理论分析,并通过仿真软件HFSS对金丝键合互连模型进行了仿真.给出了在8～18 GHz的频率范围内,由于金丝拱高和跨距装配误差带来的相位误差.仿真分析表明,当金丝跨距在0.4～0.8 mm范围内波动时,最大相位差值在11 GHz以上时会超过20°,而当拱高在0.1～0.4 mm范围内波动时,最大相位差值在10 GHz以上时会超过20°,在13 GHz以上频率会超过30°.

【总页数】3页(54-56)

【关键词】键合互连;微波多芯片组件;相位;功率合成;仿真;MMIC

【作者】杜丽军

【作者单位】中国电子科技集团公司第三十八研究所,安徽合肥230088

【正文语种】中文

【中图分类】TN305.94

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