ARM芯片手册知识点

1，norflash与nandflash的区别

【什么是OneNand Flash】NandFlash和NorFlash

OneNand是针对消费类电子和下一代移动手机市场而设计的，一种高可靠性嵌入式存储设备。

随着过去几十年的Nand技术的发展，一些公司，基于原先的NAND的架构，

设计出一种理想的单存储芯片，其集成了SRAM的缓存和逻辑接口。

OneNand既实现NOR Flash的高速读取速度，又保留了Nand Flash的大容量数据存储的优点。与OneNand对应的是之前早就出现的Nand Flash和Nor Flash。

【OneNand Flash的用途】

基于OneNAND的芯片组的主要目标将是3G电话。写速度为17MB/s的这种存储器能保证对超过HSDPA规定的连续数据流无线下载。除多媒体手机设计外，OneNAND肯定是混合硬盘用非易失性缓冲器一个有价值的选择。目前，采用60nm工艺技术的芯片可提供高达2 Gb 的存储容量，并且在今年晚些时候，将可能出现采用50nm工艺技术容量达4Gb的芯片。

NandFlash和NorFlash都是Flash的一种，都是散存，都是磁盘存储介子，但是NandFlash一般比较大，而NorFlash都比较小，并且NorFlash比较贵，并且NorFlash写的速度比较慢，但读的速度比较快，而NandFlash读的速度比较慢，写的速度比较快

SRAM是静态随机存储器，DRAM是动态随机存储器。SRAM的速度更快，但比较贵。DRAM 便宜一点，但速度就慢一点了。

2.内存地址的计算方法

内存地址的计算方法

内存是按字节编址的，所以单位是字节，1字节可是等于8位的。因为计算的范围一般比较小，所以就记住两个就够了。记住几个常用的2的10次方为1024即1KB

2的20次方=（2的10次方）的平方，即1MB就行了

如果要求更大的，那就再记住2的40次方=（2的10次方）的4次方=1GB，一般就够用了。

题一：

DFFFF-A0000 = 3FFFF

一眼看不出来大小滴，或许你要用笔算，不过用这个方法两眼就能看出来：

3FFFF展开为2进制就是2的18次方，是吧，即

2的10次方乘以2的8次方=1K*256即256KB

题二：

计算机SRAM容量为4K x 8，配置地址首地址为：06800H，则其末地址是多少

a.38800H B.10800H C.077FFH D.07800H

公式:

内存容量=末地址-首地址+1

4K*8bit = 4KB即2的平方乘以2的10次方，2的12次方，12/4=3（转为16进制）即1000H 01000H=末地址-6800H+1H

末地址=01000H+6800H-1H

末地址=077FFH

3.AMBA

AMBA规范主要包括了AHB(Advanced High performance Bus)系统总线和APB(Advanced Peripheral Bus)外围总线。

AHB主要用于高性能模块(如CPU、DMA和DSP等)之间的连接，AHB 系统由主模块、从模块和基础结构 (Infrastructure)3部分组成，整个AHB总线上的传输都由主模块发出，由从模块负责回应。

APB主要用于低带宽的周边外设之间的连接，例如UART、1284等，它的总线架构不像AHB支持多个主模块，在APB里面唯一的主模块就是APB 桥。其特性包括：两个时钟周期传输；无需等待周期和回应信号；控制逻辑简单，只有四个控制信号。