电子技术基础(于宝明)第五章 习题答案
第五章 习 题
5.1 由于功率放大电路中的BJT 常处于接近极限工作状态，因此，在选择BJT 时必须特别注意哪三个参数？
答：
1．功率BJT 的的散热
2．器件工作不应进入二次击穿区
3．使用时要降低额定值
5.2 与甲类功率放大电路相比，乙类互补对称功率放大电路的主要优点是什么？ 答：输出功率越大管耗低，效率高。
5.3 乙类互补对称功率放大电路的效率在理想情况可达到多少？ 答：乙类互补对称功率放大电路的效率在理想情况可达到：%5.784
πP P ηV o ≈== 5.4 设采用双电源互补对称电路，如果要求最大输出功率为5W ，则每只功率BJT 的最大允许管耗P CM 至少应大？ 答：W 15X 2.0P 2.0R V π
1P o L 2CC 2T1m ==×=≈ 5.5 设放大电路的输入信号为正弦波，问在什么情况下，电路的输出出现饱和及截止的失真？在什么情况下出现交越失真？用波形示意图说明这两种失真的区别。
答：1、甲类电路中在输入信号过大的情况下电路的输出端出现饱和及截止的失真：信号正半周使得NPN 管饱和。信号负半周使得NPN 管截止。而乙类放大器只会出现饱和失真。
2、甲类电路没有交越失真。乙类放大器在U BB 之间电压小于2U BE 时会出现交越失真。
5.6 在输入信号为正弦波作用下，互补对称电路输出波形是否有可能出现线性（即频率）失真？为什么？
答：在输入信号过大的情况下，出现饱和失真后，产生了新的频率。所以互补对称电路输出波形出现了线性失真。
5.7 在甲类、乙类和甲乙类放大电路中，放大管的导通角分别等于多少？它们中哪一类放大电路效率高？
答：
甲类：180
乙类：90
甲乙类：180～270
5.8 在图所示电路中，设BJT 的β=100，U BE =0.7V ，U CES =0，I CEO =0，电容C 对交流可视为短路。输入信号u i 为正弦波。
（1）计算电路可能达到的最大不失真输出功率P om ；
（2）此时R b 应调节到什么数值？
（3）此时电路的效率η=？试与工作在乙类的互补对称电路比较。
解：1、W 185.1X 12I V P ;A 5.18
12R V I CM CC CM L CC CM ======
或者： W 188
12R V P 2L 2CC CM === 2、mA 151005.1βI I CM BM === Ω375315
7.012I U V R BM BE CC B 。＝－＝－= 3、L
2CC L 2cem L 2om o o o R V 21R U 21R U 21I U P ××=×==≈＝9W
5.9 一双电源互补对称电路如图所示，设已知V CC =12V ，R L =16Ω，u i 为正弦波。求：
（1）在BJT 的饱和压降V CES 可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率P om ；
（2）每个管子允许的管耗P CM 至少应为多少？
（3）每个管子的耐压∣U (BR)CEO ∣应大于多少？
解：最大输出功率P om : W 5.4Ω
162)V 12(R V 21P 2L 2CC om =×=×= 每个管子允许的管耗P CM 至少：W 9.0W 5.42.0P 2.0P om VT1m =×=≈ 每个管子的耐压∣U (BR)CEO ∣应大于： V 24V 2U CC CEm ==
5.10 在图T
6.15所示电路中，设u i 为正弦波，R L =8Ω，要求最大输出功率P om = 9W 。BJT 的饱和压降V CES 可以忽略不计，求：
（1）正、负电源V CC 的最小值；
（2）根据所求V CC 最小值，计算相应的最小值I CM 、∣U (BR)CEO ∣；
（3）输出功率最大（P om =9W ）时，电源供给的功率P V ；
（4）每个管子允许的管耗P CM 的最小值；
（5）当输出功率最大（P om =9W ）时所要求的输入电压有效值。 解：（1）因为求最大输出功率时 U OM =V CC
所以 V 12P R 2V R 2V P om L CC L
2CC om ±==?= （2）A 5.1812R U I L OM CM ===
（3） V 24V 2U CC CEO )BR (==
（4）P CM =0.2P M =0.2X9=1.8W
(5) 262
212222V 2U U U CC OM o i ====
=
5.11 设电路如图所示，管子在输入信号u i 作用下，在一周内T 1和T 2轮流导电约180°，电源电压V CC =20V ，负载R L =8 ，试计算：
（1）在输入信号U i =10V （有效值） 时，电路的输出功率、管耗、直流电源供给的功率和效率；
（2）当输入信号u i 的幅值为U im =V CC =20V 时，电路的输出功率、管耗、直流电源供给的功率和效率。
解：(1) 求U i =10V 时的参数：P O 、P VT 、P V η
因为 L
2OM om R 2U P =, 且共集电路Ui=Uo 所以 2102U U O OM == W 5.128X 22008X 2)210(R 2U 2R Uom
2Uom I U P 2L 2om L O O om =====
= W 67.925320041)410320X 10(82)4U πU V (R 2P 22om om CC L VT ====）－（－－W 1692.158
X 14.310X 20X 2R πU V 2P L om CC V ≈=== %25.39%100X 5.0X 785.0%100X 20
10X 4πV U 4πP P ηCC om V O ===== (1) 求当输入信号u i 的幅值为U im =V CC =20V 时的参数：P O 、P VT 、P V η 因为 L
2OM om R 2U P =, 且共集电路Ui=Uo 所以 2102U U O OM == W 2584008X 2)220(R 2U 2R Uom
2Uom I U P 2L 2om L O O om =====
= W 84.6100340041)420320(82)4U πU V (R 2P 222om om CC L VT ====）－（－－ 或者 W 42.3P 137.0P P om CM 1VT ===
W 38
X 14.320X 2R πV 2P 2
L 2CC V 2≈== %785.0%100X 4πV U 4πP P ηCC om V O ====
高财课后练习及答案
高财课后练习及答案 2014 一、单选题 1.有关企业合并的下列说法中，正确的是（C）。 A.企业合并必然形成长期股权投资 B.同一控制下企业合并就是吸收合并 C.控股合并的结果是形成母子公司关系 D.企业合并的结果是取得被并方净资产 2.下列各项企业合并示例中，属于同一控制下企业合并是（D ）。 A.合并双方合并前分属于不同的主管单位 B.合并双方合并前分属于不同的母公司 C.合并双方合并后不形成母子公司关系 D.合并双方合并后仍同属于同一企业集团 3.甲公司与乙公司合并，下列有关此项合并的陈述，不正确的是（D ）。 A.通过合并，甲公司有可能取得乙公司的资产和负债 B.通过合并，甲公司有可能取得乙公司的大部分股权 C.通过合并，甲公司有可能需要确认长期股权投资 D.通过合并，甲公司必然成为乙公司的控股股东 4. 同一控制下企业合并中所称的“控制非暂时性”是指参与合并各方在合并前、后较长时间内受同一方或相同多方控制的时间通常在（D ）。 A.3个月以上 B.6个月以上 C.12个月以上 D.12个月以上（含12个月） 5. 下列有关合并商誉的各种阐述中，正确的是（B ）。 A.只要是同一控制下企业合并，就一定要确认合并商誉 B.确认合并商誉的前提是该合并为同一控制下企业合并 C.合并商誉完全是被购买方自创商誉的市场外化 D.合并商誉与被购买方的净资产毫无关联 6.对于吸收合并，购买方对合并商誉的下列处理方法中符合我国现行会计准则的是（A ）。 A.单独确认为商誉，不予摊销 B.确认为一项无形资产并分期摊销 C.计入“长期股权投资”的账面价值 D.调整减少合并当期的股东权益 7. 企业集团合并报表的编制者是（A ）。 A.母公司 B.子公司 C.企业集团 D.以上答案均正确 8. 下列关于合并报表与企业合并方式之间关系的表述中，正确的是（ B）。A.企业合并必然要求编制合并报表 B.控股合并的情况下，必须编制合并报表 C.新设合并的情况下，必须编制合并报表 D.吸收合并的情况下，必须编制合并报表 9.根据我国现行会计准则，母公司应当将其全部子公司纳入合并报表的合并范围。这里的全部子公司（D ）。 A.不包括小规模的子公司 B.不包括与母公司经营性质不同的非同质子公司
《数字电子技术基础》课后习题答案
《数字电路与逻辑设计》作业 教材：《数字电子技术基础》 （高等教育出版社，第2版，2012年第7次印刷） 第一章： 自测题： 一、 1、小规模集成电路，中规模集成电路，大规模集成电路，超大规模集成电路 5、各位权系数之和，179 9、01100101，01100101，01100110； 11100101，10011010，10011011 二、 1、× 8、√ 10、× 三、 1、A 4、B 练习题： 1.3、解： (1) 十六进制转二进制： 4 5 C 0100 0101 1100 二进制转八进制：010 001 011 100 2 1 3 4 十六进制转十进制：(45C)16=4*162+5*161+12*160=(1116)10 所以：(45C)16=(10001011100)2=(2134)8=(1116)10 (2) 十六进制转二进制： 6 D E . C 8 0110 1101 1110 . 1100 1000 二进制转八进制：011 011 011 110 . 110 010 000 3 3 3 6 . 6 2 十六进制转十进制：(6DE.C8)16=6*162+13*161+14*160+13*16-1+8*16-2=(1758.78125)10 所以：(6DE.C8)16=(011011011110. 11001000)2=(3336.62)8=(1758.78125)10 (3) 十六进制转二进制：8 F E . F D 1000 1111 1110. 1111 1101
二进制转八进制：100 011 111 110 . 111 111 010 4 3 7 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (8FE.FD)16=8*162+15*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(2302.98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(100011111110.11111101)2=(437 6.772)8=(2302.98828125)10 (4) 十六进制转二进制：7 9 E . F D 0111 1001 1110 . 1111 1101二进制转八进制：011 110 011 110 . 111 111 010 3 6 3 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (79E.FD)16=7*162+9*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(1950. 98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(011110011110.11111101)2=(3636.772)8=(1950.98828125)10 1.5、解： (74)10 =(0111 0100)8421BCD=(1010 0111)余3BCD (45.36)10 =(0100 0101.0011 0110)8421BCD=(0111 1000.0110 1001 )余3BCD (136.45)10 =(0001 0011 0110.0100 0101)8421BCD=(0100 0110 1001.0111 1000 )余3BCD (374.51)10 =(0011 0111 0100.0101 0001)8421BCD=(0110 1010 0111.1000 0100)余3BCD 1.8、解 （1）(+35)=(0 100011)原= (0 100011)补 （2）(+56 )=(0 111000)原= (0 111000)补 （3）(-26)=(1 11010)原= (1 11101)补 （4）(-67)=(1 1000011)原= (1 1000110)补
模拟电子技术基础习题册.docx
专业姓名学号成绩 1-1 、写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。 1-2 、在单相桥式整流电路中，已知输出电压平均值U O（AV）＝15V，负载电流平均值 I L（AV）＝100mA。 （1）变压器副边电压有效值U2≈ （2）设电网电压波动范围为±10％。在选择二极管的参数时，其最大整流平均电流 I F和最高反向电压 U R的下限值约为多少 1-3 、电路如图所示，变压器副边电压有效值为 2U2。 （1）画出u2、u D 1和u O的波形； （2）求出输出电压平均值U O（AV）和输出电流平均值I L（（3）二极管的平均电流I D（AV）和所承受的最大反向电压AV）的表达式；U Rmax 的表达式。
1-4 、电路如图所示，变压器副边电压有效值U21＝50V，U22＝20V。试问： （1）输出电压平均值U O1（AV）和U O2（AV）各为多少 （2）各二极管承受的最大反向电压为多少 1-5 、试在如图所示电路中，标出各电容两端电压的极性和数值，并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。 1-6 、已知稳压管的稳压值U＝6V，稳定电流的最小值I Zmin ＝ 5mA。求图所示电路中U和 U Z O1O2各为多少伏。
专业姓名学号成绩 I Zmin＝5mA，最大稳定电流1-7 、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流 I Zmax＝25mA。 （1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值； （2）若U I＝ 35V 时负载开路，则会出现什么现象为什么 1-8 、电路如图所示。 （1）分别标出u O1和u O2对地的极性； （2）u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流 （3）当U21＝U22＝ 20V 时，U O1（AV）和U O2（AV）各为多少 （4 ）当U2 1＝ 18V ，U2 2＝ 22V 时，画出u O1、u O2的波形；并求出U O1（AV）和U O2（AV）各为多少
高财部分选择判断及答案
1、下列说法中正确的是（ A ）。 A. 企业记账本位币一经确定不得随意变更，除非企业经营所处的主要经济环境发生重大变化 B. 企业记账本位币一经确定，不得变更 C. 企业的记账本位币一定是人民币 D. 企业编报财务报表的货币可以按照人民币以外的币种来反映 2、 A外商投资企业采用交易发生日的即期汇率折算外币业务，期初即期汇率为1美元=6.78元人民币。 本期收到外商作为投资而投入的设备一台，投资各方确认价值为45 万美元，交易发生日的即期汇率为 1 美元=6.60元人民币，另发生运杂费 4.5万元人民币，进口关税 11.25万元人民币，安装调试费 6.75万元人民币，不考虑其他相关税费，则该设备的入账价值为（ D ）万元人民币。 A. 316.35 B.327.6 C.303.75 D.319.5 3、下列选项中，说法错误的是（ D ）。 A. 企业因经营所处的主要经济环境发生重大变化，确需变更记账本位币的，应当采用变更当日的即期汇率将所有项目折算为变更后的记账本位币 B. 企业收到投资者以外币投入的资本，无论是否有合同约定汇率，均不得采用合同约定汇率和即期汇率的近似汇率进行折算，而应当采用交易发生日的即期汇率折算 C. 外币投入资本与相应的货币性项目的记账本位币金额相等，不产生外币资本折算差额 D. 外币兑换业务不会产生汇兑损益 4、以从事外汇经营的银行等金融机构角度看，买入汇率是指（ B ）。 A. 企业从银行买入外汇时使用的汇率 B.企业向银行卖出外汇时使用的汇率 C. 银行向企业卖出外汇时使用的汇率 D.中国人民银行对外公布的市场汇率 5、M股份有限公司对外币业务采用业务发生日的即期汇率进行折算，按月计算汇兑损益。 1 月10日销售价款为40万美元的产品一批，货款尚未收到，当日的即期汇率为1美元=6.80元人民币。1 月31日的即期汇率为1美元=6.87元人民币。2月28日的即期汇率为1美元=6.84元人民币，货款将于 3 月 3 日收
第一章 电子技术基础
四川省仁寿县职业教育中心理论教学教案
教学过程 [引入新课] [新课教案] 一、什么是半导体？ 物质的导电能力介于导体和半导体之间。常见的半导体材料如硅、锗等。 二、半导体的基本特性 半导体的导电能力随着掺入杂质、输入电压（电流）、温度和光照条件的不同而发生很大变化。 1、掺杂性：在纯净的半导体中掺入及其微量的杂质元素，则它的导电能力将大大增强。 2、热敏性：温度升高，将使半导体的导电能力大大增强。 3、光敏性：对半导体施加光线照射时，光照越强，导电能力越强。 三、半导体的分类 分为本征半导体和杂质半导体。 1、本征半导体：不含其他杂质的纯净半导体。 【载流子：本征半导体中存在自由电子和空穴两种载流子，但由于其载流子数量太少，且受温度影响太明显，因此本征半导体不能直接用来制造晶体二极管。】 2、杂质半导体 N型半导体：在本征半导体中掺入少量五价元素磷或砷，称为N型半导体。其多数载流子为电子，少数载流子为空穴，主要靠 自由电子导电。 P型半导体：在本征半导体中参入少量三家 元素铟或硼，称为P型半导体。其多数载流子 为空穴，少数载流子为电子，主要靠空穴导电。 [课后练习] 1、半导体与金属相比较有什么特点？ 答：（1）半导体的导电能力较弱 （2）金属靠自由电子导电，半导体靠自由电子和空穴导电。 2、半导体具有哪些特性？答：三个特性 3、什么是P型半导体？什么是N型半导体？ 答：主要靠空穴导电的是P型半导体，主要靠自由电子导电的是N型半导体。 4、N型半导体本身是带负电的还是中性的？为什么？
四川省仁寿县职业教育中心理论教学教案
内容 教学 程序 引入——新课——小结 学情 分析 在元器件课程中学生了解一些基本知识。教学 方法 讲授 教学 重点 二极管的特性及特性曲线 教学 手段 多媒体教学视频 教学 难点 二极管的特性曲线及测量方法 板 书 设 计 晶体二极管 一、二极管的构成和符号二、二极管的导电特性三、例题 （一）构成（一）实验一四、二极管的检测 （二）符号（二）实验二 （三）分类 教 学 过 [引入新课] 以前在元器件当中我们学习过二极管的符号、作用、分类和实训测量方法，以前学的是外表上面的，本书所讲的是从外到内的。 [新课教案] 一、二极管的结构和符号 （一）结构 在本征半导体上利用特殊工艺分别渗入硼元素和磷元素加工出一半是P型半导体、一半是N型半导体，在P型和N型半导体的结合部位形成一个特殊的结构，即PN结， PN结是构成各种半导体器件的基础。 在P区和N区两侧各接上电极引线，并将其封装在密封的壳体中，即构成半导体二极管，如图。接在P区的引线称为阳极（正极）用a表示，接在N区的引线称为阴 极或负极，用k表示。 二极管的核心即是一个PN结。 （二）符号
电子技术基础习题答案
三、选择题:(每小题2分,共20分) 1、单极型半导体器件就是( C )。 A、二极管; B、双极型三极管; C、场效应管; D、稳压管。 2、P型半导体就是在本征半导体中加入微量的( A )元素构成的。 A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态就是( C )。 A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管( C )。 A、已经击穿; B、完好状态; C、内部老化不通; D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时,其正向电流就是( A )而成。 A、多子扩散; B、少子扩散; C、少子漂移; D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2、1V,V B＝2、8V,V C＝4、4V,说明此三极管处在( A )。 A、放大区; B、饱与区; C、截止区; D、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流( C )。 A、较大; B、较小; C、为零; D、无法判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为( C )。 A、矩形方波; B、等腰三角波; C、正弦半波; D、仍为正弦波。 9、三极管超过( C )所示极限参数时,必定被损坏。 A、集电极最大允许电流I CM; B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO; C、集电极最大允许耗散功率P CM; D、管子的电流放大倍数 。 10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件就是( C ) A、发射结正偏、集电结正偏; B、发射结反偏、集电结反偏; C、发射结正偏、集电结反偏; D、发射结反偏、集电结正偏。 三、选择题:(每小题2分,共20分) 1、基本放大电路中,经过晶体管的信号有(C)。 A、直流成分; B、交流成分; C、交直流成分均有。 2、基本放大电路中的主要放大对象就是(B)。 A、直流信号; B、交流信号; C、交直流信号均有。 3、分压式偏置的共发射极放大电路中,若V B点电位过高,电路易出现(B)。 A、截止失真; B、饱与失真; C、晶体管被烧损。 4、共发射极放大电路的反馈元件就是(B)。 A、电阻R B; B、电阻R E; C、电阻R C。 5、功放首先考虑的问题就是(A)。
[VIP专享]高财所得税练习题及答案
1. 所得税费用应当在（C）中单独列示。（1分） A.资产负债表 B.现金流量表 C.利润表 D.所有者权益变动表 2. 存在可抵扣暂时性差异的，按照《企业会计准则第18号——所得税》的规定，应确认（D ）。（1分） A.时间性差异 B.递延所得税负债 C.永久性差异 D.递延所得税资产 3. 资产的计税基础是指企业收回资产（A ）过程中计算应纳税所得额时按照税法规定可以应税经济利益中抵扣的金额。（1分） A.账面价值 B.可收回金额 C.未来净现金流量现值 D.公允价值 4. 直接计入所有者权益的交易或事项，相关资产、负债的账面价值与计税基础之间形成暂时性差异的，在确认递延所得税资产或递延所得税负债的同时，应计入（C ）。（1分） A.当期所得税 B.所得税费用 C.资本公积 D.商誉 5. 甲企业2008年初取得一项可供出售金融资产，取得成本为515万元，2008年12月31日，可供出售金融资产的公允价值为628万元，该企业适用的所得税税率为25%。该业务对当期所得税费用的影响额为( D )万元。（1分） A.113 B.28.25 C.84.75 D.0 6. 下列负债项目中，其账面价值与计税基础会产生差异的是（ D ）。（1分） A.短期借款 B.应付票据 C.应付账款 D.预计负债 7. 递延所得税负债应当作为（B ）在资产负债表中列示。（1分） A.流动负债 B.非流动负债 C.短期负债 D.长期负债 8. 负债的计税基础是指负债的（A ）减去未来期间计算应纳税所得额时按照税法规定可予抵扣的金额。（1分） A.账面价值 B.可收回金额
C.未来净现金流量现值 D.公允价值 9. 在（A ）中产生的递延所得税，不应当作为所得税费用或收益计入当期损益。（1分） A.企业合并 B.资产的账面价值与计税基础之间的差额 C.资产或负债的账面价值与计税基础之间的差额 D.负债的账面价值与计税基础之间的差额 10. 企业应当以很可能取得用来抵扣（C ）的应纳税所得额为限，确认递延所得税资产。（1分） A.应纳税暂时性差异 B.时间性差异 C.可抵扣暂时性差异 D.永久性差异 11. 资产负债表日，企业应当对递延所得税的（C ）进行复核。（1分） A.公允价值 B.折现价值 C.账面价值 D.净值 12. 所得税采用资产负债表债务法核算，其暂时性差异是指（B ）。（1分） A.资产、负债的账面价值与其公允价值之间的差额 B.资产、负债的账面价值与计税基础之间的差额 C.会计利润与税法应纳税所得额之间的差额 D.仅仅是资产的账面价值与计税基础之间的差额 13. 存在应纳税暂时性差异的，按照《企业会计准则第18号——所得税》的规定，应确认（B ）。（1分） A.时间性差异 B.递延所得税负债 C.永久性差异 D.递延所得税资产 14. 暂时性差异是指（C ）。（1分） A.会计利润与应税利润由于计算口径不一致所产生的差额 B.会计利润与应税利润由于计算时间上不一致所产生的差额 C.资产或负债的账面价值与计税基础之间的差额 D.资产或负债的可收回金额与计税基础之间的差额 15. 资产、负债的（D ）与其计税基础存在差异的，应当确认为递延所得税资产或递延所得税负债。（1分） A.公允价值 B.净值 C.实际成本 D.账面价值 16. 递延所得税资产应当作为（B ）在资产负债表中列示。（1分） A.流动资产 B.非流动资产
电子技术基础_习题集(含答案)
《电子技术基础》课程习题集 一、单选题 1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。 A. 击穿 B. 截止 C. 放大 D. 饱和 2.二极管的主要特性是（）。 A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 3.在N型半导体中（）。 A.只有自由电子 B.只有空穴 C.有空穴也有电子 D.没有空穴也没有自由电子 4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.倒置 5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。 A.50 B.80 C.100 D.180 6.稳压管的稳压是其工作在（）。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿区 D.正向死区 7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。 A.NPN硅管 B.NPN锗管 C.PNP硅管 D.PNP锗管 8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。 A.饱和 B.截止 C.放大 D.击穿 10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。 A.大于 B.小于 C.等于 D.大于或等于 11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。 A.自由电子 B.空穴 C.硼元素 D.磷元素 12.三极管工作在放大区的条件是（）。 A.发射结正偏，集电结正偏 B.发射结反偏，集电结正偏 C.发射结正偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结反偏 13.下列关于半导体的说法正确的是（）。 A.P型半导体带正电，N型半导体带负电 B.稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态 C.整流二极管和稳压二极管可以互换使用 D.以上说法都是错误的
模拟电子技术基础试题汇总
模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。
8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小
数字电子技术基础第三版第一章答案
第一章数字逻辑基础 第一节重点与难点 一、重点： 1.数制 2.编码 (1) 二—十进制码（BCD码） 在这种编码中，用四位二进制数表示十进制数中的0~9十个数码。常用的编码有8421BCD码、5421BCD码和余3码。 8421BCD码是由四位二进制数0000到1111十六种组合中前十种组合，即0000~1001来代表十进制数0~9十个数码，每位二进制码具有固定的权值8、4、2、1，称有权码。 余3码是由8421BCD码加3（0011）得来，是一种无权码。 (2)格雷码 格雷码是一种常见的无权码。这种码的特点是相邻的两个码组之间仅有一位不同，因而其可靠性较高，广泛应用于计数和数字系统的输入、输出等场合。 3.逻辑代数基础 (1)逻辑代数的基本公式与基本规则 逻辑代数的基本公式反映了二值逻辑的基本思想，是逻辑运算的重要工具，也是学习数字电路的必备基础。 逻辑代数有三个基本规则，利用代入规则、反演规则和对偶规则使逻辑函数的公式数目倍增。 (2)逻辑问题的描述 逻辑问题的描述可用真值表、函数式、逻辑图、卡诺图和时序图，它们各具特点又相互关联，可按需选用。 (3)图形法化简逻辑函数 图形法比较适合于具有三、四变量的逻辑函数的简化。 二、难点： 1.给定逻辑函数，将逻辑函数化为最简 用代数法化简逻辑函数，要求熟练掌握逻辑代数的基本公式和规则，熟练运用四个基本方法—并项法、消项法、消元法及配项法对逻辑函数进行化简。 用图形法化简逻辑函数时，一定要注意卡诺图的循环邻接的特点，画包围圈时应把每个包围圈尽可能画大。 2.卡诺图的灵活应用 卡诺图除用于简化函数外，还可以用来检验化简结果是否最简、判断函数间的关系、求函数的反函数和逻辑运算等。 3.电路的设计 在工程实际中，往往给出逻辑命题，如何正确分析命题，设计出逻辑电路呢？通常的步骤如下：
电子技术基础复习题及答案最新版本
电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、(B) 材料、(C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、(B) 饱和状态、(C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍(B) 约为原来的2倍(C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大(B) 晶体管输入特性的非线性(C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益(B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C；(B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 13．将代码(10000011)8421BCD转换成二进制数为（）
模拟电子技术基础考试试题答案
一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。
高财课后答案
练习题参考答案： 1、兴兴公司会计分录： 借：银行存款60000 应收账款240000 原材料250000 库存商品750000 固定资产600000 无形资产500000 商誉115000 贷：应付账款280000 应付票据185000 长期借款200000 银行存款1000000 股本850000 合并后兴兴公司资产负债表： 2、非同一控制下企业合并 借：银行存款60000 应收账款240000 原材料250000 库存商品850000 固定资产740000 无形资产500000 贷：应付账款330000 应付票据200000 长期借款300000 股本1000000 资本公积800000
营业外收入180000 同一控制下的企业合并： 借：银行存款60000 应收账款190000 原材料200000 库存商品600000 固定资产500000 无形资产250000 资本公积30000 贷：应付账款330000 应付票据200000 长期借款300000 股本1000000 第五章控股权取得日合并报表的编制 一、习题第一题 1.大成公司与中华公司属于同一集团，则此项合并属于同一控制下企业合并。 合并日会计分录为： 借：长期股权投资 1541.4万 贷：股本 1000万 资本公积—股本溢价 541.4 抵销分录： （1）借：实收资本 1000万 资本公积 600万 盈余公积 200万 未分配利润 402万 贷：长期股权投资 1541.4万 少数股东权益 660.6万 （2）恢复大成公司被抵销的留存收益 借：资本公积 421.4万 贷：盈余公积 140万 未分配利润 281.4万 2. 大成公司与中华公司没有关联方关系，此项合并属于非同一控制下企业合并。 购买日会计分录为： 借：长期股权投资 3500万 贷：股本 1000万 资本公积—股本溢价 2500万 合并报表的抵销分录为： （1）对大成公司个别报表的调整分录 借：存货 78万 长期股权投资 660万 固定资产 1000万
模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析
1半导体二极管 自我检测题 一．选择和填空 1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。 2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N 型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。 （A ．温度，B ．掺杂工艺，C ．杂质浓度） 4. 当PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN 结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于，D ．变宽，E ．变窄，F 不变 ） 5．二极管实际就是一个PN 结，PN 结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于 导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。 （A ．0.1～0.3V ，B ．0.6～0.8V ，C ．小于A μ1，D ．大于A μ1） 7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T 1 时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电
压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T 1 小于 25℃。（大于、小于、等于） 图选择题7 8．PN 结的特性方程是)1(-=T V v S e I i 。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳 压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。 二．判断题（正确的在括号画√，错误的画×） 1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ） 2．在P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N 型半导体。 （ √ ） 3．P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （ × ） 4．PN 结的漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。 （ √ ） 5．由于PN 结交界面两边存在电位差，所以当把PN 结两端短路时就有电流流过。（ × ） 6．PN 结方程既描写了PN 结的正向特性和反向特性，又描写了PN 结的反向击穿特 性 。 （ × ） 7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在正向导通状态（×）。
习题答案电子技术基础与技能资源
习题答案电子技术基础与技能资源 1.填空题 （1）单向导电 导通 截止 （2）硅管 锗管 0.6~0.7 0.2~0.3 （3）最大整流电流 最高反向工作电压 （4）将电信号转换成光信号 将光信号转换成电信号 （5）将交流电网电压转换成为稳固的直流电压 （6）桥式整流 （7）将交流电变成单向脉动直流电 将脉动的直流电转换成较平滑的直流电 2.判定题 （1）（ √ ） （2）（ × ） （3）（ √ ） （4）（ √ ） （5）（ √ ） （6）（ √ ） 3.选择题 （1）C （2）B （3）B （4）C （5）A （6）D （7）C 4.分析与运算 解：a)VT 导通。Uao=－9V b)VT1导通，VT2截止。Uao=0V c)VT2导通，VT1截止。Uao=－4.5V 5.画图题 略 第1章 测试题一解答 1.填空题 （1）导体 绝缘体 （2）本征半导体 （3）P 型 （4）负极 正极 （5）反向击穿 （6）反向 （7）反偏 （8）半波整流 2.判定题 （1）（ × ） （2）（ × ） （3）（ × ） （4）（ √ ） （5）（ × ） （6）（ × ） 3.选择题 （1）C （2）C （3）D （4）A 4.分析与运算 （1）解：依照二极管的正向伏安特性曲线可知，若按此接法，由于电源本身内阻专门小，1.6V 电压几乎全加在二极管两端，通过二极管的电流会专门大，容易烧坏二极管，电源也会因过热而损坏，因此不承诺把二极管按此方法连接。 （2）解：8种接法；5个不同值，16V 、8.7V 、1.4V 、8V 、0.7V 。 （3）解：VD1、VD4接反，电容C 极性接反。 （4）解：V V U U O 1081209.09.02=?==； 空载时V V U U O 1681204.122=?≈=； 二极管承担反向电压可达168V 。 第1章 测试题二解答 1.填空题 （1）空穴 （2）0.5 0.2
模拟电子技术基础试题与答案
1、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA 变为2mA，那么它的β约为。【】 A. 83 B. 91 C. 100 2、已知图所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降 UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。 选择一个合适的答案填入空。 （1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom ≈；【】 A.2V B.3V C.6V U ＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW， （2）当 i 则输出电压的幅值将；【】 A.减小 B.不变 C.增大 U ＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大（3）在 i 输入电压，则输出电压波形将；【】 A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波 （4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。【】 A.RW减小 B.Rc减小 C.VCC减小 3、互补输出级采用共集形式是为了使。【】 A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 4、选用差分放大电路的原因是。【】 A.克服温漂 B. 提高输入电阻 C.稳定放入倍数 5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频【】 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降。【】 A.3dB B.4dB C.5dB 6、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。【】 A．输入电阻增大B．输出量增大 C．净输入量增大D．净输入量减小 7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。【】 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。【】 A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差 9、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。【】 A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路 10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的【】 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 11、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。【】
高财课后答案()
第一章 1.（1）按购买法记录吸收合并业务 借：长期股权投资 9800000 贷：银行存款 9800000 （2）记录合并业务发生的相关费用 借：管理费用 56000 贷：银行存款 56000 （3）将投资成本按公允价值记录到可辨认资产和负债，差额记录为商誉借：银行存款 260000 应收账款（净） 540000 存货 970000 长期股权投资 860000 固定资产 8310000 无形资产 300000 商誉 950000 贷：短期借款 550000 应付账款 540000 长期应付款 1300000 长期股权投资 9800000 2．（1）按公允价值进行调整： 借：存货 50000 长期股权投资 20000 固定资产 400000 贷：应收账款（净） 40000 无形资产 30000 资本公积 400000 （2）注销旧账： 借：短期借款 550000 应付账款 540000 长期应付款 1300000 股本 6000000 资本公积 2100000 盈余公积 750000 贷：银行存款 260000 应收账款（净） 540000 存货 970000 长期股权投资 860000 固定资产 8310000
无形资产 300000 2. (1)按购买法记录吸收合并业务 借：长期股权投资 10000000 贷：股本 2000000 资本公积——股本溢价 8000000 （2）记录合并业务发生的相关费用 借：长期股权投资 56000 贷：银行存款 56000 （3）将投资成本按公允价值记录到可辨认资产和负债，差额记录为商誉 借：银行存款 260000 应收账款（净） 540000 存货 970000 长期股权投资 860000 固定资产 8310000 无形资产 300000 商誉 1206000 贷：短期借款 550000 应付账款 540000 长期应付款 1300000 长期股权投资 3.（1）按购买法记录控股合并业务 借：长期股权投资 9600000 贷：银行存款 9600000 （2）记录合并业务发生的相关费用 借：长期股权投资 56000 贷：银行存款 56000 注意：在控股合并情况下，主并企业不需要在合并时将投资成本按公允价值分摊记录到可辨认资产和负债，也不需要记录商誉或负商誉。 4.（1）记录合并业务 借：长期股权投资 650000 贷：普通股本 550000 资本公积 50000 （2）记录合并费用 借：管理费用 30000 贷：银行存款 30000 （3）合并前实现的留存收益结转 借：资本公积 320000 贷：盈余公积 320000
电子技术基础习题答案
第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N 区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错） 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对） 7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错） 8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时，该管必被击穿。（错） 9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。（错） 10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（错） 三、选择题：（每小题2分，共20分） 1、单极型半导体器件是（C）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。