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电力电子技术试题全

、和门极G。

2、晶闸管的导通条件阳极加正电压、门极加正向电压；关断条件是阳极电流大于掣住电流、阳极电流小于维持电流或加反向电压。

3、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为√2U2。三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为√6 U2。（电源电压为U2）

4、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为控制角，用α表示。

5、同步电压为锯齿波的触发电路锯齿波底宽可达240o度；正弦波触发电路的理想移相范围可达180o、度，实际移相范围只有150o。

6、一般操作过电压都是瞬时引起的尖峰电压，经常使用的保护方法是阻容保护而对于能量较大的过电压，还需要设置非线性电阻保护，目前常用的方法有压敏电阻和硒堆。

7、交流零触发开关电路就是利用过零触发方式来控制晶闸管导通与关断的。

8、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管的栅极作为栅极，以电力晶体管的集电极和发射极作为发射极与集电极复合而成。

9、晶闸管的过电流能力比较差，必须采用保护措施，常见的快速熔断器、过流继电器、直流快速开关、、限流与脉冲移相保护。

10、型号为KP100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为800伏、额定电流为100安。

11、单相交流调压电阻性负载电路的移相范围在0o-180o内，在电感性负载时移相范围在ф-180o内。

12、变频电路常用的换流方式有负载谐振换流、脉冲（强迫）换流两种。

13、逆变器环流指的是只流经逆变电源、逆变桥晶闸管而不流经负载的电流，环流可在

电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采用α大于 β工作方式。

1、单相半控桥整流电路的二组触发脉冲依次相差 A 度。

A 、180°，

B 、60°， c 、360°， D 、120°

2、α为 C 度时，三相半波可控整流带电阻性负载，输出的电压波形处于连续和断续的临界状态。

A 、0度，

B ，60度，

C ，30度，

D ，120度，

3、在晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。A 、同步电压， B 、控制电压， C 、脉冲变压器变比。

A 、单相半波可控整流电路，

B 、三相半波可控整流桥带续流二极管电路，

C 、单相全控桥接续流二极管电路，

D 、三相半控桥整流电路。

5、一般可逆电路中的βmin 选 A 合理。

A 、30o-35o，

B 、10o-25o，

C 、0o-10o，

D 、0o。

2、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫（脉冲）换流。

3、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。

4、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK 快速晶闸管； 200表示表示 200A ，9表示 900V 。

5、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲脉冲；主要用于驱动小功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为强触发脉冲脉冲；可以触发大功率的晶闸管。

6、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V ，流过晶闸管的大电流有效值为15A ，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为V 2202)25.1(倍-；晶闸管的额定电流可选为A 57.115

)35.1(倍- 1、普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是阳极A ，阴极K 和门极

G晶闸管的导通条件是阳极加正电压，阴极接负电压，门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通；关断条件是当晶闸管阳极电流小于维持电流I H时，导通的晶闸管关断。

2、可关断晶闸管的图形符号是；电力场效应晶体管的图形符号是

绝缘栅双极晶体管的图形符号是；电力晶体管的图形符号是；

3、单相交流调压在电阻性负载电路的移相范围在 0o—180o变化，在阻感性负载时移相范围在φ—180o变化。

4、变流电路的换流方式有器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流等四种。

5、提高变流置的功率因数的常用方法有减小触发角、增加整流相数、采用多组变流装置串联供电、设置补偿电容。

6、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和发射极作为发射极与集电极复合而成。

7、在电力晶闸管电路中，常用的过电流保护有快速熔断器；电路串电抗器；过流时快速移相；和直流快速开关等几种。

8、晶闸管的换相重叠角与电路的触发角α、变压器漏抗X B、平均电流I d、电源相电压U2等到参数有关。

1、三相半波带电阻性负载时，α为（ C ）度时，可控整流输出的电压波形处于连续和断续的临界状态。

A、0度。

B、60度。

C、30度。

D、120度。

2、在晶闸管触发电路中，改变( B ) 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。

A、同步电压，

B、控制电压，

C、脉冲变压器变比。

3、能够实现有源逆变的电路为 ( B ) 。

A、三相桥式全控整流电路，

B、三相半控桥整流电路，

C、单相全控桥接续流二极管电路，

D、单相半控桥整流电路。

4、下面哪种功能不属于变流的功能（ C ）

A、有源逆变

B、交流调压

C、变压器降压

D、直流斩波

5、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B )

A、交流相电压的过零点；

B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处；

C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°；

D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。

1.晶闸管导通的条件是（）。

A.阳极加正向电压，门极有正向脉冲

B.阳极加正向电压，门极有负向脉冲

C.阳极加反向电压，门极有正向脉冲

D.阳极加反向电压，门极有负向脉冲

2.单相半波可控整流电路，阻性负载，控制角α的最大移相范围是0°～（）。

A.90°

B.120°

C.150°

D.180°

3.单相桥式整流电路，电阻性负载，控制角α为（）时，整流输出电压为0。

A.0°

B.90°

C.120°

D.180°

4.三相全控桥式整流电路，控制角α为（）时，整流输出电压为最大值。

A.0°

B.90°

C.120°

D.180°

5.单相半波整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（）。

A.U2

B.2U2

C.3U2

D.6U2

6.三相半波可控整流电路，电阻性负载，控制角α≤30°，每个周期内输出电压的平均值为（）。

A.U d=0.45U2COSα

B.U d=0.9Ｕ2COSα

C.U d=1.17Ｕ2COSα

D.U d=2.34Ｕ2COSα

7.三相全控桥式整流电路，晶闸管可能承受的最大反向电压为（）。

A.3U2

B.2

2U2

C.6U2

D.3

8.三相桥式全控整流电路，在交流电源一个周期里，输出电压脉动（）次。

A.2

B.3

C.4

D.6

9.三相半波可控整流电路中三个晶闸管的触发脉冲相位互差（）。

A.60°

B.90°

C.120°

D.180°

10.串联谐振式逆变电路晶闸管的换流方式为（）。

A.器件换流

B.电网换流

C.负载换流

D.脉冲换流

11.集成触发电路中KC04集成电路芯片被称为（）。

A.集成移相触发器

B.六路双脉形成器

C.脉冲同步器

D.脉冲信号发生器

12.在线式不停电电源的供电质量（）后备式不停电电源的供电质量。

A.优于

B.不如

C.相当于

D.不一定优于

13.可关断晶闸管（GTO）是一种（）结构的半导体器件。

A.四层三端

B.五层三端

C.三层二端

D.三层三端

14.零开关PWM变换电路利用改变变换电路的（）来调控输出电压和输出功率。

A.开关频率

B.占空比

C.电压

D.电流

一、填空题(每小题1分，共14分)

1.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流IL在数值大小上有I L________I H。

2.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。

3.晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM________U BO。

4.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于

________，设U2为相电压有效值。

5.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差________。

6.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值________。

7.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施。

8.三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有

________二种方式。

9.抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。

10.180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在________的上、下二个开关元件之间进行。

11.改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变________的幅值。

12.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。

13.恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。

14.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体

管的开关时间相配合。

二、单项选择题(每小题1分，共16分。从每小题的四个备选选答案，选出一个正确答案，并将正确答案的号码填在题干后面的括号内。)

15.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )

A.一次击穿

B.二次击穿

C.临界饱和

D.反向截止

16.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( )

A.大功率三极管

B.逆阻型晶闸管

C.双向晶闸管

D.可关断晶闸管

17.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( )

A.干扰信号

B.触发电压信号

C.触发电流信号

D.干扰信号和触发信号

18.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )

A.导通状态

B.关断状态

C.饱和状态

D.不定

19.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )

A.90°

B.120°

C.150°

D.180°

20.单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( )

A. U2

B. U2

C.2U2

D. U2

21.单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( )

A. U2

B.2U2

C. U2

D. U2

22.单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是( )

A.0°～90°

B.0°～180°

C.90°～180°

D.180°～360°

23.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ=( )

A.π-α

B.π+α

C.π-δ-α

D.π+δ-α

24.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关( )

A.α、负载电流I d以及变压器漏抗X C

B.α以及负载电流I d

C.α和U2

D.α、U2以及变压器漏抗X C

25.三相半波可控整流电路的自然换相点是( )

A.交流相电压的过零点

B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处

C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°

D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°

26.可在第一和第四象限工作的变流电路是( )

A.三相半波可控变电流电路

B.单相半控桥

C.接有续流二极管的三相半控桥

D.接有续流二极管的单相半波可控变

流电路

27.快速熔断器可以用于过电流保护的

电力电子器件是( )

A.功率晶体管

B.IGBT

C.功

率MOSFET D.晶闸管

28.若增大SPWM逆变器的输出电压基

波频率，可采用的控制方法是( )

A.增大三角波幅度

B.增大

三角波频率

C.增大正弦调制波频率

D.增大正弦调制波幅度

29.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为( )

A.减小输出幅值

B.增大输出幅值

C.减小输出谐波

D.减小输出功率

30.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )

A.电容

B.电感

C.蓄电池

D.电动机

4．三相半波可控整流电路，电阻性负载，当控制角α为（）时，整流输出电压与电流波形断续。

A．0。＜α≤30。B．30。＜α≤150。C．60。＜α＜180。D．90。＜α＜180。

5．三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。

A．30。B．60。C．90。D．120。

6．三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（）。

A.0～180

B.0～150

C.0～120

D.0～90

7．在晶闸管可控整流电路电流断续时的机械特性中，当α（）时，所有不同控制角的特性曲线实际空载转速均相同。

A．≤30。B．≤60。C．≤90。D．≤120。

8．快速熔断器熔体额定电流的选择是电流的（）。

A.平均值

B.有效值

C.最大值

D.瞬时值

9．在输出电流连续的临界电感时的计算公式L1=K1*（Ｕ2／Ｉdmin）中，如可控整流电路为三相桥式，则电路系数K1为（）。

A．0.577。B．0.693 C．0.816 D．1.46

10．当正弦波同步触发电路采用NPN 晶体管时，要求同步电压比被触发晶闸管的阳极电压滞后（）。

A ．30。

B ．60。

C ．90。

D ．120。

11．为了防止逆变失败，最小逆变角限制为（）。

A.10。～15。

B.20。～25。

C.30。～35。

D.40。～45。

2．下列电路中，不可以实现有源逆变的有（）。

A.三相半波可控整流电路

B.三相桥式半控整流电路

C.单相桥式可控整流电路

D.单相全波可控整流电路外接续流二极管

3.整流变压器漏抗对电路的影响有（）。

A.整流装置的功率因数降低

B.输出电压脉动减小

C.电流变化缓和

D.引起相间短路

4．功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）

①一次击穿 ②二次击穿 ③临界饱和 ④反向截止

5．逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( )

①大功率三极管 ②逆阻型晶闸管 ③双向晶闸管 ④可关断晶闸管

6.已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）

①减小至维持电流I H 以下 ②减小至擎住电流I L 以下

③减小至门极触发电流I G 以下 ④减小至5A 以下

7. 单相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（）

①U 2 ② ③ ④

8. 单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是（） ①增加晶闸管的导电能力 ②抑制温漂

③增加输出电压稳定性 ④防止失控现象的产生

9. 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，输出电压平均值U d 的表达式是（） ①U d =- 2.34U 2cos β ②U d =1.17U 2cos β

③U d = 2.34U 2cos β ④U d =-0.9U 2cos β

10. 若减小SPWM 逆变器输出电压基波幅值，可采用的控制方法是（）

①减小三角波频率 ②减小三角波幅度

③减小输入正弦控制电压幅值 ④减小输入正弦控制电压频率

11. 当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在

( )

A.导通状态

B.关断状态

C.饱和状态

D.不定

12. 单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )

A.90°

B.120°

C.150°

D.180°

13. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是( )

22U 222U 26U

A.0°～90°

B.0°～180°

C.90°～180°

D.180°～360

14.在大电感负载三相全控桥中，当α=90°时，整流电路的输出是( )

A.U 2

B.0

C.1.414U 2

D.1.732U 2

15．单结晶体管同步振荡触发电路中，改变R e 能实现（）。

A ．移相

B ．同步

C ．增大脉冲宽度

D ．增大脉冲幅值

1． 1．三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差__________。

2． 2．功率集成电路PIC 分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________________。

3． 3．电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm 等于________________，设U 2为相电压有效值。

4． 4．同一晶闸管，维持电流I H 与擎住电流I L 的数值大小上有I L _____________I H 。

5． 5．对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使输出电压平均值________________。

6． 6．晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R 是__________________措施。

7． 7．三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有_______________二种方式。

8． 8．晶闸管断态不重复电压U DSN 与转折电压U BO 数值大小上应为，U DSM ____________U BO 。

9． 9．抑制过电压的方法之一是用______________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。

10．为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是____________________。

11．改变SPWM 逆变器中的调制比，可以改变_______________的幅值。

12．180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。

13．恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_______________。

14．功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用__________________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。

二、单项选择题(每小题1分，共16分)在每小题烈出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。

15．功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）

①一次击穿 ②二次击穿 ③临界饱和 ④反向截止

16．逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( )

①大功率三极管 ②逆阻型晶闸管 ③双向晶闸管 ④可关断晶闸管

17．在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是（）

①干扰信号 ②触发电压信号 ③触发电流信号 ④干扰信号和触发信号

18．当晶闸管随反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（）

①导通状态 ②关断状态 ③饱和状态 ④不定

19．单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）

①90° ②120° ③150° ④180°

20．单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能随的电大正向电压为（）

① ② ③ ④

2U 222U 22U 222U 6

21．单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能随的电大正向电压为（） ① ② ③ ④

22．单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）

①0°~90° ②0°~180° ③90°~180° ④180°~360°

23．单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ＝

（）

① ① π-α ②π+α ③π-δ-α ④π+δ-α

24.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角与哪几个参数有关（）

① ① α、负载电流I d 以及变压器漏抗X c ②α以及负载电流I d

③α和U 2 ④α、U 2以及变压器漏抗X c

25．三相半波可控整流电路的自然换相点是（）

① ① 交流相电压的过零点

② 本相相电压与相邻电压正半周的交点处

② ② 比三相不控整流电路的自然换相点超前30°

③ ③ 比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°

26．可在第一和第四象限工作的变流电路是（）

① ① 三相半波可控变流电路

②单相半控桥

③接有续流二极管的三相半控桥

④ ④ 接有续流二极管的单相半波可控变流电路

27．快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是（）

① ① 功率晶体管 ②IGBT ③功率MOSFET ④晶闸管

28．若增大SPWM 逆变器的输出电压基波频率，可采用控制方法是（）

① ① 增大三角波幅度 ②增大三角波频率

② ② ③增大正弦调制波频率 ④增大正弦调制波幅度

29．采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为（）

① ① 减小输出幅值 ②增大输出幅值

② ② ③减小输出谐波 ④减小输出功率

30．电流源型逆器中间直流环节贮能元件是（）0

① ① 电容 ②电感 ③蓄电池 ④电动机

2U 22U 222U 222U 6

电力电子技术期末考试试题及答案(1)

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。

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第二章电力电子器件一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A。若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V。（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。） 2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是导通损耗；另一方是开关损耗。 3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。 4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。 5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。（√） 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。（×） 3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。（×） 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。（√） 5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。（×） 6、在GTR 的驱动电路设计中，为了使GTR 快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。（×） 7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。（√） 8、IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。（×） 9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。（×） 10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。（√）三、选择题 1、下列元器件中，（ BH ）属于不控型，（ DEFIJKLM）属于全控型,（ ACG ）属于半控型。 A、普通晶闸管 B、整流二极管 C、逆导晶闸管 D、大功率晶体管 E、绝缘栅场效应晶体管 F、达林顿复合管 G、双向晶闸管 H、肖特基二极管 I、可关断晶闸管 J、绝缘栅极双极型晶体管 K、MOS 控制晶闸管 L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管 2、下列器件中，（ c ）最适合用在小功率，高开关频率的变换器中。 A、GTR B、IGBT C、MOSFET D、GTO 3、开关管的驱动电路采用的隔离技术有（ ad ） A、磁隔离 B、电容隔离 C、电感隔离 D、光耦隔离四、问答题 1、使晶闸管导通的条件是什么？答：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流或脉冲（uak＞0且ugk＞0）。

电力电子技术试题及答案(B)

电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形解：a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35， I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益 1α和2α，由普通晶阐管的分析可得， 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21＞αα+两个等效晶体管过饱和而导通；

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电力电子技术试题
第 1 章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为 _ 有源逆变 _ ，欲实现有源逆变，只能采用 __ 全控 _ 电路；对于单相全波电路，当控制角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。第 3 章直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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电力电子技术期末考试试题及答案修订稿

电力电子技术期末考试试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】

电力电子技术试题及答案(1)

《电力电子技术》试卷一．填空（共15分，1分/空） 1.电力电子技术通常可分为（）技术和（）技术两个分支。 2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为（）型器件和（）型器件两类，晶闸管属于其中的（）型器件。 3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时（变压器二次侧电压有效值为U ，忽略主电路 2 各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。 4.三相桥式全控整流电路的触发方式有（）触发和（）触发两种，常用的是（）触发。 5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为（）组和（）组两种。 6.在特定场合下，同一套整流电路即可工作在（）状态，又可工作在（）状态，故简称变流电路。 7.控制角α与逆变角β之间的关系为（）。二．单选（共10分，2分/题） 1．采用（）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 A.直流断路器 B. 快速熔断器 C.过电流继电器 2．晶闸管属于（）。 A.不可控器件 B. 全控器件 C.半控器件 3．单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（）。 A．180O B.90O C.120O 4．对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差（）度。 A.60 B. 180 C. 120 5．把交流电变成直流电的是（）。 A. 逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路三．多选（共10分，2分/题） 1．电力电子器件一般具有的特征有。 A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数 B.一般工作在开关状态 C.一般需要信息电子电路来控制 D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器 2．下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有。 A.单相全控桥整流电路 B.单相全波可控整流电路 C.三相全控桥整流电路 D.三相半波可控整流电路 3．使晶闸管关断的方法有。 A.给门极施加反压 B.去掉阳极的正向电压 C.增大回路阻抗 D.给阳极施加反压 4．逆变失败的原因有。 A.触发电路不可靠 B.晶闸管发生故障 C.交流电源发生故障 D.换相裕量角不足 5．变压器漏抗对整流电路的影响有。 A.输出电压平均值降低 B.整流电路的工作状态增多 C.晶闸管的di/dt减小 D.换相时晶闸管电压出现缺口四．判断（共5分,1分/题） 1.三相全控桥式整流电路带电阻负载时的移相范围是150O。（） 2.晶闸管是一种四层三端器件。（）

电力电子技术经典试题

1.什么是电力电子技术？答：应用于电力领域的、使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。是一门与电子、控制和电力紧密相关的边缘学科。 2.说“电力电子技术的核心技术是变流技术”对吗？答：对。 3.模拟电子技术和数字电子技术也是电力电子技术吗？答：不是。 4.举几例日常生活中应用电力电子技术的装置。答：电动自行车的充电器，手机充电器，电警棍等。 5.简答“开关电源”和“线性电源”的主要优缺点。答：开关电源：优点：体积小、重量轻、效率高、自身抗干扰性强、输入和输出的电压范围宽、可模块化。缺点：由于开关工作模式和高频工作状态，对周围设备有一定的干扰。需要良好的屏蔽及接地。线性电源：优点：电源技术很成熟，可以达到很高的稳定度，波纹也很小，而且没有开关电源具有的噪声干扰。缺点：是需要庞大而笨重的变压器，所需的滤波电容的体积和重量也相当大，效率低。将逐步被开关电源所取代。 6.解释：不可控器件 ( 说明导通和关断的条件 ) 、半控型器件、全控型器件，并举出代表性器件的名称。答：不可控器件：不用控制信号来控制其通、断。导通和关断取决于其在主电路中承受电压的方向和大小。典型器件：电力二极管导通条件：正向偏置，即承受正向电压，且正向电压＞阀值电压。关断条件：反向偏置，即承受反向电压。半控型器件：用控制信号来控制其导通，一旦导通门极就失去控制作用。关断取决于其在主电路中承受的电压、电流的方向和大小。典型器件：晶闸管

全控型器件：导通和关断均由电路的触发控制信号驱动（驱动状态需保持）。典型器件： GTR、IGBT、 POWER MOSFET。 7.如图示的二极管伏安特性曲线，示意性地在坐标曲线上标注二极管的参数“反向击穿电压 UB”、“门槛电压 UTO”、“正向导通电流 IF ”及其对应的“正向压降 UF”、“反向漏电流”。答：

《电力电子技术》题库含答案

一、填空题(每空1分，共５０分) 1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。 2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________________________________。 3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM ________ U BO。 4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____，设U2为相电压有效值。 5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。 6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______________________。 7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。 8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。 9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。 10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。 11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_____________________________________________的幅值。 12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________________________________________。 13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。 14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：___________________________________________________________________________________________。 16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较________________的规化值。 17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用___________________标定。 18、晶闸管的导通条件是：晶闸管_________________和阴极间施加正向电压，并在______________和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。 19、温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而__________，正反向漏电流随温度升高而__________，维持电流I H会____________________，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而_________________。导通后流过晶闸管的电流由_____________________决定，负载上电压由______________________决定。 20、晶闸管的派生器件有： ____________ 、 ____________ 、 ____________ 、 ____________等。 21、功率场效应管在应用中的注意事项有：（1）_________________________________________，（2）______________________________________，（3）_________________________________________，（4）_____________________________________。22、整流就是把交流电能转换成直流电能，而将直流转换为交流电能称为__________________________，它是对应于整流的逆向过程。 23、____________________________________________与开关的频率和变换电路的形态性能等因素有关。

王兆安版电力电子技术试卷及答案

20××－20××学年第一学期期末考试《电力电子技术》试卷(A) （时间90分钟满分100分）（适用于 ××学院 ××级 ××专业学生）一、填空题（30分,每空1分）。 1．如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是________，属于半控型器件的是________，属于全控型器件的是________；属于单极型电力电子器件的有________，属于双极型器件的有________，属于复合型电力电子器件得有 ________；在可控的器件中，容量最大的是________，工作频率最高的是________，属于电压驱动的是________，属于电流驱动的是________。（只写简称） 2．单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为 _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为和；带阻感负载时，α角移相范围为，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为和。 3．直流斩波电路中最基本的两种电路是和。 4．升降压斩波电路呈现升压状态时，占空比取值范围是__ _。 5．与CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有、和。 6．当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz 时，单相交交变频电路的输出上限频率约为。 7．三相交交变频电路主要有两种接线方式，即 _和。 8．矩阵式变频电路是近年来出现的一种新颖的变频电路。它采用的开关器件是；控制方式是。 9．逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为型逆变器和型逆变器。 10．把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为。二、简答题（18分,每题6分）。 1．逆变电路多重化的目的是什么？如何实现？串联多重和并联多重逆变电路各应用于什么场合？ 2．交流调压电路和交流调功电路有什么异同？ 3．功率因数校正电路的作用是什么？有哪些校正方法？其基本原理是什么？三、计算题（40分，1题20分，2题10分，3题10分）。 1．一单相交流调压器，电源为工频220V ，阻感串联作为负载，其中R=0.5Ω，L=2mH 。试求：①开通角α的变化范围；②负载电流的最大有效值；③最大输出功率及此时电源侧的功率因数；④当2πα＝时，晶闸管电流有效值，晶闸管导通角和电源侧功率因数。 2．.三相桥式电压型逆变电路，工作在180°导电方式，U d =200V 。试求输出相电压的基波幅值U UN1m 和有效值U UN1、输出线电压的基波幅值U UV1m 和有效值U UV1、输出线电压中7次谐波的有效值U UV7。 3 ．如图所示降压斩波电路E=100V ，L 值极大，R=0.5Ω，E m =10V ，采用脉宽调制控制方式，T=20μs ，当t on =5μs 时，计算输出电压平均值U o ，输出电流平均值

电力电子技术试题20套及答案

考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分） 1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时， _________损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为 _________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。 4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。 6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。 7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。 8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____； (3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5 时间段内，电流的通路为___VD1____；

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一、填空题（每空1分，34分） 1、实现有源逆变的条件为和。 2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中，两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。 3、在有环流反并联可逆系统中，环流指的是只流经而不流经的电流。为了减小环流，一般采用αβ状态。 4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。 5、给晶闸管阳极加上一定的电压；在门极加上电压，并形成足够的电流，晶闸管才能导通。 6、当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时与电路会出现失控现象。 7、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z；而三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z；这说明电路的纹波系数比电路要小。 8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。 9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。 10、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于电流之前，如去掉脉冲，晶闸管又会关断。三、选择题（10分） 1、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差度。 A 、180度；B、60度；C、360度；D、120度； 2、α= 度时，三相半波可控整流电路，在电阻性负载时，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。 A、0度； B、60度； C 、30度；D、120度； 3、通常在晶闸管触发电路中，若改变的大小时，输出脉冲相位产生移动，达到移相控制的目的。 A、同步电压； B、控制电压； C、脉冲变压器变比； 4、可实现有源逆变的电路为。

A、单相全控桥可控整流电路 B、三相半控桥可控整流电路 C、单相全控桥接续流二极管电路 D、单相半控桥整流电路 5、由晶闸管构成的可逆调速系统中，逆变角βmin选时系统工作才可靠。 A、300~350 B、100~150 C、00~100 D、00 四、问答题（每题9分，18分） 1、什么是逆变失败？形成的原因是什么？ 2、为使晶闸管变流装置正常工作，触发电路必须满足什么要求？五、分析、计算题：（每题9分，18分） 1、三相半波可控整流电路，整流变压器的联接组别是D/Y—5，锯齿波同步触发电路中的信号综合管是NPN型三极管。试确定同步变压器TS的接法钟点数为几点钟时，触发同步定相才是正确的，并画出矢量图。（8分） 2、如图所示：变压器一次电压有效值为220V，二次各段电压有效值为100V，电阻性负载，R=10Ω，当控制角α=90o时，求输出整流电压的平均值U d，负载电流I d，并绘出晶闸管、整流二极管和变压器一次绕组电流的波形。（10分）一、填空题 1、要有一个直流逆变电源，它的极性方向与晶闸管的导通方向一致，其幅极应稍大于逆变桥直流侧输出的平均

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是；电力场效应晶体管的图形符号是绝缘栅双极晶体管的图形符号是；电力晶体管的图形符号是；第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。第3章直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；

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