finFET
FinFETs for Nanoscale CMOS Digital Integrated Circuits
Tsu-Jae King
Advanced Technology Group, Synopsys, Inc. Mountain View, California, USA tsujae@https://www.wendangku.net/doc/683999779.html, Abstract Suppression of leakage current and reduction in device-todevice variability will be key challenges for sub-45nm CMOS technologies. Non-classical transistor structures such as the FinFET will likely be necessary to meet transistor performance requirements in the sub-20nm gate length regime. This paper presents an overview of FinFET technology and describes how it can be used to improve the performance, standby power consumption, and variability in nanoscale-CMOS digital ICs. Keywords MOSFET, thin-body transistor, CMOS, SRAM, digital IC INTRODUCTION The steady miniaturization of the metal-oxide- semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with each new generation of complementary-MOS (CMOS) technology has yielded continual improvements in integrated-circuit (IC) performance (speed) and cost per function over the past several decades, to usher in the Information Age. Continued transistor scaling will not be as straightforward in the future as it has been in the past, however, because of fundamental materials and process technology limits [1]. Suppression of leakage current to minimize static power consumption, and reduction in device-to-device variability to increase yield (and thereby lower cost), will be key challenges for transistor scaling in the sub-20nm gate length (LG) regime. This paper describes how these challenges can be mitigated by adopting the “FinFET” transistor structure, in order to sustain the rapid growth of the industry and usher in the age of ambient intelligence and ubiquitous computing. BULK-SI MOSFET SCALING CHALLENGES In order to scale the classical bulk-Si MOSFET structure (Fig. 1a) down to ~10nm LG, heavy halo and channel doping (greater than 1×1018 cm-3) will be required to suppress leakage current and short-channel effects [2]. As a result, field-effect carrier mobilities will be degraded, resulting in incommensurate improvements in transistor drive current with LG scaling [3]. Thin-body transistor structures (Figs. 1b and 1c) rely not on heavy channel doping but on a sufficiently thin channel/body region (TSi < LG) to limit leakage current. The use of a lightly doped or undoped channel provides immunity to variations in threshold voltage (VT)
Figure 1: Schematic diagrams of MOSFET structures (a) classical bulk-Si, (b) ultrathin-body (UTB), (c) double-gate (DG), and (d) FinFET
resulting from statistical dopant fluctuations in the channel, as well as enhanced carrier mobility for higher transistor drive current because of the lower transverse electric field in the inversion layer. Therefore, thin-body MOSFETs offer improved circuit performance as compared to the bulk-Si transistor structure [4]. VT adjustment can be achieved without channel doping by tuning the gate work function (ΦM) and/or by engineering the source/drain lateral doping profiles to adjust the electrical channel length (Leff) during the manufacturing process. FINFET TECHNOLOGY The quasi-planar FinFET (Fig. 1d) offers the superior scalability [5] and lower gate leakage current [6] of a doublegate (DG) MOSFET structure, together with a process flow and layout similar to that of the conventional MOSFET [7]. It is therefore being investigated by many companies [8-9] for sub-65nm CMOS technologies. FinFETs with gate lengths down to 10 nm have already been demonstrated with excellent control of short-channel effects and <0.5 ps intrinsic delay [10,11]. One advantage of this vertical transistor structure is that it is relatively immune to gate lineedge roughness, a major source of variability in planar nanoscale FETs [12]. In order to suppress short-channel effects, the thickness of the lightly doped or undoped FinFET channel/body (i.e. the fin width) must be ~1.5× smaller than LG [13].
0-7803-9254-X/05/$20.00 ?2005 IEEE.
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1. Deposit & pattern sacrificial layer
Si SOI BOX
3. Etch back mask layer
Si SOI BOX
2. Deposit mask layer (e.g. SiO2)
Si SOI BOX
4. Remove sacrificial layer; etch SOI layer to form fins
fins BOX
Note that fin pitch is 2× that of patterned layer
FinFET Design Considerations As shown in Fig. 4a, the effective channel width W of a single-fin FinFET is twice the Si fin height HFIN. Large W can be practically achieved by using multiple fins in parallel [16], but with variations limited to increments of 2×HFIN. Taller fins allow for higher layout area efficiency, but with a trade-off in design flexibility. If the fin aspect ratio HFIN/TSi were to be limited to 3 (dictated by Si dryetch process capability), HFIN = 3×TSi = 2×LGmin, where LGmin is the minimum gate length. Thus, W would be constrained to be an integer number of 4×LGmin. Performance Enhancement Approaches Techniques for increasing the average velocity of carriers in the channel – without significantly impacting cost and device reliability – will ultimately be necessary in order for the industry to maintain its historic 17%-per-year performance improvement rate [17]. Approaches to enhancing carrier mobility include the use of a strained capping layer [18], a strained gate electrode [19], or strained S/D regions (using epitaxial Si1-xGex [20] or silicide [21]), in addition to optimization of the channel surface crystal orientation and current flow direction [22]. Some of these methods have already been shown to be effective for enhancing FinFET performance [23,24]. Parasitic source/drain series resistance and contact resistance will ultimately limit FinFET performance in the nanoscale regime [25]. The use of thick source/drain (S/D) regions, e.g. formed by selective growth of Si [8], Si1-xGex, or Ge [26], can help to alleviate this issue, particularly if low specific contact resistivity (ρc<10-8 ?-cm2) contacts can be formed by silicidation/germanidation of the S/D fin surfaces. Power consumption will be a primary design constraint for sub-65nm CMOS technologies, so that active leakage (VT) control will be necessary for optimization of energy vs. delay trade-offs in future ULSI systems. The two gate electrodes of a FinFET can be electrically isolated, by using a masked etch to remove the gate material directly over the fin [27], to allow for independent operation. The resultant “multiple-independent gate” (MIG) FET can be operated as a back-gated UTB FET with the capability for dynamic VT control (Fig. 4b).
Gate length = LG Source Gate
Source Gate length = LG Gate 2: VT Control Drain Fin Height HFIN = W
Figure 2: Sequence of schematic cross-sections illustrating the process for forming fins with sublithographic width using sidewall spacers.
Narrow Fin Formation Sub-lithographic fins can be formed by using “spacers”, formed along the sidewalls of a sacrificial patterned layer, as a hard mask (Fig. 2) [14]. The width of the spacers is determined by the thickness of the deposited spacer layer, and can be very uniform across a wafer so that FinFET performance variability due to variations in fin width are minimized. Another advantage of the spacer lithography process is that it provides for a doubling of fin density. Optimization of Fin Orientation The transconductance of a FinFET is dependent on its layout orientation, due to carrier mobility anisotropy in crystalline Si [8]. The channel surfaces of a FinFET lie in the (110) crystallographic plane when the fin is oriented parallel or perpendicular to the wafer flat or notch of a standard (100) wafer. Hole mobility is enhanced, while electron mobility is degraded, for a (110) Si surface as compared with a (100) Si surface [15]. To simultaneously achieve maximum NMOS and PMOS drive currents, a (100) sidewall surface for NMOS and (110) sidewall surface for PMOS is desirable. This can be achieved by orienting the PMOS fins to be either perpendicular or parallel to the flat or notch of a (100) wafer and orienting the NMOS fins to be rotated at a 45o angle (Fig. 3). Non-Manhattan layout geometry may pose a yield issue for sub-wavelength lithography, however. An alternative approach is to use a (110) wafer to allow the optimal CMOS FinFET sidewall surface orientations to be achieved with Manhattan layouts.
D (100) S (110) D (110) S (100)
NMOS
D S (100)
Fin width = TSi Drain
PMOS
(110) S D
Fin height HFIN = W/2
Gate 1: Switching
(110) (110)
(a)
(b)
Figure 3: Si fin orientation for optimal CMOS FinFET performance. PMOS devices have (110) fin sidewall surfaces, while NMOS devices have (100) surfaces.
Figure 4: Close-up view of FinFETs with key parameters labeled. (a) double-gate (DG) (b) multiple independent gates (MIG) for dynamic VT control.
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FINFET-BASED SRAM DESIGN Static memory (SRAM) arrays occupy a large fraction of the chip area in many of today’s ICs, and will account for even more chip area in future designs. The issues of transistor leakage current (static power dissipation) and deviceto-device variability (reduced static noise margin, i.e. cell stability) pose serious challenges for scaling conventional SRAM technology beyond the 65nm node. These issues can be alleviated by using FinFETs rather than classical bulk-Si MOSFETs in the memory cells. Mixed-mode device-circuit simulation has been employed to compare the DC behavior of various SRAM cell designs for the 45nm node [28]. The circuit schematic and layout for a FinFET-based six-transistor (6-T) SRAM cell is shown in Fig. 5. (The fin sidewalls are assumed to lie along (100) crystallographic planes.) As compared against a bulk-Si 6-T cell, the FinFET-based 6-T cell achieves larger read margin (175mV vs. 135mV, for 1V supply voltage) due to better suppression of leakage current. The read margin can be improved further by increasing the “beta ratio” of the cell, i.e. the relative strength of the pull-down n-channel transistors to the access transistors. This can be done by using 2-fin pull-down devices or by rotating the access transistors so that the fin sidewalls lie along (110) crystallographic planes, with slight area penalty (~15% increase in cell layout area). Back-Gated FETs for Dynamic Feedback By connecting the storage node to the back-gate of the access transistor, as shown in Fig. 6, the strength of the access transistor can be selectively decreased. For example, if the stored bit is a “0”, the back-gate of the corresponding access transistor is biased at 0V, decreasing its strength. This effectively increases the beta ratio during the read cycle and thus improves the read margin (by 71%). Although the BG access transistor is weaker than a DG access transistor, the “0” storage node in the 6-T design with feedback stays closer to VSS than in the 6-T design without feedback, so that the BG access transistor has more gate overdrive. The net result is that the cell read performance is negligibly impacted.
Figure 6: (a) Circuit schematic and (b) layout for a 6-T SRAM cell using back-gated access transistors to provide dynamic feedback [28]. The dark squares indicate where the gate material is removed.
Note that the back-gate connections in Fig. 6 do not have any associated layout area penalty. Neither is there a significant penalty in static power consumption [28]. The impact of LG and TSi variations (3σLG = 3σTSi = 10% of LG) for FinFETs and the impact of statistical dopant fluctuations and LG variations in bulk-Si MOSFETs (3σLG = 10% of LG) were studied via Monte Carlo and mixed-mode simulations. The simulated cell read margin distributions are shown in Fig. 7. These results show that FinFET-based cell designs provide larger SNM with tighter distribution, which facilitates supply-voltage scaling to reduce dynamic power consumption.
FinFET - 6-T DG Cell Beta-ratio = 1.0 Mean=175mV Sigma=5mV FinFET - 4-T w/ Feedback Beta-ratio = 1.0 Mean=285mV Sigma=6mV FinFET - 6-T w/ Feedback Beta-ratio = 1.0 Mean=300mV Sigma=6.6mV
Bulk-Si SRAM Beta-ratio = 1.5 Mean=135mV Sigma=16mV
Figure 7: Simulated impact of process-induced variations on SRAM static noise margin (SNM) [28].
Figure 5: (a) Circuit schematic and (b) layout for a 6-T SRAM cell utilizing double-gate FinFETs [28]. (The large rectangle delineates one memory cell.) Dimensions are indicated in nanometers.
SUMMARY The FinFET is a manufacturable double-gate MOSFET structure which achieves superior control of short-channel effects and higher drive current as compared to the classical bulk-Si MOSFET structure. By eliminating the need for heavy channel/body doping, it also can provide immunity to random variations associated with the discreteness of dopant atoms. Therefore, it is a promising solution to surmount the challenges of increasing leakage current and device-to-device variability for future high-density, lowpower digital ICs. Judicious application of BG FinFETs can yield dramatic improvements in SRAM cell stability, to facilitate memory technology scaling.
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ACKNOWLEDGEMENTS This work resulted from fruitful collaborations with my present and former colleagues at UC-Berkeley, in particular Borivoje Nikoli?, Hideki Takeuchi, Yang-Kyu Choi, Leland Chang, Sriram Balasubramanian, Kyoungsub Shin, and Hei Kam. Research funding from the SRC (Advanced Devices and Technology Program), the MARCO Focus Center for Advanced Materials, Structures and Devices, and the MARCO Focus Center for Circuits, Systems, and Software is gratefully acknowledged. REFERENCES [1] D. J. Frank et al., Proc. IEEE, Vol. 89, p.259 (2001). [2] A. Hokazono et al., IEDM Tech. Dig., p.639 (2002). [3] D. Antoniadis, Symp. VLSI Tech. Dig., p.2 (2002). [4] L. Chang et al., Proc. IEEE., Vol. 91, No. 11, p.1860 (2003). [5] C. Wann et al., IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 43, p.1742 (1996). [6] L. Chang et al., IEDM Tech. Dig., p.99 (2001). [7] N. Lindert et al., IEEE Electron Device Letters, Vol. 22, p.487 (2001). [8] J. Kedzierski et al., IEDM Tech. Dig., p.437 (2001). [9] F.-L. Yang et al., Symp. VLSI Tech. Dig., p.104 (2002). [10] B. Yu et al., IEDM Tech. Dig., p.251 (2002). [11] F.-L. Yang et al., Symp. VLSI Tech. Dig., p.196 (2004). [12] A. R. Brown et al., IEEE Trans. Vol. 1, p.195 (2002). Nanotechnology,
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高铁特点及优势
高铁特点及优势 1. 基本特点 1、高速铁路非常平顺，以保证行车安全和舒适性，高速铁路都是无缝钢轨，而且时速300公里以上的高速铁路采用的是无砟轨道，就是没有石子的整体式道床来保证平顺性。 2、高速铁路的弯道少，弯道半径大，道岔都是可动心高速道岔。 3、大量采用高架桥梁和隧道。来保证平顺性和缩短距离。 4、高速铁路的接触网，就是火车顶上的电线的悬挂方式也与普通铁路不同，来保证高速动车组的接触稳定和耐久性。 5、高速铁路的信号控制系统比普通铁路高级，因为发车密度大，车速快，安全性一定要高。 2. 主要优势 2.1 载客量高 无论是高速公路或机场都会发生挤塞。 高速铁路的优点是载客量非常高。 2.2 耗时少 除最高运行速度外，旅客更关心的是旅行时间。 2.3 安全性好 高速铁路由于在全封闭环境中自动化运行，又有一系列完善的安全保障系统，所以其安全程度是任何交通工具无法比拟的。高速铁路问世35年以来，日、德、法三国共运送了50亿人次旅客。只有德国1998年6月3日的ICE884高速列车行驶在改建线上发生事故。 2.4 正点率高 高速铁路全部采用自动化控制，可以全天候运营，除非发生地震。 2.5 舒适方便 座席宽敞舒适，走行性能好，运行非常平稳。减震、隔音，车内很安静。乘坐高速列车旅行几乎无不便之感，无异于愉快的享受。 2.6 能耗较低
如果以“人/公里”单位能耗来进行比较的话。高速铁路为1，则小轿车为5，大客车为2，飞机为7。高速列车利用电力牵引，不消耗宝贵的石油等液体燃料，可利用多种形式的能源。 3. 社会效益 对沿线地区经济发展起到了推进和均衡作用；促进了沿线城市经济发展和国土开发；沿线企业数量增加使国税和地税相应增加；节约能源和减少环境污染。 随着京津城际铁路、京广高速铁路、郑西高速铁路、沪宁城际高速铁路、沪杭高铁、京沪高铁、哈大高铁、兰新高铁等相继开通运营，中国高铁正在引领世界高铁发展。专家们认为，交通运输各行业中，从单位运量的能源消耗、对环境资源的占用、对环境质量的保护、对自然环境的适应以及运营安全等方面来综合分析，铁路的优势最为明显。 沿线城市焕发新活力高铁对中国工业化和城镇化的发展起到了非常重要的促进作用，促使高铁沿线中心城市与卫星城镇选择重新“布局”——以高铁中心城市辐射和带动周边城市同步发展。
网络教育的优势和作用是什么
一、网络教育简介 网络教育，也称远程教育，也是成人教育学历的一种。颁发的毕业证书，同属国民教育系列，国家承认学历，学信网可查，与成人高考毕业证具有同等效力。 国家对网络教育的学历是100%认可的。网络教育与成人高考、自学考试、普通高等教育招生一样同属国民教育序列，学习得到的毕业证书为国家所承认，能够在学信网查到、打印。 报考公务员、建造师考试、医师资格、司法考试各类职业准入的高度社会化考试中均可使用;企事业单位评级、评职称中也可以使用。 凡是正式录取的学员或修满规定的学分者，由学校发给国家承认学历的毕业证书，符合学位授予条件的授予学士学位。 二、网络教育所具有的优势 1免成人高考，录取通过率高 它不用参加全国统一的考试，只需参加学校自己组织的入学考试，难度比成人高考简单许多。 2毕业文凭更好就业 网络教育颁发国家承认的普通高校毕业证，而函授颁发的是成人高等教育毕业证，因此就业更有竞争力;可以开设网络远程教育的学校都是全国重点985、211院校，毕业证含金量更高更有优势。 3学习方式灵活方便 网络教育学习时间自主支配，任何时间地点上网即可学习，出差、加班不受影响，真正做到移动学习移动考试。
4毕业时间更早 比如今年成考落榜，等明年再考，那就得等到2019年10月份才能参加入学考试，2020年1月份才录取入学，2022年7月份才能毕业;而网络教育现在即可报名，2019年3月份入学，最晚至2021年9月份即可毕业，拿证快将近一年。 三、网络教育的作用 据有关部门对网络教育毕业生的调查报告显示，38%的网络教育毕业生获得了职位提升;40%的网络教育毕业生毕业后担任了管理职位;57%的网络教育毕业生毕业后薪水比以前有提高;则72%以上的网络教育毕业生认为，网络教育的学习确实增强了工作自信心。 如今职场竞争愈演愈烈，很多在职人员为了自己升职加薪的发展规划，都有意利用业余时间考一个本科文凭，充实一下自己。不管你是出于哪种原因想要提升学历，成功后总会在以后的工作中比别人多出一份筹码。高学历不会成为你在企业里升职加薪的绊脚石，只会有助于你的发展。
市场细分与竞争优势关系研究
龙源期刊网 https://www.wendangku.net/doc/683999779.html, 市场细分与竞争优势关系研究 作者：方妙英 来源：《经营管理者·下旬刊》2016年第12期 在日益激烈的市场竞争中，企业如何通过获取竞争优势脱颖而出，是业界和学者一直关心和研究的热点。对于企业竞争优势的来源，不同学者有不一样的理解，有战略角度，也有行业结构视角，更有立足于资源能力和创新理论。本文主要基于营销学的目标市场战略视角，探讨市场细分与竞争优势之间的关系。 一、市场细分与竞争优势概述 在探讨市场细分和竞争优势关系之前，先对市场细分与竞争优势的定义进行文献综述。 1.市场细分的定义与作用。市场细分是指营销者通过市场调研，依据消费者的需要和欲望、购买行为和购买习惯等方面的差异，把某一产品的整体市场划分为若干消费者群的市场分类过程（马清梅、陈荣铎，2007）。市场细分对企业的营销管理具有重要意义。市场细分不但有助于企业发现市场机会，还有利于企业及时掌握目标市场的特点，根据目标市场的特点制定适合企业的市场营销组合策略，生产出适销对路的产品，满足市场需要的同时增加企业的收入，提高企业的经济效益，从而提高企业在目标市场上的竞争能力。 2.竞争优势定义及来源。“竞争优势”的定义首先由英国经济学家张伯伦（E.Chamberlin） 于1939年提出，经霍弗和申德尔（Hofer & Schendel）引入战略管理领域，从20世纪80年代中期开始得到战略管理学者们的广泛关注。Porter（2014）指出竞争优势是一种独特品质，这种特性不同于其他竞争对手，它可以使组织在市场中得到的好处超过它的竞争对手，能使组织创造和保持卓越表现。企业竞争优势理论主要是回答“为什么有些企业能够相对于其他企业获得更好的业绩”这个问题，即解释造成企业之间业绩差异的原因（Mehra，1994）。竞争优势可以来源于企业的研发设计、生产管理、营销等主要活动以及采购等辅助活动。这些活动都将对企业成本产生影响，对利润有贡献，可以为企业的差异化奠定基础。基于其竞争战略的核心概念基础上，波特引入了“价值链”的分析工具，用以分解企业所从事的多项活动（Porter，2014）。企业就是通过比其竞争对手更出色地完成这些活动来赢取竞争优势。每一个企业的价值链都是以各自独特方式联贯在一起的九种活动构成的，包括基本活动体系和辅助活动体系。基本活动价值链能够增加价值的具体环节有：内部后勤管理、经营过程管理、外部后勤、市场营销、服务。辅助活动则主要包括：企业基础设施、技术开发、人力资源管理、采购等。价值链的基本思想是如何用经济的、高效率的方法，将企业的资源和能力转化为为顾客创造和增加价值的活动。因此，在激励市场竞争环境下，企业需要经常评价企业自身和竞争对手的价值链。在此基础上，企业可以结合自身实际情况，以更独特的方式组织企业价值链。在某些活动上，做得比竞争对手更好——这是企业获得和增加竞争优势的源泉（黎明，2001）。 二、市场细分与竞争优势关系框架
(完整版)网络课程的特点与优势
网络课程的特点与优势 网络课程是随着计算机网络的飞速发展而开始盛行的一种新型的教学模式与传统的课堂教学相比，它具有资源共享性，学习的自主性，课程结构的开放性，学习的协作性等特点。 网络课程学习的模式概述为：文字教材自学＋网络课件学习＋网上导学＋网上答疑＋必要的面授辅导＋网上讨论＋小组活动＋课程作业＋模拟试题自测+学习中心导 学辅导+集中考试＋课程终结性考试。 （1）学习时间、地点上的随心所欲 只要拥有一条电话线和一台电脑，您就可以上网进行学习，而不用象传统面授班那样必须在固定的星期六或是星期日早上9：00到一个离您家很远的地方去上课，远程教育可以使学员能根据自身的需要灵活的安排学习时间，完全突破了学习在时间、地点上的种种限制，学员可以在任何时间、任何地点通过网络学习课程，很好地处理了工作、学习、生活三方面的矛盾，使自己真正掌握了学习的自主权，避免了上面授辅导班的来回路途奔波之苦，将更多的时间和精力用在学习上，充分享受学习的乐趣。 （2）学习进度上的随意安排 每个学员的领悟能力和课程的难易程度都不一样，有些学员的领悟能力高，他就学得快一些；有的学员领悟能力差，他就学得慢一些；有些章节比较简单可能一点即通；有些章节难一些可能就需要反复学习才能掌握。但传统教育在教学进度上是固定化、统一化的，很难顾及个别学员的学习特点，也不会因为某个学生的某个章节没有听懂就把整个课程重新再讲一遍，而远程教育的课件是事先做好了放在网上的，想学哪章，想学多久完全由学员自己掌握，熟悉的可以减少学时甚至不学，而自己较难理解的可以安排大量时间，完全不受任何的限制，对于一次听不懂的问
题，可以反复听，直到听懂为止。 （3）优秀教师资源共享 在传统教育中，由于各地的实际教学条件、教学资源情况千差万别，许多偏远地区的师资严重匮乏，良莠不齐、有的地区甚至没有师资，这些都制约着当地教育水平向高层次迈进。而网络教育优势就是可以把全国的优秀师资汇集到一起，使各个地区的的学员都能听到名师讲授的课程，从而提高我国整体的教育水平。 （4）充分的答疑时间 学员在学习过程中的一个关键环节就是交流，这种交流包括学员与老师之间的交流与学员与学员之间的交流，通过交流可以及时的发现和纠正、解决学员在学习中遇到的一些问题，传统教学种学生的答疑和老师的授课时间是混在一起的，答疑的时间多了，那么讲课的时间必然就少了，网络教学通过它特有的答疑工具，如：答疑板、论坛等工具将学员的提问延伸到了课堂之外，不再局限于有限的课堂时间，学员在学心中发现问题可以随时提问，并在短时间内得到细致的解答。同时可以查看别人所提到的问题，弥补自己学习中的不足。 （5）交流范围扩大 传统教育由于受时间、空间和人员的限制，学员之间的交流往往局限于班中几十个同学的交流上，而远程教育则通过答疑板、论坛、聊天室等途径把来自五湖四海的学员链接在一起，为大家提供更为广阔的交流空间。 （6）相关信息共享和反馈的及时性 或许每个人都曾有过这样的经历，就是为了查找一条相关信息、政策、法规，查遍了整个图书馆、阅览室、转遍了大大小小的书店，浪费了一整天的时间，有时候更由于信息传递的滞后性而根本找不到。而网络教育在提供在线课程的同时，也提供丰富、翔实的在线资料库，学员只需要输入几个关键字，就可以在短短的几秒钟之内所需的资料，同样有关考试的最新的政策、教材的最新变化也可以在第一时间传递到学员那里。
微课的作用和优势
微课的作用和优势 肖玲玲 通过学科会，通过吕老师的讲解我对微课有了更深的认识和了解，也充分的认识了微课的优势和作用。 （1）时间较短，内容精简： 教学视频是微课的核心组成内容。根据中小学生的认知特点和学习规律，“微课”的时长一般为5—8分钟左右，最长不宜超过10分钟。因此，相对于传统的40或45分钟的一节课的教学课例来说，“微课”可以称之为“课例片段”或“微课例”。 相对于较宽泛的传统课堂，“微课”的问题聚集，主题突出，更适合教师的需要：“微课”主要是为了突出课堂教学中某个学科知识点（如教学中重点、难点、疑点内容）的教学，或是反映课堂中某个教学环节、教学主题的教与学活动，相对于传统一节课要完成的复杂众多的教学内容，“微课”的内容更加精简，因此又可以称为“微课堂”。 （2）短小精悍，使用方便： 通过微课师生可流畅地在线观摩课例，查看教案、课件等辅助资源；也可灵活方便地将其下载保存到终端设备（如笔记本电脑、手机、MP4等）上实现移动学习、“泛在学习”，非常适合于教师的观摩、评课、反思和研究。 （3）资源多样，情境真实 “微课”是以“微视频”为核心，并整合了“微教案、微课件、微习题、微反思”等内容，营造了一个与具体教学活动紧密结合、真实情境化的“微教学资源环境”。“微课”选取的教学内容一般要求主题突出、指向明确、相对完整。它以教学视频片段为主线“统整”教学设计（包括教案或学案）、课堂教学时使用到的多媒体素材和课件、教师课后的教学反思、学生的反馈意见及学科专家的文字点评等相关教学资源，构成了一个主题鲜明、类型多样、结构紧凑的“主题单元资源包”，营造了一个真实的“微教学资源环境”。这使得“微课”资源具有视频教学案例的特征。广大教师和学生在这种真实的、具体的、典型案例化的教与学情景中可易于实现“隐性知识”、“默会知识”等高阶思维能力的学习并实现教学观念、技能、风格的模仿、迁移和提升，从而迅速提升教师的课堂教学水
基于优势关系下的模糊粗糙集模型
https://www.wendangku.net/doc/683999779.html, Fuzzy Rough Sets Based on Dominance Relations Xiaoyan Zhang Department of Mathematics and Information Science Guangdong Ocean University Zhanjiang, P. R. China 524088 datongzhangxiaoyan@https://www.wendangku.net/doc/683999779.html, Abstract This model for fuzzy rough sets is one of the most important parts in rough set theory. Moreover, it is based on an equivalence relation (indiscernibility relation). However, many systems are not only concerned with fuzzy sets, but also based on a dominance relation because of various factors in practice. To acquire knowledge from the systems, construction of model for fuzzy rough sets based on dominance relations is very necessary. The main aim to this paper is to study this issue. Concepts of the lower and the upper approximations of fuzzy rough sets based on dominance relations are proposed. Furthermore, model for fuzzy rough sets based on dominance relations is constructed, and some properties are discussed. Keywords: Rough sets; Dominance relations; fuzzy sets. 1Introduction The rough set theory [10,11], proposed by Pawlak in the early 1980s, is an extension of set theory for the study of intelligent systems. It can serve as a new mathematical tool to soft computing, and deal with inexact, uncertain or vague information. Moreover, this theory has been applied successfully in discovering hidden patterns in data, recognizing partial or total dependencies in systems, removing redundant knowledge, and many others [7,12,13,15,16]. Since its introduction, the theory has received wide attention on the research areas in both of the real-life applications and the theory itself. Theory of fuzzy sets initiated by Zedeh [9] also provides useful ways of describing and modeling vagueness in ill-defined environment. Naturally, Doubois and Prade [8] combined fuzzy sets and rough sets. Attempts to combine these two theories lead to some new notions [1,5,7], and some progresses were made [2,3,4,5,6,14]. The combination involves many types of approximations and the construction of fuzzy rough sets give a good model for solving this problem [5]. However, most of systems are not only concerned with fuzzy data, but also based on a dominance relation because of various factors. In order to obtain the succinct knowledge from the systems, construction of model for fuzzy rough sets based on dominance relations is needed. The main aim of the paper is to discuss the issue. In present paper, a dominance relation is introduced and instead of the equivalence relation (discernibility relation) in the standard fuzzy rough set theory. The lower and the upper approximation of a fuzzy rough set based on dominance relations are proposed. Thus a model for fuzzy rough sets based on dominance relations is constructed, and some properties are studied. Finally, we conclude the paper and look ahead the further research.
网络传播的特点和优势
网络传播的特点和优势 鲁梦蝶生物工程学院2014级生物制药一班201412090126 对于什么是网络传播，比较普遍的看法是：所谓网络传播，就是通过国际互联网这一信息传播平台，以电脑、电视机及移动电话等为终端，以文字、声音、动画、图像等形式来传播信息。网络传播可以理解为利用互联网这一媒介进行的信息传递，是一种兼具人际、组织传播内涵的新型大众传播。 网络传播能够在短时间内迅猛发展，主要是由其不同于传统媒体的优势和特点决定的。网络传播信息的速度和规模、影响的地域范围以及表现形式等都远远超过以往的大众媒体，极大地开阔了人们的视野、丰富了人们的文化生活。按照学者们的归纳，网络传播主要有以下优势： 信息量大，速度快。网络以其超链接的方式将存储信息的容量无限放大，而传统媒体却要受版面、频道、时间等因素限制，无法任意扩大和丰富所发布的信息内容。在信息传播效率上，传统媒体所要发布的信息都必须经过采集、筛选、加工等多个环节才能够传递给受众，而网络传播将这个过程大大缩短，网络信息可以实现即时更新，大到国际、国家大事，小到生活琐事，均能在网上得到同步反映。 传播手法多样。网络传播不仅集传统媒体传播手段之大成，而且在传播过程中可以把文字、声音、图像等融为一体，实现以往各种传统传播手段的整合，满足了受众多方面需要。 传播过程多向互动。传统的报纸、广播、电视等媒体是以传播者为中心的单向、线性传播，传播主体和受众之间存在信息不对称。而在网络信息传播中，传播者和受众可以任意互换角色，受众既是信息的接受者，也可以成为信息的传播者。受众的主体地位得以体现，不仅可
以主动地获取或发布信息，而且可以实现无时空限制的交流沟通。 交流具有开放性。在网络上，人们可以在不同国家、不同民族之间就文化传统、思想观念、宗教信仰和生活方式等各个方面进行交流。网络传播是完全开放的，全球共享、广泛参与是其鲜明特征。 传播主体广泛。传统信息发布主体是某个具体的电台、电视台或者报社、杂志社。而在互联网上，每个网民都可以是信息发布者。同时，网络还具有传统媒体所没有的虚拟性，网络传播主体可以匿名，网民随意出入自由发言，发言机会均等。
突出自身优势 发挥重要作用
突出自身优势发挥重要作用——区政协召开各民主党派、工商联负责人和无党派代表人士座谈会 月9日，岳麓区各民主党派、工商联负责人和无党派代表人士座谈会在天穆大酒店召开，区委副书记夏文斌，区政协主席谷中林，区委常委、统战部长胡德强，区政协全体副主席、秘书长、各委办主任参加了会议。会上，区政协党组副书记、副主席蒋顺武通报了各民主党、工商联、无党派人士2009年在促进我区政协事业中发挥的重要作用，并简要介绍了区政协三届四次会议至五次会议期间的工作要点。各民主党派、工商联负责人和无党派人士结合自身工作实际，畅所欲言，就如何发挥自身优势、提高履职水平、加强沟通衔接提出了许多有建设性的意见和建议。区委常委、统战部长胡德强在讲话中要求各民主党、工商联和无党派人士发挥自主性，突出工作重点，创造性开展工作。区委副书记夏文斌发表了重要讲话，他指出提案工作是政协工作中的重要内容，提高提案的质量要在六个方面着力，即撰写的提案对热点要有自己独到的见解，对难点要有可行性的方法，对拐点要有警示性的预言，对重点要有操作性的建议，对重点要有理论性的总结，对缺点要有提示性的净言，提出的建议要解决问题、争取资金、形成亮点、创造效益、操作易行。他深情地勉励与会者要加强自身修养，做一个有人格、有理想、有成就的政协委员。区政协主席谷中林主持了座谈会，他要求与会者要深刻领会、认真落实区委领导的讲话精神，努力发挥自身优势，积极主动开展工作，为开创我区政协工作局面作出新的更大的贡献。 为进一步交流情况，增进共识，加强合作，提高政协工作的质量和水平，4月17日下午，区政协党组在政协832会议室召开区各民主党派负责人恳谈会。区政协党组书记应名勇主持会议并讲话，区政协党组成员顾峰、管云昌等出席。
企业文化与企业竞争优势关系的研究
企业文化与企业竞争优势关系的研究 随着信息时代和知识时代的来临，企业间的竞争日益表现为企业文化和企业竞争优势的竞争。本文通过界定企业文化和企业竞争优势的概念，着力阐述企业文化和企业竞争优势之间的关系。 标签：企业文化竞争优势关系 0 引言 彼得·德鲁克曾说过：“明天的商业竞争与其说是技术上的挑战，还不如说是文化上的挑战。”中国企业文化的研究严重滞后于中国企业文化发展的实践。早在五十年代，我国的一些大型国有企业中，就有自己独具特色的经营理念，如鞍钢宪法、大庆铁人精神等，当时虽未冠之以企业文化的概念，但实际上发挥着企业文化的价值功能和整合功能。从八十年代末到九十年代初，随着我国改革开放的进一步深入，在引进外资，引进国外先进技术和管理的过程中，企业文化作为一种管理模式又被引入我国的企业中。一时间，许多企业都风起云涌地搞起了企业文化，在全国掀起了企业文化的热潮。有些企业盲目的模仿外资企业管理和企业文化的一些形式，热中于搞文化活动、形象设计，片面地认为这样就是塑造企业文化。直到九十年代中期，中国的企业文化热才逐步降温。 1 “企业文化”与“企业竞争优势”的概念辨析 1.1 企业文化通常我们这样定义，企业文化是企业在长期的经营过程中逐渐形成的，为全体成员共同遵守和奉行的价值观念和行为准则，是企业的个性、素质、目标和氛围，体现企业对价值的认知。企业文化是企业价值观在其指导思想、管理风格和行为方式上的反映。 1.2 企业竞争优势对于什么是企业竞争优势，学者们从不同的角度出发，提出了各自的看法。霍弗(Hof e r)和申德尔(Schendel)认为，竞争优势是“一个组织通过其资源的调配而获得的相对于其竞争对手的独特性市场位势”。巴尼(Barney)认为，“对一个企业能够实施某种价值创造型战略而其他任何现有和潜在的竞争对手不能同时实施时，就可以说该企业拥有竞争优势。”而波特(Porte r)认为，“竞争优势归根结底来源于企业为客户创造的超过其成本的价值。”国内学者项保华认为“竞争优势指的是企业所处的这样一种状态，即:以自身的资源或组织能力(活动)为基础，能够提供被顾客认为是物有所值的产品或服务，比竞争对手更好地创造顾客价值所需的价值”。尽管这些看法在表述上各有区别，但其基本含义却大同小异，即企业竞争优势是指企业在特定业务经营领域内向消费者提供具有某种价值的产品或服务的过程中所表现出来的超过竞争对手，并能在一定时期内获得超额利润的属性或能力。 2 企业文化与企业竞争优势的关系研究
思维导图的优势与作用
思维导图的优势与作用 一、思维导图的优势 您是否经常遇到过这样的情况： 1、您买了很多书，可惜很多都没有读？就是有幸读过也掌握不了多少？ 2、走进书店发现新书、想买的书层出不穷，可是总担心买回去也没有时间消化？ 3、如果在图书馆的书海中遨游，您是不是望书兴叹，游不了多久见没有时间了？ 4、作为学生您是不是感觉学习教材都比较吃力，只有刻苦才能通过考试？
5、已经工作的您是不是感觉学习能力不如学生时代，在激烈的竞争面前感觉知识更新缓慢？ 6、当您面对的无限丰富的知识、智慧和技能您是不是感到力不从心？ 是我们的能力不够吗？是我们的大脑不好使？NO！！！ 您的大脑是一个沉睡的巨人，心理学家告诉我们普通人终其一生才用了4-6%的大脑潜能。我们大脑的潜能绝大部分还在沉睡！我们的一生可能花费90%以上的学习时间学习各种各样的业务知识，也许只花了10%不到的时间学习训练学习的方法。 现在有一种方法可以全面解决这些问题，这就是思维导图！有没有听说过？我们都有体会，形象的、具体的、直观的事物要比抽象的语言容易记得多。美国图论学者哈里有一句名言：“千言万语不及一张图。”说的就是这种道理。俗话说：“百闻不如一见。”也是这个意思。 思维导图和传统的学习记忆方法相比有较大的优势。
1、使用思维导图进行学习，可以成倍提高学习效率，增进了理解和记忆能力。如通过使用关键字强迫我们在做笔记的时候就要思考句子的要点到底是什么，这使我们可以积极地倾听讲课者。而且思维导图还激发我们的右脑，因为我们在创作导图的时候还使用颜色、形状和想象力。根据科学研究发现人的大脑是由两部分组成的。左大脑负责逻辑、词汇、数字，而右大脑负责抽象思维、直觉、创造力和想象力。巴赞说：“传统的记笔记方法是使用了大脑的一小部分，因为它主要使用的是逻辑和直线型的模式。”所以，图像的使用加深了我们的记忆，因为使用者可以把关键字和颜色、图案联系起来，这样就使用了我们的视觉感官。 2、把学习者的主要精力集中在关键的知识点上。您不需要浪费时间在那些无关紧要的内容上。节省了宝贵的学习时间。 通过使用关键字强迫我们在开展业务或做笔记的时候就要思考句子的要点到底是什么，这使我们可以积极地倾听讲课者。关键知识点之间的连接线会引导您进行积极主动思考。快速系统的整合知识，可以为您的知识融会贯通创造了极其有利的条件。发展创造性思维和创新能力。发散思维是创新思维的核心。画思维导图的方法恰恰是发散思维的具体化、形象化。
试分析自身的人际关系的优点和缺点
v1.0 可编辑可修改试分析自身的人际关系的优点和缺点，并分析缺点的原因，提出改正的方法。 我自身的人际关系总体来说属于一般型，并没有特别多的朋友，也不至于朋友很少。总的来说，有交心的朋友，但并不是很多，大多数都是泛泛之交；同时，虽然我并没有很多至交，但也没有闹的不高兴的人。 总结一下在人际交往过程中，我的优点如下：1.不会很张扬，但有一定的礼貌；2.知道尊重他人，体谅他人；3.知道萝卜白菜，各有所爱，所以当遇到分歧时，会尊重别人的观点；4.知道什么事不该问并且不会将自己的负面情绪传染给他人，不会无缘无故对别人发脾气；5.不会在不了解的基础上胡乱说别人的闲言碎语；6.谨遵诚信、正直的原则。 我的缺点如下：1.正如首因效应一样，有时太看重第一印象和细节问题，所以有时很难对别人有好的改观；2.太在意别人的看法，所以有时在交往的过程中也很束手束脚，不能放得开；3.在与人交往过程中不够热情，也不够主动，没有激情；4.不善于道歉，尤其对于熟人；5.很不善于用肢体语言交流，羞于表达，有时甚至用语言都不一定能表达的很好；6.有时会有点偏执，容易产生偏见；7.对于别人打乱自己的计划很反感，有点自我；8.有时会比较敏感，因为一点不值得的小事而一直放在心上;9.对于以前的朋友，我并不经常联系，觉得没有什么话可聊。 基于此，我认为改善我的人际关系，最主要的一点就是要敞开心，主动地接纳别人，主动结交新朋友，并热心、乐观的对待别人；另外，要学着多用肢体语言来交流，促进友情；要尽量客观、理智的看待别人的优缺点；要学着常与朋友联系，增进感情；最后，我应该勇于接受计划的随时改变，能随时应对各种变化。 1
SVG的特点和优势
SVG的原理、特点及优势 1、静止无功补偿技术介绍 静止无功补偿技术经历了3代：第1代为机械式投切的无源补偿装置，属于慢速无功补偿装置，在电力系统中应用较早，目前仍在应用；第2代为晶闸管投切的静止无功补偿器（SVC），属无源、快速动态无功补偿装置，出现于20世纪70年代，国外应用普遍，我国目前有一定应用，主要用于配电系统中，输电网中应用很少；第3代为基于电压源换流器的静止同步补偿器（Static Synchronous Compensator，STATCOM），亦称SVG，属快速的动态无功补偿装置，国外从20世纪80年代开始研究，90年代末得到较广泛的应用。 早期的无功补偿装置主要是无源装置，方法是在系统母线上并联或者在线路中串联一定容量的电容器或者电抗器。这些补偿措施改变了网络参数，特别是改变了波阻抗、电气距离和系统母线上的输入阻抗。无源装置使用机械开关，它不具备快速性、反复性、连续性的特点，因而不能实现短时纠正电压升高或降落的功能。 20世纪70年代以来，以晶闸管控制的电抗器（TCR）、晶闸管投切的电容器（TSC）以及二者的混合装置（TCR+TSC）等主要形式组成的静止无功补偿器（SVC）得到快速发展。SVC可以看成是电纳值能调节的无功元件，它依靠电力电子器件开关来实现无功调节。SVC 作为系统补偿时可以连续调节并与系统进行无功功率交换，同时还具有较快的响应速度，它能够维持端电压恒定。 SVC虽然能对系统无功进行有效的补偿，但是由于换流元件关断不可控，因而容易产生较大的谐波电流，而且其对电网电压波动的调节能力不够理想。随着大功率全控型电力电子器件GTO、IGBT及IGCT的出现，特别是相控技术、脉宽调制技术（PWM）、四象限变流技术的提出使得电力电子逆变技术得到快速发展，以此为基础的无功补偿技术也得以迅速发展。静止同步补偿器，作为FACTS家族最重要的成员，在美国、德国、日本、中国相继得到成功应用。电压型的STATCOM（SVG）直流侧采用直流电容为储能元件，通过逆变器中电力半导体开关的通断将直流侧电压转换成交流侧与电网同频率的输出电压。当只考虑基波频率时，STATCOM可以看成一个与电网同频率的交流电压源通过电抗器联到电网上。由于STATCOM 直流侧电容仅起电压支撑作用，所以相对于SVC中的电容容量要小得多。此外，STATCOM和SVC相比还拥有调节速度更快、调节范围更广、欠压条件下的无功调节能力更强的优点，同时谐波含量和占地面积都大大减小。
结构优势效应
结构优势效应 实际生活中遇到的客观事物并不是孤立存在的，而是按照一定规律相互联系相互制约的。因此人对于各种事物刺激模式的识别也总是相互关联，相互影响，并具有一定的规律性。 在模式识别过程中，自上而下加工的作用随模式识别研究的深入而日益受到重视。如字词优势效应(Word-Superiority Effect)：识别字词中字母的正确率＞识别一个单独的同一字母。 客体优势效应(Object-Supriotity Effect)：识别一个客体图形中的线段正确率＞识别结构不严的图形中同一线段或单独该线段。 构型优势效应（Configural-Superiority Effect）：识别一个完整的图形＞识别图形的一部分 字母优势效应（Letter-Superiority Effect）：识别字母中的一个组成线段＞识别单独的该线段。 以上各种优势效应表明了在模式识别中，刺激模式的整体结构优于部分，整体的结构在模式识别中起有利作用，统称为结构优势效应（Structure superiority effect）。应注意的是，这种刺激模式的整体结构和部分的区分是相对的。如：一个单词处在一个完整的句子中就是部分，而对于组成这个单词的字母表来说就是整体结构。结构优势效应不仅与刺激模式的特征有关，而且与人的知觉组织活动规律有密切联系。 一、字词优势效应（Word-superiority Effect） Reicher 1969 在实验中发现。 材料：三类视觉刺激材料（卡片） （1）一个或两个字母 （2）一个或两个单词（4个字母） （3）一个或两个无意义字母串（4个字母） 变量：①时间（短、中、长），分别测定，即按照每个被试反应达到的正确率所需要的时间（ms），相应时间分别为：正确率达60%（短），90% ＋5ms（长），短长呈现时间的中点值（中）。 ②有无先行信息。有：每次实验前把将要供选择的两个字母告诉给被试听。 无：事先不告诉。 程序：速示器呈现刺激 先行信息---注视点——呈现—种刺激材料---掩蔽刺激与供选择的两个字母（字母所在位置恰好对应于刺激材料中需要测试的字母位置） 被试回答：哪个是前面刺激材料中在相同位置出现过的。 主试记录：选择结果的对或错。
客户关系管理系统的优势
客户关系管理系统的优势 客户关系管理系统（CRM）是以客户数据的管理为核心，利用信息科学技术，实现市场营销、销售、服务等活动自动化，并建立一个客户信息的收集、管理、分析、利用的系统，帮助企业实现以客户为中心的管理模式。客户关系管理既是一种管理理念，又是一种软件技术。 客户关系管理系统主要有高可控性的数据库、更高的安全性、数据实时更新等特点，提供日程管理、订单管理、发票管理、知识库管理等功能。 企管宝CRM系统的宗旨是：为了满足每个客户的特殊需求，同每个客户建立联系，通过同客户的联系来了解客户的不同需求，并在此基础上进行"一对一"个性化服务。通常CRM包括销售管理、市场营销管理、客户服务系统以及呼叫中心等方面。“以客户为中心”，提高客户满意度，培养、维持客户忠诚度，在今天这个电子商务时代显得日益重要。客户关系管理正是改善企业与客户之间关系的新型管理机制，越来越多的企业运用CRM来增加收入、优化赢利性、提高客户满意度。 企管宝crm客户关系管理系统的优势 1、帐号自由设置，用户数量不限 2、永久性使用，不限使用期限，终身免费的技术支持 3、完全独立的管理平台，可以将其安装在您需要的任何地方 4、基于B/S架构，互联网、局域网、本地电脑皆可使用，可无限范围覆盖 5、强大的数据管理和统计分析功能，可根据建立的各种不同的信息，并快速查询出所需要的统计信息和相对应的柱状图、折线图、饼图 6、独立的团队管理系统，使您对整个企业、整个团队情况一目了然。
7、销售机会的跟踪，可以方便了解每一个销售机会的跟进情况。快速制定客户的跟进策略。——并且在销售机会的详细页可以看到联系活动、报价单、签约单、服务单的明细情况 企管宝客户关系管理系统CRM为企业构建了一整套以客户为中心的有关客户、营销、销售、服务与支持信息的数据库，帮助企业了解管理渠道，建立和优化了前端业务流程，包括市场营销、销售、产品的服务与支持、呼叫中心等。该系统可以进行深层次分析和挖掘，从而发现最有价值的客户、新的市场和潜在的客户，创造业务良机。该系统可扩展、可连接的特性可以与企业的SCM、ERP 系统、OA系统无缝集成，实现实时的数据交换，增强企业与供应商、合作伙伴、客户间的关系，加快客户服务与支持响应速度，增强企业在电子商务时代的竞争优势。 出师表 两汉：诸葛亮 先帝创业未半而中道崩殂，今天下三分，益州疲弊，此诚危急存亡之秋也。然侍卫之臣不懈于内，忠志之士忘身于外者，盖追先帝之殊遇，欲报之于陛下也。诚宜开张圣听，以光先帝遗德，恢弘志士之气，不宜妄自菲薄，引喻失义，以塞忠谏之路也。 宫中府中，俱为一体；陟罚臧否，不宜异同。若有作奸犯科及为忠善者，宜付有司论其刑赏，以昭陛下平明之理；不宜偏私，使内外异法也。 侍中、侍郎郭攸之、费祎、董允等，此皆良实，志虑忠纯，是以先帝简拔以遗陛下：愚以为宫中之事，事无大小，悉以咨之，然后施行，必能裨补阙漏，有所广益。 将军向宠，性行淑均，晓畅军事，试用于昔日，先帝称之曰“能”，是以众议举宠为督：愚以为营中之事，悉以咨之，必能使行阵和睦，优劣得所。 亲贤臣，远小人，此先汉所以兴隆也；亲小人，远贤臣，此后汉所以倾颓也。先帝在时，每与臣论此事，未尝不叹息痛恨于桓、灵也。侍中、尚书、长史、参军，此悉贞良死节之臣，愿陛下亲之、信之，则汉室之隆，可计日而待也。
网络营销的特点和优势
1. 广阔的经营空间 网络技术的发展使市场的范围突破了空间限制。网络营销市场面对的是开放的和全球化的市场，从过去受地理位置限制的局部市场；一下子拓展到范围广泛的全球性市场。面对提供了无限商机的互联网，企业可以积极加入进去，开展全球性的营销活动。 2. 全天候的经营时间 网络市场上的虚拟商店可以每天24小时全天候提供服务，一年365天持续营业，方便了消费者的购买，特别是对于平时工作繁忙、无暇购物的人来说具有更大的吸引力。 3. 无店铺的经营方式 网络市场上的虚拟商店，只是通过互联网络作为它使用的媒体，而不需要店面、装饰。摆放的商品和服务人员等。 4. 低库存的经营方式 网络市场的虚拟商店，可以在接到顾客订单后，再向制造的厂家订货，而无须将商品陈列出来供顾客选择，只需在网页上打出货物菜单即可。特别是随着社会的发展，在网络市场上消费需求向个性化的趋势发展，就更无需进行商品的存储。这样店家不会因为存货而增加成本。5. 成本低廉的竞争策略 因为普通商店在经营过程中，需要支付店面租金、装饰费用、电费、营业税及人员的管理费等，而网络市场上的虚拟商店只需支付自设网站及网页成本、软硬件费用、网络使用费以及以后的维持费用。这样就大大降低了成本，其售价一般比传统商店要低，有利于增加网络商家和网络市场的竞争力。 6. 精简化的营销环节 网络技术的发展使消费者的个性化需求成为可能，消费者由原来的被动接收转变为主动参与，顾客不必等待企业的帮助，就可以自行查询所需产品的信息，还可以根据自己的需求自下订单，参与产品的设计制造和更新换代，使企业的营销环节大为简化。 总之，由传统的实体化市场发展到网络市场是一种质的飞跃，网络市场具有传统市场所不具有的特点，而这些特点正是网络市场的优势所在。 1、时域性 营销的最终目的是占有市场份额，由于互联网能够超越时间约束和空间限制进行信息交换，使得营销脱离时空限制进行交易变成可能，企业有了更多时间和更大的空间进行营销，可每周7天，每天24小时随时随地的提供全球性营销服务。 2、富媒体 互联网被设计成可以传输多种媒体的信息，如文字、声音、图像等信息，使得为达成交易进行的信息交换能以多种形式存在和交换，可以充分发挥营销人员的创造性和能动性。 3、交互式 互联网通过展示商品图像，商品信息资料库提供有关的查询，来实现供需互动与双向沟通。还可以进行产品测试与消费者满意调查等活动。互联网为产品联合设计、商品信息发布、以及各项技术服务提供最佳工具。 4、个性化
数学模型的优势和作用
数学模型在小学数学教学中的作用 结构 一、数学模型的简介。 二、建立数学模型的基本原则 三、建立数学模型的基本方法 四、小学数学中基本模型 五、模型在小学数学小数学习中的体现 六、小学数学教学中的小学教学中的实录 正文 一、数学模型的简介。 1 什么是数学模型？ 数学模型，一般是指用数学语言、符号或图形等形式来刻画、描述、反映特定的问题或具体事物之间关系的数学结构。小学数学中的数学模型，主要的是确定性数学模型，广义地讲，一般表现为数学的概念、法则、公式、性质、数量关系等。数学模型具有一般化、典型化和精确化的特点。 2 数学模型的意义 （1）建立数学模型是数学教学本质特征的反映。 ①数学模型是对客观事物的一般关系的反映，也是人们以数学方式认识具体事物、描述客观现象的最基本的形式。例如，舍去一切具体情景，行程问题的基本模型是：路程=速度×时间(s=vt)，只不过在具体问题解决时，需要对这个模型进行一次构建还是多次构建的问题。因此，数学模型有效地反映了思维的过程，是将思维过程用语言符号外化的结果。显然，学生对数学模型的理解、把握与构建的能力，在很大程度上反映了他的数学思维能力、数学观念及意识。 ②人们在以数学方式研究具体问题时，是通过分析、比较、判断、推理等思维活动，来探究、挖掘具体事物的本质及关系的，而最终以符号、模型等方式将其间的规律揭示出来，使复杂的问题本质化、简洁化，甚至将其一般化，使某类问题的解决有了共同的程序与方法。因此，可以说，数学模型不仅反映了数学思维的过程，而且是高级的、高效的数学思维的反映。 2建立数学模型是数学问题解决的有效形式。 ①数学模型是数学基础知识与数学应用之间的桥梁，建立和处理数学模型的过程，就是将数学理论知识应用于实际问题的过程。并且，建立模型更为重要的是，学生能体会到从实际情景中发展数学，获得再创造数学的绝好机会，在建立模型，形成新的数学知识的过程中，学生能更加体会到数学与大自然和社会的天然联系。因而，在小学数学教学中，让学生从现实问题情景中学数学、做数学、用数学应该成为我们的一种共识，只有这样，数学教学中的“问题解决”才有了相应的环境与氛围。 ②现代数学观认为，数学具有科学方法论的属性，数学思想方法是人们研究数学、应用数学、解决问题的重要策略。而建立数学模型，研究数学模型，正是问题解决过程中的中心环节，是决定问题解决程度如何的关键。当年，瑞士大数学家欧拉面对哥斯尼堡“七桥问题”时，巧妙地将陆地看成点，将桥看成线，