固体光电子导论课后习题(南邮)
1.2 A 1.6 eV photon is absorbed by a valence band electron in GaAs. If the bandgap of GaAs is 1.41 eV, calculate the energy of the electron and heavy hole produced by the photon absorption. Condition:
***
0001.6 1.410.0670.450.058e h r eV Eg eV m m m m m m ω===== Solution: By
2
222
***
1
1()22e h r
Eg m m m ωω
ω-=
+=
We can get
*22
*
**22
**()0.1642()0.0252e r c e
e h r v h h m E E Eg eV m m m E E Eg eV m m ω
ωωω?-==-=????-==-=??
1.4 The absorption coefficient near the bandedges of GaAs and Si are 4110cm - and 3110cm - respectively. What is the minimum thickness of a sample in each case which can absorb 90% of the incident light? Condition:
31
41()10()10Si cm GaAs cm αα--==
Solution: By
0min 0
()()(190%)x
I x I e
I x I α-?=??
=-?? We can get
min min min 00min ()0.10.1
1
ln 0.1
x x I x I e I e x ααα
--==?=?=-
So
3
min 4
min () 2.310() 2.310x Si cm
x GaAs cm
--?=???=???
1.8 In a GaAs sample at 300K, equal concentrations of electrons and holes are
injected. If the carrier density is n=p=1017cm -3, Calculate the electron and hole Fermi levels using the Boltzmann and Joyce-Dixon approximations.
Condition:
173
183300,, 4.710710c v When T K for GaAs N cm N cm --==?=?
Solution:
Boltzmann approximation:
ln 0.0402ln 0.1105n
c c F B p c F v B N E E k T eV n N E E k T eV
p ?-==??
??-==??
Joyce-Dixon approximation:
(ln 0.0383(ln 0.1103n
c
F B c p F v B v n E E k T eV N n E E k T eV N ?-=-=??
?
?-=-+=??
1.12 The radiative lifetime of GaAs sample is 1.0 ns. The sample has a defect at the midgap with a capture cross-section of 10-15cm 2 . At what defect concentration does the non-radiative lifetime become equal to the radiative lifetime at i) 77K and ii) 300K?(分电子、空穴计算) Condition:
**1520
00.0680.47 1.010n p r nr m m m m ns
cm ττσ-=====
Solution:
(1)For electrons
7*277*2730013(77) 2.2710/2213(300) 4.4810/22th n th B K n th B K
th v K cm s m v k T m v k T v K cm s ??==??=???
??
???===?????
So
163
16311(77) 4.4110(77)(77)11(300) 2.2310(300)(300)nr t t th nr th nr t
t th nr th N K cm N v K v K N K cm N v K v K τστστστσ--??===?????
??
???===?????
(2)For holes
6
*277*2730013(77)8.6310/2213(300) 1.7010/22th p th B K p th B K
th v K cm s m v k T m v k T v K cm s ??=??=????????===?????
So
173
16311(77) 1.1610(77)(77)11(300) 5.8810(300)(300)nr t t th nr th nr t
t th nr th N K cm N v K v K N K cm N v K v K τστστστσ--??===?????
???
??===?????
1.13 Electrons are injected into a p-type silicon sample at 300K. The e-h radiative lifetime is 1μs. The sample also has midgap traps with a cross-section of 10-15cm 2 and a density of 1016cm -3. Calculate the diffusion length for the electrons if the diffusion coefficient is 30 cm 2/s. Condition:
1521632*
01101030/ 1.08r t n n s cm N cm D cm s m m τμσ--===== Solution:
By
*27
13 1.1210/22n th B th m v k T v cm s =?=?
We get
1
8.93nr t th ns N v τσ
=
=
Then
1
1
1
8.85r
nr
ns ττ
ττ=
+
?=
So
45.1510n L m -==?
2.1 The bandgap of 1x x Hg Cd - alloy is given by the expression
()0.3 1.9()Eg x x eV =-+
Calculate the composition of an alloy which gives a cutoff wavelength of a) 10m μ b) 5.0m μ. Solution: By
1.24
c hc m Eg Eg
λμ=
=
We get
1.24 1.24
10(10)0.220.3 1.91.24 1.24 5.0( 5.0)0.29
0.3 1.9c c c c m x m Eg x
m x m Eg x
λμλμλμλμ=
==?==-+===?==-+
2.2 Calculate the cutoff wavelength for a GaAs detector. If the cutoff wavelength is to be decreased to 0.7μm, how much AlAs must be added to a GaAs? Assume that the bandgap of 1x x Ga Al As - is given by
() 1.43 1.25()Eg x x eV =+ Solution: By
1.24
c hc m Eg Eg
λμ=
=
We get
1.24 1.24
0.7(0.7)0.271.43 1.25c c m x m Eg x
λμλμ=
==?==+
2.4 An optical power density of 1W/cm 2 is incident on a GaAs Sample. The photon energy is 2.0eV and there is no reflection from the surface. Calculate the excess electron-hole carrier densities at the surface and 0.5μm from the surface. The e-h recombination time is 10-8s. Condition:
241
8(0)1/() 2.1110 2.00
10op P W cm GaAs cm w eV R s ατ--==?===
Solution: (1)At the surface
2231()(0)
(0) 6.5910op L GaAs P G cm s w
α--=
=?
So
143(0)(0)(0) 6.5910L n x p x G cm δδτ-=====?
(2)At 0.5m μ from the surface
()2(0.5)(0)0.35/GaAs x
op op P x m P e
W cm αμ-=== 2231()(0.5)
(0.5) 2.3110op L GaAs P x m G x m cm s w
αμμ--===
=?
So
143(0.5)(0.5)(0.5) 2.3110L n x m p x m G x m cm δμδμμτ-======?
2.5 Assume that all the photons in an optical beam produce an electron-hole pair in a Ge detector. If all the carriers are collected calculate the responsivity for photon energies of a)0.7eV b)1.0eV c)2.0eV. Condition:
1Q η= Solution: By
Q ph
hv
R e
η=
We get
111
(0.7) 1.43( 1.0)1( 2.0)0.5Q ph Q ph Q ph e R hv eV V hv e R hv eV V hv e R hv eV V hv
ηηη---========
=
2.6 Consider a long Si p-n junction with a reverse bias of 1V at 300K. The diode has the following parameters:
2
173173
227
7
3
1
2
13101012/8/10101010/ 1.7a d n p n p op A cm N cm N cm D cm s
D cm s
s
s
cm
P W cm
w eV
ττα-----==?========
Calculate the photocurrent in the diode. Solution: By
22313.6810op
L P G cm s w
α--=
=?
10.95n L m μ==
8.94p L m μ==
2ln()0.846a d B bi i
N N k T
V V e n =
= 1/202{
()()}0.18r a d bi a d
N N W V V m e N N εεμ+=+= So
()11.8L L n p I eAG W L L A =++=
2.7 Consider a long Si p-n junction solar cell with an area of 4cm 2 at 300K. The solar cell has the following parameters:
173183
227
7
3101015/7.5/1010 1.0 1.25
a d n p n p L N cm N cm D cm s D cm s
s
s I A
m ττ----=?=======
Calculate the open circuit voltage of the diode. If the fill factor is 0.75,calculate the maximum power output. Solution:
By
1202
012.258.667.1410n p n p p n p n i n p n a p d L m L m
I A eD n eD p D D I A Aen L L L N L N μμ-??
==??
=?=???
?????=+=+ ? ?? ? ?????? We get
ln(1)0.83L oc I mkT
V V e I =
+= And
0.6225
m f oc L P F V I W ==
2.8 Consider the solar cell of problem 2.7.A solar system is to be developed from such cells to deliver a power of 15W at a voltage level of 5V. Calculate the total number of solar cells needed. Condition:
10.830.75sc oc f I A V V F ===
Solution:
For each solar cell:
0.870.72m sc m oc I A V V
?==?
?
==?? We can get
5
()[
]1715
()[]14
5m
m
N series V N para I =+==+=
So the total number of cells
()()28Tot N N series N para =?=
2.10 Consider a silicon photoconductor at 300Kwith the following parameters:
1532267
4
2
101200/400/1051010100d n p n p N cm cm V s
cm V s s
s
A cm
L m
μμττμ----==?=?==?==
A bias of 5V is applied to the detector. Calculate the dark current. If light falls on the detector to produce a generation rate of 1021cm -3s -1,calculate the excess concentration, the photoconductivity, and device gain. Solution:
(1) The dark current
00000153
02530()()109.6/ 2.2510B d
n p n p d d i d V I FA e n p AF e n p A L
n N cm
I mA p n N cm σμμμμ--?
==+=+???==?=??==????
(2) The excess carrier denisty
143510L p p n G cm δδτ-===?
(3) The photoconductivity
()10.128n p e n p s cm σμδμδ-?=+=?
(4) The device gain
8(1)401.6710p
p L ph Lp
tr n ph tr n I G I t G L t s F τμμμ-?==+???=?
?==???
2.13 Consider a GaAs p-i-n detector with an intrinsic layer width of 1.0 μm. Optical power density (photon energy 1.6eV) of 0.1W/cm 2 impinges upon the detector. The absorption coefficient for the active region is 104cm -1. Calculate the prompt photocurrent of device. The device area is 10-4cm 2. Condition:
241421.0 1.60.1
/1010op W m w eV
P W cm cm A cm μα---=====
Solution:
17216(0) 3.9110 3.9510(0)[1exp()]op ph L L ph P J cm s I A I eAJ W ωα---?
=
=???=??
?=--?
2.14 Consider a silicon p-i-n detector in which the i layer is 10 μm thick. Calculate the maximum quantum efficiency of this detector if only light absorbed in the undoped region contributes to the photocurrent. The absorption coefficient for the active region is 103cm -1. Also calculate the minimum thickness of the i-region needed to ensure a quantum efficiency of 0.8. There are no reflection losses. Condition:
31
10100.8
0Q W m
cm R μαη-====
Solution: (1) By
()2max 1exp 10.86412
[,]
W e W ηαηαα=--??
?=-=?∈??
(2) By
()min min 31
1exp 0.8
16.110W W m cm
ηαμα-?=--=??=?=??
2.16 An avalanche photodetector has an avalanche region of 0. 5μm and the electric field is such that αimp =βimp =104cm -1. Calculate the multiplication factor of the device. Solution:
121e imp M W
α=
=-
3.8 Consider a GaAs p-n + junction LED with the following parameters at 300K:
22173
163
25/12/510101010n p d a n p D cm s
D cm s
N cm N cm ns ns
ττ--===?===
Calculate the injection efficiency of the LED assuming no trap related recombination. Solution: By
(1)(1)
B B eV
n p k T
n n eV
p n k T p p eD n J e L eD p J e L ?=-??
??
=-??
And
2
432
63
41053.46810i p n a i p n d n n cm L m
N n L m p cm N μμ----?==???==????
==???
==???
We can get
0.986n p
n n
inj n p p n
n p n p
eD n J L eD n eD p J J L L γ=
==++
3.9 The diode in Problem 3.8 is to be used to generate an optical power of 1mW. The diode area is 1 mm 2 and the radiative efficiency is 20%. Calculate the forward bias voltage required. Condition:
2
1120%out Qr P mW
A mm η===
Solution:
By
53.54410out ph ph n n
Qr
ph Qr
P I w
I e I A I I e ηη-=????
?==??=???
And
exp 1n p n n n B AeD n eV
I J A L k T
??
??=?=
-?? ?????
So
ln 1 1.02n p B n n AeD n k T V V e I L ??=+≈????
3.12 The light from a GaAs LED is coupled into an optical fiber which has refractive indices of 1.51 and 1.47 for the core and the cladding layers. Calculate the maximum angle of acceptance for the fiber. The LED has a Lambertian(cosine) output. Calculate the coupling efficiency for the diode. Condition:
121.51 1.47r r n n == Solution:
1221/2122
sin ()20.2sin 0.12
A r r fiber A n n θηθ-=-==
=
3.15 Consider an AlGaAs/GaAs heterojunction LED. The injection densities for electrons and holes are equal and are both 1017 cm -3 In the active GaAs region. Calculate the shift in the peak position of the emission peak energy if E g (GaAs) is 1.43eV. Calculate the shift in the peak position if the injection density is increased to 1018cm -3 . The temperature is 300K. Condition:
173
10 1.43n p cm Eg eV -===
Solution:
(1) For injection density of 17310n p cm -==
0.026E kT eV ?==
11
1.4432
p g E E E eV ≈+?=
(2) For injection density of 18310n p cm -==
0.055c
n
E kT eV N ?=
= 21
1.4582
p g E E E eV ≈+?=
So
120.015p p E E E eV ?≈-=
3.18 A heterojunction LED based on GaAs is biased at 100Acm 2 current density at 300K. The active layer of LED is 0.5μm. Calculate the cutoff frequency of the diode. Condition:
2
1000.5J A cm d m μ=?=
Solution: By
r
d
J nev ne τ==
25311.2510r
n
J
cm s ed
τ--?
=
=?? From the Fig 1639910810r
n cm s τ--??
So
119.92c r
f MHz πτ=
≈
3.21 A GaAs LED is to be designed with an output power of 5.0W. The maximum device area that can be allowed 100 μm 2.Estimate the thickness of the active region needed. The efficiency of the Device is 20%. The maximum injection density is 1018cm -3. Condition:
2
1835.0
10020%
10out Tot P W A m n cm μη-====
Solution:
ph r
I ndA
P I e ωωη
ηωτ===
2.2r
d m nA
μηω=
=
3.22 Consider a GaAs p-n + junction LED with the following parameters at 300K:
110.2 3.0 2.0inj opt r nr P mW
ns ns γηττ=====
Calculate:
a) the total quantum efficiency of LED ηtotal ;
b) the number of photon generated per second I ph ; c) the injected current I inj . Solution:
(1) 1
0.40.081
1
r
Qr Tot inj Qr opt r
nr
τηηηηηττ=
=?==+
(2) 1611610.43710 2.18510opt ph ph opt P P I s I s w w ηη--=
=??==?? (3) 8.74ph
inj Tot
eI I mA η=
=
4.1 Consider a GaAs laser with a cavity length of 75μm. Calculate the number of
allowed longitudinal modes in an energy width 1
2
g B E k T ± where Eg=4.43eV and
T=300K. Solution:
115.5102r c
Hz n L
ν?=
=? 112E N h ν???=+=?????
4.3 Consider a Fabry-Perot cavity of length 100μm. The mirror reflectivity is 0.33 and the absorption loss in the cavity is 120cm -.Calculate the photon lifetime ph τ.The refractive index in the cavity is 3.6. Condition:
1
1000.33
20 3.6loss r L m
R cm n μα-====
Solution:
-1ln 130.866cm Tot loss R L
αα=-=
139.1710r
ph Tot n s c
τα-=
=?
4.8 Two GaAs/AlGaAs double heterostructure laser are fabricated with active region thickness of 2.0μm and 0.5μm. The optical confinement factors are 1.0 and 0.8, respectively. The carrier injection density needed to cause lasing is 1831.010cm -? in the first laser and 1831.110cm -? in the second laser.The radiative recombination times are 1.5ns.Calculate the threshold current densities for the two lasers. Solution:
42
1132
22 2.1310/5.8710/las
th th r
las
th th r
d J n e
A cm d J n e
A cm ττ==?==?
5.1 A GaAs/AlGaAs laser has a threshold current density of 200A/cm -2. In a large signal switching, the laser is switched from zero current to 4 times the threshold current . Calculate the time delay before photon emission if the carrier lifetime is 2ns. Solution:
ln(
)0.575d th
J
t ns J J τ==-
5.2 A 1.55μm quantum well laser has a threshold carrier density of 2?1012 cm -2.The radiative lifetime is 2.5ns and Auger coefficient is 10-28cm 6s -1.Calculate the time delay for a large signal switching in which the current density isswitched from 0.5J th to 3.0J th . Assume that the Auger rate can be evaluated using the carrier density n th . The active layer thickness is 10nm. Condition:
122
2861
2210 2.51010D r las n cm ns
F cm s d nm τ---=?===
Solution:
1832210D
th las
n n cm d -=
=? 21
() 2.5nr th Fn ns τ-?==
111
() 1.25r nr ns τττ---?=+=
So
()
ln(
)0.28d th
J J i t ns J J τ-==- 6.1 Condition:
GaAs/AlGaAs TW amplifier
158221
0 1.43510410 1.0200 1.0m in dg
eV
A cm cm ns
dn
g cm P mW
ωτ---==?=?===
Calculation: saturation power P s , the gain Solution:
2.86m
s A P mW dg dn
ωτ==
10
148.21s
g g cm P P -=
=+
光电子技术安毓英习题答案
光电子技术安毓英习题答案-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII
第一章 1. 设在半径为R c 的圆盘中心法线上，距盘圆中心为l 0处有一个辐射强度为I e 的点源S ，如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。 解：因为 ΩΦd d e e I = ， 且 ()??? ? ??+- =-===Ω?22000212cos 12sin c R R l l d d r dS d c πθπ?θθ 所以??? ? ??+-=Ω=Φ220012c e e e R l l I d I π 2. 如图所示，设小面源的面积为A s ，辐射亮度为L e ，面源法线 与l 0的夹角为s ；被照面的面积为A c ，到面源A s 的距离为l 0。若c 为辐射在被照面A c 的入射角，试计算小面源在A c 上产生的辐射照度。 解：亮度定义: r r e e A dI L θ?cos = 强度定义:Ω Φ =d d I e e 可得辐射通量：Ω?=Φd A L d s s e e θcos 在给定方向上立体角为：2 cos l A d c c θ?= Ω 则在小面源在?A c 上辐射照度为：20 cos cos l A L dA d E c s s e e e θθ?=Φ= 3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源（如红外装置面对的天空背景），其各处的辐亮度L e 均相同，试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。 答：由θcos dA d d L e ΩΦ = 得θcos dA d L d e Ω=Φ，且() 2 2cos r l A d d +=Ωθ 则辐照度：()e e e L d r l rdr l L E πθπ =+=? ?∞ 20 0222 2 4. 霓虹灯发的光是热辐射吗？ l 0 S R c L e A s A c l 0 s c 第1.2题图
计算机导论期末考试试题及答案
计算机专业计算机导论期末试题 一、单选题(每小题1分，共80分) 1.客机、火车订票系统属于 C 。 A.科学计算方面的计算机应用 B.数据处理方面的计算机应用 C.过程控制方面的计算机应用 D.人工智能方面的计算机应用 2.按照计算机用途分类，可将计算机分为 D 。 A.通用计算机、个人计算机 B.数字计算机、模拟计算机 C.数字计算机、混合计算机 D.通用计算机、专用计算机 3.下列数中最大的数是。 A.(1000101)2 B.(107)8 C.(73)10 D.(4B)16 4.已知：3×4＝10，则5×6＝ D 。 A.24 B.26 C.30 D.36 5.假设某计算机的字长为8位,则十进制数(+67)10的反码表示为。 A.01000011 B.00111100 C.00111101 D.10111100 6.假设某计算机的字长为8位,则十进制数(-75)10的补码表示为。 A.01001011 B.11001011 C.10110100 D.10110101 7.已知：“B”的ASCII码值是66，则码值为1000100的字符为。 A.“C” B.“D” C.“E” D.“F” 8.在计算机系统内部，汉字的表示方法是采用。 A.ASCII码 B.机内码 C.国标码 D.区位码 9.汉字“办”的区位码是1676，其国标码是。 A.1676H B.4908H C.306CH D.3108H 10.一个汉字字形采用点阵时，其字形码要占72B。 A.16×16 B.24×24 C.32×32 D.48×48 11.在逻辑运算中有Y＝A＋B，则表示逻辑变量A和B进行 B 。 A.与运算 B.或运算 C.非运算 D.与非运算 12.通常所说的CPU包括 C 。 A.运算器 B.控制器 C.运算器和控制器 D.运算器、控制器和内存 13.计算机的内存储器比外存储器 B 。 A.更便宜 B.存储速度快 C.存储容量大 D.虽贵但能存储更多信息 14.外部设备是指。 A.输入设备和输出设备 B.输入设备、输出设备、主存储器
光电子技术安毓英习题答案
第一章 1. 设在半径为R c 的圆盘中心法线上，距盘圆中心为l 0处有一个辐射强度为I e 的点源S ，如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。 解：因为 ， 且 ()??? ? ??+- =-===Ω?22000212cos 12sin c R R l l d d r dS d c πθπ?θθ 所以??? ? ??+-=Ω=Φ220012c e e e R l l I d I π 2. 如图所示，设小面源的面积为?A s ，辐射亮度为L e ，面源法线 与l 0的夹角为θs ；被照面的面积为?A c ，到面源?A s 的距离为l 0。若θc 为辐射在被照面?A c 的入射角，试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。 解：亮度定义: 强度定义:Ω Φ =d d I e e 可得辐射通量：Ω?=Φd A L d s s e e θcos 在给定方向上立体角为：2 0cos l A d c c θ?= Ω 则在小面源在?A c 上辐射照度为：20 cos cos l A L dA d E c s s e e e θθ?=Φ= 3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源（如红外装置面对的天空背景），其各处的辐亮度L e 均相同，试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。 答：由θcos dA d d L e ΩΦ = 得θcos dA d L d e Ω=Φ，且() 2 2cos r l A d d +=Ωθ 则辐照度：()e e e L d r l rdr l L E πθπ =+=? ?∞ 20 0222 2 4. 霓虹灯发的光是热辐射吗？ ΩΦd d e e I = r r e e A dI L θ?cos = 第1.1题图 第1.2题图
光电子技术课后答案安毓敏第二版
习 题 1 1. 设在半径为R c 的圆盘中心法线上，距盘圆中心为l 0处有一个辐射强度为I e 的点源S ，如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功 率。 ΩΦd d e e I =， 202πd l R c =Ω 202e πd d l R I I c e e ==ΩΦ 2. 如图所示，设小面源的面积为A s ，辐射亮度为L e ，面源法线与l 0的夹角为 s ；被照面的面积为A c ，到面源A s 的距离为l 0。若 c 为辐射在被照面A c 的入射角，试计算小面源在A c 用定义r r e e A dI L θ?cos =和A E e e d d Φ=求解。 4. 霓虹灯发的光是热辐射吗？ 不是热辐射。 6. 从黑体辐射曲线图可以看出，不同温度下的黑体辐射曲线的极大值处的波长 m 随温 度T 的升高而减小。试由普朗克热辐射公式导出 常数=T m λ。 这一关系式称为维恩位移定律，其中常数为2.89810-3 m K 。 普朗克热辐射公式求一阶导数，令其等于0，即可求的。 9. 常用的彩色胶卷一般分为日光型和灯光型。你知道这是按什么区分的吗？ 按色温区分。 习 题 2 1. 何为大气窗口，试分析光谱位于大气窗口的光辐射的大气衰减因素。 对某些特定的波长，大气呈现出极为强烈的吸收。光波几乎无法通过。根据大气的这种选择吸收特性，一般把近红外区分成八个区段，将透过率较高的波段称为大气窗口。 l 0 S R c 第1题图 L e ?A s ?A c l 0 θs θc 第2题图
2. 何为大气湍流效应，大气湍流对光束的传播产生哪些影响？ 是一种无规则的漩涡流动，流体质点的运动轨迹十分复杂，既有横向运动，又有纵向运动，空间每一点的运动速度围绕某一平均值随机起伏。这种湍流状态将使激光辐射在传播过程中随机地改变其光波参量，使光束质量受到严重影响，出现所谓光束截面的强度闪烁、光束的弯曲和漂移（亦称方向抖动）、光束弥散畸变以及空间相干性退化等现象，统称为大气湍流效应。 5. 何为电光晶体的半波电压？半波电压由晶体的那些参数决定？ 当光波的两个垂直分量E x ，E y 的光程差为半个波长（相应的相位差为）时所需要加的电压，称为半波电压。 7. 若取v s =616m/s ，n =2.35， f s =10MHz ， 0=0.6328m ，试估算发生拉曼-纳斯衍射 所允许的最大晶体长度L max =? 由公式0 2202044λλλs s s f nv n L L =≈<计算，得到 612 2022max 10 6328.0410********.24-?????==λs s f nv L 。 10. 一束线偏振光经过长L =25cm ，直径D =1cm 的实心玻璃，玻璃外绕N =250匝导线，通有电流I =5A 。取韦尔德常数为V =0.2510-5（）/cm T ，试计算光的旋转角。 由公式L αθ=、VH =α和L NI H = 计算，得到VNI =θ。 11. 概括光纤弱导条件的意义。 从理论上讲，光纤的弱导特性是光纤与微波圆波导之间的重要差别之一。实际使用的光纤，特别是单模光纤，其掺杂浓度都很小，使纤芯和包层只有很小的折射率差。所以弱导的基本含义是指很小的折射率差就能构成良好的光纤波导结构，而且为制造提供了很大的方便。 15. 光波水下传输有那些特殊问题？ 主要是设法克服这种后向散射的影响。措施如下： ⑴适当地选择滤光片和检偏器，以分辨无规则偏振的后向散射和有规则偏振的目标反射。 ⑵尽可能的分开发射光源和接收器。 ⑶采用如图2-28所示的距离选通技术。当光源发射的光脉冲朝向目标传播时，接收器
物联网期中考试 答案
━ 防灾科技学院 2013~ 2014学年 第二学期期中考试 物联网技术导论 试卷（A 卷） 使用班级 1150421/422/423/424/425/426 答题时间 120分钟 一、 单项选择题（共15小题，每题1分，共15分。请将答案写在答题纸上） 1．以下不是物联网特征的是( C )。 A. 全面感知 B. 可靠传递 C. 海量存储 D. 智能处理 2．RFID 是一种( B )自动识别技术。 A. 接触式 B. 非接触式 C. 读写 D. 非读写 3．动物追踪使用最合适的标签是( B )标签 。 P63 课件上 A. 高频 有源 B. 低频 无源 C. 低频 有源 D. 高频 无源 4．图书管理的标签应该用什么类型的标签？ ( D) P63 A. 高频 有源 B. 低频 无源 C. 低频 有源 D. 高频 无源 5．以下不是RFID 阅读器功能的是( D )。 课件 A. 激活标签 B. 处理标签信息，传递给主机 C. 向标签里写数据 D. 主动干扰 6. 利用RFID 、传感器、二维码等随时随地获取物体的信息，指的是物联网的哪个特征?（B ） P3 A. 可靠传递 B. 全面感知 C. 智能处理 D. 海量存储 7．利用云计算、数据挖掘以及模糊识别等人工智能技术，对海量的数据和信息进行分析和处理，对物体实施智能化的控制，指的是物联 网的哪个特征?（C ）。 A. 可靠传递 B. 全面感知 C. 智能处理 D. 海量存储 8．RFID 属于物联网的哪个层？ ( A ) A. 感知层 B.网络层 C.业务层 D.应用层 9．下列哪项3G 标准属于我国自主知识产权的技术标准？ ( C ) A. WCDMA B .CDMA2000 C .TD-SCDMA D .TD-LTE 10．物联网技术是基于射频识别技术而发展起来的新兴产业，射频识别技术主要是基于什么方式进行信息传输的?( A ) A ．电场和磁场 B ．同轴电缆 C ．双绞线 D ．声波 11．（A ）标签工作频率是30-300kHz 。 P63 A. 低频电子标签 B.高频电子标签 C. 特高频电子标签 D.微波标签 12．低频RFID 卡的作用距离（A ）。 A. 小于10cm B. 1 ～ 20m C. 3～8m D. 大于10m 13．RFID 的防碰撞算法中哪个应用最广泛？（C ）P69 A. SDMA B. FDMA C. TDMA D. CDMA 14．空分多路法用（A ）来防止碰撞？ A. 定向天线 B. 频率复用 C. 定时双工 D. 码分复用 15． 以下哪些信息不是在HLR 中存储的？（D ） A. 开户信息 B. 用户目前所处位置信息 C. 签约业务 D. 移动设备身份信息
大一计算机导论试题及答案
新编计算机导论试卷注意事项：1）本试卷适用于本科计算机相关专业学生使用 2）本试卷共4页，共100分，时间90分钟 一、单选题(每小题1分，共30分) 1.假设某计算机的字长为8位,则十进制数(+67) 的反码表示为（）。 10 D. 2.在计算机系统内部，汉字的表示方法是采用（）。 码 B.机内码 C.国标码 D.区位码 3..一个汉字字形采用（）点阵时，其字形码要占72B。 ×16 ×24 ×32 ×48 4.在逻辑运算中有Y＝A＋B，则表示逻辑变量A和B进行（）。 A.与运算 B.或运算 C.非运算 D.与 非运算 5、将175转换成十六进制，结果为（）。 A.AFH B.10FH C.D0H D.98H 6. 一个完整的计算机系统应包括（）。
A. 运算器、控制器和存储器 B. 主机和应用程序 C. 硬件系统和软件系统 D. 主机和外部设备 7.. 微机中的CPU是指（）。 A. 内存和运算器 B. 输入设备和输出设备 C. 存储器和控制器 D. 控制器和运算器 8.. 计算机的性能主要取决于（）。 A. 字长、运算速度和内存容量 B. 磁盘容量和打印机质量 C. 操作系统和外部设备 D. 机器价格和所配置的操作系统 9. 下列语句中（）是正确的。 A. 1KB＝1024×1024 Bytes B. 1KB＝1024 MB C. 1MB＝1024×1024 Bytes D. 1MB＝1024 Bytes 10. 最少需要（）位二进制表示任一四位长的十进制数。 A. 10 B. 14 C. 13 D. 16 11. 下列各种存储器中，断电后会丢失信息的是（）。 A. ROM B. RAM C. CD—ROM D. 硬盘 12.在数据管理技术的发展过程中，经历了人工管理阶段、文件系统阶段和数据库系统阶段。在这几个阶段中数据独立性最高的是（） A．数据库系统B．文件系统C. ．人工管理D．数据项管理 13.系统软件和应用软件的相互关系是（）。
光电子技术基础考试题及答案
光电子技术基础考试题及答案 一、选择题 1.光通量的单位是（ B ）. A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯 2. 辐射通量φe的单位是（ B ） A 焦耳 (J) B 瓦特 (W) C每球面度 (W/Sr) D坎德拉(cd) 3.发光强度的单位是（ A ）. A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯 4.光照度的单位是（ D ）. A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯 5.激光器的构成一般由（ A ）组成 A.激励能源、谐振腔和工作物质 B.固体激光器、液体激光器和气体激光器 C.半导体材料、金属半导体材料和PN结材料 D. 电子、载流子和光子 6. 硅光二极管在适当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。适当偏置是（D） A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置 7.2009年10月6日授予华人高锟诺贝尔物理学奖，提到光纤以SiO2为材料的主要是由于（ A ） A.传输损耗低 B.可实现任何光传输 C.不出现瑞利散射 D.空间相干性好
8.下列哪个不属于激光调制器的是（ D ） A.电光调制器 B.声光调制器 C.磁光调制器 D.压光调制器 9.电光晶体的非线性电光效应主要与（ C ）有关 A.内加电场 B.激光波长 C.晶体性质 D.晶体折射率变化量 10.激光调制按其调制的性质有（ C ） A.连续调制 B.脉冲调制 C.相位调制 D.光伏调制 11.不属于光电探测器的是（ D ） A.光电导探测器 B.光伏探测器 C.光磁电探测器 D.热电探测元件 https://www.wendangku.net/doc/661537652.html,D 摄像器件的信息是靠（ B ）存储 A.载流子 B.电荷 C.电子 D.声子 13.LCD显示器，可以分为（ ABCD ） A. TN型 B. STN型 C. TFT型 D. DSTN型 14.掺杂型探测器是由（ D ）之间的电子-空穴对符合产生的，激励过程是使半导体中的载 流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。 A.禁带 B.分子 C.粒子 D.能带 15.激光具有的优点为相干性好、亮度高及（ B ） A色性好 B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱 16.红外辐射的波长为（ D ）. A 100-280nm B 380-440 nm C 640-770 nm D 770-1000 nm 17.可见光的波长范围为（ C ）.
光电子技术安毓英习题答案完整版
第一章 2. 如图所示，设小面源的面积为?A s ，辐射亮度为L e ，面源法线与l 0 的夹角为?s ；被照面的面积为?A c ，到面源?A s 的距离为l 0。若?c 为辐射在被照面?A c 的入射角，试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。 解：亮度定义: r r e e A dI L θ?cos = 强度定义:Ω Φ =d d I e e 可得辐射通量：Ω?=Φd A L d s s e e θcos 在给定方向上立体角为： 2 cos l A d c c θ?= Ω 则在小面源在?A c 上辐射照度为：2 cos cos l A L dA d E c s s e e e θθ?=Φ= 3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源（如红外装置面对 的天空背景），其各处的辐亮度L e 均相同，试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。 答：由θcos dA d d L e ΩΦ = 得θcos dA d L d e Ω=Φ，且() 2 2cos r l A d d +=Ωθ 则辐照度：()e e e L d r l rdr l L E πθπ =+=? ?∞ 20 0222 2 7.黑体辐射曲线下的面积等于等于在相应温度下黑体的辐射出射度M 。试有普朗克的辐射公式导出M 与温度T 的四次方成正比，即 M=常数4T ?。这一关系式称斯特藩-波耳兹曼定律，其中常数为5.67?10-8W/m 2K 4 解答：教材P9，对公式2 1 5 1 ()1 e C T C M T e λλλ= -进行积分即可证明。 第二章 3．对于3m 晶体LiNbO3，试求外场分别加在x,y 和z 轴方向的感应主折射率及相应的相位延迟（这里只求外场加在x 方向上） 解：铌酸锂晶体是负单轴晶体，即n x =n y =n 0、n z ＝n e 。它所属的三方晶系3m 点群电光系数有四个，即γ22、γ13、γ33、γ51。电光系数矩阵为： 第1.2题图
《物联网技术概论》试题-A.doc
《物联网技术概论》试题（A） ???????????????????????????????? 一、单选题（1分×20 =20分）(在每小题列出的备选项中只有一个是符合题目要求的，错选、多选或未选均无分) 1.物联网的核心技术是什么？ A. 传感控制技术 B. 人工智能技术 C. 无线网络技术 D. 无线射频识别技术（RFID） 2.如果物联网的相关产品被广泛的使用，在使用之前，您最关注其产品的什么因素呢？ A. 收费方式 B. 技术高低 C. 产品服务 D. 其它 3.智慧地球(Smarter Planet)是谁提出的（） A.无锡研究院 B. 温总理 C.IBM D.奥巴马 4. 物联网(Internet of Things)这个概念最先是由谁最早提出的（） A. MIT Auto-ID中心的Ashton教授 B.IBM C.比尔盖茨 D.奥巴马 5.被称为世界信息产业第三次浪潮的是（） A. 计算机 B. 互联网 C. 传感网 D.物联网 6.IBM提出的物联网构架结构类型是（） A.三层 B.四层 C.八横四纵 D.五层 7. 在以太网中采用下列哪一种网络技术？ A. FDDI B. CSMA/CD C. MAC D. ATM 8、ADSL的中文意思是什么？ A．调制解调器 B．交换机 C．路由器 D．非对称数字用户线路 9、目前校园网中主流接入Internet的方式是什么？ B．光纤以太网接入 C．Frame—Relay(帧中继) D．Cable Modem 10. 哪种无线技术标准与旧无线标准的兼容性最强，且性能更高？ A. 802.11n B. 802.11b C. 802.11a D. 802.11g 11.以下哪个技术不属于自动识别技术？（） A.RFID射频识别技术 B.无线通信技术 C.虹膜识别技术 D.手写识别技术 12.物联网中常提到的“M2M”概念不包括下面哪一项？（） A. 机器到人（Machine to Man） B.人到机器（Man to Machine） C. 人到人（Man to Man） D.机器到机器（Machine to Machine） 13.云计算（Cloud Computing）的概念是由谁提出的（） A.GOOGLE B.微软 C.IBM D. 腾讯
大学计算机导论试题(1)
一．选择题 1. 用一个字节表示无符号整数，其最大值是十进制数（）。 A. 256 B. 255 C. 127 D. 128 2. 一个完整的计算机系统应包括（c）。 A. 运算器、控制器和存储器 B. 主机和应用程序 C. 硬件系统和软件系统 D. 主机和外部设备 3. 微机中的CPU是指（）。 A. 内存和运算器 B. 输入设备和输出设备 C. 存储器和控制器 D. 控制器和运算器 4. 计算机的性能主要取决于（）。 A. 字长、运算速度和内存容量 B. 磁盘容量和打印机质量 C. 操作系统和外部设备 D. 机器价格和所配置的操作系统 5. 磁盘上的磁道是（a）。 A. 一组记录密度不同的同心圆 B. 一组记录密度相同的同心圆 C. 一组记录密度不同的阿基米德螺旋线 D. 一组记录密度相同的阿基米德螺旋线 6. 下列E–mail地址正确的是（）。 A. wangfang/https://www.wendangku.net/doc/661537652.html, B. https://www.wendangku.net/doc/661537652.html, C. wangfang#https://www.wendangku.net/doc/661537652.html, D. wangfang@https://www.wendangku.net/doc/661537652.html, 7. UNIX操作系统是一种（c）。 A. 单用户单任务操作系统 B. 实时操作系统 C. 多用户多任务操作系统 D. 单用户多任务操作系统 8. 下列四项中，不属于计算机病毒特征的是（）。 A. 潜伏性 B. 免疫性 C. 传染性 D. 激发性 9. 电子计算机主存内的ROM是指（）。 A. 不能改变其内的数据 B. 只能读出数据，不能写入数据 C. 通常用来存储系统程序 D. 以上都是 10. 市场上出售的微机中，常看到CPU标注为“Pentium 4/1.2G”，其中的1.2G表示（）。 A. CPU的时钟主频是1.2GMHz B. CPU的运算速度是1.2Gb/s C. 处理器的产品系列号 D. CPU与内存的数据交换率 11. 下列语句中（）是正确的。 A. 1KB＝1024×1024 Bytes B. 1KB＝1024 MB C. 1MB＝1024×1024 Bytes D. 1MB＝1024 Bytes 12. 最少需要（）位二进制表示任一四位长的十进制数。 A. 10 B. 14 C. 13 D. 16 13. 下列各种存储器中，断电后会丢失信息的是（）。 A. ROM B. RAM C. CD—ROM D. 硬盘
光电子技术安毓英习题答案解析[完整版]
第一章 2. 如图所示，设小面源的面积为?A s ，辐射亮度为L e ，面源法线与l 0 的夹角为θs ；被照面的面积为?A c ，到面源?A s 的距离为l 0。若θc 为辐射在被照面?A c 的入射角，试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。 解：亮度定义: r r e e A dI L θ?cos = 强度定义:Ω Φ =d d I e e 可得辐射通量：Ω?=Φd A L d s s e e θcos 在给定方向上立体角为： 2 cos l A d c c θ?= Ω 则在小面源在?A c 上辐射照度为：2 cos cos l A L dA d E c s s e e e θθ?=Φ= 3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源（如红外装置面对 的天空背景），其各处的辐亮度L e 均相同，试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。 答：由θcos dA d d L e ΩΦ = 得θcos dA d L d e Ω=Φ，且() 2 2cos r l A d d +=Ωθ 则辐照度：()e e e L d r l rdr l L E πθπ =+=? ?∞ 20 0222 2 7.黑体辐射曲线下的面积等于等于在相应温度下黑体的辐射出射度M 。试有普朗克的辐射公式导出M 与温度T 的四次方成正比，即 M=常数4T ?。这一关系式称斯特藩-波耳兹曼定律，其中常数为 5.6710-8W/m 2K 4 解答：教材P9，对公式2 1 5 1 ()1 e C T C M T e λλλ=-进行积分即可证明。 第二章 3．对于3m 晶体LiNbO3，试求外场分别加在x,y 和z 轴方向的感应主折射率及相应的相位延迟（这里只求外场加在x 方向上） 解：铌酸锂晶体是负单轴晶体，即n x =n y =n 0、n z ＝n e 。它所属的三方晶系3m 点群电光系数有四个，即γ22、γ13、γ33、γ51。电光系数矩阵为： L e ?A s ?A c l 0 θs θc 第1.2题图
计算机导论期末考试试卷及参考答案1
课程《计算机导论》考试时间：120分钟班级姓名学号 一、填空题（将正确答案填在横线上，每空1分，共10分） 1．现代计算机都是基于__________模型的。 2．位运算可分为两大类，即__________运算和__________运算。 3．中央处理单元（CPU）由__________ 、__________和寄存器组三个部分组成。 4．根据网络覆盖的范围，可以将网络划分为__________、__________和广域网。 5．当操作系统没有对进程的资源进行限制时会发生__________。 6．计算机系统由两个部分组成，分为 __________ 和__________。 二、选择题（将正确答案的代号填在横线上，每小题2分，共20分） 1、下面哪些属于数据？ A．数 B. 视频 C.音频 D. 以上全是 2、在计算机语言中，是告诉计算机怎么处理数据的一系列指令。 A、操作系统 B、算法 C、数据处理器 D、程序 3、一个字节有位。 A、2 B、4 C、8 D、16
4、如果计算机断电，那么下列中的数据将被擦除。 A、RAM B、ROM C、磁带驱动器 D、CD-ROM 5、兄弟土豆公司总部在A市,但在B市和C市有分店，各分店之间要通信，这种网络类型可能是。 A、LAN B、MAN C、WAN D、以上都不是 6、进程在状态能够转换到就绪、终止或等待状态 A、保持 B、虚拟 C、运行 D、a和c 7、在排序中，将最小的元素移到无序列表的起始位置，但没有一对一交换。 A、选择 B、冒泡 C、插入 D、以上都是 8、对于无序列表使用查找。 A、顺序 B、折半 C、冒泡 D、插入 9、计算机硬件唯一可理解语言。 A、机器 B、符号 C、高级 D、自然 10、记录中的所有成员必须是。 A、同类型 B、相关类型 C、整型 D、字符型 三、判断题（请在括号内正确的打“√”，错误的打“╳”。每小题1分，共10分） 1．在冯诺.伊曼模型中，程序可以不存储在存储器中。（） 2．在扩展的ASCII码中，每个符号为16位。（） 3．把位模式的指定位置位是异或运算的一个应用。（） 4．高速缓冲存储器是中速存储器。（）
答案2014-2015-1物联网技术导论试卷A
2014-2015学年第1学期 2014物联网工程专业 物联网技术导论试卷（A）卷 一、填空（每题1分，共20分） 1．人、物或者物理世界 2．感知识别层、综合应用层 3．空、译码 4．射频信号，自动识别 5．功耗、价格、体积 6．叠加、冲突或碰撞 7．高频、超高频、超高频 8．IP地址、端口号 9．地理位置（空间坐标）、处在该位置的时刻（时间坐标） 10．GPS，GLONASS，伽利略、北斗 11．802.11 12．横向智能化、互联规模化 13．信号强度衰减、多径传播 14．源用户的MAC地址；与接入点相连的路由器的MAC地址 15．网络应用、个人用户携带设备 16．TD-SCDMA3G、W-CDMA、CDMA2000、TD-LTE、FDD-LTE 17．海量性、多态性 18．网络附加存储、存储区域网络 19．缆线系统、可靠性分级 20．隐私方针、数据混淆 二、单项选择题(每个2分，共20分) ABCAC CCABA １
三、简答题（每个3分，共30分） 1．物联网的四层体系结构模型 答：根据信息生成、传输、处理和应用的原则，将物联网分为感知识别层、网络构建层、管理服务层和综合应用层 2．RFID标签冲突 答：多个标签同时处于阅读器识别范围之内或多个标签同时向阅读器发送标志信号时，信号将产生叠加而导致阅读器不能正常解析标签发送的信号，将发生标签信 号冲突。解决冲突问题的方法被称为防冲突算法。 3．无线传感网 答：传感网是网络化催生的全新的传感器应用模式。无线传感网是由部署在监测区域的大量微型、低成本、低功耗的传感器节点组成的多跳无线网络，用于长期、实 时、自动化的环境监测。 4．摩尔定律 答：计算机硬件的发展通常遵循摩尔定律：集成电路上可容纳的晶体管数量，约每隔18个月增加一倍，性能也将提升一倍。 5．蓝牙和Wi-Fi区别 答：Wi-Fi的定位目标是为了取代网络应用中的有线设备，能够真正的实现从有线到无线的转变。蓝牙主要是为了替换一些个人用户携带设备的有线，如耳机，键盘等。 6．数据中心 答：数据中心是一整套复杂的设施。它不仅仅包括计算机系统和其它与之配套的设备（例如通信和存储系统），还包含冗余的数据通信连接、环境控制设备、监控设备以及各种安全装置。 7．多径效应 答：多径效应（multipath effect）：指受障碍物反射，使得电磁波经不同路径传播后，各分量场到达接收端时间不同，按各自相位相互叠加而造成干扰，使得原来的信 号失真，或者产生错误。 ２
光电子技术题目与答案8页
1) 色温是指在规定两波长处具有与热辐射光源的辐射比率 相同的黑体的温度 2) 自发跃迁是指处于高能级的粒子自发地跃迁到低能级上。 受激跃迁是指由于外界辐射场作用而产生的粒子能级间的跃迁。 3) 受激辐射下光谱线展宽的类型分为均匀展宽和非均匀展宽，其中 均匀展宽有自然展宽、碰撞展宽、热振动展宽，非均匀展宽有多普勒展宽、残余应力展宽。 4) 常见的固体激光器有红宝石激光器、钕激光器、钛宝石激光器（写 出两种），常见的气体激光器有He-Ne激光器、Ar激光器、CO2激光器（写出两种）。 5) 光是一种以光速运动的光子流，光子和其它基本粒子一样，具有 能量、动量和质量；其静止质量为零。 6) 激光与普通光源相比具有如下明显的特点：方向性好、单色性好、相干性好、强度大 7) 简述光子的基本特性。 答：1、光子能量E与光波频率v对应：E=hv 2、光子具有运动质量m，m=E/c2=hv/c2 3、光子的动量与单色平面波矢对应：P=?k 4、光子具有两种可能的独立偏振状态，对应于光波场的两个独立偏振方向 5、光子具有自旋性，并且自旋量子数为整数
8) 简述激光产生的条件、激光器的组成及各组成部分的作用。 答：必要条件：粒子数反转分布和减少振荡模式数 充分条件：激光在谐振腔内的增益要大于损耗 稳定振荡条件：增益饱和效应 组成：工作物质、泵浦源、谐振腔 作用：工作物质：在这种介质中可以实现粒子数反转 泵浦源：将粒子从低能级抽运到高能级的装置 谐振腔：1、使激光具有极好的方向性 2、增强光放大作用 3、使激光具有极好的单色性 1)声波在声光晶体中传播会引起晶体中的质点按声波规律在平衡位置振动，按照声波频率的高低以及声波和光波作用的长度不同，声光相互作用可以分为拉曼-纳斯衍射，布喇格衍射两种类型。 2) 磁光效应是指外加磁场作用所引起的材料光学各项异性，法拉第磁光效应的规律（1）对于给定的介质，光振动面的旋转角与样品的长度和外加的磁感应强度成正比（2）光的传播方向反转时，法拉第旋转的左右方向互换。 3) 电致折射率变化是指晶体介质的介电系数与晶体中的电荷分布有关，当晶体被施加电场后，将引起束缚电荷的重新分布，并导致离子晶格的微小型变，从而引起介电系数的变化，并最终导致晶体折射率变化的现象。 4) 光纤色散的主要危害是使脉冲信号展宽，限制了光纤的宽带或传输容量，多模光纤的色散主要有模色散、材料色散、波导色散
《计算机导论》模拟历真题二
《计算机导论》模拟试卷二 一、单选题(每小题1分，共80分> 1、第一台数字电子计算机ENIAC，于在美国诞生。 A.1942年 B.1951年 C.1946 D.1949年 2、IBM公司的“深蓝”计算机曾经与世界象棋大师进行比赛并获得胜利，“深蓝”体现了 计算机______方面的应用。 A. 科学计算 B. 数据处理 C. 辅助设计 D. 人工智能 3、将175转换成十六进制，结果为______。 A. AFH B. 10FH C. D0H D. 98H 4、如果(73>X=(3B>16，则X为______。 A. 2 B. 8 C. 10 D. 16 5、数据处理的基本单位是______。 A. 位 B. 字节 C. 字 D. 双字 6、假设某计算机的字长为8位，则十进制数(－100>10的反码表示为______。 A. 11100100 B. 10011100 C. 10011011 D. 10011001 7、已知[X]补＝10111010，求X<真值）______。 A. －1000110 B. －1000101 C. 1000100 D. 1000110 8、某计算机字长为32位，用4个字节表示一个浮点数<如下图），其中尾数部分用定点小 数表示，则尾数部分可表示的最大数值为______。 A. 1 B. 1-2-23 C. 1-2-24 D. 1-2-22 9、已知字母“m”的ASCII码为6DH，则字母“p”的ASCII码是______ A. 68H B. 69H C. 70H D. 71H
10、汉字“往”的区位码是4589，其国标码是______。 A. CDF9H B. C5F9H C. 4D79H D. 65A9H 11、一个汉字的编码为B5BCH，它可能是______。 A. 国标码 B. 机内码 C. 区位码 D. ASCII码 12、根据冯.诺依曼机的基本特点，下面说法不正确的是______。 A. 采用存储程序方式，计算机能自动逐条取指令并运行。 B. 硬件与软件不分开，配置不同的硬件及软件来适应不同的要求 C. 指令和数据都采用二进制 D. 指令由操作码和地址码组成 13、关于计算机指令系统及工作原理，不正确的说法是______。 A. 所有计算机的指令系统都是一样的 B. 计算机自动处理是指运行预先编制好的运算程序 C. 指令逐条运行由计算机硬件实现 D. 计算机程序是用户根据某一任务的解决步骤，选用一组指令进行有序排列的集 合 14、不能用来衡量计算机运算速度的方法是______。 A. 时间频率 B. 指令执行速度MIPS C.核心程序法 D.外频 15、准确地说，计算机的中央处理器 课程考试（查）试卷 （2016——2017学年度第一学期） 课程名称：物联网技术导论实训考试时间：90分钟 试卷类型：命题教师签名： 教研室主任签名：主管系部主任签名： 一.填空题（每空1分，共40分） 1.物联网就是“”。具有两层含义：第一，物联网的核心和基础仍然是互联网，是在互联网基础上的的网络；第二，其用户端延伸和扩展到了任何物品与物品之间和。 2.吸引了百万人关注的剑桥大学特洛伊计算机实验室的咖啡壶事件发生在年。 3.物联网的战略意义体现主要体现在、、及科技发展需求。 4.物联网的主要应用领域有：、、、、、、、、等。 5.物联网定义是指通过、、、激光扫描器等信息传感设备，按约定的协议。把任何物体与互联网连接起来，进行信息交换和通信，以实现的一种网络。 6.物联网至少应该具备三个关键特征：一是，各类终端实现“”；二是，电信网、互联网等融合实现“”；三是，云计算等技术对海量数据“”。 7.传感器是把转换成易于测量、传输、处理的电学量（如电压、电流、电容等）的一种元件。常见的传感器包括、、、传感器等。 8.当今移动通信处于2G 、3G 、4G 三代技术并存，2G 主要代表是和；3G 主要代表是、、和、4G 主要代表是和。 9.典型的短距离无线通信网络协议有、、、、红外线数据协会）无线协议及WSN （wirelesssensornetwork ，无线传感器网络）等无线低速网络技术。 二．名词解析（每题10分，共20分） 1.中间件 2.M2M ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 学号：姓名：考位号：班级： 装订线（答题不得超过此线） 《计算机导论》期末考试试题模拟试题及 答案 一、填空题（每小题1分，共20分）： 1. 计算机领域中采用_________、_________、或_________来表示数值。。 2. 冯·诺依曼型计算机的两大特征是“程序存储”和“______”。 3. 美国标准信息交换代码，简称ASCII码，它是____位二进制编码，因此，它可以表示_128___种字符。 4. 计算机中采用的基本逻辑电路主意有各种______及______。 5. 用_________语言编写的程序可由计算机直接执行。 6. 串口按信息传送格式可分为_________和_________。 7. 计算机的主存储器存储直接与＿＿交换的信息，辅助存储器存放当前不立即使用的信息。 8. 堆栈是指用作数据暂存的一组寄存器或一片存储区，它的工作方式称为______。 9. 由寻址方式形成的操作数的真正存放地址，称为操作数的______。 10. 计算机网络按距离可分为______和______。 11. 设备管理中的设备是指计算机系统的_____、_____和_____。 12. 操作系统按功能特征可分为______、______和______。 13. 高级语言的基本元素可以分为____、______、______、______和______等五大类。 14. 从根算起，树可以分为多个层次，树的_____称为树的深度。 15. _____是数据组织形式，反映数据之间的关系，但不涉及数据的具体内容。 16. 线性表的链式存储结构中，每个元素需存储两部分信息：一部分是元素本身的信息，称之“_____”；另一部分则是该元素的直接后继元素的存储位置，称之“_____”。 17. 栈是限定在_____进行插入和删除运算的线性表，其表尾称为_____，表头称为_____。 可见光的波长、频率和光子的能量范围分别是多少？ 波长：380~780nm 400~760nm 频率：385T~790THz 400T~750THz 能量：~ 辐射度量与光度量的根本区别是什么？为什么量子流速率的计算公式中不能出现光度量？ 为了定量分析光与物质相互作用所产生的光电效应，分析光电敏感器件的光电特性，以及用光电敏感器件进行光谱、光度的定量计算，常需要对光辐射给出相应的计量参数和量纲。辐射度量与光度量是光辐射的两种不同的度量方法。根本区别在于：前者是物理（或客观）的计量方法，称为辐射度量学计量方法或辐射度参数，它适用于整个电磁辐射谱区，对辐射量进行物理的计量；后者是生理（或主观）的计量方法，是以人眼所能看见的光对大脑的刺激程度来对光进行计算，称为光度参数。因为光度参数只适用于~的可见光谱区域，是对光强度的主观评价，超过这个谱区，光度参数没有任何意义。而量子流是在整个电磁辐射，所以量子流速率的计算公式中不能出现光度量.光源在给定波长λ处，将λ～λ+dλ范围内发射的辐射通量 dΦe，除以该波长λ的光子能量hν，就得到光源在λ处每秒发射的光子数，称为光谱量子流速率。 一只白炽灯，假设各向发光均匀，悬挂在离地面1.5m的高处，用照度计测得正下方地面的照度为 30lx，求出该灯的光通量。 Φ=L*4πR^2=30*4**^2= 一支氦-氖激光器（波长为）发出激光的功率为2mW。该激光束的平面发散角为1mrad,激光器的放电毛细管为1mm。 求出该激光束的光通量、发光强度、光亮度、光出射度。 若激光束投射在10m远的白色漫反射屏上，该漫反射屏的发射比为，求该屏上的光亮度。 从黑体辐射曲线图可以看书，不同温度下的黑体辐射曲线的极大值处的波长随温度T的升高而减小。试用普朗克热辐射公式导出 式这一关系式称为维恩位移定律中，常数为?10-3m?K。 普朗克热辐射公式求一阶导数，令其等于0，即可求的。教材P8 什么是光辐射的调制？有哪些调制的方法？它们有什么特点和应用？ 光辐射的调制是用数字或模拟信号改变光波波形的幅度、频率或相位的过程。 光辐射的调制方法有内调制和外调制。 内调制：直接调制技术具有简单、经济、容易实现等优点。但存在波长(频率)的抖动。 LD、LED 外调制：调制系统比较复杂、消光比高、插损较大、驱动电压较高、难以与光源集成、偏振敏感、损耗大、而且造价也高。但谱线宽度窄。机械调制、电光调制、声光调制、磁光调制 说明利用泡克尔斯效应的横向电光调制的原理。画出横向电光调制的装置图，说明其中各个器件的作用。若在KDP晶体上加调制电压U=Um ，U在线性区内，请写出输出光通量的表达式。 Pockels效应：折射率的改变与外加电场成正比的电光效应。也称线性电光效应。 光传播方向与电场施加的方向垂直，这种电光效应称为横向电光效应。 说明利用声光布拉格衍射调制光通量的原理。超声功率Ps的大小决定于什么？在石英晶体上应加怎样的电信号才能实现光通量的调制？该信号的频率和振幅分别起着什么作用？ 当超声波在介质中传播时，将引起介质的弹性应变作时间上和空间上的周期性的变化，并且导致介质的折射率也发生相应的变化。当光束通过有超声波的介质后就会产生衍射现象，这就是声光效应。《物联网技术导论》试卷
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